JPH0955344A - 電気二重層コンデンサ素子の製造方法 - Google Patents
電気二重層コンデンサ素子の製造方法Info
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- JPH0955344A JPH0955344A JP7227082A JP22708295A JPH0955344A JP H0955344 A JPH0955344 A JP H0955344A JP 7227082 A JP7227082 A JP 7227082A JP 22708295 A JP22708295 A JP 22708295A JP H0955344 A JPH0955344 A JP H0955344A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 分極性電極層が形成されている電極箔に、そ
の分極性電極層を脱落させることなくタブ端子を取り付
ける。 【解決手段】 超音波溶接法またはコールドウェルド法
にてタブ端子を電極箔に取り付ける。
の分極性電極層を脱落させることなくタブ端子を取り付
ける。 【解決手段】 超音波溶接法またはコールドウェルド法
にてタブ端子を電極箔に取り付ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気二重層コンデン
サ素子の製造方法に関し、さらに詳しく言えば、活性炭
を含む分極性電極層が塗布された正極集電体箔と負極集
電体箔とをセパレータを介して渦巻き状に巻回してなる
箔巻回型の電気二重層コンデンサ素子の製造方法に関す
るものである。
サ素子の製造方法に関し、さらに詳しく言えば、活性炭
を含む分極性電極層が塗布された正極集電体箔と負極集
電体箔とをセパレータを介して渦巻き状に巻回してなる
箔巻回型の電気二重層コンデンサ素子の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】電気二重層コンデンサは、例えば活性
炭、カーボンおよびバインダとしてのＰＴＦＥ（ポリテ
トラフルオロエチレン）、ＰＶＤＦ（ポリビニリデンフ
ルオライド）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）または
ＣＭＣ（カルボキシメチルセルロース）などを混練した
電極材料からなる電極層（以下、これを分極性電極層と
いう。）を備えているが、箔巻回型の場合、この分極性
電極層は電極箔上に塗布することにより形成され、同電
極箔とともに巻回される。
炭、カーボンおよびバインダとしてのＰＴＦＥ（ポリテ
トラフルオロエチレン）、ＰＶＤＦ（ポリビニリデンフ
ルオライド）、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）または
ＣＭＣ（カルボキシメチルセルロース）などを混練した
電極材料からなる電極層（以下、これを分極性電極層と
いう。）を備えているが、箔巻回型の場合、この分極性
電極層は電極箔上に塗布することにより形成され、同電
極箔とともに巻回される。
【０００３】すなわち、図３に示されているように、例
えばアルミニウムエッチング箔からなる電極箔１の表裏
両面に、タブ端子取付け部分１ａを除いて上記の活性炭
を含む分極性電極層２が塗布により形成され、しかる
後、タブ端子取付け部分１ａにタブ端子３の羽子板部３
ａがかしめにより取付けられる。なお、電極箔１の一方
の面にのみ分極性電極層２が形成され、同電極箔１の他
方の面が露出面とされている場合には、タブ端子３はそ
の露出面側の所定部位にかしめられることになる。
えばアルミニウムエッチング箔からなる電極箔１の表裏
両面に、タブ端子取付け部分１ａを除いて上記の活性炭
を含む分極性電極層２が塗布により形成され、しかる
後、タブ端子取付け部分１ａにタブ端子３の羽子板部３
ａがかしめにより取付けられる。なお、電極箔１の一方
の面にのみ分極性電極層２が形成され、同電極箔１の他
方の面が露出面とされている場合には、タブ端子３はそ
の露出面側の所定部位にかしめられることになる。
【０００４】このようにして、正極集電体箔４と負極集
電体箔５とが形成され、これらは図４に示されているよ
うに、例えば正極集電体箔４、第１セパレータ６ａ、負
極集電体箔５および第２セパレータ６ｂの順に積層さ
れ、通常の電解コンデンサと同じく渦巻き状に巻回され
る。
電体箔５とが形成され、これらは図４に示されているよ
うに、例えば正極集電体箔４、第１セパレータ６ａ、負
極集電体箔５および第２セパレータ６ｂの順に積層さ
れ、通常の電解コンデンサと同じく渦巻き状に巻回され
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、タブ端
子３の正極集電体箔４および負極集電体箔５へのかしめ
は、かしめ針をその羽子板部３ａ側から電極箔１を突き
通すことにより行なわれるため、その裏面側に形成され
ている分極性電極層２が正極集電体箔４および負極集電
体箔５から粉末として脱落する。その脱落量自体は少量
ではあるが、それが残されたまま製品化されると、分極
性電極層２の粉末がセパレータ内に入り込み、これが原
因でマイクロショートし漏れ電流の増大につながること
になる。このため、従来ではかしめ後に正極集電体箔４
および負極集電体箔５から脱落した分極性電極層２の粉
末を吸引して除去するようにしているが、これにはかな
りの手間がかかり、生産性を阻害する要因の一つとなっ
ている。
子３の正極集電体箔４および負極集電体箔５へのかしめ
は、かしめ針をその羽子板部３ａ側から電極箔１を突き
通すことにより行なわれるため、その裏面側に形成され
ている分極性電極層２が正極集電体箔４および負極集電
体箔５から粉末として脱落する。その脱落量自体は少量
ではあるが、それが残されたまま製品化されると、分極
性電極層２の粉末がセパレータ内に入り込み、これが原
因でマイクロショートし漏れ電流の増大につながること
になる。このため、従来ではかしめ後に正極集電体箔４
および負極集電体箔５から脱落した分極性電極層２の粉
末を吸引して除去するようにしているが、これにはかな
りの手間がかかり、生産性を阻害する要因の一つとなっ
ている。
【０００６】本発明は、上記従来の問題を解決するため
になされたもので、その目的は、分極性電極層の集電体
箔からの脱落を伴なうことなく、電極箔にタブ端子を確
実に取り付けることができるようにした箔巻回型の電気
二重層コンデンサ素子の製造方法を提供することにあ
る。
になされたもので、その目的は、分極性電極層の集電体
箔からの脱落を伴なうことなく、電極箔にタブ端子を確
実に取り付けることができるようにした箔巻回型の電気
二重層コンデンサ素子の製造方法を提供することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の発明は、活性炭を含む分極性電極層が塗
布された電極箔にタブ端子を取り付けて正極集電体箔と
負極集電体箔とをそれぞれ形成し、これら正極集電体箔
と負極集電体箔とをセパレータを介して渦巻き状に巻回
してなる電気二重層コンデンサ素子の製造方法におい
て、上記電極箔の上記分極性電極層が塗布されていない
所定の露出面に上記タブ端子を重ね、同タブ端子を超音
波溶接法により上記電極箔に固着することを特徴として
いる。また、請求項２では、超音波溶接法に代えてコー
ルドウェルド法（冷間圧接法）によりタブ端子を電極箔
に固着することを特徴としている。
め、請求項１の発明は、活性炭を含む分極性電極層が塗
布された電極箔にタブ端子を取り付けて正極集電体箔と
負極集電体箔とをそれぞれ形成し、これら正極集電体箔
と負極集電体箔とをセパレータを介して渦巻き状に巻回
してなる電気二重層コンデンサ素子の製造方法におい
て、上記電極箔の上記分極性電極層が塗布されていない
所定の露出面に上記タブ端子を重ね、同タブ端子を超音
波溶接法により上記電極箔に固着することを特徴として
いる。また、請求項２では、超音波溶接法に代えてコー
ルドウェルド法（冷間圧接法）によりタブ端子を電極箔
に固着することを特徴としている。
【０００８】超音波溶接法またはコールドウェルド法を
用いると分極性電極層が塗布された電極箔に、針を刺し
通す必要がないため、分極性電極層の脱落がなく、した
がって吸引作業が不要となるばかりでなく、マイクロシ
ョートに起因する漏れ電流の増大という問題も発生しな
い。
用いると分極性電極層が塗布された電極箔に、針を刺し
通す必要がないため、分極性電極層の脱落がなく、した
がって吸引作業が不要となるばかりでなく、マイクロシ
ョートに起因する漏れ電流の増大という問題も発生しな
い。
【０００９】なお、圧接法にはこの他に爆発圧接法、摩
擦圧接法および拡散溶接法などがある。爆発圧接法は、
爆薬の爆発エネルギーを利用して金属間を圧接する方法
である。そのため、分極性電極が塗布された電極箔とタ
ブ端子を固着するために爆発圧接法を使用すると、爆発
エネルギーによって分極性電極が脱落してしまう。摩擦
圧接法は、圧接しようとする少なくとも一方の素材を回
転させ、回転軸方向に加圧して圧接を行なう方法である
ため、タブ端子と電極箔の固着には使用できない。拡散
溶接法は、金属同士をわずかに加圧した状態で比較的低
温で加熱保持して固着する方法である。しかしながら、
拡散溶接法は固着させる際に、保持する時間が長時間必
要であるとともに、固着させようとする金属を融点の約
４割以上に加熱しなければならないために、タブ端子と
電極箔の固着方法としては生産効率上好ましくない。
擦圧接法および拡散溶接法などがある。爆発圧接法は、
爆薬の爆発エネルギーを利用して金属間を圧接する方法
である。そのため、分極性電極が塗布された電極箔とタ
ブ端子を固着するために爆発圧接法を使用すると、爆発
エネルギーによって分極性電極が脱落してしまう。摩擦
圧接法は、圧接しようとする少なくとも一方の素材を回
転させ、回転軸方向に加圧して圧接を行なう方法である
ため、タブ端子と電極箔の固着には使用できない。拡散
溶接法は、金属同士をわずかに加圧した状態で比較的低
温で加熱保持して固着する方法である。しかしながら、
拡散溶接法は固着させる際に、保持する時間が長時間必
要であるとともに、固着させようとする金属を融点の約
４割以上に加熱しなければならないために、タブ端子と
電極箔の固着方法としては生産効率上好ましくない。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１には超音波溶接法による例が
示されており、これによると、上部に適当な荷重源１１
ａを有する所定長さの棒状体からなる音極１１と、その
反射極としてのアンビル１２とが用いられる。音極１１
には、超音波振動子１３ａを有するホーン１３がカップ
リング部材を介して連結されており、同ホーン１３から
その軸線と直交する方向の超音波振動が加えられる。
示されており、これによると、上部に適当な荷重源１１
ａを有する所定長さの棒状体からなる音極１１と、その
反射極としてのアンビル１２とが用いられる。音極１１
には、超音波振動子１３ａを有するホーン１３がカップ
リング部材を介して連結されており、同ホーン１３から
その軸線と直交する方向の超音波振動が加えられる。
【００１１】タブ端子３を電極箔１に取り付けるにあた
っては、その羽子板部３ａを電極箔１の露出面、すなわ
ち分極電極層２が形成されていない面に重ね合わせ、そ
の重ね合わせ部分を音極１１とアンビル１２との間に配
置する。なお、分極電極層２が電極箔１の両面に形成さ
れている場合には、図３に示されているように、分極電
極層２を取り去ったタブ端子取付け部分１ａに羽子板部
３ａを重ね、これに対して、分極電極層２が電極箔１の
片面のみに形成されている場合には、その反対側の露出
面の所定部位に羽子板部３ａを重ねればよい。
っては、その羽子板部３ａを電極箔１の露出面、すなわ
ち分極電極層２が形成されていない面に重ね合わせ、そ
の重ね合わせ部分を音極１１とアンビル１２との間に配
置する。なお、分極電極層２が電極箔１の両面に形成さ
れている場合には、図３に示されているように、分極電
極層２を取り去ったタブ端子取付け部分１ａに羽子板部
３ａを重ね、これに対して、分極電極層２が電極箔１の
片面のみに形成されている場合には、その反対側の露出
面の所定部位に羽子板部３ａを重ねればよい。
【００１２】そして、荷重源１１ａにより音極１１とア
ンビル１２間に所定の圧力を加えた状態でホーン１３か
ら音極１１に超音波振動を加えることにより、羽子板部
３ａと電極箔１とが一体的に固着される。この溶接は一
種の固相溶接であると言われている。すなわち、重ね合
わされた金属の接触部間で超音波振動によりすべりが生
じ、その表面の吸着層や酸化皮膜破壊される。その結
果、清浄な金属素地が現われて、塑性流動と摩擦熱によ
る温度上昇のために原子の拡散が活発となり、接触面で
金属の再配列が起こって金属結合が達成されるものと考
えられている。
ンビル１２間に所定の圧力を加えた状態でホーン１３か
ら音極１１に超音波振動を加えることにより、羽子板部
３ａと電極箔１とが一体的に固着される。この溶接は一
種の固相溶接であると言われている。すなわち、重ね合
わされた金属の接触部間で超音波振動によりすべりが生
じ、その表面の吸着層や酸化皮膜破壊される。その結
果、清浄な金属素地が現われて、塑性流動と摩擦熱によ
る温度上昇のために原子の拡散が活発となり、接触面で
金属の再配列が起こって金属結合が達成されるものと考
えられている。
【００１３】次に、コールドウェルド法による例を図２
に基づいて説明する。コールドウェルド法は室温もしく
はわずかに加熱した状態で圧力を加えて金属同士を接合
する方法で、これには一対の上ダイス２１と下ダイス２
２とが用いられる。この方法は圧接される部分にかなり
の大きな変形を伴なう点で、摩擦圧接や拡散溶接と異な
るものとされ、羽子板部３ａと電極箔１の接合面はでき
るだけ清浄にされることが要求される。
に基づいて説明する。コールドウェルド法は室温もしく
はわずかに加熱した状態で圧力を加えて金属同士を接合
する方法で、これには一対の上ダイス２１と下ダイス２
２とが用いられる。この方法は圧接される部分にかなり
の大きな変形を伴なう点で、摩擦圧接や拡散溶接と異な
るものとされ、羽子板部３ａと電極箔１の接合面はでき
るだけ清浄にされることが要求される。
【００１４】上ダイス２１と下ダイス２２には、連続的
に圧下が行なわれ、かつ、その圧下量を精密に調整でき
るものであればよいとされ、また、そのダイスは圧接す
べき金属の種類、板厚もしくは線径などにより、その形
状、寸法などが適宜選択される。
に圧下が行なわれ、かつ、その圧下量を精密に調整でき
るものであればよいとされ、また、そのダイスは圧接す
べき金属の種類、板厚もしくは線径などにより、その形
状、寸法などが適宜選択される。
【００１５】
《実施例１》エッチング処理した厚さ３０μｍ、幅１３
ｍｍ、長さ１２０ｍｍのアルミニウム箔（集電体）の片
面に、活性炭、ケッチェンブラック、バインダ（ＰＶＤ
Ｆ）を７：２：１の割合で混合した固形分を含むＮ−メ
チル−２−ピロリドンを溶媒とするスラリーを塗布し、
乾燥させて分極性電極層を厚さ３０μｍの厚さに付着さ
せて、正極集電体箔と負極集電体箔とをそれぞれ形成し
た。
ｍｍ、長さ１２０ｍｍのアルミニウム箔（集電体）の片
面に、活性炭、ケッチェンブラック、バインダ（ＰＶＤ
Ｆ）を７：２：１の割合で混合した固形分を含むＮ−メ
チル−２−ピロリドンを溶媒とするスラリーを塗布し、
乾燥させて分極性電極層を厚さ３０μｍの厚さに付着さ
せて、正極集電体箔と負極集電体箔とをそれぞれ形成し
た。
【００１６】そして、この正極集電体箔と負極集電体箔
の各々の反対側の露出面に、タブ端子の羽子板部を重ね
合わせ、超音波溶接法にて両者をそれぞれ一体的に接合
した。この場合、超音波溶接の条件は、周波数２８ｋＨ
ｚ、加圧力８３ｋｇ／平方ｃｍおよび加圧時間０．０９
８秒とした。しかる後、この正極集電体箔と負極集電体
箔の各分極性電極層間およびその露出面間にそれぞれ厚
さ５０μｍのセパレータを挟んで巻回し、電気二重層コ
ンデンサ素子を作製した。
の各々の反対側の露出面に、タブ端子の羽子板部を重ね
合わせ、超音波溶接法にて両者をそれぞれ一体的に接合
した。この場合、超音波溶接の条件は、周波数２８ｋＨ
ｚ、加圧力８３ｋｇ／平方ｃｍおよび加圧時間０．０９
８秒とした。しかる後、この正極集電体箔と負極集電体
箔の各分極性電極層間およびその露出面間にそれぞれ厚
さ５０μｍのセパレータを挟んで巻回し、電気二重層コ
ンデンサ素子を作製した。
【００１７】そして、この電気二重層コンデンサ素子を
乾燥した後、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のＥｔ４ＮＢＦ
４を含むプロピレンカーボネートからなる電解液を含浸
し、φ８×２２（直径８ｍｍ、軸長２２ｍｍ）のアルミ
ニウム製の外装ケースに収納し、その開口部を封口ゴム
にて封口した。このようにして、巻回型の電気二重層コ
ンデンサを１０個作製し、その静電容量（単位はＦ）を
測定したところ、最小値は１．１４、最大値は１．２
０、平均値は１．１８であった。また、漏れ電流（単位
はμＡ）については、最小値２４８、最大値２８５で、
その平均値は２６３であった。
乾燥した後、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のＥｔ４ＮＢＦ
４を含むプロピレンカーボネートからなる電解液を含浸
し、φ８×２２（直径８ｍｍ、軸長２２ｍｍ）のアルミ
ニウム製の外装ケースに収納し、その開口部を封口ゴム
にて封口した。このようにして、巻回型の電気二重層コ
ンデンサを１０個作製し、その静電容量（単位はＦ）を
測定したところ、最小値は１．１４、最大値は１．２
０、平均値は１．１８であった。また、漏れ電流（単位
はμＡ）については、最小値２４８、最大値２８５で、
その平均値は２６３であった。
【００１８】《実施例２》エッチング処理した厚さ３０
μｍ、幅１３ｍｍ、長さ１２０ｍｍのアルミニウム箔
（集電体）の片面に、活性炭、ケッチェンブラック、バ
インダ（ＰＶＤＦ）を７：２：１の割合で混合した固形
分を含むＮ−メチル−２−ピロリドンを溶媒とするスラ
リーを塗布し、乾燥させて分極性電極層を厚さ３０μｍ
の厚さに付着させて、正極集電体箔と負極集電体箔とを
それぞれ形成した。
μｍ、幅１３ｍｍ、長さ１２０ｍｍのアルミニウム箔
（集電体）の片面に、活性炭、ケッチェンブラック、バ
インダ（ＰＶＤＦ）を７：２：１の割合で混合した固形
分を含むＮ−メチル−２−ピロリドンを溶媒とするスラ
リーを塗布し、乾燥させて分極性電極層を厚さ３０μｍ
の厚さに付着させて、正極集電体箔と負極集電体箔とを
それぞれ形成した。
【００１９】そして、この正極集電体箔と負極集電体箔
の各々の反対側の露出面に、タブ端子の羽子板部を重ね
合わせ、コールドウェルド法にて両者をそれぞれ一体的
に接合した。この場合、コールドウェルドの条件は、温
度３０℃、加圧力３ｋｇ／平方ｃｍおよび加圧時間を１
秒とした。しかる後、この正極集電体箔と負極集電体箔
の各分極性電極層間およびその露出面間にそれぞれ厚さ
５０μｍのセパレータを挟んで巻回し、電気二重層コン
デンサ素子を作製した。
の各々の反対側の露出面に、タブ端子の羽子板部を重ね
合わせ、コールドウェルド法にて両者をそれぞれ一体的
に接合した。この場合、コールドウェルドの条件は、温
度３０℃、加圧力３ｋｇ／平方ｃｍおよび加圧時間を１
秒とした。しかる後、この正極集電体箔と負極集電体箔
の各分極性電極層間およびその露出面間にそれぞれ厚さ
５０μｍのセパレータを挟んで巻回し、電気二重層コン
デンサ素子を作製した。
【００２０】そして、この電気二重層コンデンサ素子を
乾燥した後、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のＥｔ４ＮＢＦ
４を含むプロピレンカーボネートからなる電解液を含浸
し、φ８×２２（直径８ｍｍ、軸長２２ｍｍ）のアルミ
ニウム製の外装ケースに収納し、その開口部を封口ゴム
にて封口した。このようにして、巻回型の電気二重層コ
ンデンサを１０個作製し、その静電容量（単位はＦ）を
測定したところ、最小値は１．１８、最大値は１．２
４、平均値は１．２０であった。また、漏れ電流（単位
はμＡ）については、最小値２１２、最大値２４８で、
その平均値は２２０であった。
乾燥した後、１ｍｏｌ／ｌ（リットル）のＥｔ４ＮＢＦ
４を含むプロピレンカーボネートからなる電解液を含浸
し、φ８×２２（直径８ｍｍ、軸長２２ｍｍ）のアルミ
ニウム製の外装ケースに収納し、その開口部を封口ゴム
にて封口した。このようにして、巻回型の電気二重層コ
ンデンサを１０個作製し、その静電容量（単位はＦ）を
測定したところ、最小値は１．１８、最大値は１．２
４、平均値は１．２０であった。また、漏れ電流（単位
はμＡ）については、最小値２１２、最大値２４８で、
その平均値は２２０であった。
【００２１】〈従来例１〉タブ端子をかしめにより正極
集電体箔と負極集電体箔のそれぞれの電極箔に取り付け
た。そのかしめの際に、分極性電極層の一部が粉末とな
って該集電体箔から脱落したため、かしめ後に該粉末を
吸引して除去した。それ以外は実施例１と同様にして、
巻回型の電気二重層コンデンサを１０個作製した。そし
て、その静電容量（単位はＦ）を測定したところ、最小
値は０．９８、最大値は１．１６、平均値は１．０８で
あった。また、漏れ電流（単位はμＡ）については、最
小値３３２、最大値４５６で、その平均値は３８２であ
った。
集電体箔と負極集電体箔のそれぞれの電極箔に取り付け
た。そのかしめの際に、分極性電極層の一部が粉末とな
って該集電体箔から脱落したため、かしめ後に該粉末を
吸引して除去した。それ以外は実施例１と同様にして、
巻回型の電気二重層コンデンサを１０個作製した。そし
て、その静電容量（単位はＦ）を測定したところ、最小
値は０．９８、最大値は１．１６、平均値は１．０８で
あった。また、漏れ電流（単位はμＡ）については、最
小値３３２、最大値４５６で、その平均値は３８２であ
った。
【００２２】このように、本発明に係る実施例１および
実施例２は、従来例に比べて静電容量、漏れ電流ともに
バラツキが少なく安定した特性が得られ、また、漏れ電
流については大幅な減少が確認された。参考までに、上
記実施例１、実施例２と従来例１の測定結果を表１に示
す。
実施例２は、従来例に比べて静電容量、漏れ電流ともに
バラツキが少なく安定した特性が得られ、また、漏れ電
流については大幅な減少が確認された。参考までに、上
記実施例１、実施例２と従来例１の測定結果を表１に示
す。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
分極性電極層が形成されている電極箔にタブ端子を取り
付けるにあたって、超音波溶接法またはコールドウェル
ド法を採用したことにより、分極性電極層を脱落させる
ことなく、電極箔に対してタブ端子を確実に固着するこ
とができる。また、これにより分極性電極層から脱落し
た粉末を吸引して除去する手間が省けるため、その分箔
巻回型電気二重層コンデンサの生産性が高められる。
分極性電極層が形成されている電極箔にタブ端子を取り
付けるにあたって、超音波溶接法またはコールドウェル
ド法を採用したことにより、分極性電極層を脱落させる
ことなく、電極箔に対してタブ端子を確実に固着するこ
とができる。また、これにより分極性電極層から脱落し
た粉末を吸引して除去する手間が省けるため、その分箔
巻回型電気二重層コンデンサの生産性が高められる。
【図１】本発明の第１実施例として、超音波溶接により
タブ端子と電極箔とを接合する状態を模式的に示した側
面図。
タブ端子と電極箔とを接合する状態を模式的に示した側
面図。
【図２】本発明の第２実施例として、コールドウェルド
によりタブ端子と電極箔とを接合する状態を模式的に示
した側面図。
によりタブ端子と電極箔とを接合する状態を模式的に示
した側面図。
【図３】従来の電極体を展開し、分極性電極層を一部切
り欠いて示した正面図。
り欠いて示した正面図。
【図４】図３の電極体をセパレータとともに渦巻き状に
巻回してコンデンサ素子とする状態を示した斜視図。
巻回してコンデンサ素子とする状態を示した斜視図。
１ 電極箔 ２ 分極性電極 ３ タブ端子 ３ａ 羽子板部 １１ 音極 １２ アンビル １３ ホーン ２１，２２ ダイス
フロントページの続き (72)発明者 栗原 要 神奈川県藤沢市辻堂新町２丁目２番１号 エルナー株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 活性炭を含む分極性電極層が塗布された
電極箔にタブ端子を取り付けて正極集電体箔と負極集電
体箔とをそれぞれ形成し、これら正極集電体箔と負極集
電体箔とをセパレータを介して渦巻き状に巻回してなる
電気二重層コンデンサ素子の製造方法において、上記電
極箔の上記分極性電極層が塗布されていない所定の露出
面に上記タブ端子を重ね、同タブ端子を超音波溶接法に
より上記電極箔に固着することを特徴とする電気二重層
コンデンサ素子の製造方法。 - 【請求項２】 活性炭を含む分極性電極層が塗布された
電極箔にタブ端子を取り付けて正極集電体箔と負極集電
体箔とをそれぞれ形成し、これら正極集電体箔と負極集
電体箔とをセパレータを介して渦巻き状に巻回してなる
電気二重層コンデンサ素子の製造方法において、上記電
極箔の上記分極性電極層が塗布されていない所定の露出
面に上記タブ端子を重ね、同タブ端子をコールドウェル
ド法により上記電極箔に固着することを特徴とする電気
二重層コンデンサ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7227082A JPH0955344A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 電気二重層コンデンサ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7227082A JPH0955344A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 電気二重層コンデンサ素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955344A true JPH0955344A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16855232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7227082A Pending JPH0955344A (ja) | 1995-08-11 | 1995-08-11 | 電気二重層コンデンサ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955344A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007091308A1 (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-16 | Kitagawa Seiki Kabushiki Kaisha | 電気二重層コンデンサの端子固定方法 |
| WO2023189951A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | リード部材付き電気化学デバイス用電極の製造方法および電気化学デバイスの製造方法 |
-
1995
- 1995-08-11 JP JP7227082A patent/JPH0955344A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007091308A1 (ja) * | 2006-02-08 | 2007-08-16 | Kitagawa Seiki Kabushiki Kaisha | 電気二重層コンデンサの端子固定方法 |
| WO2023189951A1 (ja) * | 2022-03-29 | 2023-10-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | リード部材付き電気化学デバイス用電極の製造方法および電気化学デバイスの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010214 |