JPH09321202A - ダムバー切断方法及び装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】レーザ光を用いてダムバーを能率良く切断する
ことができると共に、零状ドロスの付着を抑えかつヒゲ
ドロスの発生を防止し、高精度で高品質の半導体装置を
得ることができるダムバー切断方法および装置を提供す
る。 【解決手段】樹脂モールド５と同じ高さのリードフレー
ム固定板２０を、ダムバー３を挟んだ樹脂モールド５と
は逆側のリードフレーム１上に固定し、この状態でガス
ノズル５１からアシストガス６０を噴出しながら、レー
ザ光５０をダムバーに照射する。この時、アシストガス
６０がリードフレーム固定板２０と樹脂モールド５の間
に形成された流路６１を通ってダムバー３に確実かつ効
果的に当たり、溶融金属６が確実に吹き飛ばされる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、リードフレームに
半導体チップを搭載し樹脂モールドで一体に封止した半
導体装置のダムバーの切断方法に係わり、特にレーザ光
を照射することによってダムバーを切断するダムバー切
断方法、およびそのダムバー切断装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】リードフレームに半導体チップを搭載し
樹脂モールドでそれらリードフレーム及び半導体チップ
を一体に封止した半導体装置（樹脂モールド型の半導体
装置）において、ダムバーはリードフレームのリード間
を連結するものであり、樹脂モールドでリードフレーム
と半導体チップを一体に封止する時に樹脂がリードの間
に流れ出てくるのを堰止める役割を果たすものである。
また、このダムバーは各リードを補強する役割も有す
る。そして、樹脂モールドによる封止が終了すると、こ
のダムバーは切断除去され、リードフレームの各リード
（アウターリード）が個々に切り離される。

【０００３】従来では、このダムバーをパンチプレスに
より切断することが多かったが、最近では半導体装置の
高集積化や高性能化に伴ってリードフレームがさらに多
ピンかつ狭ピッチになってきており、従来のパンチプレ
スでは技術的に対応できなくなってきた。即ち、最近の
多ピンかつ狭ピッチのリードフレームでは、板厚０．１
〜０．１５ｍｍのものでアウターリードの配列ピッチが
０．２５〜０．４ｍｍ程度となっており、その最終形状
における寸法精度も±０．０１〜±０．０３ｍｍと厳し
く要求されるため、このような寸法精度を維持しつつ切
断することはパンチプレスでは困難となっている。

【０００４】これに対し、最近ではレーザ光を使用した
ダムバーの切断方法が開発されている。この方法によれ
ば、そのレーザ光をダムバーに照射するだけでダムバー
を切断することができ、またレーザ光のビームは極めて
小さく絞ることができるため微細な加工が可能であり、
しかも寸法精度の良い加工が可能である。このようなレ
ーザ光を利用した加工は溶断加工であるため溶融金属が
生じるが、通常は、この溶融金属はレーザ光と同軸的に
アシストガスを噴出することによってその大部分が吹き
飛ばされ除去される。通常のレーザ加工装置では、上記
アシストガスは加工ヘッド下部に設けられたガスノズル
先端よりレーザ光と共に同軸的に噴出される。

【０００５】このようにレーザ光を用いてダムバーを切
断する場合、通常は円形の断面形状を有するレーザ光を
小さなビーム径に絞り、パルス状に照射しつつ照射位置
を順次ずらせることにより切断していた。一方、切断す
べきダムバーの数が多く、リード間隔（切断すべきダム
バーの長さ）と板厚とが同程度である多ピンかつ狭ピッ
チのリードフレームでは、加工速度を向上させ同時に狭
いリード間隔（切断すべきダムバーの長さ）に対応でき
ることが必要となってきており、これに対しては、特開
平４−３２２４５４号公報に記載のように、シリンドリ
カルレンズで細長い断面形状にしたパルス状のレーザ光
を用い、かつ細長い断面形状のレーザ光断面の長手方向
とリードの長手方向をほぼ平行にし、１発または数発の
レーザ光照射でダムバーを切断する方式が開発されてい
る。この方式によれば速い加工速度で能率よくダムバー
の切断を行うことができる。

【０００６】また、レーザ光を利用した加工では、一般
に、溶融金属の一部がアシストガスによって除去されず
に残留し、その残留した溶融金属がリードに付着し冷却
されてドロスとなることが多い。このドロスの付着を回
避する方法の一例として、特開平５−５５４２４号公報
に記載の技術がある。この従来技術は、ダムバーとリー
ドの境界面で、ビームスポットで切り残され鋭い突出部
になると予想される部分に微細な切欠き及び逃げ穴を予
め設けておくものであり、これら切欠き及び逃げ穴によ
り、数発の円形のビームスポットを照射した時に鋭い突
起部ができなくなり、突起部先端に形成され易いドロス
の付着をなくすことが可能である。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】半導体装置の高集積化
や高性能化のためにリードフレームの多ピン化や狭ピッ
チ化を実現する場合には、樹脂モールドの強度を向上す
る必要があり、そのため樹脂モールドの厚さを十分厚く
しなければならない。しかも、ダムバーは、樹脂のはみ
出し量を極力抑えるために樹脂モールド側壁部分の近く
に設けられる。このような半導体装置のダムバーをレー
ザ光により切断する場合には、アシストガスを噴出する
ガスノズル先端と樹脂モールドとの干渉を避けるため、
上記ガスノズルを樹脂モールドの高さよりも高く保持せ
ざるを得ず、切断すべきダムバー（リードフレーム）表
面に十分接近させることができなくなる。その結果、ガ
スノズルから噴出されたアシストガスがダムバー表面に
達するまでに分散してしまい、ダムバー表面でのアシス
トガスの圧力は弱くなり、溶融金属が十分に除去できず
ドロスの付着量が多くなる。

【０００８】また、半導体装置の種類により樹脂モール
ドの厚さが変わると、その樹脂モールド厚さに応じてガ
スノズルを適宜に退避させなければならず、ガスノズル
先端とダムバー表面の間隔を一定に保つことができなく
なる。これにより、ダムバー表面におけるアシストガス
の圧力を一定にすることができなくなり、安定した条件
で溶融金属を吹き飛ばすことが不可能となる。さらにレ
ーザ光の照射条件も一定にすることができなくなるの
で、適切な切断条件を維持することが困難となる。

【０００９】さらに、ガスノズルを樹脂モールドの高さ
よりも高く保持するため、アシストガスは樹脂モールド
側壁に沿って流下する。この時、樹脂モールド型の半導
体装置においては、ダムバーとリードフレームの各リー
ドと樹脂モールドとに囲まれた部分にせき止められた樹
脂がダム内レジンとなって残留しており、このダム内レ
ジンとリードフレームとによって上記アシストガスがせ
き止められて流れの方向が変えられ、水平方向でかつ樹
脂モールドとは逆の向きへの流れが誘起される。その結
果、特に溶融金属の量が多い場合には、水平方向に流れ
るアシストガスによって溶融金属の一部がその向きに流
れ、ダムバーが除去されたリードの側壁面から樹脂モー
ルドとは逆の向きに成長するドロスが発生する。これ
は、通常の雫状のドロスとは異なり、細長い針状または
棒状のドロスである（以下、これをヒゲドロスとい
う）。

【００１０】このヒゲドロスは、リードに強固に付着し
ていないため、容易に浮き上がったり立ち上がったり
し、隣接するリードに接触しリード間を電気的に短絡す
る危険性がある。また、ヒゲドロスの大きさは、通常の
雫状のドロスに比べてかなり大きいため、半導体装置の
電子回路基板上への実装時に基板上に不規則に付着する
こともあり、基板上の電気配線間をも電気的に短絡する
危険性がある。一方、このようなヒゲドロスを無理矢理
除去しようとすると、剛性の弱い多ピンかつ狭ピッチの
リードフレームが変形したりねじれたりする恐れがあ
り、最悪の場合にはリードが破断することもある。しか
も、多ピンのリードフレームでは除去すべき箇所も多い
ため、ヒゲドロスを完全かつ確実に除去することはほと
んど不可能といえる。このように、ヒゲドロスは、半導
体装置にとって著しい不具合を引き起こすものである。

【００１１】ところで、前述の特開平４−３２２４５４
号公報に記載のような細長い断面形状のレーザ光を用い
る場合には、円形の断面形状を有するレーザ光に比べ１
発のパルス状のレーザ光で溶融する部分、即ち除去すべ
き溶融金属が多くなる。それ故、レーザ切断時に溶融金
属から生じるドロスの量も多くなることが懸念される。
従って、このような細長い断面形状のレーザ光を用いて
樹脂モールドの厚い半導体装置のダムバーを切断する場
合には、通常のドロスのみならず上記のようなヒゲドロ
スも発生しやすい。従って、この従来技術の方式を用い
て良好な寸法精度で能率よく加工ができたとしても、ヒ
ゲドロス等が発生すればそれを除去することによって良
好な寸法精度が損なわれ、要求される寸法精度が維持で
きなくなる。

【００１２】また、前述の特開平５−５５４２４号公報
に記載の従来技術では、円形のスポットを用いるため、
溶融金属の量は比較的少なく、ヒゲドロスが発生するこ
とはないが、切欠きや逃げ穴を形成するための工程の数
が増えるため、その分だけ切断に要する時間が必要とな
り、能率が低下する。しかも製造コストが増加するとい
う問題点もある。

【００１３】本発明の目的は、レーザ光を用いてダムバ
ーを能率良く切断することができると共に、零状ドロス
の付着を抑えかつヒゲドロスの発生を防止し、高精度で
高品質の半導体装置を得ることができるダムバー切断方
法および装置を提供することである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、リードフレームに半導体チップを
搭載し樹脂モールドで一体に封止した半導体装置におけ
るダムバーを、パルス状のレーザ光を照射して切断する
ダムバー切断方法において、前記ダムバーを挟んだ前記
樹脂モールドとは逆側のリードフレーム上に前記樹脂モ
ールドと同じ高さの固定板を固定し、その固定板および
前記樹脂モールドの上面にガスノズルを近接させ、その
ガスノズルよりアシストガスを噴出しながら前記レーザ
光を前記ダムバーに照射してそのダムバーを切断するこ
とを特徴とするダムバー切断方法が提供される。

【００１５】本発明は、パルス状に発振するレーザ光を
用いてダムバーの切断を行う場合に、極力ドロスの付着
を押さえることが出来るように提案されたものであっ
て、本発明者が、多くのダムバー切断の実験を通じて、
切断中の溶融金属の溶融、飛散、排除の現象についての
詳細な観察を行った結果、細長い断面形状のレーザ光を
用いてダムバーを切断する場合に、いかに溶融金属を適
切に吹き飛ばすかということがドロス付着の抑制のため
に重要であるということが分かった。

【００１６】即ち、前述のように構成した本発明におい
ては、ダムバーを挟んだ樹脂モールドとは逆側のリード
フレーム上に樹脂モールドと同じ高さの固定板を固定す
ることにより、固定板と樹脂モールドとによってダムバ
ーに直接当たるようなアシストガスの流路が形成される
ことになる。そして、固定板および樹脂モールドの上面
にガスノズルを近接させてアシストガスを噴出すること
により、アシストガスは固定板と樹脂モールドの間に形
成された流路を通ってダムバーに確実かつ効果的に当た
る。従って、従来の方式のように、アシストガスの流れ
がダム内レジンやダムバー（リードフレーム）でせき止
められる現象や、アシストガスの流れの方向が水平方向
でかつ樹脂モールドとは逆の向きに変化してしまう現象
が回避され、アシストガスの吹き付け効果が低減しな
い。これにより、常に適切な切断条件及びアシストガス
圧力のもとでダムバーを切断することができ、零状ドロ
スの付着の少ない良好な品質を得ることができる。

【００１７】上記において、固定板として、側壁の形状
（例えば側壁の角度など）が樹脂モールドの側壁の形状
と同様のものを用いることが好ましくい。これにより、
固定板と樹脂モールドの間に形成された流路がダムバー
に対して対称となり、より均等で安定したアシストガス
の流れを形成することが可能となる。

【００１８】また、水平方向でかつ樹脂モールドとは逆
の向きへ流れるアシストガスの流れが生じなくなるた
め、アシストガスはダムバーに対して均等に吹き付けら
れ、従って前述のようなヒゲドロスが生じることがな
く、それによる不具合を回避することができる。

【００１９】また、本発明によれば、パルス状のレーザ
光を発振するレーザ発振器と、そのレーザ発振器からの
レーザ光を被加工物の加工位置まで誘導する加工光学系
と、前記レーザ光と共に前記被加工物にアシストガスを
噴出するガスノズルを有し、リードフレームに半導体チ
ップを搭載し樹脂モールドで一体に封止した半導体装置
におけるダムバーを、前記ガスノズルよりアシストガス
を噴出しながらレーザ光を照射して切断するダムバー切
断装置において、前記樹脂モールドと同じ高さを有し、
前記ダムバーを挟んだ樹脂モールドとは逆側のリードフ
レーム上に固定される固定板を有することを特徴とする
ダムバー切断装置が提供される。これにより、前述のよ
うな本発明のダムバー切断方法を実施することが可能と
なる。

【００２０】上記固定板の側壁の形状は、好ましくは、
樹脂モールドの側壁の形状と同様の形状とする。

【００２１】

【発明の実施の形態】本発明の一実施形態について、図
１から図４を参照しながら説明する。まず、本実施形態
の加工対象である半導体装置について説明する。図１は
加工対象の半導体装置を示す図であって、ダムバー切断
用の治具を装着した状況を示す図である。半導体装置１
００は、リードフレーム１に半導体チップ（図示せず）
を搭載し樹脂モールド５でそれらリードフレーム１及び
半導体チップを一体に封止した樹脂モールド型の半導体
装置である。また、リードフレーム１におけるダムバー
３は、リード２の間を連結するものであり、樹脂モール
ド５による封止時に樹脂がリード２の間に流れ出てくる
のを堰き止める役割を果たす。また、このダムバー３は
各リード２を補強する役割も有する。そして、樹脂モー
ルド５による封止が終了すると、ダムバー３は後述する
ように切断除去され、リード２（アウターリード）が個
々に切り離される。さらに、ダムバー３とリード２と樹
脂モールド５とに囲まれた部分には、せき止められた樹
脂が残留して固化し、ダム内レジン４となっている。な
お、図１では、樹脂モールド５内の構成（リードフレー
ムや半導体チップなど）の図示を省略した（図３におい
ても同様とする）。

【００２２】次に、ダムバー切断用の治具について説明
する。図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダムバー切
断用治具は、リードフレーム載せ台２１、樹脂モールド
載せ台２２、リードフレーム固定板２０から構成され
る。リードフレーム載せ台２１上には半導体装置１００
のリードフレーム１が載せられ、樹脂モールド載せ台２
２上には半導体装置１００の樹脂モールド５が載せら
れ、さらにリードフレーム固定板２０により、リードフ
レーム１がリードフレーム載せ台２１の方向に押し付け
られて固定される。また、上記リードフレーム載せ台２
１、樹脂モールド載せ台２２、及びリードフレーム固定
板２０は、レーザ光５０（後述する）が通過する箇所に
は存在しないように、ダムバー３の近傍を避けて設置す
るようにする。つまり、リードフレーム固定板２０は、
ダムバー３を挟んだ樹脂モールド５とは逆側のリードフ
レーム１上に固定される。リードフレーム固定板２０の
高さＨは、リードフレーム１の表面から樹脂モールド５
上面までの高さｈと同じである。また、好ましくは、リ
ードフレーム固定板２０の側壁の形状は、樹脂モールド
５の側壁の形状と同様にする。例えば、樹脂モールド５
のダムバー３側の側壁がテーパをもっている場合には、
リードフレーム固定板２０のダムバー３側の側壁にも同
程度のテーパを持たせるのが良い。

【００２３】次に、本実施形態のダムバー切断装置につ
いて図２により説明する。図２に示すように、本実施形
態のダムバー切断装置は、レーザ発振器１０、凸型シリ
ンドリカルレンズ１２、凹型シリンドリカルレンズ１
３、ベンディングミラー１４、集光レンズ１５を備えて
いる。但し、図２では、ガスノズル５１内部のみを断面
で表した。

【００２４】この構成において、レーザ発振器１０から
発せられたレーザ光１１（断面形状がほぼ円形）は、凸
型シリンドリカルレンズ１２および凹型シリンドリカル
レンズ１３によって断面形状が細長い楕円形状に変換さ
れ、ベンディングミラー１４で半導体装置１００の方向
に向きを変えられ、集光レンズ１５で集光され、ガスノ
ズル５１を通過してレーザ光５０としてダムバー３に照
射される。この時レーザ光５０のダムバー３上における
スポットは図１（ａ）に示すように細長い断面形状（楕
円形）のスポット５０ａとなる。

【００２５】このレーザ光５０の照射と同時に、アシス
トガス６０がガスノズル５１から噴出され、ダムバー３
に吹き付けられる。但し、リードフレーム載せ台２１、
樹脂モールド載せ台２２、及びリードフレーム固定板２
０で構成されるダムバー切断用治具は、図２に示したレ
ーザ加工装置の一部を構成しているものとする。また、
レーザ光１１を細長い断面形状に変換する手段として
は、上記のようなシリンドリカルレンズを用いた方法以
外の方法を利用することもできる。

【００２６】上記のようなレーザ光５０の照射及びアシ
ストガス６０の噴出時には、ガスノズル５１の先端と、
樹脂モールド５の上面及びリードフレーム固定板２０の
上面とが、図１（ｂ）及び図２に示すように対面するこ
とになるが、この間の距離ｄは極めて小さくなるように
近接させる。ｄとしては０．０１〜０．５ｍｍ程度が好
ましいが、可能ならばｄを０としガスノズル５１の先端
と、樹脂モールド５の上面及びリードフレーム固定板２
０の上面とを接触させることがより好ましい。これによ
り、リードフレーム固定板２０と樹脂モールド５とによ
ってアシストガス６０の流路６１が形成されることにな
り、アシストガス６０はリードフレーム固定板２０と樹
脂モールド５の間に形成された流路６１を通ってダムバ
ー３に確実かつ効果的に当たるようになる。

【００２７】ここで、本実施形態のようなリードフレー
ム固定板２０を含むダムバー切断用の治具を用いない従
来の場合を、比較例として図３及び図４により説明す
る。但し、図３及び図４において、図１と同等の部材に
は同じ符号を付してある。

【００２８】ダムバー切断用の治具を用いない場合に
は、図３に示すように、ガスノズル５１先端と樹脂モー
ルド５との干渉を避けるため、ガスノズル５１を樹脂モ
ールド５の高さよりも高く保持し、両者の間隔Ｗを十分
大きくとらざるを得ない。このため、アシストガス７０
は図中矢印７１で示すように樹脂モールド５に沿って流
下し、リードフレーム１に堰き止められて流れの方向が
変えられ、水平方向でかつ樹脂モールド５とは逆の向き
への流れ（図中矢印７２）が誘起される。その結果、特
に溶融金属の量が多い場合には、水平方向に流れるアシ
ストガスによって溶融金属の一部がその向きに流れ、図
４に示すように、ダムバー３が除去されたリード２の裏
面から樹脂モールド５とは逆の向きに成長するヒゲドロ
ス８０が発生する。

【００２９】このヒゲドロス８０は、通常の零状のドロ
スとは異なり、細長い針状または棒状のドロスであり、
図４（ａ）のＢ−Ｂ方向の断面図である図４（ｂ）や、
Ｃ方向から見た図である図４（ｃ）に示すように、ダム
バー３が除去された後のテーパ状になったリード側壁面
３１から樹脂モールド５とは逆の向きに立ち上がるよう
にして成長する。また、ヒゲドロス８０以外に、図３
（ｂ）に示すように通常の（零状の）ドロス８１も形成
される。

【００３０】上記ヒゲドロス８０は、リード２に強固に
付着していないため、容易に浮き上がったり、立ち上が
ったりし、隣接するリード２に接触しリード２間を電気
的に短絡する危険性がある。また、ヒゲドロス８０の大
きさは、通常の零状のドロス８１に比べてかなり大きい
ため、半導体装置の電気回路基板上への実装時に基板上
に不規則に付着することもあり、基板上の電気配線間を
も電気的に短絡する危険性がある。一方、このようなヒ
ゲドロス８０を無理矢理除去しようとすると、剛性の弱
い多ピンかつ狭ピッチのリードフレーム１が変形したり
ねじれたりする恐れがあり、最悪の場合にはリード２が
破断することもある。しかも、多ピンのリードフレーム
１では除去すべき箇所も多いため、ヒゲドロス８０を完
全かつ確実に除去することはほとんど不可能といえる。
このように、ヒゲドロス８０は、半導体装置にとって著
しい不具合を起こすものである。

【００３１】これに対して本実施形態では、アシストガ
ス６０がリードフレーム固定板２０と樹脂モールド５の
間に形成された流路６１を通ってダムバー３に確実かつ
効果的に当たるため、アシストガスの流れがダム内レジ
ン４やダムバー３（リードフレーム１）でせき止められ
る現象や、アシストガスの流れの方向が水平方向でかつ
樹脂モールド５とは逆の向きに変化してしまう現象が回
避され、アシストガス６０の吹き付け効果が低減しな
い。従って、常に適切な切断条件及びアシストガス６０
の圧力のもとで溶融金属６（図１（ｂ）参照）を確実に
吹き飛ばしながらダムバー３を切断することができ、零
状ドロスの付着を抑え、かつヒゲドロスの発生を防止す
ることができる。

【００３２】以上のような本実施形態によれば、樹脂モ
ールド５と同じ高さのリードフレーム固定板２０を、ダ
ムバー３を挟んだ樹脂モールド５とは逆側のリードフレ
ーム１上に固定するので、アシストガス６０の吹き付け
効果が低減せず、常に適切な切断条件及びアシストガス
６０の圧力のもとでダムバー３を切断することができ、
零状ドロスの付着を抑え、かつヒゲドロスの発生を防止
することができる。従って、高精度で高品質の半導体装
置を得ることができる。

【００３３】

【発明の効果】本発明によれば、樹脂モールドと同じ高
さ固定板を、ダムバーを挟んだ樹脂モールドとは逆側の
リードフレーム上に固定するので、常に適切な切断条件
及びアシストガスの圧力のもとでダムバーを切断するこ
とができ、零状ドロスの付着を抑え、かつヒゲドロスの
発生を防止することができる。従って、高精度で高品質
の半導体装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の加工対象である半導体装
置及びダムバー切断用の治具を示す図であって、（ａ）
は平面図、（ｂ）は（ａ）のB-B方向からの断面図であ
る。

【図２】図１の半導体装置におけるダムバーを切断する
ダムバー切断装置を示す図である。

【図３】リードフレーム固定板を含むダムバー切断用の
治具を用いない場合のガスノズルから噴出されるアシス
トガスと半導体装置の位置関係を示す断面図である。

【図４】図３の方法によってダムバーを切断した後のリ
ードを示す図であって、（ａ）はその平面図、（ｂ）は
B-B方向からの断面図、（ｃ）は（ａ）をC方向から見た
図である。

【符号の説明】

１ リードフレーム ２ リード ３ ダムバー ４ ダム内レジン ５ 樹脂モールド ６ 溶融金属 １０ レーザ発振器 １１ レーザ光 １２ 凸型シリンドリカルレンズ １３ 凹型シリンドリカルレンズ １４ ベンディングミラー １５ 集光レンズ ２０ リードフレーム固定板 ２１ リードフレーム載せ台 ２２ 樹脂モールド載せ台 ５０ レーザ光 ５０ａ スポット ５１ ガスノズル ６０ アシストガス ６１ 流路 １００ 半導体装置

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 下村 義昭 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 桜井 茂行 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内 (72)発明者 美野本 泰 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機エ ンジニアリング株式会社内 (72)発明者 長野 義也 茨城県土浦市神立町650番地 日立建機株 式会社土浦工場内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 リードフレームに半導体チップを搭載し
   樹脂モールドで一体に封止した半導体装置におけるダム
   バーを、パルス状のレーザ光を照射して切断するダムバ
   ー切断方法において、 前記ダムバーを挟んだ前記樹脂モールドとは逆側の前記
   リードフレーム上に前記樹脂モールドと同じ高さの固定
   板を固定し、前記固定板および前記樹脂モールドの上面
   に前記ガスノズルを近接させ、前記ガスノズルよりアシ
   ストガスを噴出しながら前記レーザ光を前記ダムバーに
   照射してそのダムバーを切断することを特徴とするダム
   バー切断方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載のダムバー切断方法におい
   て、前記固定板として、側壁の形状が前記樹脂モールド
   の側壁の形状と同様のものを用いることを特徴とするダ
   ムバー切断方法。
3. 【請求項３】 パルス状のレーザ光を発振するレーザ発
   振器と、前記レーザ発振器からのレーザ光を被加工物の
   加工位置まで誘導する加工光学系と、前記レーザ光と共
   に前記被加工物にアシストガスを噴出するガスノズルを
   有し、リードフレームに半導体チップを搭載し樹脂モー
   ルドで一体に封止した半導体装置におけるダムバーを、
   前記ガスノズルより前記アシストガスを噴出しながら前
   記レーザ光を照射して切断するダムバー切断装置におい
   て、前記樹脂モールドと同じ高さを有し、前記ダムバー
   を挟んだ前記樹脂モールドとは逆側の前記リードフレー
   ム上に固定される固定板を有することを特徴とするダム
   バー切断装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載のダムバー切断装置におい
   て、前記固定板の側壁の形状は、前記樹脂モールドの側
   壁の形状と同様の形状であることを特徴とするダムバー
   切断方法。