JPH09275145A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージの面積増を抑えつつ高周波信号の
伝送特性を高める。 【解決手段】 低周波伝送線２２についてはグランド導
体９が片脇だけに配置されコプレナ配線を採用する。高
周波伝送線２１については両脇にグランド導体９、９が
配置されたコプレナ配線を採用する。ペレットの実装部
６をベース４に対し偏心配置させて両差動信号線２１
ａ、２１ｂを互いに対称形に配置して等長配線する。 【効果】 低周波伝送線につき両脇にグランド導体を配
置する場合に比べコプレナ配線の占拠面積を半減でき
る。コプレナ配線によりベースおよびペレットの面積増
を抑制しつつ高周波伝送線間のクロストーク・ノイズを
防止でき、伝送特性を向上できる。等長配線により両差
動信号線間の伝送特性を均等化できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、高周波信号を伝送する信号線の伝送特性の改善に関
する技術に関し、例えば、超高周波数領域で使用される
半導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）に利用して
有効な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣは高集積化と微細加工化が推進され
ており、それに伴い配線構造も微細となり、高密度の配
線構造が要求されてきている。また、高集積化および高
密度の配線構造を有するＩＣを実装するためのパッケー
ジとしては、近年、パッケージの四つの側面すべてから
外部端子（アウタリード）が出ているＱＦＰ（Ｑｕａｄ
Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等が使用されている。他
方、光通信装置等に使用される超高周波数領域（例えば
１０ＧＨｚ）で動作するＩＣをこれらのパッケージに搭
載した場合には、信号を伝送する信号線についての信号
遅延、反射、クロストーク・ノイズ等の伝送特性をいか
に改善するかが重要な課題になる。

【０００３】このような高周波数領域で使用されるＩＣ
として、所謂コプレナ配線を採用したＩＣがある。すな
わち、ベースの一主面に複数本の高周波信号伝送用の信
号線が敷設されており、各信号線の両脇に電源導体が配
線されているＩＣである。

【０００４】なお、このような高周波数領域で使用され
るＩＣを述べてある例として、特開平６−２１６２７２
号公報がある。この文献に開示されているＩＣは、パッ
ケージ基板（ベース）の主面に形成された信号伝送線路
の一端が半導体チップの主面に形成されたパッドの直下
まで延在されて、信号伝送線路の一端と半導体チップ
（半導体ペレット）のパッドとがバンプ電極を介して電
気的に接続されており、また、信号伝送線路の他端がパ
ッケージ基板の主面の外部に延在されて外部リードに接
合されている。さらに、このＩＣにおける高周波信号伝
送用の伝送線路の両脇には電源導体がそれぞれ敷設され
ている。そして、このＩＣによれば、外部リードからパ
ッケージ基板の信号伝送線路を経て半導体チップの電極
パッドに至るまでの伝送特性を良好に保存することがで
きるため、パッケージ内の信号伝送線路の特性インピー
ダンスを良好に整合させることができる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、コプレ
ナ配線技術を使用した従来の高周波数領域で使用される
ＩＣにおいては、半導体ペレットおよびパッケージの平
面面積が大きくなるという問題点があることが本発明者
によって明らかにされた。例えば、高周波信号伝送用の
信号線の本数が増加した場合には、コプレナ配線に必要
な面積が倍増するため、半導体ペレットおよびパッケー
ジの平面面積が大きくなる。また、差動信号伝送用の一
対の信号線を等長配線に設定しようとした場合に、両差
動信号伝送用信号線をパッケージの中心線に対して対称
形に配線するとともに、両差動信号伝送用信号線がそれ
ぞれ接続されるバンプ電極を半導体ペレットの中心線に
対して対称形状に配置する必要があるため、差動信号伝
送用信号線およびバンプ電極のレイアウトが制約される
ことより、半導体ペレットおよびパッケージの平面面積
が大きくなる。また、両差動信号伝送用信号線の形状が
屈曲された状態になって伝送損失が発生したりする。

【０００６】本発明の目的は、半導体ペレットおよびパ
ッケージの平面面積の増加を防止しつつ高周波数領域に
おける伝送特性を高めることができる半導体装置を提供
することにある。

【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。

【０００９】すなわち、ベースの一主面に敷設されてい
る複数本の信号線のうち、相対的に低周波の信号を伝送
する信号線については片脇だけに電源導体を配線したこ
とを特徴とする。

【００１０】半導体ペレットがベースに対して偏心され
ることにより、信号線群のうち差動信号伝送用の一対の
信号線は互いに線対称形に配線されて、互いの長さが等
しく設定されていることを特徴とする。

【００１１】前記した第１の手段によれば、低周波伝送
用信号線について片脇に電源導体を配線しない分だけ、
信号線におけるコプレナ配線に使用される面積を低減さ
せることができる。他方、低周波信号伝送用の信号線に
おいては片脇のコプレナ配線で伝送特性の悪化を充分に
防止することができるため、全体としての伝送特性は、
コプレナ配線されない場合に比べて高めることができ
る。

【００１２】前記した第２の手段によれば、差動信号伝
送用の一対の信号線が等長配線されているため、伝送特
性は互いに均等になる。しかも、半導体ペレットをベー
スに対して偏心させて配置することにより、半導体ペレ
ットおよびベースのサイズは変更しなくて済むため、半
導体ペレットおよびベースの平面面積が増加するのを回
避することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施形態である
半導体集積回路装置を示しており、（ａ）は一部省略平
面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う拡大断面図であ
る。図２はその正面断面図である。図３は高周波伝送線
を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は（ａ）の
ｂ−ｂ線に沿う平面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線
に沿う平面断面図である。図４は低周波伝送線を示して
おり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線
に沿う平面断面図、（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う平
面断面図である。図５以降は作用および効果を説明する
各説明図である。

【００１４】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、光通信装置に使用される超高周波数領域用の半
導体集積回路装置（以下、ＩＣという。）１として構成
されており、気密封止パッケージ（以下、パッケージと
いう。）２を備えている。このＩＣ１のパッケージ２は
封止体と複数本のアウタリード（外部リード）とを備え
ており、封止体３はいずれも絶縁性を有するベースおよ
びキャップによって構築されている。ベース４はアルミ
ナやムライトおよび窒化アルミニウム等の絶縁性を有す
るセラミック材料が使用されて略正方形の平盤形状に形
成されている。ベース４の一方の主面（以下、下面とす
る。）にはグランド端子面５が、タングステンやニッケ
ル、金、銅およびクロム等の導電性材料を蒸着法やめっ
き法等により略全面にわたって被着されて形成されてい
る。グランド端子面５は光通信装置のプリント配線基板
（図示せず）におけるランド等に接合されて、安定した
グランド電位を維持するように設定されている。

【００１５】ベース４のグランド端子面５と反対側の主
面（以下、上面とする。）には後記する半導体ペレット
（以下、ペレットという。）を実装するための実装部６
が、ペレットの外形に対応する略正方形形状に設定され
ており、実装部６の周辺部には後記するバンプ電極を機
械的かつ電気的に接続するためのボンディングパッド７
が複数個、互いに間隔を置いた状態で環状に配置されて
形成されている。本実施形態において、実装部６はベー
ス４の上面における中心Ｏよりも一方向（以下、前方向
とし、前後左右は図１を基準とする。）に偏心されて配
置されており、その偏心量Ｅは後記する差動信号伝送用
の一対の信号線のアウタリードのベースに対する偏心量
に対応されている。

【００１６】また、ベース４の上面の周辺部には、電源
導体の一方である駆動電源導体（以下、電源導体とい
う。）８、電源導体の他方である基準電源導体（以下、
グランド導体という。）９および後記する信号線２０が
複数本宛、実装部６の外側に放射状に形成されている。
ボンディングパッド７、電源導体８、グランド導体９お
よび信号線２０は銅やタングステン等の導電性材料が、
スクリーン印刷法やめっき法および蒸着法等の被着手段
によって被着かつパターニングされて形成されており、
ボンディングパッド７の表面には、後記するバンプ電極
の結合等の必要に応じてめっき処理等の表面処理が適宜
に実施されている。そして、各電源導体８、各グランド
導体９および各信号線２０は対向するボンディングパッ
ド７にそれぞれ電気的に接続された状態になっている。

【００１７】ベース４の内部には内部電源配線１０が敷
設されており、内部電源配線１０には一方においてスル
ーホール導体１１を介してベース４の上面に敷設された
電源導体８が電気的に接続され、他方において後記する
アウタリードが電気的に接続されている。また、ベース
４の内部には内部グランド配線１２が内部電源配線１０
を上下両脇から挟むようにそれぞれ配置されて敷設され
ており、内部グランド配線１２には一方においてスルー
ホール導体１３を介してグランド導体９が電気的に接続
され、他方においてグランド端子面５が電気的に接続さ
れている。

【００１８】封止体３のキャップ１４は側壁部材１５と
天井部材１６とを備えている。側壁部材１５はベース４
と同一の材料を使用されて外径がベース４よりも若干大
きめの略正方形の枠形状に形成されており、ベース４の
上に同心的に配されて一体的に焼成されている。キャッ
プ１４の天井部材１６は金めっき被膜を被着された４２
アロイ等の金属板によって側壁部材１５の外径と略等し
い略正方形の板形状に形成されており、後記するペレッ
トがベース４の実装部６に実装された後に側壁部材１５
の上面に被せられて、ろう材層（図示せず）によって固
着されるようになっている。

【００１９】側壁部材１５のベース４との合わせ面であ
る下面には４２アロイやコバール等の導電性材料を使用
されて矩形の板形状に形成されたアウタリード１７が複
数本、四辺において互いに間隔を置かれて各辺に直交す
るように配設されており、各アウタリード１７は各電源
導体８、各グランド導体９および各信号線に適宜に電気
的に接続されている。この場合、各電源導体８および各
グランド導体９には同一のものにアウタリード１７が複
数本宛接続されている。

【００２０】複数本の信号線２０は入力用と出力用とに
ベース４の上面において実装部６を挟んで左右に分配さ
れて放射状に配線されているとともに、いずれの信号線
２０も通常のＩＣの取り扱う周波数に比べれば高周波数
領域であるマイクロ波領域の信号を伝送するものとして
構成されている。また、本実施形態において、複数本の
信号線２０は高周波数領域でも特に高周波である１０Ｇ
Ｈｚ程度の信号を伝送する高周波伝送用信号線（以下、
高周波伝送線という。）２１と、この高周波伝送線２１
の伝送する信号の周波数よりも相対的に低周波である１
ＧＨｚ以下の信号を伝送する相対低周波伝送用信号線
（以下、低周波伝送線という。）２２とを備えている。
さらに、高周波伝送線２１のうち一対のものは、互いに
正逆反転した信号を伝送する差動信号線２１ａおよび２
１ｂとして構成されている。

【００２１】図３に示されているように、ベース４の上
面における高周波伝送線２１の両脇には一対のグランド
導体９、９がそれぞれ近接されて敷設されている。ま
た、高周波伝送線２１はベース４の上面における実装部
６のエリアにおいてベース４の内部に潜らされてボンデ
ィングパッド７に電気的に接続されることにより、ボン
ディングパッド７の外側にダム部２３を形成されてい
る。ダム部２３はボンディングパッド７に後記するバン
プ電極が接続される際に、バンプ電極の半田が流出する
のを防止するように機能する。

【００２２】図３に示されている高周波伝送線２１に対
して、低周波伝送線２２については図４に示されている
ようにグランド導体９が片脇だけに近接されて敷設され
ている。この低周波伝送線２２においてもダム部２３が
形成されている。

【００２３】本実施形態において、高周波伝送線群のう
ち一対の差動信号線２１ａと２１ｂとは、ＩＣにおける
互いの長さが等しくなるように前後対称形に形成されて
いる。ここで、両差動信号線２１ａと２１ｂとがそれぞ
れ接続されるアウタリード１７ａと１７ｂとがベース４
の右辺において前側にずらされて配置されているため、
両差動信号線２１ａ、２１ｂの対称軸も前側に平行移動
したようにずれた状態になっている。他方、後述するよ
うにペレットにおける両差動信号線２１ａ、２１ｂとの
接続用電極パッドはペレットの中心線上に配置されてい
る。そこで、ペレットの実装部６がベース４に対して前
側に偏心されて配置されることにより、両差動信号線２
１ａ、２１ｂとの前後対称形が確保されている。そし
て、その実装部６のベース４の中心Ｏに対する前側への
偏心量Ｅは、差動信号線接続用の一対のアウタリード１
７ａ、１７ｂの中心線のベース４に対するずれ量ｅに対
応されている。

【００２４】ペレット３０はＳｉ基板またはＳＯＩ基板
によって略正方形の小さい平板形状に形成されており、
超高周波数帯域通信処理用の半導体素子を含む半導体集
積回路（図示せず）が作り込まれている。ペレット３０
はベース４の実装部６にフエイス・ダウンに配置された
状態で対向されて、周辺部に配置された各電極パッド３
１と各ボンディングパッド７との間に各バンプ電極３２
をそれぞれ形成されることにより機械的に接続されてい
る。また、各バンプ電極３２は各電極パッド３１と各ボ
ンディングパッド７とを電気的に接続した状態になるた
め、ペレット３０の通信処理用半導体集積回路は各電源
導体８、各グランド導体９および各信号線２０にそれぞ
れ電気的に接続された状態になっている。したがって、
ペレット３０の半導体集積回路は各電源導体８、各グラ
ンド導体９および各信号線２０を介して各アウタリード
１７にそれぞれ電気的に引き出されるようになってい
る。

【００２５】ここで、バンプ電極３２が半田材料によっ
て形成されている場合において、ペレット３０がベース
４に実装される際に、溶融した半田材料がボンディング
パッド７を越えて外側に拡散すると、高周波伝送線２１
および低周波伝送線２２とグランド導体９との短絡や、
信号線２０同士の短絡等が発生するばかりでなく、バン
プ電極３２の高さが低くなったり不均一になったりする
弊害が発生する。しかし、本実施形態においては、図３
および図４に示されているように、高周波伝送線２１や
低周波伝送線２２における実装部６のエリアにダム部２
３が形成されていることにより、溶融した半田材料のボ
ンディングパッド７を越える拡散は防止することができ
るため、これらの弊害は防止することができる。

【００２６】次に作用を説明する。例えば、左辺に配置
されたアウタリード１７によって入力された信号は入力
用の各信号線２０を伝送され、その終端部に形成された
ボンディングパッド７からペレット３０にバンプ電極３
２および電極パッド３１を通じて入力される。この際、
例えば、ベース４の左側部分に配設された入力用の電源
導体８およびグランド導体９によって電力がペレット３
０の入力処理用領域に安定的かつ専用的に供給されてい
る。

【００２７】入力信号に対応するペレット３０からの出
力信号は右辺に配置された各電極パッド３１からバンプ
電極３２およびボンディングパッド７を通じて出力用の
各信号線２０に出力され、各信号線２０によって各アウ
タリード１７にそれぞれ伝送される。この際、ベース４
の右側部分に配設された出力用の各電源導体８および各
グランド導体９によって電力がペレット３０の出力処理
用領域に安定的かつ専用的に供給されている。

【００２８】ところで、高周波信号が伝送される信号線
においては、図５（ａ）に示されているように、高周波
数の信号が伝送される際に、隣接した信号線２０、２０
間の電磁的結合によってクロストーク・ノイズが発生す
る。

【００２９】しかし、本実施形態においては、信号線２
０のうち１０ＧＨｚの超高周波信号が伝送される高周波
伝送線２１については両脇にグランド導体９、９が配置
されたコプレナ配線が採用されているため、クロストー
ク・ノイズの発生は防止される。すなわち、図５（ｂ）
に示されているように、高周波伝送線２１においては高
周波信号によって強い電磁界２４が両脇および下部に発
生するが、この電磁界２４による影響は高周波伝送線２
１の両脇に敷設された両方のグランド導体９、９および
ベース４の内部に敷設された内部グランド配線１２によ
って吸収されるため、隣合う高周波伝送線２１、２１間
の電磁的結合によって生じるクロストーク・ノイズは抑
止ないし抑制されることになる。

【００３０】他方、本実施形態においては、信号線２０
のうち１ＧＨｚ程度の相対低周波の信号が伝送される低
周波伝送線２２については片脇だけにグランド導体９が
配置されたコプレナ配線が採用されている。図５（ｃ）
に示されているように、この低周波伝送線２２の周囲全
体に発生しようとする電磁界２５は、片脇に配置された
グランド導体９および内部グランド配線１２に吸収され
るため、反対脇に配置されている信号線２０との間のク
ロストーク・ノイズは抑止ないし抑制されることにな
る。ここで、低周波伝送線２２における電磁界２５は高
周波伝送線２１における電磁界２４に比べて弱いため、
片脇に配置されたグランド導体９および内部グランド配
線１２によってクロストーク・ノイズを抑制することが
できる程度まで充分に吸収された状態になる。

【００３１】このように低周波伝送線２２についてはグ
ランド導体９を片脇だけに配置するコプレナ配線を採用
することにより、低周波伝送線２２についても高周波伝
送線２１と同様にグランド導体９を両脇に配置する場合
に比べて、ベース４の上面においてコプレナ配線に占拠
される面積を半減させることができるため、ベース４し
いてはペレット３０の面積の増大を防止することができ
る。

【００３２】図６はクロストーク・ノイズの低減効果を
示す各線図であり、（ａ）は低周波伝送線の場合を示し
ており、（ｂ）は高周波伝送線の場合を示している。図
６において、実線曲線Ａは対向ポート間のクロストーク
・ノイズ特性曲線、破線曲線Ｂは隣接ポート間のクロス
トーク・ノイズ特性曲線を示している。

【００３３】図７は伝送特性を示す各線図であり、
（ａ）は低周波伝送線の場合を示しており、（ｂ）は高
周波伝送線の場合を示している。図７において、実線曲
線Ｃは伝送損失特性曲線、破線曲線Ｄは定在波比（ＶＷ
ＳＲ）特性曲線を示している。

【００３４】本実施形態において、高周波伝送線群のう
ち一対の差動信号線２１ａと２１ｂとは、ＩＣにおける
互いの長さが等しくなるように前後対称形に形成されて
いるため、両差動信号線２１ａと２１ｂとの間の伝送特
性は互いに均等になる。したがって、一方の差動信号線
２１ａによって伝送される正の信号と、他方の差動信号
線２１ｂによって伝送される逆の信号とは真正に正逆の
状態になり、差動信号の所期の性能を発揮することがで
きる。

【００３５】前記実施形態によれば次の効果が得られ
る。 （１） 低周波伝送線２２についてはグランド導体９を
片脇だけに配置するコプレナ配線を採用することによ
り、低周波伝送線２２についても高周波伝送線２１と同
様にグランド導体９を両脇に配置する場合に比べて、ベ
ース４の上面においてコプレナ配線に占拠される面積を
半減させることができるため、ベース４しいてはペレッ
ト３０の面積の増大を防止することができる。

【００３６】（２） 低周波伝送線２２について片脇だ
けでもグランド導体９が配置されたコプレナ配線を採用
することにより、この低周波伝送線２２の周囲全体に発
生しようとする電磁界２５を片脇に配置されたグランド
導体９によって吸収させることができるため、反対脇に
配置されている信号線２０との間のクロストーク・ノイ
ズを抑止ないし抑制することができるとともに、伝送特
性を高めることができる。

【００３７】（３） 信号線２０のうち１０ＧＨｚの超
高周波信号が伝送される高周波伝送線２１については両
脇にグランド導体９、９が配置されたコプレナ配線を採
用することにより、高周波伝送線２１において発生する
強い電磁界２４であっても両脇に配置されたグランド導
体９、９によって吸収することができるため、隣合う高
周波伝送線２１、２１間の電磁的結合によって生じるク
ロストーク・ノイズは抑止ないし抑制することができる
とともに、伝送特性を高めることができる。

【００３８】（４） ベース４およびペレット３０の面
積の増大を抑制しつつ、隣接する高周波伝送線間に発生
するクロストーク・ノイズを防止することができるとと
もに、伝送特性を高めることができるため、超高周波数
の信号を取り扱うＩＣの性能を製造コスト増を抑制しつ
つ高めることができる。

【００３９】（５） 高周波伝送線群のうち一対の差動
信号線２１ａと２１ｂとをＩＣにおける互いの長さが等
しくなるように前後対称形に形成することにより、両差
動信号線２１ａと２１ｂとの間の伝送特性を互いに均等
化することができるため、一方の差動信号線２１ａによ
って伝送される正の信号と、他方の差動信号線２１ｂに
よって伝送される逆の信号とは真正に正逆の状態にな
り、差動信号の所期の性能を発揮することができる。

【００４０】（６） ペレットの実装部６がベース４に
対して前側に偏心されて配置されることにより、両差動
信号線２１ａ、２１ｂとの前後対称形が確保されている
ため、両差動信号線を等長配線するに際してペレット３
０およびベース４のサイズを変更しなくて済むため、ペ
レットおよびベースの平面面積が増加するのを回避する
ことができるとともに、高周波伝送線２１群における差
動信号線２１ａ、２１ｂのレイアウトに自由度を与え、
差動信号の位相を容易にマッチングさせることができ
る。

【００４１】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４２】グランド導体を片脇だけに配置される低周
波伝送線は、１ＧＨｚ程度の低周波信号を伝送する信号
線に限らず、要は、信号線のうちクロストーク・ノイズ
の起因になる電磁界が他の高周波伝送線よりも弱い信号
を伝送する信号線でよい。

【００４３】コプレナ配線に使用される電源導体は、グ
ランド導体に限らず、駆動電源導体であってもよい。

【００４４】コプレナ配線を適用される信号線は、ペレ
ットとアウタリードとを接続する信号線に限らず、半導
体モジュール等のベース上に配置されたペレット同士を
接続する高周波信号伝送用の信号線等であってもよい。

【００４５】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である通信機
器に使用される超高周波数信号処理用ＩＣに適用した場
合について説明したが、それに限定されるものではな
く、スーパーコンピュータ等に使用される超高速処理用
のＩＣに適用することができる。また、本発明は単体の
半導体装置のパッケージにおける高周波伝送線に限ら
ず、混成集積回路装置における高周波信号伝送用の信号
線にも適用することができる。

【００４６】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。

【００４７】ベースの一主面に敷設されている複数本の
信号線のうち、相対的に低周波の信号を伝送する信号線
については片脇だけに電源導体を配線することにより、
低周波伝送用信号線について片脇に電源導体を配線しな
い分だけ、信号線におけるコプレナ配線に使用される面
積を低減させることができる。他方、低周波信号伝送用
の信号線においては片脇のコプレナ配線で伝送特性の悪
化を充分に防止することができるため、全体としての伝
送特性は高めることができる。

【００４８】また、半導体ペレットをベースに対して偏
心させて、信号線群のうち差動信号伝送用の一対の信号
線を互いに線対称形に配線して互いの長さを等しく設定
することにより、伝送特性を互いに均等化することがで
きる。しかも、半導体ペレットをベースに対して偏心さ
せて配置することにより、半導体ペレットおよびベース
のサイズは変更しなくて済むため、半導体ペレットおよ
びベースの平面面積が増加するのを回避することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態である半導体集積回路装置
を示しており、（ａ）は一部省略平面図、（ｂ）は
（ａ）のｂ−ｂ線に沿う拡大断面図である。

【図２】その正面断面図である。

【図３】高周波伝送線を示しており、（ａ）は正面断面
図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う平面断面図、
（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う平面断面図である。

【図４】低周波伝送線を示しており、（ａ）は正面断面
図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う平面断面図、
（ｃ）は（ａ）のｃ−ｃ線に沿う平面断面図である。

【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）はその作用を説明する
ための各拡大部分断面図である。

【図６】クロストーク・ノイズの低減効果を示す各線図
であり、（ａ）は低周波伝送線の場合を示しており、
（ｂ）は高周波伝送線の場合を示している。

【図７】伝送特性を示す各線図であり、（ａ）は低周波
伝送線の場合を示しており、（ｂ）は高周波伝送線の場
合を示している。

【符合の説明】

１…ＩＣ（半導体集積回路装置、半導体装置）、２…気
密封止パッケージ、３…封止体、４…ベース、５…グラ
ンド端子面、６…実装部、７…ボンディングパッド、８
…電源導体（駆動電源導体）、９…グランド導体（基準
電源導体）、１０…内部電源配線、１１…スルーホール
導体、１２…内部グランド配線、１３…スルーホール導
体、１４…キャップ、１５…側壁部材、１６…天井部
材、１７…アウタリード（外部リード）、１７ａ、１７
ｂ…差動信号線用アウタリード、２０…信号線、２１…
高周波伝送線、２１ａ、２１ｂ…差動信号線、２２…低
周波伝送線、２３…ダム部、２４、２５…電磁界、３０
…ペレット（半導体ペレット）、３１…電極パッド、３
２…バンプ電極。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 俊彦 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 菊地 広 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日立 製作所デバイス開発センタ内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ベースの一主面に複数本の信号線が敷設
   されている半導体装置において、 前記信号線群のうち相対的に低周波の信号を伝送する信
   号線には、片脇だけに電源導体が配線されていることを
   特徴とする半導体装置。
2. 【請求項２】 前記ベースの一主面に半導体ペレットが
   バンプ電極群により機械的かつ電気的に接続されてお
   り、前記信号線群が半導体ペレットに対して放射状に配
   線されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体
   装置。
3. 【請求項３】 ベースの一主面に半導体ペレットがバン
   プ電極により機械的かつ電気的に接続されているととも
   に、前記ベースの一主面に複数本の信号線が半導体ペレ
   ットに対して放射状に敷設されている半導体装置におい
   て、 前記半導体ペレットが前記ベースに対して偏心されるこ
   とにより、前記信号線群のうち差動信号伝送用の一対の
   伝送線は互いに線対称形に配線されて、互いの長さが等
   しく設定されていることを特徴とする半導体装置。