JPH09289306A - 有機薄膜をセンシング部とするセンサ - Google Patents
有機薄膜をセンシング部とするセンサInfo
- Publication number
- JPH09289306A JPH09289306A JP10081296A JP10081296A JPH09289306A JP H09289306 A JPH09289306 A JP H09289306A JP 10081296 A JP10081296 A JP 10081296A JP 10081296 A JP10081296 A JP 10081296A JP H09289306 A JPH09289306 A JP H09289306A
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- Japan
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- thin film
- electrode
- sensor
- pattern
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性高分子薄膜等の有機薄膜をセンシング
部とするセンサにおいて、製造過程で有機薄膜に熱履歴
を与えることなく容易に素子を製造することのできる構
造を提供する。 【解決手段】 貴金属薄膜２ａで覆われた電極２と基板
１との間にアルミ薄膜５を形成し、そのアルミ薄膜５の
露呈部分５ａにリード線４をボンディングする構造によ
り、温度を上昇させることなく超音波ボンディング法に
よってリード線４のボンディングを可能とする。
部とするセンサにおいて、製造過程で有機薄膜に熱履歴
を与えることなく容易に素子を製造することのできる構
造を提供する。 【解決手段】 貴金属薄膜２ａで覆われた電極２と基板
１との間にアルミ薄膜５を形成し、そのアルミ薄膜５の
露呈部分５ａにリード線４をボンディングする構造によ
り、温度を上昇させることなく超音波ボンディング法に
よってリード線４のボンディングを可能とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性高分子を用
いた匂いセンサ等の、有機薄膜をセンシング部として有
するセンサに関する。
いた匂いセンサ等の、有機薄膜をセンシング部として有
するセンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】有機薄膜、特に導電性高分子の電気的、
光学的あるいは磁気的性質が、微量のドーパントをドー
ピングすることによって大きく変化することを利用し
て、有効なドーパントとなり得る物質を検知するための
センサを構築できることは既に知られている。
光学的あるいは磁気的性質が、微量のドーパントをドー
ピングすることによって大きく変化することを利用し
て、有効なドーパントとなり得る物質を検知するための
センサを構築できることは既に知られている。
【０００３】例えば図３に模式的平面図を示すように、
ガラス基板１１の表面にクロム薄膜を介した金薄膜から
なる櫛形電極１２を形成し、その上にポリピロール等の
導電性高分子薄膜１３を形成することによって、匂いセ
ンサを得ることができる。
ガラス基板１１の表面にクロム薄膜を介した金薄膜から
なる櫛形電極１２を形成し、その上にポリピロール等の
導電性高分子薄膜１３を形成することによって、匂いセ
ンサを得ることができる。
【０００４】このような構造のセンサの製造工程につい
て述べると、まず、ガラス基板１１を洗浄した後、その
表面にホトレジストを塗布してフォトリソグラフィ技術
によりパターニングし、その上から一様にクロム薄膜お
よび金薄膜を蒸着する。その後、リフトオフ法によって
図示のようなパターンのクロム／金からなる櫛形電極１
２を形成し、その上から電解重合法等によって導電性高
分子薄膜１３を成膜する。その後、電極１２の表面の金
薄膜に、外部回路との接続のためのリード線１４が取り
付けるがるが、このリード線１４の金薄膜に対するコン
タクトは導電性接着剤を用いて行われる。
て述べると、まず、ガラス基板１１を洗浄した後、その
表面にホトレジストを塗布してフォトリソグラフィ技術
によりパターニングし、その上から一様にクロム薄膜お
よび金薄膜を蒸着する。その後、リフトオフ法によって
図示のようなパターンのクロム／金からなる櫛形電極１
２を形成し、その上から電解重合法等によって導電性高
分子薄膜１３を成膜する。その後、電極１２の表面の金
薄膜に、外部回路との接続のためのリード線１４が取り
付けるがるが、このリード線１４の金薄膜に対するコン
タクトは導電性接着剤を用いて行われる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図３に例示
した匂いセンサ等の、従来の導電性高分子をセンシング
部として有するセンサにおいて、電極１２からリード線
１４を取り出すべく、導電性接着剤を用いてコンタクト
を取ると、接着温度を１００°Ｃ以上に上げる必要があ
り、導電性高分子薄膜１３に熱履歴をかけることにな
る。このような熱履歴は、導電性高分子薄膜１３を劣化
または失活させることになり、素子の歩留り低下の大き
な原因となっていた。
した匂いセンサ等の、従来の導電性高分子をセンシング
部として有するセンサにおいて、電極１２からリード線
１４を取り出すべく、導電性接着剤を用いてコンタクト
を取ると、接着温度を１００°Ｃ以上に上げる必要があ
り、導電性高分子薄膜１３に熱履歴をかけることにな
る。このような熱履歴は、導電性高分子薄膜１３を劣化
または失活させることになり、素子の歩留り低下の大き
な原因となっていた。
【０００６】ここで、リード線１４と電極１２の表面と
のコンタクトを超音波ボンディング法により行えば上記
のような問題は解消するが、電極１２の表面は金薄膜で
あるため、その厚さを５０００Å程度と極めて厚くしな
いとリード線１４をボンディングすることができない。
クロム／金からなる電極１２は前記したようにリフトオ
フ法によってパターニングする必要があり、このリフト
オフ法においては、パターニングすべき薄膜を厚くする
と良好なパターンを得ることが困難となり、従って電極
１２の金薄膜の厚さを、上記のように超音波ボンディグ
が可能な程度にまで厚くすることは実質的に不可能であ
る。
のコンタクトを超音波ボンディング法により行えば上記
のような問題は解消するが、電極１２の表面は金薄膜で
あるため、その厚さを５０００Å程度と極めて厚くしな
いとリード線１４をボンディングすることができない。
クロム／金からなる電極１２は前記したようにリフトオ
フ法によってパターニングする必要があり、このリフト
オフ法においては、パターニングすべき薄膜を厚くする
と良好なパターンを得ることが困難となり、従って電極
１２の金薄膜の厚さを、上記のように超音波ボンディグ
が可能な程度にまで厚くすることは実質的に不可能であ
る。
【０００７】本発明はこのような実情に鑑みてなされた
もので、導電性高分子をはじめとするセンシング部の有
機薄膜に対して熱履歴を与えることなく容易に素子を製
作することのできる構造を持つ、有機薄膜をセンシング
部とするセンサを提供することにある。
もので、導電性高分子をはじめとするセンシング部の有
機薄膜に対して熱履歴を与えることなく容易に素子を製
作することのできる構造を持つ、有機薄膜をセンシング
部とするセンサを提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の有機薄膜をセンシング部とするセンサは、
実施の形態を表す図１に示すように、基板１上に、少な
くとも上層が貴金属薄膜で覆われた電極２が形成され、
その上にセンシング部としての有機薄膜３が形成されて
なるセンサにおいて、電極２と基板１との間にアルミ薄
膜５が形成され、そのアルミ薄膜５は、そのパターンが
電極５のパターンと少なくとも一部が相違してその表面
が部分的に外部に露呈し、その露呈部分５ａにリード線
４がボンディングされていることによって特徴づけられ
る。
め、本発明の有機薄膜をセンシング部とするセンサは、
実施の形態を表す図１に示すように、基板１上に、少な
くとも上層が貴金属薄膜で覆われた電極２が形成され、
その上にセンシング部としての有機薄膜３が形成されて
なるセンサにおいて、電極２と基板１との間にアルミ薄
膜５が形成され、そのアルミ薄膜５は、そのパターンが
電極５のパターンと少なくとも一部が相違してその表面
が部分的に外部に露呈し、その露呈部分５ａにリード線
４がボンディングされていることによって特徴づけられ
る。
【０００９】本発明は、アルミ薄膜が超音波ボンディン
グによって温度を上昇させることなく容易にリード線を
ボンディング可能であることを利用したものである。す
なわち、有機薄膜３と接触させるべく少なくとも上層が
金等の貴金属で覆われた電極２からリード線４を直接的
に取り出すのではなく、電極１２の下に形成され、か
つ、外部への露呈部分５ａが形成されたアルミ薄膜５か
らリード線４を取り出す構造を採用することによって、
有機薄膜３に対して熱履歴を与えることなくリード線４
を装着することが可能となる。
グによって温度を上昇させることなく容易にリード線を
ボンディング可能であることを利用したものである。す
なわち、有機薄膜３と接触させるべく少なくとも上層が
金等の貴金属で覆われた電極２からリード線４を直接的
に取り出すのではなく、電極１２の下に形成され、か
つ、外部への露呈部分５ａが形成されたアルミ薄膜５か
らリード線４を取り出す構造を採用することによって、
有機薄膜３に対して熱履歴を与えることなくリード線４
を装着することが可能となる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の実施の形態の素子
構成を示す模式的平面図で、図２はそのＡ−Ａ拡大断面
図である。
構成を示す模式的平面図で、図２はそのＡ−Ａ拡大断面
図である。
【００１１】ガラス基板１の上に、アルミ薄膜５を介し
て一対の櫛形電極２が形成されており、その櫛形電極２
の上に、その各電極指に跨がるようにセンシング部とし
ての導電性高分子薄膜３が形成されている。
て一対の櫛形電極２が形成されており、その櫛形電極２
の上に、その各電極指に跨がるようにセンシング部とし
ての導電性高分子薄膜３が形成されている。
【００１２】櫛形電極２は下層がクロム薄膜２ａで、上
層が金薄膜２ｂによって形成されており、下層のクロム
薄膜２ａがアルミ薄膜５の表面にコンタクトしている。
アルミ薄膜５は、櫛形電極２と略同等の櫛形パターンを
有しているが、各電極指の幅が櫛形電極２のそれよりも
広く、従ってアルミ薄膜５には、その表面が外部に露呈
した露呈部分５ａが形成されている。そして、そのアル
ミ薄膜５の露呈部分５ａからリード線４がボンディング
されている。
層が金薄膜２ｂによって形成されており、下層のクロム
薄膜２ａがアルミ薄膜５の表面にコンタクトしている。
アルミ薄膜５は、櫛形電極２と略同等の櫛形パターンを
有しているが、各電極指の幅が櫛形電極２のそれよりも
広く、従ってアルミ薄膜５には、その表面が外部に露呈
した露呈部分５ａが形成されている。そして、そのアル
ミ薄膜５の露呈部分５ａからリード線４がボンディング
されている。
【００１３】以上の構造の本発明の実施の形態は、例え
ば以下に示す手順によって製造することができる。ま
ず、ガラス基板１を洗浄した後、その表面全面にスパッ
タあるいは蒸着等によってアルミ薄膜５を成膜し、フォ
トリソグラフィおよびエッチングによって櫛形にパター
ニングする。次に、洗浄工程の後、アルミ薄膜５のパタ
ーンの上から一様にホトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィおよび現像によって電極２の櫛形パターンのネ
ガティブパターンを形成し、その上からクロム薄膜２ａ
および金薄膜２ｂを一様に蒸着する。そして、リフトオ
フ法によってクロム薄膜２ａおよび金薄膜２ｂをパター
ニングし、櫛形電極２を形成する。これにより、アルミ
薄膜５の上にクロム薄膜２ａと金薄膜２ｂからなる櫛形
電極２が形成され、アルミ薄膜５には露呈部分５ａが形
成された状態となる。
ば以下に示す手順によって製造することができる。ま
ず、ガラス基板１を洗浄した後、その表面全面にスパッ
タあるいは蒸着等によってアルミ薄膜５を成膜し、フォ
トリソグラフィおよびエッチングによって櫛形にパター
ニングする。次に、洗浄工程の後、アルミ薄膜５のパタ
ーンの上から一様にホトレジストを塗布し、フォトリソ
グラフィおよび現像によって電極２の櫛形パターンのネ
ガティブパターンを形成し、その上からクロム薄膜２ａ
および金薄膜２ｂを一様に蒸着する。そして、リフトオ
フ法によってクロム薄膜２ａおよび金薄膜２ｂをパター
ニングし、櫛形電極２を形成する。これにより、アルミ
薄膜５の上にクロム薄膜２ａと金薄膜２ｂからなる櫛形
電極２が形成され、アルミ薄膜５には露呈部分５ａが形
成された状態となる。
【００１４】その状態で、櫛形電極２の上から導電性高
分子薄膜３を成膜する。その後、アルミ薄膜５の露呈部
分５ａに、超音波ボンディング法によってアルミワイヤ
等からなるリード線４をボンディングすることにより、
図１，図２に示した構造の素子が得られる。
分子薄膜３を成膜する。その後、アルミ薄膜５の露呈部
分５ａに、超音波ボンディング法によってアルミワイヤ
等からなるリード線４をボンディングすることにより、
図１，図２に示した構造の素子が得られる。
【００１５】リード線４は、そのボンディング相手がア
ルミ薄膜５であるが故に、温度を上昇させることなく超
音波ボンディングによって容易かつ確実にボンディング
され、従って導電性高分子薄膜３には素子製造過程にお
いて熱履歴をかけることがない。
ルミ薄膜５であるが故に、温度を上昇させることなく超
音波ボンディングによって容易かつ確実にボンディング
され、従って導電性高分子薄膜３には素子製造過程にお
いて熱履歴をかけることがない。
【００１６】なお、以上の実施の形態では、アルミ薄膜
５のパターンを、櫛形電極２の電極指よりも広い電極指
を持つ櫛形パターンとすることによって、露呈部分５ａ
を形成したが、導電性高分子薄膜３の下方を含めて大部
分のアルミ薄膜５のパターンと櫛形電極２のパターンを
一致させるとともに、リード線４のボンディングする部
分のみ、アルミ薄膜５が櫛形電極２からはみ出した部分
を設けるか、あるいは櫛形電極２に切欠を設ける等の構
造を採用してもよい。
５のパターンを、櫛形電極２の電極指よりも広い電極指
を持つ櫛形パターンとすることによって、露呈部分５ａ
を形成したが、導電性高分子薄膜３の下方を含めて大部
分のアルミ薄膜５のパターンと櫛形電極２のパターンを
一致させるとともに、リード線４のボンディングする部
分のみ、アルミ薄膜５が櫛形電極２からはみ出した部分
を設けるか、あるいは櫛形電極２に切欠を設ける等の構
造を採用してもよい。
【００１７】また、導電性高分子薄膜３と接触する電極
２は、櫛形パターンに限られず任意のパターンとするこ
とができ、また、その電極２の材質は、上記のようなク
ロム／金のほか、チタン／白金等であってよいことは言
うまでもない。
２は、櫛形パターンに限られず任意のパターンとするこ
とができ、また、その電極２の材質は、上記のようなク
ロム／金のほか、チタン／白金等であってよいことは言
うまでもない。
【００１８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、導電性
高分子薄膜をはじめとする有機薄膜をセンシング部とす
るセンサにおいて、その有機薄膜に接触する貴金属薄膜
からなる電極の下方にアルミ薄膜を形成するとともに、
そのアルミ薄膜には外部への露呈部分を形成して、その
露呈部分にリード線をボンディングしているため、温度
を上昇させることなく超音波ボンディングによって容易
にリード線をボンディングすることができ、素子の製造
過程においてセンシング部の有機薄膜に熱履歴を与える
ことがなくなる結果、有機薄膜が劣化したり失活するこ
とがなくなり、素子の歩留りが向上する。
高分子薄膜をはじめとする有機薄膜をセンシング部とす
るセンサにおいて、その有機薄膜に接触する貴金属薄膜
からなる電極の下方にアルミ薄膜を形成するとともに、
そのアルミ薄膜には外部への露呈部分を形成して、その
露呈部分にリード線をボンディングしているため、温度
を上昇させることなく超音波ボンディングによって容易
にリード線をボンディングすることができ、素子の製造
過程においてセンシング部の有機薄膜に熱履歴を与える
ことがなくなる結果、有機薄膜が劣化したり失活するこ
とがなくなり、素子の歩留りが向上する。
【図１】本発明の実施の形態の素子構成を示す模式的平
面図
面図
【図２】図１のＡ−Ａ拡大断面図
【図３】従来の導電性高分子薄膜を用いた匂いセンサの
素子構成を示す模式的平面図
素子構成を示す模式的平面図
１ ガラス基板 ２ 櫛形電極 ２ａ クロム薄膜 ２ｂ 金薄膜 ３ 導電性高分子薄膜 ４ リード線 ５ アルミ薄膜 ５ａ 露呈部分
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１ Ｈ０１Ｌ 21/60 ３０１Ａ 21/607 21/607 Ａ
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、少なくとも上層が貴金属薄膜
で覆われた電極が形成され、その上にセンシング部とし
ての有機薄膜が形成されてなるセンサにおいて、上記電
極と基板との間にアルミ薄膜が形成され、そのアルミ薄
膜は、そのパターンが上記電極のパターンと少なくとも
一部が相違してその表面が部分的に外部に露呈し、その
露呈部分にリード線がボンディングされていることを特
徴とする有機薄膜をセンシング部とするセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081296A JPH09289306A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 有機薄膜をセンシング部とするセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081296A JPH09289306A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 有機薄膜をセンシング部とするセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289306A true JPH09289306A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14283775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081296A Pending JPH09289306A (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 有機薄膜をセンシング部とするセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09289306A (ja) |
-
1996
- 1996-04-23 JP JP10081296A patent/JPH09289306A/ja active Pending
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