JPH09301799A - 高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置 - Google Patents
高抵抗炭化ケイ素層の形成方法および炭化ケイ素半導体装置Info
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- H01L21/7602—Making of isolation regions between components between components manufactured in an active substrate comprising SiC compounds
Abstract
形成する方法および高抵抗炭化ケイ素層を用いた炭化ケ
イ素半導体装置を提供することである。 【解決手段】 SiC基板21上にBまたはAlが添加
されたp型エピタキシャル層を形成する。p型エピタキ
シャル成長層にn+ −層23,24を所定間隔を隔てて
形成するとともにp+ −層26,27を所定間隔を隔て
て形成し、p+ −26,27間の領域にn−層28を形
成する。n+ −層23,24間の領域はp−層25とな
る。これらの層23〜28の周囲のエピタキシャル成長
層にV+ の注入によりV+ 注入SiC層22を形成す
る。V+ の注入ドーズ量は、初期のp型エピタキシャル
成長層の結晶中に存在するキャリア密度を補償するのに
十分な量とする。
Description
層の形成方法および高抵抗炭化ケイ素層を有する炭化ケ
イ素半導体装置に関する。
の価電子制御が容易であり、Si(シリコン)やGaA
s(ガリウム砒素)にない数々の優れた物性を有するの
で、種々の環境で使用可能な半導体装置の材料として注
目されている。
バンドギャップを有するので、高い温度までp型または
n型を維持することができる。したがって、SiCを用
いると、高温動作デバイスが実現される。また、絶縁破
壊電界が非常に高いので、高耐圧、低損失の大電力デバ
イスが実現可能である。さらに、電子の飽和ドリフト速
度が高いので、高周波での高出力動作も可能である。
んでいるので、原子炉、宇宙、海洋、大深度地下等の過
酷な環境で使用できる耐環境デバイスの材料として期待
されている。さらに、SiCは不純物のドーピングによ
りp型およびn型を作製できるので、青色あるいは紫色
の光を発光する可視短波長発光デバイスや、紫外線のよ
うな短波長光を検知するセンサの材料として有望視され
ている。
作製する場合には、素子間の電気的絶縁(素子分離)や
基板と素子との間の絶縁を行うためにpn接合が通常用
いられる。しかし、この場合にはリーク電流が比較的大
きい、製造プロセスが複雑になる等の問題がある。これ
を解決するため、最近では所定の層に酸素をイオン注入
することが行われている。この場合、Si層中にSiO
2 層を形成するために、酸素の注入量は1017〜1018
cm-2必要となる。この多量の酸素のイオン注入には非
常に長い時間を要する。しかも、注入損傷のため、表層
Siの結晶性に課題を残している。
ン注入することにより高抵抗層を形成することが考えら
れる。しかしながら、Siの場合と同様に、多量の酸素
イオン注入により発生した注入損傷により、表面のSi
Cの結晶性が著しく損なわれることが予想される。ま
た、酸素のイオン注入により高抵抗層を形成する場合、
多量の酸素を長時間イオン注入する必要がある。そのた
め、半導体装置の製造時間が長くなり、製造コストも高
くなるという問題がある。
抵抗炭化ケイ素層を形成する方法および高抵抗層を有す
る炭化ケイ素半導体装置を提供することである。
発明に係る高抵抗炭化ケイ素の形成方法は、炭化ケイ素
にその炭化ケイ素のキャリア密度と同程度またはそれ以
上の密度で遷移金属を添加することにより、炭化ケイ素
中に高抵抗層を形成するものである。
ケイ素の禁制帯内にディープレベル(深い準位)が形成
される。そのディープレベルはトラップ(捕獲中心)と
して働き、そのトラップによりキャリアの捕獲が行われ
る。したがって、炭化ケイ素のキャリア密度と同程度ま
たはそれ以上の密度で遷移金属を添加することにより、
実質的なキャリア密度が低減され、より高抵抗の炭化ケ
イ素層が得られる。
ャリア密度は1×1018cm-3以下であることが好まし
い。このように、炭化ケイ素のキャリア密度が低い場合
には、遷移金属の添加により形成されるレベルがキャリ
アを効率良く捕獲することができる。したがって、さら
に高抵抗率の炭化ケイ素層が得られ易い。特に、キャリ
ア密度が1013〜1017cm-3である場合に実用的な高
抵抗層が得られる。
はニッケルであってもよい。また、遷移金属の添加をイ
オン注入により行ってもよい。この場合、少ない注入量
で高抵抗炭化ケイ素層を形成することができる。さら
に、遷移金属の添加を炭化ケイ素層のエピタキシャル成
長中に行ってもよい。この場合、炭化ケイ素層の成長過
程で高抵抗炭化ケイ素層を形成することができる。
ニール処理を施すことが好ましい。これにより、炭化ケ
イ素の結晶性を容易にほぼ完全に回復させることができ
る。その結果、より高抵抗の炭化ケイ素が得られる。
は、炭化ケイ素基板上に炭化ケイ素層が形成され、炭化
ケイ素層中に遷移金属が添加されてなる高抵抗層が選択
的に形成されたものである。
化ケイ素層中に少量の遷移金属を添加することにより高
抵抗層が選択的に形成されているので、製造が容易であ
り、短時間にかつ低コストで製造することができる。こ
の高抵抗層は、素子分離や素子と基板との間の分離に用
いることができる。また、高抵抗層により表面、界面ま
たは接合端部の電界集中を緩和し、高耐圧を得ることが
できる。さらに、高抵抗層をマイクロ波等の高周波動作
における寄生インピーダンスの低減のために用いること
ができる。
ア密度と同程度またはそれ以上の密度で添加されること
が好ましい。それにより、炭化ケイ素層中のキャリアが
遷移金属により形成されたディープレベルに捕獲される
ので、より高い抵抗値を有する高抵抗層が形成される。
ア密度が1×1018cm-3以下であることが好ましい。
このように、炭化ケイ素のキャリア密度が低い場合に
は、遷移金属の添加により形成されるディープレベルが
キャリアを効率良く捕獲することができる。したがっ
て、さらに高抵抗率の高抵抗層が得られ易い。特に、キ
ャリア密度が1013〜1017cm-3である場合に実用的
な高抵抗層が得られる。遷移金属はバナジウム、クロ
ム、鉄またはニッケルであってもよい。
域が所定間隔を隔てて形成され、第1および第2の高導
電領域間にチャネル領域が形成され、高抵抗層が第1お
よび第2の高導電領域ならびにチャネル領域の側部およ
び下部を囲むように形成されてもよい。これにより、高
抵抗層が素子分離膜として働くとともに、活性な素子を
炭化ケイ素基板から分離することにより寄生インピーダ
ンスを低減させる。
2導電型の第2の層とからなる積層構造を含み、高抵抗
層が第1の層と第2の層との界面の端部に形成されても
よい。これにより、高電界が発生する接合界面端部の電
界集中が高抵抗層により緩和される。
層が電極の縁部の下部における炭化ケイ素層に形成され
てもよい。これにより、電極端部の電界集中が高抵抗層
により緩和され、高耐圧が得られる。
照しながら詳細に説明する。本実施例では、図1および
図2に示すメサ型サンドウィッチ構造のp型SiC試料
およびn型SiC試料を作製し、V+ (バナジウムイオ
ン)注入による高抵抗層の形成を行った。なお、以下の
説明では、次の(数1)に示す結晶軸の方向および結晶
面をそれぞれ〈11-20〉および{11-20}と表す。
の作製方法を説明する。図1(a)において、p−基板
1として例えば昇華法により作製されたp型6H−Si
Cウエハを用いる。p−基板1の(0001)Si面か
ら〈11-2 0〉方向に3.0°傾斜した面(オフ面)上
に、膜厚1μmのp−バッファ層2、膜厚1μmのp−
層3および膜厚0.15μmのp+ −コンタクト層4を
順に形成する。形成方法としては、SiH4 、C3 H8
およびH2 の混合ガスを用いた常圧CVD法(化学的気
相成長法)を用いる。基板温度は1500℃であり、成
長速度は2.5μm/時間である。
ン)のドーピングを行う。p−バッファ層2、p−層3
およびp+ −コンタクト層4のアクセプタ密度は、それ
ぞれ2×1017cm-3、4×1016cm-3および2×1
018cm-3である。なお、p−基板1のアクセプタ密度
は1〜3×1018cm-3である。
温で2段階に注入することによりp−層3中にV+ 注入
SiC層5を形成する。V+ の原料はVCl4 である。
まず、400keVの加速エネルギーで3.0×1012
cm-2の51V+ を注入した後、300keVの加速エネ
ルギーで2.1×1012cm-2の51V+ を注入する。ト
ータルドーズ量は5.1×1012cm-2であり、V+ 注
入SiC層5の厚さは0.3〜0.4μmである。
グラファイトサセプタ上に装着し、1気圧のAr(アル
ゴン)雰囲気中で400kHzの高周波誘導加熱により
1200℃または1500℃で30分間のアニール処理
を行う。なお、高周波誘導加熱によるアニールの代わり
に、通常の電気炉によるアニール、レーザアニール等の
他のアニール方法を用いてもよい。
およびO2 の混合ガスを用いたRIE法(反応性イオン
エッチング法)によりp+ −コンタクト層4、p−層3
およびp−バッファ層2を2μmの深さまでエッチング
し、メサ型サンドウィッチ構造を作製する。反応ガスの
圧力は300mTorrであり、高周波電力は150W
である。
熱酸化を4時間行うことによりp−バッファ層2の上面
およびメサ部の上面および側面にSiO2 膜6を形成す
る。最後に、p+ −コンタクト層4の上面のSiO2 膜
6を除去した後、真空蒸着法によりp+ −コンタクト層
4上に膜厚約500nmのAl/Ti電極7を形成する
とともに、p−基板1の裏面に真空蒸着法により膜厚約
500nmのAl/Ti電極8を形成する。このように
して、p型SiC試料Aが作製される。
の作製方法を説明する。図2(a)において、n−基板
11として例えば昇華法により作製されたn型6H−S
iCウエハを用いる。n−基板11の(0001)Si
面から〈11-2 0〉方向に3.0°傾斜した面(オフ
面)上に、膜厚1μmのn−バッファ層12、膜厚1μ
mのn−層13および膜厚0.15μmのn+ −コンタ
クト層14を順に形成する。形成方法としては、SiH
4 、C3 H8 およびH2 の混合ガスを用いた常圧CVD
法(化学的気相成長法)を用いる。基板温度は1500
℃であり、成長速度は2.5μm/時間である。
ーピングを行う。n−バッファ層12、n−層13およ
びn+ −コンタクト層14のドナー密度は、それぞれ2
×1017cm-3、4×1016cm-3および2×1018c
m-3である。なお、n−基板11のドナー密度は1〜3
×1018cm-3である。
温で2段階に注入することによりn−層13中にV+ 注
入SiC層15を形成する。注入方法、注入条件および
ドーズ量は図1のp型SiC試料Aの場合と同様であ
る。
グラファイトサセプタ上に装着し、1気圧のAr(アル
ゴン)雰囲気中で400kHzの高周波誘導加熱により
1200℃または1500℃で30分間のアニール処理
を行う。なお、高周波誘導加熱によるアニールの代わり
に、通常の電気炉によるアニール、レーザアニール等の
他のアニール方法を用いてもよい。
法によりn+ −コンタクト層14、n−層13およびn
−バッファ層12を2μmの深さまでエッチングし、メ
サ型サンドウィッチ構造を作製する。エッチング条件
は、図1のp型SiC試料Aの場合と同様である。
して、n−バッファ層12の上面およびメサ部の上面お
よび側面にSiO2 膜16を形成する。最後に、n+ −
コンタクト層14の上面のSiO2 膜16を除去した
後、真空蒸着法によりn+ −コンタクト層14上に膜厚
約500nmのAl/Ti電極17を形成するととも
に、n−基板11の裏面に真空蒸着法により膜厚約50
0nmのAl/Ti電極18を形成する。このようにし
て、n型SiC試料Bが作製される。
ならびにV+ が注入されていないp型SiC試料および
n型SiC試料(以下、未注入試料と呼ぶ。)について
電流−電圧特性を測定した。
試料の電流−電圧特性の測定結果を示す図であり、図4
はn型SiC試料Bおよびn型未注入試料の電流−電圧
特性の測定結果を示す図である。
0℃でアニール処理が施されたp型SiC試料Aでは、
p型未注入試料に比べて抵抗率が著しく高くなっている
ことがわかる。1200℃のアニール処理を施した場合
には、抵抗率が1×1012〜2×1013Ωcmとなり、
1500℃のアニール処理を施した場合には、2×10
12〜4×1012Ωcmとなっている。
1500℃でアニール処理が施されたn型SiC試料B
では、n型未注入試料に比べて抵抗率が著しく高くなっ
ていることがわかる。1200℃のアニール処理を施し
た場合には抵抗率が3×10 5 〜2×106 Ωcmとな
り、1500℃のアニール処理を施した場合には、抵抗
率が1×106 〜4×107 Ωcmとなっている。
制帯中にディープレベルが形成されたことによるものと
考えられる。このようなディープレベルはトラップとし
て働くため、キャリアの捕獲が起こる。その結果、実質
的なキャリア密度が低減され、キャリア密度の低いSi
Cが得られる。したがって、V+ 注入SiC層5,15
は高抵抗層となる。
温で3.0eVである。p型6H−SiC中のVのドナ
ー準位は1.4eV、n型6H−SiC中のVのアクセ
プタ準位は0.7eVであり、バンドキャップ中の深い
エネルギー準位に位置するトラップとなる。室温で約
3.3eVのバンドキャップを有する4H−SiCでも
同様にバナジウムは深いトラップを形成する。
ために必要な酸素の注入量は1017〜1018cm-2であ
るのに対し、SiC中に高抵抗層を形成するために必要
なV + の注入量は1012cm-2と極めて少量となり、し
たがって、注入時間は数十秒程度と非常に短い。また、
注入量が少ないため、注入損傷も小さくアニールによる
結晶性の回復が容易である。
によりSiC中に高抵抗層が形成されることがわかる。
この高抵抗層を半導体装置の素子分離や基板と素子との
間の分離に用いる場合には、高抵抗層の抵抗値が106
Ωcm以上必要である。
×1018cm-3以下であることが好ましい。これによ
り、Vの添加により形成されるディープレベルがキャリ
アを効率良く捕獲することができるので、より高い抵抗
率を有する高抵抗層が得られ易い。なお、図1の例でV
+ が注入されるp−層3のキャリア密度および図2の例
でV+ が注入されるn−層13のキャリア密度はいずれ
も4×1016cm-3である。特に、SiC層のキャリア
密度が1013〜1017cm-3であることが実用的な高抵
抗層を形成する上で好ましい。
C層を有する半導体装置の具体例を説明する。図5はV
+ 注入SiC層を用いた完全空乏型CMOSFET(相
補型金属−酸化膜半導体電界効果トランジスタ)の構造
を示す模式的断面図である。以下、図5のCMOSFE
Tの製造方法を説明する。
が添加されたp型エピタキシャル成長層を形成する。S
iC基板21としては、n型またはp型、あるいは半絶
縁性のSiC基板を用いる。
長層にN+ の注入によりn+ −層23,24を所定間隔
を隔てて形成するとともにAl+ の注入によりp+ −層
26,27を所定間隔を隔てて形成し、p+ −層26,
27間の領域にN+ の注入によりn−層28を形成す
る。n+ −層23,24間の領域はp−層25となる。
これらの層23〜28の厚さは0.2〜1μmである。
n+ −層23,24のドナー密度は1018〜1020cm
-3であり、p−層25のアクセプタ密度は1015〜10
18cm-3である。また、p+ −層26,27のアクセプ
タ密度は1018〜1020cm-3であり、n−層28のド
ナー密度は1015〜1018cm-3である。
るp型エピタキシャル成長層にV+の注入によりV+ 注
入SiC層22を形成する。V+ の加速エネルギーは2
00〜2000keV程度とし、注入深さは0.4〜2
μm程度とする。また、注入ドーズ量は、初期のp型エ
ピタキシャル成長層の結晶中に存在するキャリア密度を
補償するのに十分な量とする。V+ の注入後、1000
〜1500℃のアニール処理を行う。
ソース電極29およびドレイン電極30を形成するとと
もに、p+ −層26,27上にそれぞれソース電極33
およびドレイン電極34を形成し、p−層25上に酸化
膜31を介してゲート電極32を形成するとともに、n
−層28上に酸化膜35を介してゲート電極36を形成
する。これらのソース電極29,33およびドレイン電
極30,34はAl/Tiにより形成し、900〜10
00℃のアニール処理を施す。ゲート電極32,36に
は多結晶Si、WSiなどを用いる。
型CMOSFETにおいては、高抵抗のV+ 注入SiC
層22が素子分離膜として働く。図6はV+ 注入SiC
層を用いたMESFET(金属−半導体電界効果トラン
ジスタ)の構造を示す模式的断面図である。以下、図6
のMESFETの製造方法を説明する。
たn型エピタキシャル成長層42を形成する。SiC基
板41としては、n型またはp型、あるいは半絶縁性の
SiC基板を用いる。SiC基板41上のn型エピタキ
シャル成長層に、N+ の注入によりn+ −層43,44
を所定間隔を隔てて形成する。n+ −層43,44間の
領域はn−層45となる。n+ −層43,44のドナー
密度は1018〜1020cm-3であり、n−層45のドナ
ー密度は1015〜1018cm-3である。これらの層43
〜44の厚さは0.3〜1μmである。
5の周囲におけるn型エピタキシャル成長層にV+ を注
入することによりV+ 注入SiC層42を形成する。V
+ の加速エネルギーは200〜2000keV程度と
し、注入深さは0.4〜2μm程度とする。注入ドーズ
量は、初期のn型エピタキシャル成長層の結晶中に存在
するキャリア密度を補償するのに十分な量とする。V+
の注入後、1000〜1500℃のアニール処理を行
う。
ソース電極46およびドレイン電極47を形成し、n−
層45上にゲート電極48を形成する。これらのソース
電極46およびドレイン電極47はAl/TiやNiに
より形成し、900〜1000℃のアニール処理を施
す。ゲート電極48はPt,Niなどにより形成する。
ETにおいては、V+ 注入SiC層42が素子分離膜と
して働くとともに、活性な素子をSiC基板41から分
離することにより寄生インピーダンスを低減させる。
うなプロセスを用いても作製することができる。図7は
図5および図6のFETの製造方法の他の例を示す模式
的断面図である。
iC基板81上に、BまたはAlならびにVが添加され
たエピタキシャル成長層82を形成する。BまたはAl
の添加量は1014〜1017cm-3であり、Vの添加量は
1014〜1018cm-3である。
シャル成長層82上に、p型またはn型のエピタキシャ
ル成長層83を形成する。図5の例では、エピタキシャ
ル成長層83としてp型エピタキシャル成長層を形成
し、図6の例では、エピタキシャル成長層83としてn
型エピタキシャル成長層を形成する。エピタキシャル成
長の条件は、図5および図6のFETにおける成長条件
と同様である。
シャル成長層83中に、N+ またはAl+ を注入するこ
とによりn+ 型、p+ 型またはn型の領域84,85,
86を形成する。
キシャル成長層83に選択的にV+を注入することによ
り高抵抗層83aを形成する。図8はV+ 注入SiC層
を用いたpn接合ダイオードの構造の一例を示す模式的
断面図である。以下、図8のpn接合ダイオードの製造
方法を説明する。
に、Nが添加されたn−層52、およびBまたはAlが
添加された膜厚0.5〜1μm程度のp+ −層53をエ
ピタキシャル成長させる。n+ −基板51のドナー密度
は1018〜1020cm-3であり、n−層52のドナー密
度は1015〜1016cm-3であり、p+ −層53のアク
セプタ密度は1018〜1020cm-3である。
に、V+ の注入により厚さ約1〜2μmのV+ 注入Si
C層54を形成する。V+ の注入条件は、図5のCMO
SFETおよび図6のMESFETの場合と同様であ
る。V+ の注入後、1000〜1500℃のアニール処
理を行う。
なるp側電極55を形成し、n+ −基板51の裏面にN
iからなるn側電極56を形成する。p側電極55およ
びn側電極56には900〜1000℃のアニール処理
を施す。
ダイオードにおいて、V+ 注入SiC層54は、高電界
が発生する接合界面端部の電界集中を緩和するガードリ
ングとして働く。このように、プレーナ構造でも一次元
平面接合と同様の高耐圧が得られる。
構造を有するpn接合ダイオードを示したが、以下に示
すように、n+ /p/p+ −基板の構造を有するpn接
合ダイオードの作製でもV+ 注入は有効である。
ダイオードの構造の他の例を示す模式的断面図である。
以下、図9のpn接合ダイオードの製造方法を説明す
る。単結晶SiCからなるp+ −基板71上に、Bまた
はAlが添加されたp−層72、およびNが添加された
膜厚0.5〜1μm程度のn+ −層73をエピタキシャ
ル成長させる。p+ −基板71のアクセプタ密度は10
18〜1020cm-3であり、p−層72のアクセプタ密度
は1015〜1016cm-3であり、n+ −層73のドナー
密度は1018〜1020cm-3である。
に、V+ の注入により厚さ約1〜2μmのV+ 注入Si
C層74を形成する。V+ の注入条件は、図5のCMO
SFETおよび図6のMESFETの場合と同様であ
る。V+ の注入を、1000〜1500℃のアニール処
理を行う。
側電極75を形成し、p+ −基板71の裏面にAl/T
iからなるp側電極76を形成する。n側電極75およ
びp側電極76には900〜1000℃のアニール処理
を施す。
ダイオードにおいても、V+ 注入SiC層74は、高電
界が発生する接合界面端部の電界集中を緩和するガード
リングとして働く。
トキダイオードの構造を示す模式的断面図である。以
下、図10のショットキダイオードの製造方法を説明す
る。n+ −基板61上に、Nが添加されたn−層62を
エピタキシャル成長させる。n+ −基板61のドナー密
度は1018〜1020cm-3であり、n−層62のドナー
密度は1015〜1016cm-3である。
域の周囲に、V+ の注入により厚さ0.5〜2μmのV
+ 注入SiC層63を形成する。V+ の注入条件は、図
5のCMOSFETおよび図6のMESFETの場合と
同様である。
Niからなるショットキ電極64を形成し、n+ −基板
61の裏面にNiからなるオーミック電極65を形成す
る。オーミック電極65には900〜1000℃のアニ
ール処理を施すことが望ましい。また、ショットキ電極
64に600℃程度のアニール処理を施してもよい。
トキダイオードにおいては、V+ 注入SiC層63によ
りショットキ電極端部の電界集中が緩和され(エッジタ
ーミネーション)、高耐圧が得られる。
SiC基板21,41およびn+ −基板51,61とし
ては、6H−SiC基板、4H−SiC基板の他、15
R−SiC基板または3C−SiC基板を用いることが
できる。
は、単結晶SiC基板の{0001}面から〈11-2
0〉方向に0.2°以上傾斜した面(オフ面)上または
単結晶SiC基板の{11-2 0}面上に形成することが
好ましい。
のV+ 注入SiC層を形成しているが、SiC基板上に
SiC層をエピタキシャル成長させる際にVを添加する
ことにより高抵抗層を形成してもよい。この場合には、
ドーパントガスとしてVCl 4 、Cp2 V(C5 H5 −
V−C5 H5 )等を用いることができる。
を用いているが、Vの代わりに、Cr、Fe、Ni等の
他の遷移金属を用いることもできる。
SiC試料の作製方法を示す模式的断面図である。
SiC試料の作製方法を示す模式的断面図である。
結果を示す図である。
結果を示す図である。
FETの構造を示す模式的断面図である。
を示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
の構造の一例を示す模式的断面図である。
の構造の他の例を示す模式的断面図である。
ードの構造を示す模式的断面図である。
Claims (13)
- 【請求項1】 炭化ケイ素にその炭化ケイ素のキャリア
密度と同程度またはそれ以上の密度で遷移金属を添加す
ることにより、前記炭化ケイ素中に高抵抗層を形成する
ことを特徴とする高抵抗炭化ケイ素層の形成方法。 - 【請求項2】 前記遷移金属を添加する領域の炭化ケイ
素のキャリア密度は1×1018cm-3以下であることを
特徴とする請求項1記載の高抵抗炭化ケイ素層の形成方
法。 - 【請求項3】 前記遷移金属は、バナジウム、クロム、
鉄またはニッケルであることを特徴とする請求項1また
は2記載の高抵抗炭化ケイ素層の形成方法。 - 【請求項4】 前記遷移金属の添加をイオン注入により
行うことを特徴とする請求項1または2記載の高抵抗炭
化ケイ素層の形成方法。 - 【請求項5】 前記遷移金属の添加を炭化ケイ素層のエ
ピタキシャル成長中に行うことを特徴とする請求項1ま
たは2記載の高抵抗炭化ケイ素層の形成方法。 - 【請求項6】 前記遷移金属の添加後、前記炭化ケイ素
にアニール処理を施すことを特徴とする請求項1、2、
3、4または5記載の高抵抗炭化ケイ素層の形成方法。 - 【請求項7】 炭化ケイ素基板上に炭化ケイ素層が形成
され、前記炭化ケイ素層中に遷移金属が添加されてなる
高抵抗層が選択的に形成されたことを特徴とする炭化ケ
イ素半導体装置。 - 【請求項8】 前記遷移金属は、前記炭化ケイ素層のキ
ャリア密度と同程度またはそれ以上の密度で添加された
ことを特徴とする請求項7記載の炭化ケイ素半導体装
置。 - 【請求項9】 前記遷移金属が添加される領域の炭化ケ
イ素のキャリア密度は1×1018cm-3以下であること
を特徴とする請求項7または8記載の炭化ケイ素半導体
装置。 - 【請求項10】 前記遷移金属は、バナジウム、クロ
ム、鉄またはニッケルであることを特徴とする請求項
7、8または9記載の炭化ケイ素半導体装置。 - 【請求項11】 前記炭化ケイ素中に第1および第2の
高導電領域が所定間隔を隔てて形成され、前記高抵抗層
が前記第1および第2の高導電領域ならびに前記チャネ
ル領域の側部および下部を囲むように形成されたことを
特徴とする請求項7〜10のいずれかに記載の炭化ケイ
素半導体装置。 - 【請求項12】 前記炭化ケイ素層は第1導電型の第1
の層と第2導電型の第2の層とからなる積層構造を含
み、前記高抵抗層が前記第1の層と前記第2の層との界
面の端部に形成されたことを特徴とする請求項7〜10
のいずれかに記載の炭化ケイ素半導体装置。 - 【請求項13】 前記炭化ケイ素上に電極が形成され、
前記高抵抗層が前記電極の縁部の下部における前記炭化
ケイ素層に形成されたことを特徴とする請求項7〜10
のいずれかに記載の炭化ケイ素半導体装置。
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