JPH09274452A - 有機ｌｅｄマトリクス製造方法 - Google Patents

有機ｌｅｄマトリクス製造方法

Info

Publication number
JPH09274452A
JPH09274452A JP8238393A JP23839396A JPH09274452A JP H09274452 A JPH09274452 A JP H09274452A JP 8238393 A JP8238393 A JP 8238393A JP 23839396 A JP23839396 A JP 23839396A JP H09274452 A JPH09274452 A JP H09274452A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
layer
material layer
unit body
substance
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8238393A
Other languages
English (en)
Inventor
Chan-Long Shieh
チャン−ロン・シェ
Hsing-Chung Lee
シン−チャン・リー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Motorola Solutions Inc
Original Assignee
Motorola Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Motorola Inc filed Critical Motorola Inc
Publication of JPH09274452A publication Critical patent/JPH09274452A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機ＬＥＤマトリクスを容易に精度高く製造
しパシベートする方法を提供する。 【解決手段】 基板（１３）上にフォトレジスト層（１
４）、更にフォトレジスト層上に金属層（１５）を形成
し、基板上に物質の単位体（３０，３２，３４）をパタ
ーニングする。フォトレジスト層にパターニングを行い
基板の部分を露出させる開口（２０）を規定し、金属層
にパターニングを行い開口より小さい孔（１９）を規定
することにより、基板の露出表面を陰領域（２２，２
３）と明領域（２１）とに分割する。孔にほぼ垂直に第
１物質系（３１）を蒸着し、明領域内の基板表面上に第
１有機ＬＥＤ（３０）を形成する。孔に対してある角度
（α，β）で第２及び第３物質系（３３，３５）を蒸着
し、陰領域内に第２および第３有機ＬＥＤ（３２，３
４）を形成する。第１ＬＥＤ上に垂直に、第２ＬＥＤ上
にある角度（α，β）をもって、パシベーション物質
（７０，７２，７４）を蒸着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板上に１つ以上
の物質系の単位体(item)を製造し、この単位体をパシベ
ート(passivate)する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】今日、有機発光ダイオード（ＬＥＤ:lig
ht emitting diode)は非常に普及しつつあるが、その理
由として、多数の物質が使用可能であり、有機物質が比
較的安価であり、しかもかかる物質を加工可能な形態に
生成するのが容易であることがあげられる。しかしなが
ら、有機ＬＥＤ表示装置に伴う主な難点の１つが、有機
物質をパターニングして別々のＬＥＤを形成する際に生
じる。
【０００３】パターニングによって有機物質を帯状に形
成する方法が提案されており、この方法は、垂直シャド
ウ・マスク(vertical shadow mask)、即ち、直立壁部を
使用し、この壁部に対しある角度に方向付けて有機物質
を蒸着することによって、別個のストライプを形成す
る。かかる有機ＬＥＤ表示装置製造方法に関する更に別
の情報は、米国特許第5,276,380号、第5,294,869号、お
よび第5,294,870号にも開示されている。
【０００４】これらの製造方法の殆どには、原寸法(cru
de dimension)にしか適用できないという問題がある。
また、直立壁部は正確に形成し位置付けるのが比較的難
しい。更に、種々のカラー素子の全てを一体化されたプ
ロセスにおいて製造するので、これら製造プロセスにお
ける工程の多くで重複する層が生産され、最終素子の効
率低下を招く可能性がある。
【０００５】また、有機発光ダイオードは、周囲空気内
の酸素および水蒸気の存在に敏感であるため、正しい動
作および長寿命を期待するには、機密封止する必要があ
る。従来の機密封止構造は、金属製被覆、厚いパターニ
ングされた金属および連続絶縁バリア層を含むため、通
常、大きなマトリクスのための機密封止は、余りにも大
きく嵩ばるものである。更に、一旦有機物質を所定位置
に配置すると、これらは高温に敏感となる。また、一般
的に、良好な機密封止材となる低温誘電体を発見するの
は困難である。
【０００６】したがって、有機発光ダイオード表示装
置、特に、カラー表示装置を、容易に、好都合にしかも
精度高く生産し、パシベートすることができる製造プロ
セスを考案することができれば望ましいであろう。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、新規
で改良された有機ＬＥＤマトリクス製造方法を提供する
ことである。
【０００８】本発明の他の目的は、有機ＬＥＤマトリク
ス等をパシベートする、新規で改良された方法を提供す
ることである。
【０００９】本発明の更に他の目的は、比較的容易で安
価な、有機ＬＥＤマトリクスを製造し、および／または
パシベートする新規で改良された方法を提供することで
ある。
【００１０】本発明の更に他の目的は、高解像度表示装
置のための比較的精度が高い物質の単位体を生成するこ
とができる、新規で改良された有機ＬＥＤマトリクスの
製造方法を提供することである。
【００１１】本発明の更に別の目的は、重量および厚さ
の減少を図ったマトリクスを生産可能な、新規で改良さ
れた有機ＬＥＤマトリクスを製造および／またはパシベ
ートする方法を提供することである。
【００１２】本発明の更に別の目的は、１回のリソグラ
フィで、単一の集積マスクを用いて、有機ＬＥＤマトリ
クスを製造し、パシベートする、新規で改良された方法
を提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述のおよびその他の問
題の少なくとも部分的な解決、ならびに上述のおよびそ
の他の目的の実現は、支持基板上で物質の単位体にパタ
ーニングを行う方法によって達成される。基板はベース
を含み、その上に導電層が配され、更に、この導電層の
部分を露出させる空胴を除いて、絶縁層によって覆われ
ている。前述の方法は、基板表面上に、絶縁層の空胴を
覆う第１物質層を形成し、この第１物質層上に第２物質
層を形成する段階を含む。第１物質層は、その中に第１
横断寸法を有し空胴を含む基板表面の一部分を露出させ
る、開口を規定するように形成され、第２物質層は、第
１横断寸法より小さい第２横断寸法を有し、空胴の１つ
と全体的に同軸状に配置された孔を規定するように形成
される。第２物質層は、開口内の基板の露出表面の一部
分を覆うように配置され、基板の露出表面を、空胴の１
つを含む陰領域と、第２の空胴を含む明領域とに分割す
る。孔に対して全体的に垂直に第１物質系を堆積し、明
領域内の基板表面上に、上述の１つの空胴を覆う第１物
質系の単位体を形成する。また、孔に対してある角度を
もって第２部質系を堆積し、陰領域内の基板表面上に、
第２空胴を覆う第２物質系の単位体を形成する。
【００１４】堆積された単位体およびシャドウ・マスク
を含む上述の基板は、同様の方法でパシベートされる。
遠隔配置された物質源から、シャドウ・マスク内の孔に
対して概略的に垂直な方向に、パシベーション物質を蒸
着し、堆積された単位体上にパシベーション被膜を形成
する。更に別の単位体を陰領域に堆積する場合、孔に対
してある角度でパシベーション物質を蒸着し、これらの
単位体上にもパシベーション被膜を形成する。完全なパ
シベーションを与えるためには、遠隔配置された物質源
または基板の一方を、垂直方向および／または前述の角
度を中心として、振動させる必要がある場合もある。
【００１５】
【発明の実施の形態】これより図面を参照して、本発明
の実施例を説明する。図１ないし図５は、本発明によ
る、支持基板上に物質の単位体を作成するプロセスにお
ける一連の工程を示す。具体的に図１を参照すると、上
面を有する基板１０即ちベースが示されている。マスキ
ングおよびエッチング、マスキングおよび堆積、選択的
堆積等のようないずれかの好都合な方法で、基板１０の
表面上に導電層を配置し、パターニングを行ってストラ
イプ１１即ち行を形成する。複数のストライプ１１は、
行状に平行にかつ水平方向に延び、各々既知の態様で当
該行における全素子の１端子として機能する。窒化物ま
たは酸化物のような誘電体物質の層１２を、ストライプ
１１上に堆積し、例えば、ベース１０全体を覆うブラン
ケット層としてもよい。マスキングおよびエッチングま
たは他の好都合な方法のいずれかによって、層１２に空
胴１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを規定し、ストライプ１１の
表面の部分を露出させる。
【００１６】以下でより詳細に説明するが、空胴１２
Ａ，１２Ｂ，１２Ｃのサイズは、基板上に作成される単
位体の電流搬送特性における、重要なファクタとなる。
したがって、空胴１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃのサイズおよ
び形状は、作成される単位体の導電または放出特性にお
ける誤差を補うように、これらを規定する間に調整可能
であることは理解されよう。空胴１２Ａ，１２Ｂ，１２
Ｃは、円形、正方形、楕円形等を含む、実質的にあらゆ
る所望の形状（層１２の面において）とすることができ
る。
【００１７】この特定実施例では、以降の開示のため
に、図１に示す構造全体を、支持基板１３と看做すこと
にする。また、この開示の目的上、「支持基板」という
用語は、作成される単位体を支持するために用意された
あらゆる基板を含むものとし、例えば、ガラス板、クオ
ーツ板、プラスチック板、半導体チップ、集積回路が形
成された半導体チップ、付加的な物質層が形成された半
導体チップ等も含むことは理解されよう。また、図１な
いし図５の構造は、素子（例えば、画素）の行および列
を含む二次元マトリクスを表わし、１つの素子を分解し
説明することによって、本開示を簡略化している。ま
た、具体的なマトリクスを示すのは説明のためであり、
多くの変更や修正が想起し得ることも、当業者は理解す
るであろう。
【００１８】次に図２を参照すると、未現像のフォトレ
ジスト等のような除去可能物質の層１４が、いずれかの
好都合な方法によって、支持基板１３の表面１１上に配
置されている。金属のような十分に硬い物質の層１５
を、層１４上に配置する。通常、層１４，１５双方は、
支持基板１３全体を覆う単なるブランケット層であり、
ここで利用する具体的な方法および機器と適合性があ
る、多くの既知の方法のいずれかで堆積される。
【００１９】図３に示すように、層１５の表面にフォト
レジスト層１６を堆積し、いずれかの好都合な方法でパ
ターニングを行ってマスクを形成する。層１６は、その
中に開口１７が規定されており、開口１７によって層１
５の表面の一部分が露出されている。次に、図４に示す
ように、いずれかの好都合なエッチング材によって、層
１５の露出部分をエッチングし、その中に孔１９を形成
する。通常、エッチング材は、層１５を構成する物質に
よって決定される。孔１９は、空胴１２Ａの横断寸法よ
りも大きな横断寸法Ｗ１を有し、堆積される物質の単位
体１つの幅にほぼ等しい。これについては以下で説明す
る。紙面に垂直な方向の寸法は、空胴１２Ａ，１２Ｂ，
１２Ｃの形状によって異なり、例えば、空胴１２Ａ，１
２Ｂ，１２Ｃが正方形の場合、Ｗ１と同一である。一旦
孔１９が層１５に適正に規定されたなら、層１６を露光
し、層１５によって覆われていない層１４の部分と共に
現像し除去する。次に、酸素プラズマ、化学的エッチン
グ、露光および現像等のようないずれかの好都合な方法
で、図５に示すように、層１４の部分を層１５の下から
除去する。
【００２０】層１５の横方向のアンダーカットによっ
て、孔１９の横断方向寸法Ｗ１よりも大きな横断方向寸
法Ｗ２を有する開口２０が層１４に規定され、空胴１２
Ａ，１２Ｂ，１２Ｃを含む支持基板１３の表面の一部分
を露出させる。層１５はその突出部を保持し、これから
説明する後続の処理に耐えられるように、十分堅牢でな
ければならない。層１５は種々の異なる金属または金属
の組み合わせとすることができるが、適当な特性を有
し、加工が簡単な金属の具体的な例の１つは、金であ
る。本実施例では、開口２０の横断方向寸法Ｗ２は、空
胴１２Ａ周囲に明領域(non-shadow area)２１、空胴１
２Ｂ周囲に陰領域(shadow area)２２、そして空胴１２
Ｃ周囲に陰領域２３を設けるように選択される。更に、
領域２２，２３は、領域２１よりも僅かに大きく、その
目的は説明が進むにつれて明らかとなろう。
【００２１】多少異なる実施例では、図６に示すよう
に、ほぼ開口２０の寸法にフォトレジスト２０’の部分
を敷設することによって、図５の構造に類似した構造
（図示せず）を構成することができる。次いで、フォト
レジストの各側に、部分的に上面を覆うように金属をめ
っきし、孔１９’を規定する。金属は、フォトレジスト
２０’上の金属の高さ（Ｈ＋Ｌ）にほぼ等しい距離Ｌだ
け、フォトレジスト２０’の上面上で延びるので、孔１
９’は都合よく規定される。次に、フォトレジスト２
０’を露光し、現像することによって、図５に示したも
のと同様の開口および突出部を残す。この構造では、開
口を規定する第１物質層１４’と、突出して開口１９’
を規定する突出物質の第２層１５’とは、同一物質で形
成されている。
【００２２】次に図７を参照すると、支持基板１３上に
物質の単位体を作成するプロセスにおける連続工程が示
されている。図５のシャドウ・マスクを利用して、孔１
９に対して概略的に垂直な物質源３１から物質を供給す
る(direct)ことによって、開口２０の領域２１内の空胴
１２Ａに、第１物質系の単位体３０を堆積する。孔１９
は空胴１２Ａよりも大きいので、単位体３０は空胴１２
Ａを超えて外側に層１２の表面上に広がる。したがっ
て、単位体３０が複数の物質層（例えば、有機ダイオー
ド）を含む場合、これらの層は導電層１１によって短絡
することはない。次に、孔１９に対して第１角度αで物
質源３３から物質を供給することによって、開口２０の
領域２２内の空胴１２Ｂに、第２物質系の単位体３２を
堆積する。更に、孔１９に対して第２角度βで物質源３
５から物質を供給することによって、開口２０の領域２
３内の空胴１２Ｃに、第３物質系の単位体３４を堆積す
る。一具体例では、物質源３１，３３，３５の物質は、
孔１９から十分離れた距離にある真空チャンバにおいて
蒸発せられるので、物質源３１，３３，３５から発する
粒子は、全体的に平行線状（点または線光源と同様、ま
たは平行化された光）に、孔１９およびターゲット（支
持基板１３）に向かって移動するように見える。
【００２３】角度αおよびβは、孔１９の横断方向寸法
Ｗ１および支持基板１３の表面１１上の高さｈが分かれ
ば、正確に決定できることは、当業者には理解されよ
う。通常、角度αおよびβは、約３０゜ないし５０゜の
範囲であるが、この範囲および／または特定の角度は、
層１４の厚さを調節することによって、選択または事前
決定することができる。また、空胴１２Ａ，１２Ｂ，１
２Ｃの寸法は異なっていても、孔１９の横断方向寸法Ｗ
１によって単位体３０の幅を決め、単位体３２，３４を
単位体３０とほぼ同一幅にすることが望ましい。以上の
説明から分かるように、高さｈを正確に決定することに
より、単位体３０，３２，３４が開口２０内に平行に離
間された関係で配置され、単位体間の空間が十分なので
電気的な相互接続が防止される。単位体３０，３２，３
４を堆積する順番はさほど重要ではなく、本開示または
特許請求の範囲のいずれに記載された順番も、決して本
発明の範囲の限定を意図するものではない。
【００２４】好適実施例では、単位体３０，３２，３４
を形成する各物質系は、有機発光ダイオードを形成する
物質を含む。この目的のために利用可能な、有機発光ダ
イオード３５の断面図を図８に示す。発光ダイオード３
５は基板１０上に形成され、導電層１１が第１電極とな
っている。正孔搬送層３６を層１１上に配置し、発光層
３７を層３６上に配置し、電子搬送層３８を層３７上に
配置し、更に導電層３９を層３８上に配することによっ
て第２端子を形成すると、ダイオードが完成する。有機
発光ダイオードの分野に精通する者には分かるように、
正孔注入および搬送帯、ならびに電子注入および搬送帯
を様々に組み合わせて利用することにより、異なる物質
でダイオードを形成することも可能である。しかしなが
ら、通常、２つの電極とその間に狭持される発光層とを
使用することが、最低限必要とされる。
【００２５】図７の構造において、物質源３１を用いて
ある物質系を堆積することにより、緑色光を発光する有
機ダイオードが得られる。同様に、物質源３３を用いて
ある物質系を堆積することにより、赤色光を発光する有
機ダイオードが得られ、更に物質源３５を用いてある物
質系を堆積することにより、青色光を発光する有機ダイ
オードが得られる。勿論、種々の物質源３１，３３，３
５を相互交換したり、他の物質源と交換することが望ま
しいまたは好都合であるなら、そうしてもよいことは理
解されよう。
【００２６】このようにして、３つの単位体３０，３
２，３４を、フル・カラー表示装置における単一画素と
して利用することができる。マトリクスの斜視図を図９
に示す。図９が示すのは、これら３色の画素が列状に分
離されている様子である。簡素化したマトリクスに２つ
の単位体および２色のみを用いたり、あるいは、同一色
の光（例えば、モノクローム表示装置）を発生するよう
に単位体３０，３２，３４の全てを形成できることは、
勿論理解されよう。
【００２７】当業者には理解されようが、有機発光ダイ
オード３５（および多くの他の電気的単位体）を導通可
能な電流量は、導電層１１と接触する層３６の面積に依
存する。また、カラー発光ダイオードは全てが同じ強度
で発光するのではないことも、当業者には理解されよ
う。したがって、ここで注記すべきは、本発明では空胴
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの水平方向寸法を容易に選択
し、各ダイオードに異なる電流量を供給することによ
り、発光強度の差を考慮することができるので、本発明
はかかる切迫した事情を補うために特に適しているとい
うことである。
【００２８】次に、具体的に図１０を参照すると、支持
基板上に配置された物質の単位体をパシベートする方法
が示されている。パシベーション対象の単位体は、事実
上あらゆる物質または電子素子とすることができるが、
この特定例では、かかる単位体は、支持基板５１上に形
成された発光ダイオード５０とする。また、本実施例で
は、支持基板５１は、ガラス等のような透光性物質とす
る。ダイオード５０は、基板５１の上面上に配置され
た、第１導電性物質帯５２を含む。物質５２は、例え
ば、酸化錫インディウム（ＩＴＯ：ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉ
ｎ−ｏｘｉｄｅ）等とすることができる。窒化シリコン
等のような絶縁物質の誘電体層５３を、物質５２上に配
置し、これにパターニングを行って、ダイオード５０の
ための制限開口を規定する。
【００２９】図５に関連して先に述べたように、制限開
口上にシャドウ・マスク６０を形成する。第１フォトレ
ジスト層６１を層５３上に堆積し、層６１上に金属層６
２を堆積する。層６２の表面上に第２フォトレジスト層
（図示せず）を堆積し、いずれかの好都合な方法でこれ
にパターニングを行い、マスクを形成する。第２フォト
レジスト層には、ほぼダイオード５０の所望幅であり、
層５３内の制限開口の真上に位置する開口が規定されて
いる。次に、図１０に示すように、金属層６２の露出部
分をエッチングして、その中に孔６５を形成する。一旦
孔６５を層６２に適正に規定したなら、フォトレジスト
層を露光し、層６２に覆われていない層６１の部分と共
に現像して除去する。次に、図１０に示すように、酸素
プラズマ、化学的エッチング、露光および現像等のよう
ないずれかの好都合な方法によって、層６１の部分を層
６２の下から除去する。
【００３０】次に、図１０のシャドウ・マスクを利用し
て、制限開口内において導電性物質５２上に有機発光物
質層５４を堆積することによって、ダイオード５０を形
成する。通常ｎ−型導電性金属である金属層５５を層５
４上に配置して、ダイオード５０を完成する。孔６５に
対して概略的に垂直な物質源６７から物質を供給するこ
とにより、パシベーション物質層６６を、ダイオード５
０上に堆積する。一具体例では、物質源６７の物質は、
孔６５から離れた真空チャンバにおいて気化される。真
空チャンバは、先に述べた単位体を平行に堆積する場合
と同等またはいくらか近づけてもよい。また、矢印６８
によって示すように、物質源６７または基板５１（こち
らの方が好都合であれば）を横断方向に振動（または回
転）させて、ダイオード５０の表面全体に物質が完全に
被覆されることを保証する。振動の具体的量、および振
動を起こす距離は、ダイオード５０の高さおよび開口６
５の横断方向寸法によって異なる。このように、ダイオ
ード５０の製造およびパシベーションには、他に整合や
マスキングに関する要件を追加することなく、同一のシ
ャドウ・マスクを利用することができる。
【００３１】次に図１１を参照すると、単位体３０，３
２，３４が既に堆積されている、図７の構造が示されて
いる。既に適所に配されているシャドウ・マスクを利用
し、孔１９に対して概略的に垂直な遠隔配置された物質
源７１から物質を供給することによって、単位体３０上
に第１パシベーション層７０を堆積する。次に、孔１９
に対して第１角度αで物質源７３からパシベーション物
質を供給することにより、単位体３２上にパシベーショ
ン層７２を堆積する。更に、開口１９に対して第２角度
βで物質源７５からパシベーション物質を供給すること
により、単位体３４上にパシベーション層７４を堆積す
る。勿論、パシベーション物質源７１，７３，７５を単
純に緑色、赤色、青色光物質源３１，３３，３５と交換
可能であることは理解されよう。上述のように、パシベ
ーション物質源７１，７３，７５を、それぞれ、垂直、
角度α、および角度βを中心に多少振動させることによ
って、単位体３０，３２，３４の完全な被覆およびパシ
ベーションを確保する。
【００３２】一旦パシベーションが完了したなら、層１
４を部分的にまたは完全に溶解させ、更に、層１５を単
純にリフト・オフ(lift off)することができる。用途に
よっては、例えば、接着性テープ等を利用することによ
って、層１４，１５を同時にリフト・オフし、溶解を不
要とすることもできる。支持基板上での有機ダイオード
・マトリクスのパターニング、および有機ダイオードの
パシベーションの双方に利用するマスクは、１つだけで
ある。また、パシベーション層７０，７２，７４は互い
に接触しないので、これらを機密封止金属で形成するこ
とができる。この金属は、各有機ダイオードの第２電気
端子としても使用することができる。
【００３３】以上のように、１回のリソグラフ工程で、
単一単位体または完全な有機ＬＥＤマトリクスを製造
し、単一単位体または完全な有機ＬＥＤマトリクスをパ
シベートする、新規で改良された方法が開示された。こ
の単位体または有機ＬＥＤマトリクスを製造および／ま
たはパシベートする方法は、比較的容易かつ安価であ
り、しかも高解像度表示装置用の比較的精度の高い物質
の単位体を生成することができる。更に、この有機ＬＥ
Ｄマトリクスを製造および／またはパシベートする新規
で改良された方法は、軽量化した薄型のマトリクスを生
成することができる。更に他の主要な利点として、上述
のパターニングおよびパシベーションでは、溶剤の使用
による単一マスクのリフト・オフ（または単純なリフト
・オフ）が可能とするので、エッチング等のような複雑
で損傷を与え得る工程を必要としない。また、有機物質
の堆積後に高温プロセスを全く伴うことなく、完全な製
造およびパシベーションが行われる。
【００３４】以上、本発明の特定実施例について示しか
つ説明したが、当業者には更に他の変更や改良も想起さ
れよう。したがって、本発明は、ここに示した特定形態
には限定されないと理解されることを望み、本発明の精
神および範囲から逸脱しない全ての変更は、特許請求の
範囲に含まれることを意図するものである。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による製造プロセスにおいて用いるため
のマスクを用意する一工程を示す簡略断面図。
【図２】本発明による製造プロセスにおいて用いるため
のマスクを用意する一工程を示す簡略断面図。
【図３】本発明による製造プロセスにおいて用いるため
のマスクを用意する一工程を示す簡略断面図。
【図４】本発明による製造プロセスにおいて用いるため
のマスクを用意する一工程を示す簡略断面図。
【図５】本発明による製造プロセスにおいて用いるため
のマスクを用意する一工程を示す簡略断面図。
【図６】図５に類似したマスクの他の実施例を示す図。
【図７】本発明による有機物質系のカラー・ダイオード
の堆積を示す簡略断面図。
【図８】典型的な有機発光ダイオードの簡略断面図。
【図９】簡略化した有機発光ダイオードのマトリクス
を、その一部を分解して示す斜視図。
【図１０】本発明による単位体の堆積および堆積された
単位体のパシベーションのための装置を示す簡略断面
図。
【図１１】本発明による、図７に示したカラー・ダイオ
ードに類似した、有機物質系のカラー・ダイオードのパ
シベーションのための装置を示す簡略断面図。
【符号の説明】
１０ ベース １１ ストライプ １２ 誘電体物質層 １２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ 空胴 １３ 支持基板 １４ フォトレジスト層 １５ 金属層 １６ フォトレジスト層 １７ 開口 １９，１９’ 孔 ２０ 開口 ２０’ フォトレジスト ２１ 明領域 ２２，２３ 陰領域 ３０，３２，３４ 単位体 ３１，３３，３５ 物質源 ３５ 有機発光ダイオード ３６ 正孔搬送層 ３７ 発光層 ３８ 電子搬送層 ３９ 導電層 ５０ 発光ダイオード ５１ 支持基板 ５２ 導電性物質 ５４ 有機発光物質層 ５５ 金属層 ５６ 孔 ６０ シャドウ・マスク ６１ 第１フォトレジスト層 ６２ 金属層 ６５ 孔 ６６ パシベーション物質層 ６７ 物質源 ７０，７２，７４ パシベーション層 ７１，７３，７５ 物質源
【手続補正書】
【提出日】平成９年５月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正内容】
【図２】
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正内容】
【図３】
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正内容】
【図４】
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正内容】
【図５】
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】支持基板上に物質の単位体をパターニング
    する方法であって：支持基板（１３）を用意する段階；
    前記基板（１３）上に第１物質層（１４）、および該第
    １物質層（１４）上に第２物質層（１５）を形成する段
    階であって、前記第１物質層（１４）はその中に第１横
    断方向寸法（Ｗ２）を有し、前記基板表面の一部分（１
    ０，１１，１２）を露出させる開口（２０）を規定し、
    前記第２物質層（１５）は、前記第１横断方向寸法（Ｗ
    ２）より小さい第２横断寸法（Ｗ１）を有し、それ自体
    を貫通する孔（１９）を規定し、前記第２物質層（１
    ５）は、前記開口（２０）内において前記基板（１３）
    の露出表面の部分（２１）を覆うことにより、前記基板
    の露出表面を、陰領域（２０，２２）と明領域（２１）
    とに分割するように、前記第１および第２物質層（１
    ４，１５）を形成する段階；および前記孔（１９）に対
    して概略的に垂直に第１物質系（３１）を堆積し、前記
    明領域（２１）内の前記基板表面上に、前記第１物質系
    （３１）の単位体（３０）を形成し、前記孔（１９）に
    対してある角度（α，β）をもって第２物質系（３３，
    ３５）を堆積し、前記陰領域（２２，２３）内の前記基
    板表面上に、前記第２物質系（３３，３５）の単位体
    （３２，３４）を形成する段階；から成ることを特徴と
    する方法。
  2. 【請求項２】支持基板上に３種類の物質の単位体をパタ
    ーニングする方法であって：支持基板を用意する段階；
    前記基板上に第１物質層、および前記第１物質層上に第
    ２物質層を形成する段階であって、前記第１物質層は、
    第１横断方向寸法を有し前記基板の一部分を露出させる
    開口を規定し、前記第２物質層は、前記第１横断方向寸
    法よりも小さい第２横断方向寸法を有し、それ自体を貫
    通する孔を規定し、前記第２物質層は、前記開口内にお
    いて前記露出基板の部分を覆うことにより、前記露出基
    板を第１陰領域、明領域、および第２陰領域にそれぞれ
    分割するように、前記第１および第２物質層を形成する
    段階；前記孔に対して概略的に垂直に第１物質系を蒸着
    し、前記明領域内の基板上に、前記第１物質系の単位体
    を形成し、前記第１物質系によって第１カラー有機発光
    ダイオードを形成する段階；前記孔に対してある角度で
    第２物質系を蒸着し、前記第１陰領域内の前記基板上
    に、前記第２物質系の単位体を形成し、前記第２物質系
    によって第２カラー有機発光ダイオードを形成する段
    階；および前記孔に対して別の角度で第３物質系を蒸着
    し、前記第２陰領域内の前記基板上に、前記第３物質系
    の単位体を形成し、前記第３物質系で第３カラー有機発
    光ダイオードを形成する段階；から成ることを特徴とす
    る方法。
  3. 【請求項３】支持基板上において、有機発光体を含む物
    質系の単位体をパターニングし、パシベートする方法で
    あって：支持基板（１３）を用意する段階；前記基板
    （１３）上に除去可能物質層（１４）、および該除去可
    能物質層（１４）上に金属層（１５）を形成する段階で
    あって、前記除去可能物質層（１４）はその中に、第１
    横断方向寸法（Ｗ２）を有し前記基板の一部分を露出さ
    せる開口（２０）を規定し、前記金属層（１５）は、前
    記第１横断寸法（Ｗ２）よりも小さい第２横断方向寸法
    （Ｗ１）を有し、それ自体を貫通する孔を規定し、前記
    金属層（１５）は、前記開口（２０）内において前記基
    板（１３）の部分を覆うことにより、前記露出基板を、
    陰領域（２２，２３）と明領域（２１）とに分割する段
    階；前記孔（１９）に対して概略的に垂直に第１物質系
    （３１）を蒸着し、前記明領域（２１）内の基板（１
    ３）上に、有機発光体を含む前記第１物質系（３１）の
    単位体（３０）を形成し、前記孔（１９）に対してある
    角度（α，β）で第２物質系（３３，３５）を蒸着し、
    前記陰領域（２２，２３）内の基板（１３）上に、有機
    発光体を含む前記第２物質系（３３，３５）の単位体
    （３２，３４）を形成する段階；前記孔（１９）に対し
    て概略的に垂直に、パシベーション物質（７１）を蒸着
    し、前記第１物質系（３０）上にパシベーション被膜
    （７０）を形成し、前記孔（１９）に対してある角度
    （α，β）でパシベーション物質（７３，７５）を蒸着
    し、前記第２物質系（３２，３３）上にパシベーション
    被膜（７２，７４）を形成する段階；および前記第１除
    去可能物質層（１４）、および該除去可能物質層（１
    ４）上の前記第２層を除去する段階；から成ることを特
    徴とする方法。
  4. 【請求項４】支持基板上に配置された物質の堆積をパシ
    ベートする方法であって：支持基板（５１，５２，５
    ３）を用意し、その上に物質（５０）の堆積を配置する
    段階；前記基板（５１，５２，５３）上に第１物質層
    （６１）、および該第１物質層（６１）上に第２物質層
    を形成する段階であって、前記第１物質層（６１）は、
    前記物質（５０）の堆積よりも大きな第１横断方向寸法
    を有し前記物質（５０）の堆積を露出させる開口を、そ
    の中に規定し、前記第２物質層（６２）は、前記第１横
    断方向寸法よりも小さい第２横断方向寸法を有し、前記
    物質（５０）の堆積を覆い、それ自体を貫通する孔（６
    ５）を規定するように、前記第１および第２物質層（６
    １，６２）を形成する段階；および前記開口（６５）に
    対して概略的に垂直な方向に、遠隔配置された物質源
    （６７）からパシベーション物質を蒸着し、前記遠隔配
    置された開口（６５）または前記基板（５１，５２，５
    ３）の一方を、前記垂直方向を中心に振動させ、前記物
    質（５０）の堆積の上にパシベーション被膜（６６）を
    形成する段階；から成ることを特徴とする方法。
  5. 【請求項５】支持基板上に配置された物質の単位体をパ
    シベートする方法であって：支持基板を用意し、その上
    に物質の単位体を配置する段階；前記基板上に第１物質
    層、および該第１物質層上に第２物質層を形成する段階
    であって、前記第１物質層は、第１横断方向寸法を有し
    前記物質の単位体を露出させる開口をその中に規定し、
    前記第２物質層は、前記第１横断方向寸法よりも小さい
    第２横断方向寸法を有しそれを貫通する孔を規定し、前
    記第２物質層は、前記開口内において前記物質の単位体
    の少なくとも１つを覆うことにより、前記物質の単位体
    を、陰領域単位体と明領域単位体とに分割するように、
    前記第１および第２物質層を形成する段階；および前記
    孔に対して概略的に垂直にパシベーション物質を蒸着
    し、前記物質の明単位体上にパシベーション被膜を形成
    し、前記孔に対してある角度でパシベーション物質を蒸
    着し、前記物質の陰単位体上にパシベーション被膜を形
    成する段階；から成ることを特徴とする方法。
JP8238393A 1995-08-21 1996-08-20 有機ｌｅｄマトリクス製造方法 Pending JPH09274452A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US08/517,223 US5641611A (en) 1995-08-21 1995-08-21 Method of fabricating organic LED matrices
US517223 1995-08-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09274452A true JPH09274452A (ja) 1997-10-21

Family

ID=24058900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8238393A Pending JPH09274452A (ja) 1995-08-21 1996-08-20 有機ｌｅｄマトリクス製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5641611A (ja)
EP (1) EP0762806B1 (ja)
JP (1) JPH09274452A (ja)
KR (1) KR100408585B1 (ja)
DE (1) DE69628520T2 (ja)
TW (1) TW396643B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020511780A (ja) * 2017-03-20 2020-04-16 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング マヨラナ材料と超伝導体のハイブリッド網構造のインサイチュによる製造方法及びその方法により製造されたハイブリッド構造

Families Citing this family (69)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US5707745A (en) 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US5703436A (en) * 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
EP0958617A1 (en) * 1996-06-12 1999-11-24 The Trustees Of Princeton University Patterning of thin films for the fabrication of organic multi-color displays
US6278237B1 (en) 1997-09-22 2001-08-21 Emagin Corporation Laterally structured high resolution multicolor organic electroluminescence display device
US5965907A (en) * 1997-09-29 1999-10-12 Motorola, Inc. Full color organic light emitting backlight device for liquid crystal display applications
US6013538A (en) * 1997-11-24 2000-01-11 The Trustees Of Princeton University Method of fabricating and patterning OLEDs
US5953587A (en) * 1997-11-24 1999-09-14 The Trustees Of Princeton University Method for deposition and patterning of organic thin film
TW444235B (en) * 1997-11-24 2001-07-01 Univ Princeton Method of fabricating and patterning oleds
US6307528B1 (en) * 1997-12-08 2001-10-23 Hughes Electronics Corporation Contrast organic light-emitting display
TW420964B (en) * 1998-02-25 2001-02-01 Toppan Printing Co Ltd Organic electroluminescence display substrate, method of manufacturing it and organic electroluminescent display element
US6783849B2 (en) 1998-03-27 2004-08-31 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions
US6316098B1 (en) 1998-03-27 2001-11-13 Yissum Research Development Company Of The Hebrew University Of Jerusalem Molecular layer epitaxy method and compositions
EP1054747A1 (en) * 1998-09-22 2000-11-29 Fed Corporation Color organic light-emitting device structure and method of fabrication
US6037190A (en) * 1998-11-13 2000-03-14 Industrial Technology Research Institute Method for fabricating an organic electro-luminescent device
US6384529B2 (en) * 1998-11-18 2002-05-07 Eastman Kodak Company Full color active matrix organic electroluminescent display panel having an integrated shadow mask
DE19916745A1 (de) * 1999-04-13 2000-10-19 Mannesmann Vdo Ag Lichtemittierende Diode mit organischen lichtemittierenden Stoffen zur Erzeugung von Licht mit Mischfarben
US6478447B2 (en) * 1999-11-23 2002-11-12 George Yen Device arrangement of LED lighting units
US6294398B1 (en) 1999-11-23 2001-09-25 The Trustees Of Princeton University Method for patterning devices
JP2001185350A (ja) * 1999-12-24 2001-07-06 Sanyo Electric Co Ltd 被着用マスク、その製造方法、エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法
JP3687953B2 (ja) * 2000-02-22 2005-08-24 東北パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネセンス表示パネル及びその製造方法
WO2001097297A1 (en) * 2000-06-16 2001-12-20 The Penn State Research Foundation Aqueous-based photolithography on organic materials
US6867539B1 (en) 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6699728B2 (en) 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
AU2000274683A1 (en) * 2000-09-06 2002-03-22 Osram Opto Semicunductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
US6596443B2 (en) 2001-03-12 2003-07-22 Universal Display Corporation Mask for patterning devices
US6407408B1 (en) * 2001-03-12 2002-06-18 Universal Display Corporation Method for patterning devices
US6895667B2 (en) * 2001-04-13 2005-05-24 The Trustees Of Princeton University Transfer of patterned metal by cold-welding
US6791258B2 (en) * 2001-06-21 2004-09-14 3M Innovative Properties Company Organic light emitting full color display panel
US6664730B2 (en) 2001-07-09 2003-12-16 Universal Display Corporation Electrode structure of el device
US6812481B2 (en) * 2001-09-03 2004-11-02 Toyoda Gosei Co., Ltd. LED device and manufacturing method thereof
US6716656B2 (en) * 2001-09-04 2004-04-06 The Trustees Of Princeton University Self-aligned hybrid deposition
TWI223840B (en) * 2001-09-04 2004-11-11 Univ Princeton Method of fabricating an organic device
US20030153240A1 (en) * 2002-02-14 2003-08-14 Dejule Aaron M. Hanging mobile device with electronic display
US6667215B2 (en) 2002-05-02 2003-12-23 3M Innovative Properties Method of making transistors
DE10249207B4 (de) * 2002-10-22 2006-04-06 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines ringförmigen Mikrostrukturelementes
GB2396573B (en) * 2002-12-27 2005-03-02 Wing Wo Plastic Manufactory Lt Condiment grinder with associated grinding mechamism
US6998776B2 (en) * 2003-04-16 2006-02-14 Corning Incorporated Glass package that is hermetically sealed with a frit and method of fabrication
US7344901B2 (en) * 2003-04-16 2008-03-18 Corning Incorporated Hermetically sealed package and method of fabricating of a hermetically sealed package
US20040206953A1 (en) * 2003-04-16 2004-10-21 Robert Morena Hermetically sealed glass package and method of fabrication
US7229669B2 (en) * 2003-11-13 2007-06-12 Honeywell International Inc. Thin-film deposition methods and apparatuses
US20060009038A1 (en) * 2004-07-12 2006-01-12 International Business Machines Corporation Processing for overcoming extreme topography
CA2592055A1 (en) * 2004-12-27 2006-07-06 Quantum Paper, Inc. Addressable and printable emissive display
US7667929B2 (en) * 2005-04-04 2010-02-23 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Apparatus, method and system for fabricating a patterned media imprint master
US7758982B2 (en) * 2005-09-02 2010-07-20 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. SiN overcoat for perpendicular magnetic recording media
US7378781B2 (en) * 2005-09-07 2008-05-27 Nokia Corporation Acoustic wave resonator with integrated temperature control for oscillator purposes
US20080124558A1 (en) * 2006-08-18 2008-05-29 Heather Debra Boek Boro-silicate glass frits for hermetic sealing of light emitting device displays
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8133768B2 (en) * 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8889216B2 (en) * 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US8456393B2 (en) 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
US20100095705A1 (en) 2008-10-20 2010-04-22 Burkhalter Robert S Method for forming a dry glass-based frit
KR101593693B1 (ko) * 2009-10-16 2016-02-15 한양대학교 산학협력단 비접촉 타입의 발광 다이오드
US9142777B2 (en) 2013-01-08 2015-09-22 OLEDWorks LLC Apparatus and method for making OLED lighting device
US10312731B2 (en) 2014-04-24 2019-06-04 Westrock Shared Services, Llc Powered shelf system for inductively powering electrical components of consumer product packages
US20210020078A1 (en) * 2019-07-19 2021-01-21 Samsung Display Co., Ltd. Flexible display device

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4204222A (en) * 1978-06-19 1980-05-20 Antoine Zacharie High output LED matrix color TV screen with vertical triad and tricolor faceplate
JPS5868835A (ja) * 1981-10-21 1983-04-23 Hitachi Ltd 陰極線管用螢光面の形成方法
US4469719A (en) * 1981-12-21 1984-09-04 Applied Magnetics-Magnetic Head Divison Corporation Method for controlling the edge gradient of a layer of deposition material
US4459321A (en) * 1982-12-30 1984-07-10 International Business Machines Corporation Process for applying closely overlapped mutually protective barrier films
JPS60124393A (ja) * 1983-12-09 1985-07-03 日産自動車株式会社 多色発光薄膜ｅｌパネルの製造方法
US4599790A (en) * 1985-01-30 1986-07-15 Texas Instruments Incorporated Process for forming a T-shaped gate structure
US4883770A (en) * 1986-09-19 1989-11-28 Hewlett-Packard Company Selective NIPI doping super lattice contacts and other semiconductor device structures formed by shadow masking fabrication
US4771017A (en) * 1987-06-23 1988-09-13 Spire Corporation Patterning process
JP2831730B2 (ja) * 1989-09-29 1998-12-02 株式会社東芝 密着型イメージセンサ
US5349203A (en) * 1991-12-09 1994-09-20 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Organic electric-field switching device
US5294869A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5276380A (en) * 1991-12-30 1994-01-04 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent image display device
US5294870A (en) * 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
US5453386A (en) * 1994-05-09 1995-09-26 Motorola, Inc. Method of fabrication of implanted LED array
US5424560A (en) * 1994-05-31 1995-06-13 Motorola, Inc. Integrated multicolor organic led array
US5473047A (en) * 1994-10-11 1995-12-05 Motorola, Inc. Soluble precursor to poly (cyanoterephthalydene) and method of preparation
US5693962A (en) * 1995-03-22 1997-12-02 Motorola Full color organic light emitting diode array

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020511780A (ja) * 2017-03-20 2020-04-16 フォルシュングスツェントルム・ユーリッヒ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング マヨラナ材料と超伝導体のハイブリッド網構造のインサイチュによる製造方法及びその方法により製造されたハイブリッド構造

Also Published As

Publication number Publication date
DE69628520D1 (de) 2003-07-10
KR100408585B1 (ko) 2004-04-14
EP0762806A2 (en) 1997-03-12
KR970013441A (ko) 1997-03-29
TW396643B (en) 2000-07-01
DE69628520T2 (de) 2003-12-11
EP0762806B1 (en) 2003-06-04
EP0762806A3 (en) 1998-10-28
US5641611A (en) 1997-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH09274452A (ja) 有機ｌｅｄマトリクス製造方法
US20220077252A1 (en) Methods of fabricating oled panel with inorganic pixel encapsulating barrier
US11296160B2 (en) Display substrate, display apparatus, and method of fabricating the display substrate
JP4283900B2 (ja) フルカラー有機発光ダイオード・アレイおよびその製造方法
JP3785217B2 (ja) 高密度情報画像表示装置用の二次元有機発光ダイオード・アレイ
US6699642B2 (en) Method of manufacturing triode carbon nanotube field emitter array
US5804917A (en) Organic electroluminescent display device and method for manufacturing same
US5902688A (en) Electroluminescent display device
EP0774787B1 (en) Full color organic light emitting diode array
EP0893940A1 (en) Organic electroluminescence display and its manufacturing method
GB2297647A (en) Organic electroluminescent device
JP2002313914A (ja) 配線形成方法及びこれを用いた素子の配列方法、画像表示装置の製造方法
JP2002117975A (ja) 単純マトリクス式画素配列型有機電界発光装置の製造方法
TWI249367B (en) A divided shadow mask device for fabricating organic light emitting diode display
WO2022039890A1 (en) Metal overhang for advanced patterning
CN110168736A (zh) 发光基板及其制作方法、电子装置
JP2003123969A (ja) 蒸着用マスクおよび有機エレクトロルミネッセンスディスプレイの製造方法
US11723261B2 (en) Light-emitting component, manufacturing method therefor, mask, and display device
TWI489625B (zh) 有機發光顯示面板及其製作方法
CN112714956A (zh) 有机发光二极管显示基板及其制作方法和显示装置
CN114695829A (zh) Oled显示面板的制作方法及oled显示面板
KR100337493B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조방법
JP2003187966A (ja) 発光装置
US6749476B2 (en) Field emission display cathode (FED) plate with an internal via and the fabrication method for the cathode plate
US20240268205A1 (en) Oled structure and process based on pixel passivation by removing oled stack over heat absorbent structures

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051220

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060320

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060324

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20061005