JPH0941144A - 希土類元素のｃｖｄ用原料物質およびこれを用いた成膜法 - Google Patents
希土類元素のｃｖｄ用原料物質およびこれを用いた成膜法Info
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- JPH0941144A JPH0941144A JP21020595A JP21020595A JPH0941144A JP H0941144 A JPH0941144 A JP H0941144A JP 21020595 A JP21020595 A JP 21020595A JP 21020595 A JP21020595 A JP 21020595A JP H0941144 A JPH0941144 A JP H0941144A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ法によって強誘電体材料やＬＳＩ配線
材料などに有用な希土類元素またはその酸化物の薄膜を
製造するさいに液体状態で蒸発させることができる原料
化合物を得て，操作性よく良品質の該薄膜を製造する。 【解決手段】 ＣＶＤ法により希土類元素または希土類
元素を含む化合物を析出させるのに使用するＣＶＤ用原
料物質であって，６−エチル−２，２−ジメチル−３，
５−オクタンジオンを希土類元素の配位子とした有機希
土類錯体からなるＣＶＤ用原料物質。
材料などに有用な希土類元素またはその酸化物の薄膜を
製造するさいに液体状態で蒸発させることができる原料
化合物を得て，操作性よく良品質の該薄膜を製造する。 【解決手段】 ＣＶＤ法により希土類元素または希土類
元素を含む化合物を析出させるのに使用するＣＶＤ用原
料物質であって，６−エチル−２，２−ジメチル−３，
５−オクタンジオンを希土類元素の配位子とした有機希
土類錯体からなるＣＶＤ用原料物質。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，化学的気相蒸着法
（ＣＶＤ法）によって希土類元素またはその化合物を析
出させるのに適したＣＶＤ用原料化合物に関する。
（ＣＶＤ法）によって希土類元素またはその化合物を析
出させるのに適したＣＶＤ用原料化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】周知のように，単結晶薄膜や多結晶薄膜
の形成方法としては，ドライプロセスとウェットプロセ
スの２種類の方法があるが，一般にウェットプロセスに
比べてドライプロセスによって形成された薄膜の方が品
質面で優れるため，ドライプロセスが多用されている。
の形成方法としては，ドライプロセスとウェットプロセ
スの２種類の方法があるが，一般にウェットプロセスに
比べてドライプロセスによって形成された薄膜の方が品
質面で優れるため，ドライプロセスが多用されている。
【０００３】ドライプロセスには，真空蒸着法，イオン
プレーティング法およびスパッタリング法等の物理的成
膜法と，化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の化学的成膜
法とがある。なかでも後者のＣＶＤ法は，成膜速度の制
御が容易である上，成膜を高真空下で行う必要がなく，
しかも高速成膜が可能であることなどから，量産向きで
あるため広く用いられている。
プレーティング法およびスパッタリング法等の物理的成
膜法と，化学的気相蒸着法（ＣＶＤ法）等の化学的成膜
法とがある。なかでも後者のＣＶＤ法は，成膜速度の制
御が容易である上，成膜を高真空下で行う必要がなく，
しかも高速成膜が可能であることなどから，量産向きで
あるため広く用いられている。
【０００４】ＣＶＤ法においては，原料化合物として有
機金属錯体も使用されており，その蒸気を分解させて金
属薄膜を形成する場合，熱ＣＶＤ法，光ＣＶＤ法または
プラズマＣＶＤ法などが採用されている。原料錯体化合
物としては，一般に，有機部分（配位子）がジピバロイ
ルメタン，ヘキサフルオロアセチルアセトン等であるβ
−ジケトン系有機金属錯体が使用されてきた。
機金属錯体も使用されており，その蒸気を分解させて金
属薄膜を形成する場合，熱ＣＶＤ法，光ＣＶＤ法または
プラズマＣＶＤ法などが採用されている。原料錯体化合
物としては，一般に，有機部分（配位子）がジピバロイ
ルメタン，ヘキサフルオロアセチルアセトン等であるβ
−ジケトン系有機金属錯体が使用されてきた。
【０００５】近年，強誘電体材料等の電極材料やＬＳＩ
配線材料などに有用な薄膜として，希土類元素（例えば
Ｎｄ等）またはその酸化物の薄膜をＣＶＤ法で成膜する
ことが提案されている。かような物質をＣＶＤ法によっ
て析出させる場合の原料化合物として有機金属錯体が有
利である。一般に，有機金属錯体を構成する有機部分
（配位子）としては，ジピバロイルメタン或いはヘキサ
フルオロアセチルアセトン等のβ−ジケトンが知られて
いる。特開平４−７２０６６号公報および特開平４−７
４８６６号公報には周期律表第IIＡ属金属， IIIＡ属金
属，IVＡ属金属，ＩＢ属金属との錯体を構成する有機化
合物として炭素数１〜５の低級アルキル基をもつ１，３
ジケトン類が記載されている。
配線材料などに有用な薄膜として，希土類元素（例えば
Ｎｄ等）またはその酸化物の薄膜をＣＶＤ法で成膜する
ことが提案されている。かような物質をＣＶＤ法によっ
て析出させる場合の原料化合物として有機金属錯体が有
利である。一般に，有機金属錯体を構成する有機部分
（配位子）としては，ジピバロイルメタン或いはヘキサ
フルオロアセチルアセトン等のβ−ジケトンが知られて
いる。特開平４−７２０６６号公報および特開平４−７
４８６６号公報には周期律表第IIＡ属金属， IIIＡ属金
属，IVＡ属金属，ＩＢ属金属との錯体を構成する有機化
合物として炭素数１〜５の低級アルキル基をもつ１，３
ジケトン類が記載されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来提案されたβ−ジ
ケトン系有機化合物を配位子とした有機金属錯体は，一
般にその融点が高いので，ＣＶＤ法の原料化合物に適用
する場合，これを融点以上の高温に加熱することはでき
ないことから，原料化合物は固体状態からの昇華によっ
て原料蒸気を発生させなければならない。
ケトン系有機化合物を配位子とした有機金属錯体は，一
般にその融点が高いので，ＣＶＤ法の原料化合物に適用
する場合，これを融点以上の高温に加熱することはでき
ないことから，原料化合物は固体状態からの昇華によっ
て原料蒸気を発生させなければならない。
【０００７】このため，原料容器内の原料残量が減少す
るに従って，原料化合物の表面積が減少して気化速度が
遅くなるという現象が起き，一定時間内に発生する原料
蒸気量が減少するので，一定した成膜速度を長時間確保
することができないという問題がある。また２元素以上
の金属を含む化合物薄膜を作製しようとする場合にはそ
の組成の制御が困難であるという問題もある。
るに従って，原料化合物の表面積が減少して気化速度が
遅くなるという現象が起き，一定時間内に発生する原料
蒸気量が減少するので，一定した成膜速度を長時間確保
することができないという問題がある。また２元素以上
の金属を含む化合物薄膜を作製しようとする場合にはそ
の組成の制御が困難であるという問題もある。
【０００８】前記の特開平４−７２０６６号公報および
特開平４−７４８６６号公報に記載された有機金属錯体
も高昇華性である点を特徴とするものであり，ＣＶＤ用
原料化合物としては固体状態で蒸発させるものである。
したがって，前記同様の問題がある。
特開平４−７４８６６号公報に記載された有機金属錯体
も高昇華性である点を特徴とするものであり，ＣＶＤ用
原料化合物としては固体状態で蒸発させるものである。
したがって，前記同様の問題がある。
【０００９】また，ヘキサフルオロアセチルアセトン等
のように分子内にフッ素を含む配位子を用いた有機金属
錯体は，融点は低いが成膜した膜中に不純物としてフッ
化物が混在するおそれがあり，この場合には膜の特性を
著しく損なう結果となる。
のように分子内にフッ素を含む配位子を用いた有機金属
錯体は，融点は低いが成膜した膜中に不純物としてフッ
化物が混在するおそれがあり，この場合には膜の特性を
著しく損なう結果となる。
【００１０】したがって本発明は，前記のような問題を
解決できるような低融点のβ−ジケトン系有機金属錯体
を得ること，とくに希土類元素の有機金属錯体を得るこ
とを課題としたものである。
解決できるような低融点のβ−ジケトン系有機金属錯体
を得ること，とくに希土類元素の有機金属錯体を得るこ
とを課題としたものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明者らは斯かる課題
を解決するために鋭意研究したところ，６−エチル−
２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオンのβ−ジケ
トンを配位子として用いた希土類元素との有機金属錯体
は，ＣＶＤ用原料化合物として液体状態で使用可能な低
融点を有し且つ蒸発温度と分解温度がはっきり離れてい
るというＣＶＤ法の成膜にとって極めて有利な性質を有
することを見いだした。この特性により，これをＣＶＤ
法の原料化合物とした場合，液体状態からの蒸発を行わ
せることができ，また原料蒸気の基材への供給と基材上
での分解析出を安定して行わせることができるので，既
述の課題が解決できることがわかった。
を解決するために鋭意研究したところ，６−エチル−
２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオンのβ−ジケ
トンを配位子として用いた希土類元素との有機金属錯体
は，ＣＶＤ用原料化合物として液体状態で使用可能な低
融点を有し且つ蒸発温度と分解温度がはっきり離れてい
るというＣＶＤ法の成膜にとって極めて有利な性質を有
することを見いだした。この特性により，これをＣＶＤ
法の原料化合物とした場合，液体状態からの蒸発を行わ
せることができ，また原料蒸気の基材への供給と基材上
での分解析出を安定して行わせることができるので，既
述の課題が解決できることがわかった。
【００１２】すなわち，本発明によれば，ＣＶＤ法によ
り希土類元素または希土類元素を含む化合物を析出させ
るのに使用するＣＶＤ用原料物質であって，６−エチル
−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオンを希土類
元素の配位子とした有機希土類錯体からなるＣＶＤ用原
料物質を提供する。
り希土類元素または希土類元素を含む化合物を析出させ
るのに使用するＣＶＤ用原料物質であって，６−エチル
−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオンを希土類
元素の配位子とした有機希土類錯体からなるＣＶＤ用原
料物質を提供する。
【００１３】また本発明によれば，ＣＶＤ法により希土
類元素または希土類元素を含む化合物を基材上に析出さ
せるさいに，原料物質として６−エチル−２，２−ジメ
チル−３，５−オクタンジオンを希土類元素の配位子と
した有機希土類錯体を使用し，この有機希土類錯体を融
点以上の温度に加熱し，当該錯体の液相から当該錯体を
蒸発させることを特徴とするＣＶＤ法による希土類元素
または希土類元素含有化合物の成膜法を提供する。
類元素または希土類元素を含む化合物を基材上に析出さ
せるさいに，原料物質として６−エチル−２，２−ジメ
チル−３，５−オクタンジオンを希土類元素の配位子と
した有機希土類錯体を使用し，この有機希土類錯体を融
点以上の温度に加熱し，当該錯体の液相から当該錯体を
蒸発させることを特徴とするＣＶＤ法による希土類元素
または希土類元素含有化合物の成膜法を提供する。
【００１４】本発明に従う有機希土類錯体は化１の一般
式で表されるものであり，新規化合物であると思われ
る。式中のＲＥＭは希土類元素を表す。
式で表されるものであり，新規化合物であると思われ
る。式中のＲＥＭは希土類元素を表す。
【００１５】
【化１】
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明に従うβ−ジケトン系有機
希土類錯体は，目的とする希土類元素の無機酸塩（塩化
物，硝酸塩等）とβ−ジケトンを，水−エタノール溶液
中で攪拌しながらアルカリ水溶液（水酸化ナトリウム，
アンモニア等）を滴下し，生じた沈澱を濾過で分取し，
これを再結晶，蒸留等の精製法で精製するという方法で
得ることができる。
希土類錯体は，目的とする希土類元素の無機酸塩（塩化
物，硝酸塩等）とβ−ジケトンを，水−エタノール溶液
中で攪拌しながらアルカリ水溶液（水酸化ナトリウム，
アンモニア等）を滴下し，生じた沈澱を濾過で分取し，
これを再結晶，蒸留等の精製法で精製するという方法で
得ることができる。
【００１７】このようにして得られた有機希土類錯体
（以下，有機ＲＥＭ錯体と呼ぶことがある）を原料化合
物として使用し，ＣＶＤ法で該希土類元素またはその酸
化物を成膜するには，例えば図１に示したように，該有
機ＲＥＭ錯体１を入れた原料容器２を恒温槽３内で所定
の温度（希土類元素の種類によって若干の相違があるが
およそ７０〜１６０℃）に保持し，不活性キャリアガス
（例えばアルゴンガス）４を流量計５によって流量を調
整しながら（例えば５〜５００ミリリットル／分）原料
容器２内に導入することよって，有機ＲＥＭ錯体を同伴
したガス流を該容器２から発生させる。
（以下，有機ＲＥＭ錯体と呼ぶことがある）を原料化合
物として使用し，ＣＶＤ法で該希土類元素またはその酸
化物を成膜するには，例えば図１に示したように，該有
機ＲＥＭ錯体１を入れた原料容器２を恒温槽３内で所定
の温度（希土類元素の種類によって若干の相違があるが
およそ７０〜１６０℃）に保持し，不活性キャリアガス
（例えばアルゴンガス）４を流量計５によって流量を調
整しながら（例えば５〜５００ミリリットル／分）原料
容器２内に導入することよって，有機ＲＥＭ錯体を同伴
したガス流を該容器２から発生させる。
【００１８】このようにして発生させた有機ＲＥＭ体蒸
気は熱分解炉６の反応管７内に導かれる。反応管（例え
ば石英管）７はヒータ８によって加熱され，管内に設置
した基板９を所定の温度（例えば３００〜７００℃）に
加熱保持することによって，該有機ＲＥＭ錯体が熱分解
して基板９上に希土類元素またはその酸化物が析出し，
成膜する。なお，原料容器２から熱分解炉６までの配管
は，凝縮を防ぐために保温層１０または加熱保温手段に
より８０〜１７０℃に保温維持するのがよい。反応管７
から出る排ガスは冷却トラップ１１を経て排出される。
図中の１２はバルブを，また１３はロータリーポンプを
示している。
気は熱分解炉６の反応管７内に導かれる。反応管（例え
ば石英管）７はヒータ８によって加熱され，管内に設置
した基板９を所定の温度（例えば３００〜７００℃）に
加熱保持することによって，該有機ＲＥＭ錯体が熱分解
して基板９上に希土類元素またはその酸化物が析出し，
成膜する。なお，原料容器２から熱分解炉６までの配管
は，凝縮を防ぐために保温層１０または加熱保温手段に
より８０〜１７０℃に保温維持するのがよい。反応管７
から出る排ガスは冷却トラップ１１を経て排出される。
図中の１２はバルブを，また１３はロータリーポンプを
示している。
【００１９】なお，希土類元素の酸化物を成膜するさい
には，酸素容器１４から流量計１５およびバルブ１６を
経て反応雰囲気中（例えば反応間７内）に適量の気体酸
素を送気する。
には，酸素容器１４から流量計１５およびバルブ１６を
経て反応雰囲気中（例えば反応間７内）に適量の気体酸
素を送気する。
【００２０】
〔実施例１〕図１のＣＶＤ設備を用いて，ステンレス鋼
製の原料容器２内に，原料化合物として化２に示したト
リス（６−エチル−２，２−ジメチル−３，５−オクタ
ンジオナト）ネオジムを入れ，基板９にはシリコン基板
を用いてその上に成膜する操作を行った。
製の原料容器２内に，原料化合物として化２に示したト
リス（６−エチル−２，２−ジメチル−３，５−オクタ
ンジオナト）ネオジムを入れ，基板９にはシリコン基板
を用いてその上に成膜する操作を行った。
【００２１】
【化２】
【００２２】化２のトリス（６−エチル−２，２−ジメ
チル−３，５−オクタンジオナト）ネオジムは，次のよ
うにして製造した。硝酸ネオジム六水和物１３.２ｇを
水１００ミリリットルに溶解させ，これに６−エチル−
２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオン１７.５ｇ
とエタノール１００ミリリットルを加えて攪拌し，さら
にアンモニア水を滴下して沈殿を生成させる。次いで，
これを濾過し，ろ別した澱物を減圧乾燥したあと，昇華
精製することによって３.２ｇのトリス（６−エチル−
２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナト）ネオジ
ムを得た。この化合物の融点を測定したところ１５２〜
１５３℃であった。
チル−３，５−オクタンジオナト）ネオジムは，次のよ
うにして製造した。硝酸ネオジム六水和物１３.２ｇを
水１００ミリリットルに溶解させ，これに６−エチル−
２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオン１７.５ｇ
とエタノール１００ミリリットルを加えて攪拌し，さら
にアンモニア水を滴下して沈殿を生成させる。次いで，
これを濾過し，ろ別した澱物を減圧乾燥したあと，昇華
精製することによって３.２ｇのトリス（６−エチル−
２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナト）ネオジ
ムを得た。この化合物の融点を測定したところ１５２〜
１５３℃であった。
【００２３】この化合物１ｇを容器２内に装填し，恒温
槽３を１６０℃の恒温に設定保持した。シリコン基板９
をヒータ８によって５００℃に加熱保持した状態で，キ
ャリヤーガスとしてアルゴンガスを１００ミリリットル
／分を通流して該化合物を石英反応管７に導いた。容器
２から熱分解炉６までの配管は１８０℃に保持されるよ
うに保温した。
槽３を１６０℃の恒温に設定保持した。シリコン基板９
をヒータ８によって５００℃に加熱保持した状態で，キ
ャリヤーガスとしてアルゴンガスを１００ミリリットル
／分を通流して該化合物を石英反応管７に導いた。容器
２から熱分解炉６までの配管は１８０℃に保持されるよ
うに保温した。
【００２４】この条件下で３０分間の成膜操作を行った
ところ，厚さ１４００オングストロームの均一なネオジ
ム薄膜が得られた。
ところ，厚さ１４００オングストロームの均一なネオジ
ム薄膜が得られた。
【００２５】容器２に装填したトリス（６−エチル−
２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナト）ネオジ
ムの量を２ｇに変更した以外は，前記と全く同じ条件で
成膜操作を繰り返した。この場合にも同じく厚さが１４
００オングストロームの均一なネオジム薄膜が得られ
た。すなわち，容器２に装填する原料化合物量を変えて
も同厚の成膜ができた。このことは，原料化合物からの
蒸発量が処理時間中一定であり，且つ分解量も一定であ
ることを示している。
２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオナト）ネオジ
ムの量を２ｇに変更した以外は，前記と全く同じ条件で
成膜操作を繰り返した。この場合にも同じく厚さが１４
００オングストロームの均一なネオジム薄膜が得られ
た。すなわち，容器２に装填する原料化合物量を変えて
も同厚の成膜ができた。このことは，原料化合物からの
蒸発量が処理時間中一定であり，且つ分解量も一定であ
ることを示している。
【００２６】〔実施例２〕気体酸素を酸素源１４から流
量計１５および弁１６を経て反応管７内に１００ミリリ
ットル／分の流量で追加した以外は，実施例１と同様の
処理を同じく３０分間行った。その結果，原料装填量が
１ｇと２ｇの両方とも２６００オングストロームの同じ
厚さの酸化ネオジム薄膜が得られた。
量計１５および弁１６を経て反応管７内に１００ミリリ
ットル／分の流量で追加した以外は，実施例１と同様の
処理を同じく３０分間行った。その結果，原料装填量が
１ｇと２ｇの両方とも２６００オングストロームの同じ
厚さの酸化ネオジム薄膜が得られた。
【００２７】〔比較例１〕トリス（６−エチル−２，２
−ジメチル−３，５−オクタンジオナト）ネオジムに代
えて，融点が２１８〜２１９℃のトリス（ジピバロイル
メタナト）ネオジムを使用した以外は，実施例１と同様
な条件で成膜した。その結果，３０分後に原料充填量１
ｇのものは厚さが１８００オングストローム，また，原
料充填量２ｇのものは厚さが２４００オングストローム
のネオジム薄膜が得られた。このことは，容器内原料の
容積変化にともなって蒸発量も経時変化したことを示し
ている。
−ジメチル−３，５−オクタンジオナト）ネオジムに代
えて，融点が２１８〜２１９℃のトリス（ジピバロイル
メタナト）ネオジムを使用した以外は，実施例１と同様
な条件で成膜した。その結果，３０分後に原料充填量１
ｇのものは厚さが１８００オングストローム，また，原
料充填量２ｇのものは厚さが２４００オングストローム
のネオジム薄膜が得られた。このことは，容器内原料の
容積変化にともなって蒸発量も経時変化したことを示し
ている。
【００２８】〔比較例２〕気体酸素を酸素源１４から流
量計１５および弁１６を経て反応管７内に１００ミリリ
ットル／分の流量で追加した以外は，比較例１と同様の
処理を同じく３０分間行った。その結果，原料充填量１
ｇのものは厚さが２４００オングストローム，また原料
充填量２ｇのものは厚さが３８００オングストロームの
酸化ネオジム薄膜が得られた。
量計１５および弁１６を経て反応管７内に１００ミリリ
ットル／分の流量で追加した以外は，比較例１と同様の
処理を同じく３０分間行った。その結果，原料充填量１
ｇのものは厚さが２４００オングストローム，また原料
充填量２ｇのものは厚さが３８００オングストロームの
酸化ネオジム薄膜が得られた。
【００２９】
【発明の効果】以上のように，本発明に従うβ−ジケト
ン系有機希土類錯体は低融点で，高気化性であり，かつ
蒸発温度と分解温度がはなれていることから，ＣＶＤ法
によって希土類元素またはその化合物の薄膜を製造する
原料化合物として使用する場合に，液体状態で使用でき
るという優れた利点があり，またこのために蒸発速度が
一定となるので安定した成膜速度が得られ，しかも高速
で且つ均質な成膜ができるという特徴がある。
ン系有機希土類錯体は低融点で，高気化性であり，かつ
蒸発温度と分解温度がはなれていることから，ＣＶＤ法
によって希土類元素またはその化合物の薄膜を製造する
原料化合物として使用する場合に，液体状態で使用でき
るという優れた利点があり，またこのために蒸発速度が
一定となるので安定した成膜速度が得られ，しかも高速
で且つ均質な成膜ができるという特徴がある。
【００３０】したがって，本発明によれば，強誘電体材
料やＬＳＩ配線材料などに有用な希土類元素およびその
化合物の成膜技術に多大の貢献ができる。
料やＬＳＩ配線材料などに有用な希土類元素およびその
化合物の成膜技術に多大の貢献ができる。
【図１】熱ＣＶＤ法を実施する設備の機器配置例を示し
た略断面図である。
た略断面図である。
１ 有機金属錯体 ２ 原料容器 ３ 恒温槽 ４ 不活性キャリヤーガス ５ 流量計 ６ 熱分解炉 ７ 石英反応管 ８ ヒータ ９ 基板 １０ 保温層 １１ 冷却トラップ １２ バルブ １３ ロータリーポンプ １４ 酸素源
Claims (4)
- 【請求項１】 ＣＶＤ法により希土類元素または希土類
元素を含む化合物を析出させるのに使用するＣＶＤ用原
料物質であって，６−エチル−２，２−ジメチル−３，
５−オクタンジオンを希土類元素の配位子とした有機希
土類錯体からなるＣＶＤ用原料物質。 - 【請求項２】 有機希土類錯体は化１で示される請求項
１に記載のＣＶＤ用原料物質。 【化１】 - 【請求項３】 希土類元素はＮｄであり，当該錯体の融
点が１５２〜１５３℃である請求項１または２に記載の
ＣＶＤ用原料物質。 - 【請求項４】 ＣＶＤ法により希土類元素または希土類
元素を含む化合物を基材上に析出させるさいに，原料物
質として６−エチル−２，２−ジメチル−３，５−オク
タンジオンを希土類元素の配位子とした有機希土類錯体
を使用し，この有機希土類錯体を融点以上の温度に加熱
し，当該錯体の液相から当該錯体を蒸発させることを特
徴とするＣＶＤ法による希土類元素または希土類元素含
有化合物の成膜法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020595A JP3584089B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 希土類元素のｃｖｄ用原料物質およびこれを用いた成膜法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21020595A JP3584089B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 希土類元素のｃｖｄ用原料物質およびこれを用いた成膜法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0941144A true JPH0941144A (ja) | 1997-02-10 |
| JP3584089B2 JP3584089B2 (ja) | 2004-11-04 |
Family
ID=16585537
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21020595A Expired - Lifetime JP3584089B2 (ja) | 1995-07-27 | 1995-07-27 | 希土類元素のｃｖｄ用原料物質およびこれを用いた成膜法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP3584089B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5980983A (en) * | 1997-04-17 | 1999-11-09 | The President And Fellows Of Harvard University | Liquid precursors for formation of metal oxides |
| US6180190B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor source for chemical vapor deposition |
| JP2009120866A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類酸化物被膜の形成方法 |
| JP2015010093A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
-
1995
- 1995-07-27 JP JP21020595A patent/JP3584089B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5980983A (en) * | 1997-04-17 | 1999-11-09 | The President And Fellows Of Harvard University | Liquid precursors for formation of metal oxides |
| US6180190B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-01-30 | President And Fellows Of Harvard College | Vapor source for chemical vapor deposition |
| JP2009120866A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 希土類酸化物被膜の形成方法 |
| JP2015010093A (ja) * | 2013-07-01 | 2015-01-19 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
| JP2020164536A (ja) * | 2013-07-01 | 2020-10-08 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
| JP2022116030A (ja) * | 2013-07-01 | 2022-08-09 | ユニバーサル ディスプレイ コーポレイション | 有機金属錯体のための補助配位子 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3584089B2 (ja) | 2004-11-04 |
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