JPH09330908A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH09330908A JPH09330908A JP14930296A JP14930296A JPH09330908A JP H09330908 A JPH09330908 A JP H09330908A JP 14930296 A JP14930296 A JP 14930296A JP 14930296 A JP14930296 A JP 14930296A JP H09330908 A JPH09330908 A JP H09330908A
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- JP
- Japan
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- wafer
- polyimide resin
- resin
- semiconductor device
- bevel
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Abstract
(57)【要約】
【課題】サイリスタのベベルエッチング工程の簡単化お
よび低コスト化を図る。 【解決手段】半導体ウエハー上に電極を形成した後にウ
エハー表面にパッシベーション膜用の第１のポリイミド
樹脂を塗布して最終キュア処理まで完了させる第１の工
程と、第１の工程を経た後のウエハー上に再びバッファ
用の第２のポリイミド樹脂を塗布する第２の工程と、第
２の工程を経た後の前記ウエハーに対して、混酸雰囲気
中でウエハー端面をエッチングすることによりベベルエ
ッチングを行う第３の工程と、この後、アルカリ溶液に
前記ウエハーを漬けることにより前記第２のポリイミド
樹脂を剥離する第４の工程とを具備する。
よび低コスト化を図る。 【解決手段】半導体ウエハー上に電極を形成した後にウ
エハー表面にパッシベーション膜用の第１のポリイミド
樹脂を塗布して最終キュア処理まで完了させる第１の工
程と、第１の工程を経た後のウエハー上に再びバッファ
用の第２のポリイミド樹脂を塗布する第２の工程と、第
２の工程を経た後の前記ウエハーに対して、混酸雰囲気
中でウエハー端面をエッチングすることによりベベルエ
ッチングを行う第３の工程と、この後、アルカリ溶液に
前記ウエハーを漬けることにより前記第２のポリイミド
樹脂を剥離する第４の工程とを具備する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法に係り、特にベベル構造を有する半導体装置のベベ
ルエッチング方法に関するもので、例えばサイリスタの
製造工程で使用されるものである。
方法に係り、特にベベル構造を有する半導体装置のベベ
ルエッチング方法に関するもので、例えばサイリスタの
製造工程で使用されるものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、サイリスタの高耐圧化を図るた
めに、接合表面にベベル構造を採用している。このベベ
ル構造は、接合表面に傾斜部（ベベル）を持たせ、接合
表面での空乏層を広げることにより、接合表面の電界を
内部よりも緩和するものである。
めに、接合表面にベベル構造を採用している。このベベ
ル構造は、接合表面に傾斜部（ベベル）を持たせ、接合
表面での空乏層を広げることにより、接合表面の電界を
内部よりも緩和するものである。
【０００３】図２は、従来のサイリスタの製造工程にお
いてベベル構造を形成するためのエッチング工程（ベベ
ルエッチング工程）およびその前後の工程を示してい
る。即ち、図２に示すように、まず、半導体ウエハー
（シリコンウエハー）３０にＰＮＰＮの４層構造を形成
し、ウエハー表面側のＮ層にコンタクトするようにカソ
ード電極３１、Ｐ層にコンタクトするようにゲート電極
３２をそれぞれ例えばアルミニウム膜のパターンでそれ
ぞれ形成し、ウエハー裏面側にアノード電極３３を形成
する。
いてベベル構造を形成するためのエッチング工程（ベベ
ルエッチング工程）およびその前後の工程を示してい
る。即ち、図２に示すように、まず、半導体ウエハー
（シリコンウエハー）３０にＰＮＰＮの４層構造を形成
し、ウエハー表面側のＮ層にコンタクトするようにカソ
ード電極３１、Ｐ層にコンタクトするようにゲート電極
３２をそれぞれ例えばアルミニウム膜のパターンでそれ
ぞれ形成し、ウエハー裏面側にアノード電極３３を形成
する。
【０００４】上記したような電極形成後のウエハー表面
に有機膜のパッシベーション膜としてポリイミド樹脂３
４を塗布して予備キュアから最終キュアまでの処理を完
了させる。
に有機膜のパッシベーション膜としてポリイミド樹脂３
４を塗布して予備キュアから最終キュアまでの処理を完
了させる。
【０００５】なお、ポリイミドなどの芳香族化合物を半
導体基板上にスピンコートし、所定温度、所定時間の加
熱による硬化処理（キュア）を行うことにより、例えば
下記の化１に示すようなベンゼン基を有する環状もしく
は網目構造を有する低誘電率のパッシベーション膜を形
成できる。
導体基板上にスピンコートし、所定温度、所定時間の加
熱による硬化処理（キュア）を行うことにより、例えば
下記の化１に示すようなベンゼン基を有する環状もしく
は網目構造を有する低誘電率のパッシベーション膜を形
成できる。
【０００６】
【化１】
【０００７】そして、前記最終キュアまで完了したフル
キュア状態のウエハーの端面を混酸雰囲気中でエッチン
グ（ベベルエッチング）を行い、例えば図中に示すよう
なダブルポジィティブベベル構造を実現する。
キュア状態のウエハーの端面を混酸雰囲気中でエッチン
グ（ベベルエッチング）を行い、例えば図中に示すよう
なダブルポジィティブベベル構造を実現する。
【０００８】この際、前記フルキュア済みのポリイミド
樹脂３４に耐酸性がないので、従来は、エッチング前に
ウエハー端面以外のウエハー表面に耐酸性を有する保護
テープ（図示せず）を全面に貼りつけておき、上記ベベ
ルエッチング後に保護テープを除去している。この保護
テープを除去する工程は、保護テープを加熱し、保護テ
ープを一枚づつ手で剥がしているので、非常に手間がか
かり、製造コストの増加をまねく。
樹脂３４に耐酸性がないので、従来は、エッチング前に
ウエハー端面以外のウエハー表面に耐酸性を有する保護
テープ（図示せず）を全面に貼りつけておき、上記ベベ
ルエッチング後に保護テープを除去している。この保護
テープを除去する工程は、保護テープを加熱し、保護テ
ープを一枚づつ手で剥がしているので、非常に手間がか
かり、製造コストの増加をまねく。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記したように従来の
サイリスタのベベルエッチング工程は、サイリスタのベ
ベルエッチング前にウエハー端面以外のウエハー表面に
耐酸性を有する保護テープを全面に貼りつけておき、エ
ッチング後に保護テープを除去するので、非常に手間が
かかり、製造コストの増加をまねくという問題があっ
た。
サイリスタのベベルエッチング工程は、サイリスタのベ
ベルエッチング前にウエハー端面以外のウエハー表面に
耐酸性を有する保護テープを全面に貼りつけておき、エ
ッチング後に保護テープを除去するので、非常に手間が
かかり、製造コストの増加をまねくという問題があっ
た。
【００１０】本発明は上記の問題点を解決すべくなされ
たもので、サイリスタのベベルエッチング工程の簡単化
および低コスト化を図り得る半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
たもので、サイリスタのベベルエッチング工程の簡単化
および低コスト化を図り得る半導体装置の製造方法を提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造方法は、半導体ウエハー上に電極を形成した後にウエ
ハー表面にバッファ用の第１のポリイミド樹脂を塗布し
て最終キュア処理まで完了させる第１の工程と、前記第
１の工程を経た後のウエハー上に再びバッファ用の第２
のポリイミド樹脂を塗布する第２の工程と、前記第２の
工程を経た後の前記ウエハーに対して、混酸雰囲気中で
ウエハー端面をエッチングすることによりベベルエッチ
ングを行う第３の工程と、この後、アルカリ溶液に前記
ウエハーを漬けることにより前記第２のポリイミド樹脂
を剥離する第４の工程とを具備することを特徴とする。
造方法は、半導体ウエハー上に電極を形成した後にウエ
ハー表面にバッファ用の第１のポリイミド樹脂を塗布し
て最終キュア処理まで完了させる第１の工程と、前記第
１の工程を経た後のウエハー上に再びバッファ用の第２
のポリイミド樹脂を塗布する第２の工程と、前記第２の
工程を経た後の前記ウエハーに対して、混酸雰囲気中で
ウエハー端面をエッチングすることによりベベルエッチ
ングを行う第３の工程と、この後、アルカリ溶液に前記
ウエハーを漬けることにより前記第２のポリイミド樹脂
を剥離する第４の工程とを具備することを特徴とする。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。本願発明は、ある種類の非
感光性のポリイミド樹脂は、最終キュア処理を加えなけ
れば、ポジティブタイプのフォトレジストの現像液など
のアルカリ溶液に溶ける（最終キュア以後は溶けない）
という特性に着目してなされたものである。なお、この
特性は、感光性のポリイミド樹脂であっても同様であ
る。
施の形態を詳細に説明する。本願発明は、ある種類の非
感光性のポリイミド樹脂は、最終キュア処理を加えなけ
れば、ポジティブタイプのフォトレジストの現像液など
のアルカリ溶液に溶ける（最終キュア以後は溶けない）
という特性に着目してなされたものである。なお、この
特性は、感光性のポリイミド樹脂であっても同様であ
る。
【００１３】図１（ａ）乃至（ｄ）は、本発明の半導体
装置の製造方法の第１の実施の形態に係るサイリスタの
ベベルエッチング工程およびその前後の工程を示してい
る。まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウエハー
（シリコンウエハー）１０にＰＮＰＮの４層構造を形成
する。そして、ウエハー表面側のＮ層にコンタクトする
ようにカソード（Ｋ）電極１１、Ｐ層にコンタクトする
ようにゲート（Ｇ）電極１２をそれぞれ例えばアルミニ
ウム膜のパターンで形成し、ウエハー裏面側にアノード
電極（Ａ）１３を形成する。
装置の製造方法の第１の実施の形態に係るサイリスタの
ベベルエッチング工程およびその前後の工程を示してい
る。まず、図１（ａ）に示すように、半導体ウエハー
（シリコンウエハー）１０にＰＮＰＮの４層構造を形成
する。そして、ウエハー表面側のＮ層にコンタクトする
ようにカソード（Ｋ）電極１１、Ｐ層にコンタクトする
ようにゲート（Ｇ）電極１２をそれぞれ例えばアルミニ
ウム膜のパターンで形成し、ウエハー裏面側にアノード
電極（Ａ）１３を形成する。
【００１４】上記したような電極形成後のウエハー表面
にパッシベーション膜として例えば非感光性の第１のポ
リイミド樹脂１４を塗布する。そして、例えば１００〜
１２０℃、３〜５分の加熱による予備キュアを行い、レ
ジストのパターニングを行った後、例えば３００〜３５
０℃、３０〜６０分の加熱による最終キュアを行う。
にパッシベーション膜として例えば非感光性の第１のポ
リイミド樹脂１４を塗布する。そして、例えば１００〜
１２０℃、３〜５分の加熱による予備キュアを行い、レ
ジストのパターニングを行った後、例えば３００〜３５
０℃、３０〜６０分の加熱による最終キュアを行う。
【００１５】このフルキュア済みの第１のポリイミド樹
脂１４をそのままで混酸雰囲気中でウエハー端面をエッ
チングすると第１のポリイミド樹脂１４が溶けてしまう
おそれがある。
脂１４をそのままで混酸雰囲気中でウエハー端面をエッ
チングすると第１のポリイミド樹脂１４が溶けてしまう
おそれがある。
【００１６】そこで、上記第１のポリイミド樹脂１４を
保護するために、図１（ｂ）に示すように、ウエハー上
に再びバッファ用の第２のポリイミド樹脂１５を塗布す
る。この場合、上記第２のポリイミド樹脂１５は、前記
第１のポリイミド樹脂１４と同じ成分を有するものでも
別のものでもよいが、第２のポリイミド樹脂１５に対す
る最終キュアは行わない。
保護するために、図１（ｂ）に示すように、ウエハー上
に再びバッファ用の第２のポリイミド樹脂１５を塗布す
る。この場合、上記第２のポリイミド樹脂１５は、前記
第１のポリイミド樹脂１４と同じ成分を有するものでも
別のものでもよいが、第２のポリイミド樹脂１５に対す
る最終キュアは行わない。
【００１７】この状態のウエハーに対して、混酸雰囲気
中でウエハー端面をエッチングすることによりベベルエ
ッチングを行った後、例えばポジティブタイプのフォト
レジストの現像液などのコリン系のアルカリ溶液にウエ
ハーを漬けることにより、図１（ｃ）に示すように、第
２のポリイミド樹脂１５を剥離する。
中でウエハー端面をエッチングすることによりベベルエ
ッチングを行った後、例えばポジティブタイプのフォト
レジストの現像液などのコリン系のアルカリ溶液にウエ
ハーを漬けることにより、図１（ｃ）に示すように、第
２のポリイミド樹脂１５を剥離する。
【００１８】この場合、アルカリ溶液による第２のポリ
イミド樹脂１５の剥離は良好に行われるが、仮にウエハ
ー表面の段差の底部などで第１のポリイミド樹脂１４上
に第２のポリイミド樹脂１５が残っても、両者は同一成
分であるので問題はなく、アルミニウム膜パターン（電
極）上に第２のポリイミド樹脂１５が残らなければ支障
はない。
イミド樹脂１５の剥離は良好に行われるが、仮にウエハ
ー表面の段差の底部などで第１のポリイミド樹脂１４上
に第２のポリイミド樹脂１５が残っても、両者は同一成
分であるので問題はなく、アルミニウム膜パターン（電
極）上に第２のポリイミド樹脂１５が残らなければ支障
はない。
【００１９】この後、前記ベベルエッチングが行われた
ウエハー端面（ベベル）上に、図１（ｄ）に示すよう
に、パッシベーション膜として第３のポリイミド樹脂１
６を塗布して最終キュア処理まで完了させる。この場
合、上記第３のポリイミド樹脂１６は、前記第１のポリ
イミド樹脂１４あるいは第２のポリイミド樹脂１５と同
じ成分を有するものでも別のものでもよい。
ウエハー端面（ベベル）上に、図１（ｄ）に示すよう
に、パッシベーション膜として第３のポリイミド樹脂１
６を塗布して最終キュア処理まで完了させる。この場
合、上記第３のポリイミド樹脂１６は、前記第１のポリ
イミド樹脂１４あるいは第２のポリイミド樹脂１５と同
じ成分を有するものでも別のものでもよい。
【００２０】なお、前記したように最終キュア処理を加
えなければアルカリ溶液に溶ける第２のポリイミド樹脂
１５の組成や膜厚は、使用する剥離用のアルカリ溶液に
応じて決定すればよい。
えなければアルカリ溶液に溶ける第２のポリイミド樹脂
１５の組成や膜厚は、使用する剥離用のアルカリ溶液に
応じて決定すればよい。
【００２１】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、サイリ
スタのベベルエッチング工程の簡単化および低コスト化
を図り得る半導体装置の製造方法を提供することができ
る。
スタのベベルエッチング工程の簡単化および低コスト化
を図り得る半導体装置の製造方法を提供することができ
る。
【図１】本発明の半導体装置の製造方法の第１の実施の
形態に係るサイリスタのベベルエッチング工程およびそ
の前後の工程を示す断面図。
形態に係るサイリスタのベベルエッチング工程およびそ
の前後の工程を示す断面図。
【図２】従来のサイリスタの製造工程におけるベベルエ
ッチング工程およびその前後の工程を示す断面図。
ッチング工程およびその前後の工程を示す断面図。
１０…半導体ウエハー（シリコンウエハー）、 １１…カソード（Ｋ）電極、 １２…ゲート（Ｇ）電極、 １３…アノード電極（Ａ）、 １４…第１のポリイミド樹脂、 １５…第２のポリイミド樹脂、 １６…第３のポリイミド樹脂。
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体ウエハー上に電極を形成した後に
ウエハー表面にパッシベーション膜用の第１のポリイミ
ド樹脂を塗布して最終キュア処理まで完了させる第１の
工程と、 前記第１の工程を経た後のウエハー上に再び第２のポリ
イミド樹脂を塗布する第２の工程と、 前記第２の工程を経た後の前記ウエハーに対して、混酸
雰囲気中でウエハー端面をエッチングすることによりベ
ベルエッチングを行う第３の工程と、 この後、アルカリ溶液に前記ウエハーを漬けることによ
り前記第２のポリイミド樹脂を剥離する第４の工程とを
具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、 前記第２のポリイミド樹脂は、前記第１のポリイミド樹
脂と同じ成分を有するものであることを特徴とする半導
体装置の製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体装置の製
造方法において、 前記アルカリ溶液は、コリン系のアルカリ溶液であるこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14930296A JPH09330908A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14930296A JPH09330908A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09330908A true JPH09330908A (ja) | 1997-12-22 |
Family
ID=15472186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14930296A Pending JPH09330908A (ja) | 1996-06-11 | 1996-06-11 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09330908A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202568B2 (en) * | 1998-06-26 | 2007-04-10 | Intel Corporation | Semiconductor passivation deposition process for interfacial adhesion |
-
1996
- 1996-06-11 JP JP14930296A patent/JPH09330908A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7202568B2 (en) * | 1998-06-26 | 2007-04-10 | Intel Corporation | Semiconductor passivation deposition process for interfacial adhesion |
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