JPH09505044A - 新規なチオフェンスルホニルウレア誘導体及びそれを含有する除草性組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、一般式（Ｉ） 式中、Ｔは一般式（ａ）を有する基Ｔ１、Ｔ２またはＴ３を示し； ここで、Ｅは直接結合を示し；Ｒは水素またはＣ_1-4のアシル基であり；Ｒ¹は１〜３個のハロゲン原子で置換されたＣ_1-6のアルキル基であり；Ｒ²は水素、Ｃ_1-3のアルキル基、Ｃ_1-3のハロアルキル基、ハロゲン、シアノ基、Ｃ_1-3のアルコキシ基、Ｃ_1-3のハロアルコキシ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、またはＣ_1-2のアルコキシ基、Ｃ_1-2のハロアルコキシ基、チオール基、メチルチオ基、シアノ基またはヒドロキシ基で置換されたＣ_1-2のアルキル基であり；Ａは一般式（ｂ）を有するＡ１乃至Ａ４から選択される基である；

Description

【発明の詳細な説明】 新規なチオフェンスルホニルウレア誘導体及びそれを含有する除草性組成物 〔技術分野〕 本発明は、下記一般式（Ｉ） 〔式中、 Ｔは下記一般式を有する基Ｔ１、Ｔ２またはＴ３を示し； ここで、 Ｅは直接結合を示し； Ｒは水素またはＣ_1-4のアシル基であり、 Ｒ¹は１〜３個のハロゲン原子で置換されたＣ_1-6のアルキル基であり； Ｒ²は水素、Ｃ_1-3のアルキル基、Ｃ_1-3のハロアルキル基、ハロゲン、シアノ 基、Ｃ_1-3のアルコキシ基、Ｃ_1-3のハロアルコキシ基、アミノ基、メチルアミノ 基、ジメチルアミノ基、またはＣ_1-2のアルコキシ基、Ｃ_1-2のハロアルコキシ基 、チオール基、メチルチオ基、シアノ基またはヒドロキシ基で置換されたＣ_1-2 のアルキル基であり； Ａは下記一般式を有するＡ１乃至Ａ４から選択される基であり、 ここで、 Ｘは水素、Ｃ_1-4のアルキル基、Ｃ_1-4のアルコキシ基、Ｃ_1-4のハロアルキル 基、Ｃ_1-4のハロアルコキシ基、Ｃ_1-4のアルキルチオ基、Ｃ_1-4のハロアルキル チオ基、ハロゲン、Ｃ_2-5のアルコキシアルキル基、Ｃ_2-5のアルコキシアルコキ シ基、イミノ基、Ｃ_1-3のアルキルアミノ基、ジ（Ｃ_1-3のアルキル）アミノ基ま たはＣ_3-5のシクロアルキル基であり； Ｘ¹はＣ_1-2のアルキル基、Ｃ_1-2のアルコキシ基、またはＣ_1-2のアルキルチオ 基であり； Ｙは水素、Ｃ_1-4のアルキル基、Ｃ_1-4のアルコキシ基、Ｃ_1-4のハロアルコキ シ基、Ｃ_1-4のハロアルキルチオ基、Ｃ_1-4のアルキルチオ基、Ｃ_2-5のアルコキ シアルキル基、Ｃ_2-5のアルコキシアルコキシ基、アミノ基、Ｃ_1-3のアルキルア ミノ基、ジ（Ｃ_1-3のアルキル）アミノ基、Ｃ_3-4のアルケニルオキシ基、Ｃ_3-4 のアルキニルオキシ基、Ｃ_2-5のアルキルチオアルキル基、Ｃ_1-4のハロアルキル 基、Ｃ_2-4のアルキニル基、アジド基、シアノ基、Ｃ_2-5のアルキルスルフィニル アルキル基、Ｃ_2-5のアルキルスルホニルアルキル基、ヒドロキシメチル基、Ｃ_{3 -5} のシクロアルキル基、またはＣ_3-5のシクロアルコキシ基であり； Ｙ¹は酸素またはメチレン基であり； Ｙ²は水素またはメチル基であり； ＺはＮまたはＣＨである； 但し、（１）Ｘがフッ素、塩素、ヨウ素であるとき、ＺはＣＨであり、Ｙはメ トキシ基、エトキシ基、メトキシメチルアミノ基、アミノ基、メチルアミノ基、 ジメチルアミノ基またはジフルオロメトキシ基であり、 （２）ＸまたはＹがジフルオロメトキシ基であるとき、ＺはＣＨであり、 （３）Ｘ及びＹの炭素原子数の合計が４以上であるとき、Ｒ²は炭素原子数４以 下の基である。〕 で示される新規なチオフェンスルホニルウレア誘導体及びその塩に関するもので ある。 本発明はまた上述の式（Ｉ）の化合物の製造方法、及び上記化合物（Ｉ）を有 効成分として含有する除草性組成物に関するものである。 〔背景技術〕 先行技術において、多数のスルホニルウレア誘導体が除草活性を有するものと してよく知られている。例えば、大韓民国特許出願番号第９１−３７０４号には 下記一般式（Ａ） 〔式中、 Ｒ¹¹は１〜３個のハロゲン原子で置換されたＣ_1-6のアルキル基であり； Ｒ¹²は水素、ハロゲン、置換されたアルキル基、置換されたアルコキシ基等を 示し； Ｒ¹³は水素またはメチル基であり； Ａはピリミジンまたはトリアジン誘導体を示す。〕 で示される化合物が開示されている。 更に、大韓民国特許出願番号第９１−４０６３号には、下記一般式（Ｂ） 〔式中、 Ｐは下記一般式を有する基Ｐ１、Ｐ２またはＰ３を示し、 ここで、 ＥはＣＨ₂または直接結合を示し； であり（ここでＲ¹⁶は１〜３個のハロゲン原子で置換されたＣ_1-6のアルキル基 であり、Ｒ¹⁷及びＲ¹⁸はそれぞれ独立してＣ_1-4のアルキル基であり、Ｒ¹⁹及び Ｒ²⁰はそれぞれ独立して水素、Ｃ_1-3のアルキル基またはＣ_1-3のハロアルキル基 であり、ａはＯまたはＳを示す）； Ｒ¹⁵は水素、ハロゲンまたは置換されたアルキル基等を示し； Ａはピリジンまたはトリアジン誘導体を示す。〕 で示される化合物が開示されている。 しかし、これら従来の除草性スルホニルウレア誘導体は、防除すべき望ましく ない雑草に対する除草活性及び選択性に劣るので、望ましくない。 従って、本発明者らは、防除すべき望ましくない雑草に対する除草活性及び選 択性を有する優れた除草性化合物を開発するため、広範な研究を行った。その結 果、本発明の上述した式（Ｉ）の化合物が、所望の強力な除草活性及び選択性を 有することを見出し、本発明を完成するに至った。 〔発明の開示〕 従って、本発明の目的は、下記一般式（Ｉ） 〔式中、 Ｔは下記一般式を有する基Ｔ１、Ｔ２またはＴ３を示し； ここで、 Ｅは直接結合を示し； Ｒは水素またはＣ_1-4のアシル基であり、 Ｒ¹は１〜３個のハロゲン原子で置換されたＣ_1-6のアルキル基であり； Ｒ²は水素、Ｃ_1-3のアルキル基、Ｃ_1-3のハロアルキル基、ハロゲン、シアノ 基、Ｃ_1-3のアルコキシ基、Ｃ_1-3のハロアルコキシ基、アミノ基、メチルアミノ 基、ジメチルアミノ基、またはＣ_1-2のアルコキシ基、Ｃ_1-2のハロアルコキシ基 、チオール基、メチルチオ基、シアノ基またはヒドロキシ基で置換されたＣ_1-2 のアルキル基であり； Ａは下記一般式を有するＡ１乃至Ａ４から選択される基であり、 ここで、 Ｘは水素、Ｃ_1-4のアルキル基、Ｃ_1-4のアルコキシ基、Ｃ_1-4のハロアルキル 基、Ｃ_1-4のハロアルコキシ基、Ｃ_1-4のアルキルチオ基、Ｃ_1-4のハロアルキル チオ基、ハロゲン、Ｃ_2-5のアルコキシアルキル基、Ｃ_2-5のアルコキシアルコキ シ基、イミノ基、Ｃ_1-3のアルキルアミノ基、ジ（Ｃ_1-3のアルキル）アミノ基ま たはＣ_3-5のシクロアルキル基であり； Ｘ¹はＣ_1-2のアルキル基、Ｃ_1-2のアルコキシ基、またはＣ_1-2のアルキルチオ 基であり； Ｙは水素、Ｃ_1-4のアルキル基、Ｃ_1-4のアルコキシ基、Ｃ_1-4のハロアルコキ シ基、Ｃ_1-4のハロアルキルチオ基、Ｃ_1-4のアルキルチオ基、Ｃ_2-5のアルコキ シアルキル基、Ｃ_2-5のアルコキシアルコキシ基、アミノ基、Ｃ_1-3のアルキルア ミノ基、ジ（Ｃ_1-3のアルキル）アミノ基、Ｃ_3-4のアルケニルオキシ基、Ｃ_3-4 のアルキニルオキシ基、Ｃ_2-5のアルキルチオアルキル基、Ｃ_1-4のハロアルキル 基、Ｃ_2-4のアルキニル基、アジド基、シアノ基、Ｃ_2-5のアルキルスルフィニル アルキル基、Ｃ_2-5のアルキルスルホニルアルキル基、ヒドロキシメチル基、Ｃ_{3 -5} のシクロアルキル基、またはＣ_3-5のシクロアルコキシ基であり； Ｙ¹は酸素またはメチレン基であり； Ｙ²は水素またはメチル基であり； ＺはＮまたはＣＨである； 但し、（１）Ｘがフッ素、塩素、ヨウ素であるとき、ＺはＣＨであり、Ｙはメ トキシ基、エトキシ基、メトキシメチルアミノ基、アミノ基、メチルアミノ基、 ジメチルアミノ基またはジフルオロメトキシ基であり、 （２）ＸまたはＹがジフルオロメトキシ基であるとき、ＺはＣＨであり、 （３）Ｘ及びＹの炭素原子数の合計が４以上であるとき、Ｒ²は炭素原子数４以 下の基である。〕 で示される新規なチオフェンスルホニルウレア誘導体及びその塩を提供するもの である。 本発明の他の目的は、上述した式（Ｉ）の化合物及びその塩の製造方法を提供 するものであり、これは、 （ａ）Ｒがアシルである式（Ｉ）の化合物、即ち下記一般式（Ｉ−４）、（Ｉ− ５）または（Ｉ−６） 〔式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＡは前述の定義通りであり、Ｐは酸またはアルカリによる 加水分解またはその他の方法により容易に除去することのできる保護基、好まし くはＣ_1-4のアシル基、最も好ましくはアセチル基を示す。〕 の化合物を製造するために、所望の生成物に対応する下記一般式（II）の化合物 、即ち式（II−１）、（II−２）または（II−３） 〔式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＰは前述の定義通りである。〕 の化合物を、塩基の存在下、適切な反応不活性溶媒中で、下記一般式（III） 〔式中、Ａは前述の定義通りである。〕 の化合物と反応させるか、あるいは、 （ｂ）Ｒが水素原子である式（Ｉ）の化合物、即ち下記一般式（Ｉ−１）、（Ｉ −２）または（Ｉ−３） 〔式中、Ｒ¹、Ｒ²及びＡは前述の定義通りである。〕 の化合物を製造するために、（ａ）で得られたそれぞれ一般式（Ｉ−４）、（Ｉ −５）または（Ｉ−６）の化合物を、水または有機溶媒の存在下、アルカリで加 水分解することを特徴とする。 本発明のさらなる目的は、上述した新規なチオフェンスルホニルウレア誘導体 を含有する除草性組成物を提供するものである。 〔発明の最善実施態様〕 本発明の一態様は、下記一般式（Ｉ） 〔式中、Ｔ及びＡは前述の定義通りである。〕 で示される新規なチオフェンスルホニルウレア誘導体及びその塩に関するもので ある。 本発明による式（Ｉ）の化合物の置換基の前記定義中、“アルキル基”という 語は、単独で使用する時や“アルキルチオ基”または“ハロアルキル基”のよう に合成語で使用する場合、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル 基、またはブチル異性体のような直鎖または分枝鎖飽和炭化水素基を意味し；“ アルコキシ基”という語は、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソ プロポキシ基、またはブトキシ異性体のような炭素数１乃至６個の直鎖または分 枝鎖低級アルコキシ基を意味し；“アルケニル基”という語は、ビニル基、１− プロペニル基、２−プロペニル基、またはブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニ ル基またはヘプテニル基の異性体のような炭素数２乃至７個で二重結合を有する 直鎖または分枝鎖アルケニル基を意味し；“アルキニル基”という語は、エチニ ル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、またはブチニル基、ペンチニル基 またはヘキシニル基の異性体のような炭素数２乃至７個で三重結合を有する直鎖 または分枝鎖アルキニル基を意味し；“ハロゲン原子”という語または合成語に おける“ハロ”は、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素を意味する。 式（Ｉ）の好ましい除草性化合物は、ＴがＴ１、Ｔ２またはＴ３であり、ここ でＲが水素またはアセチル基であり、Ｒ¹がハロゲンで置換されたメチル基また はエチル基であり、Ｒ²が水素であり；ＡがＡ１であり、ここでＸ及びＹがそれ ぞれ独立してＣ_1-4のアルキル基、Ｃ_1-4のアルコキシ基またはハロゲンであり、 ＺがＮまたはＣＨである化合物である。 更に好ましい式（Ｉ）の化合物は、ＴがＴ１であり、ここでＲが水素またはア セチル基であり、Ｒ¹がフッ素または塩素で置換されたメチル基またはエチル基 であり、Ｒ²が水素であり；ＡがＡ１であり、ここでＸ及びＹがそれぞれ独立し てメチル基、メトキシ基またはクロロ基であり、ＺがＮまたはＣＨである化合物 である。 最も好ましい式（Ｉ）の化合物は、ＴがＴ１であり、ここでＲが水素であり、 Ｒ¹が１−フルオロエチル基であり、Ｒ²が水素またはクロロエチル基であり；Ａ がＡ１であり、ここでＸ及びＹがそれぞれメトキシ基であり、ＺがＣＨである化 合物である。 本発明の他の態様は、上述した式（Ｉ）の化合物を製造する方法に関するもの である。 本発明によれば、下記反応図式に示すように、一般式（Ｉ−４）、（Ｉ−５） または（Ｉ−６）の化合物を、水または有機溶媒の存在下、塩基で加水分解して 式（Ｉ−１）、（Ｉ−２）及び（Ｉ−３）の化合物をそれぞれ製造することによ って、Ｒが水素である式（Ｉ）の化合物を製造することができる。 上記反応図式中、 Ｐは酸またはアルカリによる加水分解またはその他の方法により容易に除去す ることのできる保護基、好ましくはＣ_1-4のアシル基、最も好ましくはアセチル 基を示す。 式（Ｉ−４）乃至（Ｉ−６）の化合物の加水分解は、適切なアルカリで保護基 を除去することにより行うことができる。かかる目的で好ましく使用することの できる適切なアルカリは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム 、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等があり、最も好ましくは水酸化リチウムであ る。 加水分解反応は、反応不活性溶媒、例えば水、またはメタノール、エタノール 、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）等の有機溶媒、または水とかかる有機溶媒との 混合液中で、反応温度０乃至９０℃、好ましくは０乃至３０℃にて、１乃至２４ 時間、好ましくは２乃至４時間で、任意に行うことができる。 得られたＲが水素である式（Ｉ）の化合物は、塩酸水溶液で酸性化することに よって容易に分離することができる。具体的には、得られた化合物は、反応混合 物を塩酸水溶液で酸性化し、生成物をＭＣ（メチレンクロリド）、ＥＡ（エチル アセテート）等の溶媒で抽出し、抽出物を濃縮して所望の生成物を結晶化するこ とによって容易に得ることができる。更に、高度に精製された状態で、Ｒが水素 原子である式（Ｉ）の化合物を得ることを望む場合は、当該生成物をシリカゲル カラムクロマトグラフィーで更に精製することができる。 上記反応図式１において、出発物質として使用する式（Ｉ−４）乃至（Ｉ−６ ）の化合物は、所望の生成物に対応する下記一般式（II）の新規な化合物、即ち 式（II−１）、（II−２）または（II−３）の化合物を、下記一般式（III）の 化合物と反応させることにより、製造することができる。 〔式中、式（II−１）乃至（II−３）におけるＲ¹及びＲ²、式（III）における Ａは上述の定義通りである。〕 上記フェノール基の除去反応は、適切な反応不活性溶媒、例えばジオキサン、 アセトニトリル、ＴＨＦ、アセトン、メチレンクロリド、トルエン、ブタノン等 の脂肪族または芳香族有機溶媒中で行うことができる。この反応において、少量 の強塩基、例えばＤａｂｃｏ（１，４−ジアザビシクロ〔２．２．２〕オクタン ）、ＤＨＵ（１，８−ジアザビシクロ〔５．４．０〕ウンデセ−７−エン）等は 、反応助剤として使用することもでき、反応温度は２０乃至８０℃の範囲で維持 するのが好ましい。あるいは、この反応は米国特許第４，４４３，２４５号明細 書に記載されているように、酸を用いて行うことができる。 上記反応において使用されるカルバメート（III）は、下記反応図式に従って 、ジフェニルカーボネートまたはフェニルクロロホルメートと該当アミンを、ピ リジンのような塩基の存在下で反応させることにより製造することができる。 式（II−１）、（II−２）及び（II−３）の化合物を包含する式（II）の新規 な化合物は、下記の反応図式に従って合成することができる。 上記反応を以下に具体的に説明する。まず、式（Ｖ）のｔ−ブチルスルホンア ミドに２当量のｎ−ブチルリチウムを、ＴＨＦ、１，２−ジメトキシエタンまた はエーテル中で、好ましくはＴＨＦ中で、−９０乃至−５０℃で１乃至２４時間 処理すると、ジリチオ（dilithio）塩が生成し、この塩に−８０乃至−７０℃の 温度に維持しながら、式 （ここでＬはアルコキシ基、ジメチルアミド基またはメチル（メトキシ）アミド 基等を示す）の化合物を加えると、ケトン化合物が生成する。生成したケトン化 合物を水素化ホウ素ナトリウムのような還元剤で処理すると、ヒドロキシ化合物 を得る。このようなアリールスルホンアミドの直接的なリチオ化(lithiation)方 法は、J.G．Lombardino，J．Org．Chem.，36，1843(1971)及び Stowell，J.G., “Carbanions in Org．Synthesis”，John Wiley & Sone New York，1979，Snie ckus，V．Tetrahedron Lett．26，1145(1985)及び ibid．1149(1985)を参照する ことによって容易に行うことができる。更に、リチオ化された(lithiated)カル ボアニオンのアシル化反応、及び水素化アルミニウムリチウムまたは水素化ホウ 素ナトリウムを用いたケトン化合物の還元によってヒドロキシ化合物を得ること は、この技術分野においてよく知られている。 次いで、上記のようにして得たヒドロキシ化合物を、ピリジン存在下、無水酢 酸でＯ−アシル化すると、スルホンアミド化合物を得る。当該Ｏ−アシル化反応 は、ＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）を触媒として添加することによっ て促進することができる。最後に、得られたスルホンアミド化合物を過剰量のト リフルオロ酢酸（約０．３Ｍ）と一緒に、０乃至５０℃で１乃至７２時間攪拌し て、Ｎ−ｔ−ブチル基を除去すると、式（II）の所望の１級スルホンアミド化合 物が得られる。 上記反応は、J．D．Catt and W．L．Matier，J．Org．Chem.，39，566(1974) を参照するか、またはポリ燐酸で処理する時はJ．G．Lombardino，J．Org．Chem .，36，1843(1971)を参照することによって、有機合成の通常の知識のある者で あれば容易に行うことができる。 得られた生成物は、真空下で反応混合物中の揮発性物質を蒸発させた後、残渣 をジエチルエーテル、ＥＡ等の適切な溶媒で結晶化させることによって分離する ことができる。この時Ｒ¹は、ｎ−ＢｕＬｉのような反応性の高い試薬に対して 安定な置換基を示す。 一方、上記式（IV）のヘテロ環アミン化合物は、文献に記載された公知の方法 またはそれを簡単に変更した方法によって容易に製造することができる。例えば 、ヨーロッパ特許出願第８４，２２４号（１９８３．７．２７付公開）及び論文 （W．Braker，J．Am．Chem．Soc.，69，3072(1947)）には、アセタールによって 置換されたアミノピリミジン及びトリアジンを製造する方法が記載されており； ヨーロッパ特許出願第７２，３４７号、米国特許明細書第４，４４３，２４３号 及び第４，４８７，９１５号には、ＯＣＨＦ₂、ＳＣＨＦ₂、ＯＣＨ₂ＯＣＨ₂ＣＦ₃ 等のようなハロアルコキシまたはハロアルキルチオによって置換されたアミノ ピリミジン及びトリアジンを製造する方法が開示されており；またヨーロッパ特 許出願第１０８，７０８号、米国特許明細書第４，５１５，６２６号及び第４， ６００，４２８号には、アルキル、ハロアルキル、アルコキシ、ハロアルコキシ 、アルキルアミノ、ジアルキルアミノまたはアルコキシアルキル等によって置換 されたシクロプロピルピリミジン及びトリアジン化合物の製造方法が開示されて いる。更に、ＡがＡ２である式（IV）の化合物である５，６−ジヒドロフロ〔２ ，３−ｄ〕ピリミジン−２−アミンと、シクロペンタ〔ｄ〕ピリミジン−２−ア ミン、及びＡがＡ３である式（IV）の化合物である６，７−ジヒドロ−５Ｈ−ピ ラノ−〔２，３−ｄ〕ピリミジン−２−アミンの製造方法は、ヨーロッパ特許出 願第１５，８６３号に開示されており；ＡがＡ４である式（IV）の化合物である 〔２，３−ｄ〕ピリミジン−２−アミン化合物の製造方法は、ヨーロッパ特許出 願第４６，６７７号に開示されている。更に、アミノピリミジン化合物の一般的 な製造方法は、いくつかの文献（例えば、“The Chemistry of Heterocyclic Co mpounds”，Series．Interscience Publishers，Inc.，New York and London;“ Pyrimidines”，Vol.16，D．J．Brown Ed;“S-Triazines and Derivatives”，V ol．13，E．M．Smolin and L．Rapaport）に十分記載されており、トリアジン化 合物の製造方法も、他の文献（例えば、F．C．Schaefer，米国特許第3,154,547 号と K．R．Huffman and F．C．Schaefer，J．Org．Chem.，28，1812(1963)）に 記載されている。 上記本発明により製造される式（Ｉ）の化合物の適切な塩もまた除草剤として 有用である。塩形態の化合物（Ｉ）は、この分野で従来から使用されている種々 の方法により簡便に製造することができる。特に、塩形態の化合物（Ｉ）は、酸 形態の化合物（Ｉ）を、適切な塩基、例えばヒドロキシド、アルコキシドまたは カーボネートのような強塩基性陰イオンを有するアルカリ金属またはアルカリ土 類金属塩の溶液で処理することによって、簡便に得ることができる。更に化合物 （Ｉ）の４級アミン塩も類似した方法で製造することができる。 式（Ｉ）の化合物の塩は、陽イオンを他の陽イオンと交換することによっても 得ることができる。一般的に当該陽イオン交換反応は、アルカリ金属塩水溶液ま たは４級アミン塩水溶液のような化合物（Ｉ）の塩の水溶液を、交換すべき他の 陽イオンを含有する溶液と直接接触させることによって行うことができる。陽イ オン交換反応から生じる塩が水に不溶性であり、そのため濾過によって容易に分 離することができる場合に、この交換反応は最も効果的に行われる。 または、かかるイオン交換反応は、化合物（Ｉ）の塩の水溶液を、交換させた い陽イオンを含有する陽イオン交換樹脂を充填したカラムに付すことによっても 行うことができる。この方法では、塩のもともとの陽イオンが樹脂の陽イオンと 交換されながら、目的生成物がカラムより溶出される。この方法は、所望の塩が 水溶性である場合、即ちナトリウム、カリウムまたはカルシウム塩である場合に 、特に有用である。 本発明の方法によって得られる一般式（Ｉ）で示される新規な化合物の代表的 な例を、下記の表１、２、３に記載する。 上記表で例示した式（Ｉ）の化合物中、例えば置換基Ｒ¹が１−フルオロエチ ル基である化合物は、チエニル基の３位の置換基中に少なくとも２個の不斉炭素 原子を有するので、異なる立体化学異性体が存在しうる。従って、化合物（Ｉ） の当該異性体も本発明の範囲内に属する。極性及び非極性体を有する立体異性体 のラセミ体は、例えばカラムクロマトグラフィー、薄層クロマトグラフィー、高 性能液体クロマトグラフィーの公知の方法によって、純粋な立体異性体に分離す ることができる。本発明においては、薄層クロマトグラフィーまたはシリカゲル カラムクロマトグラフィー法が選択される。これらの立体化学配置は、式（Ｉ− ４）乃至（Ｉ−６）及び式（II）の中間体の時点ではやく決定されるので、この ような中間体を所望の立体化学異性体に分離し、次いで本発明の方法により処理 することによって、式（Ｉ）の対応の異性体を得ることができる。 本発明の化合物（Ｉ）は、防除すべき雑草の発芽前または発芽後に顕著に高い 除草活性を示す。従って、雑草防除用除草剤としての式（Ｉ）の化合物の用途も 本発明の１つの目的である。 ここでの雑草とは、広い意味では、所望されない場所に育つ全ての植物を意味 する。 本発明の式（Ｉ）の化合物中、３−（１−アセトキシ−クロロエチル）−Ｎ− 〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル〕−２−チオ フェンスルホンアミドは、水路(water conduit)用除草剤として、特にミツガヤ ツリ(Flat-sedge)及びウリカワ(Arrowhead)に対して卓越した除草活性を有する 。 本発明の活性化合物（Ｉ）の使用量は、保護すべき作物または防除すべき雑草 の種類、気候、天気、剤型、適用方法、土壌、雑草の大きさによって決定されう る。一般的に、活性化合物はヘクタール当たり０．０１乃至１０ｋｇ量で使用さ れるが、適用される土壌が有機物を殆ど含有しない場合または砂質土である場合 には、上記量より少ない量で使用することができる。 本発明の活性化合物は、雑草と戦うために、単独であるいは公知の他の除草剤 と組み合わせて用いることができる。本発明の化合物（Ｉ）と組み合わせて使用 できる適切な除草剤としては、下記のものが例示できる。 本発明の活性化合物の製造及び用途を、以下の実施例により更に詳細に説明す る。但し、これらの実施例は、本発明の代表的な例として挙げているにすぎず、 本発明の範囲がこれらに制限されるものではない。実施例１：Ｎ−ｔ−ブチル−３−（フルオロアセチル）−２−チオフェンスルホ ンアミドの合成 Ｎ−ｔ−ブチル−３−ブロモ−２−チオフェンスルホンアミド２．９８ｇ（０ ．０１モル）を無水テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解させ、混合物を窒素ガス 下で−７８℃まで冷却させた。この反応溶液に２．５Ｎのｎ−ブチルリチウム８ ．４ｍｌをゆっくりと滴下した後、混合物の温度を−２０℃まで徐々に上げ、再 び−７８℃まで冷却した。エチルフルオロアセテート１．２ｇ（０．０１１モル ）を反応混合物にゆっくりと加えた。混合物の温度を再び−２０℃まで徐々に上 げた後、１０分間攪拌した。反応混合物に５％アンモニウムクロリド水溶液１０ ０ｍｌを加えた後、エチルアセテート１００ｍｌを加えて有機層を分離した。抽 出した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。残渣をシリカゲ ルカラムクロマトグラフィーに付し、純粋な表題化合物２．０ｇ（収率：７２％ ）を液体として得た。 ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２５（ｓ，９Ｈ），５．４（ｄ，２Ｈ） ，６．１（ｓ，１Ｈ），７．３−７．６（ｍ，２Ｈ）実施例２：Ｎ−ｔ−ブチル−３−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−２ −チオフェンスルホンアミドの合成 実施例１で合成したＮ−ｔ−ブチル−３−（フルオロアセチル）−２−チオフ ェンスルホンアミド１．４ｇ（０．００５モル）をメタノール１００ｍｌに溶解 させた後、水素化ホウ素ナトリウム（ＮａＢＨ₄）１９０ｍｇ（０．００５モル ）をゆっくりと加えた。この混合物を４０℃で３０分間攪拌した後、減圧濃縮し た。残渣をメチレンクロリド３０ｍｌに溶かし、得られた溶液を５％塩酸水溶液 で洗浄した。この溶液に無水酢酸、ピリジン及びＮ，Ｎ−ジメチルアミドピリジ ンを加え、混合物を常温で２４時間攪拌した後、５％塩酸水溶液で洗浄した。有 機層を分離し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過した。濾液を濃縮した後、 残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、表題化合物１．４ｇ（収率 ：８５％）を得た。 ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２３（ｓ，９Ｈ），２．１３（ｓ，３ Ｈ），４．６５（ｄｄ，２Ｈ），５．７（ｓ，１Ｈ），６．５５（ｄｔ，１Ｈ） ，７．２（ｄｄ，１Ｈ），７．５（ｄ，１Ｈ）実施例３：３−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−２−チオフェンスル ホンアミドの合成 実施例２で合成したＮ−ｔ−ブチル−３−（１−アセトキシ−２−フルオロエ チル）−２−チオフェンスルホンアミド１．４ｇ（０．００４３モル）をトリフ ルオロ酢酸５ｍｌに溶解させた。反応液を常温で１２時間攪拌した後、減圧濃縮 した。残渣をメチレンクロリドに溶解させ、重炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した 。有機層を分離し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過した後、濾液を濃縮し た。残渣を再結晶し、純粋な表題化合物７５０ｍｇ（収率：７４％）を白色固体 として得た。 融点：９４−９６℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；２．１３（ｓ，３Ｈ），４．５５（ｄｄ，２ Ｈ），５．７（ｓ，２Ｈ），６．５５（ｄｔ，１Ｈ），７．２（ｄｄ，１Ｈ）， ７．５３（ｄ，１Ｈ）実施例４：Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニ ル〕−３−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−２−チオフェンスルホン アミドの合成（化合物番号１） 実施例３で合成した３−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−２−チオ フェンスルホンアミド６６７ｍｇ（０．００２５モル）、及びＮ−（４，６−ジ メトキシ−２−ピリミジニル）−Ｏ−フェニルカルバメート６８７ｍｇ（０．０ ０２５モル）を無水アセトニトリル１０ｍｌに溶解させた。反応液にＤＢＵ４０ ０ｍｇを加え、混合物を常温で４時間攪拌した後、濃縮した。残渣をメチレンク ロリド９０ｍｌに溶解させ、得られた溶液を５％ＨＣｌ水溶液で洗浄した。有機 層を分離、乾燥後、濃縮した。残渣を再結晶し、純粋な表題化合物８３５ｍｇ（ 収率：７８％）を白色固体として得た。 融点：１３１−１３４℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；２．１３（ｓ，３Ｈ），４．０１（ｓ，６Ｈ ），４．４８−４．９７（ｍ，２Ｈ），５．８５（ｓ，１Ｈ），６．６１−６． ７８（ｍ，１Ｈ），７．２４（ｂｒ，１Ｈ），７．２−７．７５（ｍ，２Ｈ）， １３．１（ｓ，１Ｈ）実施例５：Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニ ル−３−（１−ヒドロキシ−２−フルオロエチル）〕−２−チオフェンスルホン アミドの合成（化合物番号４） 実施例４で合成したＮ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミ ノカルボニル〕−３−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−２−チオフェ ンスルホンアミド６５０ｍｇ（０．００１５モル）を水酸化ナトリウム水溶液５ ｍｌに溶解させた後、常温で１時間攪拌した。５％ＨＣｌ水溶液を加えて反応混 合物をｐＨ４に調節した後、メチレンクロリドで抽出した。抽出液を濃縮し、純 粋な表題化合物５４０ｍｇ（収率：９２％）を得た。 融点：１３５−１３６℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；４．０１（ｓ，６Ｈ），４．４１−４．８８ （ｍ，２Ｈ），５．８５（ｓ，１Ｈ），５．９１−６．０８（ｍ，１Ｈ），７． ５５（ｓ，１Ｈ），７．３−７．７（ｍ，２Ｈ），１３．０（ｓ，１Ｈ）実施例６：Ｎ−ｔ−ブチル−３−クロロアセチル−２−チオフェンスルホンアミ ドの合成 Ｎ−ｔ−ブチル−３−ブロモ−２−チオフェンスルホンアミド２．９８ｇ（０ ．０１モル）を無水テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解させ、混合物を窒素ガス 下で−７８℃まで冷却した。この反応溶液に２．５Ｎのｎ−ブチルリチウム８． ４ｍｌをゆっくりと滴下した後、混合物の温度を−２０℃まで徐々に上げ、再び −７８℃まで冷却した。これにエチルクロロアセテート１．４ｇ（０．０１２モ ル）をゆっくりと加えた。反応混合物の温度を再び−２０℃まで徐々に上げた後 、１０分間攪拌した。混合物に５％アンモニウムクロリド水溶液１００ｍｌを加 えた後、エチルアセテート１００ｍｌを加えて有機層を分離した。抽出した有機 層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、濃縮した。残渣をシリカゲルカラムク ロマトグラフィーに付し、純粋な表題化合物１．９ｇ（収率：６９％）を液体と して得た。 ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２５（ｓ，９Ｈ），４．７（ｓ，２Ｈ） ，６．７（ｓ，１Ｈ），７．５２（ｄ，１Ｈ），７．５７（ｄ，１Ｈ）実施例７：Ｎ−ｔ−ブチル−３−（１−アセトキシ−２−クロロエチル）−２− チオフェンスルホンアミドの合成 実施例６で合成したＮ−ｔ−ブチル−３−（クロロアセチル）−２−チオフェ ンスルホンアミド１．５ｇ（０．００５モル）を、酢酸１ｍｌ及びテトラヒドロ フラン１０ｍｌの混合溶液に溶かした後、シアノボロヒドリドナトリウム０．３ １ｇ（０．００５モル）をゆっくりと加えた。この反応溶液を常温で３０分間攪 拌した後、反応液を真空蒸発器で処理して溶媒を除去した。残渣に水１０ｍｌを 加えた後、得られた溶液をメチレンクロリドで抽出した。抽出液を無水硫酸マグ ネシウムで乾燥し、濾過した。濾液に無水酢酸、ピリジン及びＮ，Ｎ−ジメチル アミノピリジンを加え、常温で２４時間攪拌した後、５％塩酸水溶液で洗浄した 。有機層を分離し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過した。濾液を濃縮した 後、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、表題化合物１．５ｇ（ 収率：８４％）を得た。 ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．３（ｓ，９Ｈ），２．１５（ｓ，３Ｈ） ，３．５７−３．９（ｍ，２Ｈ），５．２３（ｓ，１Ｈ），６．５（ｍ，１Ｈ） ，７．１３（ｄ，１Ｈ），７．５（ｄ，１Ｈ）実施例８：３−（１−アセトキシ−２−クロロエチル）−２−チオフェンスルホ ンアミドの合成 実施例７で合成したＮ−ｔ−ブチル−３−（１−アセトキシ−２−クロロエチ ル）−２−チオフェンスルホンアミド１．５ｇ（０．００４４モル）をトリフル オロ酢酸５ｍｌに溶解させた。反応液を常温で１２時間攪拌した後、減圧濃縮し た。残渣をメチレンクロリドで溶解させ、重炭酸ナトリウム水溶液で洗浄した。 有機層を分離し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過後、濃縮した。残渣をシ リカゲルカラムクロマトグラフィーに付し、純粋な表題化合物７６０ｍｇ（収率 ：７２％）を得た。 融点：９０−９１℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；２．１（ｓ，３Ｈ），３．７５−３．８５（ ｍ，２Ｈ），５．５５（ｓ，１Ｈ），６．５（ｍ，１Ｈ），７．１５（ｄ，１Ｈ ），７．５２（ｄ，１Ｈ）実施例９：Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニ ル〕−３−（１−アセトキシ−２−クロロエチル）−２−チオフェンスルホンア ミドの合成（化合物番号７） 実施例８で合成した３−（１−アセトキシ−２−クロロエチル）−２−チオフ ェンスルホンアミド７０９ｍｇ（０．００２５モル）、及びＮ−（４，６−ジメ トキシ−２−ピリミジニル）−Ｏ−フェニルカルバメート６８７ｍｇ（０．００ ２５モル）を実施例４と同様の方法で処理し、純粋な表題化合物７５０ｍｇ（収 率：７０％）を得た。 融点：１５０−１５１℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；２．０２（ｓ，３Ｈ），３．８１−３．９８ （ｍ，２Ｈ），４．０１（ｓ，６Ｈ），５．８（ｓ，１Ｈ），６．６１（ｍ，１ Ｈ），７．２１−７．６７（ｍ，２Ｈ），７．３（ｓ，１Ｈ），１３．１８（ｓ ，１Ｈ）実施例１０：Ｎ−ｔ−ブチル−２−（フルオロアセチル）−３−チオフェンスル ホンアミドの合成 Ｎ−ｔ−ブチル−３−チオフェンスルホンアミド１．８７ｇ（０．０１モル） を実施例１と同様の方法で処理し、純粋な表題化合物２．１ｇ（収率：７６％） を液体として得た。 ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２５（ｓ，９Ｈ），５．４（ｄ，２Ｈ） ，６．１（ｓ，１Ｈ），７．３−７．６（ｍ，２Ｈ）実施例１１：Ｎ−ｔ−ブチル−２−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）− ３−チオフェンスルホンアミドの合成 実施例１０で合成したＮ−ｔ−ブチル−２−（フルオロアセチル）−３−チオ フェンスルホンアミド１．４ｇ（０．００５モル）を実施例２と同様の方法で処 理し、表題化合物１．５ｇ（収率：９１％）を得た。 ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２３（ｓ，９Ｈ），２．１３（ｓ，３Ｈ ），４．４５−４．８８（ｍ，２Ｈ），５．２（ｓ，１Ｈ），６．８２（ｄｔ， １Ｈ），７．２５−７．４（ｍ，２Ｈ）実施例１２：２−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−３−チオフェンス ルホンアミドの合成 実施例１１で合成したＮ−ｔ−ブチル−２−（１−アセトキシ−２−フルオロ エチル）−３−チオフェンスルホンアミド１．４ｇ（０．００４３モル）を実施 例３と同様の方法で処理し、純粋な表題化合物７５０ｍｇ（収率：７４％）を白 色固体として得た。 融点：９７−９８℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；２．１３（ｓ，３Ｈ），４．６７（ｄｄ，２ Ｈ），５．５８（ｓ，２Ｈ），６．５２（ｄｔ，１Ｈ），７．２（ｄｄ，１Ｈ） ，７．５５（ｄ，１Ｈ）実施例１３：Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボ ニル〕−２−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−３−チオフェンスルホ ンアミドの合成（化合物番号７７） 実施例１２で合成した２−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−３−チ オフェンスルホンアミド６６７ｍｇ（０．００２５モル）、及びＮ−（４，６− ジメトキシ−２−ピリミジニル）−Ｏ−フェニルカルバメート６８７ｍｇ（０． ００２５モル）を実施例４と同様の方法で処理し、純粋な表題化合物７８０ｍｇ （収率：７３％）を白色固体として得た。 融点：１３０−１３２℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；２．１９（ｓ，３Ｈ），４．０１（ｓ，６Ｈ ），４．６−５．０（ｍ，２Ｈ），５．８１（ｓ，１Ｈ），６．９８−７．０（ ｍ，１Ｈ），７．３（ｓ，１Ｈ），７．３８−７．６（ｄ，２Ｈ），１２．８２ （ｓ，１Ｈ）実施例１４：Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボ ニル〕−２−（１−ヒドロキシ−２−フルオロエチル）−３−チオフェンスルホ ンアミドの合成（化合物番号８３） 実施例１３で合成したＮ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）ア ミノカルボニル〕−２−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−３−チオフ ェンスルホンアミド６５０ｍｇ（０．００１５モル）を実施例５と同様の方法で 処理し、純粋な表題化合物５２８ｍｇ（収率：９０％）を得た。 融点：１３２−１３４℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；４．０１（ｓ，６Ｈ），４．６−５．０（ｍ ，２Ｈ），５．８１（ｓ，１Ｈ），５．９１−６．０８（ｍ，１Ｈ），７．５５ （ｓ，１Ｈ），７．３−７．７（ｍ，２Ｈ），１３．０（ｓ，１Ｈ）実施例１５：Ｎ−ｔ−ブチル−４−（２−フルオロプロピオニル）−３−チオフ ェンスルホンアミドの合成 Ｎ−ｔ−ブチル−４−ブロモ−３−チオフェンスルホンアミド２．９８ｇ（０ ．０１モル）を無水テトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解させ、混合物を窒素ガス 下で−７８℃まで冷却させた。この反応溶液に２．５Ｎのｎ−ブチルリチウム８ ．４ｍｌをゆっくりと滴下した後、混合物の温度を−２０℃まで徐々に上げ、再 び−７８℃まで冷却した。反応混合物にエチルフルオロプロピオネート１．３２ ｇ（０．０１１モル）をゆっくりと加えた。反応混合物の温度を再び−２０℃ま で徐々に上げた後、１０分間攪拌した。混合物に５％アンモニウムクロリド水溶 液１００ｍｌを加えた後、エチルアセテート１００ｍｌを加えて有機層を分離し た。抽出した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濃縮した。残渣をシリカ ゲルカラムクロマトグラフィーに付し、純粋な表題化合物１．７７ｇ（収率：６ ８％）を液体として得た。 ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２３（ｓ，９Ｈ），１．６５（ｄｄ，３ Ｈ），５．４５（ｄｔ，２Ｈ），６．１８（ｓ，１Ｈ），７．６５−７．７５（ ｍ，２Ｈ）実施例１６：極性及び非極性のＮ−ｔ−ブチル−４−（１−アセトキシ−２−フ ルオロプロピル）−３−チオフェンスルホンアミドの合成 Ｎ−ｔ−ブチル−４−（フルオロプロピオニル）−３−チオフェンスルホンア ミド２．６ｇ（０．０１モル）をメタノール１００ｍｌに溶解させた後、水素化 ホウ素ナトリウム３８０ｍｇ（０．０１モル）をゆっくりと加えた。この反応溶 液を４０℃で３０分間攪拌した後、減圧濃縮した。残渣をメチレンクロリド３０ ｍｌに溶かした後、５％塩酸水溶液で洗浄した。溶液に無水酢酸、ピリジン及び Ｎ，Ｎ−ジメチルアミドピリジンを加えて、常温で２４時間攪拌した後、５％塩 酸水溶液で洗浄した。有機層を分離し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過し た後、濾液を濃縮した。残渣は、薄層クロマトグラフィーによって、エリトロ及 びトレオのジアステレオマーの混合物であると確認された。この異性体をシリカ ゲルカラムクロマトグラフィーによって分離し、極性及び非極性の表題化合物を 得た。 極性化合物：１．２ｇ（収率：８６％） ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２５（ｓ，９Ｈ），１．３１（ｄｔ，３ Ｈ），２．１（ｓ，３Ｈ），４．８（ｓ，１Ｈ），４．８−５．２（ｍ，１Ｈ） ，６．２５（ｄｄ，１Ｈ），７．２−７．４（ｍ，２Ｈ） 非極性化合物：１．１ｇ（収率：７８％） ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２５（ｓ，９Ｈ），１．３２（ｄｔ，３ Ｈ），２．１（ｓ，３Ｈ），４．８（ｓ，１Ｈ），４．８−５．３（ｍ，１Ｈ） ，６．１５（ｄｄ，１Ｈ），７．２−７．４（ｍ，２Ｈ）実施例１７：４−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−３−チオフェン スルホンアミド（極性）の合成 実施例１６で合成したＮ−ｔ−ブチル−４−（１−アセトキシ−２−フルオロ プロピル）−３−チオフェンスルホンアミド（極性）１．４ｇ（０．００４３モ ル）を実施例３と同様の方法で処理し、純粋な表題化合物７５０ｍｇ（収率：７ ４％）を白色固体として得た。 融点：９２−９４℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．２５（ｄｔ，３Ｈ），２．１（ｓ，３Ｈ ），４．８５−５．２５（ｍ，１Ｈ），５．５５（ｓ，２Ｈ），６．３５（ｄｄ ，１Ｈ），７．１−７．２（ｍ，２Ｈ）実施例１８：４−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−３−チオフェン スルホンアミド（非極性）の合成 実施例１６で合成したＮ−ｔ−ブチル−４−（１−アセトキシ−２−フルオロ プロピル）−３−チオフェンスルホンアミド（非極性）１．４ｇ（０．００４３ モル）を実施例３と同様の方法で処理し、純粋な表題化合物７５０ｍｇ（収率： ７４％）を白色固体として得た。 融点：９１−９３℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．３２（ｄｔ，３Ｈ），２．１（ｓ，３Ｈ ），４．６−５．１（ｍ，１Ｈ），５．６５（ｓ，２Ｈ），６．２８（ｄｄ，１ Ｈ），７．１−７．２（ｍ，２Ｈ）実施例１９：Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボ ニル〕−４−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−３−チオフェンスル ホンアミド（極性）の合成（化合物番号９８） 実施例１７で合成した４−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−３− チオフェンスルホンアミド（極性）６７０ｍｇ（０．００２５モル）、及びＮ− （４，６−ジメトキシ−２−ピリミジニル）−Ｏ−フェニルカルバメート６８７ ｍｇ（０．００２５モル）を実施例４と同様の方法で処理し、純粋な表題化合物 ８５３ｍｇ（収率：７８％）を白色固体として得た。 融点：１３８−１３９℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．５（ｍ，３Ｈ），４．０１（ｓ，６Ｈ） ，５．０（ｍ，１Ｈ），６．０（ｄｄ，１Ｈ），６．７８（ｓ，１Ｈ），７．３ −７．４（ｍ，２Ｈ），９．２（ｓ，１Ｈ），１３．１（ｓ，１Ｈ）実施例２０：Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボ ニル〕−４−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−３−チオフェンスル ホンアミド（非極性）の合成（化合物番号９９） 実施例１８で合成した４−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−３− チオフェンスルホンアミド（非極性）６７０ｍｇ（０．００２５モル）、及びＮ −（４，６−ジメトキシピリミジン−２−ピリミジニル）−Ｏ−フェニルカルバ メート６８７ｍｇ（０．００２５モル）を実施例４と同様の方法で処理し、純粋 な表題化合物８２０ｍｇ（収率：７５％）を白色固体として得た。 融点：１３１−１３４℃ ¹Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ₃，δ）；１．４（ｄｔ，３Ｈ），３．９５（ｓ，６Ｈ ），４．９−５．３（ｍ，１Ｈ），５．８（ｓ，１Ｈ），６．０−６．２（ｍ， １Ｈ），７．３（ｍ，２Ｈ），７．８（ｓ，１Ｈ），１２．７（ｓ，１Ｈ） 本発明の化合物の除草効果は、後述のように温室での試験によって確認した。実施例２１：発芽前処理試験 適切な製剤を作るために、活性化合物１重量部を、アセトン５重量部及び乳化 剤としてのアルキルアリールポリグリコールエーテル１重量部と混合し、溶かし た。得られた溶液を水で希釈し、所望の濃度とした。 試験植物の種を通常の土壌にまき、２４時間後に活性化合物を含有する上記で 製造した製剤をまいた。単位面積当たりの水の量を一定に保つのがよい。更に製 剤中の活性化合物の濃度が非常に重要である。３週間後に植物の損傷程度を、未 処理対照群の成育と比較した損傷％で評価し、評価結果は下記のように表した。 ０％＝無効果（未処理対照群と同じ） ２０％＝僅かな効果 ７０％＝除草効果 １００％＝全滅（完全枯死）実施例２２：発芽後処理試験 活性化合物を含有する製剤を実施例２１と同様の方法で製造した。高さ５乃至 １５ｃｍの試験植物に、単位面積当たり所望量の活性化合物を適用するように、 上記製剤をスプレーした。スプレー用溶液中の活性成分濃度は、ヘクタール当た り水２０００Ｌをスプレーした時に、所望量の活性化合物が適用されうるように 決定した。３週間後に植物の損傷程度を、未処理対照群の成育と比較した損傷％ で評価し、評価結果は実施例２１でのように示した。 試験の結果、本発明の式（Ｉ）の化合物は、発芽前及び発芽後のどちらの処理 によっても、単子葉または双子葉雑草に対して非常に優れた除草効果を有するこ とが確認できた。実施例２３：水田水中(Paddy submerged)試験 円形ポット（６０ｃｍまたは１４０ｃｍ）に肥料を少量入れ、滅菌された水田 の土をペースト状で５ｃｍの深さにポットに満たした。タイヌビエ(Barnyard gr ass)、シュロガヤツリ(Umbrella plant)、ツユクサ(Day Flower)、ミズアオイ(M onochoria)、キカシグサ(Toothcup)、チョウジタデ(Ludwigia)、ホタルイ(Bulru sh)、ニセルリハコベ(False pimpernel)の種と、ミツガヤツリ(Flat-sedge)、ウ リカワ(Arrowhead)等の多年性鱗茎(Perennial bulb)を、当該土の表層に混入ま たはまいた後、稲の苗（２〜３葉期）をポット当たり１本ずつ表面から２ｃｍ深 さで植えた。移植の後、２ｃｍ深さで淡水に浸し、１日間その状態に保った。次 いで、実施例２１のようにして製造された製剤を滴下することにより、それらを 一様に処理した（製剤の適用量が４ｋｇ／ｈａの場合、ポット当たり４ｍｇ）。 ２週間後に除草活性を評価し、その結果は実施例２１におけるのと同じ基準によ り表した。 本発明において、実施例２１、２２の発芽前後の処理試験に使用した活性化合 物の除草活性を、下記表４、５、６に示す。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ユ、ゼ ウック 大韓民国、デジョン 305―333、ユソン― グ、オウン―ドン、99、ハンビット アパ ートメント、120―305 (72)発明者 イ、ヨン スウ 大韓民国、デジョン、デドック―グ、ヨン チュク―ドン、ジュゴン アパートメン ト、109―101 (72)発明者 カン、スン キュ 大韓民国、デジョン、ソ―グ、ウォルピョ ン―ドン、312―１、ジンダルレ アパー トメント、103―1401 (72)発明者 ファン、イン テック 大韓民国、デジョン 305―333、ユソン― グ、オウン―ドン、99、ハンビット アパ ートメント、115―303 【要約の続き】 で示されるチオフェンスルホニルウレア誘導体、その製 造方法、これを用いた除草剤、その塩、及びこれら誘導 体を含有する除草性組成物に関する。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．下記一般式（Ｉ） 〔式中、 Ｔは下記一般式を有する基Ｔ１、Ｔ２またはＴ３を示し； ここで、 Ｅは直接結合を示し； Ｒは水素またはＣ_1-4のアシル基であり、 Ｒ¹は１〜３個のハロゲン原子で置換されたＣ_1-6のアルキル基であり； Ｒ²は水素、Ｃ_1-3のアルキル基、Ｃ_1-3のハロアルキル基、ハロゲン、シアノ 基、Ｃ_1-3のアルコキシ基、Ｃ_1-3のハロアルコキシ基、アミノ基、メチルアミノ 基、ジメチルアミノ基、またはＣ_1-2のアルコキシ基、Ｃ_1-2のハロアルコキシ基 、チオール基、メチルチオ基、シアノ基またはヒドロキシ基で置換されたＣ_1-2 のアルキル基であり； Ａは下記一般式を有するＡ１乃至Ａ４から選択される基であり、 ここで、 Ｘは水素、Ｃ_1-4のアルキル基、Ｃ_1-4のアルコキシ基、Ｃ_1-4のハロアルキル 基、Ｃ_1-4のハロアルコキシ基、Ｃ_1-4のアルキルチオ基、Ｃ_1-4のハロアルキル チオ基、ハロゲン、Ｃ_2-5のアルコキシアルキル基、Ｃ_2-5のアルコキシアルコキ シ基、イミノ基、Ｃ_1-3のアルキルアミノ基、ジ（Ｃ_1-3のアルキル）アミノ基ま たはＣ_3-5のシクロアルキル基であり； Ｘ¹はＣ_1-2のアルキル基、Ｃ_1-2のアルコキシ基、またはＣ_1-2のアルキルチオ 基であり； Ｙは水素、Ｃ_1-4のアルキル基、Ｃ_1-4のアルコキシ基、Ｃ_1-4のハロアルコキ シ基、Ｃ_1-4のハロアルキルチオ基、Ｃ_1-4のアルキルチオ基、Ｃ_2-5のアルコキ シアルキル基、Ｃ_2-5のアルコキシアルコキシ基、アミノ基、Ｃ_1-3のアルキルア ミノ基、ジ（Ｃ_1-3のアルキル）アミノ基、Ｃ_3-4のアルケニルオキシ基、Ｃ_3-4 のアルキニルオキシ基、Ｃ_2-5のアルキルチオアルキル基、Ｃ_1-4のハロアルキル 基、Ｃ_2-4のアルキニル基、アジド基、シアノ基、Ｃ_2-5のアルキルスルフィニル アルキル基、Ｃ_2-5のアルキルスルホニルアルキル基、ヒドロキシメチル基、Ｃ_{3 -5} のシクロアルキル基、またはＣ_3-5のシクロアルコキシ基であり； Ｙ¹は酸素またはメチレン基であり； Ｙ²は水素またはメチル基であり； ＺはＮまたはＣＨである； 但し、（１）Ｘがフッ素、塩素、ヨウ素であるとき、ＺはＣＨであり、Ｙはメ トキシ基、エトキシ基、メトキシメチルアミノ基、アミノ基、メチルアミノ基、 ジメチルアミノ基またはジフルオロメトキシ基であり、 （２）ＸまたはＹがジフルオロメトキシ基であるとき、ＺはＣＨであり、 （３）Ｘ及びＹの炭素原子数の合計が４以上であるとき、Ｒ²は炭素原子数４以 下の基である。〕 で示されるチオフェンスルホニルウレア誘導体及びその塩。 ２．ＴがＴ１、Ｔ２またはＴ３であり、ここでＲが水素またはアセチル基であり 、Ｒ¹がハロゲン置換されたメチル基またはエチル基であり、Ｒ²が水素であり； ＡがＡ１であり、ここでＸ及びＹがそれぞれ独立してＣ_1-4のアルキル基、Ｃ_1-4 のアルコキシ基またはハロゲンであり、ＺがＮまたはＣＨであることを特徴とす る請求項１記載の式（Ｉ）の化合物。 ３．ＴがＴ１であり、ここでＲが水素またはアセチル基であり、Ｒ¹がフッ素ま たは塩素によって置換されたメチル基またはエチル基であり、Ｒ²が水素であり ；ＡがＡ１であり、ここでＸ及びＹがそれぞれ独立してメチル基、メトキシ基ま たはクロロ基であり、ＺがＮまたはＣＨであることを特徴とする請求項１記載の 式（Ｉ）の化合物。 ４．Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル〕− ３−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−２−チオフェンスルホンアミド であることを特徴とする請求項１記載の式（Ｉ）の化合物。 ５．Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル〕− ３−（１−アセトキシ−２−クロロエチル）−２−チオフェンスルホンアミドで あることを特徴とする請求項１記載の式（Ｉ）の化合物。 ６．Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル〕− ３−（１−アセトキシ−２−クロロプロピル）−２−チオフェンスルホンアミド であることを特徴とする請求項１記載の式（Ｉ）の化合物。 ７．Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル〕− ３−（２−フルオロ−１−ヒドロキシエチル）−２−チオフェンスルホンアミド であることを特徴とする請求項１記載の式（Ｉ）の化合物。 ８．Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル〕− ３−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−２−チオフェンスルホンアミ ドであることを特徴とする請求項１記載の式（Ｉ）の化合物。 ９．下記一般式（II） 〔式中、Ｒ、Ｒ¹及びＲ²は上記定義のとおりである。〕 で示される中間体化合物。 １０．３−（１−アセトキシ−２−フルオロエチル）−２−チオフェンスルホン アミドであることを特徴とする請求項９記載の式（II）の化合物。 １１．３−（１−アセトキシ−２−クロロエチル）−２−チオフェンスルホンア ミドであることを特徴とする請求項９記載の式（II）の化合物。 １２．３−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−２−チオフェンスルホ ンアミドであることを特徴とする請求項９記載の式（II）の化合物。 １３．活性成分として請求項１記載の式（Ｉ）の化合物を含有する除草性組成物 。 １４．ＴがＴ１であり、ここでＲが水素またはアセチル基であり、Ｒ¹がハロゲ ンで置換されたエチル基またはプロピル基であり；ＡがＡ１であり、ここでＸ、 Ｙ及びＺが請求項１で定義されたとおりである式（Ｉ）の化合物を活性成分とし て含有することを特徴とする請求項１３記載の除草性組成物。 １５．Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル〕 −３−（１−アセトキシ−２−クロロエチル）−２−チオフェンスルホンアミド である式（Ｉ）の化合物を活性成分として含有することを特徴とする請求項１３ 記載の除草性組成物。 １６．Ｎ−〔（４，６−ジメトキシピリミジン−２−イル）アミノカルボニル〕 −３−（１−アセトキシ−２−フルオロプロピル）−２−チオフェンスルホンア ミドである式（Ｉ）の化合物を活性成分として含有することを特徴とする請求項 １３記載の除草性組成物。