JPH0945825A - ハイブリッド・モジュール内の基板上の部材の上方で高周波変成器を支持するマウント、およびハイブリッド・モジュールの組立方法 - Google Patents
ハイブリッド・モジュール内の基板上の部材の上方で高周波変成器を支持するマウント、およびハイブリッド・モジュールの組立方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ハイブリッド・モジュール内の基板上の部材
の上方に高周波変成器を支持するマウント、およびハイ
ブリッド・モジュールの組立方法が提供される。 【解決手段】 変成器マウント１１は、ハイブリッド・
モジュール１０の基板２３上の部材２２の上方で変成器
１２を支持する。変成器マウント１１は、ハイブリッド
・モジュール１０内でスペースを節約し、変成器マウン
ト１１の寄生静電容量とインダクタンスを最小限に抑え
ることにより高周波性能を向上させ、その後の高温およ
びバッチ処理と適合して組立を高速化し、フラックス除
去材料が変成器マウント１１の下を流れるようにでき、
安価で、しかも組立の間、変成器１２を微調整するため
の適切なアクセスを設ける。
の上方に高周波変成器を支持するマウント、およびハイ
ブリッド・モジュールの組立方法が提供される。 【解決手段】 変成器マウント１１は、ハイブリッド・
モジュール１０の基板２３上の部材２２の上方で変成器
１２を支持する。変成器マウント１１は、ハイブリッド
・モジュール１０内でスペースを節約し、変成器マウン
ト１１の寄生静電容量とインダクタンスを最小限に抑え
ることにより高周波性能を向上させ、その後の高温およ
びバッチ処理と適合して組立を高速化し、フラックス除
去材料が変成器マウント１１の下を流れるようにでき、
安価で、しかも組立の間、変成器１２を微調整するため
の適切なアクセスを設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は実装デバイスに関し、さ
らに詳しくは基板上で変成器を支持するための変成器マ
ウントに関する。
らに詳しくは基板上で変成器を支持するための変成器マ
ウントに関する。
【０００２】
【従来の技術】多くの高周波変成器マウントは、表面実
装技術を利用しており、この技術では変成器マウントの
下にフラックス除去液（defluxing fluids）が自由に流
れるようにできない。その結果、リフロー処理では、フ
ラックス残留物が残されたままになり、これが、変成器
マウント下の基板領域の使用を制限する。これは特に、
薄膜抵抗器や、異なる電位で密集している導線にあては
まる。そのため、リフロー処理などの技術は、変成器マ
ウントの組立には使用できない。また、多くの変成器マ
ウントは、リフロー作業に関わる炉の高温に耐えられな
い。したがって、人手による労働集約的プロセスを用い
て、基板に変成器マウントを付着させることが多い。
装技術を利用しており、この技術では変成器マウントの
下にフラックス除去液（defluxing fluids）が自由に流
れるようにできない。その結果、リフロー処理では、フ
ラックス残留物が残されたままになり、これが、変成器
マウント下の基板領域の使用を制限する。これは特に、
薄膜抵抗器や、異なる電位で密集している導線にあては
まる。そのため、リフロー処理などの技術は、変成器マ
ウントの組立には使用できない。また、多くの変成器マ
ウントは、リフロー作業に関わる炉の高温に耐えられな
い。したがって、人手による労働集約的プロセスを用い
て、基板に変成器マウントを付着させることが多い。
【０００３】変成器の組立に関わるその他の労働集約型
プロセスは、変成器を変成器マウントに結合させるため
に、変成器のワイヤのストリッピング（stripping ）お
よび錫めっきを含む。前記プロセスはまた、変成器マウ
ントが、このストリッピングと錫メッキ段階の自動化バ
ッチ処理に耐えられないために、人手による作業のまま
となっている。
プロセスは、変成器を変成器マウントに結合させるため
に、変成器のワイヤのストリッピング（stripping ）お
よび錫めっきを含む。前記プロセスはまた、変成器マウ
ントが、このストリッピングと錫メッキ段階の自動化バ
ッチ処理に耐えられないために、人手による作業のまま
となっている。
【０００４】表面実装デバイスである従来の変成器マウ
ントでは、変成器マウントの下、および変成器マウント
と基板との間に独立の部材を配置することができない。
独立の部材の上にマウントでき、独立の部材と同一の基
板にマウントできる変成器マウントを提供することによ
り、ハイブリッド・モジュール全体のサイズを小さくで
きる。
ントでは、変成器マウントの下、および変成器マウント
と基板との間に独立の部材を配置することができない。
独立の部材の上にマウントでき、独立の部材と同一の基
板にマウントできる変成器マウントを提供することによ
り、ハイブリッド・モジュール全体のサイズを小さくで
きる。
【０００５】加えて、他の変成器マウント（表面実装デ
バイスであるか否かを問わない）は、高周波変成器の製
造の間、または高周波変成器を利用したハイブリッド回
路の組立の間、高周波変成器の若干の調整もしくは微調
整ができるような、変成器の巻線へのアクセスができな
い。
バイスであるか否かを問わない）は、高周波変成器の製
造の間、または高周波変成器を利用したハイブリッド回
路の組立の間、高周波変成器の若干の調整もしくは微調
整ができるような、変成器の巻線へのアクセスができな
い。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】したがって、変成器マ
ウントの下にフラックス除去液を自由に流れさせて組立
の自動化を可能にし、ストリッピング，錫めっき，およ
び半田付けの高温作業に耐えられ、変成器マウントの下
に少なくとも１つの独立した部材をマウントでき、製造
および組立中に変成器の巻線にアクセスできる変成器マ
ウントに対するニーズが存在する。上記要求事項に従っ
て、変成器マウントは、最適の高周波性能を得るため
に、寄生インダクタンスと静電容量を最小限に抑えるべ
きであり、また費用も逓減すべきである。
ウントの下にフラックス除去液を自由に流れさせて組立
の自動化を可能にし、ストリッピング，錫めっき，およ
び半田付けの高温作業に耐えられ、変成器マウントの下
に少なくとも１つの独立した部材をマウントでき、製造
および組立中に変成器の巻線にアクセスできる変成器マ
ウントに対するニーズが存在する。上記要求事項に従っ
て、変成器マウントは、最適の高周波性能を得るため
に、寄生インダクタンスと静電容量を最小限に抑えるべ
きであり、また費用も逓減すべきである。
【０００７】
【実施例】本発明を詳細に説明するために図を見ると、
図１は、本発明による変成器マウントの断面図を示す。
ハイブリッド・モジュールまたは高周波ハイブリッド・
モジュール１０は、実装デバイス，変成器マウントまた
はマウント１１、および変成器または高周波変成器１２
によって構成される。ハイブリッド・モジュール１０は
基板２３の上にマウントされ、部材２２の上にマウント
される。基板２３は、ハイブリッドｒｆ（高周波）モジ
ュールまたはエレクトロニクス技術上使用される任意の
基板であり、部材２２は、個別抵抗器または半導体抵抗
器，コンデンサ，インダクタ，半導体集積回路などエレ
クトロニクス技術で使用される少なくとも１つの部材ま
たはチップである。基板２３は、異なる電位の密集した
導線および薄膜抵抗器を含むことができ、或いは部材２
２が前記導線および薄膜抵抗器となることもできる。
図１は、本発明による変成器マウントの断面図を示す。
ハイブリッド・モジュールまたは高周波ハイブリッド・
モジュール１０は、実装デバイス，変成器マウントまた
はマウント１１、および変成器または高周波変成器１２
によって構成される。ハイブリッド・モジュール１０は
基板２３の上にマウントされ、部材２２の上にマウント
される。基板２３は、ハイブリッドｒｆ（高周波）モジ
ュールまたはエレクトロニクス技術上使用される任意の
基板であり、部材２２は、個別抵抗器または半導体抵抗
器，コンデンサ，インダクタ，半導体集積回路などエレ
クトロニクス技術で使用される少なくとも１つの部材ま
たはチップである。基板２３は、異なる電位の密集した
導線および薄膜抵抗器を含むことができ、或いは部材２
２が前記導線および薄膜抵抗器となることもできる。
【０００８】高周波変成器または変成器１２は、ブロッ
ク２４と、リードまたはワイヤ２５，２６によって示さ
れる。ブロック２４は、技術上知られる従来型変成器を
示し、これは、強磁性基板の周囲に巻かれた銅合金ワイ
ヤを含むが、これに限定されない。変成器１２のワイヤ
２５，２６は、図１に示すように変成器１２を変成器マ
ウント１１と結合する。詳しくは以下に説明する。
ク２４と、リードまたはワイヤ２５，２６によって示さ
れる。ブロック２４は、技術上知られる従来型変成器を
示し、これは、強磁性基板の周囲に巻かれた銅合金ワイ
ヤを含むが、これに限定されない。変成器１２のワイヤ
２５，２６は、図１に示すように変成器１２を変成器マ
ウント１１と結合する。詳しくは以下に説明する。
【０００９】マウントまたは変成器マウント１１は、ベ
ース・プレート１３と複数のリード１４，１６を有す
る。ベース・プレート１３は、変成器１２を支持する表
面３２、および表面３２と対置され、部材２２と基板２
３に面する表面３２を有する。ベース・プレート１３の
側面２９，３０は、ベース・プレート１３の表面３１，
３２を結合する。ベース・プレート１３は、半導体成形
パッケージ内で使用されるエポキシ，液晶ポリマー，セ
ラミックスなど電気絶縁材料によって構成できる。しか
しながら、ベース・プレート１３は、ベース・プレート
１３が４００℃の半田ディップ（solder dip）など高温
プロセス段階に耐えられるようにするため、融点または
寸法のくるいが生じる温度が高い、ジアリル・フタレー
トまたはその他の電気絶縁材料によって構成するのが望
ましい。誘電率が約４．５から５．０の間であるジアリ
ル・フタレートは、誘電率が、変成器マウントに通常使
用される従来のセラミックスよりも約２分の１の低さで
あるために望ましい。誘電率が低いと、変成器マウント
１１の電極間またはリード間の寄生静電容量を減らすこ
とにより、高周波性能を改善する。
ース・プレート１３と複数のリード１４，１６を有す
る。ベース・プレート１３は、変成器１２を支持する表
面３２、および表面３２と対置され、部材２２と基板２
３に面する表面３２を有する。ベース・プレート１３の
側面２９，３０は、ベース・プレート１３の表面３１，
３２を結合する。ベース・プレート１３は、半導体成形
パッケージ内で使用されるエポキシ，液晶ポリマー，セ
ラミックスなど電気絶縁材料によって構成できる。しか
しながら、ベース・プレート１３は、ベース・プレート
１３が４００℃の半田ディップ（solder dip）など高温
プロセス段階に耐えられるようにするため、融点または
寸法のくるいが生じる温度が高い、ジアリル・フタレー
トまたはその他の電気絶縁材料によって構成するのが望
ましい。誘電率が約４．５から５．０の間であるジアリ
ル・フタレートは、誘電率が、変成器マウントに通常使
用される従来のセラミックスよりも約２分の１の低さで
あるために望ましい。誘電率が低いと、変成器マウント
１１の電極間またはリード間の寄生静電容量を減らすこ
とにより、高周波性能を改善する。
【００１０】ベース・プレート１３のリード１４，１６
は、従来の半導体リードフレームなどに使用されるもの
など、導電物質で構成される。実際、図１に示すよう
に、リード１４，１６は、リードフレーム１７の一部に
なることができ、これはリード１４，１６との間に電気
的絶縁を提供する。リードフレーム１７は、変成器マウ
ント１１のベース・プレート１３を形成する電気絶縁材
料によって部分的に封止される。リード１４の端部１８
は、側面３０またはベース・プレート１３から伸び、リ
ード１４の端部１９は、ベース・プレート１３の表面３
１の下へと曲げられ、基板２３にマウントまたは付着さ
れる。同様に、リード１６の端部２０は側面２９から伸
び、リード１６の端部２１はベース・プレート１３の下
へと曲げられ、基板２３の上にマウントされる。リード
１６，１４の部分２７，２８はそれぞれ、図１に示すよ
うに上方へとさらに曲げることができる。ワイヤ２５，
２６がそれぞれ、リード１４，１６の周囲に巻かれて変
成器１２を基板２３と電気的に結合する。
は、従来の半導体リードフレームなどに使用されるもの
など、導電物質で構成される。実際、図１に示すよう
に、リード１４，１６は、リードフレーム１７の一部に
なることができ、これはリード１４，１６との間に電気
的絶縁を提供する。リードフレーム１７は、変成器マウ
ント１１のベース・プレート１３を形成する電気絶縁材
料によって部分的に封止される。リード１４の端部１８
は、側面３０またはベース・プレート１３から伸び、リ
ード１４の端部１９は、ベース・プレート１３の表面３
１の下へと曲げられ、基板２３にマウントまたは付着さ
れる。同様に、リード１６の端部２０は側面２９から伸
び、リード１６の端部２１はベース・プレート１３の下
へと曲げられ、基板２３の上にマウントされる。リード
１６，１４の部分２７，２８はそれぞれ、図１に示すよ
うに上方へとさらに曲げることができる。ワイヤ２５，
２６がそれぞれ、リード１４，１６の周囲に巻かれて変
成器１２を基板２３と電気的に結合する。
【００１１】端部１９，２１は、それぞれリード１６，
１４方向に、ベース・プレート１３の下へと曲げられ、
基板２３上のスペースを節約する。端部１９，２１がリ
ード１６，１４からそれぞれ離れる方向で曲げられる場
合には、変成器マウント１１は、基板２３上に大きなフ
ットプリント（footprint ）を必要とし、その結果、ハ
イブリッド・モジュール１０はより大きなサイズにする
必要がある。リード１６，１４を本発明によりベース・
プレート１３の下に曲げることによって、変成器マウン
ト１１は、より小さなフットプリントを有して、ハイブ
リッド・モジュール１０のサイズを逓減する。
１４方向に、ベース・プレート１３の下へと曲げられ、
基板２３上のスペースを節約する。端部１９，２１がリ
ード１６，１４からそれぞれ離れる方向で曲げられる場
合には、変成器マウント１１は、基板２３上に大きなフ
ットプリント（footprint ）を必要とし、その結果、ハ
イブリッド・モジュール１０はより大きなサイズにする
必要がある。リード１６，１４を本発明によりベース・
プレート１３の下に曲げることによって、変成器マウン
ト１１は、より小さなフットプリントを有して、ハイブ
リッド・モジュール１０のサイズを逓減する。
【００１２】またリード１４，１６は、基板２３からの
所望の高さで、ベース・プレート１３を支持するため
に、予め決められた長さをとり、図１に示すように、変
成器マウント１１が、部材２２の上にマウントできるよ
うになっている。そうすれば、基板２３とハイブリッド
・モジュール１０上で、スペースがさらに節約される。
ハイブリッド・モジュール１０を製造する方法を以下に
説明する。第１に、変成器１２は、たとえば、強磁性コ
アの周囲にワイヤ２５，２６を巻いて、ブロック２４を
形成することにより組み立てられる。ついで、ブロック
２４はベース・プレート１３の表面３２に付着され、ワ
イヤ２５，２６がそれぞれリード１４，１６の周囲に巻
かれる。ワイヤ２５，２６は、熱的に除去可能な電気絶
縁コーティングを有する。付着された変成器マウント１
１とともに、変成器１２の外部ワイヤまたはリードの少
なくとも一部が、熱した半田ポット内に浸漬される。こ
の半田ディップ・プロセスと、半田ウェーブ（soleder
wave）プロセスなど他の同様の技術は、ワイヤ２５，２
６から電気絶縁コーティングを熱的にはぎ取り、ワイヤ
２５，２６を錫めっきし、ワイヤ２５，２６をそれぞれ
リード１４，１６に半田付けする。リード１４，１６は
ついでトリミングされ、変成器マウント１１は変成器１
２とともに、ピック・アンド・プレイス（pick and pla
ce）作業のために、テープやリール内に配置される。こ
のため、ストリッピング，錫めっき，および半田付け作
業は細かな労働集約型のプロセスでなくなり、寧ろ、バ
ッチ自動化プロセスになる。
所望の高さで、ベース・プレート１３を支持するため
に、予め決められた長さをとり、図１に示すように、変
成器マウント１１が、部材２２の上にマウントできるよ
うになっている。そうすれば、基板２３とハイブリッド
・モジュール１０上で、スペースがさらに節約される。
ハイブリッド・モジュール１０を製造する方法を以下に
説明する。第１に、変成器１２は、たとえば、強磁性コ
アの周囲にワイヤ２５，２６を巻いて、ブロック２４を
形成することにより組み立てられる。ついで、ブロック
２４はベース・プレート１３の表面３２に付着され、ワ
イヤ２５，２６がそれぞれリード１４，１６の周囲に巻
かれる。ワイヤ２５，２６は、熱的に除去可能な電気絶
縁コーティングを有する。付着された変成器マウント１
１とともに、変成器１２の外部ワイヤまたはリードの少
なくとも一部が、熱した半田ポット内に浸漬される。こ
の半田ディップ・プロセスと、半田ウェーブ（soleder
wave）プロセスなど他の同様の技術は、ワイヤ２５，２
６から電気絶縁コーティングを熱的にはぎ取り、ワイヤ
２５，２６を錫めっきし、ワイヤ２５，２６をそれぞれ
リード１４，１６に半田付けする。リード１４，１６は
ついでトリミングされ、変成器マウント１１は変成器１
２とともに、ピック・アンド・プレイス（pick and pla
ce）作業のために、テープやリール内に配置される。こ
のため、ストリッピング，錫めっき，および半田付け作
業は細かな労働集約型のプロセスでなくなり、寧ろ、バ
ッチ自動化プロセスになる。
【００１３】ハイブリッド・モジュール１０の部材２
２，変成器マウント１１，および他の部材は基板２３の
上に配置され、ヒートシンク（所望の場合）が基板２３
の下に覆い隠される。ついでリフロー・プロセスを使用
して、１分から５分のリフロー段階で、ハイブリッド・
モジュール１０のすべての部材を付着する。時間節約形
のリフロー・プロセスは、ベース・プレート１３が、リ
フロー段階の間に使用される以上の融点温度を有する材
料によって構成されるので、本発明の変成器マウントで
使用可能である。また、フラックス除去プロセスを使用
して、余剰の半田またはフラックスを除去して、変成器
の下や基板２３上のあらゆるところにフラックス残留物
が存在するのを防止する。残留物が存在すると、異なる
電位の導線と薄膜抵抗器を含む（これらに限定されな
い）ハイブリッド・モジュール部材を不注意に短絡させ
る可能性がある。変成器マウント１１のリード構成によ
って、フラックス除去液は変成器マウント１１の下を流
れることができる。
２，変成器マウント１１，および他の部材は基板２３の
上に配置され、ヒートシンク（所望の場合）が基板２３
の下に覆い隠される。ついでリフロー・プロセスを使用
して、１分から５分のリフロー段階で、ハイブリッド・
モジュール１０のすべての部材を付着する。時間節約形
のリフロー・プロセスは、ベース・プレート１３が、リ
フロー段階の間に使用される以上の融点温度を有する材
料によって構成されるので、本発明の変成器マウントで
使用可能である。また、フラックス除去プロセスを使用
して、余剰の半田またはフラックスを除去して、変成器
の下や基板２３上のあらゆるところにフラックス残留物
が存在するのを防止する。残留物が存在すると、異なる
電位の導線と薄膜抵抗器を含む（これらに限定されな
い）ハイブリッド・モジュール部材を不注意に短絡させ
る可能性がある。変成器マウント１１のリード構成によ
って、フラックス除去液は変成器マウント１１の下を流
れることができる。
【００１４】次の図を見ると、図２は、本発明による変
成器マウント１１の上面図を示す。変成器マウント１１
は、変成器がベース・プレート１３の表面３２上にマウ
ントされる形で示されていない。複数のリード３３，３
４がベース・プレート１３から伸びる。具体的には、リ
ード３３のセットは側面２９から突出し、もう１つのリ
ード３４のセットは側面３０から突出する。リード３３
のセットは、リード１６，３５，３６で構成され、一
方、リード３４のセットはリード１４，３７によって構
成される。複数のリード３３，３４は、フラックス除去
液が、複数のリード３３，３４の間と、ベース・プレー
ト１３の下を流れることができるように構成すべきであ
る。このようにして、前述したように、過剰なフラック
スをハイブリッド・モジュール１０から除去できるた
め、過剰なフラックス残留物は、部材２２，複数のリー
ド３３，３４、およびハイブリッド・モジュール１０の
他の部材の周囲に存在しなくなる。所望の構成に依存し
て、２つ，３つ，４つ，またはそれ以上のリードがベー
ス・プレート１３の側面から伸びることができる。図２
と違って、通常、ベースプレートの向かい合う側では同
一の数のリードが使用される。
成器マウント１１の上面図を示す。変成器マウント１１
は、変成器がベース・プレート１３の表面３２上にマウ
ントされる形で示されていない。複数のリード３３，３
４がベース・プレート１３から伸びる。具体的には、リ
ード３３のセットは側面２９から突出し、もう１つのリ
ード３４のセットは側面３０から突出する。リード３３
のセットは、リード１６，３５，３６で構成され、一
方、リード３４のセットはリード１４，３７によって構
成される。複数のリード３３，３４は、フラックス除去
液が、複数のリード３３，３４の間と、ベース・プレー
ト１３の下を流れることができるように構成すべきであ
る。このようにして、前述したように、過剰なフラック
スをハイブリッド・モジュール１０から除去できるた
め、過剰なフラックス残留物は、部材２２，複数のリー
ド３３，３４、およびハイブリッド・モジュール１０の
他の部材の周囲に存在しなくなる。所望の構成に依存し
て、２つ，３つ，４つ，またはそれ以上のリードがベー
ス・プレート１３の側面から伸びることができる。図２
と違って、通常、ベースプレートの向かい合う側では同
一の数のリードが使用される。
【００１５】図３は、本発明による変成器マウントの利
用のもう１つの実施例の断面図を示す。図３は、実装デ
バイスの上にマウントされる変成器４２または変成器マ
ウント４１によって構成され、これはついで、部材６０
の上およびハイブリッド・モジュール４０の基板５９の
上にマウントされる。部材６０と基板５９は、それぞれ
図１の部材２２と基板２３と似通っている。変成器１２
と同様に、変成器４２は、ブロック５６とワイヤ５８，
５７によって構成される。ブロック５６は、少なくとも
１つの変成器を表す。
用のもう１つの実施例の断面図を示す。図３は、実装デ
バイスの上にマウントされる変成器４２または変成器マ
ウント４１によって構成され、これはついで、部材６０
の上およびハイブリッド・モジュール４０の基板５９の
上にマウントされる。部材６０と基板５９は、それぞれ
図１の部材２２と基板２３と似通っている。変成器１２
と同様に、変成器４２は、ブロック５６とワイヤ５８，
５７によって構成される。ブロック５６は、少なくとも
１つの変成器を表す。
【００１６】変成器マウント４１は、それぞれ基板また
はベース・プレート４３の側面４６，４７からそれぞれ
突出しているリード４８，５１を有する。ベース・プレ
ート４３はまた変成器４２を支持する表面４４、および
表面４４と対置され、側面４６，４７によって表面４４
と接続される表面４５を有する。ベース・プレート４３
は、図１のベース・プレート１３に対して説明したのと
同様の材料によって構成される。図３のリード５１（４
８？）は、側面４６から伸びる端部４９を有し、リード
４８に向かい、ベース・プレート４３の表面４５の下へ
と曲がる端部５３（５０？）を有し、基板５９の上にマ
ウントされる。同様に、リード４８（５１？）は側面４
７から伸びる端部５２を有し、リード５１に向かい、ベ
ース・プレート４３の表面４５の下へと曲がる端部５０
（５３？）を有し、基板５９の上にマウントされる。
はベース・プレート４３の側面４６，４７からそれぞれ
突出しているリード４８，５１を有する。ベース・プレ
ート４３はまた変成器４２を支持する表面４４、および
表面４４と対置され、側面４６，４７によって表面４４
と接続される表面４５を有する。ベース・プレート４３
は、図１のベース・プレート１３に対して説明したのと
同様の材料によって構成される。図３のリード５１（４
８？）は、側面４６から伸びる端部４９を有し、リード
４８に向かい、ベース・プレート４３の表面４５の下へ
と曲がる端部５３（５０？）を有し、基板５９の上にマ
ウントされる。同様に、リード４８（５１？）は側面４
７から伸びる端部５２を有し、リード５１に向かい、ベ
ース・プレート４３の表面４５の下へと曲がる端部５０
（５３？）を有し、基板５９の上にマウントされる。
【００１７】図３の端部５０，５３は、図１の端部１
９，２１とは異なった曲がり方をしていることに注意さ
れたい。端部５０，５３は、端部１９，２１と比べても
っと丸くなっており、基板５９と、リード４８，５１と
の間の結合を容易に検査できるようにしている。図１と
図２のリード間のもう１つの違いの例は、図１のリード
１６，１４が１個のリードフレームまたはリードフレー
ム１７の一部であるのに対し、図３では、リード５１，
４８は、異なるリードフレームの一部であることであ
る。またリード４８の端部４９は、リード５１の部分５
５と比較して、部分５４に示すようにより大きな先端部
を持つように形成できる。部分５４は、リード４８が、
ベース・プレート４３に対してしっかりと付着するよう
に保つのを助ける。
９，２１とは異なった曲がり方をしていることに注意さ
れたい。端部５０，５３は、端部１９，２１と比べても
っと丸くなっており、基板５９と、リード４８，５１と
の間の結合を容易に検査できるようにしている。図１と
図２のリード間のもう１つの違いの例は、図１のリード
１６，１４が１個のリードフレームまたはリードフレー
ム１７の一部であるのに対し、図３では、リード５１，
４８は、異なるリードフレームの一部であることであ
る。またリード４８の端部４９は、リード５１の部分５
５と比較して、部分５４に示すようにより大きな先端部
を持つように形成できる。部分５４は、リード４８が、
ベース・プレート４３に対してしっかりと付着するよう
に保つのを助ける。
【００１８】重要なことは、本発明の変成器マウント
は、図１と図３に示すような変成器マウント上にマウン
トされる変成器マウントよりも幅が広いもしくは狭い変
成器も許容できることに注意されたい。このようにし
て、特定のサイズの変成器マウントが、多岐に渡るサイ
ズの変成器と共に使用できる。
は、図１と図３に示すような変成器マウント上にマウン
トされる変成器マウントよりも幅が広いもしくは狭い変
成器も許容できることに注意されたい。このようにし
て、特定のサイズの変成器マウントが、多岐に渡るサイ
ズの変成器と共に使用できる。
【００１９】また、図１のリード１４，１６と図３のリ
ード４８，５１は、図１のワイヤ２５，２６と図３のワ
イヤ５７，５８が、前述のリードの周囲に巻き付けられ
て、変成器マウントのリードを介して、変成器と基板と
を電気的に結合するような構成をとることに注意された
い。このようにして、変成器１２，４２は、変成器１
２，４２の組立中、およびハイブリッド・モジュール１
０，４０の組立中、変成器マウント１１，４１それぞれ
に対して調整または微調整が可能である。また本発明の
変成器のワイヤと変成器マウントのリードとの付着は、
従来の多くの変成器マウントの寄生インダクタンスを減
じることによって、高周波性能を改善する。このような
寄生インダクタンスの低減を達成するには、変成器のワ
イヤと基板間の（変成器マウントのリードを通る）電気
経路の距離を最小限に抑える。
ード４８，５１は、図１のワイヤ２５，２６と図３のワ
イヤ５７，５８が、前述のリードの周囲に巻き付けられ
て、変成器マウントのリードを介して、変成器と基板と
を電気的に結合するような構成をとることに注意された
い。このようにして、変成器１２，４２は、変成器１
２，４２の組立中、およびハイブリッド・モジュール１
０，４０の組立中、変成器マウント１１，４１それぞれ
に対して調整または微調整が可能である。また本発明の
変成器のワイヤと変成器マウントのリードとの付着は、
従来の多くの変成器マウントの寄生インダクタンスを減
じることによって、高周波性能を改善する。このような
寄生インダクタンスの低減を達成するには、変成器のワ
イヤと基板間の（変成器マウントのリードを通る）電気
経路の距離を最小限に抑える。
【００２０】変成器マウント４１のリードは、ベース・
プレート４３の表面４４を介して突出し、ワイヤ５７，
５８は、リードの突出部分の周囲に巻き付けることがで
きる。しかしながら、このような構成から少なくとも２
つの欠点が発生する。第１に、寄生リード・インダクタ
ンスが、変成器ワイヤと基板間の電気経路が長くなるた
めに増大し、第２に、ベース・プレートはこれでは変成
器よりも大きくならなければならず、これが一定のサイ
ズの変成器に対する変成器マウントの使用を制限する。
リード４８，５１の他の同様の変形も、同様の好ましく
ない欠点を生ずる。
プレート４３の表面４４を介して突出し、ワイヤ５７，
５８は、リードの突出部分の周囲に巻き付けることがで
きる。しかしながら、このような構成から少なくとも２
つの欠点が発生する。第１に、寄生リード・インダクタ
ンスが、変成器ワイヤと基板間の電気経路が長くなるた
めに増大し、第２に、ベース・プレートはこれでは変成
器よりも大きくならなければならず、これが一定のサイ
ズの変成器に対する変成器マウントの使用を制限する。
リード４８，５１の他の同様の変形も、同様の好ましく
ない欠点を生ずる。
【００２１】図１のベース・プレート１３に対して説明
したのと同様の電気絶縁材料から、ベース・プレート４
３およびリード４８，５１を成形することは、本発明の
範囲内に属する。また、図３のベース・プレート４３と
リード４８，５１は、電気絶縁材料のブロックから押し
抜くまたは切り抜くこともできる。図１のベース・プレ
ート１３とリード１４，１６の実施例はまた、電気絶縁
材料のブロックから成形または切り抜くことができる。
図３のリード４８，５１が電気的に不導体の場合には、
ワイヤ５７，５８は、リード４８の端部５０、およびリ
ード５１の端部５３の周囲にそれぞれワイヤ５７，５８
を巻き付けることによって、基板５９と直接電気的に接
続される。リード４８の端部５０は、ノッチを含むよう
に形成されて、リード４８の端部５０の周囲に巻き付け
られたワイヤ５７の配置を容易にできる。
したのと同様の電気絶縁材料から、ベース・プレート４
３およびリード４８，５１を成形することは、本発明の
範囲内に属する。また、図３のベース・プレート４３と
リード４８，５１は、電気絶縁材料のブロックから押し
抜くまたは切り抜くこともできる。図１のベース・プレ
ート１３とリード１４，１６の実施例はまた、電気絶縁
材料のブロックから成形または切り抜くことができる。
図３のリード４８，５１が電気的に不導体の場合には、
ワイヤ５７，５８は、リード４８の端部５０、およびリ
ード５１の端部５３の周囲にそれぞれワイヤ５７，５８
を巻き付けることによって、基板５９と直接電気的に接
続される。リード４８の端部５０は、ノッチを含むよう
に形成されて、リード４８の端部５０の周囲に巻き付け
られたワイヤ５７の配置を容易にできる。
【００２２】本発明のもう１つのバリエーションに目を
転じれば、図４は、本発明による変成器マウントを備え
たもう１つの実施例の断面図を示したものである。モジ
ュール７０は、少なくとも１つの部材７２の上方にある
変成器マウントまたは実装デバイス７３によって構成さ
れて、基板７１に付着される。少なくとも１つの部材７
２と基板７１は、図１の部材２２と基板２３と似通って
いる。
転じれば、図４は、本発明による変成器マウントを備え
たもう１つの実施例の断面図を示したものである。モジ
ュール７０は、少なくとも１つの部材７２の上方にある
変成器マウントまたは実装デバイス７３によって構成さ
れて、基板７１に付着される。少なくとも１つの部材７
２と基板７１は、図１の部材２２と基板２３と似通って
いる。
【００２３】図４の実装デバイス７３は、基板またはベ
ース・プレート７４によって構成され、これは、図１の
ベース・プレート１３と組成が似通っている。しかしな
がら、実装デバイス７３は、ベース・プレート７４の底
面８３からそれぞれ伸びる、リード７５，７６の端部８
０，７８を有する。端部７７，７９は、それぞれリード
７６，７５のマウント端部のバリエーションを示してお
り、これらは本発明の範囲内に属する。端部７９は、底
面８３の下で、リード７６から離れるように曲がってい
るが、実装デバイス７３のフットプリントをベース・プ
レート７４よりも大きくしない。部分８１，８２は、そ
れぞれリード７５，７６を、ベース・プレート７４にし
っかりと付着された状態に保つのを助けるための異なる
実施例を示す。
ース・プレート７４によって構成され、これは、図１の
ベース・プレート１３と組成が似通っている。しかしな
がら、実装デバイス７３は、ベース・プレート７４の底
面８３からそれぞれ伸びる、リード７５，７６の端部８
０，７８を有する。端部７７，７９は、それぞれリード
７６，７５のマウント端部のバリエーションを示してお
り、これらは本発明の範囲内に属する。端部７９は、底
面８３の下で、リード７６から離れるように曲がってい
るが、実装デバイス７３のフットプリントをベース・プ
レート７４よりも大きくしない。部分８１，８２は、そ
れぞれリード７５，７６を、ベース・プレート７４にし
っかりと付着された状態に保つのを助けるための異なる
実施例を示す。
【００２４】変成器マウントを基板上、および別の部材
の上方にマウントして、基板と別の部材の上にパッケー
ジ化された半導体デバイスをマウントするというコンセ
プトを適用することは、本発明の範囲内に属する。パッ
ケージ化された半導体デバイスのリードは、パッケージ
化された半導体デバイスのリードが、パッケージング材
料のフットプリントよりも、パッケージ化された半導体
デバイスのフットプリントを大幅に拡大しないように構
成すべきである。
の上方にマウントして、基板と別の部材の上にパッケー
ジ化された半導体デバイスをマウントするというコンセ
プトを適用することは、本発明の範囲内に属する。パッ
ケージ化された半導体デバイスのリードは、パッケージ
化された半導体デバイスのリードが、パッケージング材
料のフットプリントよりも、パッケージ化された半導体
デバイスのフットプリントを大幅に拡大しないように構
成すべきである。
【００２５】そのため本発明により、先行技術の欠点を
克服する、改良型の変成器マウントが提供されることは
明かである。本発明は、ハイブリッド・モジュール内の
スペースを節約し、変成器マウントの寄生静電容量とイ
ンダクタンスを最小限に抑えることによって高周波性能
を改善し、その後の高温およびバッチ処理と適合して組
立速度を早め、フラックス除去材料が変成器マウントの
下を流れるようにでき、安価で、しかも組立の間、変成
器を微調整するための適切なアクセスを設ける。
克服する、改良型の変成器マウントが提供されることは
明かである。本発明は、ハイブリッド・モジュール内の
スペースを節約し、変成器マウントの寄生静電容量とイ
ンダクタンスを最小限に抑えることによって高周波性能
を改善し、その後の高温およびバッチ処理と適合して組
立速度を早め、フラックス除去材料が変成器マウントの
下を流れるようにでき、安価で、しかも組立の間、変成
器を微調整するための適切なアクセスを設ける。
【図１】 本発明による変成器マウントを備えた断面図
を示す。
を示す。
【図２】 本発明による変成器マウントの上面図を示
す。
す。
【図３】 変成器マウントの利用のもう１つの実施例の
断面図を示す。
断面図を示す。
【図４】 変成器マウントを備えた別の実施例の断面図
を示す。
を示す。
１０ ハイブリッド・モジュール １１ 変成器マウント １２ 変成器 １３ ベース・プレート １４，１６， リード １７ リードフレーム １８，１９，２０，２１ 端部 ２２ 部材 ２３ 基板 ２４ ブロック ２５，２６ ワイヤ ２７，２８ 部分 ２９，３０ 側面 ３１，３２ 表面 ３３，３４，３５，３６，３７ リード ４０ ハイブリッド・モジュール ４１ 変成器マウント ４２ 変成器 ４３ ベース・プレート ４４，４５ 表面 ４６，４７ 側面 ４８ リード ４９，５０，５２ 端部 ５１ リード ５４，５５ 部分 ５６ ブロック ５７，５８ ワイヤ ５９ 基板 ６０ 部材 ７０ モジュール ７１ 基板 ７２ 部材 ７３ 実装デバイス ７４ ベース・プレート ７５，７６ リード ７７，７８，７９，８０端部 ８１，８２ 部分 ８３ 底面
Claims (5)
- 【請求項１】 ハイブリッド・モジュール内の基板上の
部材の上方で高周波変成器を支持するマウントであっ
て：第１表面（３２，４４）、および前記第１表面（３
２，４４）と対置され、前記基板（２３，５９，７１）
に面する第２表面（３１，４５，８３）を有するベース
・プレート（１３，４３，７４）であって、前記第１表
面（３２，４４）は前記高周波変成器（１２，４２）を
支持するベース・プレート；および前記ベース・プレー
ト（１３，４３，７４）から伸びて、前記ベース・プレ
ート（１３，４３，７４）の前記第２表面（３１，４
５，８３）の下へと曲がる複数のリード（１４，１６，
３３，３４，４８，５１，７５，７６）であって、前記
複数のリード（１４，１６，３３，３４，４８，５１，
７５，７６）は前記基板（２３，５９，７１）の上にマ
ウントされて、前記ベース・プレート（１３，４３，７
４）を前記部材（２２，６０，７２）の上方で支持する
複数のリード；によって構成されることを特徴とするマ
ウント。 - 【請求項２】 ハイブリッド・モジュール内の基板上の
部材の上方で高周波変成器を支持するマウントであっ
て：第１表面（３２，４４）、および前記第１表面（３
２，４４）と対置され、前記基板（２３，５９，７１）
に面する第２表面（３１，４５，８３）を有するベース
・プレート（１３，４３，７４）であって、前記第１表
面（３２，４４）は前記高周波変成器（１２，４２）を
支持するベース・プレート；前記ベース・プレート（１
３，４３，７４）から伸びて、前記ベース・プレート
（１３，４３，７４）の前記第２表面（３１，４５，８
３）の下へと曲がる複数のリード（１４，１６，３３，
３４，４８，５１，７５，７６）であって、前記複数の
リード（１４，１６，３３，３４，４８，５１，７５，
７６）は前記基板（２３，５９，７１）の上にマウント
されて、前記ベース・プレート（１３，４３，７４）を
前記部材（２２，６０，７２）の上方で支持する複数の
リード；前記第１表面（３２，４４）と前記第２表面
（３１，４５）とを結合する前記ベース・プレート（１
３，４３）の第１側面（２９，４７）；前記第１表面
（３２，４４）と前記第２表面（３１，４５）とを結合
する前記ベース・プレート（１３，４３）の第２側面
（３０，４６）；前記複数のリード（１４，１６，３
３，３４，４８，５１）を形成する第１のリード・セッ
ト（１６，３３，５１）と第２のリード・セット（１
４，３４，４８）；前記第１のリード・セット（１６，
３３，５１）は、前記第１側面（２９，４７）から伸び
る第１端部（２０，５２）を有し、前記ベース・プレー
ト（１３，４３）の前記第２表面（３１，４５）の下へ
と曲げられ、前記基板（２３，５９）の上にマウントさ
れる第２端部（２１，５３）を有し、前記第２のリード
・セット（１４，３４，４８）は、前記第２側面（３
０，４６）から伸びる第３端部（１８，４９）を有し、
前記ベース・プレート（１３，４３）の前記第２表面
（３１，４５）の下へと曲げられ、前記基板（２３，５
９）の上にマウントされる第４端部（１９，５０）を有
し、前記第１のリード・セット（１６，３３，５１）の
前記第２端部（２１，５３）は、前記第２のリード・セ
ット（１４，３４，４８）の方へと曲げられ、また前記
第２のリード・セット（１４，３４，４８）の前記第４
端部（１９，５０）は、前記第１のリード・セット（１
６，３３，５１）の方へと曲げられる第１のリード・セ
ットおよび第２のリード・セット；によって構成される
ことを特徴とするマウント。 - 【請求項３】 ハイブリッド・モジュールであって：基
板（２３，５９，７１）；前記基板（２３，５９，７
１）に付着される少なくとも１つの部材（２２，６０，
７２）；第１表面（３１，４５，８３）と第２表面（３
２，４４）を有するベース・プレート（１３，４３，７
４）であって、前記第１表面（３１，４５，８３）と前
記第２表面（３２，４４）は互いに対置されており、前
記第１表面（３１，４５，８３）は前記少なくとも１つ
の部材（２２，６０，７２）に面するベース・プレー
ト；前記ベース・プレート（１３，４３，７４）から伸
び、前記基板（２３，５９，７１）と結合されるリード
（１４，１６，４８，５１，７５，７６）であって、前
記リード（１４，１６，４８，５１，７５，７６）は、
前記ベース・プレート（１３，４３，７４）を前記少な
くとも１つの部材（２２，６０，７２）の少なくとも一
部分の上方で支持するリード；によって構成されること
を特徴とするモジュール。 - 【請求項４】 ハイブリッド・モジュールであって：基
板（２３，５９，７１）；前記基板（２３，５９，７
１）に付着される少なくとも１つの部材（２２，６０，
７２）；第１表面（３１，４５，８３）と第２表面（３
２，４４）を有するベース・プレート（１３，４３，７
４）であって、前記第１表面（３１，４５，８３）と前
記第２表面（３２，４４）は互いに対置されており、前
記第１表面（３１，４５，８３）は、前記少なくとも１
つの部材（２２，６０，７２）に面するベース・プレー
ト；前記ベース・プレート（１３，４３，７４）から伸
び、前記基板（２３，５９，７１）と結合されるリード
（１４，１６，４８，５１，７５，７６）であって、前
記リード（１４，１６，４８，５１，７５，７６）は、
前記ベース・プレート（１３，４３，７４）を前記少な
くとも１つの部材（２２，６０，７２）の少なくとも一
部分の上方で支持するリードであって；前記リード（１
４，１６，４８，５１，７５，７６）は、前記ベース・
プレート（１３，４３，７４）の下をフラックス除去液
が流れるようにできるリード；によって構成されること
を特徴とするモジュール。 - 【請求項５】 ハイブリッド・モジュールを組み立てる
方法であって：基板（２３，５９，７１）を設ける段
階；ワイヤ（２５，２６，５７，５８）を有する変成器
（１２，４２）を設け、前記ワイヤ（２５，２６，５
７，５８）は熱的に除去可能な電気絶縁コーティングを
有する段階；マウント（１１，４１，７３）を設け、前
記マウント（１１，４１，７３）のベース・プレート
（１３，４３，７４）にリード（１４，１６，４８，５
１，７５，７６）が付着される段階；少なくとも１つの
部材（２２，６０，７２）を設ける段階；前記変成器
（１２，４２）を前記マウント（１１，４１，７３）の
前記ベース・プレート（１３，４３，７４）に付着する
段階；前記変成器（１２，４２）の少なくとも一部分と
前記マウント（１１，４１，７３）の少なくとも一部分
を加熱した半田ポットに浸漬して、前記ワイヤ（２５，
２６，５７，５８）から、熱的に除去可能な電気絶縁コ
ーティングを除去し、前記変成器（１２，４２）の前記
ワイヤ（２５，２６，５７，５８）を前記マウント（１
１，４１，７３）の前記リード（１６，１４，４８，５
１，７５，７６）に結合する段階；前記少なくとも１つ
の部材（２２，６０，７２）と前記マウント（１１，４
１，７３）を、前記基板（２３，５９，７１）上に配置
し、前記マウント（１１，４１，７３）が、前記少なく
とも１つの部材（２２，６０，７２）の少なくとも一部
分の上方に配置されるようにする段階；前記少なくとも
１つの部材（２２，６０，７２）と前記マウント（１
１，４１，７３）を前記基板（２３，５９，７１）に結
合し、前記マウント（１１，４１，７３）の前記基板と
の結合が、前記変成器（１２，４２）を前記基板（２
３，５９，７１）と電気的に結合させ、前記少なくとも
１つの部材（２２，６０，７２）を前記基板（２３，５
９，７１）と電気的に結合する段階；および前記基板
（２３，５９，７１），前記少なくとも１つの部材（２
２，６０，７２），および前記マウント（１１，４１，
７３）からフラックスを除去する段階；によって構成さ
れることを特徴とする組立方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/508,282 US5650920A (en) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | Mount for supporting a high frequency transformer in a hybrid module |
| US508282 | 1995-07-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0945825A true JPH0945825A (ja) | 1997-02-14 |
Family
ID=24022095
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP8165245A Pending JPH0945825A (ja) | 1995-07-27 | 1996-06-04 | ハイブリッド・モジュール内の基板上の部材の上方で高周波変成器を支持するマウント、およびハイブリッド・モジュールの組立方法 |
Country Status (3)
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Also Published As
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