JP3395317B2 - パッケージ型電子部品及びその製造方法 - Google Patents
パッケージ型電子部品及びその製造方法Info
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- electronic component
- package
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパッケージ型電子部品及
びその製造方法に関する。具体的には、ＩＣやキャパシ
タなどのパッケージ型電子部品の構造並びにその製造方
法に関する。
びその製造方法に関する。具体的には、ＩＣやキャパシ
タなどのパッケージ型電子部品の構造並びにその製造方
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】１ＧＨｚ程度の周波数に使用されるＩＣ
やバラクタダイオードなどの半導体パッケージ型部品に
は、安価なモールドパッケージが通常使用される。とこ
ろが、１０ＧＨｚ程度の高周波数領域になると、モール
ドパッケージを使用したパッケージ型部品にあっては、
樹脂パッケージが内部の半導体素子に接触しているため
ＲＦ特性に悪影響があり、通常金属製のハーメチック型
やセラミックパッケージ等の内部が中空になったパッケ
ージが用いられていた。
やバラクタダイオードなどの半導体パッケージ型部品に
は、安価なモールドパッケージが通常使用される。とこ
ろが、１０ＧＨｚ程度の高周波数領域になると、モール
ドパッケージを使用したパッケージ型部品にあっては、
樹脂パッケージが内部の半導体素子に接触しているため
ＲＦ特性に悪影響があり、通常金属製のハーメチック型
やセラミックパッケージ等の内部が中空になったパッケ
ージが用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
のパッケージは非常に高価で、例えばモールドパッケー
ジに較べて１０倍以上の価格がするため安価に用いるこ
とができず、コストが重視される場合には特性の劣化を
承知の上でモールドパッケージを用いていた。このた
め、高周波領域で使用されるパッケージ型部品の信頼性
が非常に悪いものとなっていた。
のパッケージは非常に高価で、例えばモールドパッケー
ジに較べて１０倍以上の価格がするため安価に用いるこ
とができず、コストが重視される場合には特性の劣化を
承知の上でモールドパッケージを用いていた。このた
め、高周波領域で使用されるパッケージ型部品の信頼性
が非常に悪いものとなっていた。
【０００４】また、これらのパッケージ型部品にあって
は内部電極とリード間の接続にはボンディングワイヤが
用いられていたため、高周波領域において不要なインダ
クタンスや抵抗を生じ、さらに特性が劣化するという問
題点もあった。
は内部電極とリード間の接続にはボンディングワイヤが
用いられていたため、高周波領域において不要なインダ
クタンスや抵抗を生じ、さらに特性が劣化するという問
題点もあった。
【０００５】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、高周波領域
においてもＲＦ特性に影響を与えないパッケージ型部品
を安価に提供することにある。
れたものであり、その目的とするところは、高周波領域
においてもＲＦ特性に影響を与えないパッケージ型部品
を安価に提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のパッケージ型電
子部品は、電子部品本体を樹脂によりパッケージしたパ
ッケージ型電子部品において、電子部品本体を２枚の基
板により挟むように配置し、電子部品本体及び両基板を
包むように樹脂パッケージを形成すると共に、当該電子
部品本体の外周域と樹脂パッケージとの間に空間を形成
させ、少なくともいずれか一方の前記基板に当該電子部
品本体を電気的に接合して外部に引き出したことを特徴
としている。
子部品は、電子部品本体を樹脂によりパッケージしたパ
ッケージ型電子部品において、電子部品本体を２枚の基
板により挟むように配置し、電子部品本体及び両基板を
包むように樹脂パッケージを形成すると共に、当該電子
部品本体の外周域と樹脂パッケージとの間に空間を形成
させ、少なくともいずれか一方の前記基板に当該電子部
品本体を電気的に接合して外部に引き出したことを特徴
としている。
【０００７】また、本発明のパッケージ型電子部品の製
造方法は、本発明のパッケージ型電子部品を製造するた
めの方法であって、２枚の基板間に挟み込まれた電子部
品本体を囲むようにして電子部品本体の外周域にワック
スを配置すると共に当該ワックスが電子部品本体と接触
しないようにして電子部品本体の外周域に封止空間を形
成する工程と、少なくともいずれか一方の前記基板に当
該電子部品本体を電気的に接合する工程と、前記電子部
品本体と両基板を包むようにして樹脂パッケージを成形
すると共に前記ワックスを溶融させて樹脂パッケージに
吸収させる工程とを有することを特徴としている。
造方法は、本発明のパッケージ型電子部品を製造するた
めの方法であって、２枚の基板間に挟み込まれた電子部
品本体を囲むようにして電子部品本体の外周域にワック
スを配置すると共に当該ワックスが電子部品本体と接触
しないようにして電子部品本体の外周域に封止空間を形
成する工程と、少なくともいずれか一方の前記基板に当
該電子部品本体を電気的に接合する工程と、前記電子部
品本体と両基板を包むようにして樹脂パッケージを成形
すると共に前記ワックスを溶融させて樹脂パッケージに
吸収させる工程とを有することを特徴としている。
【０００８】
【作用】本発明のパッケージ型電子部品は、金属製のハ
ーメチックやセラミックなどを用いずに、安価な樹脂を
用いて内部を中空としたことを特徴としている。したが
って、モールドパッケージと同様に生産コストを低くす
ることができる。
ーメチックやセラミックなどを用いずに、安価な樹脂を
用いて内部を中空としたことを特徴としている。したが
って、モールドパッケージと同様に生産コストを低くす
ることができる。
【０００９】また、外部に引き出すための電極を接続す
るボンディングワイヤが不要であるので、特に高周波領
域においても、ボンディングワイヤにより生じる寄生イ
ンダクタンスや抵抗成分を少なくすることができ、高Ｑ
値や優れたＲＦ特性を得ることができる。
るボンディングワイヤが不要であるので、特に高周波領
域においても、ボンディングワイヤにより生じる寄生イ
ンダクタンスや抵抗成分を少なくすることができ、高Ｑ
値や優れたＲＦ特性を得ることができる。
【００１０】また、本発明の製造方法によれば、電子部
品本体と接触しないようにワックスを配置しているの
で、ワックスにより電子部品本体の特性が劣化すること
がない。
品本体と接触しないようにワックスを配置しているの
で、ワックスにより電子部品本体の特性が劣化すること
がない。
【００１１】
【実施例】図１に示すものは、本発明の一実施例である
パッケージ型電子部品を示す概略断面図であって、この
パッケージ型電子部品は高周波領域において使用される
バラクタダイオードについて示したものである。バラク
タダイオード１は、絶縁性樹脂２により中空に成形され
た樹脂パッケージ３内に角板状をしたカソード電極４と
アノード電極５とに挟まれるようにして半導体素子（ダ
イオード素子）６が納められ、カソード電極４及びアノ
ード電極５の一部が樹脂パッケージ３外部に引き出され
ている。半導体素子６はＡｕ／Ｓｂ合金やはんだなど導
電性のある接合剤７によってカソード電極４に接合さ
れ、アノード電極５とははんだ８によって接合され、半
導体素子６はカソード電極４及びアノード電極５と電気
的に接続されている。
パッケージ型電子部品を示す概略断面図であって、この
パッケージ型電子部品は高周波領域において使用される
バラクタダイオードについて示したものである。バラク
タダイオード１は、絶縁性樹脂２により中空に成形され
た樹脂パッケージ３内に角板状をしたカソード電極４と
アノード電極５とに挟まれるようにして半導体素子（ダ
イオード素子）６が納められ、カソード電極４及びアノ
ード電極５の一部が樹脂パッケージ３外部に引き出され
ている。半導体素子６はＡｕ／Ｓｂ合金やはんだなど導
電性のある接合剤７によってカソード電極４に接合さ
れ、アノード電極５とははんだ８によって接合され、半
導体素子６はカソード電極４及びアノード電極５と電気
的に接続されている。
【００１２】図２から図６に示すものは、同上のバラク
タダイオード１の製造方法を示す説明図であって、各図
（ａ）（ｂ）はそれぞれ当該製造方法における各工程を
示す概略斜視図及び概略断面図である。以下図２から図
６にしたがって、その製造方法について詳述する。ま
ず、図２に示すようにカソード電極４となる金属板１０
にＡｕ／Ｓｂ合金やはんだなど導電性のある接合剤７を
用いて半導体素子６を接合して金属板１０と電気的に接
続する。次に、図３に示すように金属板１０上に、半導
体素子６の外周４辺を囲むようにして壁状のワックス１
１を隙間なく配置する。ワックス１１はスクリーン印刷
などにより配置することができるが、このとき、ワック
ス１１が半導体素子６と接触しないように十分な空間を
おいて配置する必要がある。ワックス１１が半導体素子
６と接触すると、ワックス１１が半導体素子６の不純物
となって半導体素子６の導電率が変化し、バラクタダイ
オード１などのパッケージ型電子部品の電気的特性が変
化するためである。
タダイオード１の製造方法を示す説明図であって、各図
（ａ）（ｂ）はそれぞれ当該製造方法における各工程を
示す概略斜視図及び概略断面図である。以下図２から図
６にしたがって、その製造方法について詳述する。ま
ず、図２に示すようにカソード電極４となる金属板１０
にＡｕ／Ｓｂ合金やはんだなど導電性のある接合剤７を
用いて半導体素子６を接合して金属板１０と電気的に接
続する。次に、図３に示すように金属板１０上に、半導
体素子６の外周４辺を囲むようにして壁状のワックス１
１を隙間なく配置する。ワックス１１はスクリーン印刷
などにより配置することができるが、このとき、ワック
ス１１が半導体素子６と接触しないように十分な空間を
おいて配置する必要がある。ワックス１１が半導体素子
６と接触すると、ワックス１１が半導体素子６の不純物
となって半導体素子６の導電率が変化し、バラクタダイ
オード１などのパッケージ型電子部品の電気的特性が変
化するためである。
【００１３】次に、図４（ａ）（ｂ）に示すようにアノ
ード電極５となる別な金属板１２上の半導体素子６と電
気的に接続する箇所にペースト状や粒子状のはんだ８を
固定する。はんだ８はハンダバンプ技術により容易に金
属板１２上に設けることができる。このはんだ８上に半
導体素子６が位置するように、半導体素子６を接合した
金属板１０を重ね合わせて、両金属板１０，１２間に半
導体素子６を挟み込む（図５（ａ）（ｂ））。これらの
金属板１０，１２の間に電流を流し、はんだ８を溶か
す。このとき、リフロー炉等の高温槽に入れたり、半田
ごてによって熱を与え、はんだ８を溶かすことにしても
よい。はんだ８が溶けたのち、溶融したはんだ８の表面
張力を利用して金属板１０，１２を近づけてワックス１
１と金属板１２を隙間なく接触させ、そのままの状態で
はんだ８を固化させ、半導体素子６とアノード電極５と
なる金属板１２とを電気的に接続するとともに、両金属
板１０，１２とワックス１１とにより半導体素子６の外
周域に封止された空間１３を形成させる（図６（ａ）
（ｂ））。
ード電極５となる別な金属板１２上の半導体素子６と電
気的に接続する箇所にペースト状や粒子状のはんだ８を
固定する。はんだ８はハンダバンプ技術により容易に金
属板１２上に設けることができる。このはんだ８上に半
導体素子６が位置するように、半導体素子６を接合した
金属板１０を重ね合わせて、両金属板１０，１２間に半
導体素子６を挟み込む（図５（ａ）（ｂ））。これらの
金属板１０，１２の間に電流を流し、はんだ８を溶か
す。このとき、リフロー炉等の高温槽に入れたり、半田
ごてによって熱を与え、はんだ８を溶かすことにしても
よい。はんだ８が溶けたのち、溶融したはんだ８の表面
張力を利用して金属板１０，１２を近づけてワックス１
１と金属板１２を隙間なく接触させ、そのままの状態で
はんだ８を固化させ、半導体素子６とアノード電極５と
なる金属板１２とを電気的に接続するとともに、両金属
板１０，１２とワックス１１とにより半導体素子６の外
周域に封止された空間１３を形成させる（図６（ａ）
（ｂ））。
【００１４】この後、金属板１０，１２の端面に支持棒
１５を取り付け、図７に示すように空間１３を形成させ
たままで、２枚の金属板１０，１２の一部を露出させる
ように支持棒１５に支持させて粉末樹脂１４中に挿入
し、ワックス１１及び両金属板１０，１２の外周一面に
熱硬化性の粉末樹脂１４を付着させる。
１５を取り付け、図７に示すように空間１３を形成させ
たままで、２枚の金属板１０，１２の一部を露出させる
ように支持棒１５に支持させて粉末樹脂１４中に挿入
し、ワックス１１及び両金属板１０，１２の外周一面に
熱硬化性の粉末樹脂１４を付着させる。
【００１５】最後に、２枚の金属板１０，１２を加熱し
て粉末樹脂１４を融かし、中空状態を保持させたままで
冷却固化して樹脂パッケージ３を形成させ、バラクタダ
イオード１を作成する。このとき、両金属板１０，１２
を加熱するとワックス１１が溶融されて樹脂２中に吸収
され、樹脂パッケージ３内部が中空状態に保持される。
なお、粉末樹脂１４に限らず、溶融された樹脂中に挿入
して樹脂パッケージ３を形成し、この後ワックス１１を
溶融させて樹脂パッケージ３に吸収させることも考えら
れる。
て粉末樹脂１４を融かし、中空状態を保持させたままで
冷却固化して樹脂パッケージ３を形成させ、バラクタダ
イオード１を作成する。このとき、両金属板１０，１２
を加熱するとワックス１１が溶融されて樹脂２中に吸収
され、樹脂パッケージ３内部が中空状態に保持される。
なお、粉末樹脂１４に限らず、溶融された樹脂中に挿入
して樹脂パッケージ３を形成し、この後ワックス１１を
溶融させて樹脂パッケージ３に吸収させることも考えら
れる。
【００１６】このようにして作成されたパッケージ型電
子部品にあっては、モールドパッケージと同じように原
材料の安い樹脂材料により簡単に作成することができる
ので、内部が中空となったパッケージ型電子部品の生産
コストを下げることができる。また、外部へ引き出すた
めのカソード電極４及びアノード電極５と半導体素子６
とは、ボンディングワイヤなどによらず直接電気的に接
続されているので、寄生インダクタンスや抵抗が小さく
なり、電気的特性の低下を引き起こすことがない。
子部品にあっては、モールドパッケージと同じように原
材料の安い樹脂材料により簡単に作成することができる
ので、内部が中空となったパッケージ型電子部品の生産
コストを下げることができる。また、外部へ引き出すた
めのカソード電極４及びアノード電極５と半導体素子６
とは、ボンディングワイヤなどによらず直接電気的に接
続されているので、寄生インダクタンスや抵抗が小さく
なり、電気的特性の低下を引き起こすことがない。
【００１７】なお、ワックス１１はワックス溶融後に樹
脂２に吸収させることができるものであればよく、半導
体素子６等に影響を及ぼさないものが好ましい。また、
必ずしも粉末樹脂１４の溶融と同時にワックス１１を溶
融させる必要もなく、最初に粉末樹脂１４を溶融固化さ
せて樹脂パッケージ３を形成させ、その後再び加熱して
ワックス１１を溶融させて樹脂２に吸収させることとし
てもよい。
脂２に吸収させることができるものであればよく、半導
体素子６等に影響を及ぼさないものが好ましい。また、
必ずしも粉末樹脂１４の溶融と同時にワックス１１を溶
融させる必要もなく、最初に粉末樹脂１４を溶融固化さ
せて樹脂パッケージ３を形成させ、その後再び加熱して
ワックス１１を溶融させて樹脂２に吸収させることとし
てもよい。
【００１８】図８に示すものは、別な実施例であるパッ
ケージ型電子部品を示す概略断面図であって、高周波用
ＩＣ２１を示している。この高周波用ＩＣ２１は、図９
（ａ）に示す配線パターン２２ａが施されたセラミック
基板２２上に、図９（ｂ）に示すようなバンプ２３ａを
有するＩＣチップ２３がＣＯＢ実装され、中空状に形成
された樹脂パッケージ２４内に納められている。セラミ
ック基板２２の一部は樹脂パッケージ２４外部に引き出
されており、外部に引き出されたセラミック基板２２上
には配線パターン２２ａによって各バンプ２３ａと電気
的に接続された接続端子（図示せず）が形成されてい
る。もちろん、図８の破線で示すように外装基板２５の
端部を樹脂パッケージ２４内に埋入させておくことにし
てもよい。この高周波用ＩＣ２１も、バラクタダイオー
ド１と同様にセラミック基板２２上にＩＣチップ２３を
実装したのち、ＩＣチップ２３の外周領域に壁状のワッ
クス１１を配置し、セラミック基板２２と外装基板２５
及びワックス１１とによってＩＣチップ２３の外周域に
空間１３を形成させた後、両基板２２、２５及びワック
ス１１の外周面に付着させた樹脂粉末１４を溶融させて
作成することができる。このようにすれば大容量型集積
回路部品などを安価に提供することも可能になる。
ケージ型電子部品を示す概略断面図であって、高周波用
ＩＣ２１を示している。この高周波用ＩＣ２１は、図９
（ａ）に示す配線パターン２２ａが施されたセラミック
基板２２上に、図９（ｂ）に示すようなバンプ２３ａを
有するＩＣチップ２３がＣＯＢ実装され、中空状に形成
された樹脂パッケージ２４内に納められている。セラミ
ック基板２２の一部は樹脂パッケージ２４外部に引き出
されており、外部に引き出されたセラミック基板２２上
には配線パターン２２ａによって各バンプ２３ａと電気
的に接続された接続端子（図示せず）が形成されてい
る。もちろん、図８の破線で示すように外装基板２５の
端部を樹脂パッケージ２４内に埋入させておくことにし
てもよい。この高周波用ＩＣ２１も、バラクタダイオー
ド１と同様にセラミック基板２２上にＩＣチップ２３を
実装したのち、ＩＣチップ２３の外周領域に壁状のワッ
クス１１を配置し、セラミック基板２２と外装基板２５
及びワックス１１とによってＩＣチップ２３の外周域に
空間１３を形成させた後、両基板２２、２５及びワック
ス１１の外周面に付着させた樹脂粉末１４を溶融させて
作成することができる。このようにすれば大容量型集積
回路部品などを安価に提供することも可能になる。
【００１９】また、これ以外にもさまざまな応用が考え
られ、例えば、２枚の金属板の間に誘電体を挟み込んだ
キャパシタにも適用することが考えられる。また、大電
流を流す整流用ダイオードやパワーＦＥＴを金属板に実
装してパッケージ型電子部品を形成すると、金属板が放
熱板を兼ねることとなり、放熱特性を向上させることも
できる。
られ、例えば、２枚の金属板の間に誘電体を挟み込んだ
キャパシタにも適用することが考えられる。また、大電
流を流す整流用ダイオードやパワーＦＥＴを金属板に実
装してパッケージ型電子部品を形成すると、金属板が放
熱板を兼ねることとなり、放熱特性を向上させることも
できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、モールドパッケージと
同様に安価なコストで、内部を中空としたパッケージ型
電子部品を供給することができる。また、ボンディング
ワイヤによる配線が不要となり、特に高周波領域におい
てＱ値やＲＦ特性に優れたパッケージ電子部品を供給す
ることができる。また、ワックスが不純物となって、パ
ッケージ型電子部品の電気的特性が劣化することもな
い。
同様に安価なコストで、内部を中空としたパッケージ型
電子部品を供給することができる。また、ボンディング
ワイヤによる配線が不要となり、特に高周波領域におい
てＱ値やＲＦ特性に優れたパッケージ電子部品を供給す
ることができる。また、ワックスが不純物となって、パ
ッケージ型電子部品の電気的特性が劣化することもな
い。
【図１】本発明の一実施例であるパッケージ型電子部品
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）はそれぞれ同上のパッケージ型電
子部品の製造方法の一工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
子部品の製造方法の一工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
【図３】（ａ）（ｂ）はそれぞれ同上のパッケージ型電
子部品の製造方法の次工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
子部品の製造方法の次工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
【図４】（ａ）（ｂ）はそれぞれ同上のパッケージ型電
子部品の製造方法の次工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
子部品の製造方法の次工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
【図５】（ａ）（ｂ）はそれぞれ同上のパッケージ型電
子部品の製造方法の次工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
子部品の製造方法の次工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
【図６】（ａ）（ｂ）はそれぞれ同上のパッケージ型電
子部品の製造方法の次工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
子部品の製造方法の次工程を示す斜視図及び断面図であ
る。
【図７】同上のパッケージ型電子部品の製造方法の次工
程を示す断面図である。
程を示す断面図である。
【図８】本発明の別な実施例であるパッケージ型電子部
品を示す断面図である。
品を示す断面図である。
【図９】（ａ）は図８のセラミック基板を示す斜視図、
（ｂ）は図８のＩＣチップを示す斜視図である。
（ｂ）は図８のＩＣチップを示す斜視図である。
３ 樹脂パッケージ
４ カソード電極
１１ ワックス
２２ａ 配線パターン
２３ａ バンプ
２５ 外装基板
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 23/02
H01L 21/56
H01L 23/28
Claims (2)
- 【請求項１】 電子部品本体を樹脂によりパッケージし
たパッケージ型電子部品において、 電子部品本体を２枚の基板により挟むように配置し、電
子部品本体及び両基板を包むように樹脂パッケージを形
成すると共に、当該電子部品本体の外周域と樹脂パッケ
ージとの間に空間を形成させ、少なくともいずれか一方
の前記基板に当該電子部品本体を電気的に接合して外部
に引き出したことを特徴とするパッケージ型電子部品。 - 【請求項２】 請求項１に記載のパッケージ型電子部品
を製造するための方法であって、 ２枚の基板間に挟み込まれた電子部品本体を囲むように
して電子部品本体の外周域にワックスを配置すると共に
当該ワックスが電子部品本体と接触しないようにして電
子部品本体の外周域に封止空間を形成する工程と、少な
くともいずれか一方の前記基板に当該電子部品本体を電
気的に接合する工程と、前記電子部品本体と両基板を包
むようにして樹脂パッケージを成形すると共に前記ワッ
クスを溶融させて樹脂パッケージに吸収させる工程とを
有することを特徴とするパッケージ型電子部品の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35283193A JP3395317B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | パッケージ型電子部品及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35283193A JP3395317B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | パッケージ型電子部品及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07202057A JPH07202057A (ja) | 1995-08-04 |
| JP3395317B2 true JP3395317B2 (ja) | 2003-04-14 |
Family
ID=18426739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35283193A Expired - Fee Related JP3395317B2 (ja) | 1993-12-29 | 1993-12-29 | パッケージ型電子部品及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3395317B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4492242B2 (ja) * | 2004-07-29 | 2010-06-30 | 日産自動車株式会社 | 半導体パッケージ |
| US8058719B2 (en) * | 2007-03-23 | 2011-11-15 | Microsemi Corporation | Integrated circuit with flexible planer leads |
-
1993
- 1993-12-29 JP JP35283193A patent/JP3395317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07202057A (ja) | 1995-08-04 |
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