JP2009120866A - 希土類酸化物被膜の形成方法 - Google Patents
希土類酸化物被膜の形成方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009120866A JP2009120866A JP2007293019A JP2007293019A JP2009120866A JP 2009120866 A JP2009120866 A JP 2009120866A JP 2007293019 A JP2007293019 A JP 2007293019A JP 2007293019 A JP2007293019 A JP 2007293019A JP 2009120866 A JP2009120866 A JP 2009120866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- rare earth
- coating film
- earth oxide
- film
- melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Chemically Coating (AREA)
Abstract
【解決手段】配位子として、8−キノリノール、β−ジケトン類、芳香族カルボン酸などの、非分解の融点を持つ希土類元素の有機錯体を、実質的に水蒸気を含まないかあるいは実質的に酸素を含まない雰囲気下で加熱溶融し、その融液によって皮膜を形成し、これを加熱して酸化分解することによって希土類酸化物皮膜を得る。
【選択図】なし
Description
〔1〕 希土類元素の有機錯体を溶媒に溶かさずに加熱溶融し、その融液によって被膜を形成し、これを加熱して酸化分解することを特徴とする希土類酸化物被膜の形成方法。
〔2〕 溶融温度が、有機錯体の分解温度未満であることを特徴とする〔1〕に記載の希土類酸化物被膜の形成方法。
〔3〕 希土類元素の有機錯体は、非分解の融点を持ち、配位子としては、8−キノリノール、ジピバロイルメタン、2,4−ペンタンジオン、ベンゾイルアセトン、β−ジケトン類、芳香族カルボン酸、1,10−フェナントロリン、2,2’−ビピリジン、及びトリフェニルホスフィンオキサイドから選ばれるものであることを特徴とする〔1〕又は〔2〕に記載の希土類酸化物被膜の形成方法。
〔4〕 加熱溶融から被膜形成までを、実質的に水蒸気を含まない雰囲気下で行うことを特徴とする〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の希土類酸化物被膜の形成方法。
〔5〕 加熱溶融から被膜形成までを、実質的に酸素を含まない雰囲気下で行うことを特徴とする〔1〕〜〔4〕のいずれかに記載の希土類酸化物被膜の形成方法。
まず、本発明で言う希土類元素とは、Sc,Y,La,Ce,Pr,Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Ho,Er,Tm,Yb,Luである。
希土類元素酸化物を蛍光ランプのガラスバルブ内面の保護膜として使用する場合など、光を透過する用途においては、酸化物自体が無色透明である方がよく、特にSc,Y,La,Gd,Yb,Luが好ましい。
トリス(8−キノリノラト)(8−キノリノール)RE=[RE(C9H6NO)3(C9H7NO)]、
トリス(ベンゾイルアセトナト)RE=[RE(C10H9O2)3]、
トリス(2,4−ペンタンジオナト)RE=[RE(C5H7O2)3]
(REは希土類元素)
などが挙げられる。これらの融点は通常100〜140℃の範囲であり、分解温度は通常140〜180℃の範囲である。
被膜厚さは、1〜500μm、特に5〜100μmとすることが好ましい。
酸素及び水蒸気が0.1容量%未満の窒素置換された密閉容器内で100mm×100mm×2mmtのステンレス板を130℃に加温し、トリス(ベンゾイルアセトナト)イットリウム塩(融点114℃、分解点140℃)0.1gを表面に落とし、全体が溶融したことを確認してから、あらかじめ130℃に温めておいた間隙5μmのドクターブレードで成膜した。これを、大気中550℃にて8時間焼成し、その表面に酸化イットリウムの被膜を得た。表面と断面を電子顕微鏡で観察すると、約1μm厚の被膜が形成されていたが、クラックや異物のない緻密平滑膜であった。
実施例1に記載の密閉容器内で100mm×100mm×2mmtの石英ガラス板を150℃に加温し、トリス(2,4−ペンタンジオン)エルビウム塩(融点140℃、分解点165℃)の0.1gを表面に落とし、全体が溶融したことを確認してから、あらかじめ150℃に温めておいた間隙5μmのドクターブレードで成膜した。これを、大気中550℃にて8時間焼成し、その表面に酸化エルビウムの被膜を得た。表面と断面を電子顕微鏡で観察すると、約1μm厚の被膜が形成されていたが、クラックや異物のない緻密平滑膜であった。
100mm×100mm×2mmtのアルミニウム板に、イットリウムイソプロポキシドの5質量%エタノール溶液をディップコート法によって塗布し、ゲル化,乾燥した。この操作を20回繰り返した後、大気中500℃にて焼成した。表面を電子顕微鏡で観察すると、約1μm厚の緻密膜が形成されていたが、1〜数十μm幅のクラックが各所に観察された。
100mm×100mm×2mmtの石英ガラス板に、トリス(2,4−ペンタンジオン)エルビウム塩の5質量%エタノール溶液をディップコート法によって塗布し、乾燥後、大気中550℃にて焼成した。この操作を10回繰り返した後、表面を電子顕微鏡で観察すると、5μm程の不定形状をした酸化エルビウム粒子が石英ガラス表面に偏在していることが確認された。有機錯体の結晶が析出し、これが形を崩しながら熱分解して酸化物に変化したものと考えられる。
Claims (5)
- 希土類元素の有機錯体を加熱溶融し、その融液によって被膜を形成し、これを加熱して酸化分解することを特徴とする希土類酸化物被膜の形成方法。
- 溶融温度が、有機錯体の分解温度未満であることを特徴とする請求項1に記載の希土類酸化物被膜の形成方法。
- 希土類元素の有機錯体は、非分解の融点を持ち、配位子としては、8−キノリノール、ジピバロイルメタン、2,4−ペンタンジオン、ベンゾイルアセトン、β−ジケトン類、芳香族カルボン酸、1,10−フェナントロリン、2,2’−ビピリジン、及びトリフェニルホスフィンオキサイドから選ばれるものであることを特徴とする請求項1又は2に記載の希土類酸化物被膜の形成方法。
- 加熱溶融から被膜形成までを、実質的に水蒸気を含まない雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の希土類酸化物被膜の形成方法。
- 加熱溶融から被膜形成までを、実質的に酸素を含まない雰囲気下で行うことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の希土類酸化物被膜の形成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007293019A JP5212607B2 (ja) | 2007-11-12 | 2007-11-12 | 希土類酸化物被膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007293019A JP5212607B2 (ja) | 2007-11-12 | 2007-11-12 | 希土類酸化物被膜の形成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009120866A true JP2009120866A (ja) | 2009-06-04 |
JP5212607B2 JP5212607B2 (ja) | 2013-06-19 |
Family
ID=40813339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007293019A Expired - Fee Related JP5212607B2 (ja) | 2007-11-12 | 2007-11-12 | 希土類酸化物被膜の形成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5212607B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023175353A1 (en) * | 2022-03-17 | 2023-09-21 | Ceres Intellectual Property Company Limited | Method for coating a component |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06231678A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Canon Inc | 電子放出膜及び電子放出素子の作製方法 |
JPH0941144A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-10 | Dowa Mining Co Ltd | 希土類元素のcvd用原料物質およびこれを用いた成膜法 |
JPH09228049A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-02 | Dowa Mining Co Ltd | 希土類元素のcvd用原料化合物およびこれを用いた成膜法 |
JP2001114532A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-24 | Central Glass Co Ltd | 金属化合物被膜の形成法 |
JP2005187254A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス体の製造方法 |
-
2007
- 2007-11-12 JP JP2007293019A patent/JP5212607B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06231678A (ja) * | 1993-02-03 | 1994-08-19 | Canon Inc | 電子放出膜及び電子放出素子の作製方法 |
JPH0941144A (ja) * | 1995-07-27 | 1997-02-10 | Dowa Mining Co Ltd | 希土類元素のcvd用原料物質およびこれを用いた成膜法 |
JPH09228049A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-09-02 | Dowa Mining Co Ltd | 希土類元素のcvd用原料化合物およびこれを用いた成膜法 |
JP2001114532A (ja) * | 1999-10-15 | 2001-04-24 | Central Glass Co Ltd | 金属化合物被膜の形成法 |
JP2005187254A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ガラス体の製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023175353A1 (en) * | 2022-03-17 | 2023-09-21 | Ceres Intellectual Property Company Limited | Method for coating a component |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5212607B2 (ja) | 2013-06-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR20160114177A (ko) | 챔버 코팅들 | |
TWI661011B (zh) | 使用無機物質作為變色層之電漿處理檢測指示劑 | |
Madhuri | Thermal protection coatings of metal oxide powders | |
TW201033407A (en) | Thermal spray coatings for semiconductor applications | |
TW201805450A (zh) | 氧氟化釔熱噴塗膜及其製造方法、以及熱噴塗構件 | |
EP3423610B1 (en) | A plasma etch-resistant film and a method for its fabrication | |
TWI375734B (en) | Ceramic coating material for thermal spray on the parts of semiconductor processing devices and fabrication method and coating method thereof | |
JP5212607B2 (ja) | 希土類酸化物被膜の形成方法 | |
JP5245365B2 (ja) | 希土類水酸化物被膜及び希土類酸化物被膜の形成方法 | |
US20090091033A1 (en) | Fabrication of metal oxide films | |
JP5554934B2 (ja) | スピネル前駆体ゾルの製造方法、及びスピネルがコーティングされたチタン酸アルミニウム焼結体の製造方法 | |
JP5274065B2 (ja) | 酸化物膜形成方法 | |
KR102272156B1 (ko) | 이트륨계 세라믹 및 그 제조 방법 | |
WO2011135786A1 (ja) | 金属基材の絶縁被膜方法、絶縁被膜金属基材、および、これを用いた半導体製造装置 | |
EP1580294A1 (en) | Corrosion-resistant member and process of producing the same | |
JP2018080366A (ja) | 金属酸化物薄膜の製造方法及び薄膜製造装置 | |
KR102390123B1 (ko) | 내플라즈마 세라믹 기판 및 그 제조방법 | |
JP2012206865A (ja) | 酸化アルミニウムを被覆した窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
TW201334035A (zh) | 抗電漿蝕刻膜,承載抗電漿蝕刻膜之物品及相關的方法 | |
JP5167822B2 (ja) | 酸化インジウム膜積層体及びその製造方法 | |
JP5394079B2 (ja) | 大気開放型cvd装置および金属酸化物膜の製造方法 | |
JP2005232574A (ja) | 酸化物薄膜の製造方法 | |
KR100995252B1 (ko) | MoO₃ 분말을 이용한 MoO₃의 박막 형성 방법 | |
Salhi et al. | Preparation and microstructural properties of erbium doped alumina–yttria oxide thin films deposited by aerosol MOCVD | |
Horwat et al. | Magnetron sputtering of NASICON (Na3Zr2Si2PO12) thin films Part I: Limitations of the classical methods |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100824 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121023 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121114 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130109 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130130 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130212 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5212607 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160308 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |