JPH09320667A

JPH09320667A - 異方導電性シート

Info

Publication number: JPH09320667A
Application number: JP13702696A
Authority: JP
Inventors: Sugiro Shimoda; 杉郎下田; Kazuo Takishima; 和夫滝嶋; Tetsuo Kawahara; 哲夫河原
Original assignee: Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Current assignee: JSR Corp
Priority date: 1996-05-30
Filing date: 1996-05-30
Publication date: 1997-12-12
Anticipated expiration: 2016-05-30
Also published as: JP3829359B2

Abstract

(57)【要約】【課題】電気的接続作業において、接続すべき電極に
対する位置合わせが容易で、温度変化による熱履歴など
の環境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に
維持され、高い接続信頼性が得られる異方導電性シート
を提供する。【解決手段】本発明の異方導電性シートは、それぞれ
厚み方向に伸びる多数の貫通孔11が形成された、剛性を
有する絶縁性のフレーム板21と、このフレーム板10の貫
通孔11の各々に、当該貫通孔11内に充填された状態で一
体的に設けられた、当該フレーム板10の表面から突出す
る被押圧部21を有する絶縁性弾性高分子体に導電性粒子
が分散されてなる導電路形成素子20とよりなることを特
徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子部品な
どの回路素子相互間の電気的接続やプリント基板の検査
装置におけるコネクターとして好ましく用いられる異方
導電性シートに関する。

【０００２】

【従来の技術】異方導電性エラストマーシートは、厚み
方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧さ
れたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電
部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合
などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成す
ることが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収
してソフトな接続が可能であることなどの特長を有する
ため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、
電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキー
ボードなどの分野において、回路素子、例えばプリント
回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルな
どとの相互間を電気的に接続を達成するためのコネクタ
ーとして広く用いられている。

【０００３】また、プリント基板など回路基板の電気的
検査においては、検査対象である回路基板の一面に形成
された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成され
た接続電極との電気的な接続を達成するために、回路基
板の被検査電極領域と検査用回路基板の接続電極領域と
の間に異方導電性エラストマーシートを介在させること
が行われている。

【０００４】従来、このような異方導電性エラストマー
シートとしては、種々の構造のものが知られており、例
えば金属粒子をエラストマー中に均一に分散して得られ
るもの（特開昭５１−９３３９３号公報参照）、導電性
磁性体粒子をエラストマー中に不均一に分布させること
により、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これ
らを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなるもの（特
開昭５３−１４７７７２号公報、特開昭５４−１４６８
７３号公報参照）、厚み方向に伸びる導電路形成部と絶
縁部とよりなり、導電路形成部の表面と絶縁部の表面と
の間に段差が形成されたもの（特開昭６１−２５０９０
６号）が知られている。これらの中でも、導電路形成部
の表面が絶縁部の表面より突出した状態で形成されてな
る異方導電性エラストマーシートは、接続すべき電極が
小さいピッチで配置されている回路基板などに対して
も、電極間の電気的接続が高い信頼性で達成することが
できるため、好適である。

【０００５】而して、このような異方導電性エラストマ
ーシートは、電気的接続作業において、接続すべき電極
と当該異方導電性エラストマーシートの導電路形成部と
の位置合わせが必要である。然るに、異方導電性エラス
トマーシートは、高い柔軟性を有するため、それ自体に
大きな変形、たわみが生じやすく、また、シートの厚み
方向のみならず面方向にも伸縮するため、導電路形成部
の各々の位置関係を維持させた状態で電気的接続作業を
行うことができず、従って、高い精度で位置合わせが困
難である、という問題がある。

【０００６】また、一旦は所望の位置合わせが実現され
た場合においても、温度変化による熱履歴の影響、すな
わち熱膨張および熱収縮などの影響を受けた場合には、
エラストマーの本質的な性質である大きな熱膨張係数が
災いして、温度変化による位置ずれが生ずるために、安
定な接続状態が維持されない、という問題がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
電気的接続作業において、接続すべき電極に対する位置
合わせが容易で、また、温度変化による熱履歴などの環
境の変化に対しても良好な電気的接続状態が安定に維持
され、従って、高い接続信頼性が得られる異方導電性シ
ートを提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の異方導電性シー
トは、それぞれ厚み方向に伸びる多数の貫通孔が形成さ
れた、剛性を有する絶縁性のフレーム板と、このフレー
ム板の貫通孔の各々に、当該貫通孔内に充填された状態
で一体的に設けられた、当該フレーム板の表面から突出
する被押圧部を有する絶縁性弾性高分子体に導電性粒子
が分散されてなる導電路形成素子とよりなることを特徴
とする。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の異方導電性シート
について詳細に説明する。図１は、本発明の異方導電性
シートの一例における要部の構成を示す説明用断面図で
ある。この異方導電性シートにおいては、特定のパター
ンに従って厚み方向に伸びる多数の貫通孔１１が形成さ
れた、剛性を有する絶縁性のフレーム板１０が設けられ
ている。このフレーム板１０の貫通孔１１における特定
のパターンは、接続すべき電極のパターンと対掌のパタ
ーンである。このフレーム板１０の貫通孔１１の各々に
は、フレーム板１０の表面から突出する被押圧部２１を
有する多数の導電路形成素子２０が、当該貫通孔１１内
に充填された状態で一体的に設けられており、導電路形
成素子２０の各々は互いに実質的に独立した状態とされ
ている。

【００１０】この例の導電路形成素子２０においては、
フレーム板１０の表面から突出する被押圧部２１が、そ
の上面から下方に向かうに従って大径となるよう形成さ
れており、当該被押圧部２１の下端の外径がフレーム板
１０の貫通孔１１の内径より大きいものとされている。
また、導電路形成素子２０の下端部は、フレーム板１０
の裏面より僅かに突出しており、この突出した部分の外
径がフレーム板１０の貫通孔１１の内径より大きいもの
とされている。

【００１１】ここで、フレーム板１０に要求される剛性
の程度は、例えば以下のとおりである。図２に示すよう
に、フレーム板１０の両端部を支持した状態で、当該フ
レーム板１０を水平に配置した場合において、重力によ
って生ずるフレーム板１０のたわみａが、フレーム板１
０の幅ｂの３０％以下である。

【００１２】このようなフレーム板１０を構成する材料
としては、機械的強度が高く、絶縁性を有するものであ
れば特に限定されず、例えばポリイミド、ポリエステ
ル、ポリアミド等の高い強度を有する樹脂材料、アルマ
イト処理されたアルミニウム、硬質ゴム、ガラス繊維補
強型エポキシ樹脂やガラス繊維補強型ポリエステル等の
複合樹脂材料などを用いることができるが、熱膨張性が
小さい点で、アルマイト処理されたアルミニウム、ガラ
ス繊維補強型エポキシ樹脂、ガラス繊維補強型ポリエス
テルが好ましい。

【００１３】また、フレーム板１０の厚みｔの大きさ
は、当該異方導電性シートの全厚Ｔの５〜９０％、特に
１０〜５０％であることが好ましい。また、フレーム板
１０の厚みｔの具体的な数値としては、０．０５〜５ｍ
ｍ、特に０．１〜２ｍｍであることが好ましい。厚みｔ
の大きさが過小の場合には、フレーム板１０全体の剛性
が低いものとなるため、得られる異方導電性シートはた
わみが生じやすいものとなる。一方、厚みｔが過大の場
合には、当該フレーム板の影響により、導電路形成素子
２０における十分な加重−歪み特性が得られない場合が
ある。

【００１４】導電路形成素子２０は、絶縁性の弾性高分
子体Ｅ中に導電性磁性体粒子Ｐが分散されて構成され、
好ましくは弾性高分子体Ｅ中に導電性磁性体粒子Ｐが厚
み方向に並んだ状態に配向されており、この導電性磁性
体粒子Ｐにより厚み方向に導電路が形成される。この導
電路形成素子２０は、厚み方向に加圧されて圧縮された
ときに抵抗値が減少して導電路が形成される、加圧導電
路形成素子とすることもできる。また、導電路形成素子
２０の導電路は、導電路形成素子２０の厚み方向と垂直
な断面において、その全領域にわたって形成されてもよ
く、その中央部のみに形成されていてもよい。

【００１５】導電路形成素子２０の弾性の程度は、例え
ば圧縮弾性率で１０⁷〜１０⁹ｄｙｎｅｓ／ｃｍ²であ
ることが好ましい。

【００１６】導電路形成素子２０における弾性高分子体
Ｅを構成する高分子物質としては、架橋構造を有する高
分子物質が好ましい。かかる架橋高分子物質を得るため
に用いることができる硬化性の高分子物質用材料として
は、例えばシリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然
ゴム、ポリイソプレン、スチレン−ブタジエン共重合体
ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴム、エ
チレン−プロピレン共重合体ゴム、ウレタンゴム、ポリ
エステル系ゴム、クロロプレンゴム、エピクロルヒドリ
ンゴム、軟質液状エポキシゴムなどが挙げられる。高分
子物質用材料を架橋するために用いられる架橋剤は特に
限定されるものではなく、一般的に使用される架橋剤を
用いることができ、その使用量も一般的な使用量、例え
ば高分子物質用材料１００重量部に対して３〜１５重量
部であればよい。

【００１７】導電路形成素子２０における導電性磁性体
粒子Ｐとしては、例えばニッケル、鉄、コバルトなどの
磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子、ま
たはこれらの粒子に金、銀、パラジウム、ロジウムなど
のメッキを施したもの、非磁性金属粒子若しくはガラス
ビーズなどの無機質粒子またはポリマー粒子にニッケ
ル、コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したもの
などが挙げられ、特に、接触抵抗が小さいなどの電気的
特性の点で金メッキが施された金属粒子を用いることが
好ましい。また、磁気ヒステリシスを示さない点から、
導電性超常磁性体よりなる粒子も好ましく用いることが
できる。

【００１８】また、導電性に支障を与えない範囲で、導
電性磁性体粒子Ｐの表面がシランカップリング剤、チタ
ンカップリング剤などのカップリング剤で処理されたも
のを適宜用いることができる。導電性磁性体粒子Ｐの表
面がカップリング剤で処理されることにより、当該導電
性磁性体粒子Ｐと硬化性の高分子物質材料との接着力が
大きくなり、その結果、得られる導電路形成素子２０
は、繰り返しの使用における耐久性が高いものとなる。

【００１９】また、導電性磁性体粒子Ｐの粒径は、３〜
２００μｍであることが好ましく、特に、１０〜１００
μｍであることが好ましい。これにより、形成される導
電路形成素子２０は加圧変形が容易なものとなり、当該
導電路形成素子２０において導電性磁性体粒子Ｐ間に十
分な電気的な接触が得られる。

【００２０】導電路形成素子２０における導電性磁性体
粒子Ｐの割合は、体積分率で５〜５０％、特に５〜２０
％であることが好ましい。形成すべき導電路形成素子２
０を加圧導電路形成素子とする場合において、導電性磁
性体粒子Ｐの割合が大きいときには、加圧が小さいとき
にも確実に所期の電気的接続を達成することができる。

【００２１】導電路形成素子２０における被押圧部２１
の突出高さｈは、０．１〜２．０ｍｍであることが好ま
しい。また、導電路形成素子２０における被押圧部２１
の突出高さｈは、当該異方導電性シートの全厚Ｔの３０
％以上、特に３０〜８０％であることが好ましい。この
ような条件が充足されることにより、接続すべき電極と
導電路形成素子２０との電気的接続が確実に達成される
と共に、当該導電路形成素子２０に作用される加圧力が
変化した場合にも、それによる導電路形成素子２０の導
電性の変化が十分に小さく抑制される。

【００２２】上記の構成の異方導電性シートによれば、
その骨格を構成するフレーム板１０が剛性を有するもの
であるため、変形やたわみが極めて小さく、しかも、フ
レーム板１０によって導電路形成素子２０の各々が一体
的に保持されているため、導電路形成素子２０の各々の
位置関係が常に一定の状態に維持され、その結果、電気
的接続作業において、接続すべき電極と導電路形成素子
２０との位置合わせを高い精度で容易に行うことができ
る。

【００２３】また、フレーム板１０を構成する材料とし
て熱膨張性の小さいものを用いることにより、異方導電
性シート全体の温度変化に対する熱変形が小さいものと
なり、その結果、温度変化による熱履歴などの環境の変
化に対しても良好な電気的接続状態を安定に維持するこ
とができるので、高い接続信頼性が得られる。

【００２４】また、フレーム板１０が剛性を有すると共
に、導電路形成素子２０には、フレーム板１０の表面か
ら突出する被押圧部２１が形成されているので、接続す
べき電極と導電路形成素子２０との電気的接続を確実に
達成することができる。

【００２５】更に、導電路形成素子２０の各々は、互い
に実質的に独立した状態でかつフレーム板１０によって
互いに絶縁された状態で設けられているので、高い分解
能で電気的接続を達成することができる。

【００２６】上記のような異方導電性シートは、強磁性
体よりなる特定の金型を用いてフレーム板１０の貫通孔
１１内に導電路形成素子２０を形成することにより、製
造することができる。

【００２７】図３は、導電路形成素子２０を形成するた
めに用いられる金型の一例における要部の構成を示す説
明用断面図であり、この金型は、磁性金属材料よりなる
一方の型（以下、「上型」という。）３０と、これと対
となる磁性金属材料よりなる他方の型（以下、「下型」
という。）４０とにより構成されている。上型３０の下
面には、それぞれ下方に突出する複数の凸部３１がフレ
ーム板１０の貫通孔１１における特定のパターンと対掌
なパターンに従って形成されており、下型４０の上面に
は、それぞれ上方に突出する複数の凸部４１がフレーム
板１０の貫通孔１１における特定のパターンと同一のパ
ターンに従って形成されている。

【００２８】上型３０および下型４０を構成する磁性金
属材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト
合金、ニッケル、コバルトなどを用いることができる。
上型３０の凸部３１における突出高さＨ１および下型４
０の凸部４１における突出高さＨ２は、それぞれ０．１
〜２．０ｍｍであることが好ましい。

【００２９】そして、このような金型を用いて次のよう
にして導電路形成素子２０が形成される。先ず、硬化処
理によって絶縁性の弾性高分子物質となる高分子物質用
材料中に導電性磁性体粒子を分散させて、流動性の混合
物よりなる導電路形成素子用材料を調製する。

【００３０】一方、図４に示すように、下型４０の上面
に、例えばポリエチレンテレフタレートよりなる支持フ
ィルム４５を配置し、この支持フィルム４５上に、フレ
ーム板１０を、貫通孔１１の各々が対応する下型４０の
凸部４１上に位置されるよう配置する。そして、このフ
レーム板１０の表面上に導電路形成素子用材料を塗布す
ることにより、図５に示すように、当該フレーム板１０
の貫通孔１１内に導電路形成素子用材料が充填された状
態の導電路形成素子用材料層２５を形成する。

【００３１】導電路形成素子用材料層２５を形成する手
段としては、導電路形成素子用材料をスクリーン印刷す
ることにより形成する手段を好適に用いることができ
る。また、導電路形成素子用材料層２５は、フレーム板
１０の貫通孔１１内に充填された状態であれば、フレー
ム板１０の表面の全領域にわたって形成されていてもよ
く、また、フレーム板１０の貫通孔１１におけるパター
ンと同一のパターンの開口部を有するスクリーン印刷用
マスクを用いることにより、フレーム板１０の貫通孔１
１を含む領域にのみ選択的に形成されていてもよい。ま
た、導電路形成素子用材料層２５の形成においては、導
電路形成素子用材料がフレーム板１０の貫通孔１１の下
端からはみだして当該フレーム板１０と支持フィルム４
５との間の間隙Ｋ内に進入するが、この間隙Ｋの厚みよ
りも導電性磁性体粒子の粒径が十分に大きいため、当該
間隙Ｋ内には、実際上、導電路形成素子用材料における
導電性磁性体粒子以外の材料が進入することとなる。

【００３２】このようにして形成された導電路形成素子
用材料層２５上に、図６に示すように、例えばポリイミ
ド樹脂よりなるカバーフィルム４６を、導電路形成素子
用材料層２５の表面から離間させてギャップＧを形成さ
せた状態で配置し、このカバーフィルム４６上に、上型
３０を、凸部３１の各々が対応するフレーム板１０の貫
通孔１１上に位置されるよう配置する。

【００３３】そして、導電路形成素子用材料層２５に、
磁場を上下方向に作用させることにより、上型３０の凸
部３１と下型４０の凸部４１との間に、導電性磁性体粒
子を集合させると共に、当該導電性磁性体粒子を導電路
形成素子用材料層２５の厚み方向に配向させる。

【００３４】具体的には、図７に示すように、上型３０
の上面および下型４０の下面に電磁石４７，４８を配置
してこの電磁石４７，４８を動作させることにより、上
型３０の凸部３１からこれに対応する下型４０の凸部４
１に向かう方向に平行磁場が作用し、その結果、導電路
形成素子用材料層２５中に分散されていた導電性磁性体
粒子が、上型３０の凸部３１とこれに対応する下型４０
の凸部４１との間の位置に集合し、更に厚み方向に配向
する。而して、導電路形成素子用材料層２５とカバーフ
ィルム４６との間にはギャップＧが存在するため、導電
性磁性体粒子の移動集合によって高分子物質用材料も同
様に移動する結果、上型３０の凸部３１の各々の下方に
位置する部分の高分子物質用材料が隆起し、これによ
り、導電路形成素子用材料層２５は、上型３０の凸部３
１の各々の下方の位置において上方に突出した状態とさ
れる。

【００３５】そして、この状態において、例えば加熱し
て導電路形成素子用材料層２５を硬化処理することによ
り、図８に示すように、フレーム板１０の貫通孔１１の
各々に当該フレーム板１０の表面から突出した状態の導
電路形成素子２０が形成され、以て、図１に示す構成の
異方導電性シートが製造される。

【００３６】以上において、導電路形成素子用材料層２
５の硬化処理は、平行磁場を作用させたままの状態で行
うことが好ましいが、平行磁場の作用を停止させた後に
行うこともできる。導電路形成素子用材料層２５に作用
される平行磁場の強度は、上型３０の凸部３１と下型４
０の凸部４１との間において、平均で２００〜１０００
０ガウスとなる大きさが好ましい。

【００３７】導電路形成素子用材料層２５の硬化処理
は、使用される材料によって適宜選定されるが、通常、
熱処理によって行われる。具体的な加熱温度及び加熱時
間は、導電路形成素子用材料層２５の高分子物質用材料
の種類、導電性磁性体粒子の移動に要する時間などを考
慮して適宜選定される。例えば、高分子物質用材料が室
温硬化型シリコーンゴムである場合に、硬化処理は、室
温で２４時間程度、４０℃で２時間程度、８０℃で３０
分間程度で行われる。

【００３８】図９は、本発明の異方導電性シートの他の
例における要部の構成を示す説明用断面図である。この
異方導電性シートにおいては、図１に示す異方導電性シ
ートと同様にして、剛性を有する絶縁性のフレーム板１
０の貫通孔１１の各々に、多数の導電路形成素子２０
が、当該貫通孔１１内に充填された状態で一体的に設け
られており、導電路形成素子２０の各々は互いに実質的
に独立した状態とされている。

【００３９】この例の導電路形成素子２０においては、
その中央部に、導電性磁性体粒子Ｐの充填密度が高い厚
み方向に伸びる高密度部分２２が形成され、この高密度
部分２２の周辺には、当該高密度部分２２よりも導電性
磁性体粒子Ｐの充填密度が低い厚み方向に伸びる低密度
部分２３が形成されており、高密度部分２２には、被押
圧部２１において低密度部分２３の上面から突出した状
態の突出部２４が形成されている。この高密度部分２２
においては、好ましくは導電性磁性体粒子Ｐが厚み方向
に並んだ状態に配向されており、厚み方向に導電路が形
成される。

【００４０】高密度部分２２における突出部２４の突出
高さｈ１は、０．０１〜０．５ｍｍであることが好まし
い。また、高密度部分２２における突出部２４の外径ｄ
１は、低密度部分２３を含む被押圧部２１の上面全体の
径ｄの３０〜８０％、特に５０〜７０％であることが好
ましい。

【００４１】上記の構成の異方導電性シートによれば、
図１に示す構成の異方導電性シートと同様の効果が得ら
れると共に、更に以下の効果が得られる。導電路形成素
子２０における導電路を形成する高密度部分２２には、
低密度部分２３の上面から突出する突出部２４が形成さ
れており、この突出部２４の外径を十分に小さくするこ
とができるため、導電路形成素子２０の各々には、バラ
ツキが少なくて良好な加重−歪み特性が得られ、その結
果、接続すべき電極と導電路形成素子２０との電気的接
続を高い制度で確実に達成することができる。しかも、
高密度部分２２の周辺には、導電性磁性体粒子の充填密
度の低い低密度部分２３が形成されており、この低密度
部分２４は十分に柔軟で高い可変形性を有するため、高
密度部分２２の突出部２４を加圧したときには、当該突
出部２４にかかる力が緩和され、その結果、繰り返し使
用したときにも、導電路形成素子２０に早期に故障が生
じることがなくて優れた耐久性が得られる。

【００４２】また、高密度部分２２の突出部２４の外径
を十分に小さくすることにより、接続すべき電極の面積
が小さく、しかも、その周囲に当該電極よりも高く突出
した例えばレジスト硬化物よりなる絶縁層が形成されて
いる場合においても、安定した電気的接続を達成するこ
とができる。

【００４３】上記の異方導電性シートは、特定の金型を
用いることにより、以下のようにして製造することがで
きる。図１０は、図９に示す異方導電性シートにおける
導電路形成素子２０を形成するために用いられる金型の
一例における要部の構成を示す説明用断面図であり、こ
の金型は、磁性金属材料よりなる基盤３３およびこの基
盤３３の下面に設けられた絶縁性材料よりなる成形盤３
５を有する上型（一方の型）３２と、これと対となる磁
性金属材料よりなる下型（他方の型）４０とにより構成
されている。

【００４４】上型３２における基盤３３の下面には、そ
れぞれ下方に突出する複数の凸部３４がフレーム板１０
の貫通孔１１における特定のパターンと対掌なパターン
に従って形成されており、成形盤３５の上面には、基盤
３３の凸部３４の各々に対応する凹部３６が形成され、
成形盤３５の下面には、形成すべき導電路形成素子２０
の高密度部分２２における突出部２４に対応する複数の
凹部３７が形成されている。一方、下型４０の上面に
は、それぞれ上方に突出する複数の凸部４１がフレーム
板１０の貫通孔１１における特定のパターンと同一のパ
ターンに従って形成されている。

【００４５】そして、このような金型を用いて次のよう
にして導電路形成素子２０が形成される。下型４０の上
面に、例えばポリエチレンテレフタレートよりなる支持
フィルム４５を配置し、この支持フィルム４５上に、フ
レーム板１０を、貫通孔１１の各々が対応する下型４０
の凸部４１上に位置されるよう配置する（図４参照）。
そして、このフレーム板１０の表面上に導電路形成素子
用材料を塗布することにより、当該フレーム板１０の貫
通孔１１内に導電路形成素子用材料が充填された状態の
導電路形成素子用材料層２５を形成する（図５参照）。
このようにして形成された導電路形成素子用材料層２５
上に、図１１に示すように、上型３２を、導電路形成素
子用材料層２５の表面から離間させてギャップＧを形成
させた状態で、成形盤３５における凹部３７の各々が対
応するフレーム板１０の貫通孔１１上に位置されるよう
配置する。

【００４６】そして、図１２に示すように、上型３２の
上面および下型４０の下面に電磁石４７，４８を配置し
てこの電磁石４７，４８を動作させることにより、上型
３２における基盤３３の凸部３４から下型４０の凸部４
１に向かう方向に平行磁場が作用し、その結果、導電路
形成素子用材料層２５中に分散されていた導電性磁性体
粒子が、上型３２における基盤３３の凸部３４と下型４
０の凸部４１との間の位置に集合し、更に大きい平行磁
場が作用する成形盤３５の凹部３７の下方位置に集合す
ると共に、厚み方向に配向する。

【００４７】而して、導電路形成素子用材料層２５と上
型３２との間にはギャップＧが存在するため、導電性磁
性体粒子の移動集合によって高分子物質用材料も同様に
移動する結果、上型３２における基盤３３の凸部３４の
各々の下方に位置する部分の高分子物質用材料が隆起
し、これにより、導電路形成素子用材料層２５は、上型
３２における基盤３３の凸部３４の各々の下方の位置に
おいて上方に突出した状態とされ、更に導電性磁性体粒
子が成形盤３５の凹部３７の下方位置に移動集合するこ
とにより、導電路形成素子用材料層２５が成形盤３５の
凹部３７内に進入した状態に突出する。

【００４８】そして、この状態において、導電路形成素
子用材料層２５を硬化処理することにより、図１３に示
すように、フレーム板１０の貫通孔１１の各々に当該フ
レーム板１０の表面から突出した状態の導電路形成素子
２０が形成され、以て、図８に示す構成の異方導電性シ
ートが製造される。

【００４９】

【発明の効果】本発明の異方導電性シートによれば、そ
の骨格を構成するフレーム板が剛性を有するものである
ため、たわみが極めて小さく、しかも、フレーム板によ
って導電路形成素子の各々が保持されているため、導電
路形成素子の各々の位置関係が常に一定の状態に維持さ
れ、その結果、電気的接続作業において、接続すべき電
極と導電路形成素子との位置合わせを高い精度で容易に
行うことができる。

【００５０】また、フレーム板を構成する材料として熱
膨張性の小さいものを用いることにより、異方導電性シ
ート全体の温度変化に対する熱変形が小さいものとな
り、その結果、温度変化による熱履歴などの環境の変化
に対しても良好な電気的接続状態を安定に維持すること
ができるので、高い接続信頼性が得られる。

【００５１】また、フレーム板が剛性を有すると共に、
導電路形成素子には、フレーム板の表面から突出する被
押圧部が形成されているので、接続すべき電極と導電路
形成素子との電気的接続を確実に達成することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の異方導電性シートの一例における要部
の構成を示す説明用断面図である。

【図２】フレーム板に要求される剛性の程度を示す説明
図である。

【図３】導電路形成素子を形成するための金型の一例を
示す説明用断面図である。

【図４】下型の上面に支持フィルムを介してフレーム板
を配置した状態を示す説明用断面図である。

【図５】フレーム板に導電路形成素子用材料層を形成し
た状態を示す説明用断面図である。

【図６】導電路形成素子用材料層上にカバーフィルムを
介して上型を配置した状態を示す説明用断面図である。

【図７】導電路形成素子用材料層に平行磁場を作用させ
た状態を示す説明用断面図である。

【図８】フレーム板の貫通孔の各々に導電路形成素子が
形成された状態を示す説明用断面図である。

【図９】本発明の異方導電性シートの他の例における要
部の構成を示す説明用断面図である。

【図１０】図９に示す異方導電性シートにおける導電路
形成素子を形成するための金型の一例を示す説明用断面
図である。

【図１１】導電路形成素子用材料層上に上型を配置した
状態を示す説明用断面図である。

【図１２】導電路形成素子用材料層に平行磁場を作用さ
せた状態を示す説明用断面図である。

【図１３】フレーム板の貫通孔の各々に導電路形成素子
が形成された状態を示す説明用断面図である。

【符号の説明】

１０フレーム板１１貫通孔２０導電路形成素子２１被押圧部２２高密度部分２３低密度部分２４突出部２５導電路形成素子用材料層３０，３２一方の型３１凸部３３基盤３４凸部３５成形盤３６凹部３７凹部４０他方の型４１凸部４５支持フィルム４６カバーフィルム４７，４８電磁石Ｅ弾性高分子体Ｐ導電性磁性体粒子ＧギャップＫ間隙

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれ厚み方向に伸びる多数の貫通孔
が形成された、剛性を有する絶縁性のフレーム板と、このフレーム板の貫通孔の各々に、当該貫通孔内に充填
された状態で一体的に設けられた、当該フレーム板の表
面から突出する被押圧部を有する絶縁性弾性高分子体に
導電性粒子が分散されてなる導電路形成素子とよりなる
ことを特徴とする異方導電性シート。