JPH0955426A

JPH0955426A - 半導体装置の製造方法

Info

Publication number: JPH0955426A
Application number: JP20563695A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kato; 眞一加藤
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1995-08-11
Filing date: 1995-08-11
Publication date: 1997-02-25

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体装置の製造方法に関し、エッチバック
を行うことなく１回の現像工程によって電極の頭出し及
びコンタクトホールの形成をウェハ内均一性を保って精
度良く行う。【解決手段】凸部２を有する半導体基板１に層間絶縁
膜として感光性ポリイミド層４を塗布したのち、少なく
とも凸部２に相当する位置の感光性ポリイミド層４を露
光し、次いで、感光性ポリイミド層４を現像して凸部２
の頭出しを行ったのち感光性ポリイミド層４をキュア処
理して硬化させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造方
法に関するものであり、特に、層間絶縁膜として感光性
ポリイミドを用いた半導体装置における表面の平坦化方
法及び引出電極形成部の形成方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の高集積化或いは多層
化に伴って多層配線の信頼性の向上のための表面の平坦
化が要請されており、その要請に応えるために層間絶縁
膜としてポリイミド膜を用いて表面を平坦化し、このポ
リイミド膜をエッチバックすることが良く行われてい
る。

【０００３】この様な従来のポリイミド層を用いた半導
体装置における平坦化方法及び引出電極形成部の形成方
法を図７乃至図１０を参照して説明する。なお、図７及
び図８は通常のポリイミドを用いた従来の引出電極形成
部の形成方法を説明する図であり、また、図９及び図１
０は感光性ポリイミドを用いた従来の他の引出電極形成
部の形成方法を説明する図である。

【０００４】まず、図７及び図８を参照して、通常のポ
リイミドを用いた従来の引出電極形成部の形成方法を説
明する。図７（ａ）参照まず、ＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）等
の素子を形成したＧａＡｓ等の化合物半導体基板５１に
エミッタ電極等の第１電極５３を設け、この第１電極５
３をマスクとしてメサエッチングすることによってメサ
５２を形成し、次いで、化合物半導体基板５１の露出部
にベース電極等の第２電極５４を形成したのち、全面に
ポリイミド層５５をスピンコーターで塗布して表面を平
坦化する。

【０００５】図７（ｂ）参照次いで、ポリイミド層５５を熱処理して脱水処理（キュ
ア）することによって硬化させる。このキュア処理によ
って、ポリイミド層５５の厚さは、キュア処理前の厚さ
の約１／２程度に減少する。

【０００６】図７（ｃ）参照次いで、ＣＦ₄やＳＦ₆等をエッチングガスとして用い
たＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）法等を用い
て、ポリイミド層５５をエッチバックして、ポリイミド
層５５全体の平坦化を保ちながら第１電極５３の上面を
露出させる。

【０００７】図８（ｄ）参照次いで、全面にフォトレジスト（図においてはポジ型を
示す）５６を塗布したのち、第２電極５４に対応する開
口部を有するフォトマスク５７を用いてｇ線或いはｉ線
等の特定波長の紫外線５８を照射して所定パターンの露
光を行う。

【０００８】図８（ｅ）参照次いで、フォトレジスト５６を現像することによって、
フォトレジスト５６の感光部を除去して第２電極５４に
対応する開口部５９を形成する。

【０００９】図８（ｆ）参照次いで、フォトレジストをマスクとしてＲＩＥ法によっ
てポリイミド層５５をエッチングして第２電極５４に対
応するコンタクトホール６０を形成し、最後に、全面に
Ａｌ等の導電層を堆積してパターニングすることによっ
て第１電極５３及び第２電極５４に夫々接続する引出電
極６１を形成する。

【００１０】この様に、層間絶縁膜としてポリイミド層
５５を用いることによって表面を平坦化することができ
るので、フォトリソグラフィー工程におけるパターン形
成を精度良く行うことができる。

【００１１】次に、図９及び図１０を参照して、感光性
ポリイミドを用いた従来の他の引出電極形成部の形成方
法を説明する。図９（ａ）参照まず、ＨＢＴ（ヘテロ接合バイポーラトランジスタ）等
の素子を形成したＧａＡｓ等の化合物半導体基板５１に
エミッタ電極等の第１電極５３を設け、この第１電極５
３をマスクとしてメサエッチングすることによってメサ
５２を形成したのち、化合物半導体基板５１の露出部に
第２電極５４を形成し、次いで、全面に未露光部が現像
されるネガ型の感光性ポリイミド層６２をスピンコータ
ーで塗布して表面を平坦化したのち、感光性ポリイミド
層６２をベークする。

【００１２】図９（ｂ）参照次いで、第２電極５４に対応する遮光部を有するフォト
マスク５７を介してｇ線或いはｉ線等の特定波長の紫外
線５８を照射して感光性ポリイミド層６２を露光する。

【００１３】図１０（ｃ）参照次いで、感光性ポリイミド層６２を感光性ポリイミド用
の現像液を用いて現像することによって、感光性ポリイ
ミド層６２の未感光部を除去して第２電極５４に対応す
るコンタクトホール６０を形成する。

【００１４】図１０（ｄ）参照次いで、感光性ポリイミド層６２を熱処理して脱水処理
（キュア）することによって硬化させる。このキュア処
理によって、感光性ポリイミド層６２の厚さも、キュア
処理前の厚さの約１／２程度に減少する。

【００１５】図１０（ｅ）参照次いで、ＣＦ₄やＳＦ₆等をエッチングガスとして用い
たＲＩＥ法等を用いて、感光性ポリイミド層６２をエッ
チバックして、感光性ポリイミド層６２全体の平坦化を
保ちながら第１電極５３の上面を露出させ、最後に、全
面にＡｌ等の導電層を堆積してパターニングすることに
よって第１電極５３及び第２電極５４に夫々接続する引
出電極６１を形成する。

【００１６】この様に、層間絶縁膜として感光性ポリイ
ミド層６２を用いることによって、フォトレジストを用
いることなくフォトリソグラフィー工程を行うので、パ
ターン形成を精度良く行うことができると共に、工程を
簡素化することができる。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、エッチ
バック等のエッチング工程においては、ウェハ面内均一
性や制御性において高い精度が要求されるが、ＲＩＥ法
を用いた場合には、ＲＩＥ装置の特性上、ウェハの周辺
部からエッチングが進行するので、ウェハ面内均一性を
制御することが非常に困難であった。

【００１８】また、従来の工程においては、メサ５２上
の第１電極５３の上部を露出させる工程と、第２電極５
４に対するコンタクトホール６０を形成する工程が別工
程であったので、工程数が多くスループットが低いとい
う問題があった。

【００１９】さらに、多層化が進む半導体集積回路装置
においては、多層配線に伴って段差が形成されて層間絶
縁膜の厚さはチップ内では均一でないため、精度の高い
エッチングを行うことが困難であった。

【００２０】したがって、本発明は、層間絶縁膜の層厚
に応じて露光を複数回に分けて行うと共に、ＲＩＥ法を
用いたエッチバックを行うことなく１回の現像工程によ
って電極の頭出し或いはコンタクトホールの形成をウェ
ハ内均一性を保って精度良く行うことを目的とする。

【００２１】

【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理的
構成の説明図であり、この図１を参照して本願における
課題を解決するための手段を説明する。なお、図におい
て符号３は電極であり、また、符号６は紫外線である。

【００２２】図１（ａ）乃至（ｃ）参照（１）本発明は、半導体装置の製造方法において、凸部
２を有する半導体基板１に層間絶縁膜として感光性ポリ
イミド層４を塗布する工程、少なくとも凸部２に相当す
る位置の感光性ポリイミド層４を露光する工程、感光性
ポリイミド層４を現像して凸部２の頭出しを行う工程、
及び、感光性ポリイミド層４をキュア処理して硬化させ
る工程を順次行うことを特徴とする。

【００２３】この様に、感光性ポリイミド層４のキュア
処理の前に、少なくとも凸部２に相当する位置の感光性
ポリイミド層４を露光したのち感光性ポリイミド層４を
現像することによって、エッチバックを用いることなく
凸部２の頭出しを精度良く行うことができる。

【００２４】（２）また、本発明は、上記（１）におい
て、露光工程において一部に遮光部を有するフォトマス
ク５を用い、露光部における現像速度と未露光部におけ
る現像速度の差を利用して凸部２の頭出しとコンタクト
ホール７の形成とを行うことを特徴とする。

【００２５】この様に、露光部における現像速度と未露
光部における現像速度の差を利用することにより、エッ
チバックを用いることなく精度良く凸部２の頭出しとコ
ンタクトホール７の形成を一度の現像工程で行うことが
できるので、スループット及び製造歩留りを向上するこ
とができる。

【００２６】この事情を図２を参照して説明する。図２（ａ）参照即ち、ネガ型の感光性ポリイミド層４は、露光された領
域においても露光量に応じてエッチング、即ち、現像が
進行するものであり、露光量が多くなるにしたがって、
現像速度が小さくなる特性を有している。

【００２７】図２（ｂ）参照まず、図２（ａ）の現像速度の露光量依存特性から、露
光量をＡとした場合に凸部２の頭出しに必要な厚さｄ₁
の感光性ポリイミド層４を除去するための所要時間ｔ₁
を決定し、時間ｔ₁の現像処理を行うことによって、凸
部２の頭出しを行うことができる。

【００２８】また、未露光部の現像速度から感光性ポリ
イミド層４の層厚ｄ₂を除去するのに必要な所要時間ｔ
₂を求めたのち、時間ｔ₂において層厚ｄ₁の感光性ポ
リイミド層４を除去するのに必要な露光量Ｂを図２
（ａ）の現像速度の露光量依存特性から求め、コンタク
トホール７に対応する遮光部を有するフォトマスク５を
介して露光量がＢになるように紫外線６を照射し、時間
ｔ₂の現像処理することにより、一度の現像工程で凸部
２の頭出しとコンタクトホール７の形成を同時に行うこ
とができる。

【００２９】（３）また、本発明は、上記（２）におい
て、異なった遮光部を有するフォトマスク５を用いて複
数回の露光を行い、且つ、複数回の露光の終了後に１回
の現像を行うことを特徴とする。

【００３０】この様な構成によって、１回の現像工程だ
けで凸部２の頭出しと深さの異なる複数のコンタクトホ
ール７の形成を同時に行うことができ、製造工程を簡素
化することができると共に、浅い深さのコンタクトホー
ル７における過剰現像に伴うサイドエッチングによるパ
ターンの変形を防止することができる。

【００３１】（４）また、本発明は、上記（３）におい
て、異なった遮光部を有するフォトマスク５を用いて複
数回の露光を行う際に、感光性ポリイミド層４の層厚が
一番厚い部分のコンタクトホール７の形成部分を未露光
領域とし、中間の層厚の部分のコンタクトホール７の形
成部分は少なくとも１回露光を行い、且つ、一番層厚の
薄い凸部２に対応する部分は複数回全て露光することを
特徴とする。

【００３２】この様に、現像すべき感光性ポリイミド層
４の層厚に応じた回数に分けて露光を行うことによっ
て、複雑な段差構造を有する半導体装置に対しても簡素
化された製造工程で精度良く引出電極を形成することが
でき、スループットを向上することができる。

【００３３】（５）また、本発明は、上記（１）乃至
（４）のいずれかにおいて、半導体基板１が化合物半導
体基板であり、凸部２がヘテロ接合バイポーラトランジ
スタのエミッタメサであることを特徴とする。

【００３４】この様に、本発明の基本的構成をヘテロ接
合バイポーラトランジスタに応用することによって、エ
ミッタ電極に対する引出電極を形成するためのエミッタ
電極の頭出しをエッチバックを用いることなく精度良く
行うことができる。

【００３５】（６）また、本発明は、半導体装置の製造
方法において、半導体基板１上に設けた配線層を覆うよ
うに層間絶縁膜として感光性ポリイミド層を塗布する工
程、感光性ポリイミド層の層厚が一番厚い部分のコンタ
クトホール形成部分を未露光領域とし、中間の層厚の部
分のコンタクトホール形成部分は厚さに応じて少なくと
も１回露光を行い、且つ、一番層厚の薄いコンタクトホ
ール形成部分は全露光回数より１回少ない回数だけ露光
する露光工程、感光性ポリイミド層を現像してコンタク
トホールを形成する工程、及び、感光性ポリイミド層を
キュア処理して硬化させる工程を順次行うことを特徴と
する。

【００３６】この様な構成によって、多層配線構造を有
する半導体基板１上に設けた高さの異なる複数の配線層
に対するコンタクトホール７を一度の現像工程で精度良
く形成することができるので、スループット及び製造歩
留りを向上することができる。

【００３７】

【発明の実施の形態】図３乃至図５を参照して本発明の
第１の実施の形態を説明する。図３（ａ）参照まず、半絶縁性ＧａＡｓ基板（図示せず）上に、ｎ⁺型
ＧａＡｓサブコレクタ層１１、ｎ型ＧａＡｓコレクタ層
１２、ｐ型ＧａＡｓベース層１３、ｎ型ＩｎＧａＰエミ
ッタ層１４、及び、ｎ⁺型ＩｎＧａＡｓキャップ層１５
を順次成長させたのち、エミッタ電極１７をマスクとし
てエミッタメサを形成し、次いで、ベースメサ、コレク
タメサを形成し、露出したベース層１３表面にベース電
極１８、サブコレクタ層１１表面にコレクタ電極１９を
形成する。なお、実際には、ｎ型ＩｎＧａＰエミッタ層
１４とｎ⁺型ＩｎＧａＡｓキャップ層１５との間にはｎ
型ＧａＡｓ層を設けている。

【００３８】次いで、サブコレクタ層１１の一部に酸素
イオン等をイオン注入して半絶縁領域１６を形成し、こ
の半絶縁領域１６上に抵抗体２０を形成したのち、層間
絶縁膜として全面にネガ型の感光性ポリイミド（パイラ
リンＰＩ２７２３：デュポン社製商品名）を平坦に塗布
したのち、６０℃で約５分間ベーク処理して表面が平坦
な感光性ポリイミド層２１を形成する。

【００３９】図３（ｂ）参照次いで、ベース電極１８、
コレクタ電極１９、及び、抵抗体２０に対応する遮光部
を有するフォトマスク２２を介して露光量がＡになるよ
うにｇ線或いはｉ線等の特定波長の紫外線２３を照射す
る。

【００４０】この場合の露光量Ａは、次の露光工程にお
ける露光量Ｂと合わせた露光量Ａ＋Ｂによって、一度の
現像工程で全てのコンタクトホールにおける感光性ポリ
イミド層２１が丁度現像・除去できる量に設定するもの
であり、実際には露光量Ｂを設定してから露光量Ａを設
定するものであり、この様子を図５を参照して説明す
る。

【００４１】図５（ａ）参照図５（ａ）は、露光量が０の場合の現像時間と残存する
感光性ポリイミド層２１の膜厚の関係、即ち、現像速度
を示す図であり、未露光部の厚さｄ₃の感光性ポリイミ
ド層２１は所要時間ｔ₃で現像・除去されることにな
る。

【００４２】図５（ｂ）参照したがって、一番深いコンタクトホールにおける感光性
ポリイミド層２１の層厚がｄ₃であるとすると、この部
分を未露光部とすると共に、時間ｔ₃で深さｄ ₂のコン
タクトホールの形成が可能になるように露光量Ｂと決定
し、次いで、露光量Ｂと合わせた露光量Ａ＋Ｂによっ
て、時間ｔ₃で厚さｄ₁の感光性ポリイミド層２１の現
像・除去が可能になるように露光量Ａを決定すれば良
い。

【００４３】図３（ｃ）参照次いで、コレクタ電極１９及び抵抗体２０に対応する遮
光部を有する新たなフォトマスク２４を介して、時間ｔ
₃でベース電極１８に対応する箇所の層厚ｄ₂感光性ポ
リイミド層２１が丁度現像されるような露光量Ｂだけ同
様の紫外線２５を照射し、ベース電極１８に対応する箇
所の感光性ポリイミド層２１も露光する。

【００４４】図４（ｄ）参照次いで、感光性ポリイミド層２１を感光性ポリイミド用
の現像液を用いて時間ｔ₃だけ現像することによって、
エミッタ電極１７の頭出しを行うと同時に、ベース電極
１８、コレクタ電極１９、及び、抵抗体２０に対応する
コンタクトホール２６を形成する。

【００４５】この場合、時間ｔ₃の一度の現像処理によ
って厚さの異なる感光性ポリイミド層２１が丁度現像除
去されるようにしたので、過剰現像に伴うサイドエッチ
ングによってベース電極１８に対するコンタクトホール
２６のパターンが変形することを防止することができ
る。

【００４６】なお、実際には、現像工程におけるマージ
ンを考慮して現像時間を時間ｔ₃より少しオーバするよ
うに設定して感光性ポリイミド層２１の除去を確実に行
うことになるが、過剰現像時間自体は短く、且つ、過剰
現像に伴うサイドエッチングによるコンタクトホールの
パターン変形の程度も各箇所において同一であるの、現
像精度は非常に良いものとなる。

【００４７】図４（ｅ）参照次いで、３００〜４００℃、好適には３１０℃の高温
で、３０〜１２０分間、好適には３０分間熱処理するこ
とにより、感光性ポリイミド層２１をキュア（脱水処
理）して硬化させる。なお、このキュア工程において、
感光性ポリイミド層２１の層厚は約１／２程度となり、
実際には表面に多少の凹凸が形成されるが、非常になだ
らかな凹凸であるので、図においては平坦面で示してい
る。

【００４８】図４（ｆ）参照最後に、全面にＡｌを堆積させてパターニングすること
によって、エミッタ電極１７、ベース電極１８、コレク
タ電極１９、及び、抵抗体２０に夫々接続する引出電極
２７を形成する。

【００４９】この様に、第１の実施の形態においては、
ＲＩＥ法によるエッチバックを用いていないので、ウェ
ハ面内におけるエッチングムラ等を問題にすることなく
エミッタ電極１７の頭出しを行うことができるので、平
坦性を保ちながら引出電極２７の形成が可能になる。

【００５０】次に、図６を参照して半導体集積回路装置
におけるコンタクトホールの形成方法に関する本発明の
第２の実施の形態を説明する。図６（ａ）参照まず、素子を形成したシリコン基板３１上に、ＳｉＯ₂
膜等の下地絶縁膜３２を介して配線層３４〜３６等を形
成したのち、層間絶縁膜としてネガ型の感光性ポリイミ
ドを塗布して、表面が平坦化された感光性ポリイミド層
３３を形成したのち、感光性ポリイミド層３３を９０℃
でベークする。この場合、多層配線層の存在によって下
地絶縁膜３２の表面には凹凸或いは段差が形成されるこ
とになり、層間絶縁膜としての感光性ポリイミド層３３
の厚さはチップ内で分布を持つことになる。

【００５１】次いで、配線層３４〜３６に対しする引出
電極を形成する箇所にコンタクトホールを形成するため
に、コンタクトホールに対応する遮光部を有するフォト
マスク３７を介してｇ線或いはｉ線等の特定波長の紫外
線３８を照射して感光性ポリイミド層３３を露光する。

【００５２】図６（ｂ）参照次いで、配線層３４，３５に対するコンタクトホールに
対応する遮光部を有するフォトマスク３９を介して同様
の紫外線４０を照射して感光性ポリイミド層３３を露光
することによって、配線層３６に対するコンタクトホー
ル部も露光する。

【００５３】図６（ｃ）参照次いで、配線層３４に対するコンタクトホールに対応す
る遮光部を有するフォトマスク４１を介して同様の紫外
線４２を照射して感光性ポリイミド層３３を露光するこ
とによって、配線層３５，３６に対するコンタクトホー
ル部も露光する。

【００５４】次いで、図示しないものの、第１の実施の
形態と同様に感光性ポリイミドからなる感光性ポリイミ
ド層３３を現像して配線層３４〜３６に対応するコンタ
クトホールを形成したのち、感光性ポリイミド層３３を
キュア処理して硬化させ、次いで、Ａｌを堆積させ、パ
ターニングすることによって配線層３４〜３６に接続す
る引出電極を形成する。

【００５５】この第２の実施の形態においては、凸部の
頭出し工程を伴わないので、一番浅いコンタクトホール
部に対しては全露光回数より１回少ない露光を行うこと
になるが、第１の実施の形態と同様に、層間絶縁膜の表
面からの深さの異なる複数の配線層に対して一度の現像
工程で必要とする複数のコンタクトホールを同時に形成
することができ、且つ、露光を複数回に分けて行うの
で、浅いコンタクトホールにおける過剰現像によるパタ
ーン変形を抑制することができる。

【００５６】なお、上記第１の実施の形態においてはＨ
ＢＴを例に説明しているが、本発明はＨＢＴに限られる
ものではなく、ＲＨＥＴ（共鳴トンネリングホットエレ
クトロントランジスタ）等の凸部を有する他の化合物半
導体装置をも対象とするものである。

【００５７】また、上記各実施の形態においてはネガ型
の感光性ポリイミド層２１を用いているが、ポジ型の感
光性ポリイミドを用いても良いものであり、その場合に
は、露光に用いるフォトマスクの遮光パターンを反転さ
せれば良く、さらに、実施の形態におけるベーク処理及
びキュア処理における温度及び処理時間は絶対的なもの
ではなく、使用する感光性ポリイミドの種類によって適
宜変更するものである。

【００５８】

【発明の効果】本発明によれば、チップ内に層間絶縁膜
としてのポリイミド層の厚さの異なる部分が複数箇所存
在しても、露光量を変えたフォトリソグラフィー工程の
みによって複数箇所の引出電極形成部の形成をウェハ内
均一性を保って精度良く行うことができるので、製造工
程が簡素化され、半導体装置の歩留りが向上すると共
に、スループットが向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の原理的構成の説明図である。

【図２】本発明の作用の説明図である。

【図３】本発明の第１の実施の形態の途中までの製造工
程の説明図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態の図３以降の製造工
程の説明図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態の露光条件の説明図
である。

【図６】本発明の第２の実施の形態の製造工程の説明図
である。

【図７】従来の引出電極形成部の途中までの製造工程の
説明図である。

【図８】従来の引出電極形成部の図７以降の製造工程の
説明図である。

【図９】従来の他の引出電極形成部の途中までの製造工
程の説明図である。

【図１０】従来の他の引出電極形成部の図９以降の製造
工程の説明図である。

【符号の説明】

１半導体基板２凸部３電極４感光性ポリイミド層５フォトマスク６紫外線７コンタクトホール１１サブコレクタ層１２コレクタ層１３ベース層１４エミッタ層１５キャップ層１６半絶縁領域１７エミッタ電極１８ベース電極１９コレクタ電極２０抵抗体２１感光性ポリイミド層２２フォトマスク２３紫外線２４フォトマスク２５紫外線２６コンタクトホール２７引出電極３１シリコン基板３２下地絶縁膜３３感光性ポリイミド層３４配線層３５配線層３６配線層３７フォトマスク３８紫外線３９フォトマスク４０紫外線４１フォトマスク４２紫外線５１化合物半導体基板５２メサ５３第１電極５４第２電極５５ポリイミド層５６フォトレジスト５７フォトマスク５８紫外線５９開口部６０コンタクトホール６１引出電極６２感光性ポリイミド層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】凸部を有する半導体基板に層間絶縁膜と
して感光性ポリイミド層を塗布する工程、少なくとも前
記凸部に相当する位置の感光性ポリイミド層を露光する
工程、前記感光性ポリイミド層を現像して前記凸部の頭
出しを行う工程、及び、前記感光性ポリイミド層をキュ
ア処理して硬化させる工程を順次行うことを特徴とする
半導体装置の製造方法。
【請求項２】上記露光工程において、一部に遮光部を
有するフォトマスクを用い、露光部における現像速度と
未露光部における現像速度の差を利用して、上記凸部の
頭出しとコンタクトホールの形成とを行うことを特徴と
する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】上記露光工程において、異なった遮光部
を有するフォトマスクを用いて複数回の露光を行い、且
つ、前記複数回の露光の終了後に１回の現像を行うこと
を特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】上記異なった遮光部を有するフォトマス
クを用いて複数回の露光を行う際に、上記感光性ポリイ
ミド層の層厚が一番厚い部分のコンタクトホール形成部
分を未露光領域とし、中間の層厚の部分のコンタクトホ
ール形成部分は少なくとも１回露光を行い、且つ、一番
層厚の薄い上記凸部に対応する部分は複数回全て露光す
ることを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項５】上記半導体基板が化合物半導体基板であ
り、上記凸部がヘテロ接合バイポーラトランジスタのエ
ミッタメサであることを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】半導体基板上に設けた配線層を覆うよう
に層間絶縁膜として感光性ポリイミド層を塗布する工
程、前記感光性ポリイミド層の層厚が一番厚い部分のコ
ンタクトホール形成部分を未露光領域とし、中間の層厚
の部分のコンタクトホール形成部分は厚さに応じて少な
くとも１回露光を行い、且つ、一番層厚の薄い部分のコ
ンタクトホール形成部分は全露光回数より１回少ない回
数だけ露光する露光工程、前記感光性ポリイミド層を現
像してコンタクトホールを形成する工程、及び、前記感
光性ポリイミド層をキュア処理して硬化させる工程を順
次行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。