JPH09301716A - Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法 - Google Patents
Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法Info
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- JPH09301716A JPH09301716A JP11935096A JP11935096A JPH09301716A JP H09301716 A JPH09301716 A JP H09301716A JP 11935096 A JP11935096 A JP 11935096A JP 11935096 A JP11935096 A JP 11935096A JP H09301716 A JPH09301716 A JP H09301716A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を再
現性良く形成することができるＢｉ層状構造強誘電体薄
膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 成長室５内が減圧状態のＣＶＤ装置の収
容槽１ａにSr[Ta(OC2H 5)6]2を、収容槽１ｂにBi(OC(C
H3)2C2H5)3を封入し、Sr[Ta(OC2H5)6]2 用の第１の供給
系（収容槽１ａ、配管１６ａ）を１５０℃に保持し、Bi
(OC(CH3)2C2H5)3用の第２の供給系（収容槽１ｂ、配管
１６ｂ）を８０℃に保持し、キャリアガスであるＮ2 を
第１の供給系及び第２の供給系に流すことにより、Sr[T
a(OC2H5)6] 2 およびBi(OC(CH3)2C2H5)3 の蒸気を成膜室
５内に導入する。これと同時に成膜室５内に酸素（ガ
ス）を導入して、成膜室５内のその表面にＰｔが成膜さ
れ、加熱されたＳｉウエハ８上にて前記二種の蒸気ガス
を熱分解させる。
現性良く形成することができるＢｉ層状構造強誘電体薄
膜の製造方法を提供する。 【解決手段】 成長室５内が減圧状態のＣＶＤ装置の収
容槽１ａにSr[Ta(OC2H 5)6]2を、収容槽１ｂにBi(OC(C
H3)2C2H5)3を封入し、Sr[Ta(OC2H5)6]2 用の第１の供給
系（収容槽１ａ、配管１６ａ）を１５０℃に保持し、Bi
(OC(CH3)2C2H5)3用の第２の供給系（収容槽１ｂ、配管
１６ｂ）を８０℃に保持し、キャリアガスであるＮ2 を
第１の供給系及び第２の供給系に流すことにより、Sr[T
a(OC2H5)6] 2 およびBi(OC(CH3)2C2H5)3 の蒸気を成膜室
５内に導入する。これと同時に成膜室５内に酸素（ガ
ス）を導入して、成膜室５内のその表面にＰｔが成膜さ
れ、加熱されたＳｉウエハ８上にて前記二種の蒸気ガス
を熱分解させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＢｉ（ビスマス）層
状構造強誘電体薄膜の製造方法に関し、特に所望の組成
のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を再現性よく製造できるＢ
ｉ層状構造強誘電体膜の製造方法に関する。
状構造強誘電体薄膜の製造方法に関し、特に所望の組成
のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を再現性よく製造できるＢ
ｉ層状構造強誘電体膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、従来にない低動作電圧、高速書き
込みおよび高速読み出し可能な不揮発性ＲＡＭ（Random
Access Memory）の実用化を目指し、自発分極特性を有
する強誘電体膜を容量絶縁膜とする容量素子を半導体集
積回路上に形成するための技術開発が盛んに行われてい
る。この研究開発の流れの中で、最近、Ｂｉ層状構造強
誘電体と呼ばれる一群の物質を、容量絶縁膜に使用する
ことが検討されている。特に、Ｂｉ層状構造強誘電体の
一種であるＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9 を用いた場合、従来の強
誘電体不揮発性メモリで問題になっていた、分極反転を
繰り返すことによる強誘電体膜の特性劣化が生じないこ
とが判明している。ここで、Ｂｉ層状構造強誘電体と
は、比較的粗な充填をした（Ｂｉ2Ｏ2）2+層と、Ｂｉ以
外の１種または２種以上の金属元素と酸素とからなり、
比較的密な充填をした仮想ペロブスカイト格子を単数ま
たは複数含んで構成された擬ペロブスカイト層とが交互
に積み重なった結晶構造を有する物質である。
込みおよび高速読み出し可能な不揮発性ＲＡＭ（Random
Access Memory）の実用化を目指し、自発分極特性を有
する強誘電体膜を容量絶縁膜とする容量素子を半導体集
積回路上に形成するための技術開発が盛んに行われてい
る。この研究開発の流れの中で、最近、Ｂｉ層状構造強
誘電体と呼ばれる一群の物質を、容量絶縁膜に使用する
ことが検討されている。特に、Ｂｉ層状構造強誘電体の
一種であるＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9 を用いた場合、従来の強
誘電体不揮発性メモリで問題になっていた、分極反転を
繰り返すことによる強誘電体膜の特性劣化が生じないこ
とが判明している。ここで、Ｂｉ層状構造強誘電体と
は、比較的粗な充填をした（Ｂｉ2Ｏ2）2+層と、Ｂｉ以
外の１種または２種以上の金属元素と酸素とからなり、
比較的密な充填をした仮想ペロブスカイト格子を単数ま
たは複数含んで構成された擬ペロブスカイト層とが交互
に積み重なった結晶構造を有する物質である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】強誘電体膜の成膜方法
としては、一般にＭＯＤ（Metal Organic Deposition）
法、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法（化学気相
成長法）、スパッタ法等が知られている。また、スピン
コート等により基板上に有機金属化合物を有機溶媒に溶
解して得られた溶液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥
し、更に酸素雰囲気下で焼結して強誘電体膜を形成する
方法も一般的である。
としては、一般にＭＯＤ（Metal Organic Deposition）
法、ＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition) 法（化学気相
成長法）、スパッタ法等が知られている。また、スピン
コート等により基板上に有機金属化合物を有機溶媒に溶
解して得られた溶液の塗膜を形成し、この塗膜を乾燥
し、更に酸素雰囲気下で焼結して強誘電体膜を形成する
方法も一般的である。
【０００４】ところで、Ｂｉ層状構造強誘電体の薄膜を
成膜する際の原料としては通常有機金属化合物が用いら
れるが、従来は成膜すべきＢｉ層状構造強誘電体の構成
金属元素毎にその金属元素を含む有機金属化合物が用い
られるため、成膜すべきＢｉ層状構造強誘電体の構成金
属元素の数が多くなると、原料として用いる有機金属化
合物の数も多くなり、成膜時に膜中に含有させるべき各
金属元素の含有量を精度よく制御することが困難にな
り、所望の元素組成からなるＢｉ層状構造強誘電体の薄
膜を再現性よく製造することが困難になるという課題が
あった。
成膜する際の原料としては通常有機金属化合物が用いら
れるが、従来は成膜すべきＢｉ層状構造強誘電体の構成
金属元素毎にその金属元素を含む有機金属化合物が用い
られるため、成膜すべきＢｉ層状構造強誘電体の構成金
属元素の数が多くなると、原料として用いる有機金属化
合物の数も多くなり、成膜時に膜中に含有させるべき各
金属元素の含有量を精度よく制御することが困難にな
り、所望の元素組成からなるＢｉ層状構造強誘電体の薄
膜を再現性よく製造することが困難になるという課題が
あった。
【０００５】一方、半導体集積回路上に強誘電体膜を成
膜する場合は段差被覆性に優れ、しかも、低温プロセス
にて成膜がなされる必要があり、この点においてＣＶＤ
法は有効な方法と考えられている。そして、通常、ＣＶ
Ｄ法により強誘電体薄膜を形成する場合、原料である有
機金属化合物を気化して（ガス化して）基板上に供給し
なければならず、所望の組成の薄膜を安定に形成するた
めには、有機金属化合物に、これをガス化して成膜室に
供給する時、すなわち、これの蒸気圧を成膜に必要な蒸
気圧となるまで加熱した時に、その温度領域で熱分解し
たり、他の物質と反応して変成することがなく、しか
も、基板上に到達した時は速やかにかつ一様に熱分解す
ることが要求される。しかしながら、従来から前記した
Ｂｉ層状構造強誘電体のＢｉ以外の金属元素の原料とし
て用いられている有機金属化合物には、前記要求を充分
に満足できるものがなく、ＣＶＤ法により所望の組成の
薄膜を再現性よく形成することが困難であった。
膜する場合は段差被覆性に優れ、しかも、低温プロセス
にて成膜がなされる必要があり、この点においてＣＶＤ
法は有効な方法と考えられている。そして、通常、ＣＶ
Ｄ法により強誘電体薄膜を形成する場合、原料である有
機金属化合物を気化して（ガス化して）基板上に供給し
なければならず、所望の組成の薄膜を安定に形成するた
めには、有機金属化合物に、これをガス化して成膜室に
供給する時、すなわち、これの蒸気圧を成膜に必要な蒸
気圧となるまで加熱した時に、その温度領域で熱分解し
たり、他の物質と反応して変成することがなく、しか
も、基板上に到達した時は速やかにかつ一様に熱分解す
ることが要求される。しかしながら、従来から前記した
Ｂｉ層状構造強誘電体のＢｉ以外の金属元素の原料とし
て用いられている有機金属化合物には、前記要求を充分
に満足できるものがなく、ＣＶＤ法により所望の組成の
薄膜を再現性よく形成することが困難であった。
【０００６】本発明は前記のような課題に鑑みてなされ
たもので、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を再
現性よく形成することができるＢｉ層状構造強誘電体薄
膜の製造方法を提供することを目的とするものである。
たもので、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を再
現性よく形成することができるＢｉ層状構造強誘電体薄
膜の製造方法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法は、
下記一般式（化３）で表されるＢｉ（ビスマス）層状構
造強誘電体の薄膜を製造する方法であって、Ｂｉを含む
有機化合物と、下記一般式（化４）で表される金属アル
コキシド化合物の１種以上であって、下記一般式（化
３）中のA1〜An及びB1〜Btに相当する種類の金属元素を
含む金属アルコキシド化合物を原料として用いることを
特徴とする。
に、本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法は、
下記一般式（化３）で表されるＢｉ（ビスマス）層状構
造強誘電体の薄膜を製造する方法であって、Ｂｉを含む
有機化合物と、下記一般式（化４）で表される金属アル
コキシド化合物の１種以上であって、下記一般式（化
３）中のA1〜An及びB1〜Btに相当する種類の金属元素を
含む金属アルコキシド化合物を原料として用いることを
特徴とする。
【０００８】
【化３】
【０００９】
【化４】
【００１０】このような構成にしたことにより、前記一
般式（化４）で表される金属アルコキシド化合物は２種
または３種の金属元素を含むことから、これとＢｉを含
む有機化合物を原料にしてＢｉ層状構造強誘電体を形成
することができ、従来に比べて原料として用いる有機金
属化合物の数を減らすことができる。従って、従来に比
べて原料の供給量（使用量）の制御が容易になり、所望
の組成のＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を再現性よく製造
することができる。
般式（化４）で表される金属アルコキシド化合物は２種
または３種の金属元素を含むことから、これとＢｉを含
む有機化合物を原料にしてＢｉ層状構造強誘電体を形成
することができ、従来に比べて原料として用いる有機金
属化合物の数を減らすことができる。従って、従来に比
べて原料の供給量（使用量）の制御が容易になり、所望
の組成のＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を再現性よく製造
することができる。
【００１１】前記本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の
製造方法においては、Ｂｉを含む有機化合物と一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物を原料にし
て、化学気相成長法（ＣＶＤ法）により基板上に一般式
（化３）で表されるＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を成長
させるのが好ましい。
製造方法においては、Ｂｉを含む有機化合物と一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物を原料にし
て、化学気相成長法（ＣＶＤ法）により基板上に一般式
（化３）で表されるＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を成長
させるのが好ましい。
【００１２】また前記本発明のＣＶＤ法によりＢｉ層状
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のRj1、
Rj2、…Rj 6、Rk1、Rk2、…Rk6のそれぞれがエチル基ま
たはイソプロピル基であるのが好ましい。このような構
成にしたことにより、一般式（化４）で表される金属ア
ルコキシド化合物のうちのその１２個のアルコキシ基の
それぞれがエトキシ基またはプロポキシ基からなるもの
は、他のものに比べて前記した比較的低温の温度領域
（２５０℃以下）でＣＶＤ法による成膜に十分な蒸気圧
が得られ、基板上への供給量の制御が一層容易になり、
その結果、強誘電体薄膜中のＢｉ以外の金属元素の含有
量をより精度良く制御できることとなる。
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のRj1、
Rj2、…Rj 6、Rk1、Rk2、…Rk6のそれぞれがエチル基ま
たはイソプロピル基であるのが好ましい。このような構
成にしたことにより、一般式（化４）で表される金属ア
ルコキシド化合物のうちのその１２個のアルコキシ基の
それぞれがエトキシ基またはプロポキシ基からなるもの
は、他のものに比べて前記した比較的低温の温度領域
（２５０℃以下）でＣＶＤ法による成膜に十分な蒸気圧
が得られ、基板上への供給量の制御が一層容易になり、
その結果、強誘電体薄膜中のＢｉ以外の金属元素の含有
量をより精度良く制御できることとなる。
【００１３】また前記本発明のＣＶＤ法によりＢｉ層状
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のAiがＳｒ
またはＢａであり、BjがＮｂまたはＴａであり、BkがＮ
ｂまたはＴａであるのが好ましい。このような構成にし
たことにより、得られるＢｉ層状構造強誘電体薄膜が不
揮発性メモリ用容量絶縁膜として優れた特性を有するも
のとなる。
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のAiがＳｒ
またはＢａであり、BjがＮｂまたはＴａであり、BkがＮ
ｂまたはＴａであるのが好ましい。このような構成にし
たことにより、得られるＢｉ層状構造強誘電体薄膜が不
揮発性メモリ用容量絶縁膜として優れた特性を有するも
のとなる。
【００１４】また前記本発明のＣＶＤ法によりＢｉ層状
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、Ｂｉを含
む有機化合物としてＢｉターシャリブトキシドあるいは
Ｂｉターシャリペントキシドを用いるのが好ましい。こ
のような構成にしたことにより、Ｂｉターシャリブトキ
シド及びＢｉターシャリペントキシドが昇華性を有し、
低温度領域での蒸気圧が高い（１００℃で０．３Ｔｏｒ
ｒ以上）ので、基板上への供給量の制御をより精度よく
行うことができ、強誘電体薄膜中のＢｉの含有量をより
精度良く制御することがきる。
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、Ｂｉを含
む有機化合物としてＢｉターシャリブトキシドあるいは
Ｂｉターシャリペントキシドを用いるのが好ましい。こ
のような構成にしたことにより、Ｂｉターシャリブトキ
シド及びＢｉターシャリペントキシドが昇華性を有し、
低温度領域での蒸気圧が高い（１００℃で０．３Ｔｏｒ
ｒ以上）ので、基板上への供給量の制御をより精度よく
行うことができ、強誘電体薄膜中のＢｉの含有量をより
精度良く制御することがきる。
【００１５】また前記本発明のＣＶＤ法によりＢｉ層状
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、Ｂｉを含
む有機化合物と一般式（化４）で表される金属アルコキ
シド化合物とを有機溶媒に溶解して得られた溶液を気化
させ、この気化により得られたガスを基板上に供給し
て、一般式（化３）で表されるＢｉ層状構造強誘電体の
薄膜の成長を行うのが好ましい。このような構成にした
ことにより、溶液中のＢｉを含む有機化合物と一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のそれぞれ
の濃度を所望の濃度に調整すると、これがＢｉ層状構造
強誘電体の組成にそのままを反映することとなり、より
容易に所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を製造す
ることができる。
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、Ｂｉを含
む有機化合物と一般式（化４）で表される金属アルコキ
シド化合物とを有機溶媒に溶解して得られた溶液を気化
させ、この気化により得られたガスを基板上に供給し
て、一般式（化３）で表されるＢｉ層状構造強誘電体の
薄膜の成長を行うのが好ましい。このような構成にした
ことにより、溶液中のＢｉを含む有機化合物と一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のそれぞれ
の濃度を所望の濃度に調整すると、これがＢｉ層状構造
強誘電体の組成にそのままを反映することとなり、より
容易に所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を製造す
ることができる。
【００１６】また前記本発明のＣＶＤ法によりＢｉ層状
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、原料ガス
の熱分解雰囲気に紫外線を照射するのが好ましい。この
ような構成にしたことにより、原料ガスの分解が促進さ
れ、膜の成長温度をより低温度化させることができる。
また、原料ガスの励起状態を変化させることができ、誘
電体膜の配向性及び膜質等を制御することができる。
構造強誘電体薄膜を製造する方法においては、原料ガス
の熱分解雰囲気に紫外線を照射するのが好ましい。この
ような構成にしたことにより、原料ガスの分解が促進さ
れ、膜の成長温度をより低温度化させることができる。
また、原料ガスの励起状態を変化させることができ、誘
電体膜の配向性及び膜質等を制御することができる。
【００１７】また前記本発明のＣＶＤ法によりＢｉ層状
構造強誘電体膜を製造する方法においては、基板上での
原料ガスの熱分解時に原料ガスをプラズマ励起させるの
が好ましい。このような構成にしたことにより、原料ガ
スの分解が促進され、膜の成長温度をより低温度化させ
ることができる。また、原料ガスの励起状態を変化させ
ることができ、誘電体膜の配向性及び膜質等を制御する
ことができる。
構造強誘電体膜を製造する方法においては、基板上での
原料ガスの熱分解時に原料ガスをプラズマ励起させるの
が好ましい。このような構成にしたことにより、原料ガ
スの分解が促進され、膜の成長温度をより低温度化させ
ることができる。また、原料ガスの励起状態を変化させ
ることができ、誘電体膜の配向性及び膜質等を制御する
ことができる。
【００１８】前記本発明のＢｉ層状構造強誘電体膜の製
造方法においては、Ｂｉを含む有機化合物と一般式（化
４）で表される金属アルコキシド化合物とを有機溶媒に
溶解して得られた溶液の塗膜を基板上に形成した後、前
記塗膜の乾燥及び酸素雰囲気下での焼結を行うことによ
り一般式（化３）で表されるＢｉ層状構造強誘電体の薄
膜を形成するのが好ましい。このような構成にしたこと
により、前記溶液中のＢｉを含む有機化合物と一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のそれぞれ
の濃度を所望の濃度に調整すると、これがＢｉ層状構造
強誘電体の組成にそのままを反映することとなり、所望
の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を極めて再現性良く
形成することができる。
造方法においては、Ｂｉを含む有機化合物と一般式（化
４）で表される金属アルコキシド化合物とを有機溶媒に
溶解して得られた溶液の塗膜を基板上に形成した後、前
記塗膜の乾燥及び酸素雰囲気下での焼結を行うことによ
り一般式（化３）で表されるＢｉ層状構造強誘電体の薄
膜を形成するのが好ましい。このような構成にしたこと
により、前記溶液中のＢｉを含む有機化合物と一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のそれぞれ
の濃度を所望の濃度に調整すると、これがＢｉ層状構造
強誘電体の組成にそのままを反映することとなり、所望
の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を極めて再現性良く
形成することができる。
【００１９】前記においては有機溶媒がテトラヒドロフ
ランを含んでいるのが好ましい。これは、テトラヒドロ
フランへのＢｉを含む有機化合物及び一般式（化４）で
表される金属アルコキシド化合物の溶解度が大きく、前
記溶液中にＢｉを含む化合物及び一般式（化４）で表さ
れる金属アルコキシド化合物を均一に溶解させることが
でき、Ｂｉ層状構造強誘電体の組成の均一性が向上する
ためである。
ランを含んでいるのが好ましい。これは、テトラヒドロ
フランへのＢｉを含む有機化合物及び一般式（化４）で
表される金属アルコキシド化合物の溶解度が大きく、前
記溶液中にＢｉを含む化合物及び一般式（化４）で表さ
れる金属アルコキシド化合物を均一に溶解させることが
でき、Ｂｉ層状構造強誘電体の組成の均一性が向上する
ためである。
【００２０】
【発明の実施の形態】本発明では前記一般式（化４）で
表される金属アルコキシド化合物を用いるが、かかる金
属アルコキシド化合物はその製造時には合成・分離・精
製が容易であり、かつ、前記したように比較的低温（２
５０℃以下）で高い蒸気圧が得られ、しかも、熱分解し
たり、他の物質と反応することがないという優れた特徴
を有している。また、その分子構造からＢｉ以外の金属
元素の組成比が決まっており、形成すべき誘電体膜にお
ける金属元素の存在比率を厳密に制御できるという利点
も有している。かかる金属アルコキシド化合物中の金属
元素（Ai）の具体例としてはＳｒ，Ｂａ等のIIa 族元素
や、Ｎａ，Ｋ等のIa族元素や、Ｐｂなどが挙げられる。
また、金属元素（Bj，Bk）の具体例としてはＮｂ，Ｔａ
等のVa族元素や、Ｆｅ，Ｔｉ，Ｗなどが挙げられる。特
に金属元素（Ai）がＳｒ，Ｂａ等のIIa 族元素、金属元
素（Bj，Bk）がＮｂ，Ｔａ等のVa族元素である場合、得
られるＢｉ層状構造強誘電体薄膜が不揮発性メモリ用容
量絶縁膜として優れた特性（自発分極特性）を有するも
のとなる。また、金属アルコキシド化合物中のアルコキ
シ基（式（化４）中のORj1、ORj2、…ORj6、ORk1、O
Rk2、…ORk6）のアルキル基は一般に炭素数が１〜５の
アルキル基であり、具体例としてはメチル基、エチル
基、イソプロピル基、ターシャリブチル基、イソペンチ
ル基等である。ここで金属元素（Bj，Bk）に配位する６
つのアルキル基は、全てが同じ基であっても、全てが異
なる基であっても、２〜５種類の基であってもよい。特
に、化合物中のアルキル基（金属元素（Bj）に配位する
アルキル基及び金属元素（Bk）に配位するアルキル基）
がエチル基またはイソプロピル基である場合、これらが
他のアルキル基である場合に比べて金属アルコキシド化
合物が比較的低温の温度領域（２５０℃以下）でＣＶＤ
法による成膜に十分な蒸気圧が得られることとなり、Ｃ
ＶＤ法によりＢｉ層状構造強誘電体薄膜を成長させる際
にＢｉ以外の金属元素の含有量をより精度良く制御でき
るので、好ましい。このようなＣＶＤ法に適した金属ア
ルコキシド化合物の好適な具体例としては、Ｓｒ［Ｔａ
（ＯｉＰｒ）6］2、Ｓｒ［Ｎｂ（ＯｉＰｒ）6］2、Ｂａ
［Ｔａ（ＯｉＰｒ）6］2、Ｂａ［Ｎｂ（ＯｉＰ
ｒ） 6］2、Ｓｒ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）6 ］［Ｎｂ（ＯｉＰ
ｒ）6］、 Ｂａ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）6］［Ｎｂ（ＯｉＰ
ｒ）6］、Ｓｒ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）3 （ＯＥｔ）3］2、
Ｓｒ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）3 （ＯＥｔ）3］［Ｔａ（Ｏｉ
Ｐｒ）2 （ＯＥｔ）4］等（Ｅｔはエチル基、ｉＰｒは
イソプロピル基である。）を挙げることができる。本発
明において以上の金属アルコキシド化合物は１種または
２種以上が使用される。
表される金属アルコキシド化合物を用いるが、かかる金
属アルコキシド化合物はその製造時には合成・分離・精
製が容易であり、かつ、前記したように比較的低温（２
５０℃以下）で高い蒸気圧が得られ、しかも、熱分解し
たり、他の物質と反応することがないという優れた特徴
を有している。また、その分子構造からＢｉ以外の金属
元素の組成比が決まっており、形成すべき誘電体膜にお
ける金属元素の存在比率を厳密に制御できるという利点
も有している。かかる金属アルコキシド化合物中の金属
元素（Ai）の具体例としてはＳｒ，Ｂａ等のIIa 族元素
や、Ｎａ，Ｋ等のIa族元素や、Ｐｂなどが挙げられる。
また、金属元素（Bj，Bk）の具体例としてはＮｂ，Ｔａ
等のVa族元素や、Ｆｅ，Ｔｉ，Ｗなどが挙げられる。特
に金属元素（Ai）がＳｒ，Ｂａ等のIIa 族元素、金属元
素（Bj，Bk）がＮｂ，Ｔａ等のVa族元素である場合、得
られるＢｉ層状構造強誘電体薄膜が不揮発性メモリ用容
量絶縁膜として優れた特性（自発分極特性）を有するも
のとなる。また、金属アルコキシド化合物中のアルコキ
シ基（式（化４）中のORj1、ORj2、…ORj6、ORk1、O
Rk2、…ORk6）のアルキル基は一般に炭素数が１〜５の
アルキル基であり、具体例としてはメチル基、エチル
基、イソプロピル基、ターシャリブチル基、イソペンチ
ル基等である。ここで金属元素（Bj，Bk）に配位する６
つのアルキル基は、全てが同じ基であっても、全てが異
なる基であっても、２〜５種類の基であってもよい。特
に、化合物中のアルキル基（金属元素（Bj）に配位する
アルキル基及び金属元素（Bk）に配位するアルキル基）
がエチル基またはイソプロピル基である場合、これらが
他のアルキル基である場合に比べて金属アルコキシド化
合物が比較的低温の温度領域（２５０℃以下）でＣＶＤ
法による成膜に十分な蒸気圧が得られることとなり、Ｃ
ＶＤ法によりＢｉ層状構造強誘電体薄膜を成長させる際
にＢｉ以外の金属元素の含有量をより精度良く制御でき
るので、好ましい。このようなＣＶＤ法に適した金属ア
ルコキシド化合物の好適な具体例としては、Ｓｒ［Ｔａ
（ＯｉＰｒ）6］2、Ｓｒ［Ｎｂ（ＯｉＰｒ）6］2、Ｂａ
［Ｔａ（ＯｉＰｒ）6］2、Ｂａ［Ｎｂ（ＯｉＰ
ｒ） 6］2、Ｓｒ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）6 ］［Ｎｂ（ＯｉＰ
ｒ）6］、 Ｂａ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）6］［Ｎｂ（ＯｉＰ
ｒ）6］、Ｓｒ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）3 （ＯＥｔ）3］2、
Ｓｒ［Ｔａ（ＯｉＰｒ）3 （ＯＥｔ）3］［Ｔａ（Ｏｉ
Ｐｒ）2 （ＯＥｔ）4］等（Ｅｔはエチル基、ｉＰｒは
イソプロピル基である。）を挙げることができる。本発
明において以上の金属アルコキシド化合物は１種または
２種以上が使用される。
【００２１】Ｂｉ（ビスマス）を含む有機化合物の具体
例としては、トリフェニルビスマス、Ｂｉターシャリブ
トキシド、Ｂｉターシャリペントキシド等であり、これ
らのうちの１種または２種以上が使用される。このう
ち、Ｂｉターシャリブトキシド及びＢｉターシャリペン
トキシドは昇華性を有し、低温度領域での蒸気圧が高い
（１００℃で０．３Ｔｏｒｒ以上）ので、ＣＶＤ法によ
りＢｉ層状構造強誘電体薄膜を成長させる際に、基板上
への供給量の制御を精度よく行うことができる。
例としては、トリフェニルビスマス、Ｂｉターシャリブ
トキシド、Ｂｉターシャリペントキシド等であり、これ
らのうちの１種または２種以上が使用される。このう
ち、Ｂｉターシャリブトキシド及びＢｉターシャリペン
トキシドは昇華性を有し、低温度領域での蒸気圧が高い
（１００℃で０．３Ｔｏｒｒ以上）ので、ＣＶＤ法によ
りＢｉ層状構造強誘電体薄膜を成長させる際に、基板上
への供給量の制御を精度よく行うことができる。
【００２２】本発明においては、前記金属アルコキシド
化合物及びＢｉを含む有機化合物のとともに、Ｂｉ以外
でかつ前記金属アルコキシド化合物が含む金属とは異な
る金属を含む前記金属アルコキシド化合物及びＢｉを含
む有機化合物とは異なる他の有機化合物を原料として用
いることができる。この場合、かかる有機化合物に含ま
れる金属は前記一般式（化３）で表される本発明により
製造すべきＢｉ層状構造強誘電体中の金属元素A1、A2、
…、An、B1、B2、…、Btのいずれか１種に相当する。例
えばＰｂを含む有機化合物を用いると、Ｂｉ層状構造強
誘電体薄膜の残留分極値が大きくなるという利点があ
る。このＰｂを含む有機化合物の具体例としてはＰｂＭ
ｅ4 ，ＰｂＥｔ4 ，ＰｂＥｔ3 （ＯＣＨ2 ＣＭｅ3 ），
ＰｂＥｔ3（ＯｉＰｒ），ＰｂＥｔ3 （ＯｔＢｕ），Ｐ
ｂ（ｄｐｍ）2 ，Ｐｂ（ｔｍｈｐｄ）2 ，Ｐｂ（ＯｔＢ
ｕ）2 ，Ｐｂ4 Ｏ（ＯｔＢｕ）6 等（ここで、Ｍｅはメ
チル基、Ｅｔはエチル基、ｉＰｒはイソプロピル基、ｔ
Ｂｕはターシャリブチル基、ｄｐｍはジピバロイルメタ
ナート、ｔｍｈｐｄは２，２，６−トリメチルヘプタン
−３，５−ジオナートである。）である。前記例示のＰ
ｂを含む有機化合物のうちＰｂにアルキル基が直接結合
した前５者は毒性が強く、これらに続くβ−ジケトナー
トからなる２者はＣＶＤ法によりＢｉ層状構造強誘電体
薄膜を成長させる際に前記金属アルコキシド化合物と反
応室内への輸送路において反応する可能性があることか
ら、ＣＶＤ法によりＢｉ層状構造強誘電体薄膜を成長さ
せる際は後２者のＰｂターシャリブトキシド及びＰｂオ
キソターシャリブトキシドから選ばれる少なくとも１つ
を使用するのが好ましい。Ｐｂターシャリブトキシドは
Ｐｂアルコキシドのうちで最も揮発性の高い化合物で真
空下１００℃で昇華し、昇華中に一部が熱分解し、Ｐｂ
オキソターシャリブトキシド（Ｐｂ4 Ｏ（ＯｔＢ
ｕ）6 ）に変化する。Ｐｂオキソターシャリブトキシド
は熱的により安定で、真空下１３０℃以上で昇華するの
でＣＶＤ原料としてより好ましい。かかるＰｂオキソタ
ーシャリブトキシドは、例えば、R.Papiernik,L.G.Hube
rt-Pfalzgraf and M.C.Massiani, Polyhedron vol.14 1
657 (1991)に記載された方法で合成することができる。
化合物及びＢｉを含む有機化合物のとともに、Ｂｉ以外
でかつ前記金属アルコキシド化合物が含む金属とは異な
る金属を含む前記金属アルコキシド化合物及びＢｉを含
む有機化合物とは異なる他の有機化合物を原料として用
いることができる。この場合、かかる有機化合物に含ま
れる金属は前記一般式（化３）で表される本発明により
製造すべきＢｉ層状構造強誘電体中の金属元素A1、A2、
…、An、B1、B2、…、Btのいずれか１種に相当する。例
えばＰｂを含む有機化合物を用いると、Ｂｉ層状構造強
誘電体薄膜の残留分極値が大きくなるという利点があ
る。このＰｂを含む有機化合物の具体例としてはＰｂＭ
ｅ4 ，ＰｂＥｔ4 ，ＰｂＥｔ3 （ＯＣＨ2 ＣＭｅ3 ），
ＰｂＥｔ3（ＯｉＰｒ），ＰｂＥｔ3 （ＯｔＢｕ），Ｐ
ｂ（ｄｐｍ）2 ，Ｐｂ（ｔｍｈｐｄ）2 ，Ｐｂ（ＯｔＢ
ｕ）2 ，Ｐｂ4 Ｏ（ＯｔＢｕ）6 等（ここで、Ｍｅはメ
チル基、Ｅｔはエチル基、ｉＰｒはイソプロピル基、ｔ
Ｂｕはターシャリブチル基、ｄｐｍはジピバロイルメタ
ナート、ｔｍｈｐｄは２，２，６−トリメチルヘプタン
−３，５−ジオナートである。）である。前記例示のＰ
ｂを含む有機化合物のうちＰｂにアルキル基が直接結合
した前５者は毒性が強く、これらに続くβ−ジケトナー
トからなる２者はＣＶＤ法によりＢｉ層状構造強誘電体
薄膜を成長させる際に前記金属アルコキシド化合物と反
応室内への輸送路において反応する可能性があることか
ら、ＣＶＤ法によりＢｉ層状構造強誘電体薄膜を成長さ
せる際は後２者のＰｂターシャリブトキシド及びＰｂオ
キソターシャリブトキシドから選ばれる少なくとも１つ
を使用するのが好ましい。Ｐｂターシャリブトキシドは
Ｐｂアルコキシドのうちで最も揮発性の高い化合物で真
空下１００℃で昇華し、昇華中に一部が熱分解し、Ｐｂ
オキソターシャリブトキシド（Ｐｂ4 Ｏ（ＯｔＢ
ｕ）6 ）に変化する。Ｐｂオキソターシャリブトキシド
は熱的により安定で、真空下１３０℃以上で昇華するの
でＣＶＤ原料としてより好ましい。かかるＰｂオキソタ
ーシャリブトキシドは、例えば、R.Papiernik,L.G.Hube
rt-Pfalzgraf and M.C.Massiani, Polyhedron vol.14 1
657 (1991)に記載された方法で合成することができる。
【００２３】なお、成膜時に先の一般式（化４）で表さ
れる金属アルコキシド化合物によって供給される所定の
金属元素（例えばＳｒ，Ｔａ，Ｎｂ）だけでは所望とす
る膜組成が得られない場合、すなわち、金属アルコキシ
ド化合物だけでは膜に含有させるべき所定の金属元素
（Ｓｒ，Ｔａ，Ｎｂ）の量が足りない場合は、先の一般
式（化４）で表される金属アルコキシド化合物とは別
に、この金属アルコキシド化合物が含む金属元素のうち
の一つの金属元素を含むアルコキシド（例えばＳｒアル
コキシド、Ｔａアルコキシド、Ｎｂアルコキシド）を原
料として用いるようにする。この際、かかるアルコキシ
ドのアルコキシ基は先の一般式（化４）で表される金属
アルコキシド化合物のアルコキシ基と同じであるのが好
ましい。
れる金属アルコキシド化合物によって供給される所定の
金属元素（例えばＳｒ，Ｔａ，Ｎｂ）だけでは所望とす
る膜組成が得られない場合、すなわち、金属アルコキシ
ド化合物だけでは膜に含有させるべき所定の金属元素
（Ｓｒ，Ｔａ，Ｎｂ）の量が足りない場合は、先の一般
式（化４）で表される金属アルコキシド化合物とは別
に、この金属アルコキシド化合物が含む金属元素のうち
の一つの金属元素を含むアルコキシド（例えばＳｒアル
コキシド、Ｔａアルコキシド、Ｎｂアルコキシド）を原
料として用いるようにする。この際、かかるアルコキシ
ドのアルコキシ基は先の一般式（化４）で表される金属
アルコキシド化合物のアルコキシ基と同じであるのが好
ましい。
【００２４】本発明では以上の有機金属化合物（すくな
くとも前記一般式（化４）で表される金属アルコキシド
化合物、Ｂｉを含む有機化合物）を原料にしてＢｉ層状
構造強誘電体薄膜の成膜を行うが、成膜方法としては前
記従来技術で例示したＭＯＤ法、ＣＶＤ法、スパッタ法
等のそれ自体公知の成膜方法を適用できる。このうち、
半導体集積回路上（半導体基板上）での成膜を考えた場
合は前記したようにＣＶＤ法を用いるのが好ましく、ま
た、成膜作業の容易さからは、原料となる有機金属化合
物を有機溶媒に溶解した単一の溶液を作製し、スピンコ
ート等の公知の塗膜形成方法により基板上に前記溶液の
塗膜を形成した後、記塗膜の乾燥および酸素雰囲気下で
の焼結を行う成膜方法が有利である。
くとも前記一般式（化４）で表される金属アルコキシド
化合物、Ｂｉを含む有機化合物）を原料にしてＢｉ層状
構造強誘電体薄膜の成膜を行うが、成膜方法としては前
記従来技術で例示したＭＯＤ法、ＣＶＤ法、スパッタ法
等のそれ自体公知の成膜方法を適用できる。このうち、
半導体集積回路上（半導体基板上）での成膜を考えた場
合は前記したようにＣＶＤ法を用いるのが好ましく、ま
た、成膜作業の容易さからは、原料となる有機金属化合
物を有機溶媒に溶解した単一の溶液を作製し、スピンコ
ート等の公知の塗膜形成方法により基板上に前記溶液の
塗膜を形成した後、記塗膜の乾燥および酸素雰囲気下で
の焼結を行う成膜方法が有利である。
【００２５】ＣＶＤ法では原料化合物の基板上での熱分
解及び基板上への堆積（膜成長）を大気圧下で行う常圧
ＣＶＤ法や減圧下で行う減圧ＣＶＤ法、原料ガスの熱分
解雰囲気に紫外線を照射して成長反応を促進させる光Ｃ
ＶＤ法、及び原料ガスの熱分解時に原料ガスをプラズマ
励起させて成長反応を促進させるプラズマＣＶＤ法等の
それ自体公知の各種形態のＣＶＤ法を用いることができ
る。本発明において前記の原料化合物（一般式（化４）
で表される金属アルコキシド化合物、Ｂｉを含む有機化
合物、Ｐｂを含む有機化合物）は常温では液体または固
体であり、ＣＶＤ法によって成膜する場合、通常これら
は加熱により気体状態にされる。また、この気化（ガス
化）においては、各化合物を各化合物毎に原料溜りを形
成して、すなわち、各化合物を各化合物毎に所定の原料
収容容器に収容して、各化合物毎に気化（ガス化）する
のが一般的であるが、全ての原料化合物を単一の有機溶
媒中に溶解し、得られた単一溶液を気化（ガス化）させ
るのが好ましい。これは、溶液中の各原料化合物の濃度
比が、気化（ガス化）により得られた気体（ガス）に含
まれる各原料化合物の重量比にそのまま反映するため、
溶液を作製する際に各原料化合物を所望の濃度に調整す
ることにより、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜
を成長させることができ、各化合物毎に気化（ガス化）
し、各化合物毎の気体（ガス）の反応室内への供給量を
制御してＢｉ層状構造強誘電体薄膜を成膜する場合に比
して、膜組成の制御を容易に行えるためである。このよ
うな原料化合物の単一溶液化に使用される有機溶媒とし
ては、炭化水素類、ニトロパラフィン類、有機硫黄化合
物、アルコール類、フェノール類、アルデヒド類、エー
テル類、ケトン類、有機酸類、アミン類、エステル類等
のいわゆる有機溶媒が挙げられ、これらの１種または２
種以上が混合して使用される。また、有機溶媒としてテ
トラヒドロフランを単体で、またはテトラヒドロフラン
と前記例示の溶媒のうちの少なくとも１つとを混合して
用いると、テトラヒドロフランへの前記各原料化合物の
溶解度が大きいため、各原料化合物が均一に溶解した溶
液を得ることができ、Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の組成
の均一性が向上する。
解及び基板上への堆積（膜成長）を大気圧下で行う常圧
ＣＶＤ法や減圧下で行う減圧ＣＶＤ法、原料ガスの熱分
解雰囲気に紫外線を照射して成長反応を促進させる光Ｃ
ＶＤ法、及び原料ガスの熱分解時に原料ガスをプラズマ
励起させて成長反応を促進させるプラズマＣＶＤ法等の
それ自体公知の各種形態のＣＶＤ法を用いることができ
る。本発明において前記の原料化合物（一般式（化４）
で表される金属アルコキシド化合物、Ｂｉを含む有機化
合物、Ｐｂを含む有機化合物）は常温では液体または固
体であり、ＣＶＤ法によって成膜する場合、通常これら
は加熱により気体状態にされる。また、この気化（ガス
化）においては、各化合物を各化合物毎に原料溜りを形
成して、すなわち、各化合物を各化合物毎に所定の原料
収容容器に収容して、各化合物毎に気化（ガス化）する
のが一般的であるが、全ての原料化合物を単一の有機溶
媒中に溶解し、得られた単一溶液を気化（ガス化）させ
るのが好ましい。これは、溶液中の各原料化合物の濃度
比が、気化（ガス化）により得られた気体（ガス）に含
まれる各原料化合物の重量比にそのまま反映するため、
溶液を作製する際に各原料化合物を所望の濃度に調整す
ることにより、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜
を成長させることができ、各化合物毎に気化（ガス化）
し、各化合物毎の気体（ガス）の反応室内への供給量を
制御してＢｉ層状構造強誘電体薄膜を成膜する場合に比
して、膜組成の制御を容易に行えるためである。このよ
うな原料化合物の単一溶液化に使用される有機溶媒とし
ては、炭化水素類、ニトロパラフィン類、有機硫黄化合
物、アルコール類、フェノール類、アルデヒド類、エー
テル類、ケトン類、有機酸類、アミン類、エステル類等
のいわゆる有機溶媒が挙げられ、これらの１種または２
種以上が混合して使用される。また、有機溶媒としてテ
トラヒドロフランを単体で、またはテトラヒドロフラン
と前記例示の溶媒のうちの少なくとも１つとを混合して
用いると、テトラヒドロフランへの前記各原料化合物の
溶解度が大きいため、各原料化合物が均一に溶解した溶
液を得ることができ、Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の組成
の均一性が向上する。
【００２６】以上説明した原料化合物を単一溶液化した
溶液は、前記した基板上に塗膜を形成した後、この塗膜
の乾燥および焼結を行う成膜方法にそのまま適用するこ
とができる。
溶液は、前記した基板上に塗膜を形成した後、この塗膜
の乾燥および焼結を行う成膜方法にそのまま適用するこ
とができる。
【００２７】図１は本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜
の製造方法に使用されるＣＶＤ装置の第１の具体例の概
略構成を模式的に示した図である。１ａ，１ｂは前記一
般式（化４）で表される金属アルコキシド化合物２０と
Ｂｉを含む有機化合物３０を収容する収容槽（原料溜）
で、図示しない加熱手段により所定温度に加熱されてい
る。槽には配管１５ａ，１５ｂにより外部から窒素や、
アルゴン等の不活性気体等からなるキャリアガスが供給
されている。ここで収容槽１ａ，１ｂが加熱されている
のは、前記一般式（化４）で表される金属アルコキシド
化合物２０及びＢｉを含む有機化合物３０は室温では液
体または固体である場合が多いので、加熱により気化
（ガス化）させるためである。収容槽１ａ，１ｂ内で気
化（ガス化）した化合物２０，３０は流量制御計２ａ，
２ｂによってそれぞれ流量制御され、配管１６，１６
ａ，１６ｂを通ってキャリアガスと共に混合器４へ供給
され、混合器４内で酸化剤である酸素と混合された後、
成膜室５内においてシャワーノズル６からヒーター７に
よって加熱されたウエハ（基板）８上へ均一に供給され
る。ウエハ８上に供給された化合物２０，３０は熱分解
堆積して、Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜として成長する。
ここで、成膜室５内は常圧状態か減圧状態にされてい
る。なお、原料化合物の供給系は２つ（収容槽１ａ，１
ｂと配管１６ａ，１６ｂ）であるが、前記一般式（化
４）で表される金属アルコキシド化合物及びＢｉを含む
有機化合物以外の他の有機金属化合物を原料として用い
る場合は、追加する原料化合物の数に応じて原料を収容
する収容槽及び配管からなる供給系が付加される。
の製造方法に使用されるＣＶＤ装置の第１の具体例の概
略構成を模式的に示した図である。１ａ，１ｂは前記一
般式（化４）で表される金属アルコキシド化合物２０と
Ｂｉを含む有機化合物３０を収容する収容槽（原料溜）
で、図示しない加熱手段により所定温度に加熱されてい
る。槽には配管１５ａ，１５ｂにより外部から窒素や、
アルゴン等の不活性気体等からなるキャリアガスが供給
されている。ここで収容槽１ａ，１ｂが加熱されている
のは、前記一般式（化４）で表される金属アルコキシド
化合物２０及びＢｉを含む有機化合物３０は室温では液
体または固体である場合が多いので、加熱により気化
（ガス化）させるためである。収容槽１ａ，１ｂ内で気
化（ガス化）した化合物２０，３０は流量制御計２ａ，
２ｂによってそれぞれ流量制御され、配管１６，１６
ａ，１６ｂを通ってキャリアガスと共に混合器４へ供給
され、混合器４内で酸化剤である酸素と混合された後、
成膜室５内においてシャワーノズル６からヒーター７に
よって加熱されたウエハ（基板）８上へ均一に供給され
る。ウエハ８上に供給された化合物２０，３０は熱分解
堆積して、Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜として成長する。
ここで、成膜室５内は常圧状態か減圧状態にされてい
る。なお、原料化合物の供給系は２つ（収容槽１ａ，１
ｂと配管１６ａ，１６ｂ）であるが、前記一般式（化
４）で表される金属アルコキシド化合物及びＢｉを含む
有機化合物以外の他の有機金属化合物を原料として用い
る場合は、追加する原料化合物の数に応じて原料を収容
する収容槽及び配管からなる供給系が付加される。
【００２８】図２は本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜
の製造方法に使用されるＣＶＤ装置の第２の具体例の概
略構成を模式的に示した図であり、図において、図１と
同一符号は同一または相当する部分を示し、９は窓、１
０は紫外光源である。本装置は前記図１の装置に、成膜
室５内に窓９を通して紫外光源１０から紫外光が照射さ
れる構成を付加したものである。かかる構成により、ウ
エハ８上へ原料化合物および酸素が供給される際、これ
らに紫外光を照射することにより、原料化合物の分解が
促進されて膜の成長温度を低温化できる。また、原料化
合物の励起状態を変化させることができ、前記した通常
の熱分解時とは異なる活性種を形成できるため、誘電体
膜の配向性及び膜質等を制御できる。なお、本装置では
励起源として紫外光を用いているが、これに限るもので
はなく、窓９および紫外光源１０のかわりにプラズマ発
生手段を設けてもよく、この場合も同様の作用、効果が
得られる。
の製造方法に使用されるＣＶＤ装置の第２の具体例の概
略構成を模式的に示した図であり、図において、図１と
同一符号は同一または相当する部分を示し、９は窓、１
０は紫外光源である。本装置は前記図１の装置に、成膜
室５内に窓９を通して紫外光源１０から紫外光が照射さ
れる構成を付加したものである。かかる構成により、ウ
エハ８上へ原料化合物および酸素が供給される際、これ
らに紫外光を照射することにより、原料化合物の分解が
促進されて膜の成長温度を低温化できる。また、原料化
合物の励起状態を変化させることができ、前記した通常
の熱分解時とは異なる活性種を形成できるため、誘電体
膜の配向性及び膜質等を制御できる。なお、本装置では
励起源として紫外光を用いているが、これに限るもので
はなく、窓９および紫外光源１０のかわりにプラズマ発
生手段を設けてもよく、この場合も同様の作用、効果が
得られる。
【００２９】図３は本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜
の製造方法に使用されるＣＶＤ装置の第３の具体例の概
略構成を模式的に示した図であり、図において、図１と
同一符号は同一または相当する部分を示している。１１
は膜形成用の原料化合物である前記一般式（化４）で表
される金属アルコキシド化合物とＢｉを含む有機化合物
とを前記した有機溶媒に溶解して得られた溶液４０が収
容された収容槽である。溶液４０は液体流量制御計１２
により流量制御され、図示しない配管により外部から供
給された窒素またはアルゴン等の不活性気体からなるキ
ャリアガスと共に配管１７を通して気化器３へ供給され
る。気化器３で溶液４０が気化されると、この気化によ
り得られた原料ガスは混合器４内で酸化剤である酸素と
混合され、次いでこの混合ガスが成膜室５内においてシ
ャワーノズル６からヒーター７によって加熱されたウエ
ハ８上へ均一に供給され、Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の
成膜が行われる。ここで、成膜室５内は常圧状態か減圧
状態にされている。
の製造方法に使用されるＣＶＤ装置の第３の具体例の概
略構成を模式的に示した図であり、図において、図１と
同一符号は同一または相当する部分を示している。１１
は膜形成用の原料化合物である前記一般式（化４）で表
される金属アルコキシド化合物とＢｉを含む有機化合物
とを前記した有機溶媒に溶解して得られた溶液４０が収
容された収容槽である。溶液４０は液体流量制御計１２
により流量制御され、図示しない配管により外部から供
給された窒素またはアルゴン等の不活性気体からなるキ
ャリアガスと共に配管１７を通して気化器３へ供給され
る。気化器３で溶液４０が気化されると、この気化によ
り得られた原料ガスは混合器４内で酸化剤である酸素と
混合され、次いでこの混合ガスが成膜室５内においてシ
ャワーノズル６からヒーター７によって加熱されたウエ
ハ８上へ均一に供給され、Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の
成膜が行われる。ここで、成膜室５内は常圧状態か減圧
状態にされている。
【００３０】本装置では原料化合物が溶解した溶液の気
化ガスと酸素が混合器４内で混合された後ウエハ８上へ
供給されるよう構成されているが、原料化合物が溶解し
た溶液の気化ガスと酸素とが別の経路から個別にウエハ
８上に供給されるよう構成されていてもよい。また、前
記図２の装置と同様の紫外線照射手段またはプラズマ発
生手段を設けることもできる。
化ガスと酸素が混合器４内で混合された後ウエハ８上へ
供給されるよう構成されているが、原料化合物が溶解し
た溶液の気化ガスと酸素とが別の経路から個別にウエハ
８上に供給されるよう構成されていてもよい。また、前
記図２の装置と同様の紫外線照射手段またはプラズマ発
生手段を設けることもできる。
【００３１】なお、以上例示したＣＶＤ装置では、酸化
のための気体（ガス）として酸素を使用しているが、オ
ゾン等の他の物質を使用してもよい。
のための気体（ガス）として酸素を使用しているが、オ
ゾン等の他の物質を使用してもよい。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれによって限定されるものではない。
本発明はこれによって限定されるものではない。
【００３３】（実施例１）コンデンサー付フラスコにタ
ンタルエトキシド（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を５０．４
ｇ、エタノールを２００ｃｃを入れ、次いで金属ストロ
ンチウム５．６ｇを添加して約１１時間加熱還流を行っ
た。還流後エタノールを留去し、生成物を真空乾燥し
た。この生成物を減圧下で加熱・蒸留したところ１３０
℃付近で融解し、留出温度１６５〜１７０℃の無色透明
液体を主留分として回収した。この液体は空冷により固
化し、重量は４２．０ｇであった。元素分析および有機
基の分析の結果、この結晶はＳｒ［Ｔａ（ＯＣ
2Ｈ5）6］2であった。
ンタルエトキシド（Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）5 ）を５０．４
ｇ、エタノールを２００ｃｃを入れ、次いで金属ストロ
ンチウム５．６ｇを添加して約１１時間加熱還流を行っ
た。還流後エタノールを留去し、生成物を真空乾燥し
た。この生成物を減圧下で加熱・蒸留したところ１３０
℃付近で融解し、留出温度１６５〜１７０℃の無色透明
液体を主留分として回収した。この液体は空冷により固
化し、重量は４２．０ｇであった。元素分析および有機
基の分析の結果、この結晶はＳｒ［Ｔａ（ＯＣ
2Ｈ5）6］2であった。
【００３４】次いで、得られた材料を用いて以下の作業
により強誘電体薄膜の成膜を試みた。成長室５内が０．
３Ｔｏｒｒの減圧状態にされた図１のＣＶＤ装置を用
い、収容槽１ａにＳｒ［Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）6］2を封入
し、収容槽１ｂにＢｉ（ＯＣ（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3 を封
入し、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）6］2の供給系（収容槽１
ａ、配管１６ａ等）を１５０℃に保持し、Ｂｉ（ＯＣ
（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3 の供給系（収容槽１ｂ、配管１６
ｂ等）を８０℃に保持した状態で、キャリアガスである
Ｎ2 を各々の供給系に流すことにより、Ｓｒ［Ｔａ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）6］2およびＢｉ（ＯＣ（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3 の
蒸気（ガス）を成膜室５内に導入した。これと同時に成
膜室５内に酸素（ガス）を導入して、成膜室５内のその
表面にＰｔが成膜されたＳｉウエハ上にて前記二種のガ
スの熱分解を起こさせ、Ｓｉウエハ上に分解物を堆積さ
せた。また、ガスの熱分解雰囲気には紫外線を照射し
た。次にこのＳｉウエハを酸素雰囲気炉に投入すること
により、表面に形成された薄膜の結晶化処理を行った。
Ｘ線回折器（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉ
ｏｎ）もよる測定の結果、薄膜の組成はＳｒＢｉ2Ｔａ2
Ｏ9 で、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体の薄膜であ
った。図４はかかるＸＲＤによるスペクトル図であり、
Ｐｔのピークに加えて、Ｂｉ層状構造を有するＳｒＢｉ
2Ｔａ2Ｏ9 に帰属されるピークが何本も見られている。
により強誘電体薄膜の成膜を試みた。成長室５内が０．
３Ｔｏｒｒの減圧状態にされた図１のＣＶＤ装置を用
い、収容槽１ａにＳｒ［Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）6］2を封入
し、収容槽１ｂにＢｉ（ＯＣ（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3 を封
入し、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）6］2の供給系（収容槽１
ａ、配管１６ａ等）を１５０℃に保持し、Ｂｉ（ＯＣ
（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3 の供給系（収容槽１ｂ、配管１６
ｂ等）を８０℃に保持した状態で、キャリアガスである
Ｎ2 を各々の供給系に流すことにより、Ｓｒ［Ｔａ（Ｏ
Ｃ2Ｈ5）6］2およびＢｉ（ＯＣ（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3 の
蒸気（ガス）を成膜室５内に導入した。これと同時に成
膜室５内に酸素（ガス）を導入して、成膜室５内のその
表面にＰｔが成膜されたＳｉウエハ上にて前記二種のガ
スの熱分解を起こさせ、Ｓｉウエハ上に分解物を堆積さ
せた。また、ガスの熱分解雰囲気には紫外線を照射し
た。次にこのＳｉウエハを酸素雰囲気炉に投入すること
により、表面に形成された薄膜の結晶化処理を行った。
Ｘ線回折器（ＸＲＤ：Ｘ−ｒａｙ ｄｉｆｆｒａｃｔｉ
ｏｎ）もよる測定の結果、薄膜の組成はＳｒＢｉ2Ｔａ2
Ｏ9 で、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体の薄膜であ
った。図４はかかるＸＲＤによるスペクトル図であり、
Ｐｔのピークに加えて、Ｂｉ層状構造を有するＳｒＢｉ
2Ｔａ2Ｏ9 に帰属されるピークが何本も見られている。
【００３５】（実施例２）Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ2Ｈ5）6］2
４９．５ｇとＢｉ（ＯＣ（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3４２．２
ｇをテトラヒドロフラン１０００ｃｃに溶解して単一の
溶液を作成した。次に、この溶液を図３のＣＶＤ装置の
収容槽１１に封入し、キャリアガスであるＮ2 とともに
気化器３へ供給した。次に気化器３により気化された前
記溶液のガスを混合器４内で酸化剤である酸素と混合さ
せ、成膜室５内においてシャワーノズル４から、ヒータ
ーによってに加熱された、その表面にＰｔが成膜された
Ｓｉウエハ上へ供給し、このＳｉウエハ上にて前記二種
のガスの熱分解を起こさせ、Ｓｉウエハ上に分解物を堆
積させた。その後、Ｓｉウエハを酸素雰囲気炉に投入す
ることにより、表面に形成された薄膜の結晶化処理を行
った。ＸＲＤ測定の結果、膜の組成はＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ
9 で、膜はＢｉ層状構造強誘電体であった。
４９．５ｇとＢｉ（ＯＣ（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3４２．２
ｇをテトラヒドロフラン１０００ｃｃに溶解して単一の
溶液を作成した。次に、この溶液を図３のＣＶＤ装置の
収容槽１１に封入し、キャリアガスであるＮ2 とともに
気化器３へ供給した。次に気化器３により気化された前
記溶液のガスを混合器４内で酸化剤である酸素と混合さ
せ、成膜室５内においてシャワーノズル４から、ヒータ
ーによってに加熱された、その表面にＰｔが成膜された
Ｓｉウエハ上へ供給し、このＳｉウエハ上にて前記二種
のガスの熱分解を起こさせ、Ｓｉウエハ上に分解物を堆
積させた。その後、Ｓｉウエハを酸素雰囲気炉に投入す
ることにより、表面に形成された薄膜の結晶化処理を行
った。ＸＲＤ測定の結果、膜の組成はＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ
9 で、膜はＢｉ層状構造強誘電体であった。
【００３６】（実施例３）図１のＣＶＤ装置に更に２つ
の原料供給系を追加した、原料供給系を４つ有するＣＶ
Ｄ装置を用い、４つ原料供給系の各原料収容槽（ａ〜
ｃ）のそれぞれに下記表１に示す原料化合物を個別に封
入し、かつ４つの原料供給系のそれぞれの温度を一定温
度に保持した（表１参照）。
の原料供給系を追加した、原料供給系を４つ有するＣＶ
Ｄ装置を用い、４つ原料供給系の各原料収容槽（ａ〜
ｃ）のそれぞれに下記表１に示す原料化合物を個別に封
入し、かつ４つの原料供給系のそれぞれの温度を一定温
度に保持した（表１参照）。
【００３７】
【表１】
【００３８】各供給系が各々一定温度に保持された状態
で、各原料収容槽（ａ〜ｃ）にキャリアガスであるＮ2
を流すことにより各原料収容槽（ａ〜ｃ）から各原料化
合物の蒸気（ガス）を成膜室５内に導入し、同時に酸素
（ガス）を導入して、０．３Ｔｏｒｒに減圧された成膜
室５内のその表面にＰｔが成膜されたＳｉウエハ上で前
記二種のガスの熱分解を起こさせ、Ｓｉウエハ上に分解
物を堆積させた。この後、Ｓｉウエハを酸素雰囲気炉に
投入することにより、表面に形成された薄膜の結晶化処
理を行った。ＸＲＤ測定及び元素分析の結果、膜の組成
は（ Ｓｒ0.8Ｐｂ0.2）Ｂｉ2Ｔａ2Ｏ9 で、一般的なＢ
ｉ層状構造強誘電体であるＳｒＢｉ2Ｔａ 2Ｏ9 と類似の
結晶構造を有するものであった。
で、各原料収容槽（ａ〜ｃ）にキャリアガスであるＮ2
を流すことにより各原料収容槽（ａ〜ｃ）から各原料化
合物の蒸気（ガス）を成膜室５内に導入し、同時に酸素
（ガス）を導入して、０．３Ｔｏｒｒに減圧された成膜
室５内のその表面にＰｔが成膜されたＳｉウエハ上で前
記二種のガスの熱分解を起こさせ、Ｓｉウエハ上に分解
物を堆積させた。この後、Ｓｉウエハを酸素雰囲気炉に
投入することにより、表面に形成された薄膜の結晶化処
理を行った。ＸＲＤ測定及び元素分析の結果、膜の組成
は（ Ｓｒ0.8Ｐｂ0.2）Ｂｉ2Ｔａ2Ｏ9 で、一般的なＢ
ｉ層状構造強誘電体であるＳｒＢｉ2Ｔａ 2Ｏ9 と類似の
結晶構造を有するものであった。
【００３９】（実施例４）Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ3Ｈ7）6］2
５７．９ｇとＢｉ（ＯＣ（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3４７．０
ｇをトルエン１０００ｃｃに溶解することにより、単一
の誘電体膜原料溶液を作製し、スピンコート法によりＳ
ｉウエハ（表面にｐｔが成膜されている）上に塗膜を形
成した。このＳｉウエハを酸素雰囲気炉に投入すること
ににより、堆積膜の結晶化処理を行った。ＸＲＤ測定の
結果、得られた膜の組成はＳｒＢｉ 2Ｔａ2Ｏ9 で、膜は
Ｂｉ層状構造強誘電体であった。
５７．９ｇとＢｉ（ＯＣ（ＣＨ3）2Ｃ2Ｈ5）3４７．０
ｇをトルエン１０００ｃｃに溶解することにより、単一
の誘電体膜原料溶液を作製し、スピンコート法によりＳ
ｉウエハ（表面にｐｔが成膜されている）上に塗膜を形
成した。このＳｉウエハを酸素雰囲気炉に投入すること
ににより、堆積膜の結晶化処理を行った。ＸＲＤ測定の
結果、得られた膜の組成はＳｒＢｉ 2Ｔａ2Ｏ9 で、膜は
Ｂｉ層状構造強誘電体であった。
【００４０】
【発明の効果】以上のように、本発明のＢｉ層状構造強
誘電体薄膜の製造方法によれば、前記一般式（化３）で
表されるＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を製造する方法に
おいて、Ｂｉを含む化合物と前記一般式（化４）で表さ
れる金属アルコキシド化合物を原料として用いるようし
たので、従来に比べて原料として用いる有機金属化合物
の数を減らすことができ、従来に比べて原料の供給量
（使用量）の制御が容易になることから、所望の元素組
成からなるＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を再現性よく製
造することができる。
誘電体薄膜の製造方法によれば、前記一般式（化３）で
表されるＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を製造する方法に
おいて、Ｂｉを含む化合物と前記一般式（化４）で表さ
れる金属アルコキシド化合物を原料として用いるようし
たので、従来に比べて原料として用いる有機金属化合物
の数を減らすことができ、従来に比べて原料の供給量
（使用量）の制御が容易になることから、所望の元素組
成からなるＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を再現性よく製
造することができる。
【００４１】また、前記一般式（化４）で表される金属
アルコキシド化合物は、ＣＶＤ法による成膜に必要な蒸
気圧の時に、熱分解したり、他の物質と反応することが
なく、安定であるので、この金属アルコキシド化合物と
Ｂｉを含む有機化合物とを原料にしてＣＶＤ法により基
板上にＢｉ層状構造強誘電体を成膜すると、基板上への
各原料ガス（Ｂｉを含む有機化合物のガスと前記一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のガス）の
供給量がそのままＢｉ層状構造強誘電体の元素組成に反
映することとなり、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体
薄膜を極めて再現性良く形成することができる。
アルコキシド化合物は、ＣＶＤ法による成膜に必要な蒸
気圧の時に、熱分解したり、他の物質と反応することが
なく、安定であるので、この金属アルコキシド化合物と
Ｂｉを含む有機化合物とを原料にしてＣＶＤ法により基
板上にＢｉ層状構造強誘電体を成膜すると、基板上への
各原料ガス（Ｂｉを含む有機化合物のガスと前記一般式
（化４）で表される金属アルコキシド化合物のガス）の
供給量がそのままＢｉ層状構造強誘電体の元素組成に反
映することとなり、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体
薄膜を極めて再現性良く形成することができる。
【００４２】また、前記一般式（化４）で表される金属
アルコキシド化合物とＢｉを含む有機化合物を有機溶媒
に溶解して得られた溶液の塗膜を基板上に形成した後、
前記塗膜の乾燥及び酸素雰囲気下での焼結を行うことに
よりＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を成膜するようにする
と、前記溶液中の一般式（化４）で表される金属アルコ
キシド化合物とＢｉを含む有機化合物の濃度が、これが
Ｂｉ層状構造強誘電体の組成にそのままを反映すること
となり、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を極め
て再現性良く形成することができる。
アルコキシド化合物とＢｉを含む有機化合物を有機溶媒
に溶解して得られた溶液の塗膜を基板上に形成した後、
前記塗膜の乾燥及び酸素雰囲気下での焼結を行うことに
よりＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を成膜するようにする
と、前記溶液中の一般式（化４）で表される金属アルコ
キシド化合物とＢｉを含む有機化合物の濃度が、これが
Ｂｉ層状構造強誘電体の組成にそのままを反映すること
となり、所望の組成のＢｉ層状構造強誘電体薄膜を極め
て再現性良く形成することができる。
【図１】本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法
に使用されるＣＶＤ装置の第１の具体例の概略構成を模
式的に示した図である。
に使用されるＣＶＤ装置の第１の具体例の概略構成を模
式的に示した図である。
【図２】本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法
に使用されるＣＶＤ装置の第２の具体例の概略構成を模
式的に示した図である。
に使用されるＣＶＤ装置の第２の具体例の概略構成を模
式的に示した図である。
【図３】本発明のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法
に使用されるＣＶＤ装置の第３の具体例の概略構成を模
式的に示した図である。
に使用されるＣＶＤ装置の第３の具体例の概略構成を模
式的に示した図である。
【図４】本発明の実施例１で得られたＢｉ層状構造強誘
電体薄膜のＸＲＤによるスペクトル図である。
電体薄膜のＸＲＤによるスペクトル図である。
１ａ，１ｂ，１１ 収容槽（原料溜） ２ａ，２ｂ 流量制御計 ３ 気化器 ４ 混合器 ５ 成膜室 ６ シャワーノズル ７ ヒーター ８ ウエハ（基板） ９ 窓 １０ 紫外光源 １２ 液体流量制御計 １５ａ，１５ｂ，１６，１６ａ，１６ｂ，１７ 配管 ２０ 金属アルコキシド化合物 ３０ Ｂｉを含む有機化合物 ４０ 溶液
フロントページの続き (71)出願人 596066910 シンメトリックス・コーポレーション Ｓｙｍｅｔｒｉｘ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏ ｎ アメリカ合衆国，80918 コロラド州，コ ロラドスプリングス，マーク ダブリング ブルバード 5055番，スウィート 100 5055 Ｍａｒｋ Ｄａｂｌｉｎｇ Ｂｏｕ ｌｅｖａｒｄ， Ｓｕｉｔｅ 100 Ｃｏ ｌｏｒａｄｏ Ｓｐｒｉｎｇｓ， Ｃｏｌ ｏｒａｄｏ 80918， Ｕ．Ｓ．Ａ．, (72)発明者 寶地戸 雄幸 埼玉県坂戸市千代田５丁目１番28号 株式 会社高純度化学研究所内 (72)発明者 門倉 秀公 埼玉県坂戸市千代田５丁目１番28号 株式 会社高純度化学研究所内 (72)発明者 松本 政道 埼玉県坂戸市千代田５丁目１番28号 株式 会社高純度化学研究所内 (72)発明者 有田 浩二 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 吾妻 正道 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内 (72)発明者 大槻 達男 大阪府高槻市幸町１番１号 松下電子工業 株式会社内
Claims (10)
- 【請求項１】 下記一般式（化１）で表されるＢｉ（ビ
スマス）層状構造強誘電体の薄膜を製造する方法であっ
て、Ｂｉを含む有機化合物と、下記一般式（化２）で表
される金属アルコキシド化合物の１種以上であって、下
記一般式（化１）中のA1〜An及びB1〜Btに相当する種類
の金属元素を含む金属アルコキシド化合物を原料として
用いることを特徴とするＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製
造方法。 【化１】 【化２】 - 【請求項２】 Ｂｉを含む有機化合物と一般式（化２）
で表される金属アルコキシド化合物を原料にして、化学
気相成長法（ＣＶＤ法）により基板上に一般式（化１）
で表されるＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を成長させる請
求項１に記載のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 一般式（化２）で表される金属アルコキ
シド化合物のRj1、Rj2、…Rj6、Rk1、Rk2、…Rk6 のそ
れぞれがエチル基またはイソプロピル基である請求項２
に記載のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 一般式（化２）で表される金属アルコキ
シド化合物のAiがＳｒまたはＢａであり、BjがＮｂまた
はＴａであり、BkがＮｂまたはＴａである請求項２また
は３に記載のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項５】 Ｂｉを含む有機化合物としてＢｉターシ
ャリブトキシド及びＢｉターシャリペントキシドから選
ばれる少なくとも１つの化合物を用いる請求項２〜４の
いずれかに記載のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方
法。 - 【請求項６】 Ｂｉを含む有機化合物と一般式（化２）
で表される金属アルコキシド化合物とを有機溶媒に溶解
して得られた溶液を気化させ、この気化により得られた
ガスを基板上に供給して、化学気相成長法（ＣＶＤ法）
による一般式（化１）で表されるＢｉ層状構造強誘電体
の薄膜の成長を行う請求項２〜５のいずれかに記載のＢ
ｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項７】 化学気相成長法（ＣＶＤ法）が原料ガス
の熱分解雰囲気に紫外線を照射する光ＣＶＤ法である請
求項２〜６のいずれかに記載のＢｉ層状構造強誘電体薄
膜の製造方法。 - 【請求項８】 化学気相成長法（ＣＶＤ法）が原料ガス
の熱分解時に原料ガスをプラズマ励起させるプラズマＣ
ＶＤ法である請求項２〜６のいずれかに記載のＢｉ層状
構造強誘電体薄膜の製造方法。 - 【請求項９】 Ｂｉを含む有機化合物と一般式（化２）
で表される金属アルコキシド化合物とを有機溶媒に溶解
して得られた溶液の塗膜を基板上に形成した後、前記塗
膜の乾燥及び酸素雰囲気下での焼結を行うことにより一
般式（化１）で表されるＢｉ層状構造強誘電体の薄膜を
形成する請求項１に記載のＢｉ層状構造強誘電体薄膜の
製造方法。 - 【請求項１０】 有機溶媒がテトラヒドロフランを含ん
でいる請求項６または９に記載のＢｉ層状構造強誘電体
薄膜の製造方法。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11935096A JP3503790B2 (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法 |
| TW086106105A TW346676B (en) | 1996-05-14 | 1997-05-08 | Method of manufacturing layered ferroelectric Bi containing film |
| US08/854,173 US5932281A (en) | 1996-05-14 | 1997-05-09 | Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film |
| SG1997001534A SG55315A1 (en) | 1996-05-14 | 1997-05-13 | Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film |
| DE69730076T DE69730076T2 (de) | 1996-05-14 | 1997-05-13 | Verfahren zur Herstellung eines Bi-beschichteten ferroelektrischen dünnen Films |
| CA002205189A CA2205189C (en) | 1996-05-14 | 1997-05-13 | Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film |
| EP97107761A EP0807965B1 (en) | 1996-05-14 | 1997-05-13 | Method of manufacturing layered ferroelectric Bi containing film |
| MYPI97002078A MY119325A (en) | 1996-05-14 | 1997-05-13 | Method of manufacturing bi-layered ferroelectric thin film |
| KR1019970018601A KR100295870B1 (ko) | 1996-05-14 | 1997-05-13 | Bi층형상구조강유전체박막의제조방법 |
| CN97114973A CN1113399C (zh) | 1996-05-14 | 1997-05-14 | Bi层状结构强电介质薄膜的制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11935096A JP3503790B2 (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09301716A true JPH09301716A (ja) | 1997-11-25 |
| JP3503790B2 JP3503790B2 (ja) | 2004-03-08 |
Family
ID=14759322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11935096A Expired - Lifetime JP3503790B2 (ja) | 1996-05-14 | 1996-05-14 | Ｂｉ層状構造強誘電体薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3503790B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007013090A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 内蔵型薄膜キャパシター、積層構造物及びそれらの製造方法 |
-
1996
- 1996-05-14 JP JP11935096A patent/JP3503790B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007013090A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 内蔵型薄膜キャパシター、積層構造物及びそれらの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3503790B2 (ja) | 2004-03-08 |
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