JPH09283651A - リード付き電子部品 - Google Patents
リード付き電子部品Info
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- JPH09283651A JPH09283651A JP9098696A JP9098696A JPH09283651A JP H09283651 A JPH09283651 A JP H09283651A JP 9098696 A JP9098696 A JP 9098696A JP 9098696 A JP9098696 A JP 9098696A JP H09283651 A JPH09283651 A JP H09283651A
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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Abstract
(57)【要約】
【課題】リード端子の機械的強度が弱く破断を生じる。
【解決手段】絶縁基体１に被着させたメタライズ金属層
５に銀ロウ材８を介してリード端子７を取着して成るリ
ード付き電子部品であって、前記リード端子７を鉄ーニ
ッケル系合金に外添加でニオブを０．５乃至５．０重量
％含有させた金属で形成した。
５に銀ロウ材８を介してリード端子７を取着して成るリ
ード付き電子部品であって、前記リード端子７を鉄ーニ
ッケル系合金に外添加でニオブを０．５乃至５．０重量
％含有させた金属で形成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリード端子を有する
電子部品、具体的には半導体素子収納用パッケージやハ
イブリッドＩＣ用配線基板等のリード付き電子部品に関
するものである。
電子部品、具体的には半導体素子収納用パッケージやハ
イブリッドＩＣ用配線基板等のリード付き電子部品に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、リード付き電子部品、例えば半導
体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ
は、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成
り、その上面の略中央部に半導体素子を収容するための
凹部及び該凹部周辺から外周端にかけて導出されたタン
グステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末か
ら成るメタライズ金属層を有する絶縁基体と、半導体素
子を外部電気回路に電気的に接続するために前記メタラ
イズ金属層に銀ロウ（銀ー銅合金）材を介して取着され
た鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の
鉄ーニッケル系合金から成るリード端子と、蓋体とから
構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子を取
着固定し、半導体素子の各電極とメタライズ金属層とを
ボンディングワイヤを介して電気的に接続するとともに
絶縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止材により接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素
子を気密に収容することによって製品としての半導体装
置となる。
体素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ
は、酸化アルミニウム質焼結体等の電気絶縁材料から成
り、その上面の略中央部に半導体素子を収容するための
凹部及び該凹部周辺から外周端にかけて導出されたタン
グステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末か
ら成るメタライズ金属層を有する絶縁基体と、半導体素
子を外部電気回路に電気的に接続するために前記メタラ
イズ金属層に銀ロウ（銀ー銅合金）材を介して取着され
た鉄ーニッケルーコバルト合金や鉄ーニッケル合金等の
鉄ーニッケル系合金から成るリード端子と、蓋体とから
構成されており、絶縁基体の凹部底面に半導体素子を取
着固定し、半導体素子の各電極とメタライズ金属層とを
ボンディングワイヤを介して電気的に接続するとともに
絶縁基体上面に蓋体をガラス、樹脂等の封止材により接
合させ、絶縁基体と蓋体とから成る容器内部に半導体素
子を気密に収容することによって製品としての半導体装
置となる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来のリード付き電子部品においては、リード端子が絶縁
基体に設けたメタライズ金属層に銀ロウ材を介して取着
されており、該銀ロウ材の融点は７８０℃であり、リー
ド端子取着処理温度が７８０〜９００℃と高いことから
リード端子をメタライズ金属層に取着する際、銀ロウ材
を溶融させる熱がリード端子に印加されるとリード端子
の結晶が粗大化するとともに結晶粒界に銀ロウ材の一部
が拡散してしまい、その結果、リード端子に銀ロウ材に
よる粒界腐食が発生し、リード端子に破断を招来して機
械的強度が劣化するという欠点を有していた。特にリー
ド端子と外部電気回路との接続を容易とするためにリー
ド端子に折り曲げ加工を施した場合、その折り曲げの応
力が銀ロウ材による粒界腐食を助長してリード端子を極
めて簡単に破断させてしまうという欠点を有する。
来のリード付き電子部品においては、リード端子が絶縁
基体に設けたメタライズ金属層に銀ロウ材を介して取着
されており、該銀ロウ材の融点は７８０℃であり、リー
ド端子取着処理温度が７８０〜９００℃と高いことから
リード端子をメタライズ金属層に取着する際、銀ロウ材
を溶融させる熱がリード端子に印加されるとリード端子
の結晶が粗大化するとともに結晶粒界に銀ロウ材の一部
が拡散してしまい、その結果、リード端子に銀ロウ材に
よる粒界腐食が発生し、リード端子に破断を招来して機
械的強度が劣化するという欠点を有していた。特にリー
ド端子と外部電気回路との接続を容易とするためにリー
ド端子に折り曲げ加工を施した場合、その折り曲げの応
力が銀ロウ材による粒界腐食を助長してリード端子を極
めて簡単に破断させてしまうという欠点を有する。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点に鑑み
案出されたもので、その目的はメタライズ金属層に銀ロ
ウ材を介して取着されたリード端子に破断が生じるのを
有効に防止し、リード端子の機械的強度を強いものとし
てリード端子を外部電気回路に確実、強固に電気的接続
することができるリード付き電子部品を提供することに
ある。
案出されたもので、その目的はメタライズ金属層に銀ロ
ウ材を介して取着されたリード端子に破断が生じるのを
有効に防止し、リード端子の機械的強度を強いものとし
てリード端子を外部電気回路に確実、強固に電気的接続
することができるリード付き電子部品を提供することに
ある。
【０００５】本発明は、絶縁基体に被着させたメタライ
ズ金属層に銀ロウ材を介してリード端子を取着して成る
リード付き電子部品であって、前記リード端子を鉄ーニ
ッケル系合金に外添加でニオブを０．５乃至５．０重量
％含有させた金属で形成したことを特徴とするものであ
る。
ズ金属層に銀ロウ材を介してリード端子を取着して成る
リード付き電子部品であって、前記リード端子を鉄ーニ
ッケル系合金に外添加でニオブを０．５乃至５．０重量
％含有させた金属で形成したことを特徴とするものであ
る。
【０００６】本発明のリード付き電子部品によれば、リ
ード端子を鉄ーニッケル系合金に外添加でニオブを０．
５乃至５．０重量％含有させた金属で形成し、内部に結
晶の粗大化を抑制するニオブを含有させたことからリー
ド端子に高熱が印加されたとしてもリード端子の結晶が
粗大化するとともに結晶粒界に銀ロウ材の一部が拡散す
ることは殆どなく、その結果、リード端子の銀ロウ材に
よる粒界腐食が有効に防止されてリード端子に破断が招
来することはなく、機械的強度を強いものとしてリード
端子を外部電気回路に確実、強固に電気的接続すること
が可能となる。
ード端子を鉄ーニッケル系合金に外添加でニオブを０．
５乃至５．０重量％含有させた金属で形成し、内部に結
晶の粗大化を抑制するニオブを含有させたことからリー
ド端子に高熱が印加されたとしてもリード端子の結晶が
粗大化するとともに結晶粒界に銀ロウ材の一部が拡散す
ることは殆どなく、その結果、リード端子の銀ロウ材に
よる粒界腐食が有効に防止されてリード端子に破断が招
来することはなく、機械的強度を強いものとしてリード
端子を外部電気回路に確実、強固に電気的接続すること
が可能となる。
【０００７】
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明のリード付き
電子部品として半導体素子を収容するための半導体素子
収納用パッケージを例に採って示した断面図及び平面図
であり、１は電気絶縁材料から成る絶縁基体、２は同じ
く電気絶縁材料から成る蓋体である。この絶縁基体１と
蓋体２とで半導体素子４を収容するための絶縁容器３が
構成される。
詳細に説明する。図１及び図２は、本発明のリード付き
電子部品として半導体素子を収容するための半導体素子
収納用パッケージを例に採って示した断面図及び平面図
であり、１は電気絶縁材料から成る絶縁基体、２は同じ
く電気絶縁材料から成る蓋体である。この絶縁基体１と
蓋体２とで半導体素子４を収容するための絶縁容器３が
構成される。
【０００８】前記絶縁基体１にはその上面中央部に半導
体素子４を収容するための凹部１ａが設けてあり、該凹
部１ａ底面には半導体素子４がガラス、樹脂、ロウ材等
の接着剤を介して取着される。
体素子４を収容するための凹部１ａが設けてあり、該凹
部１ａ底面には半導体素子４がガラス、樹脂、ロウ材等
の接着剤を介して取着される。
【０００９】前記絶縁基体１は、例えば、酸化アルミニ
ウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等
のセラミック原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともこれをドクターブード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともに複数枚積層し、高温（約１６００℃）
で焼成することによって製作される。
ウム質焼結体等の電気絶縁材料から成り、酸化アルミニ
ウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、酸化カルシウム等
のセラミック原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混
合して泥漿状となすとともこれをドクターブード法やカ
レンダーロール法を採用することによってセラミックグ
リーンシート（セラミック生シート）を形成し、しかる
後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加
工を施すとともに複数枚積層し、高温（約１６００℃）
で焼成することによって製作される。
【００１０】また前記絶縁基体１は凹部１ａ周辺から外
周端にかけて複数個のメタライズ金属層５が被着形成さ
れており、該メタライズ金属層５の凹部１ａ周辺部には
半導体素子４の電極がボンディングワイヤ６を介して電
気的に接続され、またメタライズ金属層５の外周端部に
は外部電気回路と接続される多数のリード端子７が銀ロ
ウ材８を介して取着されている。
周端にかけて複数個のメタライズ金属層５が被着形成さ
れており、該メタライズ金属層５の凹部１ａ周辺部には
半導体素子４の電極がボンディングワイヤ６を介して電
気的に接続され、またメタライズ金属層５の外周端部に
は外部電気回路と接続される多数のリード端子７が銀ロ
ウ材８を介して取着されている。
【００１１】前記メタライズ金属層５はタングステン、
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、該
タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となる
セラミックグリーンシートにら予め従来周知のスクリー
ン印刷法を採用することにより所定パターンに陰更塗布
しておくことによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から外
周端にかけて被着形成される。
モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末から成り、該
タングステン等の高融点金属粉末に適当な有機溶剤、溶
媒を添加混合して得た金属ペーストを絶縁基体１となる
セラミックグリーンシートにら予め従来周知のスクリー
ン印刷法を採用することにより所定パターンに陰更塗布
しておくことによって絶縁基体１の凹部１ａ周辺から外
周端にかけて被着形成される。
【００１２】尚、前記メタライズ金属層５はその外表面
にニッケル及び金をその各々の厚みを１μｍ〜１０μ
ｍ、０．１μｍ〜５μｍとしてに順次、メッキ法により
層着させておくとメタライズ金属層５が酸化腐食するの
を有効に防止しつつメタライズ金属層５とボンディング
ワイヤ６との接続及びメタライズ金属層５とリード端子
７との銀ロウ材を介しての取着を極めて強固となすこと
ができる。従って、前記メタライズ金属層５はその表面
にニッケル及び金を各々、１μｍ〜１０μｍ、０．１μ
ｍ〜５μｍの厚みに順次、層着させておくことが好まし
い。
にニッケル及び金をその各々の厚みを１μｍ〜１０μ
ｍ、０．１μｍ〜５μｍとしてに順次、メッキ法により
層着させておくとメタライズ金属層５が酸化腐食するの
を有効に防止しつつメタライズ金属層５とボンディング
ワイヤ６との接続及びメタライズ金属層５とリード端子
７との銀ロウ材を介しての取着を極めて強固となすこと
ができる。従って、前記メタライズ金属層５はその表面
にニッケル及び金を各々、１μｍ〜１０μｍ、０．１μ
ｍ〜５μｍの厚みに順次、層着させておくことが好まし
い。
【００１３】また前記絶縁基体１の外周端部に取着され
たリード端子７は内部に収容する半導体素子４を外部電
気回路に接続する作用をなし、リード端子７を外部電気
回路に電気的に接続することによって内部に収容した半
導体素子４はメタライズ金属層５及びリード端子７を介
し外部電気回路に接続されることとなる。前記リード端
子７は鉄ーニッケル系合金にニオブを外添加で０．５重
量％乃至５．０重量％含有させた金属から成り、例え
ば、５４重量％の鉄ー２９重量％のニッケルー１７重量
％のコバルトより形成される合金や５８重量％の鉄ー４
２重量％のニッケルより形成される合金にニオブを外添
加で０．５重量％乃至５．０重量％含有させた金属が好
適に使用される。
たリード端子７は内部に収容する半導体素子４を外部電
気回路に接続する作用をなし、リード端子７を外部電気
回路に電気的に接続することによって内部に収容した半
導体素子４はメタライズ金属層５及びリード端子７を介
し外部電気回路に接続されることとなる。前記リード端
子７は鉄ーニッケル系合金にニオブを外添加で０．５重
量％乃至５．０重量％含有させた金属から成り、例え
ば、５４重量％の鉄ー２９重量％のニッケルー１７重量
％のコバルトより形成される合金や５８重量％の鉄ー４
２重量％のニッケルより形成される合金にニオブを外添
加で０．５重量％乃至５．０重量％含有させた金属が好
適に使用される。
【００１４】前記リード端子７は鉄ーニッケル系合金に
ニオブを外添加で０．５重量％乃至５．０重量％含有さ
せた金属で形成され、内部に結晶の粗大化を抑制するニ
オブが含有されていることからリード端子７を絶縁基体
１に設けたメタライズ金属層５に銀ロウ材８を介して取
着させる際、リード端子７に銀ロウ材８を溶融させる熱
が印加されたとしてもリード端子７の結晶が粗大化する
とともに結晶粒界に銀ロウ材の一部が拡散することは殆
どなく、その結果、リード端子７の銀ロウ材による粒界
腐食が有効に防止されてリード端子に破断が発生するこ
とはない。
ニオブを外添加で０．５重量％乃至５．０重量％含有さ
せた金属で形成され、内部に結晶の粗大化を抑制するニ
オブが含有されていることからリード端子７を絶縁基体
１に設けたメタライズ金属層５に銀ロウ材８を介して取
着させる際、リード端子７に銀ロウ材８を溶融させる熱
が印加されたとしてもリード端子７の結晶が粗大化する
とともに結晶粒界に銀ロウ材の一部が拡散することは殆
どなく、その結果、リード端子７の銀ロウ材による粒界
腐食が有効に防止されてリード端子に破断が発生するこ
とはない。
【００１５】尚、前記リード端子７は鉄ーニッケル系合
金に外添加で含有されるニオブの量が０．５重量％未満
であるとリード端子７の結晶の粗大化及び結晶粒界に銀
ロウ材の一部が拡散するのを有効に抑制することができ
ず、また５．０重量％を越えるとリード端子７と銀ロウ
材８との濡れ性が悪いものとなり、リード端子７を銀ロ
ウ材８を介してメタライズ金属層５に強固に取着させる
ことが困難となってしまう。従って、前記リード端子７
のニオブの量は鉄ーニッケル系合金に対し外添加で０．
５乃至５．０重量％の範囲に特定される。
金に外添加で含有されるニオブの量が０．５重量％未満
であるとリード端子７の結晶の粗大化及び結晶粒界に銀
ロウ材の一部が拡散するのを有効に抑制することができ
ず、また５．０重量％を越えるとリード端子７と銀ロウ
材８との濡れ性が悪いものとなり、リード端子７を銀ロ
ウ材８を介してメタライズ金属層５に強固に取着させる
ことが困難となってしまう。従って、前記リード端子７
のニオブの量は鉄ーニッケル系合金に対し外添加で０．
５乃至５．０重量％の範囲に特定される。
【００１６】また前記リード端子７は鉄ーニッケルーコ
バルトーニオブを所定重量比で配合した合金のイッゴッ
ト（塊）に従来周知のプレス成形法及び打ち抜き加工法
等の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成さ
れる。
バルトーニオブを所定重量比で配合した合金のイッゴッ
ト（塊）に従来周知のプレス成形法及び打ち抜き加工法
等の金属加工法を施すことによって所定の形状に形成さ
れる。
【００１７】更に前記リード端子７の絶縁基体１に設け
たメタライズ金属層５への取着は、例えば絶縁基体１に
設けたメタライズ金属層５上にリード端子７を間に銀ロ
ウ材８の箔を挟んで載置させ、しかる後、前記銀ロウ材
の箔を７８０〜９００℃の温度で加熱し、銀ロウ材８を
溶融させることによって行われる。
たメタライズ金属層５への取着は、例えば絶縁基体１に
設けたメタライズ金属層５上にリード端子７を間に銀ロ
ウ材８の箔を挟んで載置させ、しかる後、前記銀ロウ材
の箔を７８０〜９００℃の温度で加熱し、銀ロウ材８を
溶融させることによって行われる。
【００１８】また更に前記リード端子７はその表面に耐
蝕性及びロウ材との濡れ性に優れるニッケル、金等の金
属を０．１μｍ〜１０μｍの厚みにメッキ法により層着
させておくとリード端子７の酸化腐食が有効に防止され
るとともにリード端子７の外部電気回路へのロウ材を介
しての電気的接続が良好となる。従って、前記リード端
子７はその表面に耐蝕性及びロウ材との濡れ性に優れる
ニッケル、金等の金属をメッキ法により０．１μｍ〜１
０μｍの厚みに層着させておくことが好ましい。
蝕性及びロウ材との濡れ性に優れるニッケル、金等の金
属を０．１μｍ〜１０μｍの厚みにメッキ法により層着
させておくとリード端子７の酸化腐食が有効に防止され
るとともにリード端子７の外部電気回路へのロウ材を介
しての電気的接続が良好となる。従って、前記リード端
子７はその表面に耐蝕性及びロウ材との濡れ性に優れる
ニッケル、金等の金属をメッキ法により０．１μｍ〜１
０μｍの厚みに層着させておくことが好ましい。
【００１９】かくしてこの半導体素子収納用パッケージ
によれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子４を
ガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して取着固定する
とともに半導体素子４の各電極をリード端子７が取着さ
れているメタライズ金属層５にボンディングワイヤ６を
介して接続し、しかる後、前記絶縁基体１の上面に蓋体
２を樹脂、ガラス等の封止材を介して接合させ、絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器内部に半導体素子４を気密
に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。
によれば、絶縁基体１の凹部１ａ底面に半導体素子４を
ガラス、樹脂、ロウ材等の接着剤を介して取着固定する
とともに半導体素子４の各電極をリード端子７が取着さ
れているメタライズ金属層５にボンディングワイヤ６を
介して接続し、しかる後、前記絶縁基体１の上面に蓋体
２を樹脂、ガラス等の封止材を介して接合させ、絶縁基
体１と蓋体２とから成る容器内部に半導体素子４を気密
に収容することによって製品としての半導体装置とな
る。
【００２０】（実験例）次に本発明の作用効果を以下の
実験例に基づき説明する。まず５８重量％の鉄と４２重
量％のニッケルより成る鉄ーニッケル合金（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）及び５４重量％の鉄と２９重量％のニッケルと１７
重量％のコバルトより成る鉄ーニッケルーコバルト合金
（Ｆ−Ｎｉ−Ｃｏ）にニオブ（Ｎｂ）を外添加で表１に
示す量添加した幅０．２ｍｍ、厚み０．１５ｍｍ、長さ
４ｍｍのリード端子試料を各々、５０本づつ準備する。
実験例に基づき説明する。まず５８重量％の鉄と４２重
量％のニッケルより成る鉄ーニッケル合金（Ｆｅ−Ｎ
ｉ）及び５４重量％の鉄と２９重量％のニッケルと１７
重量％のコバルトより成る鉄ーニッケルーコバルト合金
（Ｆ−Ｎｉ−Ｃｏ）にニオブ（Ｎｂ）を外添加で表１に
示す量添加した幅０．２ｍｍ、厚み０．１５ｍｍ、長さ
４ｍｍのリード端子試料を各々、５０本づつ準備する。
【００２１】次に前記各リード端子試料の一端側を長さ
０．５ｍｍにわたって絶縁基体に設けた幅０．３ｍｍ、
長さ１ｍｍの５０本のメタライズ金属層の各々に銀ロウ
材を介して取着し、評価用サンプルを作成する。
０．５ｍｍにわたって絶縁基体に設けた幅０．３ｍｍ、
長さ１ｍｍの５０本のメタライズ金属層の各々に銀ロウ
材を介して取着し、評価用サンプルを作成する。
【００２２】次に前記評価用サンプルの各リード端子試
料を８５ｇｆの力で絶縁基体に対し直角方向、水平方向
に繰り返し６回、折り曲げ、この操作中にリード端子試
料が破断したものの数を調べるとともにその数から不良
発生率を求めた。
料を８５ｇｆの力で絶縁基体に対し直角方向、水平方向
に繰り返し６回、折り曲げ、この操作中にリード端子試
料が破断したものの数を調べるとともにその数から不良
発生率を求めた。
【００２３】尚、前記評価用サンプルにおいて絶縁基体
に設けられたメタライズ金属層はその表面にニッケル及
び金がメッキ法により各々、３μｍ、２μｍの厚みに順
次、層着されている。
に設けられたメタライズ金属層はその表面にニッケル及
び金がメッキ法により各々、３μｍ、２μｍの厚みに順
次、層着されている。
【００２４】また各メタライズ金属層に銀ロウ材を介し
て取着された各リード端子試料の表面にもニッケル及び
金がメッキ法により各々、３μｍ、２μｍの厚みに順
次、層着されている。
て取着された各リード端子試料の表面にもニッケル及び
金がメッキ法により各々、３μｍ、２μｍの厚みに順
次、層着されている。
【００２５】更に表１中、試料番号１３、１４のものは
本発明品と比較するための比較試料であり、リード端子
中にニオブを全く含有していないものである。上記の結
果を表１に示す。
本発明品と比較するための比較試料であり、リード端子
中にニオブを全く含有していないものである。上記の結
果を表１に示す。
【００２６】
【表１】
【００２７】上記実験結果からも判るように鉄ーニッケ
ル系合金にニオブを含有させない従来品（試料番号１
３、１４）はリード端子に折り曲げ応力を印加すると４
６％以上のリード端子に破断が発生し、機械的強度が極
めて弱いものであるのに対し、鉄ーニッケル系合金にニ
オブを外添加で０．５乃至５．０重量％含有させた本発
明品は折り曲げによる応力が印加されても破断を発生す
ることは全くなく、リード端子の機械的強度が極めて強
いことが判る。
ル系合金にニオブを含有させない従来品（試料番号１
３、１４）はリード端子に折り曲げ応力を印加すると４
６％以上のリード端子に破断が発生し、機械的強度が極
めて弱いものであるのに対し、鉄ーニッケル系合金にニ
オブを外添加で０．５乃至５．０重量％含有させた本発
明品は折り曲げによる応力が印加されても破断を発生す
ることは全くなく、リード端子の機械的強度が極めて強
いことが判る。
【００２８】
【発明の効果】本発明のリード付き電子部品によれば、
リード端子を鉄ーニッケル系合金に外添加でニオブを
０．５乃至５．０重量％含有させた金属で形成し、内部
に結晶の粗大化を抑制するニオブを含有させたことから
リード端子に高熱が印加されたとしてもリード端子の結
晶が粗大化するとともに結晶粒界に銀ロウ材の一部が拡
散することは殆どなく、その結果、リード端子の銀ロウ
材による粒界腐食が有効に防止されてリード端子に破断
が招来することはなく、機械的強度を強いものとしてリ
ード端子を外部電気回路に確実、強固に電気的接続する
ことが可能となる。
リード端子を鉄ーニッケル系合金に外添加でニオブを
０．５乃至５．０重量％含有させた金属で形成し、内部
に結晶の粗大化を抑制するニオブを含有させたことから
リード端子に高熱が印加されたとしてもリード端子の結
晶が粗大化するとともに結晶粒界に銀ロウ材の一部が拡
散することは殆どなく、その結果、リード端子の銀ロウ
材による粒界腐食が有効に防止されてリード端子に破断
が招来することはなく、機械的強度を強いものとしてリ
ード端子を外部電気回路に確実、強固に電気的接続する
ことが可能となる。
【図１】本発明のリード付き電子部品を半導体素子を収
容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一
実施例を示す断面図である。
容する半導体素子収納用パッケージに適用した場合の一
実施例を示す断面図である。
【図２】図１に示すパッケージの絶縁基体の平面図であ
る。
る。
１・・・絶縁基体 ２・・・蓋体 ３・・・容器 ４・・・半導体素子 ５・・・メタライズ金属層 ７・・・リード端子 ８・・・銀ロウ材
Claims (1)
- 【請求項１】絶縁基体に被着させたメタライズ金属層に
銀ロウ材を介してリード端子を取着して成るリード付き
電子部品であって、前記リード端子を鉄ーニッケル系合
金に外添加でニオブを０．５乃至５．０重量％含有させ
た金属で形成したことを特徴とするリード付き電子部
品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9098696A JP3309045B2 (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | リード付き電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9098696A JP3309045B2 (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | リード付き電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283651A true JPH09283651A (ja) | 1997-10-31 |
| JP3309045B2 JP3309045B2 (ja) | 2002-07-29 |
Family
ID=14013843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9098696A Expired - Fee Related JP3309045B2 (ja) | 1996-04-12 | 1996-04-12 | リード付き電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3309045B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102217059A (zh) * | 2011-06-03 | 2011-10-12 | 华为技术有限公司 | 一种封装用绝缘环、绝缘环组合件和封装体 |
-
1996
- 1996-04-12 JP JP9098696A patent/JP3309045B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102217059A (zh) * | 2011-06-03 | 2011-10-12 | 华为技术有限公司 | 一种封装用绝缘环、绝缘环组合件和封装体 |
| WO2011157171A3 (zh) * | 2011-06-03 | 2012-05-03 | 华为技术有限公司 | 一种封装用绝缘环、绝缘环组合件和封装体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3309045B2 (ja) | 2002-07-29 |
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