JPH09285104A - 電圧制御形半導体素子の駆動装置 - Google Patents
電圧制御形半導体素子の駆動装置Info
- Publication number
- JPH09285104A JPH09285104A JP8090758A JP9075896A JPH09285104A JP H09285104 A JPH09285104 A JP H09285104A JP 8090758 A JP8090758 A JP 8090758A JP 9075896 A JP9075896 A JP 9075896A JP H09285104 A JPH09285104 A JP H09285104A
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- Japan
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- gate
- voltage
- switch
- circuit
- resistor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＧＢＴなどの電圧制御形半導体素子のゲート
−エミッタ間が短絡状態になったときに、オフゲート回
路の抵抗などが焼損するのを防止する。 【解決手段】オフゲート回路７にスイッチ６ａ，抵抗６
ｂ，抵抗７ａとをそなえ、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッ
タ間が短絡したことを整流回路９，フィルタ１０，低電
圧検出回路１１により検出して、スイッチ５ａ，６ａを
オフさせることによりオフゲート回路７の抵抗６ｂを、
抵抗６ｂより抵抗値が遙に大きい抵抗７ａにしてゲート
電流を僅かにする。
−エミッタ間が短絡状態になったときに、オフゲート回
路の抵抗などが焼損するのを防止する。 【解決手段】オフゲート回路７にスイッチ６ａ，抵抗６
ｂ，抵抗７ａとをそなえ、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッ
タ間が短絡したことを整流回路９，フィルタ１０，低電
圧検出回路１１により検出して、スイッチ５ａ，６ａを
オフさせることによりオフゲート回路７の抵抗６ｂを、
抵抗６ｂより抵抗値が遙に大きい抵抗７ａにしてゲート
電流を僅かにする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電圧制御形半導
体素子のゲート−エミッタ間またはゲート−ソース間
に、オンゲート電圧，オフゲート電圧を印加するオンゲ
ート用直流電源およびオフゲート用直流電源を有した電
圧制御形半導体素子の駆動装置に関する。
体素子のゲート−エミッタ間またはゲート−ソース間
に、オンゲート電圧，オフゲート電圧を印加するオンゲ
ート用直流電源およびオフゲート用直流電源を有した電
圧制御形半導体素子の駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、この種の電圧制御形半導体素子
の駆動装置の従来例を示す回路構成図であり、１は電圧
制御形半導体素子としての絶縁ゲートバイポーラトラン
ジスタ（以下、ＩＧＢＴと称する）、２はオンゲート用
直流電源、３はオフゲート用直流電源、４は駆動回路、
５はスイッチ５ａ，抵抗５ｂからなるオンゲート回路、
６はスイッチ６ａ，抵抗６ｂからなるオフゲート回路で
ある。
の駆動装置の従来例を示す回路構成図であり、１は電圧
制御形半導体素子としての絶縁ゲートバイポーラトラン
ジスタ（以下、ＩＧＢＴと称する）、２はオンゲート用
直流電源、３はオフゲート用直流電源、４は駆動回路、
５はスイッチ５ａ，抵抗５ｂからなるオンゲート回路、
６はスイッチ６ａ，抵抗６ｂからなるオフゲート回路で
ある。
【０００３】図４に示すＩＧＢＴの駆動装置の動作を、
図５に示す動作波形図を参照しつつ、以下に説明をす
る。図５において、時刻Ｔ0 以前の通常状態の動作で
は、外部からの制御信号に基づき駆動回路４により図５
（イ），（ロ）に示す如くスイッチ５ａ，６ａが交互に
オンとオフとを行うので、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッ
タ間に抵抗５ｂを介してオンゲート用直流電源２の電圧
または抵抗６ｂを介してオフゲート用直流電源３の電圧
が印加され（図５（ハ）参照）、ＩＧＢＴ１のゲート−
エミッタ間はコンデンサと見做せるので図５（ニ）示す
ような微分波形状のゲート電流ＩG が流れ、図５（ホ）
に示す如くＩＧＢＴ１はオン・オフ動作をする。
図５に示す動作波形図を参照しつつ、以下に説明をす
る。図５において、時刻Ｔ0 以前の通常状態の動作で
は、外部からの制御信号に基づき駆動回路４により図５
（イ），（ロ）に示す如くスイッチ５ａ，６ａが交互に
オンとオフとを行うので、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッ
タ間に抵抗５ｂを介してオンゲート用直流電源２の電圧
または抵抗６ｂを介してオフゲート用直流電源３の電圧
が印加され（図５（ハ）参照）、ＩＧＢＴ１のゲート−
エミッタ間はコンデンサと見做せるので図５（ニ）示す
ような微分波形状のゲート電流ＩG が流れ、図５（ホ）
に示す如くＩＧＢＴ１はオン・オフ動作をする。
【０００４】図５の時刻Ｔ0 に何らかの要因でＩＧＢＴ
１が破損すると、図４では図示しない故障検知回路が動
作して、外部からの制御信号に基づき駆動回路４により
スイッチ５ａはオフ、スイッチ６ａはオン状態となり、
時刻Ｔ0 以降、該故障検知回路がリセットされるまでこ
の状態を保持する。
１が破損すると、図４では図示しない故障検知回路が動
作して、外部からの制御信号に基づき駆動回路４により
スイッチ５ａはオフ、スイッチ６ａはオン状態となり、
時刻Ｔ0 以降、該故障検知回路がリセットされるまでこ
の状態を保持する。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図５において、前述の
時刻Ｔ0 でのＩＧＢＴ１が破損時に、ＩＧＢＴ１のゲー
ト−エミッタ間が短絡状態になると、このＩＧＢＴ１の
ゲート−エミッタ間に抵抗６ｂを介してオフゲート用直
流電源３の電圧が印加され、図５（ニ）に示すようにス
テップ波形状のゲート電流ＩG が流れ続けるので抵抗６
ｂやオフゲート用直流電源３が焼損するなど事故が拡大
する恐れがあった。
時刻Ｔ0 でのＩＧＢＴ１が破損時に、ＩＧＢＴ１のゲー
ト−エミッタ間が短絡状態になると、このＩＧＢＴ１の
ゲート−エミッタ間に抵抗６ｂを介してオフゲート用直
流電源３の電圧が印加され、図５（ニ）に示すようにス
テップ波形状のゲート電流ＩG が流れ続けるので抵抗６
ｂやオフゲート用直流電源３が焼損するなど事故が拡大
する恐れがあった。
【０００６】従来は上記問題点を解決するために抵抗６
ｂの定格ワット数の大きな抵抗を選定し、オフゲート用
直流電源３の容量も大きくする必要があった。この発明
の目的は、上記問題点を解消する電圧制御形半導体素子
の駆動装置を提供することにある。
ｂの定格ワット数の大きな抵抗を選定し、オフゲート用
直流電源３の容量も大きくする必要があった。この発明
の目的は、上記問題点を解消する電圧制御形半導体素子
の駆動装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】電圧制御形半導体素子の
ゲート−エミッタ間またはゲート−ソース間に、オンゲ
ート電圧，オフゲート電圧を印加するオンゲート用直流
電源およびオフゲート用直流電源を有した電圧制御形半
導体素子の駆動装置において、この第１の発明は、前記
オンゲート用直流電源から電圧制御形半導体素子のゲー
ト端子への経路に挿入された第１スイッチと第１抵抗と
を直列接続したオンゲート回路と、前記オフゲート用直
流電源から電圧制御形半導体素子のゲート端子への経路
に挿入された第２スイッチと第２抵抗とを直列接続した
回路の両端に該第２抵抗より抵抗値の大きい第３抵抗を
並列接続したオフゲート回路と、外部からの制御信号に
基づき前記第１スイッチと第２スイッチとを交互にオン
・オフさせる駆動回路と、前記電圧制御形半導体素子の
ゲート−エミッタ間またはゲート−ソース間の電圧を検
出する電圧検出手段と、該電圧検出手段の出力が所定の
電圧以下になったときに前記第１スイッチと第２スイッ
チとをオフさせる信号を出力する低電圧検出回路とを備
える。
ゲート−エミッタ間またはゲート−ソース間に、オンゲ
ート電圧，オフゲート電圧を印加するオンゲート用直流
電源およびオフゲート用直流電源を有した電圧制御形半
導体素子の駆動装置において、この第１の発明は、前記
オンゲート用直流電源から電圧制御形半導体素子のゲー
ト端子への経路に挿入された第１スイッチと第１抵抗と
を直列接続したオンゲート回路と、前記オフゲート用直
流電源から電圧制御形半導体素子のゲート端子への経路
に挿入された第２スイッチと第２抵抗とを直列接続した
回路の両端に該第２抵抗より抵抗値の大きい第３抵抗を
並列接続したオフゲート回路と、外部からの制御信号に
基づき前記第１スイッチと第２スイッチとを交互にオン
・オフさせる駆動回路と、前記電圧制御形半導体素子の
ゲート−エミッタ間またはゲート−ソース間の電圧を検
出する電圧検出手段と、該電圧検出手段の出力が所定の
電圧以下になったときに前記第１スイッチと第２スイッ
チとをオフさせる信号を出力する低電圧検出回路とを備
える。
【０００８】また、第２の発明は前記電圧制御形半導体
素子の駆動装置において、前記オンゲート用直流電源か
ら電圧制御形半導体素子のゲート端子への経路に挿入さ
れた第１スイッチと第１抵抗とを直列接続したオンゲー
ト回路と、前記オフゲート用直流電源から電圧制御形半
導体素子のゲート端子への経路に挿入された第２スイッ
チと第２抵抗とを直列接続したオフゲート回路と、該オ
フゲート回路の両端に並列接続される第３スイッチと前
記第２抵抗より抵抗値の大きい第３抵抗とを直列接続し
た補助オフゲート回路と、外部からの制御信号に基づき
前記第１スイッチと第２スイッチとを交互にオン・オフ
させる駆動回路と、前記電圧制御形半導体素子のゲート
−エミッタ間またはゲート−ソース間の電圧を検出する
電圧検出手段と、該電圧検出手段の出力が所定の電圧以
下になったときに前記第１スイッチと第２スイッチとを
オフさせ、且つ第３スイッチをオンさせる信号を出力す
る低電圧検出回路とを備える。
素子の駆動装置において、前記オンゲート用直流電源か
ら電圧制御形半導体素子のゲート端子への経路に挿入さ
れた第１スイッチと第１抵抗とを直列接続したオンゲー
ト回路と、前記オフゲート用直流電源から電圧制御形半
導体素子のゲート端子への経路に挿入された第２スイッ
チと第２抵抗とを直列接続したオフゲート回路と、該オ
フゲート回路の両端に並列接続される第３スイッチと前
記第２抵抗より抵抗値の大きい第３抵抗とを直列接続し
た補助オフゲート回路と、外部からの制御信号に基づき
前記第１スイッチと第２スイッチとを交互にオン・オフ
させる駆動回路と、前記電圧制御形半導体素子のゲート
−エミッタ間またはゲート−ソース間の電圧を検出する
電圧検出手段と、該電圧検出手段の出力が所定の電圧以
下になったときに前記第１スイッチと第２スイッチとを
オフさせ、且つ第３スイッチをオンさせる信号を出力す
る低電圧検出回路とを備える。
【０００９】この発明によれば、電圧制御形半導体素子
の破損に伴って該素子のゲート−エミッタ間またはゲー
ト−ソース間が短絡したことを検知して、このときに通
常のオフゲート回路の第２抵抗より抵抗値の大きい第３
抵抗にすることによりゲート電流が小さくなるので、第
３抵抗，第２抵抗，オフゲート用直流電源などが焼損す
ることが防止される。
の破損に伴って該素子のゲート−エミッタ間またはゲー
ト−ソース間が短絡したことを検知して、このときに通
常のオフゲート回路の第２抵抗より抵抗値の大きい第３
抵抗にすることによりゲート電流が小さくなるので、第
３抵抗，第２抵抗，オフゲート用直流電源などが焼損す
ることが防止される。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の第１の実施例
を示す電圧制御形半導体素子の駆動装置の回路構成図で
あり、図４に示した従来例と同一機能を有するものには
同一符号を付している。すなわち図１においては、オン
ゲート回路５には第１スイッチとしてのスイッチ５ａ
と、第１抵抗としての抵抗５ｂとを備え、オフゲート回
路７には第２スイッチとしてのスイッチ６ａと、第２抵
抗としての抵抗６ｂと、抵抗６ｂより抵抗値の大きい第
３抵抗としての抵抗７ａとを備え、さらに外部からの制
御信号に基づきスイッチ５ａとスイッチ６ａとを交互に
オン・オフさせる駆動回路８と、ＩＧＢＴ１のゲート−
エミッタ間の電圧を検出して整流する整流回路９と、整
流回路９の出力を波形整形するフィルタ回路１０と、フ
ィルタ回路１０の出力が所定の電圧以下になったときに
異常信号を出力して駆動回路８を介してスイッチ５ａと
スイッチ６ａとをオフさせる低電圧検出回路１１とを備
える。
を示す電圧制御形半導体素子の駆動装置の回路構成図で
あり、図４に示した従来例と同一機能を有するものには
同一符号を付している。すなわち図１においては、オン
ゲート回路５には第１スイッチとしてのスイッチ５ａ
と、第１抵抗としての抵抗５ｂとを備え、オフゲート回
路７には第２スイッチとしてのスイッチ６ａと、第２抵
抗としての抵抗６ｂと、抵抗６ｂより抵抗値の大きい第
３抵抗としての抵抗７ａとを備え、さらに外部からの制
御信号に基づきスイッチ５ａとスイッチ６ａとを交互に
オン・オフさせる駆動回路８と、ＩＧＢＴ１のゲート−
エミッタ間の電圧を検出して整流する整流回路９と、整
流回路９の出力を波形整形するフィルタ回路１０と、フ
ィルタ回路１０の出力が所定の電圧以下になったときに
異常信号を出力して駆動回路８を介してスイッチ５ａと
スイッチ６ａとをオフさせる低電圧検出回路１１とを備
える。
【００１１】図１に示す電圧制御形半導体素子の駆動装
置の動作を、図２に示す動作波形図を参照しつつ、以下
に説明をする。図２において、時刻Ｔ0 以前の通常状態
の動作では図５に示した従来例の動作と同様である。図
２の時刻Ｔ0 に何らかの要因でＩＧＢＴ１が破損してＩ
ＧＢＴ１のゲート−エミッタ間が短絡状態になると（図
２（ハ）参照）、整流回路９の出力を波形整形するフィ
ルタ回路１０の出力は時間ｔ0 後に図２（ヘ）に示すよ
うにぼぼ零となり、低電圧検出回路１０が動作して異常
信号を出力し（図２（ト））、この異常信号は駆動回路
８を介してスイッチ５ａとスイッチ６ａとをオフさせる
ので、図２（ニ）に示すようにゲート電流ＩG は時間ｔ
0 間流れるが、その後抵抗７ａを介した僅かな電流とな
る。
置の動作を、図２に示す動作波形図を参照しつつ、以下
に説明をする。図２において、時刻Ｔ0 以前の通常状態
の動作では図５に示した従来例の動作と同様である。図
２の時刻Ｔ0 に何らかの要因でＩＧＢＴ１が破損してＩ
ＧＢＴ１のゲート−エミッタ間が短絡状態になると（図
２（ハ）参照）、整流回路９の出力を波形整形するフィ
ルタ回路１０の出力は時間ｔ0 後に図２（ヘ）に示すよ
うにぼぼ零となり、低電圧検出回路１０が動作して異常
信号を出力し（図２（ト））、この異常信号は駆動回路
８を介してスイッチ５ａとスイッチ６ａとをオフさせる
ので、図２（ニ）に示すようにゲート電流ＩG は時間ｔ
0 間流れるが、その後抵抗７ａを介した僅かな電流とな
る。
【００１２】図３は、この発明の第２の実施例を示す電
圧制御形半導体素子の駆動装置の回路構成図であり、図
１に示したこの発明の第１の実施例と同一機能を有する
ものには同一符号を付している。すなわち図３において
は、オンゲート回路５にはスイッチ５ａと抵抗５ｂとを
備え、オフゲート回路６にはスイッチ６ａと抵抗６ｂと
を備え、補助オフゲート回路１２にはスイッチ１２ａと
抵抗７ａとを備え、さらに外部からの制御信号に基づき
スイッチ５ａとスイッチ６ａとを交互にオン・オフさせ
る駆動回路８と、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッタ間の電
圧を検出して整流する整流回路９と、整流回路９の出力
を波形整形するフィルタ回路１０と、フィルタ回路１０
の出力が所定の電圧以下になったときに異常信号を出力
して駆動回路８を介してスイッチ５ａとスイッチ６ａと
をオフさせ、且つ第３スイッチとしてのスイッチ１２ａ
をオンさせる低電圧検出回路１３とを備える。
圧制御形半導体素子の駆動装置の回路構成図であり、図
１に示したこの発明の第１の実施例と同一機能を有する
ものには同一符号を付している。すなわち図３において
は、オンゲート回路５にはスイッチ５ａと抵抗５ｂとを
備え、オフゲート回路６にはスイッチ６ａと抵抗６ｂと
を備え、補助オフゲート回路１２にはスイッチ１２ａと
抵抗７ａとを備え、さらに外部からの制御信号に基づき
スイッチ５ａとスイッチ６ａとを交互にオン・オフさせ
る駆動回路８と、ＩＧＢＴ１のゲート−エミッタ間の電
圧を検出して整流する整流回路９と、整流回路９の出力
を波形整形するフィルタ回路１０と、フィルタ回路１０
の出力が所定の電圧以下になったときに異常信号を出力
して駆動回路８を介してスイッチ５ａとスイッチ６ａと
をオフさせ、且つ第３スイッチとしてのスイッチ１２ａ
をオンさせる低電圧検出回路１３とを備える。
【００１３】図３に示す電圧制御形半導体素子の駆動装
置の動作は、図１，図２に示したこの発明の第１の実施
例の動作とほぼ同様であり、図１に示したＩＧＢＴの駆
動装置の動作と異なる点は、低電圧検出回路１３が動作
したときに駆動回路８を介してスイッチ５ａとスイッチ
６ａとをオフさせると同時に、スイッチ１２ａをオンさ
せて補助オフゲート回路１２により僅かなゲート電流を
流すようにしていることである。
置の動作は、図１，図２に示したこの発明の第１の実施
例の動作とほぼ同様であり、図１に示したＩＧＢＴの駆
動装置の動作と異なる点は、低電圧検出回路１３が動作
したときに駆動回路８を介してスイッチ５ａとスイッチ
６ａとをオフさせると同時に、スイッチ１２ａをオンさ
せて補助オフゲート回路１２により僅かなゲート電流を
流すようにしていることである。
【００１４】図１，図３に示した電圧制御形半導体素子
の駆動装置においては、オンゲート用直流電源２の電圧
は＋１０ボルト前後、オフゲート用直流電源３の電圧は
−１０ボルト前後、抵抗５ｂ，抵抗６ｂは数オーム程度
に選定されるので、例えば抵抗７ａを数キロオームとす
ることにより僅かなゲート電流が流れるだけである。
の駆動装置においては、オンゲート用直流電源２の電圧
は＋１０ボルト前後、オフゲート用直流電源３の電圧は
−１０ボルト前後、抵抗５ｂ，抵抗６ｂは数オーム程度
に選定されるので、例えば抵抗７ａを数キロオームとす
ることにより僅かなゲート電流が流れるだけである。
【００１５】
【発明の効果】この発明によれば、電圧制御形半導体素
子の破損に伴って該素子のゲート−エミッタ間またはゲ
ート−ソース間が短絡したことを検知して、このときに
通常のオフゲート回路の第２抵抗より遙に抵抗値の大き
い第３抵抗に切り替えることによりゲート電流を僅かに
するので、第２抵抗，オフゲート用直流電源などが焼損
するといった事故の拡大が防止される。
子の破損に伴って該素子のゲート−エミッタ間またはゲ
ート−ソース間が短絡したことを検知して、このときに
通常のオフゲート回路の第２抵抗より遙に抵抗値の大き
い第３抵抗に切り替えることによりゲート電流を僅かに
するので、第２抵抗，オフゲート用直流電源などが焼損
するといった事故の拡大が防止される。
【図１】この発明の第１の実施例を示す電圧制御形半導
体素子の駆動装置の回路図
体素子の駆動装置の回路図
【図２】図１の動作を説明する波形図
【図３】この発明の第２の実施例を示す電圧制御形半導
体素子の駆動装置の回路図
体素子の駆動装置の回路図
【図４】従来例を示す電圧制御形半導体素子の駆動装置
の回路図
の回路図
【図５】図４の動作を説明する波形図
１…ＩＧＢＴ、２…オンゲート用直流電源、３…オフゲ
ート用直流電源、４…駆動回路、５…オンゲート回路、
５ａ…スイッチ、５ｂ…抵抗、６…オフゲート回路、６
ａ…スイッチ、６ｂ…抵抗、７…オフゲート回路、７ａ
…抵抗、８…駆動回路、９…整流回路、１０…フィル
タ、１１…低電圧検出回路、１２…補助オフゲート回
路、１２ａ…スイッチ、１３…低電圧検出回路。
ート用直流電源、４…駆動回路、５…オンゲート回路、
５ａ…スイッチ、５ｂ…抵抗、６…オフゲート回路、６
ａ…スイッチ、６ｂ…抵抗、７…オフゲート回路、７ａ
…抵抗、８…駆動回路、９…整流回路、１０…フィル
タ、１１…低電圧検出回路、１２…補助オフゲート回
路、１２ａ…スイッチ、１３…低電圧検出回路。
Claims (2)
- 【請求項１】電圧制御形半導体素子のゲート−エミッタ
間またはゲート−ソース間に、オンゲート電圧，オフゲ
ート電圧を印加するオンゲート用直流電源およびオフゲ
ート用直流電源を有した電圧制御形半導体素子の駆動装
置において、 前記オンゲート用直流電源から電圧制御形半導体素子の
ゲート端子への経路に挿入された第１スイッチと第１抵
抗とを直列接続したオンゲート回路と、 前記オフゲート用直流電源から電圧制御形半導体素子の
ゲート端子への経路に挿入された第２スイッチと第２抵
抗とを直列接続した回路の両端に該第２抵抗より抵抗値
の大きい第３抵抗を並列接続したオフゲート回路と、 外部からの制御信号に基づき前記第１スイッチと第２ス
イッチとを交互にオン・オフさせる駆動回路と、 前記電圧制御形半導体素子のゲート−エミッタ間または
ゲート−ソース間の電圧を検出する電圧検出手段と、 該電圧検出手段の出力が所定の電圧以下になったときに
前記第１スイッチと第２スイッチとをオフさせる信号を
出力する低電圧検出回路とを備えたことを特徴とする電
圧制御形半導体素子の駆動装置。 - 【請求項２】電圧制御形半導体素子のゲート−エミッタ
間またはゲート−ソース間に、オンゲート電圧，オフゲ
ート電圧を印加するオンゲート用直流電源およびオフゲ
ート用直流電源を有した電圧制御形半導体素子の駆動装
置において、 前記オンゲート用直流電源から電圧制御形半導体素子の
ゲート端子への経路に挿入された第１スイッチと第１抵
抗とを直列接続したオンゲート回路と、 前記オフゲート用直流電源から電圧制御形半導体素子の
ゲート端子への経路に挿入された第２スイッチと第２抵
抗とを直列接続したオフゲート回路と、 該オフゲート回路の両端に並列接続される第３スイッチ
と前記第２抵抗より抵抗値の大きい第３抵抗とを直列接
続した補助オフゲート回路と、 外部からの制御信号に基づき前記第１スイッチと第２ス
イッチとを交互にオン・オフさせる駆動回路と、 前記電圧制御形半導体素子のゲート−エミッタ間または
ゲート−ソース間の電圧を検出する電圧検出手段と、 該電圧検出手段の出力が所定の電圧以下になったときに
前記第１スイッチと第２スイッチとをオフさせ、且つ第
３スイッチをオンさせる信号を出力する低電圧検出回路
とを備えたことを特徴とする電圧制御形半導体素子の駆
動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8090758A JPH09285104A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 電圧制御形半導体素子の駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8090758A JPH09285104A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 電圧制御形半導体素子の駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09285104A true JPH09285104A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14007515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8090758A Pending JPH09285104A (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | 電圧制御形半導体素子の駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09285104A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102315632A (zh) * | 2011-10-14 | 2012-01-11 | 广东易事特电源股份有限公司 | 抑制igbt过电流的驱动电路 |
| CN105322927A (zh) * | 2014-06-02 | 2016-02-10 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于运行用于操控场效应晶体管结构的驱动电路的方法 |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP8090758A patent/JPH09285104A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102315632A (zh) * | 2011-10-14 | 2012-01-11 | 广东易事特电源股份有限公司 | 抑制igbt过电流的驱动电路 |
| CN105322927A (zh) * | 2014-06-02 | 2016-02-10 | 罗伯特·博世有限公司 | 用于运行用于操控场效应晶体管结构的驱动电路的方法 |
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