JP2000344789A - ニオブ、タンタルとアルカリ土類金属との液体ダブルアルコキシド及びその製法並びにそれを用いた複合酸化物誘電体の製法 - Google Patents

ニオブ、タンタルとアルカリ土類金属との液体ダブルアルコキシド及びその製法並びにそれを用いた複合酸化物誘電体の製法

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Abstract

(57)【要約】 【課題】熱解離しにくく、室温で液体で、蒸留可能な性
質を有する、ニオブ、タンタルとアルカリ土類金属との
新規なダブルアルコキシドとその製法及びその化合物を
用いる複合酸化物誘電体薄膜の製法を提供する。 【解決手段】新規化合物 Ｍ［Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５（Ｏ
Ｃ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２（式中、ＭはＳｒ又はＢａであ
り、ＮはＮｂ又はＴａである）は、室温で液体で熱解離
しにくく、１９０℃で０．２Ｔｏｒｒ程度の蒸気圧があ
る。該化合物は、Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５２モルとＭ（ＯＣ
２Ｈ４ＯＣＨ３）２１〜１．１モルを反応させ、次い
で、蒸留回収することにより製造できる。この化合物を
ＣＶＤ法の原料として用いることにより、半導体装置用
のＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９薄膜や（Ｓｒ０．７５Ｂａ
０．２５）Ｎｂ２Ｏ６薄膜を製造できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ニオブ、タンタル
とアルカリ土類金属との新規な液体ダブルアルコキシド
及びその製法並びにそれを用いた複合酸化物誘電体の製
法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ニオブ、タンタルとアルカリ土類金属と
の複合酸化物を成分とする誘電体薄膜は、高誘電率や強
誘電性を示すものが多い。例えば、（ＳｒｐＢａｑ）Ｎ
ｂ２Ｏ６（ただしｐ＋ｑ＝１）が光変調素子、赤外線検
出器として、ＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２Ｏ９（ただ
しｘ＋ｙ＝１）が不揮発メモリーとして研究開発され、
一部使用されている。それらの薄膜を金属有機化合物を
原料として製造する方法には、ゾルーグル法、ＭＯＤ法
（Ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ，化学気相成長）がある。アルカリ土類
金属とニオブ、タンタルとの膜組成を量論比にしたり、
より低温で結晶化させるためには、原子オーダーで酸化
物結晶の構造に似ているダブルアルコキシドを原料にす
ると効果があることが知られている。
【０００３】溶液状態で使うゾル−ゲル法やＭＯＤ法の
例としては、特開平１１−８０１８１（ビスマス系層状
ペロブスカイト化合物強誘電体薄膜用前駆体の製造方
法）が「Ｓｒ金属から調整したＳｒアルコキシド（Ｓｒ
（ＯＲ）２）をアルコール中でＢｉアルコキシド（Ｂｉ
（ＯＲ）３）と反応させて、Ｓｒ−Ｂｉダブルアルコキ
シドＳｒ［Ｂｉ（ＯＲ）４］２を生成させ、次いで、こ
れをＴａアルコキシドＴａ（ＯＲ）５又はＮｂ（ＯＲ）
５と反応させることを特徴とする原子配列の構造制御さ
れたＳｒ：Ｂｉ：Ｔａ又はＮｂ＝１：２：２（金属原子
比）のＳｒ−Ｂｉ−Ｔａ又はＮｂ系複合アルコキシドの
製造方法」を開示している。そこでは複合アルコキシド
溶液をロータリー真空ポンプを用いて５０−６０℃で乾
燥して得られたものについて、その分子構造を１Ｈ−Ｎ
ＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ、９３Ｎｂ−ＮＭＲ及びＦＴ−Ｉ
Ｒで解析し、複合アルコキシドが形成されていると結論
付けている。Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５ＯＣＨ３）６］２
も開示されている。しかし、いずれの複合アルコキシド
も蒸留回収されたものではなく、単に溶媒を留去したあ
との残留物である。完全にすべての分子が複合化してい
るとは限らず、また組成比が自律的に量論比に決まって
いるとは言い難い。また複合アルコキシドの形で蒸留回
収できるかは言及されていない。
【０００４】気相状態で使うＣＶＤ法の例としては、特
開平８−３３９７１６（ビスマス層状強誘電体薄膜の製
造方法）がＳｒ［Ｔａ（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）６］２な
どの複合イソプロポキシドを開示しており、特開平９−
７７５９２（ビスマス層状強誘電体薄膜の製造方法）が
Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）６］２などの複合エトキシド
を開示しており、特開平１０−１０２２５４（タングス
テンブロンズ型酸化物誘電体薄膜の製造方法）がＳｒ
［Ｎｂ（ＯＣＨ（ＣＨ３）２）６］２やＳｒ［Ｎｂ（Ｏ
Ｃ２Ｈ５）６］２などを開示している。これらの複合ア
ルコキシドは蒸留あるいは昇華により回収されたもので
ある。しかし、これらの化合物は表１に示すように１５
０℃程度では液体であるが室温では固体であり、化合物
の製造、精製、ＣＶＤ原料としての取り扱い易さでは欠
点となっていた。なお、Ｒ．Ｃ．Ｍｅｈｒｏｔｒａ（Ａ
ｄｖａｎｃｅｓ ｉｎ Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍ
ｉｓｔｒｙ ａｎｄ Ｒａｄｉｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，
Ｖｏｌ．２６，３２６（１９８３））は、これらのダブ
ルイソプロポキシドはすべて固体であり、ダブルエトキ
シドはＢａ系を除いて粘ちょうな液体と報告している
が、本発明者らの合成、蒸留したものは固体であり、そ
の値を表１に記した。
【０００５】
【表１】
【０００６】さらにＣＶＤで必要とされる０．１Ｔｏｒ
ｒ以上の蒸気圧を示す１８０℃程度以上では、式ＩＩに
よりダブルアルコキシドの熱解離が少しずつおこるた
め、膜組成が量論比からずれやすかった。 Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）６］２→ ［Ｓｒ（ＯＣ２Ｈ５）２］∞＋ ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５］２・・・・・・・式ＩＩ ［Ｓｒ（ＯＣ２Ｈ５）２］∞は重合体で揮発性がなく、
［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５］２は高い蒸気圧を有するの
で、これがＳｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）６］２の蒸気に混
入して気相成分のＴａ／Ｓｒ比が２より大きくなってし
まう。この欠点を除くためには、特開平１０−２９８７
６０（気相成長用金属ダブルアルコキシド組成物及びそ
の供給方法及びそれを用いた複合酸化物薄膜の製造方
法）で開示された組成物や方法が必要となっていた。
【０００７】さらには、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）６］
２の熱解離を押さえるようにした新規の液体化合物とし
て、Ｔ．Ｊ．Ｌｅｅｄｈａｍ ｅｔ ａｌ．１１ｔｈ
Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ ｏ
ｎ ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＦｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ
ｓ，Ａｂｓｔｒａｃｔｓ 「Ｎｏｖｅｌ ｐｒｅｃｕｒ
ｓｏｒｓ ｆｏｒ ｔｈｅ ＭＯＣＶＤ ｏｆ ｆｅｒ
ｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ ｔｈｉｎｆｉｌｍｓ」１３０Ｃ
（１９９８．３．７）がＳｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）
５（ＯＣ２Ｈ４Ｎ（ＣＨ３）２）］２を発表した。しか
し、まだその詳しい同定、製法および物性は記載されて
いない。Ｓｒ−Ｎｂ系、Ｂａ−Ｎｂ系、Ｂａ−Ｔａ系の
ダブルアルコキシドで熱解離しにくい室温で液体の化合
物は全く知られていない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、熱解離しに
くく、室温で液体で、蒸留可能な性質を有する、ニオ
ブ、タンタルとアルカリ土類金属との新規なダブルアル
コキシドを提供する。さらに、本発明は、その化合物の
製法を提供する。さらに、本発明はその化合物を用いた
複合酸化物誘電体の製法を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】 Ｍ［Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）］２・・・・・・・・・・式Ｉ （式中、ＭはＳｒ又はＢａであり、ＮはＮｂ又はＴａで
あり、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基である）で表され
る新規なダブルアルコキシドが、熱解離しにくく、室温
で液体で、蒸留可能な性質を持つことを見い出した。式
中のＲは、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、
ブチルなとが挙げられる。好ましくはメチルである。
【００１０】本発明の式Ｉで表される化合物は、Ｎ（Ｏ
Ｃ２Ｈ５）５とＭ（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）２を反応させるこ
とにより容易に製造することができる。式中のＲがメチ
ルの化合物は、Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５とＭ（ＯＣ２Ｈ４Ｏ
ＣＨ３）２を反応させることにより容易に製造すること
ができる。本発明の式Ｉで表される化合物は、Ｎ（ＯＣ
２Ｈ５）５とＭ（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）２を反応させ、次い
で、蒸留回収することにより容易に製造することがで
き、その化合物は、正確な量論比を持ち、高純度の性質
を有している。式中のＲがメチルの化合物は、Ｎ（ＯＣ
２Ｈ５）５とＭ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）２を反応させ、
次いで、蒸留回収することにより容易に製造することが
でき、その化合物は、正確な量論比を持ち、高純度の性
質を有している。
【００１１】本発明の式Ｉで表される化合物を用いて、
容易に複合酸化物誘電体ＭＮ２Ｏ６薄膜を製造すること
ができる。式中のＲがメチルの化合物を用いて、容易に
複合酸化物誘電体ＭＮ２Ｏ６薄膜を製造することができ
る。本発明の式Ｉで表される化合物を用いて、化学気相
成長法により容易に複合酸化物誘電体ＭＮ２Ｏ６薄膜を
製造することができる。式中のＲがメチルの化合物を用
いて、化学気相成長法により容易に複合酸化物誘電体Ｍ
Ｎ２Ｏ６薄膜を製造することができる。
【００１２】Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＲ）］２とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＲ）］２（両式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表
す）で表される化合物を用いて、（ＳｒｐＢａｑ）Ｎｂ
２Ｏ６（ただしｐ＋ｑ＝１）で表される誘電体薄膜を容
易に製造することができる。Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）
５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ
５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とを用いて、（Ｓｒ
ｐＢａｑ）Ｎｂ２Ｏ６（ただしｐ＋ｑ＝１）で表される
誘電体薄膜を容易に製造することができる。Ｓｒ［Ｎｂ
（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）］２とＢａ［Ｎｂ
（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）］２（両式中Ｒは
炭素数１〜４のアルキル基を表す）で表される化合物を
用いて、化学気相成長法により（ＳｒｐＢａｑ）Ｎｂ２
Ｏ６（ただしｐ＋ｑ＝１）で表される誘電体薄膜を容易
に製造することができる。Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５
（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とを用いて、化
学気相成長法により（ＳｒｐＢａｑ）Ｎｂ２Ｏ６（ただ
しｐ＋ｑ＝１）で表される誘電体薄膜を容易に製造する
ことができる。
【００１３】Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＲ）］２とＳｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＲ）］２（両式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基を表
す）で表される化合物を用いて、ＳｒＢｉ２（ＴａｘＮ
ｂｙ）２Ｏ９（ただしｘ＋ｙ＝１）で表されるビスマス
層状強誘電体薄膜を容易に製造することができる。Ｓｒ
［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２と
Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］
２とを用いて、ＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ） ２Ｏ９（た
だしｘ＋ｙ＝１）で表されるビスマス層状強誘電体薄膜
を容易に製造することができる。Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ
５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）］２とＳｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ
５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）］２（両式中Ｒは炭素数１〜
４のアルキル基を表す）で表される化合物を用いて、化
学気相成長法によりＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２Ｏ９
（ただしｘ＋ｙ＝１）で表されるビスマス層状強誘電体
薄膜を容易に製造することができる。Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とＳｒ［Ｎｂ
（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とを用い
て、化学気相成長法によりＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）
２Ｏ９（ただしｘ＋ｙ＝１）で表されるビスマス層状強
誘電体薄膜を容易に製造することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の新規化合物は、 Ｍ［Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）］２・・・・・・・・・・式Ｉ （式中、ＭはＳｒ又はＢａであり、ＮはＮｂ又はＴａで
あり、Ｒは炭素数１〜４のアルキル基である）で表され
る化合物である。具体的な化合物の例を表２に挙げる。
【００１５】
【表２】
【００１６】さらに、表２の化合物どうしの混合物も本
発明に含まれる。以下、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）
５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２（ストロンチウムビス
［（タンタル（ペンタエトキシド）（２−メトキシエト
キシド）］）を例に述べる。本発明の方法によれば、Ｔ
ａ（ＯＣ２Ｈ５）５（タンタルエトキシド）２モルとＳ
ｒ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）２（ストロンチウム（２−メ
トキシエトキシド））１〜１．１モルをトルエンなどの
溶媒中あるいは無溶媒で１００〜２００℃の適当な温度
で１〜１２時間反応させることによりＳｒ［Ｔａ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２が得られる。こ
の反応生成液から溶媒を留去したのち、約０．３Ｔｏｒ
ｒの真空下で蒸留し、１９５〜２１０℃で得られる留出
液が単離された目的の化合物である。
【００１７】実施例１で単離された化合物について行っ
た同定と物性について以下に述べる。 （１）組成分析 ＩＣＰ発光分光分析の結果 Ｓｒ ８．４０ｗｔ％、 Ｔａ ３４．１ｗｔ％ （Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２＝ＳｒＴａ２Ｃ２６ Ｈ６４Ｏ１４の式量１０５０．３、計算値Ｓｒ８．３４ｗｔ％、Ｔａ３４．５ｗ ｔ％） 分析値からＴａ／Ｓｒ＝１．９７となり、分析誤差内で
量論比２に一致した。残り有機分は差し引き５７．５ｗ
ｔ％となり、これは計算値の５７．１６ｗｔ％に近かっ
た。
【００１８】 （２）不純物分析 ＩＣＰ発光分光分析の結果（単位ｐｐｍ） Ｍｇ １、 Ｃａ ２５、 Ｂａ ９１、 Ｆｅ １、 であり高純度であった。
【００１９】（３）分子量 ベンゼンの凝固点降下法により測定した。 試料 １．５７５３ｇ ベンゼン ２０．０ｇ △Ｔ＝０．３５８℃、０．４０３℃、０．３９１℃ 平均０．３８４℃ よって分子量＝１０５０ 会合度 １．００
【００２０】 （４）１Ｈ−ＮＭＲ 測定条件 装置 ：ＢＲＵＫＥＲ ＡＣ−３００Ｐ ＦＴ−ＮＭＲ 観測周波数 ：３００．１３ＭＨｚ 溶媒 ：Ｂｅｎｚｅｎｅ−ｄ６ 化学シフト基準：ＴＭＳ 濃度 ：約８ｍｇ／０．７ｍｌ 温度 ：室温 測定結果を図１に示した。
【００２１】
【図１】
【００２２】スペクトルと帰属は表３のとおりである。
δＨ＝０．９６８と３．１２４に不明なピークがある
が、その他はＳｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＣＨ３）］２に帰属できる。これらの不明ピークの発
生の原因の一つとしてＮＭＲ用試料管作成中に少し加水
分解がおきているらしいことがある。
【００２３】
【表３】
【００２４】（５）ＦＴ−ＩＲ 測定条件 装置 ：ＳＩＭＡＤＺＵ ＦＴ−ＩＲ ８６００ 測定方法 ：液膜法 測定結果を図２に示した。
【００２５】
【図２】
【００２６】スペクトル（ｃｍ−１） ２９６６，２８５８，２７１０，１４７２，１４５４，
１４４１，１３７５，１３５６，１２７３，１２３８，
１１７８，１０７０，１０２０，９１６，９０１，８３
７，６６４，６０２，５３６，４７３， 低波数６６４，６０２，５３６，４７３，はＴａ−Ｏ及
びＳｒ−Ｏの振動である。
【００２７】（６）蒸気圧 気体飽和法による測定値 ： ０．２３ Ｔｏｒｒ／１
９０℃
【００２８】（７）性状と融点 室温で無色透明な液体で、その融点は０℃以下であっ
た。
【００２９】（８）液密度 １．４６ ｇ／ｃｍ３／２０℃ （９）動粘度 約２０ｃＳｔ／２０℃
【００３０】 測定結果を図３に示した。１５０℃までで約２％の減量
が見られるのは、試料を測定系にセットする間に大気中
の水分と反応し、加水分解で生じたアルコールが飛散し
たものと推定される。
【００３１】
【図３】
【００３２】（１１）溶解度 トルエンに対する溶解度 （ｇ／１００ｍｌトルエン、
２０℃） ３７００ｇ以上 ＴＨＦに対する溶解度（ｇ／１００ｍｌＴＨＦ）２０
℃） ３７００ｇ以上
【００３３】（１２）熱安定性 蒸発物の組成を分析し、熱解離が生じていないかを調べ
た。 測定方法 底部にキャリヤーガスのバブリング供給口を、上部気相
部に該ガスの排出口を有するパイレックスガラス製の蒸
発用容器（径３０ｍｍ、高さ１５０ｍｍ、容積１００ｍ
ｌ、嵩上げと気液接触を良くするために４ｍｍ径のジル
コニアボール４０ｍｌがはいっている）は、排出口に回
収用冷却管が接続され排出装置により一定の圧力に保つ
ことができる。この蒸発用容器に実施例１で単離された
化合物Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ
３）］２２５ｇを入れ、１９０℃に保った。全系を１０
Ｔｏｒｒに保ちつつ、キャリヤーガスＡｒ３０ｓｃｃｍ
を供給口よりバブリングし、ダブルアルコキシドの蒸気
を同伴させ、排出口からとりだし冷却管で凝縮させた。
６０分毎にガスを止め、凝縮液をトルエンに溶解して回
収し、そのＳｒとＴａの定量をＩＣＰ発光分析で行っ
た。Ｔａ／Ｓｒの原子比を表４に示した。
【００３４】
【表４】
【００３５】この結果より、最初からＴａ／Ｓｒ＝２の
ダブルアルコキシドとしてのみ蒸発しており、過剰のＴ
ａ（ＯＥｔ）５が含まれないことから、熱解離していな
いことが立証された。また、テスト後の蒸発用容器の内
容物は１３ｇでその組成分析の結果は、Ｓｒ８．６４ｗ
ｔ％、Ｔａ３３．４ｗｔ％でＴａ／Ｓｒ＝１．８７であ
った。かなり仕込み組成に近いといえる。
【００３６】ほぼ同様な方法でなされたＳｒ［Ｔａ（Ｏ
Ｃ２Ｈ５）６］２の１９０℃の測定結果が特開平１０−
２９８７６０の表３に示されている。そこでは１番目の
回収物のＴａ／Ｓｒ比が４．６０と高く、回を重ねる毎
にこの比は低下して行くが、９番目の回収物でさえ、ま
だ２．５９と高かった。１９０℃での蒸気圧はＳｒ［Ｔ
ａ（ＯＣ２Ｈ５）６］２が０．２５Ｔｏｒｒ、本発明の
化合物が０．２３Ｔｏｒｒとほぼ同じであるから、本発
明の化合物が熱解離しにくい安定なダブルアルコキシド
を形成しており、ＣＶＤ原料として組成安定性が良いと
いえる。
【００３７】以上述べたうちの主に組成分析、分子量、
１Ｈ−ＮＭＲ、ＦＴ−ＩＲから総合的に判断して、この
化合物はＳｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）］２と同定した。想定する分子構造を図４に示し
た。
【００３８】
【図４】
【００３９】本発明は、量産性に優れた本発明化合物の
製造方法である。本発明の方法によれば、Ｎ（ＯＣ２Ｈ
５）５（ＮはＮｂ又はＴａである）２モルとＭ（ＯＣ２
Ｈ４ＯＲ）２（ＭはＳｒ又はＢａであり、Ｒは炭素数１
〜４のアルキル基である）１〜１．１モルをトルエンな
どの溶媒中あるいは無溶媒で１００〜２００℃の適当な
温度で１〜１２時間反応させることによりＭ［Ｎ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）］２が得られる。仕込み
モル比を実質的に量論比に合わせることにより、生成物
を蒸留回収することなく使用することもできる。好まし
くはこの反応生成液から溶媒を留去したのち、約０．３
Ｔｏｒｒの真空下で蒸留し、約１９０〜２４０℃で得ら
れる留分を得ることである。これが目的の化合物の純品
であり、自律的に決まった量論比Ｎ／Ｍ＝２にすること
ができる。この際は仕込みの比率を量論比よりわずかに
Ｍ（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）２の過剰側にすることにより未反
応のＮ（ＯＣ２Ｈ５）５をなくせ、目的の化合物の蒸留
回収が容易になる。また、蒸留することにより、わずか
に未反応で残っている可能性のある揮発性の高い原料の
Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５を除くことができ、かつより高沸点
の不純物元素のアルコキシドや分解縮合で生じた不揮発
性の高分子や酸化物を除くことができ好都合である。
【００４０】ここで使用するＭ（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）２は
金属Ｍ（Ｓｒ又はＢａ）とＲＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ（２−
アルコキシエタノール）を室温〜５０℃付近で１分〜１
時間反応させ、過剰の原料アルコールを１００℃程度で
減圧留去することにより、容易に製造することができ
る。２−アルコキシエタノールとしては、以下のものが
挙げられる。２−メトキシエタノール（慣用名メチルセ
ロソルブ）、２−エトキシエタノール（慣用名エチルセ
ロソルブ）、２−プロピルエタノール、２−イソプロピ
ルエタノール、２−ブチルエタノールなどである。
【００４１】また、本発明は、本発明化合物を用いて、
ＭＮ２Ｏ６を構成成分として含む複合酸化物誘電体を製
造する方法である。それらの誘電体の例としては、（Ｓ
ｒｐＢａｑ）Ｎｂ２Ｏ６（ただしｐ＋ｑ＝１）、ＳｒＢ
ｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２Ｏ９（ただしｘ＋ｙ＝１）など
が挙げられる。本発明化合物を原料として、３００〜８
００℃で酸化雰囲気中で分解あるいは酸化することによ
り、Ｎ／Ｍ＝２の量論比の酸化物が容易に製造できる。
本発明化合物の分子構造は複合酸化物と類似していると
考えられ、より低温で複合酸化物の結晶化が起きやす
い。酸化物薄膜の製造は、本発明化合物を用いて、ゾル
ーゲル法、ＭＯＤ法、ＣＶＤ法が使える。好ましくは、
蒸留回収で得られた本発明化合物を使うことにより、正
確な量論比で不純物の少ない複合酸化物誘電体ができ
る。
【００４２】また本発明化合物は蒸気となるので、ＣＶ
Ｄ法の原料として用い、酸化物薄膜を製造するのに適し
ている。ＣＶＤ法で用いる場合、本発明化合物の供給方
法としては、 （１）本発明化合物を１５０〜２５０℃に保ち、キャリ
ヤーガスのバブリングによりその蒸気を同伴させる （２）本発明化合物をＴＨＦ、ヘキサン、オクタン、酢
酸ブチルなどの有機溶媒に溶かし溶液とし、液体マスフ
ローコントローラーを通し、気化器で蒸気とする などがある。本化合物は有機溶媒への溶解度が高く、溶
液化が容易である。
【００４３】ＣＶＤ法で（ＳｒｐＢａｑ）Ｎｂ２Ｏ
６（ただしｐ＋ｑ＝１）薄膜を製造する場合、例えばＳ
ｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２
とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）］２を予め混合液にして用いてもよい。蒸気圧が
ほぼ同じであるのでその混合比率はｐ：ｑで良いが、膜
組成が少しずれていたら、混合比を少し修正すればよ
い。もちろん個々に、気化させたのち、混合してもよ
い。本発明の化合物は熱解離しにくいが、ＣＶＤ法で加
熱された基板に到達するまでは、できるだけ熱解離を防
ぐような条件や装置であると、基板上に形成された膜組
成を量論比にできる。ＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２Ｏ
９（ただしｘ＋ｙ＝１）の場合も、例えばその原料組み
合わせであるＳｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＣＨ３）］２とＳｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
Ｈ４ＯＣＨ３）］２について同様なことが言える。
【００４４】ＣＶＤ法でＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２
Ｏ９（ただしｘ＋ｙ＝１）薄膜を製造する場合には、原
料のビスマス化合物としては、通常使われているトリフ
ェニルビスマス、トリ（オルトトリル）ビスマス、ビス
マスターシャリーブトキシド、ビスマスターシャリーア
ミロキシド、安定化トリメチルビスマス、トリス（ジピ
バロイル）ビスマスなどが使える。
【００４５】ＣＶＤ法では、熱ＣＶＤ法のほかに、ＥＣ
Ｒ−プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法なども使え
る。酸化性ガスは、Ｏ２、Ｎ２Ｏなどである。
【００４６】
【実施例１】Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＣＨ３）］２（ストロンチウムビス［（タンタル（ペ
ンタエトキシド）（２−メトキシエトキシド）］）の製
造 リフラックスコンデンサー、温度計、攪拌子を備えた５
００ｍｌ四口フラスコを真空置換しアルゴン雰囲気と
し、モレキュラーシーブス３Ａで脱水した２−メトキシ
エタノール７０ｍｌ（０．８９モル）を仕込み、次い
で、金属ストロンチウム片８．８ｇ（０．１００モル）
を仕込んだ。撹拌しながら、４０℃に熱すると１〜２分
で反応し、金属片は消失した。次いで減圧下、１００℃
で、未反応の原料２−メトキシエタノールを留去する
と、半透明の白い固体となった。これがＳｒ（ＯＣ２Ｈ
４ＯＣＨ３）２（ストロンチウム（２−メトキシエトキ
シド））であった。次いで、フラスコにトルエン２５０
ｍｌを仕込み１００℃に加熱してＳｒ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）２を溶解した。次いで、Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）
５（タンタルエトキシド）７６．６ｇ（０．１８９モ
ル）を仕込み、加熱還流を８時間行った。液は無色透明
であった。次いで、減圧下、１００℃でトルエンを留去
した。コンデンサーをはずし、０．３Ｔｏｒｒの真空下
で蒸留した。１８０℃までは全く留出物がなかった。こ
のことより未反応や解離で生じたタンタルエトキシドが
なかったことがわかる。さらに温度を上げていくと、留
出が始まり、留去温度が１９５〜２１０℃でほとんどが
留出し無色透明なオイル状液体９６ｇを得た。この液体
を同定した結果、前述したとおり、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２
Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２（ストロンチウム
ビス［（タンタル（ペンタエトキシド）（２−メトキ
シエトキシド）］）であった（０．０９１モル）。収率
はタンタルエトキシドに対して９６％であった。
【００４７】
【実施例２】Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＣＨ３）］２（ストロンチウムビス［（ニオブ（ペン
タエトキシド）（２−メトキシエトキシド）］）の製造 リフラックスコンデンサー、温度計、攪拌子を備えた３
００ｍｌ四口フラスコを真空置換しアルゴン雰囲気と
し、モレキュラーシーブス３Ａで脱水した２−メトキシ
エタノール３０ｍｌ（０．３７モル）を仕込み、次い
で、金属ストロンチウム片３．８ｇ（０．０４３モル）
を仕込んだ。攪拌しながら、４０℃に熱すると１〜２分
で反応し、金属片は消失した。次いで減圧下、１００℃
で、未反応の原料２−メトキシエタノールを留去する
と、半透明の白い固体となった。これがＳｒ（ＯＣ２Ｈ
４ＯＣＨ３）２（ストロンチウム（２−メトキシエトキ
シド））であった。次いで、フラスコにトルエン１００
ｍｌを仕込み１００℃に加熱してＳｒ（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）２を溶解した。次いで、Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）
５（ニオブエトキシド）２５．４ｇ（０．０８０モル）
を仕込み、加熱還流を５時間行った。液は茶褐色透明で
あった。次いで、減圧下、１００℃でトルエンを留去し
た。コンデンサーをはずし、０．３Ｔｏｒｒの真空下で
蒸留した。１８０℃までは全く留出物がなかった。この
ことより未反応や解離で生じたニオブエトキシドがなか
ったことがわかる。さらに温度を上げていくと、留出が
始まり、留去温度が１９５〜２０５℃でほとんどが留出
し淡黄色透明なオイル状液体３３ｇを得た。
【００４８】この液体の室温での密度は１．２２ｇ／ｃ
ｍ３で、融点は０℃以下であった。組成分析の結果Ｓｒ
９．６７ｗｔ％、Ｎｂ２０．９ｗｔ％で、Ｎｂ／Ｓｒ＝
２．０５であった。Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ
２Ｈ４ＯＣＨ３）］２（ストロンチウム ビス［（ニオ
ブ（ペンタエトキシド）（２−メトキシエトキシ
ド）］）の理論値はＳｒ１０．０ｗｔ％、Ｎｂ２１．３
ｗｔ％であり、分析値は誤差範囲内でこの理論値に一致
した。よってこの液体は目的のＳｒ［Ｎｂ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２と判断した。収
量は０．０３７７モルで、収率はニオブエトキシドに対
して９４％であった。不純物分析の結果（単位ｐｐ
ｍ）、Ｍｇ１、Ｃａ３９、Ｂａ１３０、Ｆｅ１、Ｎａ１
と高純度であった。
【００４９】
【実施例３】Ｂａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４
ＯＣＨ３）］２（バリウム ビス［（ニオブ（ペンタエ
トキシド）（２−メトキシエトキシド）］）の製造 リフラックスコンデンサー、温度計、攪拌子を備えた３
００ｍｌ四口フラスコを真空置換しアルゴン雰囲気と
し、モレキュラーシーブス３Ａで脱水した２−メトキシ
エタノール３０ｍｌ（０．３７モル）を仕込み、次い
で、金属バリウム片６．１ｇ（０．０４４モル）を仕込
んだ。室温で１〜２分で反応し、金属片は消失した。次
いで減圧下、１００℃で、未反応の原料２−メトキシエ
タノールを留去すると、白い固体となった。これがＢａ
（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）２（バリウム（２−メトキシエ
トキシド））であった。次いで、フラスコにトルエン１
００ｍｌを仕込み１００℃に加熱してＢａ（ＯＣ２Ｈ４
ＯＣＨ３）２を溶解した。次いで、Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）
５（ニオブエトキシド）２５．１ｇ（０．０７９モル）
を仕込み、加熱還流を５時間行った。液は茶褐色透明で
あった。次いで、減圧下、１００℃でトルエンを留去し
た。コンデンサーをはずし、０．３Ｔｏｒｒの真空下で
蒸留した。１８０℃までは全く留出物がなかった。この
ことより未反応や解離で生じたニオブエトキシドがなか
ったことがわかる。さらに温度を上げていくと、留出が
始まり、留去温度が２００〜２１５℃でほとんどが留出
し淡黄色透明なオイル状液体３４ｇを得た。
【００５０】この液体の室温での密度は１．２６ｇ／ｃ
ｍ３で、融点は０℃以下であった。組成分析の結果Ｂａ
１４．６ｗｔ％、Ｎｂ２０．５ｗｔ％で、Ｎｂ／Ｓｒ＝
２．０５であった。Ｂａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ
２Ｈ４ＯＣＨ３）］２（ストロンチウム ビス［（ニオ
ブ（ペンタエトキシド）（２−メトキシエトキシ
ド）］）の理論値はＢａ１４．９ｗｔ％、Ｎｂ２０．１
ｗｔ％であり、分析値は誤差範囲内でこの理論値に一致
した。よってこの液体は目的のＢａ［Ｎｂ（ＯＣ
２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２と判断した。収
量は０．０３６８モルで、収率はニオブエトキシドに対
して９３％であった。不純物分析の結果（単位ｐｐ
ｍ）、Ｍｇ１、Ｃａ６７、Ｓｒ７３０、Ｆｅ３と高純度
であった。
【００５１】
【実施例４】ＣＶＤ法によるビスマス層状ペロブスカイ
ト構造のＳｒＢｉ２Ｔａ２Ｏ９薄膜の製造 減圧熱ＣＶＤ装置系（全圧１０Ｔｏｒｒ）の原料容器に
実施例１で得られたＳｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ
２Ｈ４ＯＣＨ３）］２３５ｇを充填し、該容器を１８０
℃の恒温に保ち、アルゴンを３０ｓｃｃｍバブリングで
導入し、Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）］２の蒸発した蒸気を同伴させ、熱分解炉に送っ
た。同時に別の原料容器にＢｉ〔ＯＣ（ＣＨ３）２Ｃ２
Ｈ５〕３（ビスマスターシャリーアミロキシド）３５ｇ
を充填し、該容器を１００℃の恒温に保ち、アルゴンガ
スを５０ｓｃｃｍ導入し、蒸発した蒸気を同伴させ、熱
分解炉に送った。熱分解炉入り口でこれらの二種のガス
と３０ｓｃｃｍの酸素ガスと混合した。熱分解炉中で
は、Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基板を４００℃に加熱してお
り、この基板上に蒸気の混合ガスを導き、熱分解堆積を
おこさしめた。次いで酸素ガス量を増し、昇温して、７
５０℃、３０分間の結晶化処理を施した。こうして基板
上に２５０ｎｍの厚さの薄膜を得た。この結晶構造をＸ
ＲＤで分析した結果、ペロブスカイト構造のＳｒＢｉ２
Ｔａ２Ｏ９であった。
【００５２】
【実施例５】ＣＶＤ法によるタングステンブロンズ型
（Ｓｒ０．７５Ｂａ０．２５）Ｎｂ２Ｏ６薄膜の製造 バブリング供給のできる原料容器に実施例２で得られた
Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］
２２６．２ｇ（０．０３０モル）と実施例３で得られた
Ｂａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ３）］
２９．２ｇ（０．０１０モル）とを仕込み、良く混合し
１８０℃に保った。減圧熱ＣＶＤ装置系（全圧５Ｔｏｒ
ｒ）にこの原料容器をつなぎ、アルゴンを５０ｓｃｃｍ
バブリングし、Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ
４ＯＣＨ３）］２とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ
２Ｈ４ＯＣＨ３）］２の蒸気を同伴させ、熱分解炉に送
った。熱分解炉入り口で２０ｓｃｃｍの酸素ガスと混合
した。熱分解炉中では、Ｐｔ／ＳｉＯ２／ｓｉ基板を４
００℃に加熱しており、この基板上に上記のガスを導
き、３０分間、分解堆積をおこさしめた。次いで、酸素
ガス量を増し、昇温していき、７００℃、３０分間の熱
処理を施した。こうして基板上に２５０ｎｍの厚さの薄
膜を得た。この結晶構造をＸＲＤで分析した結果、正方
タングステンブロンズ構造であった。この膜の一部を湿
式分解し、ＩＣＰ発光分析により元素分析した結果、膜
の組成は（Ｓｒ０．７５Ｂａ０．２５）Ｎｂ２Ｏ６であ
った。
【００５３】
【発明の効果】本発明の式Ｉで表されるニオブ、タンタ
ルとアルカリ土類金属とのダブルアルコキシドは室温で
液体で、熱解離しにくく、１９０℃で０．２Ｔｏｒｒ程
度の蒸気圧を有しているので、これを原料として容易に
複合酸化物誘電体薄膜を製造することができる。とくに
ＣＶＤ原料として用いると、量論比の組成の膜が作りや
すいので、半導体装置製造においては大きな利点とな
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）］２の１Ｈ−ＮＭＲによる測定結果を示す図であ
る。
【図２】Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）］２のＦＴ−ＩＲによる測定結果を示す図であ
る。
【図３】Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）］２のＴＧ−ＤＴＡによる測定結果を示す図であ
る。
【図４】Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣ
Ｈ３）］２の分子構造の想定図である。
【手続補正書】
【提出日】平成１１年９月３日（１９９９．９．３）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３３】（１２）熱安定性 蒸発物の組成を分析し、熱解離が生じていないかを調べ
た。 測定方法 底部にキャリヤーガスのバブリング供給口を、上部気相
部に該ガスの排出口を有するパイレックスガラス製の蒸
発用容器（径３０ｍｍ、高さ１５０ｍｍ、容積１００ｍ
ｌ、嵩上げと気液接触を良くするために４ｍｍ径のジル
コニアボール４０ｍｌがはいっている）は、排出口に回
収用冷却管が接続され排出装置により一定の圧力に保つ
ことができる。この蒸発用容器に実施例１で単離された
化合物Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４ＯＣＨ
３）］ ２２９ｇを入れ、１９０℃に保った。全系を１０
Ｔｏｒｒに保ちつつ、キャリヤーガスＡｒ３０ｓｃｃｍ
を供給口よりバブリングし、ダブルアルコキシドの蒸気
を同伴させ、排出口からとりだし冷却管で凝縮させた。
６０分毎にガスを止め、凝縮液をトルエンに溶解して回
収し、そのＳｒとＴａの定量をＩＣＰ発光分析で行っ
た。Ｔａ／Ｓｒの原子比を表４に示した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４０】ここで使用するＭ（ＯＣ２Ｈ４ＯＲ）２は
金属Ｍ（Ｓｒ又はＢａ）とＲＯＣＨ２ＣＨ２ＯＨ（２−
アルコキシエタノール）を室温〜５０℃付近で１分〜１
時間反応させ、過剰の原料アルコールを１００℃程度で
減圧留去することにより、容易に製造することができ
る。２−アルコキシエタノールとしては、以下のものが
挙げられる。２−メトキシエタノール（慣用名メチルセ
ロソルブ）、２−エトキシエタノール（慣用名エチルセ
ロソルブ）、２−プロポキシエタノール、２−イソプロ
ポキシエタノール、２−ブトキシエタノールなどであ
る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 Ｍ［Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２Ｈ４Ｏ
    Ｒ）］２・・・・・・式Ｉ で表される化合物。（式中、ＭはＳｒ又はＢａであり、
    ＮはＮｂ又はＴａであり、Ｒは炭素数１〜４のアルキル
    基である）。
  2. 【請求項２】 ＲがＣＨ３である請求項１の化合物。
  3. 【請求項３】 Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５とＭ（ＯＣ２Ｈ４Ｏ
    Ｒ）２を反応させることよりなる請求項１の化合物の製
    法。
  4. 【請求項４】 Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５とＭ（ＯＣ２Ｈ４Ｏ
    ＣＨ３）２を反応させることよりなる請求項２の化合物
    の製法。
  5. 【請求項５】 Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５とＭ（ＯＣ２Ｈ４Ｏ
    Ｒ）２を反応させ、次いで、蒸留回収することよりなる
    請求項１の化合物の製法。
  6. 【請求項６】 Ｎ（ＯＣ２Ｈ５）５とＭ（ＯＣ２Ｈ４Ｏ
    ＣＨ３）２を反応させ、次いで、蒸留回収することより
    なる請求項２の化合物の製法。
  7. 【請求項７】 請求項１の化合物を用いることを特徴と
    する複合酸化物誘電体ＭＮ２Ｏ６の製法。
  8. 【請求項８】 請求項２の化合物を用いることを特徴と
    する複合酸化物誘電体ＭＮ２Ｏ６の製法。
  9. 【請求項９】 請求項１の化合物を用いることを特徴と
    する化学気相成長法による複合酸化物誘電体ＭＮ２Ｏ６
    薄膜の製法。
  10. 【請求項１０】 請求項２の化合物を用いることを特徴
    とする化学気相成長法による複合酸化物誘電体ＭＮ２Ｏ
    ６薄膜の製法。
  11. 【請求項１１】 Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＲ）］２とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＲ）］２（両式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
    を表す）で表される化合物を用いることを特徴とする
    （ＳｒｐＢａｑ）Ｎｂ ２Ｏ６（ただしｐ＋ｑ＝１）で表
    される誘電体薄膜の製法。
  12. 【請求項１２】 Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＣＨ３）］２とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（Ｏ
    Ｃ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とを用いることを特徴とする
    （ＳｒｐＢａｑ）Ｎｂ２Ｏ６（ただしｐ＋ｑ＝１）で表
    される誘電体薄膜の製法。
  13. 【請求項１３】 Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＲ）］２とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＲ）］２（両式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
    を表す）で表される化合物を用いることを特徴とする化
    学気相成長法による（ＳｒｐＢａｑ）Ｎｂ２Ｏ６（ただ
    しｐ＋ｑ＝１）で表される誘電体薄膜の製法。
  14. 【請求項１４】 Ｓｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＣＨ３）］２とＢａ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（Ｏ
    Ｃ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とを用いることを特徴とする化
    学気相成長法による（ＳｒｐＢａｑ）Ｎｂ２Ｏ６（ただ
    しｐ＋ｑ＝１）で表される誘電体薄膜の製法。
  15. 【請求項１５】 Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＲ）］２とＳｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＲ）］２（両式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
    を表す）で表される化合物を用いることを特徴とするＳ
    ｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２０９（ただしｘ＋ｙ＝１）
    で表されるビスマス層状強誘電体薄膜の製法。
  16. 【請求項１６】 Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＣＨ３）］２とＳｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（Ｏ
    Ｃ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とを用いることを特徴とするＳ
    ｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２Ｏ９（ただしｘ＋ｙ＝１）
    で表されるビスマス層状強誘電体薄膜の製法。
  17. 【請求項１７】 Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＲ）］２とＳｒ［Ｎｂ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＲ）］２（両式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基
    を表す）で表される化合物を用いることを特徴とする化
    学気相成長法によるＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２Ｏ９
    （ただしｘ＋ｙ＝１）で表されるビスマス層状強誘電体
    薄膜の製法。
  18. 【請求項１８】 Ｓｒ［Ｔａ（ＯＣ２Ｈ５）５（ＯＣ２
    Ｈ４ＯＣＨ３）］２とＳｒ［Ｎｂ（ＯＣ ２Ｈ５）５（Ｏ
    Ｃ２Ｈ４ＯＣＨ３）］２とを用いることを特徴とする化
    学気相成長法によるＳｒＢｉ２（ＴａｘＮｂｙ）２Ｏ９
    （ただしｘ＋ｙ＝１）で表されるビスマス層状強誘電体
    薄膜の製法。
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