JPH09331066A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法Info
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- JPH09331066A JPH09331066A JP14894296A JP14894296A JPH09331066A JP H09331066 A JPH09331066 A JP H09331066A JP 14894296 A JP14894296 A JP 14894296A JP 14894296 A JP14894296 A JP 14894296A JP H09331066 A JPH09331066 A JP H09331066A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ａｌ系金属膜が配線膜又は遮光膜として使用
されている液晶表示装置において、ヒロックの生起を防
止すると共に、バックライト等の光の反射を防止して、
断線不良の撲滅、信頼性の向上、コントラストの向上を
実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 第１の層間絶縁膜１８上に設けられた遮
光膜２０上面に、Ａｌ系金属膜以外の金属膜であってそ
の反射率がＡｌ系金属膜の反射率よりも低いもの、例え
ばＭｏ膜２２が形成されている。Ａｌ系金属膜からなる
ソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６の各上面に
も、それぞれＭｏ膜２８、３０が形成されている。これ
らＭｏ膜２２、２８、３０上に、第２の層間絶縁膜３２
が形成されている。即ち、遮光膜２０、ソース配線膜２
４、及びドレイン配線膜２６の各上面と第２の層間絶縁
膜３２との間にはＭｏ膜２２、２８、３０が介在してい
る。
されている液晶表示装置において、ヒロックの生起を防
止すると共に、バックライト等の光の反射を防止して、
断線不良の撲滅、信頼性の向上、コントラストの向上を
実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供すること
を目的とする。 【解決手段】 第１の層間絶縁膜１８上に設けられた遮
光膜２０上面に、Ａｌ系金属膜以外の金属膜であってそ
の反射率がＡｌ系金属膜の反射率よりも低いもの、例え
ばＭｏ膜２２が形成されている。Ａｌ系金属膜からなる
ソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６の各上面に
も、それぞれＭｏ膜２８、３０が形成されている。これ
らＭｏ膜２２、２８、３０上に、第２の層間絶縁膜３２
が形成されている。即ち、遮光膜２０、ソース配線膜２
４、及びドレイン配線膜２６の各上面と第２の層間絶縁
膜３２との間にはＭｏ膜２２、２８、３０が介在してい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置及びそ
の製造方法に係り、特にアルミニウム系金属膜が配線膜
又は遮光膜として使用されている液晶表示装置及びその
製造方法に関するものである。
の製造方法に係り、特にアルミニウム系金属膜が配線膜
又は遮光膜として使用されている液晶表示装置及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のスタガー型ＴＦＴ（Thin Film Tr
ansistor；薄膜トランジスタ）方式の液晶表示装置を、
図４を用いて説明する。図４に示されるように、透明基
板１０上に、半導体層１２及びこの半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極６６から
なるスタガー型のＴＦＴが形成されている。また、全面
に第１の層間絶縁膜６８が形成されている。そしてこの
第１の層間絶縁膜６８上には、Ａｌ（アルミニウム）膜
からなる遮光膜２０が形成されている。また、半導体層
１２上の第１の層間絶縁膜６８に開孔されたコンタクト
ホールを介して、半導体層１２に接続しているＡｌ膜か
らなるソース電極及びそれに接続する配線膜（以下、両
者を併せて「ソース配線膜」という）２４並びにドレイ
ン電極及びそれに接続する配線膜（以下、両者を併せて
「ドレイン配線膜」という）２６が形成されている。
ansistor；薄膜トランジスタ）方式の液晶表示装置を、
図４を用いて説明する。図４に示されるように、透明基
板１０上に、半導体層１２及びこの半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極６６から
なるスタガー型のＴＦＴが形成されている。また、全面
に第１の層間絶縁膜６８が形成されている。そしてこの
第１の層間絶縁膜６８上には、Ａｌ（アルミニウム）膜
からなる遮光膜２０が形成されている。また、半導体層
１２上の第１の層間絶縁膜６８に開孔されたコンタクト
ホールを介して、半導体層１２に接続しているＡｌ膜か
らなるソース電極及びそれに接続する配線膜（以下、両
者を併せて「ソース配線膜」という）２４並びにドレイ
ン電極及びそれに接続する配線膜（以下、両者を併せて
「ドレイン配線膜」という）２６が形成されている。
【０００３】また、全面に第２の層間絶縁膜３２が形成
されている。そしてこの第２の層間絶縁膜３２上に、遮
光膜２０とソース配線膜２４との間隙を覆うように、Ｔ
ｉ膜３４が形成されている。即ち、このＴｉ膜３４は、
遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙を透過する光を
遮断するＯＣＢ（On Chip Black ）の役割を果たすもの
である。また、ゲート電極６６上方の第２の層間絶縁膜
３２上及び第２の層間絶縁膜３２に開孔されたコンタク
トホール内のＭｏ膜３０上には、Ｔｉ膜３６が形成され
ている。即ち、このＴｉ膜３６は、ゲート部を透過する
光を遮断するＯＣＢの役割を果たすと共に、Ａｌ膜から
なるドレイン配線膜２６と後述する画素電極とのコンタ
クト抵抗を低減するためのものである。
されている。そしてこの第２の層間絶縁膜３２上に、遮
光膜２０とソース配線膜２４との間隙を覆うように、Ｔ
ｉ膜３４が形成されている。即ち、このＴｉ膜３４は、
遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙を透過する光を
遮断するＯＣＢ（On Chip Black ）の役割を果たすもの
である。また、ゲート電極６６上方の第２の層間絶縁膜
３２上及び第２の層間絶縁膜３２に開孔されたコンタク
トホール内のＭｏ膜３０上には、Ｔｉ膜３６が形成され
ている。即ち、このＴｉ膜３６は、ゲート部を透過する
光を遮断するＯＣＢの役割を果たすと共に、Ａｌ膜から
なるドレイン配線膜２６と後述する画素電極とのコンタ
クト抵抗を低減するためのものである。
【０００４】また、全面に表面が平坦化された平坦化膜
３８が形成されている。また、この平坦化膜３８上に
は、画素電極４０が形成されており、その画素電極４０
の一端は、Ｔｉ膜３６上の平坦化膜３８に開孔されたコ
ンタクトホールを介して、Ｔｉ膜３６に接続している。
即ち、画素電極４０は、Ｔｉ膜３６を介してドレイン配
線膜２６に接続している。また、図示はしないが、透明
基板１０上方には、共通電極が形成されている透明基板
が対向して配置され、これら両基板の間隙には、液晶が
封止されている。このようにしてＴＦＴ方式の液晶表示
装置が構成されている。
３８が形成されている。また、この平坦化膜３８上に
は、画素電極４０が形成されており、その画素電極４０
の一端は、Ｔｉ膜３６上の平坦化膜３８に開孔されたコ
ンタクトホールを介して、Ｔｉ膜３６に接続している。
即ち、画素電極４０は、Ｔｉ膜３６を介してドレイン配
線膜２６に接続している。また、図示はしないが、透明
基板１０上方には、共通電極が形成されている透明基板
が対向して配置され、これら両基板の間隙には、液晶が
封止されている。このようにしてＴＦＴ方式の液晶表示
装置が構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のスタ
ガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置においては、配線又は
信号線としてＡｌ膜が使用されている。また、周辺部の
遮光膜やブラックマトリクスとしてもＡｌ膜が使用され
ている。そして従来のスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示
装置を作製する現在のプロセスによれば、Ａｌ膜の成膜
後に熱処理工程が入るため、熱によるＡｌの粒径移動が
起き、ヒロック（Hillock ；突起）が生起する。また、
このヒロックは、熱処理が繰り返されるたびに大きく成
長する。このため、以下のような問題が生じていた。
ガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置においては、配線又は
信号線としてＡｌ膜が使用されている。また、周辺部の
遮光膜やブラックマトリクスとしてもＡｌ膜が使用され
ている。そして従来のスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示
装置を作製する現在のプロセスによれば、Ａｌ膜の成膜
後に熱処理工程が入るため、熱によるＡｌの粒径移動が
起き、ヒロック（Hillock ；突起）が生起する。また、
このヒロックは、熱処理が繰り返されるたびに大きく成
長する。このため、以下のような問題が生じていた。
【０００６】（１） Ａｌ膜にヒロックが生起すること
により、Ａｌ膜中に大小様々なボイド（Void；空洞）が
発生する。そのため、配線又は信号線としてＡｌ膜を使
用している場合には、Ａｌ膜中に発生した大きなボイド
が断線不良の直接的な原因になり、また断線に至らない
ものでも信頼性に悪影響を及ぼすという問題が生じる。
また、遮光膜としてＡｌ膜を使用している場合には、ボ
イドの発生箇所からバックライトの光が漏れて、コント
ラストの低下を招くという問題が生じる。
により、Ａｌ膜中に大小様々なボイド（Void；空洞）が
発生する。そのため、配線又は信号線としてＡｌ膜を使
用している場合には、Ａｌ膜中に発生した大きなボイド
が断線不良の直接的な原因になり、また断線に至らない
ものでも信頼性に悪影響を及ぼすという問題が生じる。
また、遮光膜としてＡｌ膜を使用している場合には、ボ
イドの発生箇所からバックライトの光が漏れて、コント
ラストの低下を招くという問題が生じる。
【０００７】（２） Ａｌ膜にヒロックが生起した後、
そのＡｌ膜上に例えばＰＳＧ（Phospho-Silicate Glas
s）やＮＳＧ（Non doped Silicate Glass）等からなる
層間絶縁膜を堆積すると、例えばヒロックの頂部が層間
絶縁膜から露出したりして層間絶縁膜がカバーできない
領域が発生する。そのため、その後のエッチング工程に
おいて、例えば露出したヒロックから層間絶縁膜下のＡ
ｌ膜までエッチングが進行し、上記（１）の場合と同様
に、断線不良の発生、信頼性の劣化、コントラストの低
下等の問題が生じる。
そのＡｌ膜上に例えばＰＳＧ（Phospho-Silicate Glas
s）やＮＳＧ（Non doped Silicate Glass）等からなる
層間絶縁膜を堆積すると、例えばヒロックの頂部が層間
絶縁膜から露出したりして層間絶縁膜がカバーできない
領域が発生する。そのため、その後のエッチング工程に
おいて、例えば露出したヒロックから層間絶縁膜下のＡ
ｌ膜までエッチングが進行し、上記（１）の場合と同様
に、断線不良の発生、信頼性の劣化、コントラストの低
下等の問題が生じる。
【０００８】（３） Ａｌ膜上に例えばＰＳＧやＮＳＧ
等からなる層間絶縁膜を堆積した後に熱処理工程が入る
と、Ａｌ膜中のヒロックの生起により、層間絶縁膜にク
ラックが発生する。そのため、その後のエッチング工程
において、層間絶縁膜のクラックから層間絶縁膜下のＡ
ｌ膜までエッチングが進行し、上記（２）の場合と同様
に、断線不良の発生、信頼性の劣化、コントラストの低
下等の問題が生じる。
等からなる層間絶縁膜を堆積した後に熱処理工程が入る
と、Ａｌ膜中のヒロックの生起により、層間絶縁膜にク
ラックが発生する。そのため、その後のエッチング工程
において、層間絶縁膜のクラックから層間絶縁膜下のＡ
ｌ膜までエッチングが進行し、上記（２）の場合と同様
に、断線不良の発生、信頼性の劣化、コントラストの低
下等の問題が生じる。
【０００９】（４） Ａｌ膜中にヒロックが生起しない
場合であっても、配線又は遮光膜としてＡｌ系金属膜を
使用している場合には、Ａｌ系金属膜の反射率は比較的
高いため、バックライト等の光が反射して、コントラス
トの低下につながるという問題が生じる。
場合であっても、配線又は遮光膜としてＡｌ系金属膜を
使用している場合には、Ａｌ系金属膜の反射率は比較的
高いため、バックライト等の光が反射して、コントラス
トの低下につながるという問題が生じる。
【００１０】なお、逆スタガー型ＴＦＴのＡｌ系金属か
らなるゲート電極におけるヒロックの生起を防止するた
め、表面を覆う保護絶縁膜として低温での成膜が可能な
酸化金属膜を用いることにより、高温熱処理工程の回数
を少なくすること（特開平５−１６７０７４号参照）、
表面を覆う保護絶縁膜として低温で成膜した窒化シリコ
ン膜を用いることにより、高温熱処理工程の回数を少な
くすること（特開平５−１６７０７５号参照）、高融点
金属を不純物として含むＡｌを用いてゲート電極を形成
すること（特開平５−１８１１６２号及び特開平６−１
０４４３７号参照）、Ａｌより融点の高い金属層がＡｌ
層を覆っている構造のゲート電極とすること（特開平６
−１２０５０３号参照）、高融点金属が不純物として含
まれている陽極酸化膜でＡｌゲート電極を覆うこと（特
開平６−２３２４０１号参照）、Ｓｉ（シリコン）の添
加濃度が共晶温度での固溶濃度以下であるＳｉ添加Ａｌ
を用いてゲート電極を形成すること（特開平６−１８８
４２０号参照）等が提案されている。また、Ａｌ系金属
からなるゲート電極に限定されず、一般的にヒロックの
生起を防止する手段として、Ａｌ−Ｓｉ薄膜とＡｌ薄膜
との積層構造とすること（特開平６−１４５９６２号参
照）が提案されている。
らなるゲート電極におけるヒロックの生起を防止するた
め、表面を覆う保護絶縁膜として低温での成膜が可能な
酸化金属膜を用いることにより、高温熱処理工程の回数
を少なくすること（特開平５−１６７０７４号参照）、
表面を覆う保護絶縁膜として低温で成膜した窒化シリコ
ン膜を用いることにより、高温熱処理工程の回数を少な
くすること（特開平５−１６７０７５号参照）、高融点
金属を不純物として含むＡｌを用いてゲート電極を形成
すること（特開平５−１８１１６２号及び特開平６−１
０４４３７号参照）、Ａｌより融点の高い金属層がＡｌ
層を覆っている構造のゲート電極とすること（特開平６
−１２０５０３号参照）、高融点金属が不純物として含
まれている陽極酸化膜でＡｌゲート電極を覆うこと（特
開平６−２３２４０１号参照）、Ｓｉ（シリコン）の添
加濃度が共晶温度での固溶濃度以下であるＳｉ添加Ａｌ
を用いてゲート電極を形成すること（特開平６−１８８
４２０号参照）等が提案されている。また、Ａｌ系金属
からなるゲート電極に限定されず、一般的にヒロックの
生起を防止する手段として、Ａｌ−Ｓｉ薄膜とＡｌ薄膜
との積層構造とすること（特開平６−１４５９６２号参
照）が提案されている。
【００１１】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、Ａｌ系金属膜が配線膜又は遮光膜とし
て使用されている液晶表示装置において、ヒロックの生
起を防止すると共に、バックライト等の光の反射を防止
して、断線不良の撲滅、信頼性の向上、コントラストの
向上を実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
れたものであり、Ａｌ系金属膜が配線膜又は遮光膜とし
て使用されている液晶表示装置において、ヒロックの生
起を防止すると共に、バックライト等の光の反射を防止
して、断線不良の撲滅、信頼性の向上、コントラストの
向上を実現する液晶表示装置及びその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】Ａｌ系金属膜にヒロック
が生起・成長するメカニズムとして、Ａｌ系金属膜に隣
接する層間絶縁膜から水分が供給され、その水分が熱処
理の熱により蒸発して、Ａｌ系金属膜に応力を生じる。
そしてこの応力により、Ａｌの粒径移動が起き、Ａｌの
粒界を形成する網目の交差点に流れ込むＡｌ原子と流れ
出るＡｌ原子の流束の不均一性からヒロックが生起する
ことが考えられる。従って、本発明者は、隣接する層間
絶縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給を遮断することに
より、ヒロックの生起・成長を抑制することを想到し
た。
が生起・成長するメカニズムとして、Ａｌ系金属膜に隣
接する層間絶縁膜から水分が供給され、その水分が熱処
理の熱により蒸発して、Ａｌ系金属膜に応力を生じる。
そしてこの応力により、Ａｌの粒径移動が起き、Ａｌの
粒界を形成する網目の交差点に流れ込むＡｌ原子と流れ
出るＡｌ原子の流束の不均一性からヒロックが生起する
ことが考えられる。従って、本発明者は、隣接する層間
絶縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給を遮断することに
より、ヒロックの生起・成長を抑制することを想到し
た。
【００１３】従って、上記課題を解決するための本発明
に係る液晶表示装置は、Ａｌ系金属膜が配線膜又は遮光
膜として使用されている液晶表示装置であって、前記Ａ
ｌ系金属膜上面、又は前記Ａｌ系金属膜上面及び側面
に、金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）が形成されているこ
とを特徴とする。
に係る液晶表示装置は、Ａｌ系金属膜が配線膜又は遮光
膜として使用されている液晶表示装置であって、前記Ａ
ｌ系金属膜上面、又は前記Ａｌ系金属膜上面及び側面
に、金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）が形成されているこ
とを特徴とする。
【００１４】このように本発明に係る液晶表示装置にお
いては、Ａｌ系金属膜上面又はＡｌ系金属膜上面及び側
面に金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）が形成されているこ
とにより、Ａｌ系金属膜上面又は側面に隣接する層間絶
縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給が遮断されるため、
ヒロックの生起・成長を抑制することができる。従っ
て、Ａｌ系金属膜中のボイドの発生が抑制され、Ａｌ系
金属膜からなる配線膜における断線不良の発生が防止さ
れると共に、Ａｌ系金属膜からなる遮光膜における光漏
れによるコントラストの低下を防止することができる。
また、たとえヒロックが生起しても、その後のエッチン
グ工程において、Ａｌ系金属膜上面又は上面及び側面を
覆う金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）がエッチング保護膜
の役割を果たすため、Ａｌ系金属膜のエッチングを防止
して、断線不良の発生やコントラストの低下を防止する
ことができる。また、たとえヒロックの生起によりＡｌ
系金属膜の断線不良が発生しても、Ａｌ系金属膜上面に
形成された金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）により通電が
確保されるため、特性不良となることを防止することが
できる。
いては、Ａｌ系金属膜上面又はＡｌ系金属膜上面及び側
面に金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）が形成されているこ
とにより、Ａｌ系金属膜上面又は側面に隣接する層間絶
縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給が遮断されるため、
ヒロックの生起・成長を抑制することができる。従っ
て、Ａｌ系金属膜中のボイドの発生が抑制され、Ａｌ系
金属膜からなる配線膜における断線不良の発生が防止さ
れると共に、Ａｌ系金属膜からなる遮光膜における光漏
れによるコントラストの低下を防止することができる。
また、たとえヒロックが生起しても、その後のエッチン
グ工程において、Ａｌ系金属膜上面又は上面及び側面を
覆う金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）がエッチング保護膜
の役割を果たすため、Ａｌ系金属膜のエッチングを防止
して、断線不良の発生やコントラストの低下を防止する
ことができる。また、たとえヒロックの生起によりＡｌ
系金属膜の断線不良が発生しても、Ａｌ系金属膜上面に
形成された金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）により通電が
確保されるため、特性不良となることを防止することが
できる。
【００１５】また、本発明に係る液晶表示装置は、Ａｌ
系金属膜が配線膜又は遮光膜として使用されている液晶
表示装置であって、前記Ａｌ系金属膜下面に、金属膜
（Ａｌ系金属膜を除く）が形成されていることを特徴と
する。このように本発明に係る液晶表示装置において
は、Ａｌ系金属膜下面に金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）
が形成されていることにより、Ａｌ系金属膜下面に隣接
する層間絶縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給が遮断さ
れるため、ヒロックの生起・成長を抑制することがで
き、従ってＡｌ系金属膜中のボイドの発生が抑制され、
配線膜における断線不良の発生や遮光膜における光漏れ
によるコントラストの低下を防止することができる。ま
た、たとえヒロックの生起によりＡｌ系金属膜の断線不
良が発生しても、Ａｌ系金属膜下面に形成された金属膜
（Ａｌ系金属膜を除く）により通電が確保されるため、
特性不良となることを防止することができる。
系金属膜が配線膜又は遮光膜として使用されている液晶
表示装置であって、前記Ａｌ系金属膜下面に、金属膜
（Ａｌ系金属膜を除く）が形成されていることを特徴と
する。このように本発明に係る液晶表示装置において
は、Ａｌ系金属膜下面に金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）
が形成されていることにより、Ａｌ系金属膜下面に隣接
する層間絶縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給が遮断さ
れるため、ヒロックの生起・成長を抑制することがで
き、従ってＡｌ系金属膜中のボイドの発生が抑制され、
配線膜における断線不良の発生や遮光膜における光漏れ
によるコントラストの低下を防止することができる。ま
た、たとえヒロックの生起によりＡｌ系金属膜の断線不
良が発生しても、Ａｌ系金属膜下面に形成された金属膜
（Ａｌ系金属膜を除く）により通電が確保されるため、
特性不良となることを防止することができる。
【００１６】上記の液晶表示装置において、前記金属膜
（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率を、Ａｌ系金属膜の反
射率よりも低いものとすることができる。このようにＡ
ｌ系金属膜上面、上面及び側面、又は下面に形成されて
いる金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率がＡｌ系金
属膜の反射率よりも低いことにより、この金属膜（Ａｌ
系金属膜を除く）が反射防止膜の役割を果たすため、バ
ックライト等の光の反射によるコントラストの低下を防
止することができる。また、上記の液晶表示装置におい
て、前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）は、高融点金属
膜であることが好適である。例えば、Ｔｉ（チタン）、
Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、及びＺｒ（ジ
ルコニウム）からなる群より選ばれるいずれか１種類又
は複数種類を材料とする膜であることが望ましい。
（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率を、Ａｌ系金属膜の反
射率よりも低いものとすることができる。このようにＡ
ｌ系金属膜上面、上面及び側面、又は下面に形成されて
いる金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率がＡｌ系金
属膜の反射率よりも低いことにより、この金属膜（Ａｌ
系金属膜を除く）が反射防止膜の役割を果たすため、バ
ックライト等の光の反射によるコントラストの低下を防
止することができる。また、上記の液晶表示装置におい
て、前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）は、高融点金属
膜であることが好適である。例えば、Ｔｉ（チタン）、
Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、及びＺｒ（ジ
ルコニウム）からなる群より選ばれるいずれか１種類又
は複数種類を材料とする膜であることが望ましい。
【００１７】また、本発明に係る液晶表示装置の製造方
法は、透明基板上に、半導体層及び前記半導体層上にゲ
ート絶縁膜を介して設けられたゲート電極からなる薄膜
トランジスタを形成する第１の工程と、全面に第１の層
間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上の前記第１の層
間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開孔する第２の工
程と、全面にＡｌ系金属膜及び金属膜（Ａｌ系金属膜を
除く）を順に堆積した後、前記金属膜（Ａｌ系金属膜を
除く）及び前記Ａｌ系金属膜を所定の形状にパターニン
グして、前記第１のコンタクトホール内の前記半導体層
に接続する前記Ａｌ系金属膜からなる配線膜及び前記第
１の層間絶縁膜上の前記Ａｌ系金属膜からなる遮光膜を
形成すると共に、前記配線膜及び前記遮光膜をなす前記
Ａｌ系金属膜上面に前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）
を形成する第３の工程と、全面に第２の層間絶縁膜を堆
積した後、前記配線膜上方の前記第２の層間絶縁膜に第
２のコンタクトホールを開孔し、前記第２のコンタクト
ホール内の前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）に接続す
る透明電極膜を形成する第４の工程とを有することを特
徴とする。
法は、透明基板上に、半導体層及び前記半導体層上にゲ
ート絶縁膜を介して設けられたゲート電極からなる薄膜
トランジスタを形成する第１の工程と、全面に第１の層
間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上の前記第１の層
間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開孔する第２の工
程と、全面にＡｌ系金属膜及び金属膜（Ａｌ系金属膜を
除く）を順に堆積した後、前記金属膜（Ａｌ系金属膜を
除く）及び前記Ａｌ系金属膜を所定の形状にパターニン
グして、前記第１のコンタクトホール内の前記半導体層
に接続する前記Ａｌ系金属膜からなる配線膜及び前記第
１の層間絶縁膜上の前記Ａｌ系金属膜からなる遮光膜を
形成すると共に、前記配線膜及び前記遮光膜をなす前記
Ａｌ系金属膜上面に前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）
を形成する第３の工程と、全面に第２の層間絶縁膜を堆
積した後、前記配線膜上方の前記第２の層間絶縁膜に第
２のコンタクトホールを開孔し、前記第２のコンタクト
ホール内の前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）に接続す
る透明電極膜を形成する第４の工程とを有することを特
徴とする。
【００１８】このように本発明に係る液晶表示装置の製
造方法においては、Ａｌ系金属膜及び金属膜（Ａｌ系金
属膜を除く）を順に堆積し、所定の形状にパターニング
して、Ａｌ系金属膜からなる配線膜及び遮光膜を形成す
ると共に、配線膜及び遮光膜をなすＡｌ系金属膜上面に
金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）を形成した後、全面に第
２の層間絶縁膜を堆積することにより、配線膜及び遮光
膜をなすＡｌ系金属膜と第２の層間絶縁膜上面との間に
金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）を介在させて、第２の層
間絶縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給を遮断するた
め、その後の熱処理工程におけるヒロックの生起・成長
を抑制することができる。
造方法においては、Ａｌ系金属膜及び金属膜（Ａｌ系金
属膜を除く）を順に堆積し、所定の形状にパターニング
して、Ａｌ系金属膜からなる配線膜及び遮光膜を形成す
ると共に、配線膜及び遮光膜をなすＡｌ系金属膜上面に
金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）を形成した後、全面に第
２の層間絶縁膜を堆積することにより、配線膜及び遮光
膜をなすＡｌ系金属膜と第２の層間絶縁膜上面との間に
金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）を介在させて、第２の層
間絶縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給を遮断するた
め、その後の熱処理工程におけるヒロックの生起・成長
を抑制することができる。
【００１９】また、本発明に係る液晶表示装置の製造方
法は、透明基板上に、半導体層及び前記半導体層上にゲ
ート絶縁膜を介して設けられたゲート電極からなる薄膜
トランジスタを形成する第１の工程と、全面に第１の層
間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上の前記第１の層
間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開孔する第２の工
程と、全面にＡｌ系金属膜を堆積し、所定の形状にパタ
ーニングして、前記第１のコンタクトホール内の前記半
導体層に接続する前記Ａｌ系金属膜からなる配線膜及び
前記第１の層間絶縁膜上の前記Ａｌ系金属膜からなる遮
光膜を形成した後、全面に金属膜（Ａｌ系金属膜を除
く）を堆積し、所定の形状にパターニングして、前記配
線膜及び前記遮光膜をなす前記Ａｌ系金属膜上面及び側
面に前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）を形成する第３
の工程と、全面に第２の層間絶縁膜を堆積した後、前記
配線膜上方の前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクト
ホールを開孔し、前記第２のコンタクトホール内の前記
金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）に接続する透明電極膜を
形成する第４の工程とを有することを特徴とする。
法は、透明基板上に、半導体層及び前記半導体層上にゲ
ート絶縁膜を介して設けられたゲート電極からなる薄膜
トランジスタを形成する第１の工程と、全面に第１の層
間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上の前記第１の層
間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開孔する第２の工
程と、全面にＡｌ系金属膜を堆積し、所定の形状にパタ
ーニングして、前記第１のコンタクトホール内の前記半
導体層に接続する前記Ａｌ系金属膜からなる配線膜及び
前記第１の層間絶縁膜上の前記Ａｌ系金属膜からなる遮
光膜を形成した後、全面に金属膜（Ａｌ系金属膜を除
く）を堆積し、所定の形状にパターニングして、前記配
線膜及び前記遮光膜をなす前記Ａｌ系金属膜上面及び側
面に前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）を形成する第３
の工程と、全面に第２の層間絶縁膜を堆積した後、前記
配線膜上方の前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクト
ホールを開孔し、前記第２のコンタクトホール内の前記
金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）に接続する透明電極膜を
形成する第４の工程とを有することを特徴とする。
【００２０】このように本発明に係る液晶表示装置の製
造方法においては、Ａｌ系金属膜を堆積し、所定の形状
にパターニングして、Ａｌ系金属膜からなる配線膜及び
遮光膜を形成した後、金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）を
堆積し、所定の形状にパターニングして、配線膜及び遮
光膜をなすＡｌ系金属膜上面及び側面に金属膜（Ａｌ系
金属膜を除く）を形成し、続いて全面に第２の層間絶縁
膜を堆積することにより、配線膜及び遮光膜をなすＡｌ
系金属膜上面及び側面と第２の層間絶縁膜との間に金属
膜（Ａｌ系金属膜を除く）を介在させて、第２の層間絶
縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給を更に徹底して遮断
するため、その後の熱処理工程におけるヒロックの生起
・成長を更に徹底して抑制することができる。
造方法においては、Ａｌ系金属膜を堆積し、所定の形状
にパターニングして、Ａｌ系金属膜からなる配線膜及び
遮光膜を形成した後、金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）を
堆積し、所定の形状にパターニングして、配線膜及び遮
光膜をなすＡｌ系金属膜上面及び側面に金属膜（Ａｌ系
金属膜を除く）を形成し、続いて全面に第２の層間絶縁
膜を堆積することにより、配線膜及び遮光膜をなすＡｌ
系金属膜上面及び側面と第２の層間絶縁膜との間に金属
膜（Ａｌ系金属膜を除く）を介在させて、第２の層間絶
縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給を更に徹底して遮断
するため、その後の熱処理工程におけるヒロックの生起
・成長を更に徹底して抑制することができる。
【００２１】また、本発明に係る液晶表示装置の製造方
法は、透明基板上に、半導体層及び前記半導体層上にゲ
ート絶縁膜を介して設けられたゲート電極からなる薄膜
トランジスタを形成する第１の工程と、全面に第１の層
間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上の前記第１の層
間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開孔する第２の工
程と、全面に金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）及
びアルミニウム系金属膜を順に堆積した後、前記アルミ
ニウム系金属膜及び前記金属膜（アルミニウム系金属膜
を除く）を所定の形状にパターニングして、前記第１の
コンタクトホール内の前記半導体層に前記金属膜（アル
ミニウム系金属膜を除く）を介して接続する前記アルミ
ニウム系金属膜からなる配線膜及び前記第１の層間絶縁
膜との間に前記金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）
を介在させた前記アルミニウム系金属膜からなる遮光膜
を形成する第３の工程と、全面に第２の層間絶縁膜を堆
積した後、前記配線膜上方の前記第２の層間絶縁膜に第
２のコンタクトホールを開孔し、前記第２のコンタクト
ホール内の前記配線膜に接続する透明電極膜を形成する
第４の工程とを有することを特徴とする。
法は、透明基板上に、半導体層及び前記半導体層上にゲ
ート絶縁膜を介して設けられたゲート電極からなる薄膜
トランジスタを形成する第１の工程と、全面に第１の層
間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上の前記第１の層
間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開孔する第２の工
程と、全面に金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）及
びアルミニウム系金属膜を順に堆積した後、前記アルミ
ニウム系金属膜及び前記金属膜（アルミニウム系金属膜
を除く）を所定の形状にパターニングして、前記第１の
コンタクトホール内の前記半導体層に前記金属膜（アル
ミニウム系金属膜を除く）を介して接続する前記アルミ
ニウム系金属膜からなる配線膜及び前記第１の層間絶縁
膜との間に前記金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）
を介在させた前記アルミニウム系金属膜からなる遮光膜
を形成する第３の工程と、全面に第２の層間絶縁膜を堆
積した後、前記配線膜上方の前記第２の層間絶縁膜に第
２のコンタクトホールを開孔し、前記第２のコンタクト
ホール内の前記配線膜に接続する透明電極膜を形成する
第４の工程とを有することを特徴とする。
【００２２】このように本発明に係る液晶表示装置の製
造方法においては、全面に第１の層間絶縁膜を堆積した
後、金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）及びアルミ
ニウム系金属膜を順に堆積した後、所定の形状にパター
ニングして、第１の層間絶縁膜との間に金属膜（アルミ
ニウム系金属膜を除く）を介在させたアルミニウム系金
属膜からなる配線膜及び遮光膜を形成することにより、
第１の層間絶縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給を遮断
するため、その後の熱処理工程におけるヒロックの生起
・成長を抑制することができる。
造方法においては、全面に第１の層間絶縁膜を堆積した
後、金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）及びアルミ
ニウム系金属膜を順に堆積した後、所定の形状にパター
ニングして、第１の層間絶縁膜との間に金属膜（アルミ
ニウム系金属膜を除く）を介在させたアルミニウム系金
属膜からなる配線膜及び遮光膜を形成することにより、
第１の層間絶縁膜からＡｌ系金属膜への水分供給を遮断
するため、その後の熱処理工程におけるヒロックの生起
・成長を抑制することができる。
【００２３】上記の液晶表示装置の製造方法において、
前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率を、Ａｌ系
金属膜の反射率よりも低くすることが好ましい。このよ
うにＡｌ系金属膜上面、上面及び側面、又は下面に形成
する金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率がＡｌ系金
属膜の反射率よりも低いことにより、この金属膜（Ａｌ
系金属膜を除く）が反射防止膜の役割を果たすため、バ
ックライト等の光の反射によるコントラストの低下を防
止することができる。
前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率を、Ａｌ系
金属膜の反射率よりも低くすることが好ましい。このよ
うにＡｌ系金属膜上面、上面及び側面、又は下面に形成
する金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率がＡｌ系金
属膜の反射率よりも低いことにより、この金属膜（Ａｌ
系金属膜を除く）が反射防止膜の役割を果たすため、バ
ックライト等の光の反射によるコントラストの低下を防
止することができる。
【００２４】また、上記の液晶表示装置の製造方法にお
いて、前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）が、高融点金
属膜であることが好適である。例えば、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｗ、及びＺｒからなる群より選ばれるいずれか１種類又
は複数種類を材料とする膜であることが望ましい。
いて、前記金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）が、高融点金
属膜であることが好適である。例えば、Ｔｉ、Ｔａ、
Ｗ、及びＺｒからなる群より選ばれるいずれか１種類又
は複数種類を材料とする膜であることが望ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施の形態）本発明の第１の実施の形態に係る
スタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を、図１を用いて
説明する。ここで、図１は本実施の形態に係るスタガー
型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を示す断面図である。図１
に示されるように、例えばガラス基板からなる透明基板
１０上に、例えばポリシリコン層からなる半導体層１２
が形成されている。また、この半導体層１２上には、ゲ
ート絶縁膜１４を介して、例えばポリシリコン層からな
るゲート電極１６が形成されている。こうして透明基板
１０上にはスタガー型ＴＦＴが形成されている。
発明の実施の形態を説明する。 （第１の実施の形態）本発明の第１の実施の形態に係る
スタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を、図１を用いて
説明する。ここで、図１は本実施の形態に係るスタガー
型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を示す断面図である。図１
に示されるように、例えばガラス基板からなる透明基板
１０上に、例えばポリシリコン層からなる半導体層１２
が形成されている。また、この半導体層１２上には、ゲ
ート絶縁膜１４を介して、例えばポリシリコン層からな
るゲート電極１６が形成されている。こうして透明基板
１０上にはスタガー型ＴＦＴが形成されている。
【００２６】また、これら透明基板１０上、半導体層１
２上、及びゲート電極１６上には、例えばＰＳＧ膜やＮ
ＳＧ膜等からなる第１の層間絶縁膜１８が形成されてい
る。また、この第１の層間絶縁膜１８上には、Ａｌ系金
属膜からなる遮光膜２０が形成されている。そしてこの
遮光膜２０上面に、Ａｌ系金属膜以外の金属膜であって
その反射率がＡｌ系金属膜の反射率よりも低いもの、例
えばＭｏ膜２２が形成されている点に、本実施の形態の
特徴がある。
２上、及びゲート電極１６上には、例えばＰＳＧ膜やＮ
ＳＧ膜等からなる第１の層間絶縁膜１８が形成されてい
る。また、この第１の層間絶縁膜１８上には、Ａｌ系金
属膜からなる遮光膜２０が形成されている。そしてこの
遮光膜２０上面に、Ａｌ系金属膜以外の金属膜であって
その反射率がＡｌ系金属膜の反射率よりも低いもの、例
えばＭｏ膜２２が形成されている点に、本実施の形態の
特徴がある。
【００２７】また、半導体層１２上の第１の層間絶縁膜
１８に開孔されたコンタクトホールを介して、半導体層
１２に接続しているＡｌ系金属膜からなるソース配線膜
２４及びドレイン配線膜２６が形成されている。そして
これらソース配線膜２４上面及びドレイン配線膜２６上
面にも、それぞれＭｏ膜２８、３０が形成されている点
に、本実施の形態の特徴がある。
１８に開孔されたコンタクトホールを介して、半導体層
１２に接続しているＡｌ系金属膜からなるソース配線膜
２４及びドレイン配線膜２６が形成されている。そして
これらソース配線膜２４上面及びドレイン配線膜２６上
面にも、それぞれＭｏ膜２８、３０が形成されている点
に、本実施の形態の特徴がある。
【００２８】また、これらのＭｏ膜２２、２８、３０上
及び第１の層間絶縁膜１８上には、例えばＰＳＧ膜やＮ
ＳＧ膜等からなる第２の層間絶縁膜３２が形成されてい
る。また、この第２の層間絶縁膜３２上には、遮光膜２
０とソース配線膜２４との間隙を覆うように、Ｔｉ膜３
４が形成されている。即ち、このＴｉ膜３４は、遮光膜
２０とソース配線膜２４との間隙を透過する光を遮断す
るＯＴＢの役割を果たすものである。また、ゲート電極
１６上方の第２の層間絶縁膜３２上及び第２の層間絶縁
膜３２に開孔されたコンタクトホール内のＭｏ膜３０上
には、Ｔｉ膜３６が形成されている。即ち、このＴｉ膜
３６は、ゲート部を透過する光を遮断するＯＴＢの役割
を果たすと共に、Ｍｏ膜３０と後述する画素電極とのコ
ンタクト抵抗を低減するためのものである。
及び第１の層間絶縁膜１８上には、例えばＰＳＧ膜やＮ
ＳＧ膜等からなる第２の層間絶縁膜３２が形成されてい
る。また、この第２の層間絶縁膜３２上には、遮光膜２
０とソース配線膜２４との間隙を覆うように、Ｔｉ膜３
４が形成されている。即ち、このＴｉ膜３４は、遮光膜
２０とソース配線膜２４との間隙を透過する光を遮断す
るＯＴＢの役割を果たすものである。また、ゲート電極
１６上方の第２の層間絶縁膜３２上及び第２の層間絶縁
膜３２に開孔されたコンタクトホール内のＭｏ膜３０上
には、Ｔｉ膜３６が形成されている。即ち、このＴｉ膜
３６は、ゲート部を透過する光を遮断するＯＴＢの役割
を果たすと共に、Ｍｏ膜３０と後述する画素電極とのコ
ンタクト抵抗を低減するためのものである。
【００２９】また、これらＴｉ膜３４、３６上及び第２
の層間絶縁膜３２上には、表面が平坦化された平坦化膜
３８が形成されている。また、この平坦化膜３８上に
は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＳｎＯ2 膜
等の透明導電膜からなる画素電極４０が形成されてお
り、その画素電極４０の一端は、Ｔｉ膜３６上の平坦化
膜３８に開孔されたコンタクトホールを介して、Ｔｉ膜
３６に接続している。即ち、画素電極４０は、Ｔｉ膜３
６及びＭｏ膜３０を介してドレイン配線膜２６に接続し
ている。また、図示はしないが、透明基板１０上方に
は、共通電極が形成されている透明基板が対向して配置
され、これら両基板の間隙には、液晶が封止されてい
る。このようにしてスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装
置が構成されている。
の層間絶縁膜３２上には、表面が平坦化された平坦化膜
３８が形成されている。また、この平坦化膜３８上に
は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＳｎＯ2 膜
等の透明導電膜からなる画素電極４０が形成されてお
り、その画素電極４０の一端は、Ｔｉ膜３６上の平坦化
膜３８に開孔されたコンタクトホールを介して、Ｔｉ膜
３６に接続している。即ち、画素電極４０は、Ｔｉ膜３
６及びＭｏ膜３０を介してドレイン配線膜２６に接続し
ている。また、図示はしないが、透明基板１０上方に
は、共通電極が形成されている透明基板が対向して配置
され、これら両基板の間隙には、液晶が封止されてい
る。このようにしてスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装
置が構成されている。
【００３０】次に、図１のスタガー型ＴＦＴ方式の液晶
表示装置の製造方法を説明する。先ず、透明基板１０上
に半導体層１２を形成した後、この半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介してゲート電極１６を形成する。こ
うして透明基板１０上にスタガー型ＴＦＴを形成する。
表示装置の製造方法を説明する。先ず、透明基板１０上
に半導体層１２を形成した後、この半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介してゲート電極１６を形成する。こ
うして透明基板１０上にスタガー型ＴＦＴを形成する。
【００３１】次いで、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor D
eposition ）法を用いて、全面に第１の層間絶縁膜１８
を成膜した後、半導体層１２上の第１の層間絶縁膜１８
にコンタクトホールを開孔する。続いて、例えばスッパ
ッタリング法を用いて、全面にＡｌ系金属膜を成膜し、
更にＭｏ膜を連続して成膜する。そしてこれらのＭｏ膜
及びＡｌ系金属膜を所定の形状にパターニングして、Ａ
ｌ系金属膜からなる遮光膜２０及び遮光膜２０上面のＭ
ｏ膜２２を形成すると共に、コンタクトホールを介して
半導体層１２に接続しているＡｌ系金属膜からなるソー
ス配線膜２４及びドレイン配線膜２６並びにソース配線
膜２４上面のＭｏ膜２８及びドレイン配線膜２６上面の
Ｍｏ膜３０を形成する。
eposition ）法を用いて、全面に第１の層間絶縁膜１８
を成膜した後、半導体層１２上の第１の層間絶縁膜１８
にコンタクトホールを開孔する。続いて、例えばスッパ
ッタリング法を用いて、全面にＡｌ系金属膜を成膜し、
更にＭｏ膜を連続して成膜する。そしてこれらのＭｏ膜
及びＡｌ系金属膜を所定の形状にパターニングして、Ａ
ｌ系金属膜からなる遮光膜２０及び遮光膜２０上面のＭ
ｏ膜２２を形成すると共に、コンタクトホールを介して
半導体層１２に接続しているＡｌ系金属膜からなるソー
ス配線膜２４及びドレイン配線膜２６並びにソース配線
膜２４上面のＭｏ膜２８及びドレイン配線膜２６上面の
Ｍｏ膜３０を形成する。
【００３２】次に、例えばＣＶＤ法を用いて、全面に第
２の層間絶縁膜３２を成膜した後、Ｍｏ膜３０上の第２
の層間絶縁膜３２にコンタクトホールを開孔する。続い
て、例えばスッパッタリング法を用いて、全面にＴｉ膜
を成膜した後、このＴｉ膜を所定の形状にパターニング
して、遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙上方の第
２の層間絶縁膜３２上にＴｉ膜３４を形成すると共に、
ゲート電極１６上方の第２の層間絶縁膜３２上及び第２
の層間絶縁膜３２に開孔されたコンタクトホール内のＭ
ｏ膜３０上にＴｉ膜３６を形成する。
２の層間絶縁膜３２を成膜した後、Ｍｏ膜３０上の第２
の層間絶縁膜３２にコンタクトホールを開孔する。続い
て、例えばスッパッタリング法を用いて、全面にＴｉ膜
を成膜した後、このＴｉ膜を所定の形状にパターニング
して、遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙上方の第
２の層間絶縁膜３２上にＴｉ膜３４を形成すると共に、
ゲート電極１６上方の第２の層間絶縁膜３２上及び第２
の層間絶縁膜３２に開孔されたコンタクトホール内のＭ
ｏ膜３０上にＴｉ膜３６を形成する。
【００３３】次いで、コーティング法を用いて、全面に
表面が平坦化された平坦化膜３８を成膜した後、Ｔｉ膜
３６上の平坦化膜３８にコンタクトホールを開孔する。
続いて、全面に透明導電膜を成膜した後、この透明導電
膜を所定の形状にパターニングして、画素電極４０を形
成すると共に、その画素電極４０の一端がコンタクトホ
ール内のＴｉ膜３６上に接続するようにする。こうして
図１に示すスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を作製
する。
表面が平坦化された平坦化膜３８を成膜した後、Ｔｉ膜
３６上の平坦化膜３８にコンタクトホールを開孔する。
続いて、全面に透明導電膜を成膜した後、この透明導電
膜を所定の形状にパターニングして、画素電極４０を形
成すると共に、その画素電極４０の一端がコンタクトホ
ール内のＴｉ膜３６上に接続するようにする。こうして
図１に示すスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を作製
する。
【００３４】このように本実施の形態によれば、Ａｌ系
金属膜からなる遮光膜２０上面、ソース配線膜２４上
面、及びドレイン配線膜２６上面にそれぞれＭｏ膜２
２、２８、３０が形成され、これら遮光膜２０、ソース
配線膜２４、及びドレイン配線膜２６の各上面と第２の
層間絶縁膜３２との間にＭｏ膜２２、２８、３０が介在
していることにより、第２の層間絶縁膜３２からの水分
供給が遮断されるため、遮光膜２０、ソース配線膜２
４、及びドレイン配線膜２６におけるヒロックの生起・
成長を抑制することができる。従って、遮光膜２０、ソ
ース配線膜２４、及びドレイン配線膜２６をなすＡｌ系
金属膜中のボイドの発生が抑制され、ソース配線膜２４
及びドレイン配線膜２６における断線不良の発生が防止
されると共に、遮光膜２０における光漏れによるコント
ラストの低下を防止することができる。
金属膜からなる遮光膜２０上面、ソース配線膜２４上
面、及びドレイン配線膜２６上面にそれぞれＭｏ膜２
２、２８、３０が形成され、これら遮光膜２０、ソース
配線膜２４、及びドレイン配線膜２６の各上面と第２の
層間絶縁膜３２との間にＭｏ膜２２、２８、３０が介在
していることにより、第２の層間絶縁膜３２からの水分
供給が遮断されるため、遮光膜２０、ソース配線膜２
４、及びドレイン配線膜２６におけるヒロックの生起・
成長を抑制することができる。従って、遮光膜２０、ソ
ース配線膜２４、及びドレイン配線膜２６をなすＡｌ系
金属膜中のボイドの発生が抑制され、ソース配線膜２４
及びドレイン配線膜２６における断線不良の発生が防止
されると共に、遮光膜２０における光漏れによるコント
ラストの低下を防止することができる。
【００３５】また、たとえヒロックが生起しても、その
後のエッチング工程において、遮光膜２０上面、ソース
配線膜２４上面、及びドレイン配線膜２６上面をそれぞ
れ覆っているＭｏ膜２２、２８、３０がエッチング保護
膜の役割を果たすため、Ａｌ系金属膜のエッチングを防
止して、ソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６にお
ける断線不良の発生や遮光膜２０における光漏れによる
コントラストの低下を防止することができる。また、た
とえヒロックの生起によりソース配線膜２４及びドレイ
ン配線膜２６における断線不良が発生しても、ソース配
線膜２４上面及びドレイン配線膜２６上面にそれぞれ形
成されたＭｏ膜２８、３０により通電が確保されるた
め、特性不良となることを防止することができる。
後のエッチング工程において、遮光膜２０上面、ソース
配線膜２４上面、及びドレイン配線膜２６上面をそれぞ
れ覆っているＭｏ膜２２、２８、３０がエッチング保護
膜の役割を果たすため、Ａｌ系金属膜のエッチングを防
止して、ソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６にお
ける断線不良の発生や遮光膜２０における光漏れによる
コントラストの低下を防止することができる。また、た
とえヒロックの生起によりソース配線膜２４及びドレイ
ン配線膜２６における断線不良が発生しても、ソース配
線膜２４上面及びドレイン配線膜２６上面にそれぞれ形
成されたＭｏ膜２８、３０により通電が確保されるた
め、特性不良となることを防止することができる。
【００３６】また、遮光膜２０上面、ソース配線膜２４
上面、及びドレイン配線膜２６上面をそれぞれ覆ってい
るＭｏ膜２２、２８、３０の反射率がＡｌ系金属膜の反
射率よりも低いことにより、これらのＭｏ膜２２、２
８、３０が反射防止膜の役割を果たすため、バックライ
ト等の光の反射によるコントラストの低下を防止するこ
とができる。
上面、及びドレイン配線膜２６上面をそれぞれ覆ってい
るＭｏ膜２２、２８、３０の反射率がＡｌ系金属膜の反
射率よりも低いことにより、これらのＭｏ膜２２、２
８、３０が反射防止膜の役割を果たすため、バックライ
ト等の光の反射によるコントラストの低下を防止するこ
とができる。
【００３７】また、本実施の形態によれば、例えばスッ
パッタリング法を用いて全面にＡｌ系金属膜及びＭｏ膜
を連続して成膜し、これらＭｏ膜及びＡｌ系金属膜を所
定の形状にパターニングして、Ａｌ系金属膜からなる遮
光膜２０及び遮光膜２０上面のＭｏ膜２２を形成すると
共に、Ａｌ系金属膜からなるソース配線膜２４及びドレ
イン配線膜２６並びにソース配線膜２４上面のＭｏ膜２
８及びドレイン配線膜２６上面のＭｏ膜３０を形成する
ため、工程数を増加することなく、Ａｌ系金属膜からな
る遮光膜２０上面、ソース配線膜２４上面、及びドレイ
ン配線膜２６上面にそれぞれＭｏ膜２２、２８、３０を
容易に形成することが可能である。
パッタリング法を用いて全面にＡｌ系金属膜及びＭｏ膜
を連続して成膜し、これらＭｏ膜及びＡｌ系金属膜を所
定の形状にパターニングして、Ａｌ系金属膜からなる遮
光膜２０及び遮光膜２０上面のＭｏ膜２２を形成すると
共に、Ａｌ系金属膜からなるソース配線膜２４及びドレ
イン配線膜２６並びにソース配線膜２４上面のＭｏ膜２
８及びドレイン配線膜２６上面のＭｏ膜３０を形成する
ため、工程数を増加することなく、Ａｌ系金属膜からな
る遮光膜２０上面、ソース配線膜２４上面、及びドレイ
ン配線膜２６上面にそれぞれＭｏ膜２２、２８、３０を
容易に形成することが可能である。
【００３８】なお、本実施の形態においては、Ａｌ系金
属膜からなる遮光膜２０上面、ソース配線膜２４上面、
及びドレイン配線膜２６上面に形成するＡｌ系金属膜以
外の金属膜であってその反射率がＡｌ系金属膜の反射率
よりも低いものとして、Ｍｏ膜２２、２８、３０を用い
ているが、Ｍｏ膜に限定されるものではない。例えばＴ
ｉ膜、Ｔａ膜、Ｗ膜、Ｚｒ膜等の他の高融点金属膜であ
ってもよい。また、１種類を材料とする膜に限定され
ず、例えばＴｉＷ膜のように複数種類を材料とする膜で
あってもよい。
属膜からなる遮光膜２０上面、ソース配線膜２４上面、
及びドレイン配線膜２６上面に形成するＡｌ系金属膜以
外の金属膜であってその反射率がＡｌ系金属膜の反射率
よりも低いものとして、Ｍｏ膜２２、２８、３０を用い
ているが、Ｍｏ膜に限定されるものではない。例えばＴ
ｉ膜、Ｔａ膜、Ｗ膜、Ｚｒ膜等の他の高融点金属膜であ
ってもよい。また、１種類を材料とする膜に限定され
ず、例えばＴｉＷ膜のように複数種類を材料とする膜で
あってもよい。
【００３９】（第２の実施の形態）本発明の第２の実施
の形態に係るスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を、
図２を用いて説明する。ここで、図２は本実施の形態に
係るスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を示す断面図
である。なお、上記図１に示すスタガー型ＴＦＴ方式の
液晶表示装置と同一の要素には同一の符号を付して説明
を省略又は簡略化する。図２に示されるように、透明基
板１０上に、半導体層１２及びこの半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極１６から
なるスタガー型ＴＦＴが形成されている。
の形態に係るスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を、
図２を用いて説明する。ここで、図２は本実施の形態に
係るスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を示す断面図
である。なお、上記図１に示すスタガー型ＴＦＴ方式の
液晶表示装置と同一の要素には同一の符号を付して説明
を省略又は簡略化する。図２に示されるように、透明基
板１０上に、半導体層１２及びこの半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極１６から
なるスタガー型ＴＦＴが形成されている。
【００４０】また、これら透明基板１０上、半導体層１
２上、及びゲート電極１６上には、第１の層間絶縁膜１
８が形成され、この第１の層間絶縁膜１８上には、Ａｌ
系金属膜からなる遮光膜２０が形成されている。そして
この遮光膜２０上面及び側面に、Ａｌ系金属膜以外の金
属膜であってその反射率がＡｌ系金属膜の反射率よりも
低いもの、例えばＭｏ膜４２が形成されている点に、本
実施の形態の特徴がある。
２上、及びゲート電極１６上には、第１の層間絶縁膜１
８が形成され、この第１の層間絶縁膜１８上には、Ａｌ
系金属膜からなる遮光膜２０が形成されている。そして
この遮光膜２０上面及び側面に、Ａｌ系金属膜以外の金
属膜であってその反射率がＡｌ系金属膜の反射率よりも
低いもの、例えばＭｏ膜４２が形成されている点に、本
実施の形態の特徴がある。
【００４１】また、半導体層１２上の第１の層間絶縁膜
１８に開孔されたコンタクトホールを介して、半導体層
１２に接続しているＡｌ系金属膜からなるソース配線膜
２４及びドレイン配線膜２６が形成されている。そして
これらソース配線膜２４上面及び側面並びにドレイン配
線膜２６上面及び側面にも、それぞれＭｏ膜４４、４６
が形成されている点に、本実施の形態の特徴がある。
１８に開孔されたコンタクトホールを介して、半導体層
１２に接続しているＡｌ系金属膜からなるソース配線膜
２４及びドレイン配線膜２６が形成されている。そして
これらソース配線膜２４上面及び側面並びにドレイン配
線膜２６上面及び側面にも、それぞれＭｏ膜４４、４６
が形成されている点に、本実施の形態の特徴がある。
【００４２】また、これらのＭｏ膜４２、４４、４６上
及び第１の層間絶縁膜１８上には、第２の層間絶縁膜３
２が形成されている。また、遮光膜２０とソース配線膜
２４との間隙上方の第２の層間絶縁膜３２上には、ＯＴ
Ｂ用のＴｉ膜３４が形成されている。また、ゲート電極
１６上方の第２の層間絶縁膜３２上及び第２の層間絶縁
膜３２に開孔されたコンタクトホール内のＭｏ膜４６上
に、Ｔｉ膜３６が形成されている。即ち、このＴｉ膜３
６は、ゲート部を透過する光を遮断するＯＴＢの役割を
果たすと共に、Ｍｏ膜４６と後述する画素電極とのコン
タクト抵抗を低減するためのものである。
及び第１の層間絶縁膜１８上には、第２の層間絶縁膜３
２が形成されている。また、遮光膜２０とソース配線膜
２４との間隙上方の第２の層間絶縁膜３２上には、ＯＴ
Ｂ用のＴｉ膜３４が形成されている。また、ゲート電極
１６上方の第２の層間絶縁膜３２上及び第２の層間絶縁
膜３２に開孔されたコンタクトホール内のＭｏ膜４６上
に、Ｔｉ膜３６が形成されている。即ち、このＴｉ膜３
６は、ゲート部を透過する光を遮断するＯＴＢの役割を
果たすと共に、Ｍｏ膜４６と後述する画素電極とのコン
タクト抵抗を低減するためのものである。
【００４３】また、これらＴｉ膜３４、３６上及び第２
の層間絶縁膜３２上には、平坦化膜３８が形成されてい
る。また、この平坦化膜３８上には、画素電極４０が形
成されており、その画素電極４０の一端は、Ｔｉ膜３６
上の平坦化膜３８に開孔されたコンタクトホールを介し
て、Ｔｉ膜３６に接続している。即ち、画素電極４０
は、Ｔｉ膜３６及びＭｏ膜４６を介してドレイン配線膜
２６に接続している。また、図示はしないが、透明基板
１０上方には、共通電極が形成されている透明基板が対
向して配置され、これら両基板の間隙には、液晶が封止
されている。このようにしてスタガー型ＴＦＴ方式の液
晶表示装置が構成されている。
の層間絶縁膜３２上には、平坦化膜３８が形成されてい
る。また、この平坦化膜３８上には、画素電極４０が形
成されており、その画素電極４０の一端は、Ｔｉ膜３６
上の平坦化膜３８に開孔されたコンタクトホールを介し
て、Ｔｉ膜３６に接続している。即ち、画素電極４０
は、Ｔｉ膜３６及びＭｏ膜４６を介してドレイン配線膜
２６に接続している。また、図示はしないが、透明基板
１０上方には、共通電極が形成されている透明基板が対
向して配置され、これら両基板の間隙には、液晶が封止
されている。このようにしてスタガー型ＴＦＴ方式の液
晶表示装置が構成されている。
【００４４】次に、図２のスタガー型ＴＦＴ方式の液晶
表示装置の製造方法を説明する。先ず、透明基板１０上
に半導体層１２を形成した後、この半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介してゲート電極１６を形成する。こ
うして透明基板１０上にスタガー型ＴＦＴを形成する。
表示装置の製造方法を説明する。先ず、透明基板１０上
に半導体層１２を形成した後、この半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介してゲート電極１６を形成する。こ
うして透明基板１０上にスタガー型ＴＦＴを形成する。
【００４５】次いで、例えばＣＶＤ法を用いて、全面に
第１の層間絶縁膜１８を成膜した後、半導体層１２上の
第１の層間絶縁膜１８にコンタクトホールを開孔する。
続いて、例えばスッパッタリング法を用いて、全面にＡ
ｌ系金属膜を成膜する。そしてこのＡｌ系金属膜を所定
の形状にパターニングして、遮光膜２０を形成すると共
に、コンタクトホールを介して半導体層１２に接続する
ソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６を形成する。
第１の層間絶縁膜１８を成膜した後、半導体層１２上の
第１の層間絶縁膜１８にコンタクトホールを開孔する。
続いて、例えばスッパッタリング法を用いて、全面にＡ
ｌ系金属膜を成膜する。そしてこのＡｌ系金属膜を所定
の形状にパターニングして、遮光膜２０を形成すると共
に、コンタクトホールを介して半導体層１２に接続する
ソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６を形成する。
【００４６】次に、例えばスッパッタリング法を用い
て、全面にＭｏ膜を成膜した後、このＭｏ膜を所定の形
状にパターニングして、遮光膜２０上面及び側面にＭｏ
膜４２を形成すると共に、ソース配線膜２４上面及び側
面並びにドレイン配線膜２６上面及び側面にも、それぞ
れＭｏ膜４４、４６を形成する。
て、全面にＭｏ膜を成膜した後、このＭｏ膜を所定の形
状にパターニングして、遮光膜２０上面及び側面にＭｏ
膜４２を形成すると共に、ソース配線膜２４上面及び側
面並びにドレイン配線膜２６上面及び側面にも、それぞ
れＭｏ膜４４、４６を形成する。
【００４７】次に、例えばＣＶＤ法を用いて、全面に第
２の層間絶縁膜３２を成膜した後、Ｍｏ膜４６上の第２
の層間絶縁膜３２にコンタクトホールを開孔する。続い
て、例えばスッパッタリング法を用いて、全面にＴｉ膜
を成膜した後、このＴｉ膜を所定の形状にパターニング
して、遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙上方の第
２の層間絶縁膜３２上にＴｉ膜３４を形成すると共に、
ゲート電極１６上方の第２の層間絶縁膜３２上及び第２
の層間絶縁膜３２に開孔されたコンタクトホール内のＭ
ｏ膜４６上にＴｉ膜３６を形成する。
２の層間絶縁膜３２を成膜した後、Ｍｏ膜４６上の第２
の層間絶縁膜３２にコンタクトホールを開孔する。続い
て、例えばスッパッタリング法を用いて、全面にＴｉ膜
を成膜した後、このＴｉ膜を所定の形状にパターニング
して、遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙上方の第
２の層間絶縁膜３２上にＴｉ膜３４を形成すると共に、
ゲート電極１６上方の第２の層間絶縁膜３２上及び第２
の層間絶縁膜３２に開孔されたコンタクトホール内のＭ
ｏ膜４６上にＴｉ膜３６を形成する。
【００４８】次に、コーティング法を用いて、全面に平
坦化膜３８を成膜した後、Ｔｉ膜３６上の平坦化膜３８
にコンタクトホールを開孔する。続いて、全面に透明導
電膜を成膜した後、この透明導電膜を所定の形状にパタ
ーニングして、画素電極４０を形成すると共に、その画
素電極４０の一端がコンタクトホール内のＴｉ膜３６上
に接続するようにする。こうして図２に示すスタガー型
ＴＦＴ方式の液晶表示装置を作製する。
坦化膜３８を成膜した後、Ｔｉ膜３６上の平坦化膜３８
にコンタクトホールを開孔する。続いて、全面に透明導
電膜を成膜した後、この透明導電膜を所定の形状にパタ
ーニングして、画素電極４０を形成すると共に、その画
素電極４０の一端がコンタクトホール内のＴｉ膜３６上
に接続するようにする。こうして図２に示すスタガー型
ＴＦＴ方式の液晶表示装置を作製する。
【００４９】このように本実施の形態によれば、Ａｌ系
金属膜からなる遮光膜２０上面及び側面、ソース配線膜
２４上面及び側面、並びにドレイン配線膜２６上面及び
側面にそれぞれＭｏ膜４２、４４、４６が形成され、こ
れら遮光膜２０、ソース配線膜２４、及びドレイン配線
膜２６の各上面及び側面と第２の層間絶縁膜３２との間
にＭｏ膜４２、４４、４６が介在していることにより、
上記第１の実施の形態に係る場合よりも更に徹底して第
２の層間絶縁膜３２からの水分供給が遮断されるため、
より効果的にヒロックの生起・成長を抑制することがで
きる。従って、上記第１の実施の形態の場合よりも更に
効果的に遮光膜２０、ソース配線膜２４、及びドレイン
配線膜２６をなすＡｌ系金属膜中のボイドの発生が抑制
され、ソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６におけ
る断線不良の発生が防止されると共に、遮光膜２０にお
ける光漏れによるコントラストの低下を防止することが
できる。
金属膜からなる遮光膜２０上面及び側面、ソース配線膜
２４上面及び側面、並びにドレイン配線膜２６上面及び
側面にそれぞれＭｏ膜４２、４４、４６が形成され、こ
れら遮光膜２０、ソース配線膜２４、及びドレイン配線
膜２６の各上面及び側面と第２の層間絶縁膜３２との間
にＭｏ膜４２、４４、４６が介在していることにより、
上記第１の実施の形態に係る場合よりも更に徹底して第
２の層間絶縁膜３２からの水分供給が遮断されるため、
より効果的にヒロックの生起・成長を抑制することがで
きる。従って、上記第１の実施の形態の場合よりも更に
効果的に遮光膜２０、ソース配線膜２４、及びドレイン
配線膜２６をなすＡｌ系金属膜中のボイドの発生が抑制
され、ソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６におけ
る断線不良の発生が防止されると共に、遮光膜２０にお
ける光漏れによるコントラストの低下を防止することが
できる。
【００５０】また、たとえヒロックが生起しても、上記
第１の実施の形態の場合と同様に、その後のエッチング
工程において、Ｍｏ膜４２、４４、４６がエッチング保
護膜の役割を果たすため、Ａｌ系金属膜のエッチングを
防止して、断線不良の発生や光漏れによるコントラスト
の低下を防止することができる。また、たとえヒロック
の生起によりソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６
における断線不良が発生しても、上記第１の実施の形態
の場合と同様に、Ｍｏ膜４４、４６により通電が確保さ
れるため、特性不良となることを防止することができ
る。
第１の実施の形態の場合と同様に、その後のエッチング
工程において、Ｍｏ膜４２、４４、４６がエッチング保
護膜の役割を果たすため、Ａｌ系金属膜のエッチングを
防止して、断線不良の発生や光漏れによるコントラスト
の低下を防止することができる。また、たとえヒロック
の生起によりソース配線膜２４及びドレイン配線膜２６
における断線不良が発生しても、上記第１の実施の形態
の場合と同様に、Ｍｏ膜４４、４６により通電が確保さ
れるため、特性不良となることを防止することができ
る。
【００５１】また、上記第１の実施の形態の場合と同様
に、Ｍｏ膜４２、４４、４６が反射防止膜の役割を果た
すため、バックライト等の光の反射によるコントラスト
の低下を防止することができる。なお、本実施の形態に
おいても、上記第１の実施の形態の場合と同様に、Ｍｏ
膜４２、４４、４６の代わりに、例えばＴｉ膜、Ｔａ
膜、Ｗ膜、Ｚｒ膜、Ｎｂ膜、Ｈｆ膜、又はＶ膜等の他の
高融点金属膜を用いてもよいし、例えばＴｉＷ膜のよう
に複数種類を材料とする膜を用いてもよい。
に、Ｍｏ膜４２、４４、４６が反射防止膜の役割を果た
すため、バックライト等の光の反射によるコントラスト
の低下を防止することができる。なお、本実施の形態に
おいても、上記第１の実施の形態の場合と同様に、Ｍｏ
膜４２、４４、４６の代わりに、例えばＴｉ膜、Ｔａ
膜、Ｗ膜、Ｚｒ膜、Ｎｂ膜、Ｈｆ膜、又はＶ膜等の他の
高融点金属膜を用いてもよいし、例えばＴｉＷ膜のよう
に複数種類を材料とする膜を用いてもよい。
【００５２】（第３の実施の形態）本発明の第３の実施
の形態に係るスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を、
図３を用いて説明する。ここで、図３は本実施の形態に
係るスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を示す断面図
である。なお、上記図２に示すスタガー型ＴＦＴ方式の
液晶表示装置と同一の要素には同一の符号を付して説明
を省略又は簡略化する。図３に示されるように、透明基
板１０上に、半導体層１２及びこの半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極１６から
なるスタガー型ＴＦＴが形成されている。
の形態に係るスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を、
図３を用いて説明する。ここで、図３は本実施の形態に
係るスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を示す断面図
である。なお、上記図２に示すスタガー型ＴＦＴ方式の
液晶表示装置と同一の要素には同一の符号を付して説明
を省略又は簡略化する。図３に示されるように、透明基
板１０上に、半導体層１２及びこの半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介して設けられたゲート電極１６から
なるスタガー型ＴＦＴが形成されている。
【００５３】また、これら透明基板１０上、半導体層１
２上、及びゲート電極１６上には、第１の層間絶縁膜１
８が形成されている。また、この第１の層間絶縁膜１８
上には、Ａｌ系金属膜からなる遮光膜２０が形成されて
いる。そしてこの遮光膜２０下面と第１の層間絶縁膜１
８表面との間に、Ａｌ系金属膜以外の金属膜であってそ
の反射率がＡｌ系金属膜の反射率よりも低いもの、例え
ばＭｏ膜４８が介在して形成されている点に、本実施の
形態の特徴がある。また、半導体層１２上の第１の層間
絶縁膜１８に開孔されたコンタクトホールを介して、半
導体層１２に接続しているＡｌ系金属膜からなるソース
配線膜２４及びドレイン配線膜２６が形成されている。
そしてこれらソース配線膜２４下面及びドレイン配線膜
２６下面と第１の層間絶縁膜１８表面及びコンタクトホ
ール内の半導体層１２表面との間にも、それぞれＭｏ膜
５０、５２が介在して形成されている点に、本実施の形
態の特徴がある。
２上、及びゲート電極１６上には、第１の層間絶縁膜１
８が形成されている。また、この第１の層間絶縁膜１８
上には、Ａｌ系金属膜からなる遮光膜２０が形成されて
いる。そしてこの遮光膜２０下面と第１の層間絶縁膜１
８表面との間に、Ａｌ系金属膜以外の金属膜であってそ
の反射率がＡｌ系金属膜の反射率よりも低いもの、例え
ばＭｏ膜４８が介在して形成されている点に、本実施の
形態の特徴がある。また、半導体層１２上の第１の層間
絶縁膜１８に開孔されたコンタクトホールを介して、半
導体層１２に接続しているＡｌ系金属膜からなるソース
配線膜２４及びドレイン配線膜２６が形成されている。
そしてこれらソース配線膜２４下面及びドレイン配線膜
２６下面と第１の層間絶縁膜１８表面及びコンタクトホ
ール内の半導体層１２表面との間にも、それぞれＭｏ膜
５０、５２が介在して形成されている点に、本実施の形
態の特徴がある。
【００５４】また、遮光膜２０上、ソース配線膜２４
上、ドレイン配線膜２６上、及び第１の層間絶縁膜１８
上には、第２の層間絶縁膜３２が形成されている。ま
た、遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙上方の第２
の層間絶縁膜３２上には、ＯＣＢ用のＴｉ膜３４が形成
されている。また、ゲート電極１６上方の第２の層間絶
縁膜３２上及び第２の層間絶縁膜３２に開孔されたコン
タクトホール内のドレイン配線膜２６上に、Ｔｉ膜３６
が形成されている。即ち、このＴｉ膜３６は、ゲート部
を透過する光を遮断するＯＣＢの役割を果たすと共に、
Ａｌ系金属膜からなるドレイン配線膜２６と後述する画
素電極とのコンタクト抵抗を低減するためのものであ
る。
上、ドレイン配線膜２６上、及び第１の層間絶縁膜１８
上には、第２の層間絶縁膜３２が形成されている。ま
た、遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙上方の第２
の層間絶縁膜３２上には、ＯＣＢ用のＴｉ膜３４が形成
されている。また、ゲート電極１６上方の第２の層間絶
縁膜３２上及び第２の層間絶縁膜３２に開孔されたコン
タクトホール内のドレイン配線膜２６上に、Ｔｉ膜３６
が形成されている。即ち、このＴｉ膜３６は、ゲート部
を透過する光を遮断するＯＣＢの役割を果たすと共に、
Ａｌ系金属膜からなるドレイン配線膜２６と後述する画
素電極とのコンタクト抵抗を低減するためのものであ
る。
【００５５】また、これらＴｉ膜３４、３６上、及び第
２の層間絶縁膜３２上には、平坦化膜３８が形成されて
いる。また、この平坦化膜３８上には、画素電極４０が
形成されており、その画素電極４０の一端は、Ｔｉ膜３
６上の平坦化膜３８に開孔されたコンタクトホールを介
して、Ｔｉ膜３６に接続している。即ち、画素電極４０
は、Ｔｉ膜３６を介してドレイン配線膜２６に接続して
いる。また、図示はしないが、透明基板１０上方には、
共通電極が形成されている透明基板が対向して配置さ
れ、これら両基板の間隙には、液晶が封止されている。
このようにしてスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置が
構成されている。
２の層間絶縁膜３２上には、平坦化膜３８が形成されて
いる。また、この平坦化膜３８上には、画素電極４０が
形成されており、その画素電極４０の一端は、Ｔｉ膜３
６上の平坦化膜３８に開孔されたコンタクトホールを介
して、Ｔｉ膜３６に接続している。即ち、画素電極４０
は、Ｔｉ膜３６を介してドレイン配線膜２６に接続して
いる。また、図示はしないが、透明基板１０上方には、
共通電極が形成されている透明基板が対向して配置さ
れ、これら両基板の間隙には、液晶が封止されている。
このようにしてスタガー型ＴＦＴ方式の液晶表示装置が
構成されている。
【００５６】次に、図３のスタガー型ＴＦＴ方式の液晶
表示装置の製造方法を説明する。先ず、透明基板１０上
に半導体層１２を形成した後、この半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介してゲート電極１６を形成する。こ
うして透明基板１０上にスタガー型ＴＦＴを形成する。
次いで、例えばＣＶＤ法を用いて、全面に第１の層間絶
縁膜１８を成膜した後、半導体層１２上の第１の層間絶
縁膜１８にコンタクトホールを開孔する。続いて、例え
ばスッパッタリング法を用いて、全面にＭｏ膜及びＡｌ
系金属膜を連続して成膜する。そしてこのＡｌ系金属膜
及びＭｏ膜を所定の形状にパターニングして、第１の層
間絶縁膜１８上にＭｏ膜４８を介してＡｌ系金属膜から
なる遮光膜２０を形成すると共に、コンタクトホール内
の半導体層１２上及び第１の層間絶縁膜１８上にＭｏ膜
５０、５２を介してＡｌ系金属膜からなるソース配線膜
２４及びドレイン配線膜２６をそれぞれ形成する。
表示装置の製造方法を説明する。先ず、透明基板１０上
に半導体層１２を形成した後、この半導体層１２上にゲ
ート絶縁膜１４を介してゲート電極１６を形成する。こ
うして透明基板１０上にスタガー型ＴＦＴを形成する。
次いで、例えばＣＶＤ法を用いて、全面に第１の層間絶
縁膜１８を成膜した後、半導体層１２上の第１の層間絶
縁膜１８にコンタクトホールを開孔する。続いて、例え
ばスッパッタリング法を用いて、全面にＭｏ膜及びＡｌ
系金属膜を連続して成膜する。そしてこのＡｌ系金属膜
及びＭｏ膜を所定の形状にパターニングして、第１の層
間絶縁膜１８上にＭｏ膜４８を介してＡｌ系金属膜から
なる遮光膜２０を形成すると共に、コンタクトホール内
の半導体層１２上及び第１の層間絶縁膜１８上にＭｏ膜
５０、５２を介してＡｌ系金属膜からなるソース配線膜
２４及びドレイン配線膜２６をそれぞれ形成する。
【００５７】次に、例えばＣＶＤ法を用いて、全面に第
２の層間絶縁膜３２を成膜した後、ドレイン配線膜２６
上の第２の層間絶縁膜３２にコンタクトホールを開孔す
る。続いて、例えばスッパッタリング法を用いて、全面
にＴｉ膜を成膜した後、このＴｉ膜を所定の形状にパタ
ーニングして、遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙
上方の第２の層間絶縁膜３２上にＴｉ膜３４を形成する
と共に、ゲート電極１６上方の第２の層間絶縁膜３２上
及び第２の層間絶縁膜３２に開孔されたコンタクトホー
ル内のドレイン配線膜２６上にＴｉ膜３６を形成する。
２の層間絶縁膜３２を成膜した後、ドレイン配線膜２６
上の第２の層間絶縁膜３２にコンタクトホールを開孔す
る。続いて、例えばスッパッタリング法を用いて、全面
にＴｉ膜を成膜した後、このＴｉ膜を所定の形状にパタ
ーニングして、遮光膜２０とソース配線膜２４との間隙
上方の第２の層間絶縁膜３２上にＴｉ膜３４を形成する
と共に、ゲート電極１６上方の第２の層間絶縁膜３２上
及び第２の層間絶縁膜３２に開孔されたコンタクトホー
ル内のドレイン配線膜２６上にＴｉ膜３６を形成する。
【００５８】次いで、コーティング法を用いて、全面に
平坦化膜３８を成膜した後、Ｔｉ膜３６上の平坦化膜３
８にコンタクトホールを開孔する。続いて、全面に透明
導電膜を成膜した後、この透明導電膜を所定の形状にパ
ターニングして、画素電極４０を形成すると共に、その
画素電極４０の一端がコンタクトホール内のＴｉ膜３６
上に接続するようにする。こうして図３に示すスタガー
型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を作製する。
平坦化膜３８を成膜した後、Ｔｉ膜３６上の平坦化膜３
８にコンタクトホールを開孔する。続いて、全面に透明
導電膜を成膜した後、この透明導電膜を所定の形状にパ
ターニングして、画素電極４０を形成すると共に、その
画素電極４０の一端がコンタクトホール内のＴｉ膜３６
上に接続するようにする。こうして図３に示すスタガー
型ＴＦＴ方式の液晶表示装置を作製する。
【００５９】このように本実施の形態によれば、Ａｌ系
金属膜からなる遮光膜２０下面、ソース配線膜２４下
面、及びドレイン配線膜２６下面にそれぞれＭｏ膜４
８、５０、５２が形成され、これら遮光膜２０、ソース
配線膜２４、及びドレイン配線膜２６の各下面と第１の
層間絶縁膜１８との間にＭｏ膜４８、５０、５２が介在
していることにより、第１の層間絶縁膜１８からの水分
供給が遮断されるため、ヒロックの生起・成長を抑制す
ることができる。従って、遮光膜２０、ソース配線膜２
４、及びドレイン配線膜２６をなすＡｌ系金属膜中のボ
イドの発生が抑制され、ソース配線膜２４及びドレイン
配線膜２６における断線不良の発生が防止されると共
に、遮光膜２０における光漏れによるコントラストの低
下を防止することができる。
金属膜からなる遮光膜２０下面、ソース配線膜２４下
面、及びドレイン配線膜２６下面にそれぞれＭｏ膜４
８、５０、５２が形成され、これら遮光膜２０、ソース
配線膜２４、及びドレイン配線膜２６の各下面と第１の
層間絶縁膜１８との間にＭｏ膜４８、５０、５２が介在
していることにより、第１の層間絶縁膜１８からの水分
供給が遮断されるため、ヒロックの生起・成長を抑制す
ることができる。従って、遮光膜２０、ソース配線膜２
４、及びドレイン配線膜２６をなすＡｌ系金属膜中のボ
イドの発生が抑制され、ソース配線膜２４及びドレイン
配線膜２６における断線不良の発生が防止されると共
に、遮光膜２０における光漏れによるコントラストの低
下を防止することができる。
【００６０】また、たとえヒロックの生起によりソース
配線膜２４及びドレイン配線膜２６における断線不良が
発生しても、ソース配線膜２４下面及びドレイン配線膜
２６下面にそれぞれ形成されたＭｏ膜５０、５２により
通電が確保されるため、特性不良となることを防止する
ことができる。また、遮光膜２０下面、ソース配線膜２
４下面、及びドレイン配線膜２６下面をそれぞれ覆って
いるＭｏ膜４８、５０、５２の反射率がＡｌ系金属膜の
反射率よりも低いことにより、これらのＭｏ膜４８、５
０、５２が反射防止膜の役割を果たすため、光の反射に
よるコントラストの低下を防止することができる。
配線膜２４及びドレイン配線膜２６における断線不良が
発生しても、ソース配線膜２４下面及びドレイン配線膜
２６下面にそれぞれ形成されたＭｏ膜５０、５２により
通電が確保されるため、特性不良となることを防止する
ことができる。また、遮光膜２０下面、ソース配線膜２
４下面、及びドレイン配線膜２６下面をそれぞれ覆って
いるＭｏ膜４８、５０、５２の反射率がＡｌ系金属膜の
反射率よりも低いことにより、これらのＭｏ膜４８、５
０、５２が反射防止膜の役割を果たすため、光の反射に
よるコントラストの低下を防止することができる。
【００６１】また、本実施の形態によれば、例えばスッ
パッタリング法を用いて全面にＭｏ膜及びＡｌ系金属膜
を連続して成膜し、これらＡｌ系金属膜及びＭｏ膜を所
定の形状にパターニングして、Ａｌ系金属膜からなる遮
光膜２０及び遮光膜２０下面のＭｏ膜４８を形成すると
共に、Ａｌ系金属膜からなるソース配線膜２４及びドレ
イン配線膜２６並びにソース配線膜２４下面のＭｏ膜５
０及びドレイン配線膜２６下面のＭｏ膜５２を形成する
ため、工程数を増加することなく、Ａｌ系金属膜からな
る遮光膜２０下面、ソース配線膜２４下面、及びドレイ
ン配線膜２６下面にそれぞれＭｏ膜４８、５０、５２を
容易に形成することが可能である。
パッタリング法を用いて全面にＭｏ膜及びＡｌ系金属膜
を連続して成膜し、これらＡｌ系金属膜及びＭｏ膜を所
定の形状にパターニングして、Ａｌ系金属膜からなる遮
光膜２０及び遮光膜２０下面のＭｏ膜４８を形成すると
共に、Ａｌ系金属膜からなるソース配線膜２４及びドレ
イン配線膜２６並びにソース配線膜２４下面のＭｏ膜５
０及びドレイン配線膜２６下面のＭｏ膜５２を形成する
ため、工程数を増加することなく、Ａｌ系金属膜からな
る遮光膜２０下面、ソース配線膜２４下面、及びドレイ
ン配線膜２６下面にそれぞれＭｏ膜４８、５０、５２を
容易に形成することが可能である。
【００６２】なお、本実施の形態においても、上記第２
の実施の形態の場合と同様に、Ｍｏ膜４８、５０、５２
の代わりに、例えばＴｉ膜、Ｔａ膜、Ｗ膜、Ｚｒ膜等の
他の高融点金属膜を用いてもよいし、例えばＴｉＷ膜の
ように複数種類を材料とする膜を用いてもよい。
の実施の形態の場合と同様に、Ｍｏ膜４８、５０、５２
の代わりに、例えばＴｉ膜、Ｔａ膜、Ｗ膜、Ｚｒ膜等の
他の高融点金属膜を用いてもよいし、例えばＴｉＷ膜の
ように複数種類を材料とする膜を用いてもよい。
【００６３】また、上記第１の実施の形態においては、
Ａｌ系金属膜からなる遮光膜２０、ソース配線膜２４、
及びドレイン配線膜２６の各上面と第２の層間絶縁膜３
２との間にＭｏ膜２２、２８、３０を介在させることに
より、第２の層間絶縁膜３２からの水分供給を遮断し、
上記第２の実施の形態においては、遮光膜２０、ソース
配線膜２４、及びドレイン配線膜２６の各上面及び側面
と第２の層間絶縁膜３２との間にＭｏ膜４２、４４、４
６を介在させることにより、更に徹底して第２の層間絶
縁膜３２からの水分供給を遮断し、上記第３の実施の形
態においては、遮光膜２０、ソース配線膜２４、及びド
レイン配線膜２６の各下面と第１の層間絶縁膜１８との
間にＭｏ膜４８、５０、５２を介在させることにより、
第１の層間絶縁膜１８からの水分供給を遮断して、それ
ぞれヒロックの生起・成長を抑制しているが、更に第１
の実施の形態と第３の実施の形態とを組み合わせてもよ
いし、第２の実施の形態と第３の実施の形態とを組み合
わせてもよい。この場合、Ａｌ系金属膜からなる遮光膜
２０、ソース配線膜２４、及びドレイン配線膜２６の各
上面及び下面又は各上面、側面、及び下面にＭｏ膜が形
成され、第１の層間絶縁膜１８及び第２の層間絶縁膜３
２からの水分供給を完全に遮断されるため、ヒロックの
生起・成長をより効果的に抑制することができる。
Ａｌ系金属膜からなる遮光膜２０、ソース配線膜２４、
及びドレイン配線膜２６の各上面と第２の層間絶縁膜３
２との間にＭｏ膜２２、２８、３０を介在させることに
より、第２の層間絶縁膜３２からの水分供給を遮断し、
上記第２の実施の形態においては、遮光膜２０、ソース
配線膜２４、及びドレイン配線膜２６の各上面及び側面
と第２の層間絶縁膜３２との間にＭｏ膜４２、４４、４
６を介在させることにより、更に徹底して第２の層間絶
縁膜３２からの水分供給を遮断し、上記第３の実施の形
態においては、遮光膜２０、ソース配線膜２４、及びド
レイン配線膜２６の各下面と第１の層間絶縁膜１８との
間にＭｏ膜４８、５０、５２を介在させることにより、
第１の層間絶縁膜１８からの水分供給を遮断して、それ
ぞれヒロックの生起・成長を抑制しているが、更に第１
の実施の形態と第３の実施の形態とを組み合わせてもよ
いし、第２の実施の形態と第３の実施の形態とを組み合
わせてもよい。この場合、Ａｌ系金属膜からなる遮光膜
２０、ソース配線膜２４、及びドレイン配線膜２６の各
上面及び下面又は各上面、側面、及び下面にＭｏ膜が形
成され、第１の層間絶縁膜１８及び第２の層間絶縁膜３
２からの水分供給を完全に遮断されるため、ヒロックの
生起・成長をより効果的に抑制することができる。
【００６４】また、上記第１の実施の形態においては、
ドレイン配線膜２６上面のＭｏ膜３０と画素電極４０と
の間に、上記第２の実施の形態においては、ドレイン配
線膜２６上面のＭｏ膜４６と画素電極４０との間に、上
記第３の実施の形態においては、ドレイン配線膜２６と
画素電極４０との間に、それぞれＴｉ膜３６が介在して
いるが、このＴｉ膜３６は、Ｍｏ膜３０、Ｍｏ膜４６、
又はドレイン配線膜２６と画素電極４０とのコンタクト
抵抗を低減するために設けられているものであるため、
このコンタクト抵抗が高くない場合はＴｉ膜３６を介在
させる必要はない。例えば、上記第１及び第２の実施の
形態において、Ｍｏ膜３０、４６の代わりに例えばＴｉ
膜を用いるような場合には、そのＴｉ膜と画素電極４０
とのコンタクト抵抗は高くないため、Ｔｉ膜３６を介在
させる必要はない。
ドレイン配線膜２６上面のＭｏ膜３０と画素電極４０と
の間に、上記第２の実施の形態においては、ドレイン配
線膜２６上面のＭｏ膜４６と画素電極４０との間に、上
記第３の実施の形態においては、ドレイン配線膜２６と
画素電極４０との間に、それぞれＴｉ膜３６が介在して
いるが、このＴｉ膜３６は、Ｍｏ膜３０、Ｍｏ膜４６、
又はドレイン配線膜２６と画素電極４０とのコンタクト
抵抗を低減するために設けられているものであるため、
このコンタクト抵抗が高くない場合はＴｉ膜３６を介在
させる必要はない。例えば、上記第１及び第２の実施の
形態において、Ｍｏ膜３０、４６の代わりに例えばＴｉ
膜を用いるような場合には、そのＴｉ膜と画素電極４０
とのコンタクト抵抗は高くないため、Ｔｉ膜３６を介在
させる必要はない。
【００６５】
【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明によ
れば、Ａｌ系金属膜上面、上面及び側面、又は下面に金
属膜（Ａｌ系金属膜を除く）が形成されていることによ
り、Ａｌ系金属膜に隣接する層間絶縁膜からＡｌ系金属
膜への水分供給が遮断されるため、ヒロックの生起・成
長を抑制することができる。従って、Ａｌ系金属膜中の
ボイドの発生が抑制され、Ａｌ系金属膜からなる配線膜
における断線不良の発生を撲滅すると共に、Ａｌ系金属
膜からなる遮光膜における光漏れを防止してコントラス
トの向上を実現することができる。また、たとえヒロッ
クが生起しても、その後のエッチング工程において、Ａ
ｌ系金属膜上面又は上面及び側面を覆う金属膜（Ａｌ系
金属膜を除く）がエッチング保護膜の役割を果たすた
め、Ａｌ系金属膜のエッチングを防止して、断線不良の
撲滅やコントラストの向上を実現することができる。ま
た、たとえヒロックの生起によりＡｌ系金属膜の断線不
良が発生しても、Ａｌ系金属膜上面又は下面に形成され
た金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）により通電が確保され
るため、信頼性の向上を実現することができる。
れば、Ａｌ系金属膜上面、上面及び側面、又は下面に金
属膜（Ａｌ系金属膜を除く）が形成されていることによ
り、Ａｌ系金属膜に隣接する層間絶縁膜からＡｌ系金属
膜への水分供給が遮断されるため、ヒロックの生起・成
長を抑制することができる。従って、Ａｌ系金属膜中の
ボイドの発生が抑制され、Ａｌ系金属膜からなる配線膜
における断線不良の発生を撲滅すると共に、Ａｌ系金属
膜からなる遮光膜における光漏れを防止してコントラス
トの向上を実現することができる。また、たとえヒロッ
クが生起しても、その後のエッチング工程において、Ａ
ｌ系金属膜上面又は上面及び側面を覆う金属膜（Ａｌ系
金属膜を除く）がエッチング保護膜の役割を果たすた
め、Ａｌ系金属膜のエッチングを防止して、断線不良の
撲滅やコントラストの向上を実現することができる。ま
た、たとえヒロックの生起によりＡｌ系金属膜の断線不
良が発生しても、Ａｌ系金属膜上面又は下面に形成され
た金属膜（Ａｌ系金属膜を除く）により通電が確保され
るため、信頼性の向上を実現することができる。
【００６６】また、本発明によれば、Ａｌ系金属膜上
面、上面及び側面、又は下面に形成されている金属膜
（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率がＡｌ系金属膜の反射
率よりも低いことにより、この金属膜（Ａｌ系金属膜を
除く）が反射防止膜の役割を果たすため、バックライト
等の光の反射を防止してコントラストの向上を実現する
ことができる。
面、上面及び側面、又は下面に形成されている金属膜
（Ａｌ系金属膜を除く）の反射率がＡｌ系金属膜の反射
率よりも低いことにより、この金属膜（Ａｌ系金属膜を
除く）が反射防止膜の役割を果たすため、バックライト
等の光の反射を防止してコントラストの向上を実現する
ことができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る液晶表示装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る液晶表示装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の第３の実施の形態に係る液晶表示装置
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】従来の液晶表示装置を示す断面図である。
１０……透明基板、１２……半導体層、１４……ゲート
絶縁膜、１６……ゲート電極、１８……第１の層間絶縁
膜、２０……遮光膜、２２……Ｍｏ膜、２４……ソース
配線膜、２６……ドレイン配線膜、２８、３０……Ｍｏ
膜、３２……第２の層間絶縁膜、３４、３６……Ｔｉ
膜、３８……平坦化膜、４０……画素電極、４２、４
４、４６、４８、５０、５２……Ｍｏ膜。
絶縁膜、１６……ゲート電極、１８……第１の層間絶縁
膜、２０……遮光膜、２２……Ｍｏ膜、２４……ソース
配線膜、２６……ドレイン配線膜、２８、３０……Ｍｏ
膜、３２……第２の層間絶縁膜、３４、３６……Ｔｉ
膜、３８……平坦化膜、４０……画素電極、４２、４
４、４６、４８、５０、５２……Ｍｏ膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/40 Ｈ０１Ｌ 21/88 Ｎ 29/78 ６１６Ｖ
Claims (11)
- 【請求項１】 アルミニウム系金属膜が配線膜又は遮光
膜として使用されている液晶表示装置であって、 前記アルミニウム系金属膜上面、又は前記アルミニウム
系金属膜上面及び側面に、金属膜（アルミニウム系金属
膜を除く）が形成されていることを特徴とする液晶表示
装置。 - 【請求項２】 アルミニウム系金属膜が配線膜又は遮光
膜として使用されている液晶表示装置であって、 前記アルミニウム系金属膜下面に、金属膜（アルミニウ
ム系金属膜を除く）が形成されていることを特徴とする
液晶表示装置。 - 【請求項３】 請求項１又は２に記載の液晶表示装置に
おいて、 前記金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）の反射率
が、アルミニウム系金属膜の反射率よりも低いことを特
徴とする液晶表示装置。 - 【請求項４】 請求項１又は２に記載の液晶表示装置に
おいて、 前記金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）が、高融点
金属膜であることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項５】 請求項４記載の液晶表示装置において、 前記高融点金属膜が、チタン、モリブデン、タンタル、
タングステン、及びジルコニウムからなる群より選ばれ
るいずれか１種類又は複数種類を材料とする膜であるこ
とを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項６】 透明基板上に、半導体層及び前記半導体
層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極から
なる薄膜トランジスタを形成する第１の工程と、 全面に第１の層間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上
の前記第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開
孔する第２の工程と、 全面にアルミニウム系金属膜及び金属膜（アルミニウム
系金属膜を除く）を順に堆積した後、前記金属膜（アル
ミニウム系金属膜を除く）及び前記アルミニウム系金属
膜を所定の形状にパターニングして、前記第１のコンタ
クトホール内の前記半導体層に接続する前記アルミニウ
ム系金属膜からなる配線膜及び前記第１の層間絶縁膜上
の前記アルミニウム系金属膜からなる遮光膜を形成する
と共に、前記配線膜及び前記遮光膜をなす前記アルミニ
ウム系金属膜上面に前記金属膜（アルミニウム系金属膜
を除く）を形成する第３の工程と、 全面に第２の層間絶縁膜を堆積した後、前記配線膜上方
の前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを開
孔し、前記第２のコンタクトホール内の前記金属膜（ア
ルミニウム系金属膜を除く）に接続する透明電極膜を形
成する第４の工程とを有することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項７】 透明基板上に、半導体層及び前記半導体
層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極から
なる薄膜トランジスタを形成する第１の工程と、 全面に第１の層間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上
の前記第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開
孔する第２の工程と、 全面にアルミニウム系金属膜を堆積し、所定の形状にパ
ターニングして、前記第１のコンタクトホール内の前記
半導体層に接続する前記アルミニウム系金属膜からなる
配線膜及び前記第１の層間絶縁膜上の前記アルミニウム
系金属膜からなる遮光膜を形成した後、全面に金属膜
（アルミニウム系金属膜を除く）を堆積し、所定の形状
にパターニングして、前記配線膜及び前記遮光膜をなす
前記アルミニウム系金属膜上面及び側面に前記金属膜
（アルミニウム系金属膜を除く）を形成する第３の工程
と、 全面に第２の層間絶縁膜を堆積した後、前記配線膜上方
の前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを開
孔し、前記第２のコンタクトホール内の前記金属膜（ア
ルミニウム系金属膜を除く）に接続する透明電極膜を形
成する第４の工程とを有することを特徴とする液晶表示
装置の製造方法。 - 【請求項８】 透明基板上に、半導体層及び前記半導体
層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極から
なる薄膜トランジスタを形成する第１の工程と、 全面に第１の層間絶縁膜を堆積した後、前記半導体層上
の前記第１の層間絶縁膜に第１のコンタクトホールを開
孔する第２の工程と、 全面に金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）及びアル
ミニウム系金属膜を順に堆積した後、前記アルミニウム
系金属膜及び前記金属膜（アルミニウム系金属膜を除
く）を所定の形状にパターニングして、前記第１のコン
タクトホール内の前記半導体層に前記金属膜（アルミニ
ウム系金属膜を除く）を介して接続する前記アルミニウ
ム系金属膜からなる配線膜及び前記第１の層間絶縁膜と
の間に前記金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）を介
在させた前記アルミニウム系金属膜からなる遮光膜を形
成する第３の工程と、 全面に第２の層間絶縁膜を堆積した後、前記配線膜上方
の前記第２の層間絶縁膜に第２のコンタクトホールを開
孔し、前記第２のコンタクトホール内の前記配線膜に接
続する透明電極膜を形成する第４の工程とを有すること
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項６乃至８のいずれかに記載の液晶
表示装置の製造方法において、 前記金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）の反射率
が、アルミニウム系金属膜の反射率よりも低いことを特
徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項１０】 請求項６乃至８のいずれかに記載の液
晶表示装置の製造方法において、 前記金属膜（アルミニウム系金属膜を除く）が、高融点
金属膜であることを特徴とする液晶表示装置の製造方
法。 - 【請求項１１】 請求項１０記載の液晶表示装置の製造
方法において、 前記高融点金属膜が、チタン、モリブデン、タンタル、
タングステン、及びジルコニウムからなる群より選ばれ
るいずれか１種類又は複数種類を材料とする膜であるこ
とを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14894296A JP3751681B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14894296A JP3751681B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09331066A true JPH09331066A (ja) | 1997-12-22 |
| JP3751681B2 JP3751681B2 (ja) | 2006-03-01 |
Family
ID=15464115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14894296A Expired - Fee Related JP3751681B2 (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3751681B2 (ja) |
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-
1996
- 1996-06-11 JP JP14894296A patent/JP3751681B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| WO2015040982A1 (ja) * | 2013-09-18 | 2015-03-26 | シャープ株式会社 | 半導体装置、表示装置および半導体装置の製造方法 |
| US9755036B2 (en) | 2013-09-18 | 2017-09-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor device, display device, and method for producing semiconductor device |
| KR20150033790A (ko) * | 2013-09-23 | 2015-04-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 |
| JP2015118982A (ja) * | 2013-12-17 | 2015-06-25 | 三菱電機株式会社 | 導電膜構造およびそれを用いた半導体装置、アクティブマトリックス基板、タッチパネル基板およびタッチパネル付表示装置、並びに配線または電極の形成方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3751681B2 (ja) | 2006-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040302 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040426 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040831 |
|
| A521 | Written amendment |
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|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20041101 |
|
| A912 | Removal of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20041203 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051101 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051208 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091216 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101216 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111216 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121216 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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