JP3207360B2 - Ｔｆｔ液晶表示装置 - Google Patents
Ｔｆｔ液晶表示装置Info
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- JP3207360B2 JP3207360B2 JP21898296A JP21898296A JP3207360B2 JP 3207360 B2 JP3207360 B2 JP 3207360B2 JP 21898296 A JP21898296 A JP 21898296A JP 21898296 A JP21898296 A JP 21898296A JP 3207360 B2 JP3207360 B2 JP 3207360B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、特に
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）液晶表示装置のＴＦＴアレ
イのソース・ドレイン電極の引き出し配線部に関するも
のである。
ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）液晶表示装置のＴＦＴアレ
イのソース・ドレイン電極の引き出し配線部に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＦＴ液晶表示装置のゲート電極
にはアルミニウム、クロムおよびタンタルなどの金属導
電膜が用いられており、ソース・ドレイン電極には、ア
ルミニウム、チタンおよびモリブデンなどの金属導電膜
が用いられている。一方、コンピュータの端末としての
ＴＦＴ液晶表示装置は、高精細・高速応答・高視認性が
要求されており、特に画像のちらつきがない高輝度が要
望されている。この要望に応えるためには、絵素面積を
増やさなければならず、ゲート電極およびソース・ドレ
イン電極の線幅を狭くしなければならない。しかし、こ
れに対処すべく、ゲート電極およびソース・ドレイン電
極の線幅を狭くすると、ゲート電極およびソース電極の
断線にともなう線欠陥不良を生じて、ＴＦＴアレイの歩
留りが低下していた。
にはアルミニウム、クロムおよびタンタルなどの金属導
電膜が用いられており、ソース・ドレイン電極には、ア
ルミニウム、チタンおよびモリブデンなどの金属導電膜
が用いられている。一方、コンピュータの端末としての
ＴＦＴ液晶表示装置は、高精細・高速応答・高視認性が
要求されており、特に画像のちらつきがない高輝度が要
望されている。この要望に応えるためには、絵素面積を
増やさなければならず、ゲート電極およびソース・ドレ
イン電極の線幅を狭くしなければならない。しかし、こ
れに対処すべく、ゲート電極およびソース・ドレイン電
極の線幅を狭くすると、ゲート電極およびソース電極の
断線にともなう線欠陥不良を生じて、ＴＦＴアレイの歩
留りが低下していた。
【０００３】図２はＴＦＴ液晶表示装置のＴＦＴアレイ
の面内配線パターンを示し、図３は図２のＡ−Ａ’線で
切断した場合の断面図である。また、従来のＴＦＴ液晶
表示装置のＴＦＴアレイの面内配線パターンにおける、
図２のＢ−Ｂ’線で切断した場合の断面図を図４に示
す。
の面内配線パターンを示し、図３は図２のＡ−Ａ’線で
切断した場合の断面図である。また、従来のＴＦＴ液晶
表示装置のＴＦＴアレイの面内配線パターンにおける、
図２のＢ−Ｂ’線で切断した場合の断面図を図４に示
す。
【０００４】図２〜図４において、１はガラスなどの透
光性絶縁性基板、２は酸化錫を含む酸化インジウムなど
の画素電極、３は画素電極２を覆うように形成された酸
化珪素膜などの絶縁膜、４はスパッタリング法などで成
膜されたアルミニウムなどのゲート電極、５は窒化珪素
などのゲート絶縁膜、６は非ドープ水素化アモルファス
シリコンなどの真性半導体層、７は島状に形成された半
導体保護層、８は燐などをドープした水素化アモルファ
スシリコンなどのオーミックコンタクト層、９は画素電
極２とドレイン電極１１を電気的に接続するコンタクト
ホール、１０はソース電極である。
光性絶縁性基板、２は酸化錫を含む酸化インジウムなど
の画素電極、３は画素電極２を覆うように形成された酸
化珪素膜などの絶縁膜、４はスパッタリング法などで成
膜されたアルミニウムなどのゲート電極、５は窒化珪素
などのゲート絶縁膜、６は非ドープ水素化アモルファス
シリコンなどの真性半導体層、７は島状に形成された半
導体保護層、８は燐などをドープした水素化アモルファ
スシリコンなどのオーミックコンタクト層、９は画素電
極２とドレイン電極１１を電気的に接続するコンタクト
ホール、１０はソース電極である。
【０００５】図４に示すように、従来のＴＦＴ液晶表示
装置のＴＦＴアレイは、周辺のソース・ドレイン電極の
引き出し配線部１０ａをゲート絶縁膜５、真性半導体層
６およびオーミックコンタクト層８からなる多層膜の上
に形成していた。
装置のＴＦＴアレイは、周辺のソース・ドレイン電極の
引き出し配線部１０ａをゲート絶縁膜５、真性半導体層
６およびオーミックコンタクト層８からなる多層膜の上
に形成していた。
【０００６】ところで、このようなＴＦＴ液晶表示装置
は、製造したものの外周縁部に欠陥部を生じることがあ
るため、製造後に外周縁部を割断して除去することが行
われている。また、製造コストを低減するために、複数
のＴＦＴアレイを一体的に製造するとともに対向基板の
カラーフィルターと組み合わせ、この後に、各ＴＦＴア
レイに対応するように割断することも行われている。
は、製造したものの外周縁部に欠陥部を生じることがあ
るため、製造後に外周縁部を割断して除去することが行
われている。また、製造コストを低減するために、複数
のＴＦＴアレイを一体的に製造するとともに対向基板の
カラーフィルターと組み合わせ、この後に、各ＴＦＴア
レイに対応するように割断することも行われている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ＴＦＴ液晶表示装置では、そのためＴＦＴアレイを対向
基板のカラーフィルターと組み合わせた後、割断する際
に加えられる機械的ストレスによる外部応力の影響によ
ってパネル割断線ｘの箇所の引き出し配線部１０ａが密
着力の弱い真性半導体層６から剥がれて線欠陥不良とな
り、液晶表示パネルとして画像表示させた際に、画像性
能を低下させていた。
ＴＦＴ液晶表示装置では、そのためＴＦＴアレイを対向
基板のカラーフィルターと組み合わせた後、割断する際
に加えられる機械的ストレスによる外部応力の影響によ
ってパネル割断線ｘの箇所の引き出し配線部１０ａが密
着力の弱い真性半導体層６から剥がれて線欠陥不良とな
り、液晶表示パネルとして画像表示させた際に、画像性
能を低下させていた。
【０００８】本発明は上記課題を解決するもので、液晶
表示パネルの周辺部に設けられるソース・ドレイン電極
の引き出し配線部が、液晶表示パネルを割断する際に剥
がれて線欠陥不良となることのない液晶表示装置を提供
することを目的とするものである。
表示パネルの周辺部に設けられるソース・ドレイン電極
の引き出し配線部が、液晶表示パネルを割断する際に剥
がれて線欠陥不良となることのない液晶表示装置を提供
することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため
に本発明は、透光性絶縁性基板に、ゲート絶縁膜および
半導体膜が形成されているとともに透明な画素電極およ
びゲート電極と交差してソース・ドレイン電極が形成さ
れてなる薄膜トランジスタアレイを有するＴＦＴ液晶表
示装置において、ソース・ドレイン電極の引き出し配線
部の下層に位置する部分にゲート絶縁膜および半導体膜
を有し、前記ソース・ドレイン電極の引き出し配線部
は、前記透光性絶縁性基板の外周縁部のパネル割断線の
箇所で、前記透光性絶縁性基板と密着して接することを
特徴とするものである。
に本発明は、透光性絶縁性基板に、ゲート絶縁膜および
半導体膜が形成されているとともに透明な画素電極およ
びゲート電極と交差してソース・ドレイン電極が形成さ
れてなる薄膜トランジスタアレイを有するＴＦＴ液晶表
示装置において、ソース・ドレイン電極の引き出し配線
部の下層に位置する部分にゲート絶縁膜および半導体膜
を有し、前記ソース・ドレイン電極の引き出し配線部
は、前記透光性絶縁性基板の外周縁部のパネル割断線の
箇所で、前記透光性絶縁性基板と密着して接することを
特徴とするものである。
【００１０】この発明によれば、液晶表示パネルの周辺
部に設けられるソース・ドレイン電極の引き出し配線部
が、液晶表示パネルを割断する際に剥がれて線欠陥不良
となることのない液晶表示装置を得られる。
部に設けられるソース・ドレイン電極の引き出し配線部
が、液晶表示パネルを割断する際に剥がれて線欠陥不良
となることのない液晶表示装置を得られる。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、透光性絶縁性基板に、ゲート絶縁膜および半導体膜
が形成されているとともに透明な画素電極およびゲート
電極と交差してソース・ドレイン電極が形成されてなる
薄膜トランジスタアレイを有するＴＦＴ液晶表示装置に
おいて、ソース・ドレイン電極の引き出し配線部の下層
に位置する部分にゲート絶縁膜および半導体膜を有し、
前記ソース・ドレイン電極の引き出し配線部は、前記透
光性絶縁性基板の外周縁部のパネル割断線の箇所で、前
記透光性絶縁性基板と密着して接することを特徴とする
ものであり、この構成により、ソース・ドレイン電極の
引き出し配線部の一部が、密着力の強い透光性絶縁性基
板に形成されるため、液晶表示パネルを割断する際に機
械的ストレスが加えられても、ソース・ドレイン電極の
引き出し配線部が剥がれることが防止される。
は、透光性絶縁性基板に、ゲート絶縁膜および半導体膜
が形成されているとともに透明な画素電極およびゲート
電極と交差してソース・ドレイン電極が形成されてなる
薄膜トランジスタアレイを有するＴＦＴ液晶表示装置に
おいて、ソース・ドレイン電極の引き出し配線部の下層
に位置する部分にゲート絶縁膜および半導体膜を有し、
前記ソース・ドレイン電極の引き出し配線部は、前記透
光性絶縁性基板の外周縁部のパネル割断線の箇所で、前
記透光性絶縁性基板と密着して接することを特徴とする
ものであり、この構成により、ソース・ドレイン電極の
引き出し配線部の一部が、密着力の強い透光性絶縁性基
板に形成されるため、液晶表示パネルを割断する際に機
械的ストレスが加えられても、ソース・ドレイン電極の
引き出し配線部が剥がれることが防止される。
【００１２】
【００１３】以下、本発明の実施の形態について図１か
ら図３を用いて説明する。なお、図２はＴＦＴ液晶表示
装置のＴＦＴアレイの面内配線パターンを示し、図３は
図２のＡ−Ａ’線で切断した場合の断面図であり、これ
らの図面に示される箇所は従来のＴＦＴ液晶表示装置と
同様である。一方、図１は本発明の実施の形態にかかる
ＴＦＴ液晶表示装置の断面図であり、図２のＢ−Ｂ’線
で切断した場合の断面図に相当するものである。なお、
従来のものと同機能のものには同符号を付して説明す
る。
ら図３を用いて説明する。なお、図２はＴＦＴ液晶表示
装置のＴＦＴアレイの面内配線パターンを示し、図３は
図２のＡ−Ａ’線で切断した場合の断面図であり、これ
らの図面に示される箇所は従来のＴＦＴ液晶表示装置と
同様である。一方、図１は本発明の実施の形態にかかる
ＴＦＴ液晶表示装置の断面図であり、図２のＢ−Ｂ’線
で切断した場合の断面図に相当するものである。なお、
従来のものと同機能のものには同符号を付して説明す
る。
【００１４】このＴＦＴ液晶表示装置のＴＦＴアレイは
以下のようにして製造される。まず、ガラスなどの透光
性絶縁性基板１上に酸化錫を含む酸化インジウムなどの
透明導電膜（図示せず）をスパッタリング法などで成膜
する。この後、ホトリソグラフィなどの方法で画素電極
２を形成する。次にこの画素電極２を覆うように酸化珪
素膜などの絶縁膜３を常圧化学気相法などで成膜する。
この後、スパッタリング法などでアルミニウムなどの金
属膜を成膜し、ゲート電極４を形成する。次にゲート電
極４の上に陽極酸化膜や化学気層法で成膜された窒化珪
素膜などのゲート絶縁膜５を形成する。さらに非ドープ
水素化アモルファスシリコンなどの真性半導体層６、お
よびそれに対して充分なエッチング選択比を有する半導
体保護層７である窒化珪素膜などプラズマＣＶＤ法など
により好ましくは連続的に成膜する。
以下のようにして製造される。まず、ガラスなどの透光
性絶縁性基板１上に酸化錫を含む酸化インジウムなどの
透明導電膜（図示せず）をスパッタリング法などで成膜
する。この後、ホトリソグラフィなどの方法で画素電極
２を形成する。次にこの画素電極２を覆うように酸化珪
素膜などの絶縁膜３を常圧化学気相法などで成膜する。
この後、スパッタリング法などでアルミニウムなどの金
属膜を成膜し、ゲート電極４を形成する。次にゲート電
極４の上に陽極酸化膜や化学気層法で成膜された窒化珪
素膜などのゲート絶縁膜５を形成する。さらに非ドープ
水素化アモルファスシリコンなどの真性半導体層６、お
よびそれに対して充分なエッチング選択比を有する半導
体保護層７である窒化珪素膜などプラズマＣＶＤ法など
により好ましくは連続的に成膜する。
【００１５】次に半導体保護層７を少なくともＴＦＴの
チャネル部に島状に形成した後、燐などをドープした水
素化アモルファスシリコンなどのオーミックコンタクト
層８をプラズマＣＶＤ法などで成膜する。次に画素電極
２とドレイン電極１１を電気的に接続するコンタクトホ
ール９をドライエッチングなどによって形成する。
チャネル部に島状に形成した後、燐などをドープした水
素化アモルファスシリコンなどのオーミックコンタクト
層８をプラズマＣＶＤ法などで成膜する。次に画素電極
２とドレイン電極１１を電気的に接続するコンタクトホ
ール９をドライエッチングなどによって形成する。
【００１６】この時同時にＴＦＴアレイと対向基板のカ
ラーフィルターを組み合わせた後に割断する際に応力を
加える部分すなわち割断線ｘの部分に相当する部分のＴ
ＦＴアレイ周辺の引き出し配線部１０ａの下層のオーミ
ックコンタクト層８、真性半導体層６、ゲート絶縁膜５
および絶縁膜３（図１においては図示せず）をドライエ
ッチング法などによって除去し、パネル割断線ｘの部分
と交差する領域を凹部１２を有する構造とする。その
後、この凹部１２に、アルミニウムなどの金属膜をスパ
ッタリング法などによって成膜し、ソース電極１０とド
レイン電極１１との引き出し配線部１０ａを形成する。
ラーフィルターを組み合わせた後に割断する際に応力を
加える部分すなわち割断線ｘの部分に相当する部分のＴ
ＦＴアレイ周辺の引き出し配線部１０ａの下層のオーミ
ックコンタクト層８、真性半導体層６、ゲート絶縁膜５
および絶縁膜３（図１においては図示せず）をドライエ
ッチング法などによって除去し、パネル割断線ｘの部分
と交差する領域を凹部１２を有する構造とする。その
後、この凹部１２に、アルミニウムなどの金属膜をスパ
ッタリング法などによって成膜し、ソース電極１０とド
レイン電極１１との引き出し配線部１０ａを形成する。
【００１７】このように、ＴＦＴ液晶表示装置におい
て、ＴＦＴアレイ周辺のソース・ドレイン電極の引き出
し配線部１０ａを形成する際、あらかじめ下地のゲート
絶縁膜５および半導体層６などをドライエッチングなど
によって除去し、パネル割断線ｘの部分と交差する領域
を凹部１２を有する構造とした後にソース・ドレイン電
極の引きだし配線部１０ａを形成することによって、こ
のソース・ドレイン電極の引きだし配線部１０ａが透光
性絶縁性基板１に強固に密着し、液晶表示パネルを割断
する際に機械的ストレスが加えられても、ソース・ドレ
イン電極の引き出し配線部１０ａが剥がれることが防止
される。これにより、パネル割断時のストレスによる断
線が防止されて、液晶表示装置としての画質の向上、な
らびに製造歩留りの向上が可能となる。
て、ＴＦＴアレイ周辺のソース・ドレイン電極の引き出
し配線部１０ａを形成する際、あらかじめ下地のゲート
絶縁膜５および半導体層６などをドライエッチングなど
によって除去し、パネル割断線ｘの部分と交差する領域
を凹部１２を有する構造とした後にソース・ドレイン電
極の引きだし配線部１０ａを形成することによって、こ
のソース・ドレイン電極の引きだし配線部１０ａが透光
性絶縁性基板１に強固に密着し、液晶表示パネルを割断
する際に機械的ストレスが加えられても、ソース・ドレ
イン電極の引き出し配線部１０ａが剥がれることが防止
される。これにより、パネル割断時のストレスによる断
線が防止されて、液晶表示装置としての画質の向上、な
らびに製造歩留りの向上が可能となる。
【００１８】また、特に凹部１２が液晶パネルを割断す
る際の割断線ｘの部分に相当する位置に設けられて、こ
の箇所で透光性絶縁性基板１に接するようにソース・ド
レイン電極の引き出し配線部１０ａが形成されるため、
特に液晶表示パネルを割断する際に機械的ストレスが加
えられる箇所での密着性が確保されて、パネル割断時の
ストレスによる断線が防止されながら、他の箇所に不要
な凹部を形成しなくても済むので、製造する際の工程が
必要以上に増加したりすることもない。また、コンタク
トホール９を形成する際に、同時にドライエッチング法
などによって周辺の引き出し配線部１０ａの下地のゲー
ト絶縁膜５および半導体層６を除去することによって
も、製造する際の工程の増加を抑えることができる。
る際の割断線ｘの部分に相当する位置に設けられて、こ
の箇所で透光性絶縁性基板１に接するようにソース・ド
レイン電極の引き出し配線部１０ａが形成されるため、
特に液晶表示パネルを割断する際に機械的ストレスが加
えられる箇所での密着性が確保されて、パネル割断時の
ストレスによる断線が防止されながら、他の箇所に不要
な凹部を形成しなくても済むので、製造する際の工程が
必要以上に増加したりすることもない。また、コンタク
トホール９を形成する際に、同時にドライエッチング法
などによって周辺の引き出し配線部１０ａの下地のゲー
ト絶縁膜５および半導体層６を除去することによって
も、製造する際の工程の増加を抑えることができる。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パネル割断時の機械的な外部応力によって膜の密着力の
弱い部分からの剥がれによる断線不良を防止することが
でき、液晶表示装置としての線欠陥が大幅に減少でき
て、画質の向上、ならびに製造歩留りの向上が可能とな
る。
パネル割断時の機械的な外部応力によって膜の密着力の
弱い部分からの剥がれによる断線不良を防止することが
でき、液晶表示装置としての線欠陥が大幅に減少でき
て、画質の向上、ならびに製造歩留りの向上が可能とな
る。
【図１】本発明の実施の形態にかかるＴＦＴ液晶表示装
置の断面図であり、図２のＢ−Ｂ’線で切断した場合の
断面図に相当するものである。
置の断面図であり、図２のＢ−Ｂ’線で切断した場合の
断面図に相当するものである。
【図２】ＴＦＴ液晶表示装置のＴＦＴアレイの面内配線
パターンを示す平面図である。
パターンを示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ’線で切断した場合の断面図であ
る。
る。
【図４】従来のＴＦＴ液晶表示装置の断面図であり、図
２のＢ−Ｂ’線で切断した場合の断面図に相当するもの
である。
２のＢ−Ｂ’線で切断した場合の断面図に相当するもの
である。
１ 透光性絶縁性基板 ２ 画素電極 ４ ゲート電極 ５ ゲート絶縁膜 ６ 真性半導体層 １０ ソース電極 １０ａ 引き出し電極部 １１ ドレイン電極 １２ 凹部 ｘ 割断線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/1343 G02F 1/1362 G02F 1/1333 G02F 1/13 101
Claims (1)
- 【請求項１】 透光性絶縁性基板に、ゲート絶縁膜およ
び半導体膜が形成されているとともに透明な画素電極お
よびゲート電極と交差してソース・ドレイン電極が形成
されてなる薄膜トランジスタアレイを有するＴＦＴ液晶
表示装置において、 ソース・ドレイン電極の引き出し配線部の下層に位置す
る部分にゲート絶縁膜および半導体膜を有し、 前記ソース・ドレイン電極の引き出し配線部は、前記透
光性絶縁性基板の外周縁部のパネル割断線の箇所で、前
記透光性絶縁性基板と密着して接することを特徴とする
ＴＦＴ液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21898296A JP3207360B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Ｔｆｔ液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21898296A JP3207360B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Ｔｆｔ液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1062814A JPH1062814A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3207360B2 true JP3207360B2 (ja) | 2001-09-10 |
Family
ID=16728420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21898296A Expired - Fee Related JP3207360B2 (ja) | 1996-08-21 | 1996-08-21 | Ｔｆｔ液晶表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3207360B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004070823A1 (ja) | 2003-02-05 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
| CN100459060C (zh) | 2003-02-05 | 2009-02-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
| JP4748990B2 (ja) | 2003-02-06 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の製造方法 |
| WO2004070821A1 (ja) | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 表示装置の作製方法 |
| CN100472731C (zh) | 2003-02-06 | 2009-03-25 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体制造装置 |
| JP6168927B2 (ja) * | 2013-09-05 | 2017-07-26 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
-
1996
- 1996-08-21 JP JP21898296A patent/JP3207360B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1062814A (ja) | 1998-03-06 |
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Legal Events
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