JPH0955310A - 磁気特性に優れたｒｅ−ｔ−ｍ−ｂ系焼結磁石 - Google Patents
磁気特性に優れたｒｅ−ｔ−ｍ−ｂ系焼結磁石Info
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- JPH0955310A JPH0955310A JP8103289A JP10328996A JPH0955310A JP H0955310 A JPH0955310 A JP H0955310A JP 8103289 A JP8103289 A JP 8103289A JP 10328996 A JP10328996 A JP 10328996A JP H0955310 A JPH0955310 A JP H0955310A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 量産性に富んだ安価簡便な方法により、製造
できる高Ｂｒで且つ高ｉＨｃを有する安価なＲＥ−ＴＭ
−Ｂ系焼結磁石。 【構成】 主相のＲＥ2Ｔ14Ｂ結晶粒径ａが１５μｍ以
上を有する結晶粒面積の和が５０％以上で、且つａが５
μｍ以下の結晶粒面積の和が主相総面積の１％以上１０
％以下に制御する。
できる高Ｂｒで且つ高ｉＨｃを有する安価なＲＥ−ＴＭ
−Ｂ系焼結磁石。 【構成】 主相のＲＥ2Ｔ14Ｂ結晶粒径ａが１５μｍ以
上を有する結晶粒面積の和が５０％以上で、且つａが５
μｍ以下の結晶粒面積の和が主相総面積の１％以上１０
％以下に制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、各種電気、電子機
器材料として用いられる磁気特性に優れた希土類鉄ボロ
ン系焼結永久磁石に関するものである。
器材料として用いられる磁気特性に優れた希土類鉄ボロ
ン系焼結永久磁石に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ系磁石はその磁気特性が
高いことと、主要材料のＦｅが豊富で安価なこと、又Ｎ
ｄがＳｍと比べ資源的に有利で安いことからＳｍ−Ｃｏ
系永久磁石にとって代り希土類磁石の主流となってい
る。しかしこの磁石はキュリー点が低い（Ｎｄ2Ｆｅ14
Ｂのキュリー点が３１２℃）こと及び保磁力ｉＨｃの可
逆温度係数が大きいという欠点を有している。これらの
欠点を補う方法としてＦｅの一部をＣｏで置換してキュ
リー点を上げること、又Ｎｄの一部をＤｙ，Ｔｂ，Ｈｏ
等の重希土類元素で置換して結晶磁気異方性定数を上げ
常温の保磁力ｉＨｃを高めること等により、ある程度の
高温での使用に耐えるようにする方法が一般的に知られ
ている。しかしながらＣｏ添加によるキュリー点向上は
ｉＨｃの低下を招き、Ｄｙ等重希土類元素の多量添加は
磁石の飽和磁束密度Ｂｒを低下させ高Ｂｒで且つ高ｉＨ
ｃの磁石の実現は困難であった。
高いことと、主要材料のＦｅが豊富で安価なこと、又Ｎ
ｄがＳｍと比べ資源的に有利で安いことからＳｍ−Ｃｏ
系永久磁石にとって代り希土類磁石の主流となってい
る。しかしこの磁石はキュリー点が低い（Ｎｄ2Ｆｅ14
Ｂのキュリー点が３１２℃）こと及び保磁力ｉＨｃの可
逆温度係数が大きいという欠点を有している。これらの
欠点を補う方法としてＦｅの一部をＣｏで置換してキュ
リー点を上げること、又Ｎｄの一部をＤｙ，Ｔｂ，Ｈｏ
等の重希土類元素で置換して結晶磁気異方性定数を上げ
常温の保磁力ｉＨｃを高めること等により、ある程度の
高温での使用に耐えるようにする方法が一般的に知られ
ている。しかしながらＣｏ添加によるキュリー点向上は
ｉＨｃの低下を招き、Ｄｙ等重希土類元素の多量添加は
磁石の飽和磁束密度Ｂｒを低下させ高Ｂｒで且つ高ｉＨ
ｃの磁石の実現は困難であった。
【０００３】Ｂｒの向上法としてはＲＥを少なくしＴを
多くすること、又磁石合金粉末を単磁区粒子径に近づけ
（例えば３ミクロン以下）磁場成形時の異方性度を高め
る方法等が一般的である。しかしＲＥを少なくするとｉ
Ｈｃは単調に低下する。又、合金粉末を平均粒径で３ミ
クロン以下に粉砕すると粉の酸化を生じ結果としてｉＨ
ｃを大きく低下させる。酸化を防止するには焼結までの
工程を無酸素ないし低酸素雰囲気（例えば１％以下）に
保つことで可能であるが、量産規模で行うには非常に高
価な設備が必要で、又生産性も低下するため製品の大幅
なコスト高を招き実用的でない。一方、各種電気、電子
機器の小型化高性能化は目ざましく、これらに使用する
磁石材料として高Ｂｒで且つ高ｉＨｃの磁石の実用化が
望まれていた。
多くすること、又磁石合金粉末を単磁区粒子径に近づけ
（例えば３ミクロン以下）磁場成形時の異方性度を高め
る方法等が一般的である。しかしＲＥを少なくするとｉ
Ｈｃは単調に低下する。又、合金粉末を平均粒径で３ミ
クロン以下に粉砕すると粉の酸化を生じ結果としてｉＨ
ｃを大きく低下させる。酸化を防止するには焼結までの
工程を無酸素ないし低酸素雰囲気（例えば１％以下）に
保つことで可能であるが、量産規模で行うには非常に高
価な設備が必要で、又生産性も低下するため製品の大幅
なコスト高を招き実用的でない。一方、各種電気、電子
機器の小型化高性能化は目ざましく、これらに使用する
磁石材料として高Ｂｒで且つ高ｉＨｃの磁石の実用化が
望まれていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】量産性に富んだ安価簡
便な方法により製造できる高Ｂｒで且つ高ｉＨｃを有す
る安価なＲＥ−Ｔ−Ｍ−Ｂ系焼結磁石を提供することで
ある。
便な方法により製造できる高Ｂｒで且つ高ｉＨｃを有す
る安価なＲＥ−Ｔ−Ｍ−Ｂ系焼結磁石を提供することで
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】発明者らは高Ｂｒで且つ
高ｉＨｃ化の検討を種々行った結果、焼結体の結晶組織
を制御することが極めて有効であることを見い出した。
本系磁石は磁石主相であるＲＥ2Ｔ14Ｂ相と結晶粒界に
存在するＲＥリッチ相及びＢリッチ相の３相から主に成
立っているが、主相のＲＥ2Ｔ14Ｂ結晶粒径ａが１５ミ
クロン以上を有する結晶粒面積の和が主相総面積の５０
％以上とし、且つａが５ミクロン以下の結晶粒面積の和
が主相総面積の１％以上１０％以下に制御することによ
り高Ｂｒで且つ高ｉＨｃを有する磁石が得られることを
見い出した。ここで結晶粒径ａは、磁石を異方性方向に
垂直な面で切断し研磨した面をエッチングした際観察さ
れる主相結晶粒の長径と短径の和を２で除した数を表
し、結晶粒面積はａを直径とする円近似で算出したもの
である。
高ｉＨｃ化の検討を種々行った結果、焼結体の結晶組織
を制御することが極めて有効であることを見い出した。
本系磁石は磁石主相であるＲＥ2Ｔ14Ｂ相と結晶粒界に
存在するＲＥリッチ相及びＢリッチ相の３相から主に成
立っているが、主相のＲＥ2Ｔ14Ｂ結晶粒径ａが１５ミ
クロン以上を有する結晶粒面積の和が主相総面積の５０
％以上とし、且つａが５ミクロン以下の結晶粒面積の和
が主相総面積の１％以上１０％以下に制御することによ
り高Ｂｒで且つ高ｉＨｃを有する磁石が得られることを
見い出した。ここで結晶粒径ａは、磁石を異方性方向に
垂直な面で切断し研磨した面をエッチングした際観察さ
れる主相結晶粒の長径と短径の和を２で除した数を表
し、結晶粒面積はａを直径とする円近似で算出したもの
である。
【０００６】本発明の焼結体組織と高磁気特性を有する
磁石は以下の組成で実現される。すなわちＲＥ（Ｙを含
む希土類元素で、Ｎｄ，Ｐｒ及びＤｙの和が９０重量％
以上）２９．５％以上３２．５％以下（重量％ 以下同
じ）、Ｂ０．８％以上１．５％以下、Ｍ（Ａｌ，Ｎｂ，
Ｇａ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｃｕ，Ｓｎの少なくとも１種以上）０．５％
以上２．５％以下、残部Ｔ（Ｆｅ但しその一部をＣｏで
置換可）及び不可避の不純物からなるものである。
磁石は以下の組成で実現される。すなわちＲＥ（Ｙを含
む希土類元素で、Ｎｄ，Ｐｒ及びＤｙの和が９０重量％
以上）２９．５％以上３２．５％以下（重量％ 以下同
じ）、Ｂ０．８％以上１．５％以下、Ｍ（Ａｌ，Ｎｂ，
Ｇａ，Ｍｏ，Ｔｉ，Ｖ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｚ
ｒ，Ｈｆ，Ｃｕ，Ｓｎの少なくとも１種以上）０．５％
以上２．５％以下、残部Ｔ（Ｆｅ但しその一部をＣｏで
置換可）及び不可避の不純物からなるものである。
【０００７】結晶粒径ａが１５ミクロン以上の結晶粒面
積の和が主相総面積の５０％未満であると焼結時の粒成
長が不十分であることに起因し、Ｂｒ≧１２ｋＧが得ら
れない。またａが２５ミクロン以上の結晶粒面積の和が
主相総面積の５０％以上であると、焼結時の粒成長が過
剰であることに起因し、ｉＨｃが低下し１５ｋＯｅ以上
が得られない。ａが５ミクロン以下の結晶粒面積の和
が、主相総面積の１％未満になるとｉＨｃが低下し、１
５ＫＯｅ以上か得られない。この理由はｉＨｃの向上に
寄与する細粒が少ない為と推察される。１０％を越える
と焼結時の粒成長が不十分であることに起因し、Ｂｒ≧
１２ｋＧが得られない。
積の和が主相総面積の５０％未満であると焼結時の粒成
長が不十分であることに起因し、Ｂｒ≧１２ｋＧが得ら
れない。またａが２５ミクロン以上の結晶粒面積の和が
主相総面積の５０％以上であると、焼結時の粒成長が過
剰であることに起因し、ｉＨｃが低下し１５ｋＯｅ以上
が得られない。ａが５ミクロン以下の結晶粒面積の和
が、主相総面積の１％未満になるとｉＨｃが低下し、１
５ＫＯｅ以上か得られない。この理由はｉＨｃの向上に
寄与する細粒が少ない為と推察される。１０％を越える
と焼結時の粒成長が不十分であることに起因し、Ｂｒ≧
１２ｋＧが得られない。
【０００８】次に組成の限定理由について説明する。Ｒ
Ｅが２９．５％未満だと良好なｉＨｃが得られない。磁
石製造過程で発生する磁石合金粉および成形体の酸化を
極端に抑えれば（例えば２５００ｐｐｍ以下）ｉＨｃの
低下は防げるが、これには大きなコストアップが伴うた
め２９．５％以上とする。ＲＥが３２．５％を越えると
ｉＨｃは容易に高いレベルを維持できるがＢｒの低下を
生じるので３２．５％以下とする。又Ｎｄ，Ｐｒ及びＤ
ｙの和がＲＥトータルの９０％未満になるとＢｒ≧１２
ｋＧ、ｉＨｃ≧１５ｋＯｅを同時に満足することが出来
ないので９０％以上とする。Ｂ量が０．８％未満では良
好なｉＨｃが得られず、又１．５％を越えるとＢｒの低
下が大きくなるため０．８％以上１．５％以下とする。
Ｅが２９．５％未満だと良好なｉＨｃが得られない。磁
石製造過程で発生する磁石合金粉および成形体の酸化を
極端に抑えれば（例えば２５００ｐｐｍ以下）ｉＨｃの
低下は防げるが、これには大きなコストアップが伴うた
め２９．５％以上とする。ＲＥが３２．５％を越えると
ｉＨｃは容易に高いレベルを維持できるがＢｒの低下を
生じるので３２．５％以下とする。又Ｎｄ，Ｐｒ及びＤ
ｙの和がＲＥトータルの９０％未満になるとＢｒ≧１２
ｋＧ、ｉＨｃ≧１５ｋＯｅを同時に満足することが出来
ないので９０％以上とする。Ｂ量が０．８％未満では良
好なｉＨｃが得られず、又１．５％を越えるとＢｒの低
下が大きくなるため０．８％以上１．５％以下とする。
【０００９】Ｍ元素はｉＨｃ向上又は焼結時の異常粒成
長抑制元素としての働きを有するが０．５％未満では両
機能とも不十分で、その結果結晶粒径５ミクロン以下の
結晶粒の面積の和が主相結晶粒の総面積の１％未満とな
りｉＨｃ≧１５ｋＯｅが得られない。Ｍが２．５％を越
えるとＢｒが低下しＢｒ≧１２ｋＧが得られないので
０．５％以上２．５％以下とする。
長抑制元素としての働きを有するが０．５％未満では両
機能とも不十分で、その結果結晶粒径５ミクロン以下の
結晶粒の面積の和が主相結晶粒の総面積の１％未満とな
りｉＨｃ≧１５ｋＯｅが得られない。Ｍが２．５％を越
えるとＢｒが低下しＢｒ≧１２ｋＧが得られないので
０．５％以上２．５％以下とする。
【００１０】焼結後のＲＥ2Ｔ14Ｂ主相の結晶粒径制御
を簡便に行う方法として、平均粒度（ＦＩＳＣＨＥＲ
ＳＵＢ−ＳＩＥＶＥ ＳＩＺＥＲにより測定）の異なる
複数の微粉を作成しこれらを混合後に磁場中成形、焼結
及び熱処理する方法が適用できる。又、最終磁石組成を
有する合金を複数の平均粒度に微粉化したものを混合す
る方法、および異なる組成を有する複数の合金をそれぞ
れ異なる平均粒度に微粉砕後最終磁石組成となる比率で
混合して磁場成形以降同様の処理をする方法のどちらで
も良い。又、微粉の平均粒度の最適値は磁石組成によっ
て微妙に変化するので焼結後の磁石主相ＲＥ2Ｔ14Ｂ結
晶粒の大きさが本発明の請求項１に合致するよう平均粒
径を設定すれば良い。キーポイントは複数の平均粒径を
持たせることである。
を簡便に行う方法として、平均粒度（ＦＩＳＣＨＥＲ
ＳＵＢ−ＳＩＥＶＥ ＳＩＺＥＲにより測定）の異なる
複数の微粉を作成しこれらを混合後に磁場中成形、焼結
及び熱処理する方法が適用できる。又、最終磁石組成を
有する合金を複数の平均粒度に微粉化したものを混合す
る方法、および異なる組成を有する複数の合金をそれぞ
れ異なる平均粒度に微粉砕後最終磁石組成となる比率で
混合して磁場成形以降同様の処理をする方法のどちらで
も良い。又、微粉の平均粒度の最適値は磁石組成によっ
て微妙に変化するので焼結後の磁石主相ＲＥ2Ｔ14Ｂ結
晶粒の大きさが本発明の請求項１に合致するよう平均粒
径を設定すれば良い。キーポイントは複数の平均粒径を
持たせることである。
【００１１】
【実施例】以下本発明を実施例によって説明する。但し
本発明は実施例のみに限定されるものではない。 （実施例） 表１に示す種々の組成に調整したインゴッ
トを作製し粗粉砕後に同表に示す種々の平均粒度（Ｆ．
Ｓ．Ｓ．Ｓ．）に微粉砕した。インゴットの製法（例え
ば通常の高周波溶解又はアーク溶解、金型鋳造又は急冷
法等）、粉砕法（例えば乾式ジェットミル法又は湿式ボ
ールミル法等）に関しては一般的に用いられているどの
方法でも良い。得られた微粉を表２に示す混合比で混合
し、該混合粉を磁場中成形後通常の方法にて焼結磁石化
した。得られた磁石の磁気特性および、磁石を異方性方
向に垂直な面で切断し、研磨した面をエッチングした際
観察される主相結晶粒径ａが５ミクロン以下と１５〜２
５ミクロンを有する結晶粒面積の和の主相総面積に対す
る比率（主相面積率）を表３の実施例１〜５に示す。
本発明は実施例のみに限定されるものではない。 （実施例） 表１に示す種々の組成に調整したインゴッ
トを作製し粗粉砕後に同表に示す種々の平均粒度（Ｆ．
Ｓ．Ｓ．Ｓ．）に微粉砕した。インゴットの製法（例え
ば通常の高周波溶解又はアーク溶解、金型鋳造又は急冷
法等）、粉砕法（例えば乾式ジェットミル法又は湿式ボ
ールミル法等）に関しては一般的に用いられているどの
方法でも良い。得られた微粉を表２に示す混合比で混合
し、該混合粉を磁場中成形後通常の方法にて焼結磁石化
した。得られた磁石の磁気特性および、磁石を異方性方
向に垂直な面で切断し、研磨した面をエッチングした際
観察される主相結晶粒径ａが５ミクロン以下と１５〜２
５ミクロンを有する結晶粒面積の和の主相総面積に対す
る比率（主相面積率）を表３の実施例１〜５に示す。
【００１２】（比較例） 表４に示す種々の組成に調整
したインゴットを作製し粗粉砕後に同表に示す種々の平
均粒度に微粉砕した。以下の方法は実施例の場合と全く
同様に行った。微粉の混合比率を表５に、磁気特性およ
び主相面積率を表３の比較例１〜４に示す。
したインゴットを作製し粗粉砕後に同表に示す種々の平
均粒度に微粉砕した。以下の方法は実施例の場合と全く
同様に行った。微粉の混合比率を表５に、磁気特性およ
び主相面積率を表３の比較例１〜４に示す。
【００１３】
【表１】
【００１４】
【表２】
【００１５】
【表３】
【００１６】
【表４】
【００１７】以下に各実施例および比較例の内容を説明
する。実施例１は同一組成を有するインゴットＮｏ．１
とＮｏ．２を４．３ミクロンと５．２ミクロンに粉砕後
５０：５０の割合で混合したものであり、混合後の平均
粒度は、４．７ミクロンであった。表３に示した通り主
相面積率は請求項１に合致しており、又磁気特性もＢｒ
≧１２ＫＧ、ｉＨｃ≧１５ｋＯｅを満足している。一
方、比較例１は実施例１の組成を有するインゴットＮ
ｏ．１２（表４参照）を平均粒度４．７ミクロンに粉砕
したものであるが、焼結後の主相面積率は実施例１と異
なっており磁気特性も低い。この差は微粉の平均粒度は
同一でも粒度分布が異なっていることによる。図１に実
施例１の結晶組織写真、図２に比較例１の結晶組織写真
を示す。
する。実施例１は同一組成を有するインゴットＮｏ．１
とＮｏ．２を４．３ミクロンと５．２ミクロンに粉砕後
５０：５０の割合で混合したものであり、混合後の平均
粒度は、４．７ミクロンであった。表３に示した通り主
相面積率は請求項１に合致しており、又磁気特性もＢｒ
≧１２ＫＧ、ｉＨｃ≧１５ｋＯｅを満足している。一
方、比較例１は実施例１の組成を有するインゴットＮ
ｏ．１２（表４参照）を平均粒度４．７ミクロンに粉砕
したものであるが、焼結後の主相面積率は実施例１と異
なっており磁気特性も低い。この差は微粉の平均粒度は
同一でも粒度分布が異なっていることによる。図１に実
施例１の結晶組織写真、図２に比較例１の結晶組織写真
を示す。
【００１８】実施例２は磁石最終組成よりＲＥを高く
し、又Ｍ元素を添加したインゴットＮｏ．３を４．３ミ
クロンに粉砕し、磁石最終組成よりＲＥを低くしたＭ元
素無添加インゴットＮｏ．４を５．２ミクロンに粉砕
し、それらを４０：６０の割合で混合したものである。
保磁力向上及び結晶粒成長抑制効果を有するＭ元素の添
加量を増やしたことにより混合後のＭを１．２％に増や
して実施例１より更にｉＨｃが向上している。一方、比
較例２は実施例２と同様に最終組成よりＲＥを高くしＭ
元素を添加したインゴットＮｏ．１３およびＲＥを低く
したインゴットＮｏ．１４をそれぞれ４．３ミクロン、
４．５ミクロンに粉砕し４０：６０で混合したものであ
る。表３で明らかな通り磁気特性はｉＨｃが高いがＢｒ
は１２ＫＧに達していない。これは結晶粒径１５〜２５
ミクロンの主相面積率が４１．９％と低いためである。
主相面積率が低いのはインゴットＮｏ．１３とＮｏ．１
４の微粉粒径がほぼ同じため焼結時の２次再結晶が十分
に進まなかったことによる。
し、又Ｍ元素を添加したインゴットＮｏ．３を４．３ミ
クロンに粉砕し、磁石最終組成よりＲＥを低くしたＭ元
素無添加インゴットＮｏ．４を５．２ミクロンに粉砕
し、それらを４０：６０の割合で混合したものである。
保磁力向上及び結晶粒成長抑制効果を有するＭ元素の添
加量を増やしたことにより混合後のＭを１．２％に増や
して実施例１より更にｉＨｃが向上している。一方、比
較例２は実施例２と同様に最終組成よりＲＥを高くしＭ
元素を添加したインゴットＮｏ．１３およびＲＥを低く
したインゴットＮｏ．１４をそれぞれ４．３ミクロン、
４．５ミクロンに粉砕し４０：６０で混合したものであ
る。表３で明らかな通り磁気特性はｉＨｃが高いがＢｒ
は１２ＫＧに達していない。これは結晶粒径１５〜２５
ミクロンの主相面積率が４１．９％と低いためである。
主相面積率が低いのはインゴットＮｏ．１３とＮｏ．１
４の微粉粒径がほぼ同じため焼結時の２次再結晶が十分
に進まなかったことによる。
【００１９】実施例３は同一組成を有するインゴットＮ
ｏ．５とＮｏ．６をそれぞれ４．０ミクロンと５．６ミ
クロンに粉砕後３５：６５の割合で混合したものであ
り、混合後の平均粒度は５．０ミクロンであった。表３
に示した通り主相面積率は請求項１に合致している。実
施例１と比較しＭ元素の添加量をやや少なくしたことに
よりＢｒはやや高く、ｉＨｃはやや低くなっているがい
ずれも規定値を上回っている。比較例３は実施例３より
Ｍ元素添加量を更に下げ０．４％とした以外はすべて実
施例３と同様にしたものであるが、表３に示した通り結
晶粒径５ミクロン以下の主相面積率が０．２％となり、
その結果ｉＨｃは１４ｋＯｅと低い。これはＭ元素が少
なすぎて粒成長抑制が不十分であったことによる。
ｏ．５とＮｏ．６をそれぞれ４．０ミクロンと５．６ミ
クロンに粉砕後３５：６５の割合で混合したものであ
り、混合後の平均粒度は５．０ミクロンであった。表３
に示した通り主相面積率は請求項１に合致している。実
施例１と比較しＭ元素の添加量をやや少なくしたことに
よりＢｒはやや高く、ｉＨｃはやや低くなっているがい
ずれも規定値を上回っている。比較例３は実施例３より
Ｍ元素添加量を更に下げ０．４％とした以外はすべて実
施例３と同様にしたものであるが、表３に示した通り結
晶粒径５ミクロン以下の主相面積率が０．２％となり、
その結果ｉＨｃは１４ｋＯｅと低い。これはＭ元素が少
なすぎて粒成長抑制が不十分であったことによる。
【００２０】実施例４はインゴットＮｏ．７，８（表
１）をそれぞれ平均粒度３．９ミクロンと５．７ミクロ
ンに粉砕後３０：７０の割合で混合したものであり、混
合後の平均粒度は５．２ミクロンであった。表３に示し
た通り主相面積率は請求項１に合致している。実施例１
より希土類元素量を少なくし、混合後の平均粒径をやや
大きくし、又結晶粒成長抑制元素Ｍの添加量をやや多く
したことによりその磁気特性ＢｒおよびｉＨｃは実施例
１より更に高い値を示している。比較例４はＭ元素を
２．８％添加したインゴットＮｏ．１７とインゴットＮ
ｏ．１８をそれぞれ４．０ミクロン、５．６ミクロンに
粉砕後３０：７０の割合で混合したものであり、混合後
の平均粒度は５．１ミクロンであった。すなわち混合後
のＭ元素の量が実施例４の１．３％に対し２．８％と高
くなっているほかは実施例４とほぼ同等であるが、表３
に示した通りｉＨｃは１８．６ｋＯｅと非常に高いがＢ
ｒは１１．７５ｋＧと低い値である。これはＭ元素が多
いため焼結時の粒成長抑制が効き過ぎ、十分な２次再結
晶が起らなかったことによる。
１）をそれぞれ平均粒度３．９ミクロンと５．７ミクロ
ンに粉砕後３０：７０の割合で混合したものであり、混
合後の平均粒度は５．２ミクロンであった。表３に示し
た通り主相面積率は請求項１に合致している。実施例１
より希土類元素量を少なくし、混合後の平均粒径をやや
大きくし、又結晶粒成長抑制元素Ｍの添加量をやや多く
したことによりその磁気特性ＢｒおよびｉＨｃは実施例
１より更に高い値を示している。比較例４はＭ元素を
２．８％添加したインゴットＮｏ．１７とインゴットＮ
ｏ．１８をそれぞれ４．０ミクロン、５．６ミクロンに
粉砕後３０：７０の割合で混合したものであり、混合後
の平均粒度は５．１ミクロンであった。すなわち混合後
のＭ元素の量が実施例４の１．３％に対し２．８％と高
くなっているほかは実施例４とほぼ同等であるが、表３
に示した通りｉＨｃは１８．６ｋＯｅと非常に高いがＢ
ｒは１１．７５ｋＧと低い値である。これはＭ元素が多
いため焼結時の粒成長抑制が効き過ぎ、十分な２次再結
晶が起らなかったことによる。
【００２１】実施例５は同一組成を有するインゴットＮ
ｏ．９，１０，１１をそれぞれ３．７，４．５，５．９
ミクロンに粉砕後２０：２０：６０の割合で混合したも
のであり、混合後の平均粒径は５．９ミクロンであっ
た。表３に示した通り主相面積率および磁気特性とも請
求項１に合致している。
ｏ．９，１０，１１をそれぞれ３．７，４．５，５．９
ミクロンに粉砕後２０：２０：６０の割合で混合したも
のであり、混合後の平均粒径は５．９ミクロンであっ
た。表３に示した通り主相面積率および磁気特性とも請
求項１に合致している。
【００２２】
【表５】
【００２３】
【発明の効果】本発明のＲＥ−Ｔ−Ｍ−Ｂ系焼結磁石は
その焼結後の主相結晶粒径を制御することにより、従来
にない高Ｂｒで且つ高ｉＨｃを実現した高性能磁石であ
り、各種電気、電子機器の小型化高機能化に十分に応え
られるものである。
その焼結後の主相結晶粒径を制御することにより、従来
にない高Ｂｒで且つ高ｉＨｃを実現した高性能磁石であ
り、各種電気、電子機器の小型化高機能化に十分に応え
られるものである。
【図１】実施例１の結晶組織の顕微鏡写真。
【図２】比較例１の結晶組織の顕微鏡写真。
Claims (2)
- 【請求項１】 磁石主相結晶の総面積に対し、結晶粒径
１５〜２５ミクロンの結晶粒の面積の和が５０％以上、
結晶粒径が５ミクロン以下の結晶粒の面積の和が１％以
上１０％以下で、且つその磁気特性がＢｒ≧１２ｋＧ、
ｉＨｃ≧１５ｋＯｅであることを特徴とする磁気特性に
優れたＲＥ−Ｔ−Ｍ−Ｂ系焼結磁石。 - 【請求項２】 ＲＥ（Ｙを含む希土類元素で、Ｎｄ，Ｐ
ｒ及びＤｙの和が９０重量％以上）２９．５％以上３
２．５％以下（重量％ 以下同じ）、Ｂ０．８％以上
１．５％以下、Ｍ（Ａｌ，Ｎｂ，Ｇａ，Ｍｏ，Ｔｉ，
Ｖ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｃｕ，Ｓｎ
の少なくとも１種以上）０．５％以上２．５％以下、残
部Ｔ（Ｆｅ但しその一部をＣｏで置換可）及び不可避の
不純物からなることを特徴とする請求項１に記載の焼結
磁石。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10328996A JP3253006B2 (ja) | 1995-06-05 | 1996-03-29 | 磁気特性に優れたｒｅ−ｔ−ｍ−ｂ系焼結磁石 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-137612 | 1995-06-05 | ||
| JP13761295 | 1995-06-05 | ||
| JP10328996A JP3253006B2 (ja) | 1995-06-05 | 1996-03-29 | 磁気特性に優れたｒｅ−ｔ−ｍ−ｂ系焼結磁石 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955310A true JPH0955310A (ja) | 1997-02-25 |
| JP3253006B2 JP3253006B2 (ja) | 2002-02-04 |
Family
ID=26443933
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10328996A Expired - Lifetime JP3253006B2 (ja) | 1995-06-05 | 1996-03-29 | 磁気特性に優れたｒｅ−ｔ−ｍ−ｂ系焼結磁石 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3253006B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015147053A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | 日立金属株式会社 | Ｒ－ｔ－ｂ系焼結磁石の製造方法 |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP10328996A patent/JP3253006B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015147053A1 (ja) * | 2014-03-26 | 2015-10-01 | 日立金属株式会社 | Ｒ－ｔ－ｂ系焼結磁石の製造方法 |
| US9972435B2 (en) | 2014-03-26 | 2018-05-15 | Hitachi Metals, Ltd. | Method for manufacturing R-T-B based sintered magnet |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3253006B2 (ja) | 2002-02-04 |
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