JPH0929002A - ガス回収装置 - Google Patents
ガス回収装置Info
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- JPH0929002A JPH0929002A JP7179923A JP17992395A JPH0929002A JP H0929002 A JPH0929002 A JP H0929002A JP 7179923 A JP7179923 A JP 7179923A JP 17992395 A JP17992395 A JP 17992395A JP H0929002 A JPH0929002 A JP H0929002A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/002—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols by condensation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D8/00—Cold traps; Cold baffles
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02C—CAPTURE, STORAGE, SEQUESTRATION OR DISPOSAL OF GREENHOUSE GASES [GHG]
- Y02C20/00—Capture or disposal of greenhouse gases
- Y02C20/30—Capture or disposal of greenhouse gases of perfluorocarbons [PFC], hydrofluorocarbons [HFC] or sulfur hexafluoride [SF6]
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Abstract
(57)【要約】
【目的】 回収効率が高く、運転経費の安いガスリサイ
クル装置を提供すること。 【構成】 希釈用不活性ガスを供給する不活性ガス供給
路Ｇ１と洗浄用ガスを供給する洗浄用ガス供給路Ｇ２と
を接続してあるガス導入部Ａ３を備え、排ガスを放出す
る排ガス排出部Ａ４を備えてなるＣＶＤ装置Ａを設け、
ＣＶＤ装置Ａからの排ガスを流通させる排ガス流通部Ｄ
１と、排ガス中の洗浄用ガスを冷却して液化させる冷却
部Ｄ４と、冷却部で液化した洗浄用ガスを回収する回収
部４とを設け、希釈用不活性ガスを、洗浄用ガスの沸点
よりも低い沸点を有するガスから構成し、希釈用不活性
ガスと同じ組成からなる冷却用不活性ガスを液体状態で
供給する供給部６と、冷却用不活性ガスの気化熱により
冷却する不活性ガス流通部Ｄ３と、不活性ガス流通部Ｄ
３において気化した冷却用不活性ガスを排出する不活性
ガス排出部７とを設けて冷却部Ｄ４を構成し、不活性ガ
ス排出部７を不活性ガス供給路Ｇに接続してある。
クル装置を提供すること。 【構成】 希釈用不活性ガスを供給する不活性ガス供給
路Ｇ１と洗浄用ガスを供給する洗浄用ガス供給路Ｇ２と
を接続してあるガス導入部Ａ３を備え、排ガスを放出す
る排ガス排出部Ａ４を備えてなるＣＶＤ装置Ａを設け、
ＣＶＤ装置Ａからの排ガスを流通させる排ガス流通部Ｄ
１と、排ガス中の洗浄用ガスを冷却して液化させる冷却
部Ｄ４と、冷却部で液化した洗浄用ガスを回収する回収
部４とを設け、希釈用不活性ガスを、洗浄用ガスの沸点
よりも低い沸点を有するガスから構成し、希釈用不活性
ガスと同じ組成からなる冷却用不活性ガスを液体状態で
供給する供給部６と、冷却用不活性ガスの気化熱により
冷却する不活性ガス流通部Ｄ３と、不活性ガス流通部Ｄ
３において気化した冷却用不活性ガスを排出する不活性
ガス排出部７とを設けて冷却部Ｄ４を構成し、不活性ガ
ス排出部７を不活性ガス供給路Ｇに接続してある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、希釈用不活性ガスを供
給する不活性ガス供給路と洗浄用ガスを供給する洗浄用
ガス供給路とを接続してあるガス導入部を備えるととも
に、排ガスを放出する排ガス排出部を備えてなるＣＶＤ
装置、もしくは、希釈用不活性ガスを供給する不活性ガ
ス供給路とエッチングガスを供給するエッチングガス供
給路とを接続してあるガス導入部を備えるとともに、排
ガスを放出する排ガス排出部を備えてなるエッチング装
置を設けてなるガス回収装置に関する。
給する不活性ガス供給路と洗浄用ガスを供給する洗浄用
ガス供給路とを接続してあるガス導入部を備えるととも
に、排ガスを放出する排ガス排出部を備えてなるＣＶＤ
装置、もしくは、希釈用不活性ガスを供給する不活性ガ
ス供給路とエッチングガスを供給するエッチングガス供
給路とを接続してあるガス導入部を備えるとともに、排
ガスを放出する排ガス排出部を備えてなるエッチング装
置を設けてなるガス回収装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】希釈用不活性ガスを供給する不活性ガス
供給路と洗浄用ガスを供給する洗浄用ガス供給路とを接
続してあるガス導入部を備えるとともに、排ガスを放出
する排ガス排出部を備えてなるＣＶＤ装置を設けてなる
ガスリサイクル装置にあっては、前記ＣＶＤ装置内で二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、ポリシリコン、窒化ケイ素、
メタルシリサイド、アモルファスシリコン等の夾雑物が
発生し、その夾雑物が製品に悪影響を与える虞があるた
めに、前記ＣＶＤ装置内から除去する必要があり、その
ため、洗浄用ガスを前記ＣＶＤ装置内に導入し、前記夾
雑物を揮発性のものに変換して取り除くことが行われて
いた。つまり、前記夾雑物と反応して、前記夾雑物を気
体成分に変換する事のできる、例えば、三フッ化窒素
（ＮＦ3）を、前記ＣＶＤ装置に導入すれば、二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2）が三フッ化窒素（ＮＦ3）によって、フ
ッ化ケイ素（ＳｉＦ4）に変換されるなどして、前記Ｃ
ＶＤ装置内から除去されるわけである。ところが、前記
洗浄ガスが前記ＣＶＤ装置内で十分反応せずに残存し、
前記排ガスに混入する場合があり、特に、前記洗浄ガス
が有害なものである場合には、無害化せねばならないた
めそのガスを回収するガス回収装置が提案されている。
また、例えば、半導体薄膜等に反応するエッチングガス
を接触させてエッチングするエッチング装置においても
同様の理由で、前記エッチングガスを回収したいという
要望があった。
供給路と洗浄用ガスを供給する洗浄用ガス供給路とを接
続してあるガス導入部を備えるとともに、排ガスを放出
する排ガス排出部を備えてなるＣＶＤ装置を設けてなる
ガスリサイクル装置にあっては、前記ＣＶＤ装置内で二
酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、ポリシリコン、窒化ケイ素、
メタルシリサイド、アモルファスシリコン等の夾雑物が
発生し、その夾雑物が製品に悪影響を与える虞があるた
めに、前記ＣＶＤ装置内から除去する必要があり、その
ため、洗浄用ガスを前記ＣＶＤ装置内に導入し、前記夾
雑物を揮発性のものに変換して取り除くことが行われて
いた。つまり、前記夾雑物と反応して、前記夾雑物を気
体成分に変換する事のできる、例えば、三フッ化窒素
（ＮＦ3）を、前記ＣＶＤ装置に導入すれば、二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2）が三フッ化窒素（ＮＦ3）によって、フ
ッ化ケイ素（ＳｉＦ4）に変換されるなどして、前記Ｃ
ＶＤ装置内から除去されるわけである。ところが、前記
洗浄ガスが前記ＣＶＤ装置内で十分反応せずに残存し、
前記排ガスに混入する場合があり、特に、前記洗浄ガス
が有害なものである場合には、無害化せねばならないた
めそのガスを回収するガス回収装置が提案されている。
また、例えば、半導体薄膜等に反応するエッチングガス
を接触させてエッチングするエッチング装置においても
同様の理由で、前記エッチングガスを回収したいという
要望があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】そこで、前記洗浄ガス
あるいはエッチングガスを液化して回収する技術が考え
られるが、これらの洗浄ガスあるいはエッチングガスは
通常高価なものでもあるため、無害化して廃棄するのは
不経済であることが指摘されており、これらのガスを有
効に利用する技術が望まれていた。
あるいはエッチングガスを液化して回収する技術が考え
られるが、これらの洗浄ガスあるいはエッチングガスは
通常高価なものでもあるため、無害化して廃棄するのは
不経済であることが指摘されており、これらのガスを有
効に利用する技術が望まれていた。
【０００４】従って、本発明の目的は、上記実情に鑑
み、洗浄ガスあるいはエッチングガスを液化して回収
し、再利用可能にするガス回収装置を提供することにあ
り、更には、安価にかつ効率よく有害ガスを回収可能な
技術を提供する事にある。
み、洗浄ガスあるいはエッチングガスを液化して回収
し、再利用可能にするガス回収装置を提供することにあ
り、更には、安価にかつ効率よく有害ガスを回収可能な
技術を提供する事にある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の本発明のガス回収装置の特徴構成は、希釈用不活性ガ
スを供給する不活性ガス供給路と洗浄用ガスを供給する
洗浄用ガス供給路とを接続してあるガス導入部を備える
とともに、排ガスを放出する排ガス排出部を備えてなる
ＣＶＤ装置を設け、前記ＣＶＤ装置からの排ガスを流通
させる排ガス流通部と、前記排ガス中の前記洗浄用ガス
を冷却して液化させる冷却部と、前記冷却部で液化した
洗浄用ガスを回収する回収部とを設け、前記回収部で回
収された前記洗浄用ガスを前記ガス導入部に供給するガ
スリサイクル路を設けたこと、もしくは、希釈用不活性
ガスを供給する不活性ガス供給路とエッチングガスを供
給するエッチングガス供給路とを接続してあるガス導入
部を備えるとともに、排ガスを放出する排ガス排出部を
備えてなるエッチング装置を設け、前記エッチング装置
からの排ガスを流通させる排ガス流通部と、前記排ガス
中の前記エッチングガスを冷却して液化させる冷却部
と、前記冷却部で液化したエッチングガスを回収する回
収部とを設け、前記回収部で回収された前記エッチング
ガスを前記ガス導入部に供給するガスリサイクル路を設
けたことにあり、前記希釈用不活性ガスを、前記洗浄用
ガスもしくはエッチングガスの沸点よりも低い沸点を有
するガスから構成するとともに、前記希釈用不活性ガス
と同じ組成からなる冷却用不活性ガスを液体状態で供給
する供給部と、前記冷却用不活性ガスの気化熱により冷
却する不活性ガス流通部と、前記不活性ガス流通部にお
いて気化した前記冷却用不活性ガスを排出する不活性ガ
ス排出部とを設けて前記冷却部を構成し、前記不活性ガ
ス排出部を前記不活性ガス供給路に接続してあってもよ
く、前記洗浄用ガスもしくは前記エッチングガスが、三
フッ化窒素（ＮＦ3）、六フッ化エチレン（Ｃ2Ｆ6）、
三フッ化塩素（ＣｌＦ3）、四フッ化炭素（ＣＦ4）、三
フッ化メタン（ＣＨＦ3）、六フッ化硫黄（ＳＦ6）、塩
化水素（ＨＣｌ）、フッ素ガス（Ｆ2)、塩素ガス（Ｃｌ
2)、の少なくともいずれか１種を含んでなるものであれ
ば好ましく、前記不活性ガスが、窒素ガスであると、さ
らに好ましい。
の本発明のガス回収装置の特徴構成は、希釈用不活性ガ
スを供給する不活性ガス供給路と洗浄用ガスを供給する
洗浄用ガス供給路とを接続してあるガス導入部を備える
とともに、排ガスを放出する排ガス排出部を備えてなる
ＣＶＤ装置を設け、前記ＣＶＤ装置からの排ガスを流通
させる排ガス流通部と、前記排ガス中の前記洗浄用ガス
を冷却して液化させる冷却部と、前記冷却部で液化した
洗浄用ガスを回収する回収部とを設け、前記回収部で回
収された前記洗浄用ガスを前記ガス導入部に供給するガ
スリサイクル路を設けたこと、もしくは、希釈用不活性
ガスを供給する不活性ガス供給路とエッチングガスを供
給するエッチングガス供給路とを接続してあるガス導入
部を備えるとともに、排ガスを放出する排ガス排出部を
備えてなるエッチング装置を設け、前記エッチング装置
からの排ガスを流通させる排ガス流通部と、前記排ガス
中の前記エッチングガスを冷却して液化させる冷却部
と、前記冷却部で液化したエッチングガスを回収する回
収部とを設け、前記回収部で回収された前記エッチング
ガスを前記ガス導入部に供給するガスリサイクル路を設
けたことにあり、前記希釈用不活性ガスを、前記洗浄用
ガスもしくはエッチングガスの沸点よりも低い沸点を有
するガスから構成するとともに、前記希釈用不活性ガス
と同じ組成からなる冷却用不活性ガスを液体状態で供給
する供給部と、前記冷却用不活性ガスの気化熱により冷
却する不活性ガス流通部と、前記不活性ガス流通部にお
いて気化した前記冷却用不活性ガスを排出する不活性ガ
ス排出部とを設けて前記冷却部を構成し、前記不活性ガ
ス排出部を前記不活性ガス供給路に接続してあってもよ
く、前記洗浄用ガスもしくは前記エッチングガスが、三
フッ化窒素（ＮＦ3）、六フッ化エチレン（Ｃ2Ｆ6）、
三フッ化塩素（ＣｌＦ3）、四フッ化炭素（ＣＦ4）、三
フッ化メタン（ＣＨＦ3）、六フッ化硫黄（ＳＦ6）、塩
化水素（ＨＣｌ）、フッ素ガス（Ｆ2)、塩素ガス（Ｃｌ
2)、の少なくともいずれか１種を含んでなるものであれ
ば好ましく、前記不活性ガスが、窒素ガスであると、さ
らに好ましい。
【０００６】
【作用】つまり、ＣＶＤ装置（エッチング装置）からの
排ガスを、排ガス流通部において、冷却部で冷却する構
成としてあるから、前記排ガスから洗浄用ガス（エッチ
ングガス）を回収する事が出来る。そして、回収部から
のガスを前記ガス導入部に供給するガスリサイクル路を
設けてあるから前記回収部で回収された前記洗浄用ガス
（エッチングガス）を再利用することが出来る。このと
き、前記冷却部の不活性ガス流通部には、洗浄用ガス
（エッチングガス）の沸点よりも低い沸点を有する冷却
用不活性ガスを供給すれば、単に、前記冷却用不活性ガ
スが前記不活性ガス流通部で気化させるだけで、コンプ
レッサー等の動力を用いること無く、冷却部を前記洗浄
用ガス（エッチングガス）の沸点以下にまで冷却して液
化させることが可能になる。ここで、前記冷却用不活性
ガスは、前記洗浄用ガス（エッチングガス）を希釈する
希釈用不活性ガスと同じ組成とし、かつ、前記冷却用不
活性ガスを排出する不活性ガス排出部を前記ＣＶＤ装置
（エッチング装置）に対する不活性ガス供給路に接続し
てあるので、前記前記不活性ガス流通部で気化した冷却
用不活性ガスを前記ＣＶＤ装置（エッチング装置）に導
入すべき希釈用不活性ガスとして使用することができ
る。
排ガスを、排ガス流通部において、冷却部で冷却する構
成としてあるから、前記排ガスから洗浄用ガス（エッチ
ングガス）を回収する事が出来る。そして、回収部から
のガスを前記ガス導入部に供給するガスリサイクル路を
設けてあるから前記回収部で回収された前記洗浄用ガス
（エッチングガス）を再利用することが出来る。このと
き、前記冷却部の不活性ガス流通部には、洗浄用ガス
（エッチングガス）の沸点よりも低い沸点を有する冷却
用不活性ガスを供給すれば、単に、前記冷却用不活性ガ
スが前記不活性ガス流通部で気化させるだけで、コンプ
レッサー等の動力を用いること無く、冷却部を前記洗浄
用ガス（エッチングガス）の沸点以下にまで冷却して液
化させることが可能になる。ここで、前記冷却用不活性
ガスは、前記洗浄用ガス（エッチングガス）を希釈する
希釈用不活性ガスと同じ組成とし、かつ、前記冷却用不
活性ガスを排出する不活性ガス排出部を前記ＣＶＤ装置
（エッチング装置）に対する不活性ガス供給路に接続し
てあるので、前記前記不活性ガス流通部で気化した冷却
用不活性ガスを前記ＣＶＤ装置（エッチング装置）に導
入すべき希釈用不活性ガスとして使用することができ
る。
【０００７】
【発明の効果】従って、洗浄用ガス（エッチングガス）
の有効成分をリサイクルでき、たとえ、前記洗浄用ガス
（エッチングガス）が環境に有害なものであっても、環
境に悪影響を与えにくくなるとともに、前記洗浄用ガス
（エッチングガス）が高価なものである場合には、ＣＶ
Ｄ装置（エッチング装置）に対する前記洗浄用ガス（エ
ッチングガス）の利用効率が高くなって、大量の洗浄用
ガス（エッチングガス）を用いる必要が少なくなり、運
転費用を低く抑えることが可能となる。
の有効成分をリサイクルでき、たとえ、前記洗浄用ガス
（エッチングガス）が環境に有害なものであっても、環
境に悪影響を与えにくくなるとともに、前記洗浄用ガス
（エッチングガス）が高価なものである場合には、ＣＶ
Ｄ装置（エッチング装置）に対する前記洗浄用ガス（エ
ッチングガス）の利用効率が高くなって、大量の洗浄用
ガス（エッチングガス）を用いる必要が少なくなり、運
転費用を低く抑えることが可能となる。
【０００８】また、コンプレッサー等の動力を用いるこ
と無く、前記洗浄用ガス（エッチングガス）を冷却する
ことで、高い冷却効率で排ガスを冷却し、より確実に前
記洗浄用ガス（エッチングガス）を液化して回収でき
る。
と無く、前記洗浄用ガス（エッチングガス）を冷却する
ことで、高い冷却効率で排ガスを冷却し、より確実に前
記洗浄用ガス（エッチングガス）を液化して回収でき
る。
【０００９】また、前記冷却用不活性ガスを、ＣＶＤ装
置（エッチング装置）に対する希釈用不活性ガスに用い
れば、不活性ガスの供給設備は一系統設けるだけの簡単
な構成のガス回収装置を提供する事ができるようにな
る。また、不活性ガスの供給設備を冷却用不活性ガス、
希釈用不活性ガスに兼用することで、運転費用を節約す
る事ができる。
置（エッチング装置）に対する希釈用不活性ガスに用い
れば、不活性ガスの供給設備は一系統設けるだけの簡単
な構成のガス回収装置を提供する事ができるようにな
る。また、不活性ガスの供給設備を冷却用不活性ガス、
希釈用不活性ガスに兼用することで、運転費用を節約す
る事ができる。
【００１０】さらに、前記洗浄用ガス（エッチングガ
ス）が、三フッ化窒素（ＮＦ3）、六フッ化エチレン
（Ｃ2Ｆ6）、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）、四フッ化炭素
（ＣＦ4）、三フッ化メタン（ＣＨＦ3）、六フッ化硫黄
（ＳＦ6）、塩化水素（ＨＣｌ）、フッ素ガス（Ｆ2)、
塩素ガス（Ｃｌ2)の少なくともいずれか１種を含んでな
るものであれば、前記ＣＶＤ装置（エッチング装置）内
の夾雑物（被エッチング物）を効率よく気化させること
ができ、低濃度の洗浄用ガス（エッチングガス）を用い
ても効率よく運転でき、洗浄用ガス（エッチングガス）
の使用量を抑えることができて運転費用を節約になり、
かつ、リサイクルし易いという利点がある。尚、前記洗
浄用ガス（エッチングガス）としては、前記ＣＶＤ装置
（エッチング装置）内で分解させ、ハロゲンラジカル
（塩素ラジカル、フッ素ラジカル、ヨウ素ラジカル等）
を発生出来るものが好適である。また、前記不活性ガス
が、窒素ガスであると、安価であるとともに、種々の前
記洗浄用ガス（エッチングガス）よりも低沸点であり、
汎用性が得られるので好ましい。
ス）が、三フッ化窒素（ＮＦ3）、六フッ化エチレン
（Ｃ2Ｆ6）、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）、四フッ化炭素
（ＣＦ4）、三フッ化メタン（ＣＨＦ3）、六フッ化硫黄
（ＳＦ6）、塩化水素（ＨＣｌ）、フッ素ガス（Ｆ2)、
塩素ガス（Ｃｌ2)の少なくともいずれか１種を含んでな
るものであれば、前記ＣＶＤ装置（エッチング装置）内
の夾雑物（被エッチング物）を効率よく気化させること
ができ、低濃度の洗浄用ガス（エッチングガス）を用い
ても効率よく運転でき、洗浄用ガス（エッチングガス）
の使用量を抑えることができて運転費用を節約になり、
かつ、リサイクルし易いという利点がある。尚、前記洗
浄用ガス（エッチングガス）としては、前記ＣＶＤ装置
（エッチング装置）内で分解させ、ハロゲンラジカル
（塩素ラジカル、フッ素ラジカル、ヨウ素ラジカル等）
を発生出来るものが好適である。また、前記不活性ガス
が、窒素ガスであると、安価であるとともに、種々の前
記洗浄用ガス（エッチングガス）よりも低沸点であり、
汎用性が得られるので好ましい。
【００１１】
【実施例】以下に本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図１に示すように、本発明のガス回収装置は、Ｃ
ＶＤ装置Ａの排ガス排出管Ａ４の下流に、フィルタ装置
Ｂ及び吸着装置Ｃを介してリサイクル装置本体Ｄを連設
し、前記リサイクル装置本体Ｄには、排ガスを冷却して
得られる液体を貯留する貯留部Ｄ２を連設してあり、前
記貯留部Ｄ２で貯留された液体を精製する精製装置Ｅ、
前記リサイクル装置本体Ｄ及び精製装置Ｅからの気体成
分を除害する除害装置Ｆを順に連通接続してある。
する。図１に示すように、本発明のガス回収装置は、Ｃ
ＶＤ装置Ａの排ガス排出管Ａ４の下流に、フィルタ装置
Ｂ及び吸着装置Ｃを介してリサイクル装置本体Ｄを連設
し、前記リサイクル装置本体Ｄには、排ガスを冷却して
得られる液体を貯留する貯留部Ｄ２を連設してあり、前
記貯留部Ｄ２で貯留された液体を精製する精製装置Ｅ、
前記リサイクル装置本体Ｄ及び精製装置Ｅからの気体成
分を除害する除害装置Ｆを順に連通接続してある。
【００１２】前記ＣＶＤ装置Ａは、ＴＦＴ液晶等に用い
られるシリコン薄膜形成用のチャンバＡ１と、前記チャ
ンバＡ１に、窒素ガス中に１％の三フッ化窒素（Ｎ
Ｆ3）を混入させてなる洗浄用混合ガスを導入するガス
混合調整装置Ｇとからなり、前記チャンバＡ１には、シ
リコン薄膜形成用の原料ガス導入管Ａ２、および、窒素
ガス中に１％の三フッ化窒素（ＮＦ3）を混入させてな
る洗浄用混合ガスを、前記ガス混合調整装置Ｇから導入
する洗浄用混合ガス導入管Ａ３、前記チャンバ内からの
排ガスを排出する排ガス排出管Ａ４を設けてなり、前記
チャンバの内部には、シリコン薄膜を形成すべき基板を
設置するための基板載置部（図外）、プラズマ発生部
（図外）等の各種機器を設けて構成してある。
られるシリコン薄膜形成用のチャンバＡ１と、前記チャ
ンバＡ１に、窒素ガス中に１％の三フッ化窒素（Ｎ
Ｆ3）を混入させてなる洗浄用混合ガスを導入するガス
混合調整装置Ｇとからなり、前記チャンバＡ１には、シ
リコン薄膜形成用の原料ガス導入管Ａ２、および、窒素
ガス中に１％の三フッ化窒素（ＮＦ3）を混入させてな
る洗浄用混合ガスを、前記ガス混合調整装置Ｇから導入
する洗浄用混合ガス導入管Ａ３、前記チャンバ内からの
排ガスを排出する排ガス排出管Ａ４を設けてなり、前記
チャンバの内部には、シリコン薄膜を形成すべき基板を
設置するための基板載置部（図外）、プラズマ発生部
（図外）等の各種機器を設けて構成してある。
【００１３】前記フィルタ装置Ｂは、Ａ４前記排ガス排
出管Ａ４からの排ガスを濾過して、前記ＣＶＤ装置Ａ内
で複生成したシリコーン成分等の固体成分を除去するフ
ィルタ（図外）を内装してなり、排出管Ｂ１を設けて、
前記排ガスから固体成分を濾過して下流に排出可能に構
成して、前記排ガス排出管Ａ４に連設してある。
出管Ａ４からの排ガスを濾過して、前記ＣＶＤ装置Ａ内
で複生成したシリコーン成分等の固体成分を除去するフ
ィルタ（図外）を内装してなり、排出管Ｂ１を設けて、
前記排ガスから固体成分を濾過して下流に排出可能に構
成して、前記排ガス排出管Ａ４に連設してある。
【００１４】前記吸着装置Ｃは、前記排出管Ｂ１からの
排ガス中に含まれる水分、炭酸ガス等、前記三フッ化窒
素（ＮＦ3）よりも沸点の高いガス成分を吸着除去する
吸着塔（図外）を内装してなり、排出管Ｃ１を設けて前
記排ガスから、高沸点ガスを吸着除去して下流に排出可
能に構成して、前記排出管Ｂ１に連設してある。
排ガス中に含まれる水分、炭酸ガス等、前記三フッ化窒
素（ＮＦ3）よりも沸点の高いガス成分を吸着除去する
吸着塔（図外）を内装してなり、排出管Ｃ１を設けて前
記排ガスから、高沸点ガスを吸着除去して下流に排出可
能に構成して、前記排出管Ｂ１に連設してある。
【００１５】前記リサイクル装置本体Ｄは、断熱タンク
１からなり、前記断熱タンク１には、冷媒タンク２を内
装して冷却部Ｄ４を構成してあるとともに、前記排出管
Ｃ１からの排ガスを前記断熱タンク１と前記冷媒タンク
２との間の空間に導く導入部３を設け、また、前記断熱
タンク１の下部に前記断熱タンク１内で凝縮した液体を
貯留する貯留部Ｄ２を形成し、前記貯留部内の液体を回
収する回収管４を設けて、全体として排ガスを流通させ
る排ガス流通部Ｄ１を形成してある。また、前記冷媒タ
ンク２には、外周面に多数のフィン５を設けてあり、前
記排ガス流通部Ｄ１に流入した排ガスと、前記冷媒タン
ク２との接触面積を大きくしてある。前記冷媒タンク２
には、その内部に、冷却用不活性ガスである液体窒素を
供給する液体窒素供給管６を設けて、液体窒素の供給部
を形成するとともに、前記冷媒タンク２内で液体窒素が
気化した窒素ガスを前記冷媒タンク２外に排出する不活
性ガス回収管７を設けて冷却用不活性ガスが流通する不
活性ガス流通部Ｄ３を形成してある。
１からなり、前記断熱タンク１には、冷媒タンク２を内
装して冷却部Ｄ４を構成してあるとともに、前記排出管
Ｃ１からの排ガスを前記断熱タンク１と前記冷媒タンク
２との間の空間に導く導入部３を設け、また、前記断熱
タンク１の下部に前記断熱タンク１内で凝縮した液体を
貯留する貯留部Ｄ２を形成し、前記貯留部内の液体を回
収する回収管４を設けて、全体として排ガスを流通させ
る排ガス流通部Ｄ１を形成してある。また、前記冷媒タ
ンク２には、外周面に多数のフィン５を設けてあり、前
記排ガス流通部Ｄ１に流入した排ガスと、前記冷媒タン
ク２との接触面積を大きくしてある。前記冷媒タンク２
には、その内部に、冷却用不活性ガスである液体窒素を
供給する液体窒素供給管６を設けて、液体窒素の供給部
を形成するとともに、前記冷媒タンク２内で液体窒素が
気化した窒素ガスを前記冷媒タンク２外に排出する不活
性ガス回収管７を設けて冷却用不活性ガスが流通する不
活性ガス流通部Ｄ３を形成してある。
【００１６】前記精製装置Ｅは、前記回収管４を経て回
収された液体を精留する精留装置（図外）を設けてな
り、精留して純粋な三フッ化窒素（ＮＦ3）を得ること
ができるように構成してあり、得られた三フッ化窒素
（ＮＦ3）は、前記ＣＶＤ装置Ａへの洗浄用ガス供給に
用いられる。
収された液体を精留する精留装置（図外）を設けてな
り、精留して純粋な三フッ化窒素（ＮＦ3）を得ること
ができるように構成してあり、得られた三フッ化窒素
（ＮＦ3）は、前記ＣＶＤ装置Ａへの洗浄用ガス供給に
用いられる。
【００１７】前記除害装置Ｆは、前記リサイクル装置本
体Ｄの排ガス流通部で液化しなかったガス及び前記精製
装置Ｅからの排ガスに、残留（あるいは混入）した三フ
ッ化窒素（ＮＦ3）を完全に分解すべく、プラズマや熱
等の高エネルギーを供給し、無害化して大気に放出でき
るように構成してある。
体Ｄの排ガス流通部で液化しなかったガス及び前記精製
装置Ｅからの排ガスに、残留（あるいは混入）した三フ
ッ化窒素（ＮＦ3）を完全に分解すべく、プラズマや熱
等の高エネルギーを供給し、無害化して大気に放出でき
るように構成してある。
【００１８】前記ガス混合調整装置Ｇは、前記リサイク
ル装置本体Ｄの不活性ガス回収管７からの窒素ガスと、
及び濃度調整用の窒素ガスとを混合供給する不活性ガス
供給管Ｇ１及び洗浄用ガスを供給する洗浄用ガス供給管
Ｇ２を連通接続してなり、前記不活性ガス回収管７から
回収される窒素ガス、不活性ガス供給管Ｇ１から供給さ
れる窒素ガス，洗浄用ガス供給管Ｇ２から供給される三
フッ化窒素（ＮＦ3）ガスを混合して窒素ガス中に１％
の三フッ化窒素（ＮＦ3）を混入させてなる洗浄用混合
ガスを調整し、洗浄用混合ガス吐出口Ｇ３から吐出自在
に構成し、前記チャンバＡ１への洗浄用混合ガス導入管
Ａ３を前記洗浄用混合ガス吐出口Ｇ３に連通接続して、
前記洗浄用混合ガスをチャンバＡ１に供給する構成にし
てある。
ル装置本体Ｄの不活性ガス回収管７からの窒素ガスと、
及び濃度調整用の窒素ガスとを混合供給する不活性ガス
供給管Ｇ１及び洗浄用ガスを供給する洗浄用ガス供給管
Ｇ２を連通接続してなり、前記不活性ガス回収管７から
回収される窒素ガス、不活性ガス供給管Ｇ１から供給さ
れる窒素ガス，洗浄用ガス供給管Ｇ２から供給される三
フッ化窒素（ＮＦ3）ガスを混合して窒素ガス中に１％
の三フッ化窒素（ＮＦ3）を混入させてなる洗浄用混合
ガスを調整し、洗浄用混合ガス吐出口Ｇ３から吐出自在
に構成し、前記チャンバＡ１への洗浄用混合ガス導入管
Ａ３を前記洗浄用混合ガス吐出口Ｇ３に連通接続して、
前記洗浄用混合ガスをチャンバＡ１に供給する構成にし
てある。
【００１９】上述のような構成により、前記チャンバＡ
１内に夾雑物が発生し、洗浄が必要になった場合には、
前記チャンバＡ１の原料ガス導入管Ａ１を閉じ、内部の
基板を取り出すとともに、前記リサイクル装置本体Ｄの
前記不活性ガス流通部Ｄ３に液体窒素を供給する。前記
リサイクル装置本体Ｄの冷却部が十分に冷却されると、
前記チャンバＡ１も洗浄用混合ガス導入管Ａ３を開状態
にし、前記チャンバＡ１内に三フッ化窒素ガスを含んで
なる洗浄用混合ガスを導入する。すると、前記三フッ化
窒素ガスが前記夾雑物に反応して、前記夾雑物を気化さ
せるので前記チャンバＡ１内が洗浄できる。このとき、
前記三フッ化窒素ガスは比較的過剰に用いられるから排
ガス排出管Ａ４には過剰の前記三フッ化窒素ガスを含ん
でなる排ガスが流出しやすい。前記フィルタ装置Ｂによ
り、前記排ガス中から固体状態で混入した前記夾雑物を
取り除き、さらに、前記吸着装置Ｃにより、前記排ガス
中から高沸点成分ガスを取り除くと、前記排ガスは、窒
素ガス中に三フッ化窒素ガス及び低沸点ガスのみが混入
したものになりやすい。この排ガスを前記リサイクル装
置本体Ｄの排ガス流通部に流通させると、前記排ガスは
冷媒タンク２及び冷媒タンク２に設けてなるフィン５に
接触して冷却され、三フッ化窒素ガスが凝縮するととも
に、下方に落下して貯留部Ｄ２に蓄積される。前記三フ
ッ化窒素の液体が所定量蓄積されると、その液体は回収
管４によって回収され、精製装置Ｅに移送されて精製・
再利用される。また、前記冷却部に供給された冷却用不
活性ガスから生じた窒素ガスは不活性ガス回収管７を通
じてガス混合調整装置Ｇに搬送されるとともに希釈用不
活性ガスとして利用される。
１内に夾雑物が発生し、洗浄が必要になった場合には、
前記チャンバＡ１の原料ガス導入管Ａ１を閉じ、内部の
基板を取り出すとともに、前記リサイクル装置本体Ｄの
前記不活性ガス流通部Ｄ３に液体窒素を供給する。前記
リサイクル装置本体Ｄの冷却部が十分に冷却されると、
前記チャンバＡ１も洗浄用混合ガス導入管Ａ３を開状態
にし、前記チャンバＡ１内に三フッ化窒素ガスを含んで
なる洗浄用混合ガスを導入する。すると、前記三フッ化
窒素ガスが前記夾雑物に反応して、前記夾雑物を気化さ
せるので前記チャンバＡ１内が洗浄できる。このとき、
前記三フッ化窒素ガスは比較的過剰に用いられるから排
ガス排出管Ａ４には過剰の前記三フッ化窒素ガスを含ん
でなる排ガスが流出しやすい。前記フィルタ装置Ｂによ
り、前記排ガス中から固体状態で混入した前記夾雑物を
取り除き、さらに、前記吸着装置Ｃにより、前記排ガス
中から高沸点成分ガスを取り除くと、前記排ガスは、窒
素ガス中に三フッ化窒素ガス及び低沸点ガスのみが混入
したものになりやすい。この排ガスを前記リサイクル装
置本体Ｄの排ガス流通部に流通させると、前記排ガスは
冷媒タンク２及び冷媒タンク２に設けてなるフィン５に
接触して冷却され、三フッ化窒素ガスが凝縮するととも
に、下方に落下して貯留部Ｄ２に蓄積される。前記三フ
ッ化窒素の液体が所定量蓄積されると、その液体は回収
管４によって回収され、精製装置Ｅに移送されて精製・
再利用される。また、前記冷却部に供給された冷却用不
活性ガスから生じた窒素ガスは不活性ガス回収管７を通
じてガス混合調整装置Ｇに搬送されるとともに希釈用不
活性ガスとして利用される。
【００２０】以下に別実施例を説明する。 ＜１＞ リサイクル装置本体には、液化した排ガスを貯
溜する貯溜タンクを前記断熱タンクに対して着脱自在に
設けて、貯溜部Ｄ２を構成してあってもよく、また、前
記断熱タンクもしくは前記貯溜タンクを２つ設けて、択
一的に利用可能な構成にしてあってもよく（図２参
照）、このような場合前記断熱タンクもしくは前記貯溜
タンクは、ガスリサイクル装置から取り外した状態で搬
送可能に出来るので、精製装置を遠隔地に設けざるを得
ない場合にも、洗浄用ガスをリサイクルするのに有効で
ある。 ＜２＞ 前記ガス混合調整装置は特に設けなくても、前
記チャンバ内に供給する洗浄用混合ガスの組成を調整自
在に、不活性ガス供給管Ｇ１、洗浄用ガス供給管Ｇ２を
前記ＣＶＤ装置に設けてあればよい。 ＜３＞ 洗浄ガスとしては、三フッ化窒素（ＮＦ3）、
六フッ化エチレン（Ｃ2Ｆ 6）、三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）、四フッ化炭素（ＣＦ4）、三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3）、六フッ化硫黄（ＳＦ6）、塩化水素（ＨＣｌ）、
フッ素ガス（Ｆ2)、塩素ガス（Ｃｌ2)、等が用いられ、
洗浄すべきＣＶＤ装置に対応して用いればよい。尚、三
フッ化窒素（ＮＦ3）を用いた場合には、二酸化ケイ素
（ＳｉＯ８）、ポリシリコン、金属シリサイド（例えば
タングステンシリサイド（ＷＳｉx)）等のケイ素化合物
等を含む夾雑物を除去することができる。 ＜４＞ 不活性ガスとしては、前記洗浄用ガスよりも沸
点の低いものを選択すればよいが、窒素ガスを適用した
場合には、上述の種々の洗浄ガスよりも沸点が低いため
汎用性が高く、また、比較的安価であるものの、他のア
ルゴンガス等を用いてもよい。 ＜５＞ 前記ＣＶＤ装置に替えて、シリコン薄膜を蒸着
した基板にマスクをかけたのち、前記マスクをかけてい
ない基板表面を、エッチングガスによってエッチングす
る構成のエッチング装置に適用してもよい。尚、前記エ
ッチング装置は図１中のＣＶＤ装置Ａに相当し、エッチ
ングガスは洗浄用ガスに相当するものである。 ＜６＞ 先のＣＶＤ装置において、洗浄用混合ガス調整
装置を設けた場合には、前記洗浄用混合ガス導入管をガ
ス導入部、洗浄用混合ガス調整装置を設けない場合に
は、不活性ガス供給管及び前記洗浄用ガス供給管をガス
導入部と総称する。また、前記排ガス排出管Ａ４，排出
管Ｂ１、Ｃ１を排ガス排出部と総称する。また、前記貯
留部Ｄ２から回収管４を介して前記精製装置にわたって
液化した前記洗浄用ガス（エッチングガス）を回収する
経路を回収部と総称し、要するに、液化した洗浄用ガス
（エッチングガス）をリサイクルできる構成にしてあれ
ば、先の実施例の構成に限るものではない。
溜する貯溜タンクを前記断熱タンクに対して着脱自在に
設けて、貯溜部Ｄ２を構成してあってもよく、また、前
記断熱タンクもしくは前記貯溜タンクを２つ設けて、択
一的に利用可能な構成にしてあってもよく（図２参
照）、このような場合前記断熱タンクもしくは前記貯溜
タンクは、ガスリサイクル装置から取り外した状態で搬
送可能に出来るので、精製装置を遠隔地に設けざるを得
ない場合にも、洗浄用ガスをリサイクルするのに有効で
ある。 ＜２＞ 前記ガス混合調整装置は特に設けなくても、前
記チャンバ内に供給する洗浄用混合ガスの組成を調整自
在に、不活性ガス供給管Ｇ１、洗浄用ガス供給管Ｇ２を
前記ＣＶＤ装置に設けてあればよい。 ＜３＞ 洗浄ガスとしては、三フッ化窒素（ＮＦ3）、
六フッ化エチレン（Ｃ2Ｆ 6）、三フッ化塩素（Ｃｌ
Ｆ3）、四フッ化炭素（ＣＦ4）、三フッ化メタン（ＣＨ
Ｆ3）、六フッ化硫黄（ＳＦ6）、塩化水素（ＨＣｌ）、
フッ素ガス（Ｆ2)、塩素ガス（Ｃｌ2)、等が用いられ、
洗浄すべきＣＶＤ装置に対応して用いればよい。尚、三
フッ化窒素（ＮＦ3）を用いた場合には、二酸化ケイ素
（ＳｉＯ８）、ポリシリコン、金属シリサイド（例えば
タングステンシリサイド（ＷＳｉx)）等のケイ素化合物
等を含む夾雑物を除去することができる。 ＜４＞ 不活性ガスとしては、前記洗浄用ガスよりも沸
点の低いものを選択すればよいが、窒素ガスを適用した
場合には、上述の種々の洗浄ガスよりも沸点が低いため
汎用性が高く、また、比較的安価であるものの、他のア
ルゴンガス等を用いてもよい。 ＜５＞ 前記ＣＶＤ装置に替えて、シリコン薄膜を蒸着
した基板にマスクをかけたのち、前記マスクをかけてい
ない基板表面を、エッチングガスによってエッチングす
る構成のエッチング装置に適用してもよい。尚、前記エ
ッチング装置は図１中のＣＶＤ装置Ａに相当し、エッチ
ングガスは洗浄用ガスに相当するものである。 ＜６＞ 先のＣＶＤ装置において、洗浄用混合ガス調整
装置を設けた場合には、前記洗浄用混合ガス導入管をガ
ス導入部、洗浄用混合ガス調整装置を設けない場合に
は、不活性ガス供給管及び前記洗浄用ガス供給管をガス
導入部と総称する。また、前記排ガス排出管Ａ４，排出
管Ｂ１、Ｃ１を排ガス排出部と総称する。また、前記貯
留部Ｄ２から回収管４を介して前記精製装置にわたって
液化した前記洗浄用ガス（エッチングガス）を回収する
経路を回収部と総称し、要するに、液化した洗浄用ガス
（エッチングガス）をリサイクルできる構成にしてあれ
ば、先の実施例の構成に限るものではない。
【００２１】尚、特許請求の範囲の項に、図面との対照
を便利にするために符号を記すが、該記入により本発明
は添付図面の構成に限定されるものではない。
を便利にするために符号を記すが、該記入により本発明
は添付図面の構成に限定されるものではない。
【図１】本発明のガスリサイクル装置の概略図
【図２】別実施例におけるガスリサイクル装置の概略図
Ｇ１ 不活性ガス供給路 Ｇ２ 洗浄用ガス供給路 Ａ３ ガス導入部 Ａ４ 排ガス排出部 Ａ ＣＶＤ装置（エッチング装置） Ｄ１ 排ガス流通部 Ｄ４ 冷却部 ４ 回収部 ６ 供給部 Ｄ３ 不活性ガス流通部 ７ 不活性ガス排出部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｂ
Claims (5)
- 【請求項１】 希釈用不活性ガスを供給する不活性ガス
供給路（Ｇ１）と洗浄用ガスを供給する洗浄用ガス供給
路（Ｇ２）とを接続してあるガス導入部（Ａ３）を備え
るとともに、排ガスを放出する排ガス排出部（Ａ４）を
備えてなるＣＶＤ装置（Ａ）を設け、 前記ＣＶＤ装置（Ａ）からの排ガスを流通させる排ガス
流通部（Ｄ１）と、前記排ガス中の前記洗浄用ガスを冷
却して液化させる冷却部（Ｄ４）と、前記冷却部（Ｄ
４）で液化した洗浄用ガスを回収する回収部（４）とを
設け、前記回収部で回収された前記洗浄用ガスを前記ガ
ス導入部（Ａ）に供給するガスリサイクル路を設けたガ
ス回収装置。 - 【請求項２】 希釈用不活性ガスを供給する不活性ガス
供給路（Ｇ１）とエッチングガスを供給するエッチング
ガス供給路（Ｇ２）とを接続してあるガス導入部（Ａ
３）を備えるとともに、排ガスを放出する排ガス排出部
（Ａ４）を備えてなるエッチング装置（Ａ）を設け、 前記エッチング装置からの排ガスを流通させる排ガス流
通部（Ｄ１）と、前記排ガス中の前記エッチングガスを
冷却して液化させる冷却部（Ｄ４）と、前記冷却部（Ｄ
４）で液化したエッチングガスを回収する回収部（４）
とを設け、前記回収部で回収された前記エッチングガス
を前記ガス導入部（Ａ）に供給するガスリサイクル路を
設けたガス回収装置。 - 【請求項３】 前記希釈用不活性ガスを、前記洗浄用ガ
スもしくはエッチングガスの沸点よりも低い沸点を有す
るガスから構成するとともに、前記希釈用不活性ガスと
同じ組成からなる冷却用不活性ガスを液体状態で供給す
る供給部（６）と、前記冷却用不活性ガスの気化熱によ
り冷却する不活性ガス流通部（Ｄ３）と、前記不活性ガ
ス流通部（Ｄ３）において気化した前記冷却用不活性ガ
スを排出する不活性ガス排出部（７）とを設けて前記冷
却部（Ｄ４）を構成し、前記不活性ガス排出部（７）を
前記不活性ガス供給路（Ｇ１）に接続してある請求項１
〜２のいずれかに記載のガス回収装置。 - 【請求項４】 前記洗浄用ガスもしくは前記エッチング
ガスが、三フッ化窒素（ＮＦ3）、六フッ化エチレン
（Ｃ2Ｆ6）、三フッ化塩素（ＣｌＦ3）、四フッ化炭素
（ＣＦ4）、三フッ化メタン（ＣＨＦ3）、六フッ化硫黄
（ＳＦ6）、塩化水素（ＨＣｌ）、フッ素ガス（Ｆ2)、
塩素ガス（Ｃｌ2)、の少なくともいずれか１種を含んで
なる請求項１〜３のいずれかに記載のガス回収装置。 - 【請求項５】 前記不活性ガスが、窒素ガスである請求
項１〜４のいずれかに記載のガス回収装置。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7179923A JPH0929002A (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | ガス回収装置 |
| US08/679,234 US6224677B1 (en) | 1995-07-17 | 1996-07-12 | Gas recovery unit utilizing dual use of gas |
| EP96401576A EP0757918A3 (en) | 1995-07-17 | 1996-07-16 | Gas recovery device |
| KR1019960028665A KR970006542A (ko) | 1995-07-17 | 1996-07-16 | 가스 회수 유닛 |
| CN96110281A CN1150240A (zh) | 1995-07-17 | 1996-07-16 | 气体回收设备 |
| TW085108759A TW375658B (en) | 1995-07-17 | 1996-07-17 | Gas recovery unit and process for a CVD device and an etching device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7179923A JPH0929002A (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | ガス回収装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0929002A true JPH0929002A (ja) | 1997-02-04 |
Family
ID=16074291
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7179923A Pending JPH0929002A (ja) | 1995-07-17 | 1995-07-17 | ガス回収装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6224677B1 (ja) |
| EP (1) | EP0757918A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0929002A (ja) |
| KR (1) | KR970006542A (ja) |
| CN (1) | CN1150240A (ja) |
| TW (1) | TW375658B (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028023A1 (fr) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Nippon Sanso Corporation | Procede et appareil de recuperation de gaz rare |
| JP2002255696A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JP2008086985A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Samsung Electronics Co Ltd | プラズマ工程装備及びこれを用いる基板加工方法 |
| CN113074320A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-06 | 国网新疆电力有限公司检修公司 | 一种sf6/cf4混合气体的高纯度分离回收装置及方法 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6395064B1 (en) * | 1999-10-26 | 2002-05-28 | American Air Liquide, Inc | System and method for purifying and distributing chemical gases |
| US6383257B1 (en) * | 2000-04-04 | 2002-05-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Reclamation and separation of perfluorocarbons using condensation |
| GB2363129A (en) * | 2000-05-04 | 2001-12-12 | Boc Group Plc | Gas supply method and apparatus |
| JP3682207B2 (ja) * | 2000-06-12 | 2005-08-10 | 株式会社東芝 | プラズマ処理方法 |
| JP2002147948A (ja) * | 2000-11-10 | 2002-05-22 | Japan Organo Co Ltd | ガス分離装置及びガス分離方法 |
| JP2003017416A (ja) * | 2001-07-03 | 2003-01-17 | Tokyo Electron Ltd | 処理システム及び処理方法 |
| US6712883B2 (en) * | 2002-02-25 | 2004-03-30 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus and method for deaerating liquid crystal |
| US6955707B2 (en) * | 2002-06-10 | 2005-10-18 | The Boc Group, Inc. | Method of recycling fluorine using an adsorption purification process |
| KR101131531B1 (ko) * | 2003-02-06 | 2012-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시장치의 제작 방법 |
| US20040187683A1 (en) * | 2003-03-28 | 2004-09-30 | Luping Wang | Gas recovery system to improve the efficiency of abatementand/or implement reuse/reclamation |
| US6669760B1 (en) * | 2003-04-08 | 2003-12-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Separation of C2F6 from CF4 by adsorption on activated carbon |
| GB0417936D0 (en) | 2004-08-12 | 2004-09-15 | Rolls Royce Plc | Method and apparatus for recycling inert gas |
| KR101514801B1 (ko) * | 2013-06-25 | 2015-04-24 | (주)파인텍 | 과불화화합물의 분리 및 재활용시스템 |
| US10443127B2 (en) * | 2013-11-05 | 2019-10-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | System and method for supplying a precursor for an atomic layer deposition (ALD) process |
| CN108386710B (zh) * | 2018-05-25 | 2023-08-01 | 江西佳因光电材料有限公司 | 冷媒回收和利用系统 |
| CN109012092A (zh) * | 2018-08-09 | 2018-12-18 | 全椒南大光电材料有限公司 | 一种高浓度三氟化氯尾气处理装置及处理方法 |
| CN110732216A (zh) * | 2019-11-06 | 2020-01-31 | 中国原子能科学研究院 | 一种含氯废气处理装置 |
| CN112111790B (zh) * | 2020-09-21 | 2022-03-29 | 北京石晶光电科技股份有限公司 | 一种人造种晶片腐蚀清洗工艺 |
Family Cites Families (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2947687A (en) | 1954-10-29 | 1960-08-02 | American Oil Co | Separation of hydrocarbons by permeation membrane |
| US2953502A (en) | 1955-05-24 | 1960-09-20 | American Oil Co | Separation of azeotropic mixtures |
| US2960462A (en) | 1957-09-30 | 1960-11-15 | American Oil Co | Dual film combinations for membrane permeation |
| US2970106A (en) | 1958-01-31 | 1961-01-31 | American Oil Co | Aromatic separation process |
| US3508994A (en) | 1966-07-07 | 1970-04-28 | Dorr Oliver Inc | Method for producing membrane separation devices |
| US3648845A (en) | 1969-09-02 | 1972-03-14 | Us Interior | Thin film separation membranes and processes for making same |
| US3616607A (en) | 1970-04-06 | 1971-11-02 | Northern Natural Gas Co | Separation of nitrogen and methane containing gas mixtures |
| DE2248818C2 (de) | 1972-10-05 | 1981-10-15 | Bayer Ag, 5090 Leverkusen | Dünne porenfreie Polycarbonatfolien und -filme |
| US4113628A (en) | 1974-06-05 | 1978-09-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Asymmetric polyimide membranes |
| US4192824A (en) | 1976-09-23 | 1980-03-11 | Coal Industry (Patents) Limited | Aromatic hydrocarbon resins |
| US4132824A (en) | 1977-07-21 | 1979-01-02 | General Electric Company | Method for casting ultrathin methylpentene polymer membranes |
| US4156597A (en) | 1977-09-23 | 1979-05-29 | General Electric Company | Ultrathin polyetherimide membrane and gas separation process |
| US4155793A (en) | 1977-11-21 | 1979-05-22 | General Electric Company | Continuous preparation of ultrathin polymeric membrane laminates |
| EP0023406B1 (en) | 1979-07-26 | 1983-04-13 | Ube Industries, Ltd. | Process for preparing aromatic polyimide semipermeable membranes |
| JPS57167414A (en) | 1981-04-03 | 1982-10-15 | Ube Ind Ltd | Production of polyimide hollow fiber |
| JPS57170936A (en) | 1981-04-14 | 1982-10-21 | Ube Ind Ltd | Preparation of porous polyimide film |
| GB2101137B (en) | 1981-04-14 | 1984-09-26 | Ube Industries | Producing porous aromatic imide polymer membranes |
| JPS57209607A (en) | 1981-06-22 | 1982-12-23 | Ube Ind Ltd | Preparation of polyimide separation film |
| JPS5895541A (ja) | 1981-11-30 | 1983-06-07 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 気体分離膜 |
| JPS5949822A (ja) | 1982-09-14 | 1984-03-22 | Nippon Sanso Kk | 揮発性無機水素化物等を含有するガスの処理方法 |
| JPS59160506A (ja) | 1983-02-28 | 1984-09-11 | Kuraray Co Ltd | 複合中空糸分離膜およびその製造法 |
| US4551197A (en) * | 1984-07-26 | 1985-11-05 | Guilmette Joseph G | Method and apparatus for the recovery and recycling of condensable gas reactants |
| JPS6135803A (ja) | 1984-07-26 | 1986-02-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 複合中空糸 |
| US4553983A (en) | 1984-07-31 | 1985-11-19 | Membrane Technology And Research, Inc. | Process for recovering organic vapors from air |
| US4602922A (en) | 1984-11-09 | 1986-07-29 | Research Foundation Of State University Of New York | Method of making membranes for gas separation and the composite membranes |
| EP0194366B1 (en) | 1985-03-13 | 1988-01-27 | Japan Pionics., Ltd. | Method of cleaning exhaust gases |
| JPS621404A (ja) | 1985-06-27 | 1987-01-07 | Mitsubishi Rayon Co Ltd | 多層複合中空繊維状膜及びその製造法 |
| DE3579820D1 (de) | 1985-06-27 | 1990-10-25 | Mitsubishi Rayon Co | Komposit-hohlgarn und dessen herstellung. |
| US4717394A (en) | 1986-10-27 | 1988-01-05 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Polyimide gas separation membranes |
| EP0294142B1 (en) | 1987-06-01 | 1992-03-25 | Japan Pionics., Ltd. | Method of cleaning exhaust gases |
| US4756932A (en) | 1987-06-11 | 1988-07-12 | Air Products And Chemicals, Inc. | Process for making highly permeable coated composite hollow fiber membranes |
| US4826599A (en) | 1987-07-10 | 1989-05-02 | Union Carbide Corporation | Composite membranes and their manufacture and use |
| DE3869301D1 (de) | 1987-08-31 | 1992-04-23 | Japan Pionics | Methode zum reinigen von giftige komponenten enthaltendem gas. |
| JPH0755807B2 (ja) * | 1987-11-04 | 1995-06-14 | 三井東圧化学株式会社 | 三弗化窒素の製造方法 |
| FR2652280B1 (fr) | 1989-09-22 | 1991-11-29 | Air Liquide | Procede d'elimination d'hydrures gazeux sur support solide a base d'oxydes metalliques. |
| US5182088A (en) | 1990-09-07 | 1993-01-26 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Removal of gaseous hydrides |
| US5085676A (en) | 1990-12-04 | 1992-02-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Novel multicomponent fluid separation membranes |
| US5383957A (en) | 1991-07-02 | 1995-01-24 | L'air Liquide | Multistage cascade sweep-process for membrane gas separation |
| US5240471A (en) | 1991-07-02 | 1993-08-31 | L'air Liquide | Multistage cascade-sweep process for membrane gas separation |
| US5326723A (en) * | 1992-09-09 | 1994-07-05 | Intel Corporation | Method for improving stability of tungsten chemical vapor deposition |
| US5281255A (en) | 1992-11-04 | 1994-01-25 | Membrane Technology And Research, Inc | Gas-separation process |
| TW241375B (ja) * | 1993-07-26 | 1995-02-21 | Air Prod & Chem | |
| US5421957A (en) * | 1993-07-30 | 1995-06-06 | Applied Materials, Inc. | Low temperature etching in cold-wall CVD systems |
| JP2814062B2 (ja) * | 1995-01-09 | 1998-10-22 | 忠弘 大見 | 窒素ガス供給設備 |
| US5785741A (en) * | 1995-07-17 | 1998-07-28 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges, Claude | Process and system for separation and recovery of perfluorocompound gases |
-
1995
- 1995-07-17 JP JP7179923A patent/JPH0929002A/ja active Pending
-
1996
- 1996-07-12 US US08/679,234 patent/US6224677B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-16 KR KR1019960028665A patent/KR970006542A/ko not_active Application Discontinuation
- 1996-07-16 CN CN96110281A patent/CN1150240A/zh active Pending
- 1996-07-16 EP EP96401576A patent/EP0757918A3/en not_active Withdrawn
- 1996-07-17 TW TW085108759A patent/TW375658B/zh active
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028023A1 (fr) * | 1997-12-01 | 1999-06-10 | Nippon Sanso Corporation | Procede et appareil de recuperation de gaz rare |
| US6217633B1 (en) | 1997-12-01 | 2001-04-17 | Nippon Sanso Corporation | Method and apparatus for recovering rare gas |
| JP2002255696A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-11 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子の製造方法 |
| JP2008086985A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Samsung Electronics Co Ltd | プラズマ工程装備及びこれを用いる基板加工方法 |
| CN113074320A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-06 | 国网新疆电力有限公司检修公司 | 一种sf6/cf4混合气体的高纯度分离回收装置及方法 |
| CN113074320B (zh) * | 2021-03-19 | 2022-06-14 | 国网新疆电力有限公司检修公司 | 一种sf6/cf4混合气体的高纯度分离回收装置及方法 |
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| Publication number | Publication date |
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