JPH09326302A - Ｐｔｃ材料組成物及びｐｔｃ材料 - Google Patents
Ｐｔｃ材料組成物及びｐｔｃ材料Info
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- JPH09326302A JPH09326302A JP8141595A JP14159596A JPH09326302A JP H09326302 A JPH09326302 A JP H09326302A JP 8141595 A JP8141595 A JP 8141595A JP 14159596 A JP14159596 A JP 14159596A JP H09326302 A JPH09326302 A JP H09326302A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 室温抵抗率が低く、抵抗変化点の温度が高
く、抵抗変化率が大きく、かつ安定なＰＴＣ材料及びそ
の組成物を得る。 【解決手段】 本発明のＰＴＣ材料組成物は、５００℃
以下の結晶化温度の結晶化ガラスの粉末に導電性材料粉
末を含有する構成とする。
く、抵抗変化率が大きく、かつ安定なＰＴＣ材料及びそ
の組成物を得る。 【解決手段】 本発明のＰＴＣ材料組成物は、５００℃
以下の結晶化温度の結晶化ガラスの粉末に導電性材料粉
末を含有する構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、正の抵抗温度特
性（以下、ＰＴＣ特性と略す）を有するＰＴＣ材料及び
その組成物に関するもので、このＰＴＣ材料は大電力の
電流制御、保護回路として機器を過大電流から保護する
ために用いられる。
性（以下、ＰＴＣ特性と略す）を有するＰＴＣ材料及び
その組成物に関するもので、このＰＴＣ材料は大電力の
電流制御、保護回路として機器を過大電流から保護する
ために用いられる。
【０００２】
【従来の技術】電流制御、保護回路に用いたＰＴＣ材料
からなる抵抗素子（ＰＴＣ素子）は、過大電流が通電さ
れたときに、ジュール熱による自己発熱によって温度が
上昇して素子抵抗が大きくなり、過大電流を絞る働きを
有する。
からなる抵抗素子（ＰＴＣ素子）は、過大電流が通電さ
れたときに、ジュール熱による自己発熱によって温度が
上昇して素子抵抗が大きくなり、過大電流を絞る働きを
有する。
【０００３】ＰＴＣ素子に用いられる材料として最も一
般的なものは、ＢａＴｉＯ3にＬａ、Ｃｅ、Ｓｒあるい
はＰｂなどの酸化物をドープして半導体化したセラミッ
クスが知られている。微量の酸化物をドープしたＢａＴ
ｉＯ3系半導体は、キューリー点以下においては、粒界
の強誘電性のために結晶粒界のショットキー障壁が低く
なっているが、キューリー点以上では、誘電率が低下す
るために結晶粒界のショットキー障壁が高くなり抵抗が
急上昇するものと考えられている。
般的なものは、ＢａＴｉＯ3にＬａ、Ｃｅ、Ｓｒあるい
はＰｂなどの酸化物をドープして半導体化したセラミッ
クスが知られている。微量の酸化物をドープしたＢａＴ
ｉＯ3系半導体は、キューリー点以下においては、粒界
の強誘電性のために結晶粒界のショットキー障壁が低く
なっているが、キューリー点以上では、誘電率が低下す
るために結晶粒界のショットキー障壁が高くなり抵抗が
急上昇するものと考えられている。
【０００４】ＢａＴｉＯ3あるいはＢａＴｉＯ3系組成物
からなるＰＴＣ材料を使用した種々の製品が知られてお
り、例えば、特開昭６０−３２２８２号公報には、ＰＴ
Ｃの抵抗変化幅の大きなセラミックヒータを得るため
に、ＢａＴｉＯ3と半導体化のための成分とからなるガ
ラス粉末を有機バインダと混合し、結晶析出温度以下で
加熱処理する製造方法が提案されている。
からなるＰＴＣ材料を使用した種々の製品が知られてお
り、例えば、特開昭６０−３２２８２号公報には、ＰＴ
Ｃの抵抗変化幅の大きなセラミックヒータを得るため
に、ＢａＴｉＯ3と半導体化のための成分とからなるガ
ラス粉末を有機バインダと混合し、結晶析出温度以下で
加熱処理する製造方法が提案されている。
【０００５】しかし、上記公報に記載されているＢａＴ
ｉＯ3系のＰＴＣ材料は、抵抗値が急激に増加するキュ
ーリー点が、通常１００〜１２０℃の低温域に存在す
る。また、ＢａＴｉＯ3系ＰＣＴ材料は、ドープする酸
化物の種類と添加量によってキューリー温度をコントロ
ールすることができ、例えば、Ｐｂ（鉛）酸化物を添加
することによって高温側にシフトさせることが試みられ
ているが、約３００〜４００℃が限界になっている。ま
た、大電力を得るためには室温近辺における抵抗率がで
きるだけ小さい方が好ましいが、１０0〜１０1Ω・ｃｍ
程度が限界であった。
ｉＯ3系のＰＴＣ材料は、抵抗値が急激に増加するキュ
ーリー点が、通常１００〜１２０℃の低温域に存在す
る。また、ＢａＴｉＯ3系ＰＣＴ材料は、ドープする酸
化物の種類と添加量によってキューリー温度をコントロ
ールすることができ、例えば、Ｐｂ（鉛）酸化物を添加
することによって高温側にシフトさせることが試みられ
ているが、約３００〜４００℃が限界になっている。ま
た、大電力を得るためには室温近辺における抵抗率がで
きるだけ小さい方が好ましいが、１０0〜１０1Ω・ｃｍ
程度が限界であった。
【０００６】ＢａＴｉＯ3系のＰＣＴ材料は、キューリ
ー温度が高く、かつ室温抵抗率が十分低いものが得られ
ないため、高温域あるいは大電力における使用が困難
で、形状も限られるという欠点があった。
ー温度が高く、かつ室温抵抗率が十分低いものが得られ
ないため、高温域あるいは大電力における使用が困難
で、形状も限られるという欠点があった。
【０００７】上記のようなＢａＴｉＯ3系のＰＣＴ材料
の欠点を解消したものとして、例えばＢａＰｂＯ3にＰ
ｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯを主成分とするソルダーガラスを
重量比で５〜３０％含有したＰＴＣ材料が、特開昭６０
−５９７０２号公報に記載されている。このＰＴＣ材料
は、室温抵抗率の値が１０-4〜１０-1Ω・ｃｍと低く、
キューリー温度が約７５０℃と高温域にある。しかし、
添加するソルダーガラスの影響で室温抵抗率が著しく変
動したり、製造工程中における高温の焼成のためにＰｂ
Ｏが飛散して組成変動を生じるという問題があった。
の欠点を解消したものとして、例えばＢａＰｂＯ3にＰ
ｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＺｎＯを主成分とするソルダーガラスを
重量比で５〜３０％含有したＰＴＣ材料が、特開昭６０
−５９７０２号公報に記載されている。このＰＴＣ材料
は、室温抵抗率の値が１０-4〜１０-1Ω・ｃｍと低く、
キューリー温度が約７５０℃と高温域にある。しかし、
添加するソルダーガラスの影響で室温抵抗率が著しく変
動したり、製造工程中における高温の焼成のためにＰｂ
Ｏが飛散して組成変動を生じるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来の問題を解決し、室温抵抗率が低く、抵抗率変化
点の温度が高く、抵抗変化率が大きな、安定なＰＣＴ材
料を得るものである。
な従来の問題を解決し、室温抵抗率が低く、抵抗率変化
点の温度が高く、抵抗変化率が大きな、安定なＰＣＴ材
料を得るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
結晶化温度が５００℃以下の結晶化ガラスの粉末と、導
電性材料粉末とを含有したＰＴＣ材料組成物である。
結晶化温度が５００℃以下の結晶化ガラスの粉末と、導
電性材料粉末とを含有したＰＴＣ材料組成物である。
【００１０】請求項２に係る発明は、請求項１記載のＰ
ＴＣ材料組成物において、結晶化ガラスがＶ（バナジウ
ム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＢ（ボロン）の酸化物を主成分
とするものである。
ＴＣ材料組成物において、結晶化ガラスがＶ（バナジウ
ム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＢ（ボロン）の酸化物を主成分
とするものである。
【００１１】請求項３に係る発明は、請求項１記載のＰ
ＴＣ材料組成物において、導電性材料粉末が、金属粉末
からなるものである。
ＴＣ材料組成物において、導電性材料粉末が、金属粉末
からなるものである。
【００１２】請求項４に係る発明は、請求項３記載のＰ
ＴＣ材料組成物において、結晶化ガラスの粉末と金属粉
末との合計１００重量部に対して、金属粉末の含有量が
２０〜４０重量％であるものである。
ＴＣ材料組成物において、結晶化ガラスの粉末と金属粉
末との合計１００重量部に対して、金属粉末の含有量が
２０〜４０重量％であるものである。
【００１３】請求項５に係る発明は、請求項１記載のＰ
ＴＣ材料組成物において、導電性材料粉末が、導電性カ
ーボン粉末からなるものである。
ＴＣ材料組成物において、導電性材料粉末が、導電性カ
ーボン粉末からなるものである。
【００１４】請求項６に係る発明は、請求項５記載のＰ
ＴＣ材料組成物において、結晶化ガラスの粉末と導電性
カーボン粉末との合計１００重量部に対して、導電性カ
ーボン粉末の含有量が５〜２０重量部であるものであ
る。
ＴＣ材料組成物において、結晶化ガラスの粉末と導電性
カーボン粉末との合計１００重量部に対して、導電性カ
ーボン粉末の含有量が５〜２０重量部であるものであ
る。
【００１５】請求項７に係る発明は、請求項３記載のＰ
ＴＣ材料組成物において、低融点ガラスの粉末を含有す
るものである。
ＴＣ材料組成物において、低融点ガラスの粉末を含有す
るものである。
【００１６】請求項８に係る発明は、請求項７記載のＰ
ＴＣ材料組成物において、結晶化ガラスの粉末と低融点
ガラスの粉末と金属粉末との合計１００重量部に対し
て、結晶化ガラスの粉末の含有量が３０〜６０重量部、
低融点ガラスの粉末の含有量が１０〜４０重量部、金属
粉末の含有量が２０〜５０重量部のものである。
ＴＣ材料組成物において、結晶化ガラスの粉末と低融点
ガラスの粉末と金属粉末との合計１００重量部に対し
て、結晶化ガラスの粉末の含有量が３０〜６０重量部、
低融点ガラスの粉末の含有量が１０〜４０重量部、金属
粉末の含有量が２０〜５０重量部のものである。
【００１７】請求項９に係る発明は、結晶化温度が５０
０℃以下の結晶化ガラスの粉末と、導電性材料粉末とを
含有したＰＴＣ材料組成物を成形した成形物を焼成して
なるＰＴＣ材料である。
０℃以下の結晶化ガラスの粉末と、導電性材料粉末とを
含有したＰＴＣ材料組成物を成形した成形物を焼成して
なるＰＴＣ材料である。
【００１８】請求項１０に係る発明は、請求項９記載の
ＰＴＣ材料において、結晶化ガラスの粉末が、Ｖ（バナ
ジウム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＢ（ボロン）の酸化物を主
成分とするものである。
ＰＴＣ材料において、結晶化ガラスの粉末が、Ｖ（バナ
ジウム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＢ（ボロン）の酸化物を主
成分とするものである。
【００１９】請求項１１に係る発明は、請求項９記載の
ＰＴＣ材料において、導電性材料粉末が、金属粉末から
なるものである。
ＰＴＣ材料において、導電性材料粉末が、金属粉末から
なるものである。
【００２０】請求項１２に係る発明は、請求項１１記載
のＰＴＣ材料において、結晶化ガラスの粉末と金属粉末
との合計１００重量部に対して、金属粉末の含有量が２
０〜４０重量部であるものである。
のＰＴＣ材料において、結晶化ガラスの粉末と金属粉末
との合計１００重量部に対して、金属粉末の含有量が２
０〜４０重量部であるものである。
【００２１】請求項１３に係る発明は、請求項９記載の
ＰＴＣ材料において、導電性材料粉末が、導電性カーボ
ン粉末からなるものである。
ＰＴＣ材料において、導電性材料粉末が、導電性カーボ
ン粉末からなるものである。
【００２２】請求項１４に係る発明は、請求項１３記載
のＰＴＣ材料において、結晶化ガラスの粉末と導電性カ
ーボン粉末との合計１００重量部に対して、導電性カー
ボン粉末の含有量が５〜２０重量部であるものである。
のＰＴＣ材料において、結晶化ガラスの粉末と導電性カ
ーボン粉末との合計１００重量部に対して、導電性カー
ボン粉末の含有量が５〜２０重量部であるものである。
【００２３】請求項１５に係る発明は、請求項１１記載
のＰＴＣ材料において、ＰＴＣ材料組成物が、低融点ガ
ラスの粉末を含有するものである。
のＰＴＣ材料において、ＰＴＣ材料組成物が、低融点ガ
ラスの粉末を含有するものである。
【００２４】請求項１６に係る発明は、請求項１５記載
のＰＴＣ材料において、結晶化ガラスの粉末と低融点ガ
ラスの粉末と金属粉末との合計１００重量部に対して、
結晶化ガラスの粉末の含有量が３０〜６０重量部、低融
点ガラスの粉末の含有量が１０〜４０重量部、金属粉末
の含有量が２０〜５０重量部であるものである。
のＰＴＣ材料において、結晶化ガラスの粉末と低融点ガ
ラスの粉末と金属粉末との合計１００重量部に対して、
結晶化ガラスの粉末の含有量が３０〜６０重量部、低融
点ガラスの粉末の含有量が１０〜４０重量部、金属粉末
の含有量が２０〜５０重量部であるものである。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態を示
す。本発明のＰＴＣ材料組成物は、結晶化温度が５００
℃以下の結晶化ガラスの粉末と、導電性材料の粉末とを
含有する。
す。本発明のＰＴＣ材料組成物は、結晶化温度が５００
℃以下の結晶化ガラスの粉末と、導電性材料の粉末とを
含有する。
【００２６】結晶化ガラスの粉末は、Ｖ（バナジウ
ム）、Ｚｎ（亜鉛）およびＢ（ボロン）の酸化物（Ｖ2
Ｏ5、ＺｎＯ及びＢ2Ｏ3）を主成分とするものである。
ム）、Ｚｎ（亜鉛）およびＢ（ボロン）の酸化物（Ｖ2
Ｏ5、ＺｎＯ及びＢ2Ｏ3）を主成分とするものである。
【００２７】上記結晶化ガラスの粉末と、導電性材料の
粉末とを含有するＰＴＣ材料組成物を成形し、焼成する
ことによって、室温抵抗率が低く、抵抗率変化点の温度
が高く、抵抗変化率が大きな、安定なＰＣＴ材料が得ら
れる。
粉末とを含有するＰＴＣ材料組成物を成形し、焼成する
ことによって、室温抵抗率が低く、抵抗率変化点の温度
が高く、抵抗変化率が大きな、安定なＰＣＴ材料が得ら
れる。
【００２８】上記導電性材料粉末として、金属粉末ある
いは導電性カーボン粉末で構成することができる。
いは導電性カーボン粉末で構成することができる。
【００２９】金属粉末あるいは導電性カーボン粉末の含
有量は、多すぎる場合は抵抗変化率が小さくなり、ＰＴ
Ｃ特性における高抵抗率を保持できなくり、少なすぎる
場合は、室温抵抗率が著しく大きくなる。従って、全体
１００重量部に対して、金属粉末の含有量は２０〜４０
重量部、好ましくは２５〜３５重量部とし、導電性カー
ボン粉末の場合の含有量は５〜２０重量部とする。
有量は、多すぎる場合は抵抗変化率が小さくなり、ＰＴ
Ｃ特性における高抵抗率を保持できなくり、少なすぎる
場合は、室温抵抗率が著しく大きくなる。従って、全体
１００重量部に対して、金属粉末の含有量は２０〜４０
重量部、好ましくは２５〜３５重量部とし、導電性カー
ボン粉末の場合の含有量は５〜２０重量部とする。
【００３０】また、本発明のＰＴＣ材料組成物は、結晶
化ガラスの粉末と、金属粉末とを含むものに、さらに低
融点ガラスの粉末を含有することによって、成形・焼成
後のＰＴＣ材料のＰＴＣ抵抗変化率をさらに大きくでき
る。
化ガラスの粉末と、金属粉末とを含むものに、さらに低
融点ガラスの粉末を含有することによって、成形・焼成
後のＰＴＣ材料のＰＴＣ抵抗変化率をさらに大きくでき
る。
【００３１】結晶化ガラスの粉末、低融点ガラスの粉末
及び金属粉末それぞれの含有量は、ＰＴＣ特性の改善に
対して適正な範囲がある。すなわち、低融点ガラスの粉
末の含有量は、少なすぎるとＰＴＣ特性に対する改善効
果が得られず、多すぎると室温抵抗率が著しく増大し、
抵抗変化率が小さくなったり、温度上昇にともなって抵
抗が低下するＮＴＣ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｔｅｍｍｐｅ
ｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｎｔ）が発生し、
また、金属粉末の含有量は、多すぎる場合は抵抗変化率
が小さくなり、ＰＴＣ特性における高抵抗率を保持でき
なくり、少なすぎる場合は、室温抵抗率が著しく大きく
なる。種々検討した結果、結晶化ガラスの粉末と低融点
ガラスの粉末と金属粉末との合計１００重量部に対し
て、結晶化ガラスの粉末の含有量は３０〜６０重量部、
好ましくは４０〜５５重量部、低融点ガラスの粉末の含
有量は１０〜４０重量部、好ましくは２０〜３０重量
部、金属粉末の含有量は２０〜５０重量部、好ましくは
２５〜４５重量部の範囲（図２中の斜線部の範囲）とす
るのがよい。
及び金属粉末それぞれの含有量は、ＰＴＣ特性の改善に
対して適正な範囲がある。すなわち、低融点ガラスの粉
末の含有量は、少なすぎるとＰＴＣ特性に対する改善効
果が得られず、多すぎると室温抵抗率が著しく増大し、
抵抗変化率が小さくなったり、温度上昇にともなって抵
抗が低下するＮＴＣ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ Ｔｅｍｍｐｅ
ｒａｔｕｒｅ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｎｔ）が発生し、
また、金属粉末の含有量は、多すぎる場合は抵抗変化率
が小さくなり、ＰＴＣ特性における高抵抗率を保持でき
なくり、少なすぎる場合は、室温抵抗率が著しく大きく
なる。種々検討した結果、結晶化ガラスの粉末と低融点
ガラスの粉末と金属粉末との合計１００重量部に対し
て、結晶化ガラスの粉末の含有量は３０〜６０重量部、
好ましくは４０〜５５重量部、低融点ガラスの粉末の含
有量は１０〜４０重量部、好ましくは２０〜３０重量
部、金属粉末の含有量は２０〜５０重量部、好ましくは
２５〜４５重量部の範囲（図２中の斜線部の範囲）とす
るのがよい。
【００３２】上記ＰＴＣ材料組成物を原料として、この
ＰＴＣ材料組成物を均一に混合・調整して成形材料を作
製し、この成形材料を加圧成形して成形品を作製した
後、この成形品を焼成し、結晶析出と焼結を進行させ
て、本発明になるＰＴＣ材料を製造する。
ＰＴＣ材料組成物を均一に混合・調整して成形材料を作
製し、この成形材料を加圧成形して成形品を作製した
後、この成形品を焼成し、結晶析出と焼結を進行させ
て、本発明になるＰＴＣ材料を製造する。
【００３３】焼成して得られたＰＴＣ材料は、結晶化ガ
ラスの結晶粒界に、導電性材料粉末を含有する。
ラスの結晶粒界に、導電性材料粉末を含有する。
【００３４】結晶化ガラスの結晶粒界の導電性材料粉末
は導電体として存在し、導体回路を形成する。抵抗の温
度変化に対する急激な変化、すなわち、ＰＴＣ特性は、
従来のＢａＴｉＯ3系ＰＴＣ材料のようなキューリー点
における強誘電−常誘電転移に基づくものとは異なり、
Ｖ2Ｏ3系のような結晶変態にともなう導電体−絶縁体転
移の機構、あるいは結晶化ガラスの結晶粒界に存在する
導電体の導体回路が、温度上昇によって結晶粒界に生成
されるわずかなガラス液相あるいはこのガラス液相から
析出する結晶によって排除され、切断されるといった新
たな機構によるものと推察される。
は導電体として存在し、導体回路を形成する。抵抗の温
度変化に対する急激な変化、すなわち、ＰＴＣ特性は、
従来のＢａＴｉＯ3系ＰＴＣ材料のようなキューリー点
における強誘電−常誘電転移に基づくものとは異なり、
Ｖ2Ｏ3系のような結晶変態にともなう導電体−絶縁体転
移の機構、あるいは結晶化ガラスの結晶粒界に存在する
導電体の導体回路が、温度上昇によって結晶粒界に生成
されるわずかなガラス液相あるいはこのガラス液相から
析出する結晶によって排除され、切断されるといった新
たな機構によるものと推察される。
【００３５】通常の結晶化ガラスの結晶化温度は、９０
０〜１０００℃と高く、このような高い結晶化温度にお
いては、導電性材料の粉末は不安定になり、表面に酸化
物が形成されるなどして、導電性が著しく低下するが、
結晶化温度が５００℃以下の結晶化ガラスを用い、５０
０℃付近の温度で焼結することによって、導電性材料粉
末の導電性を維持するとともに、結晶化と焼結を同時に
進行させ、緻密なＰＴＣ材料を得ることができる。
０〜１０００℃と高く、このような高い結晶化温度にお
いては、導電性材料の粉末は不安定になり、表面に酸化
物が形成されるなどして、導電性が著しく低下するが、
結晶化温度が５００℃以下の結晶化ガラスを用い、５０
０℃付近の温度で焼結することによって、導電性材料粉
末の導電性を維持するとともに、結晶化と焼結を同時に
進行させ、緻密なＰＴＣ材料を得ることができる。
【００３６】導電性材料粉末として、金属粉末あるいは
導電性カーボン粉末を用いることができる。
導電性カーボン粉末を用いることができる。
【００３７】金属粉末は、ＰＴＣ材料の結晶化ガラスの
結晶粒界に、５００℃付近の温度で液相または固相とし
て安定に存在し、焼結時には焼結性を向上させる働きも
有する。
結晶粒界に、５００℃付近の温度で液相または固相とし
て安定に存在し、焼結時には焼結性を向上させる働きも
有する。
【００３８】ＰＴＣ材料中の金属粉末の含有量は、多す
ぎる場合は抵抗変化率が小さくなり、ＰＴＣ特性におけ
る高抵抗率を保持できなくなり、少なすぎる場合は、室
温抵抗率が著しく大きくなる。従って、全体１００重量
部に対して、２０〜４０重量部、好ましくは２５〜３５
重量部とする。
ぎる場合は抵抗変化率が小さくなり、ＰＴＣ特性におけ
る高抵抗率を保持できなくなり、少なすぎる場合は、室
温抵抗率が著しく大きくなる。従って、全体１００重量
部に対して、２０〜４０重量部、好ましくは２５〜３５
重量部とする。
【００３９】また、ＰＴＣ材料中の導電性カーボン粉末
は比重が小さいので、多すぎる場合は焼成時に発生する
結晶化ガラスの液相と混じり合わず、焼結が困難にな
り、たとえ焼結できても抵抗変化率は導電性カーボンと
変わらないものになる。また、少なすぎる場合は、室温
抵抗率が著しく大きくなる。従って、全体１００重量部
に対して、導電性カーボン粉末の場合には、含有量は５
〜２０重量部とする。
は比重が小さいので、多すぎる場合は焼成時に発生する
結晶化ガラスの液相と混じり合わず、焼結が困難にな
り、たとえ焼結できても抵抗変化率は導電性カーボンと
変わらないものになる。また、少なすぎる場合は、室温
抵抗率が著しく大きくなる。従って、全体１００重量部
に対して、導電性カーボン粉末の場合には、含有量は５
〜２０重量部とする。
【００４０】焼成温度は、低すぎると結晶化が不十分に
なるので結晶化温度より約２０℃高い温度とし、高すぎ
ると結晶化ガラスの液相成分が増大し発泡し焼結密度が
低下するので、５５０℃以下の温度とする。種々検討し
た結果によれば、金属粉末を含むものでは５５０℃以下
で焼成し、導電性カーボン粉末を含有するものでは５０
０℃以下で焼成することによって良好な結果が得られ
る。
なるので結晶化温度より約２０℃高い温度とし、高すぎ
ると結晶化ガラスの液相成分が増大し発泡し焼結密度が
低下するので、５５０℃以下の温度とする。種々検討し
た結果によれば、金属粉末を含むものでは５５０℃以下
で焼成し、導電性カーボン粉末を含有するものでは５０
０℃以下で焼成することによって良好な結果が得られ
る。
【００４１】また、上記のように、ＰＴＣ材料組成物
に、さらに低融点ガラスの粉末を含有させることによっ
て、ＰＴＣ抵抗変化率を大きくできるが、この低融点ガ
ラス粉末の融点は、焼成温度より低く、さらに結晶化ガ
ラス粉末の結晶化温度より低いものが用いられ、焼成温
度は、結晶化ガラスの結晶化の進行及び低融点ガラスの
発泡による焼結密度の低下の点から、５００℃とするの
がよい。
に、さらに低融点ガラスの粉末を含有させることによっ
て、ＰＴＣ抵抗変化率を大きくできるが、この低融点ガ
ラス粉末の融点は、焼成温度より低く、さらに結晶化ガ
ラス粉末の結晶化温度より低いものが用いられ、焼成温
度は、結晶化ガラスの結晶化の進行及び低融点ガラスの
発泡による焼結密度の低下の点から、５００℃とするの
がよい。
【００４２】低融点ガラスの粉末を含有することによっ
て、焼成時に、溶融した低融点ガラスの中で結晶化ガラ
スの結晶析出及び結晶成長が進行するため、結晶化ガラ
スの粒界に導電性金属粉末が有効に存在するようになっ
て、金属粉末の界面が増大し、ＰＴＣ抵抗変化幅が大き
くなる。
て、焼成時に、溶融した低融点ガラスの中で結晶化ガラ
スの結晶析出及び結晶成長が進行するため、結晶化ガラ
スの粒界に導電性金属粉末が有効に存在するようになっ
て、金属粉末の界面が増大し、ＰＴＣ抵抗変化幅が大き
くなる。
【００４３】また、低融点ガラス粉末として、主成分が
ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2（融点が３００〜３５０℃）
のソルダーガラスを用いることができる。このソルダー
ガラスは、融点がＰＴＣ材料の焼成温度より低いため、
この溶融したソルダーガラスの中での結晶化ガラスの析
出・結晶成長が進行するのに好適であり、また、焼結を
促進し焼結したＰＴＣ材料の強度を向上する働きを有す
る。
ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2（融点が３００〜３５０℃）
のソルダーガラスを用いることができる。このソルダー
ガラスは、融点がＰＴＣ材料の焼成温度より低いため、
この溶融したソルダーガラスの中での結晶化ガラスの析
出・結晶成長が進行するのに好適であり、また、焼結を
促進し焼結したＰＴＣ材料の強度を向上する働きを有す
る。
【００４４】本発明のＰＴＣ材料組成物及びＰＴＣ材料
の結晶化ガラスは、Ｖ2Ｏ5、ＺｎＯ及びＢ2Ｏ3を主成分
とし、Ａｌ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ3を添加したもの、あるいは
Ａｌ2Ｏ3及びＬｉ2Ｏ3を添加したものなど結晶化温度が
５００℃以下のものであればよく、また、結晶化ガラス
の平均粒径は、特に限定されないが、通常３〜２０μｍ
であるのが好ましい。
の結晶化ガラスは、Ｖ2Ｏ5、ＺｎＯ及びＢ2Ｏ3を主成分
とし、Ａｌ2Ｏ3及びＢｉ2Ｏ3を添加したもの、あるいは
Ａｌ2Ｏ3及びＬｉ2Ｏ3を添加したものなど結晶化温度が
５００℃以下のものであればよく、また、結晶化ガラス
の平均粒径は、特に限定されないが、通常３〜２０μｍ
であるのが好ましい。
【００４５】また、導電性材料粉末は、カーボン粉末、
Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｔあるい
はＰｄなどの金属粉末、合金粉末、これらの金属あるい
は合金粉末の１種または２種以上を混合したものなど導
電性のものであればよいが、特に、室温抵抗率が１１×
１０-6Ω・ｃｍ以下の金属粉末あるいは室温抵抗率が１
×１０-3Ω・ｃｍ以下の導電性カーボン粉末が好まし
い。
Ｓｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ａｇ、Ｐｔあるい
はＰｄなどの金属粉末、合金粉末、これらの金属あるい
は合金粉末の１種または２種以上を混合したものなど導
電性のものであればよいが、特に、室温抵抗率が１１×
１０-6Ω・ｃｍ以下の金属粉末あるいは室温抵抗率が１
×１０-3Ω・ｃｍ以下の導電性カーボン粉末が好まし
い。
【００４６】また、導電性材料粉末の平均粒径は特に限
定されないが、金属粉末の平均粒径は、通常、０．１〜
５μｍであるのが好ましく、導電性カーボンの平均粒径
は、３０〜１００ｎｍのものがＰＴＣ特性発現上好まし
い。
定されないが、金属粉末の平均粒径は、通常、０．１〜
５μｍであるのが好ましく、導電性カーボンの平均粒径
は、３０〜１００ｎｍのものがＰＴＣ特性発現上好まし
い。
【００４７】
【実施例】以下に、本発明について、実施例と比較例を
挙げて詳細に説明する。 実施例１〜２８．表１は、本実施例におけるＰＴＣ材料
組成物の組成、焼成温度、室温抵抗率、抵抗率変化点及
び変化率（５００℃における抵抗率／室温抵抗率）を、
比較例１〜５とともに示すものである。
挙げて詳細に説明する。 実施例１〜２８．表１は、本実施例におけるＰＴＣ材料
組成物の組成、焼成温度、室温抵抗率、抵抗率変化点及
び変化率（５００℃における抵抗率／室温抵抗率）を、
比較例１〜５とともに示すものである。
【００４８】
【表１】
【００４９】本実施例のＰＣＴ材料組成物は、Ｖ2Ｏ5−
ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系結晶化ガラス
（結晶化温度：４３０℃、融点：６７０℃）の粉末と、
金属粉末としてＡｇ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｍｏ、Ｗ、ＰｔまたはＰｄの１種以上の金属粉末とを原
料とした。これらの金属粉末には、高純度試薬（９９．
９９％）を用いた。
ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系結晶化ガラス
（結晶化温度：４３０℃、融点：６７０℃）の粉末と、
金属粉末としてＡｇ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、
Ｍｏ、Ｗ、ＰｔまたはＰｄの１種以上の金属粉末とを原
料とした。これらの金属粉末には、高純度試薬（９９．
９９％）を用いた。
【００５０】まず、この原料を秤量して上記表１に示す
組成で、結晶化ガラスと、金属粉末を配合した後、オム
ニミキサーで５分間予備混合し、次に、アセトンを加え
て５分間石川式攪袢擂潰機で混合し、さらに、湿式ボー
ルミルで６時間混合を行って均一化を図り、混合材料を
得た。
組成で、結晶化ガラスと、金属粉末を配合した後、オム
ニミキサーで５分間予備混合し、次に、アセトンを加え
て５分間石川式攪袢擂潰機で混合し、さらに、湿式ボー
ルミルで６時間混合を行って均一化を図り、混合材料を
得た。
【００５１】次に、上記混合材料を常態ドラフト中に放
置してアセトンを見かけ上揮発させた後、５０℃のオー
ブン中で、１時間保持し、さらに、８０℃に昇温して１
昼夜保持して、アセトンを完全に除去・乾燥してＰＴＣ
材料組成物を得た。
置してアセトンを見かけ上揮発させた後、５０℃のオー
ブン中で、１時間保持し、さらに、８０℃に昇温して１
昼夜保持して、アセトンを完全に除去・乾燥してＰＴＣ
材料組成物を得た。
【００５２】得られたＰＴＣ材料組成物を直径３０ｍｍ
の金型に充填し、加圧整形して高さが約２ｍｍの成形体
を形成した。この成形体を電気炉中で５００℃前後の温
度に加熱し自然放冷させてＰＴＣ材料を得た。この加熱
によって、ガラスの結晶化及び焼結が進行する。
の金型に充填し、加圧整形して高さが約２ｍｍの成形体
を形成した。この成形体を電気炉中で５００℃前後の温
度に加熱し自然放冷させてＰＴＣ材料を得た。この加熱
によって、ガラスの結晶化及び焼結が進行する。
【００５３】得られたＰＴＣ材料にＡｇペーストを塗布
し焼き付けて電極を形成し、室温から５００℃までの抵
抗率の温度特性を測定した。
し焼き付けて電極を形成し、室温から５００℃までの抵
抗率の温度特性を測定した。
【００５４】上記表１の結果が示すように、比較例１
（結晶化ガラス９０重量％）は室温抵抗率が高く、抵抗
変化点が観測されず、比較例２及び３（結晶化ガラス５
０重量％）は室温抵抗率は低いものの、抵抗変化点が観
測されなかった。一方、実施例１〜２８（結晶化ガラス
の含有量が６０〜８０重量％、金属粉末の含有量が２０
〜４０重量％）は、室温抵抗率が約１０0Ω・ｃｍ以
下、抵抗率変化点が４００℃以上で抵抗変化率が５以上
のＰＴＣ材料が得られ、特に、結晶化ガラスの含有量が
６５〜７５重量％で金属粉末の含有量が２５〜３５重量
％（実施例４〜５）の場合に良好な結果が得られた。
（結晶化ガラス９０重量％）は室温抵抗率が高く、抵抗
変化点が観測されず、比較例２及び３（結晶化ガラス５
０重量％）は室温抵抗率は低いものの、抵抗変化点が観
測されなかった。一方、実施例１〜２８（結晶化ガラス
の含有量が６０〜８０重量％、金属粉末の含有量が２０
〜４０重量％）は、室温抵抗率が約１０0Ω・ｃｍ以
下、抵抗率変化点が４００℃以上で抵抗変化率が５以上
のＰＴＣ材料が得られ、特に、結晶化ガラスの含有量が
６５〜７５重量％で金属粉末の含有量が２５〜３５重量
％（実施例４〜５）の場合に良好な結果が得られた。
【００５５】比較例４及び５は焼成温度を検討したもの
であるが、焼成温度は４５０〜５５０℃とした場合に良
好な結果が得られ、比較例４（焼成温度４００℃）のよ
うに焼成温度が低い場合は未焼結となり、比較例５（焼
成温度６００℃）のように焼成温度が高い場合は発泡し
て室温抵抗率が高くなり、抵抗変化点が観測されなかっ
た。
であるが、焼成温度は４５０〜５５０℃とした場合に良
好な結果が得られ、比較例４（焼成温度４００℃）のよ
うに焼成温度が低い場合は未焼結となり、比較例５（焼
成温度６００℃）のように焼成温度が高い場合は発泡し
て室温抵抗率が高くなり、抵抗変化点が観測されなかっ
た。
【００５６】実施例２９〜４１．本実施例は、結晶化ガ
ラスと導電性材料粉末（金属粉末）に、さらに低融点ガ
ラスを含むもので、表２にそのＰＴＣ材料組成物の組
成、焼成温度、室温抵抗率、抵抗率変化点及び抵抗変化
率（５００℃における抵抗率／室温抵抗率）を、比較例
６〜９とともに示した。
ラスと導電性材料粉末（金属粉末）に、さらに低融点ガ
ラスを含むもので、表２にそのＰＴＣ材料組成物の組
成、焼成温度、室温抵抗率、抵抗率変化点及び抵抗変化
率（５００℃における抵抗率／室温抵抗率）を、比較例
６〜９とともに示した。
【００５７】
【表２】
【００５８】結晶化ガラスにはＶ2Ｏ5−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3
−Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系結晶化ガラス（結晶化温度：４
３０℃、融点：６７０℃）の粉末を用い、低融点ガラス
にはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3系のフリット
ガラスを用いた。導電性材料粉末にはＡｇ粉末、Ａｇと
Ｃｕとを混合した金属粉末、ＡｇとＣｕとＰｄとを混合
した金属粉末とし、金属粉末には、高純度試薬（９９．
９９％）を用いた。
−Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系結晶化ガラス（結晶化温度：４
３０℃、融点：６７０℃）の粉末を用い、低融点ガラス
にはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ｂｉ2Ｏ3系のフリット
ガラスを用いた。導電性材料粉末にはＡｇ粉末、Ａｇと
Ｃｕとを混合した金属粉末、ＡｇとＣｕとＰｄとを混合
した金属粉末とし、金属粉末には、高純度試薬（９９．
９９％）を用いた。
【００５９】まず、この原料を秤量して上記表２に示す
組成で、結晶化ガラスと、低融点ガラス粉末と、金属粉
末とを配合した後、実施例１〜２８と同様、予備混合、
石川式攪袢擂潰機による混合、湿式ボールミルによる均
一化を経て混合材料を得、この混合材料を常態ドラフト
中及びオーブン中における乾燥を行ってＰＴＣ材料組成
物を得た。
組成で、結晶化ガラスと、低融点ガラス粉末と、金属粉
末とを配合した後、実施例１〜２８と同様、予備混合、
石川式攪袢擂潰機による混合、湿式ボールミルによる均
一化を経て混合材料を得、この混合材料を常態ドラフト
中及びオーブン中における乾燥を行ってＰＴＣ材料組成
物を得た。
【００６０】得られたＰＴＣ材料組成物を、実施例１〜
２８と同様に加圧成形して直径３０ｍｍ、高さ約２ｍｍ
の成形体を形成した。この成形体を電気炉中で５００℃
前後の温度に加熱し自然放冷させてＰＴＣ材料を得た。
この加熱によって、ガラスの結晶化及び焼結が進行す
る。
２８と同様に加圧成形して直径３０ｍｍ、高さ約２ｍｍ
の成形体を形成した。この成形体を電気炉中で５００℃
前後の温度に加熱し自然放冷させてＰＴＣ材料を得た。
この加熱によって、ガラスの結晶化及び焼結が進行す
る。
【００６１】得られたＰＴＣ材料にＡｇペーストを塗布
し焼き付けて電極を形成し、室温から５００℃までの抵
抗率の温度特性を測定した。図２は本実施例の組成１と
比較例の組成２とを示すものである。
し焼き付けて電極を形成し、室温から５００℃までの抵
抗率の温度特性を測定した。図２は本実施例の組成１と
比較例の組成２とを示すものである。
【００６２】上記表２の結果が示すように、結晶化ガラ
ス３０〜６０重量％、低融点ガラス１０〜４０重量％、
金属粉末２０〜５０重量％の範囲、すなわち実施例の組
成２を含む範囲（図２の斜線部）で室温抵抗率が約１０
0Ω・ｃｍ以下、抵抗率変化点が４００℃以上、抵抗変
化率が５以上のＰＴＣ材料が得られ、特に、結晶化ガラ
ス３５〜５５重量％、低融点ガラス１５〜３５重量％、
金属粉末２５〜４５重量％の範囲で良好な特性が得られ
る。上記斜線で示す組成の外側（図２の比較例の組成
２）の比較例６及び７は室温抵抗率が高く、比較例８は
室温抵抗率は低いものの抵抗変化点が観測されなかっ
た。
ス３０〜６０重量％、低融点ガラス１０〜４０重量％、
金属粉末２０〜５０重量％の範囲、すなわち実施例の組
成２を含む範囲（図２の斜線部）で室温抵抗率が約１０
0Ω・ｃｍ以下、抵抗率変化点が４００℃以上、抵抗変
化率が５以上のＰＴＣ材料が得られ、特に、結晶化ガラ
ス３５〜５５重量％、低融点ガラス１５〜３５重量％、
金属粉末２５〜４５重量％の範囲で良好な特性が得られ
る。上記斜線で示す組成の外側（図２の比較例の組成
２）の比較例６及び７は室温抵抗率が高く、比較例８は
室温抵抗率は低いものの抵抗変化点が観測されなかっ
た。
【００６３】焼成温度は結晶化ガラスの結晶化温度より
高い４５０〜５００℃の範囲でよい結果が得られる。比
較例９は焼成温度を検討したもので、図２の斜線部の範
囲内の組成であっても、焼成温度が５００℃を越えると
発泡し、室温抵抗率が高くなることを示している。
高い４５０〜５００℃の範囲でよい結果が得られる。比
較例９は焼成温度を検討したもので、図２の斜線部の範
囲内の組成であっても、焼成温度が５００℃を越えると
発泡し、室温抵抗率が高くなることを示している。
【００６４】実施例４２〜４５．本実施例は、導電性材
料粉末の原料として導電性カーボンを用いたもので、表
３にそのＰＴＣ材料組成物の組成、焼成温度、室温抵抗
率、抵抗率変化点及び抵抗変化率（５００℃における抵
抗率／室温抵抗率）を、比較例１０〜１３とともに示し
た。
料粉末の原料として導電性カーボンを用いたもので、表
３にそのＰＴＣ材料組成物の組成、焼成温度、室温抵抗
率、抵抗率変化点及び抵抗変化率（５００℃における抵
抗率／室温抵抗率）を、比較例１０〜１３とともに示し
た。
【００６５】
【表３】
【００６６】結晶化ガラスにはＶ2Ｏ5−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3
−Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系結晶化ガラス（結晶化温度：４
３０℃、融点：６７０℃）の粉末を用い、導電性カーボ
ンには平均粒子径５０ｎｍの高純度（９９．９９％）の
ものを用いた。
−Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系結晶化ガラス（結晶化温度：４
３０℃、融点：６７０℃）の粉末を用い、導電性カーボ
ンには平均粒子径５０ｎｍの高純度（９９．９９％）の
ものを用いた。
【００６７】まず、この原料を秤量して上記表３に示す
組成で配合した後、実施例１〜２８と同様、予備混合、
石川式攪袢擂潰機による混合、湿式ボールミルによる均
一化を経て混合材料を得、この混合材料を常態ドラフト
中及びオーブン中における乾燥を行ってＰＴＣ材料組成
物を得た。
組成で配合した後、実施例１〜２８と同様、予備混合、
石川式攪袢擂潰機による混合、湿式ボールミルによる均
一化を経て混合材料を得、この混合材料を常態ドラフト
中及びオーブン中における乾燥を行ってＰＴＣ材料組成
物を得た。
【００６８】得られたＰＴＣ材料組成物を、実施例１〜
２８と同様に加圧成形して直径３０ｍｍ、高さ約２ｍｍ
の成形体を形成した。この成形体を電気炉中で５００℃
前後の温度に加熱し自然放冷させてＰＴＣ材料を得た。
この加熱によって、ガラスの結晶化及び焼結が進行す
る。
２８と同様に加圧成形して直径３０ｍｍ、高さ約２ｍｍ
の成形体を形成した。この成形体を電気炉中で５００℃
前後の温度に加熱し自然放冷させてＰＴＣ材料を得た。
この加熱によって、ガラスの結晶化及び焼結が進行す
る。
【００６９】得られたＰＴＣ材料にＡｇペーストを塗布
し焼き付けて電極を形成し、室温から５００℃までの抵
抗率の温度特性を測定した。
し焼き付けて電極を形成し、室温から５００℃までの抵
抗率の温度特性を測定した。
【００７０】上記表３の結果が示すように、結晶化ガラ
ス８０〜９５重量％、導電性カーボン５〜２０重量％
（実施例４２〜４５）で室温抵抗率が約１０0Ω・ｃｍ
以下、抵抗率変化点が４００℃以上、抵抗変化率が５以
上のＰＴＣ材料が得られ、この組成の外側の組成の場合
（比較例１０及び１１）は室温抵抗率が高く、抵抗変化
点が観測されず（比較例１０）、また観測されても抵抗
変化率が小さなもの（比較例１１）であった。
ス８０〜９５重量％、導電性カーボン５〜２０重量％
（実施例４２〜４５）で室温抵抗率が約１０0Ω・ｃｍ
以下、抵抗率変化点が４００℃以上、抵抗変化率が５以
上のＰＴＣ材料が得られ、この組成の外側の組成の場合
（比較例１０及び１１）は室温抵抗率が高く、抵抗変化
点が観測されず（比較例１０）、また観測されても抵抗
変化率が小さなもの（比較例１１）であった。
【００７１】焼成温度は結晶化ガラスの結晶化温度より
高い４５０〜５００℃の範囲でよい結果が得られる。比
較例１２及び１３は焼成温度を検討したもので、焼成温
度が５００℃を越えると発泡し、焼成温度が低い（４３
０℃）では室温抵抗率が高く抵抗変化率が負（ＮＴＣ特
性）になる。
高い４５０〜５００℃の範囲でよい結果が得られる。比
較例１２及び１３は焼成温度を検討したもので、焼成温
度が５００℃を越えると発泡し、焼成温度が低い（４３
０℃）では室温抵抗率が高く抵抗変化率が負（ＮＴＣ特
性）になる。
【００７２】なお、上記実施例１〜４５において、Ｖ2
Ｏ5−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系結晶化ガ
ラスの粉末を用いたが、Ｖ2Ｏ5−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ
2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ3系結晶化ガラスの粉末を用いた場合おい
ても同様のＰＴＣ特性のが得られた。
Ｏ5−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3系結晶化ガ
ラスの粉末を用いたが、Ｖ2Ｏ5−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−Ａｌ
2Ｏ3−Ｌｉ2Ｏ3系結晶化ガラスの粉末を用いた場合おい
ても同様のＰＴＣ特性のが得られた。
【００７３】
【発明の効果】請求項１〜１６に係る発明によれば、室
温抵抗率が低く、抵抗変化点の温度が高く、抵抗変化率
が大きく、安定なＰＴＣ特性を示すＰＴＣ材料が得られ
る。
温抵抗率が低く、抵抗変化点の温度が高く、抵抗変化率
が大きく、安定なＰＴＣ特性を示すＰＴＣ材料が得られ
る。
【００７４】請求項７、８、１５および１６に係る発明
によれば、さらに抵抗変化率が大きくでき、安定なＰＴ
Ｃ特性を示すＰＴＣ材料が得られる。
によれば、さらに抵抗変化率が大きくでき、安定なＰＴ
Ｃ特性を示すＰＴＣ材料が得られる。
【図１】 一般的なＰＴＣ材料の温度特性を示すグラフ
である。
である。
【図２】 本発明の低融点ガラスを含有するＰＴＣ材料
の組成範囲を示す図である。
の組成範囲を示す図である。
【符号の説明】 １ 実施例の組成、２ 比較例の組成
Claims (16)
- 【請求項１】 結晶化温度が５００℃以下の結晶化ガラ
スの粉末と、導電性材料粉末とを含有したことを特徴と
するＰＴＣ材料組成物。 - 【請求項２】 結晶化ガラスの粉末がＶ（バナジウ
ム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＢ（ボロン）の酸化物を主成分
とすることを特徴とする請求項１記載のＰＴＣ材料組成
物。 - 【請求項３】 導電性材料粉末が、金属粉末からなるこ
とを特徴とする請求項１記載のＰＴＣ材料組成物。 - 【請求項４】 結晶化ガラスの粉末と金属粉末との合計
１００重量部に対して、金属粉末の含有量が２０〜４０
重量部であることを特徴とする請求項３記載のＰＴＣ材
料組成物。 - 【請求項５】 導電性材料粉末が、導電性カーボン粉末
からなることを特徴とする請求項１記載のＰＴＣ材料組
成物。 - 【請求項６】 結晶化ガラスの粉末と導電性カーボン粉
末との合計１００重量部に対して、導電性カーボン粉末
の含有量が５〜２０重量部であることを特徴とする請求
項５記載のＰＴＣ材料組成物。 - 【請求項７】 低融点ガラスの粉末を含有することを特
徴とする請求項３記載のＰＴＣ材料組成物。 - 【請求項８】 結晶化ガラスの粉末と低融点ガラスの粉
末と金属粉末との合計１００重量部に対して、結晶化ガ
ラスの粉末の含有量が３０〜６０重量部、低融点ガラス
の粉末の含有量が１０〜４０重量部、金属粉末の含有量
が２０〜５０重量部であることを特徴とする請求項７記
載のＰＴＣ材料組成物。 - 【請求項９】 結晶化温度が５００℃以下の結晶化ガラ
スの粉末と、導電性材料粉末とを含有したＰＴＣ材料組
成物を成形した成形物を焼成してなることを特徴とする
ＰＴＣ材料。 - 【請求項１０】 結晶化ガラスの粉末が、Ｖ（バナジウ
ム）、Ｚｎ（亜鉛）及びＢ（ボロン）の酸化物を主成分
とすることを特徴とする請求項９記載のＰＴＣ材料。 - 【請求項１１】 導電性材料粉末が、金属粉末からなる
ことを特徴とする請求項９記載のＰＴＣ材料。 - 【請求項１２】 結晶化ガラスの粉末と金属粉末との合
計１００重量部に対して、金属粉末の含有量が２０〜４
０重量部であることを特徴とする請求項１１記載のＰＴ
Ｃ材料。 - 【請求項１３】 導電性材料粉末が、導電性カーボン粉
末からなることを特徴とする請求項９記載のＰＴＣ材
料。 - 【請求項１４】 結晶化ガラスの粉末と導電性カーボン
粉末との合計１００重量部に対して、導電性カーボン粉
末の含有量が５〜２０重量部であることを特徴とする請
求項１３記載のＰＴＣ材料。 - 【請求項１５】 ＰＴＣ材料組成物が、低融点ガラスの
粉末を含有することを特徴とする請求項１１記載のＰＴ
Ｃ材料。 - 【請求項１６】 結晶化ガラスの粉末と低融点ガラスの
粉末と金属粉末との合計１００重量部に対して、結晶化
ガラスの粉末の含有量が３０〜６０重量部、低融点ガラ
スの粉末の含有量が１０〜４０重量部、金属粉末の含有
量が２０〜５０重量部であることを特徴とする請求項１
５記載のＰＴＣ材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14159596A JP3301312B2 (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | Ｐｔｃ材料組成物及びｐｔｃ材料 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14159596A JP3301312B2 (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | Ｐｔｃ材料組成物及びｐｔｃ材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09326302A true JPH09326302A (ja) | 1997-12-16 |
| JP3301312B2 JP3301312B2 (ja) | 2002-07-15 |
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ID=15295670
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14159596A Expired - Fee Related JP3301312B2 (ja) | 1996-06-04 | 1996-06-04 | Ｐｔｃ材料組成物及びｐｔｃ材料 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3301312B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006025199A1 (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Kyushu Institute Of Technology | 誘電泳動力を用いた自己回復性限流ヒューズ |
| WO2009060709A1 (ja) * | 2007-11-09 | 2009-05-14 | Kyushu Institute Of Technology | 自己回復性限流ヒューズ |
| WO2009087812A1 (ja) * | 2008-01-10 | 2009-07-16 | Kyushu Institute Of Technology | メカニカルヒューズ及びその感度設定方法 |
| JP2012001402A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Shimane Univ | 電気抵抗材料 |
-
1996
- 1996-06-04 JP JP14159596A patent/JP3301312B2/ja not_active Expired - Fee Related
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