TW396643B - Method of fabricating organic led matrices - Google Patents

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第85106409號中文申請案 中文説明書修正頁(86年II月） A7 B7 •'k .'ί- / 五、發明説明（）6 1 例如玻璃板：石英板’塑膠板’半導體晶片、有積電路 於其上之半導體晶片，有其他材料層形成於其上之半導 體晶片等。此外’圖1·5中之結構代表一個二度空間之 矩陣包括裝置之行及列（即像點）、其中—單裝置爲分解 圖以便説明。精於此技人士當了解所説明之特殊矩陣係 供~釋之目的、因此可有許多改變及修正。 參考圖2,層14爲一可除去之材料如未顯影之光阻以 任何万法配置在支撑基質13之表面丨丨上。層15爲—種堅 固疋材料如金屬配置在層14之上。通常層14及15均爲毯 狀層以全面涵蓋支撑基質13並咚已知方法沉積，該方法 可與特別方法及所用裝備相容·^ ·- 光阻層16沉積於層15之上.以形成屏蔽如圖3所示。層 16在其中限定一開口〗7，將層15之表面一部分暴露出 來。層15之暴露部分於是予以任何蝕刻材料予以蝕刻以 形成其中一孔穴19如圖4所示，蝕刻材料通常由组成層 15之材料決定。孔穴19有—橫向尺寸Wi其大於空腔12八 之橫向尺寸’而大約等於有待沉積之材料之項目之寬 度’此點1現在予以解釋，與紙之平面垂直之尺寸與空腔 12Α ’ 12Β及12C之形狀有關，亦可能與说丨相同如空腔 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 in____ — II. -- 、，-.-. Μ ! ί請先Κ讀背面之注意事項再.填寫本頁) 訂· -12Α ’ 12Β及12C爲方形。一旦孔穴—19已在層15JT限定， 層16即被暴露並沿層14之一部分向外發展並未由層15所 涵蓋。層14之各部分即自層之下被除去如圖5所示， 其消给方法如氧電漿’化學蝕刻，曝光及顯影，等等方 式。 層15之下方橫向切割形成一層14上之開口 20、有一横向

A7 B7 五、發明説明（ 以往申請之春老 申 美國 發明之範囡 本發明關於製造一或多種材料系統之項目於—基質上及 鈍化該項目之方法。 -- 發明之背景 目前有機發光二極想（LED)由於大量可用材料及有機材 料之相等低成本以及容易將材料變成可用形式而非常受人 歡迎。但有機LED顯示之主要困難在於將有機材料結構在 個別LED之上。 ， —個建議之結構方法以形成有機材料條之方法包括使用 垂直陰罩或直立壁，其上以有機材料蒸發並以角度導向直 互壁以形成個別條。有關此製造有機]1£；1)顯示之方法之其 他資料揭示於美國專利]^0· 5,276 38〇及汉〇 5 294 869&n〇 5,294,870 中。 此等製造方法之多數問題在於此等方法僅能對於相^十有效 。再有，直立壁相對地很難形成及正確定位。此外，由於 所有不同彩色裝置均係以一體程序製造，此種製造程序中 許多步驟產生之重疊層可將最后之裝置效率降低。 此外，有機發光二極體在四周空氣中有氧及空氣時特別 敏感、必須以氣密方式密封才能良好作業及壽命長久。傳 統式密封包括金屬罐子’厚的金屬及連續絕緣障礙層又太 大而苯重而不適於大型矩陣。再者，當有機材料定位后，

本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2lTx297ilT --Γ.--rj----^裝-- *- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1^ ---------- Α7 Β7 第85106409號專利申請案 中文説明書修正頁(86年4月） 五、發明説明（8 ) 成不同材料之二極體可利用洞穴注入及運送區之不同组合 及電子注入及傳送區均可用以構成不同材料之二極體。炉 通常需要利用至少二個電極及一發光層於其間。 圖7中之結構中利用源31以沉積一材料系統結果造成發綠 色光有機二極體。同理，源33用來沉積—材料系統以形成 發紅色光有機二極體，源35用來沉積一材料系統，結果形 成發藍光有機二極體。不同之源31，33及35必要時可以相 互交換或與其他源代替。 因此，三項目30，32及34可在全彩色顯示器中作爲一單 一像點。圖9中説明矩陣之透視圖，顯示三色像點如何分成 各列。僅有二項目及二彩色可用於簡單矩陣中，或所有項 固30，32及34可以組合以產生相同彩色光（即單色顯示）。 精於此將了解可通過有機發光二極體35之電流量（及 其他電項目）與傳導層11接觸之層3b之面積有關。精於此技 者亦了解所有彩色發光二極體所發射之光強度均有所不同 。因此，本發明特別適用於補償此一緊急情事，由於空腔 12A，12B及12C之水平尺寸可容易選擇以提供每個二極體 以不同量之電流以使有不同之發射強度。 參考圖10,其説明配置在支撑基質上材料之項目之純化 方法。由於有待純化之項目可能爲任何材料或電予裝置， 在此例中爲一形成於支撑基質51上之發光二極體50,在此 具體實例中爲一光發射材料如玻璃等。二極體50包括材料 52之第一傳導條，其可能是銦錫氧化物（IT〇)，配置於基質 51之上表面介質層53,其爲絕緣材料如氮化矽置於材 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I- n -1 - - I n — n —.... ........In - I-i-rejIn n n n 111 ΙΊ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 、發明説明（ 不忐爻到高溫度，而良好氣密密封之溫度介質又很高。 。因此’如能設計一製造程序、其中有機發光二極體顯示 器及彩色類示器必須能以容易而準確方式製造及鈍化則極 爲理想。 本發明之目的在提供一個新而改進之製造有機LED矩陣之 方法。 本發明之目的亦在提供—個新而改進之鈍化有機LED矩陣 及其類_似物之方法。 本發明之目的在提供一新而改進之方法以製造/鈍化有機 LED矩陣，其相當容易又價廉。 本發明另—目的爲提供一新而改進方法以製造有機LED矩 陣、其可產生相當準確之高解析度顯示之材料項目。 本發月之又目的爲提供一新而改進之方法以製造及/或 鈍化有機LED矩陣，其能產生減輕重量及厚度之矩陣。 本發明尚有—目的爲提供一新而改進之方法以製造及鈍 化有機LED矩陣於石版印刷及利用平一一體罩蔽。 本發明之略诚 上述之問題及上述之目的及其他的均可利用結構材料 項目於支撑基質上之方法而至少予以部分解決，及實 :此基質包括一具有傳導層於其上之基座由-絕緣層所〜 蓋，但傳導層之暴露部分之空腔除外^此方法包括在絕緣 層中覆蓋空腔之基質表面上形成第一材料層，及在第— 料層上形成第：材料層材料層形成后限定一開口 有一橫向大小，並暴露出含空腔之基質之表面之一部分 之 現 覆 材 具 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 乂 -5 A7 B7 五、發明説明（3 弟二材料層形成后限定—貫穿之孔穴，具有第二橫向尺寸 較第-橫向尺寸爲小’配置在與空腔之—抽向方向上。第 二材料層係配置在開口中基質之暴露表面之—部分之上， 俾將基質之暴露表面分成包括空腔之—的陰區，及包括第 二個空腔之非陰區。第—材料系統與孔穴成垂直而沉積以 在非陰區之基質表面上形成第—材料系統之一項目，及在 -空腔之上第二材料系统以一角度沉積在孔穴上以在 陰區之基質表面上形成第二材料系統之—項目並在第二空 腔之上。 上述基質包括沉積之項目及陰罩相相同方式予以純化 ，鈍化材料自遠處之源被蒸發，其方向與陰罩中之孔穴成 垂直以形成-鈍化蓋於沉積之項目上。當更多之項目沉積 於陰區時’鈍化材料以一角度向孔穴蒸發以形成一鈍化蓋 於額外項目上。將位於遠處之源或基質以垂直方向或以一 角度高頻脈動以提供一完全純化。 J片之簡要説明 圓1至圖5爲簡化之剖面圖辉明準览二革蔽支東步驟以甩 於本發明中之製造程序； 圖6爲説明與圖5相似之罩蔽之另一 _具.禮實..例； 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 圖7爲一簡化之剖面圖説明根據本發明之有機材料系統之 彩色二極體之沉積； 圖8爲一弗型支機羞光二極體之簡化剖面圖； 圖、9爲一透視圖説明—有機發光二在體之矩陣、部分^會 離式； 6- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2丨0X297公着）

圖1 0爲一裝置之簡化剖面圖用來沉積一H及I橡本發 明純化沉積之=填目；及 圖11爲一 ϋ之簡色剖面圖，該裝置供有機材料系統！ 彩色二極體之鈍化與圖7中説明者相似。 較佳具體實例之钕诫 參考圖1-5、説明根據本發明製造材料之項目於一支撑基 質上程序中之一系列步驟。特別參考圖1、一基質10或基座 有一上-表面。一傳導層配置在基質10之表面上並以任何方 便之方式結構成條U或行，其方式如罩蔽及蝕刻；罩蔽及 沉積，選擇性沉積等。許多條i i平行延伸成水平行'每一 條均作爲在本行中所有裝置之一終端、其方法早已爲大眾 所熟習。介質材料12,如氮化物或氧化物被沉積在條 ’也可以整個基座10上沉積成毯狀層。空腔12A，12B及 12C以罩蔽及蝕刻或其他方便方法限定於層〗2之中以暴露出 條11表面之某些部分。 經濟部令央標準局員工消費合作社印製 空腔12A，12B及12C之大小爲構造在基質上之項目之負載 ‘電流特性之一大因數將予詳細説明。因此，吾人了解空腔 12A，12B及12C之尺寸及形狀在設計期間可予以調整以補 償構造之項目的傳導或發射特性間之差異。空腔12A，12B 及12C基本上可爲任何形狀（在層12之平面中）包括圓形，方 形，橢圓等。 在此一特別具體實例中，圖1中説明之全部結構可被認爲 疋一支律基質13、其目的稍后再予述及。吾人應了解"支撑 基質"一詞其意義包括任何足以支撑所構造之項目之結構， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2!0X297公釐） 第85106409號中文申請案 中文説明書修正頁(86年II月） A7 B7 •'k .'ί- / 五、發明説明（）6 1 例如玻璃板：石英板’塑膠板’半導體晶片、有積電路 於其上之半導體晶片，有其他材料層形成於其上之半導 體晶片等。此外’圖1·5中之結構代表一個二度空間之 矩陣包括裝置之行及列（即像點）、其中—單裝置爲分解 圖以便説明。精於此技人士當了解所説明之特殊矩陣係 供~釋之目的、因此可有許多改變及修正。 參考圖2,層14爲一可除去之材料如未顯影之光阻以 任何万法配置在支撑基質13之表面丨丨上。層15爲—種堅 固疋材料如金屬配置在層14之上。通常層14及15均爲毯 狀層以全面涵蓋支撑基質13並咚已知方法沉積，該方法 可與特別方法及所用裝備相容·^ ·- 光阻層16沉積於層15之上.以形成屏蔽如圖3所示。層 16在其中限定一開口〗7，將層15之表面一部分暴露出 來。層15之暴露部分於是予以任何蝕刻材料予以蝕刻以 形成其中一孔穴19如圖4所示，蝕刻材料通常由组成層 15之材料決定。孔穴19有—橫向尺寸Wi其大於空腔12八 之橫向尺寸’而大約等於有待沉積之材料之項目之寬 度’此點1現在予以解釋，與紙之平面垂直之尺寸與空腔 12Α ’ 12Β及12C之形狀有關，亦可能與说丨相同如空腔 經濟部中央揉準局員工消費合作社印裝 in____ — II. -- 、，-.-. Μ ! ί請先Κ讀背面之注意事項再.填寫本頁) 訂· -12Α ’ 12Β及12C爲方形。一旦孔穴—19已在層15JT限定， 層16即被暴露並沿層14之一部分向外發展並未由層15所 涵蓋。層14之各部分即自層之下被除去如圖5所示， 其消给方法如氧電漿’化學蝕刻，曝光及顯影，等等方 式。 層15之下方橫向切割形成一層14上之開口 20、有一横向

第85106409號專利申請案 中文説明書修正頁(86年4月） 月 日修正/更正/補光 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作社印裝 五、發明説明（6 )

尺寸W2較孔穴19之橫向尺寸Wi爲大，暴露出包括空腔12A ’ 12B及12C之支撑基質13之表面之一部分。注意層15必須 足夠堅固以能保持懸垂於其中及承得住随后之處理。層15 可爲不同之金屬或金屬之组合，一特殊例子之金屬具有適 當特性又易於工作的是黃金。在此具體實例中開口 2 〇之橫 向尺寸W2需加以選擇以提供一圍繞空腔12A之非陰區21， 固繞空腔12B之陰區22及圍繞空腔12C之陰區23。此外，陰 區22及23較陰區21稍大，其目的在本説明進行時極爲明顯 〇 在一稍爲不同之具體實例中，與圖5中相似之結構（未示出） 可經由舖設與開口尺寸相等之光阻物20,之一部分而形成如 圖6所示。之后將金屬鍍在光阻物之每侧，及上方表面之— 部分以限定一孔穴19'。孔穴19,很容易形成，因爲金屬將向 光阻物20'之上方表面延伸一 l距離，其中高於光阻物20,之 金屬高度大約爲L。光阻物20,被暴露出來並離開而留下— 開口並懸垂、與圖5所示者相似。在此結構中，構成開口之 材料之層14'及形成孔穴19,之懸垂材料之層15,爲相同之材料 形成。 參考圖7,説明構造材料之項目於支撑基質13之上的程序 之持續步驟。利用圖5之陰罩，第一材料系統之項目30在開 口 20之區域21中之空腔12A之上沉積，其方式爲將材料自源 31與孔穴19成垂直沉積。因爲孔穴19大於空腔12A，項目3〇 將向外延伸越過空腔12a進入層12之表面 ，因此，如项目3 〇 包括許多材料層（即一有線二極體）各層將不致被傳導層

短路。第二材料系統之項目32在開口 20之區域22中空腔12B -9- 本紙張f度適用巾國國家標準（CN[) M規格（21〇χ29?公瘦） ~~~~—~__ I----;-----C I裝------訂------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) A7 B7 五、發明説明 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 予以沉積’方式爲由源33將材料以與孔穴19成α角向孔穴 19沉積。此外’第三材料系統之項目34以材料源35與孔穴 19成Α角沉積於開口 2〇之區域23中之空腔12C之上。在一特 殊例中，材科源31、33及35在一眞空室内距孔穴19遠處予 以快速蒸發’使自源31，33及35所放射顆料向孔穴19及目 標（支撑基以平行線移動（與線光源或瞄準光之一點）。 精於此士將了解’知道孔穴19之橫向尺寸Wi及高出 支撑基質13之表面之高度后即可準確決定泛及点角β此二 角《及之範圍約在30。-50。間，雖然此範圍及特別角度 可以選擇，或調整層14之厚度予以預定。此外，孔穴19之 橫向尺寸W1決定項目30之寬度，如能使項目32及34之寬度 與項目3 0之寬度相同則最理想，但空腔丨2a，12Β及12C之 尺寸可以不同。因此’可以看出準確決定高度項目3〇， 32及34均以平行空間相隔開配置於開口 2〇中，其間之空間 足夠防止電的相互連接。吾人了解項目3〇, 32, 34之沉積 順序並不重要，故此處所述之順序及專利範圍中所述之順 序並無限制本發明範園之用意。 在一較佳之具體實例中，形成項目30，32，34之每一材 料系統均包括形成一有機發光二極體之材料。圖8説明之有 機發光二極體35之剖面圖可用此飞目的。發光二極體35形 成於基質10之上第一電極。在之上配 置一個洞穴傳透層36，光射層37位於層36之上，層37上有 一電子運送層38，及第二端點之形成係配置一傳透層3 9於 層38上以完成二極體。精於發光二極體之人士當然了解形 -10 表紙張尺度朝中闕家網M CNS ) A4im ( 210X297公釐） — ^ (裝 訂------^ ^ -- (請先閱讀背面之注^事項再填寫本頁) Α7 Β7 第85106409號專利申請案 中文説明書修正頁(86年4月） 五、發明説明（8 ) 成不同材料之二極體可利用洞穴注入及運送區之不同组合 及電子注入及傳送區均可用以構成不同材料之二極體。炉 通常需要利用至少二個電極及一發光層於其間。 圖7中之結構中利用源31以沉積一材料系統結果造成發綠 色光有機二極體。同理，源33用來沉積—材料系統以形成 發紅色光有機二極體，源35用來沉積一材料系統，結果形 成發藍光有機二極體。不同之源31，33及35必要時可以相 互交換或與其他源代替。 因此，三項目30，32及34可在全彩色顯示器中作爲一單 一像點。圖9中説明矩陣之透視圖，顯示三色像點如何分成 各列。僅有二項目及二彩色可用於簡單矩陣中，或所有項 固30，32及34可以組合以產生相同彩色光（即單色顯示）。 精於此將了解可通過有機發光二極體35之電流量（及 其他電項目）與傳導層11接觸之層3b之面積有關。精於此技 者亦了解所有彩色發光二極體所發射之光強度均有所不同 。因此，本發明特別適用於補償此一緊急情事，由於空腔 12A，12B及12C之水平尺寸可容易選擇以提供每個二極體 以不同量之電流以使有不同之發射強度。 參考圖10,其説明配置在支撑基質上材料之項目之純化 方法。由於有待純化之項目可能爲任何材料或電予裝置， 在此例中爲一形成於支撑基質51上之發光二極體50,在此 具體實例中爲一光發射材料如玻璃等。二極體50包括材料 52之第一傳導條，其可能是銦錫氧化物（IT〇)，配置於基質 51之上表面介質層53,其爲絕緣材料如氮化矽置於材 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） I- n -1 - - I n — n —.... ........In - I-i-rejIn n n n 111 ΙΊ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 經濟部令央標準局負工消費合作社印製 Μ ______ Β7五、發明説明（9) 料52之上並構成二極體50之限制開口 β 如與圖5共同敘述者，一陰罩60構成於限制開口之上，光 阻物之第一層61沉積在層5S上，金屬層62沉積在層61上， 光阻物之第二層（未示出）沉積在層62之表面上並以任何方法 以構成圖案以形成罩蔽。光阻物第二層在該處限定一開口 ，其寬度約爲二極體50之理想寬度並直接層53中之限制開 口之上。金屬層62之暴露部分於后加以蚀刻以形成孔穴65 ，如圖10所示。一旦孔穴65已在層62中形成，光阻物之層 即被暴露並沿層61之部分顯影並未由層62所覆蓋。層61之 部分於是被從層62下消除如圖10所示者，其方法如氧電漿 、化學蝕刻、暴露及顯影等。 利用圖10中之陰罩，二極體5〇以沉積有機發光材料之層 54於限制開口中之傳導材料52上。金屬層55—般爲η型導電 金屬配置於層54之上以完成二極體5〇β鈍化材料層66自源 67之材料與孔穴65成垂直沉積在二極體50上。在一特殊例 中’源67之材料在眞空室與孔穴65有一段距離處予以蒸發 ’其方法與沉積平行項方法相似或接近。源67或基質51如 方便時予以橫向顫動如箭頭68所示（或轉動）以確保材料完全 塗層在一極體50之全部表面。顫動之量及顫動距離與二極 體50疋高度及孔穴65之橫向尺寸有關。之后，二極體5〇即 可利用相同之陰罩而不需校正或罩蔽需求即可製成並鈍化 〇 參考圖11 ’其中之結構以已沉積之項目30，32及34予以 説明°利用已定位之陰罩，將材料自遠方之源71以與孔隙 —H u rl — Λρ· ϊ— i 1—^Λ __ I ; -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂

K -12- -本紙張適用中國丨OX297/jjy A7 B7 五、發明説明（1〇) 經濟部中夬榡隼局員工消費合作社印製 19成垂直之方式將第一鈍化層70沉積於項目3〇之上。鈍化 層72沉積在項目32之上，係將鈍化材料自源73與孔穴19成 第一 α角而沉積。此外，鈍化層74沉積在項目34之上，其 方法係將鈍化材料自源75與孔穴19成第二y?角沉積。吾人 應了解鈍化源71、73及75可以取代綠，紅及藍源31、33及 35 »如上所述，純化源71、73及75稍加顫動，即分別以垂 直，α及卢角顫動以確保項目3〇，32及34之完全覆蓋及鈍 化。 純化完成后，層14可被部分或完全溶解，層15即可被舉 起。在某些應用中，層14及15可利用膠帶同時被舉起而不 需要溶解。單一罩蔽用來將有機二極體之矩陣結構在支撑 基質上及有機二極體之純化層上。因爲純化層7〇，72，74 彼此不相接觸，其可由氣密密封金屬形成，該金屬亦可用 來作爲每有機二極體之第二電端點。 以上揭示一個製造單—項目或完全有機led矩陣之改進的 方法’及以石版印刷步驟純化單一項目或完全有機led矩 陣之方法。此新的方法供製造及/或鈍化項目或有機led矩 陣非常容易且價廉’其有能力產生相當準確的材料之項目 供高析像度顯示器之用。此外，此新穎之方法供製造及/或 純化有機LED矩陣能產生減輕重量及厚度之矩陣。另一個 優點，結構與鈍化可使用熔劑以舉起單一罩蔽，故不需複 雜及有損害之步驟，如蝕刻等。完全製造及鈍化之執行並 不涉及在有機料之沉積后之高溫程序。 吾人已揭示本發明之r~特殊具體實例，對於精於此技人 13- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝·

、1T k 本纸張尺度關緖準（cNS) 格（’21Gx 297公慶 A7 B7五、發明説明（11 )當有許多修改及改進可行，因此，本發明並不僅限於所示 及在專利範圍内之特別形式，所有修改如不超過本發明之 精神及範圍均包括在專利範園之内。 (請先閱讀背面之注I事項再填寫本頁) mt nx— mtf ^^1 ma^ - J ^ 訂 ,ί 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐）

Claims (1)

1. 第85106409號專利申請案 中文申請專利範圍修正本(86年4月） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 1. 一種將幾項材料圖案化在支撑基質上之方 步驟： 匕括下列 提供-支撑基質以第-及第二橫向分隔限制於基質上、 導電區域，第一及第二導電區域限定第—電接觸； < 在基質上形成可除去材料之第—層及在第_層上或 去材料上形成可除去材料之第二層； 、 在覆蓋第一導體區域之可除去材料之第二層貫穿—孔隙 ，及在位於孔隙及第一及第二導電區域之間之可除去材 料之第一層貫穿一開口，在可除去材料之第二層之所餘 部分，形成一具有第—橫向尺寸一之該鲞多出基質 之一部分表面，在—可除去材料之第二層之剩餘部^形成 具有第二橫向尺寸之該貫穿孔穴」第二橫向尽寸比第— ，向尺寸小’可徐去.材料1之第二層覆蓋在開口中基質之 一-部分暴露表面，以便將基質之暴露表面分成一圍繞第 一導電區域之陰區及—圍繞第二導！區域之非陰區；^ 沉積一包括一光發射材料及第二電接觸之第一材料系統 ，在一眞空罜與孔隙有一距氣處_蒸發第—材料系統，俾 像第一杖弟系統之蒸發顆粒以大致平好線方式向基質之 ，暴露I&移動，該平行線與孔_腺成大致垂直方向，以形 成.呆….材料-系..統..之弟一多.層-電.....裝-置.於難陰、區中基質表 第二導電區域上，及沉積一包括光發射材料及第二 電接-觸之第二材料系統，在一眞空室内距離孔隙一距 k·蒸發-第二材料系統，俾使第二材料系統之蒸發顆粒 大致平行線方式向基質之暴露表面移動，該平行線與 離 以 孔 ^ 、裳— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i: 本紙張Μ逋用中ϋϋ家標準（CNS) A4^ ( 21()x297公董） 第85106409號專利申請案 中文申請專利範圍修正本(86年4月） A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 經濟部中央橾準局員工消費合作社印裝 1. 一種將幾項材料圖案化在支撑基質上之方 步驟： 匕括下列 提供-支撑基質以第-及第二橫向分隔限制於基質上、 導電區域，第一及第二導電區域限定第—電接觸； < 在基質上形成可除去材料之第—層及在第_層上或 去材料上形成可除去材料之第二層； 、 在覆蓋第一導體區域之可除去材料之第二層貫穿—孔隙 ，及在位於孔隙及第一及第二導電區域之間之可除去材 料之第一層貫穿一開口，在可除去材料之第二層之所餘 部分，形成一具有第—橫向尺寸一之該鲞多出基質 之一部分表面，在—可除去材料之第二層之剩餘部^形成 具有第二橫向尺寸之該貫穿孔穴」第二橫向尽寸比第— ，向尺寸小’可徐去.材料1之第二層覆蓋在開口中基質之 一-部分暴露表面，以便將基質之暴露表面分成一圍繞第 一導電區域之陰區及—圍繞第二導！區域之非陰區；^ 沉積一包括一光發射材料及第二電接觸之第一材料系統 ，在一眞空罜與孔隙有一距氣處_蒸發第—材料系統，俾 像第一杖弟系統之蒸發顆粒以大致平好線方式向基質之 ，暴露I&移動，該平行線與孔_腺成大致垂直方向，以形 成.呆….材料-系..統..之弟一多.層-電.....裝-置.於難陰、區中基質表 第二導電區域上，及沉積一包括光發射材料及第二 電接-觸之第二材料系統，在一眞空室内距離孔隙一距 k·蒸發-第二材料系統，俾使第二材料系統之蒸發顆粒 大致平行線方式向基質之暴露表面移動，該平行線與 離 以 孔 ^ 、裳— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 i: 本紙張Μ逋用中ϋϋ家標準（CNS) A4^ ( 21()x297公董） 經濟部中央標準局員工消費合作社印装 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 隙成一角度，以形成一第二材料系統之第二多層電裝置 於备區中基質之表面之第一導電區域上； r' 第一及第二多層裝置以非重疊關係成橫向分開；及 自基質上將可除去材料之第一及第二層彳除去。 2. —種將三項材料圖案化―在太樓羞j—^立渔，包括下列 步驟： 、提供一支撑基質以第一，第二及第三橫:向分隔開限定在 基質上之導電區域，第一，第二及第三導電區域各限定 第一電接觸； 在基質上敢成尊番I甘南-之·^第一層及除材料之第 ~~"--------------.... 一層上形成可消除材-料之第二層； 在覆蓋第一導電區域之可消除材料之第二層上形成一貫 穿孔隙，並在位於孔隙及第一，第二及第三導電區域之 間之可消除材料之第一層形成一貫穿開口，可消除材料 之第一層之所餘部分形成—Jt有第一橫向尺寸之開口_， —... 、 以暴露ΓΪ基質之一部分J及可篇料^第-二層之限定 一具有較第一橫向尺寸爲小之第二橫向尺寸之孔隙，可 消除材料之第二層篆蓋在開口中一部分暴露之基質之上 ，以分別將暴露之基質分成圍繞第一導電屋域之第一陰 區，及圍繞第二導電區域之非陰區，圍繞第三導電區域 之第二陰區；及 蒸發一包括光射材料及策...二」I接觸之策二材Α系統於一 眞空室内並與孔隙有一 ϋ潘，俾使第二材料系統之蒸發 顆粒以大致平行線向基質之暴露表面移動，赛平行線大 ^ I 訂 ^ 'V? (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -2- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 申請專利範圍 經濟部中央標準局貝工消費合作社印袈 致與孔隙垂直，以在非陰區形成於基質上—項第一材料 系統，第一材料系統形成第—彩色有^發光二極蹲； ,蒸發一包括光射材料及第二電接觸之第二材料系統於— d室中並與孔隙有一距離，俾應第一材料4复之蒸 f粒队大致平行線命基質暴露之表最移動，諱平行線與 孔隙.成—角度，以形成第一陰區中之基質上的一項第二 材料系統，策二材料-系統形成第二彩色有機發光二極體 ;及 蒸發一包括先射材氣及第二電接觸冬農三材料系統於— 眞空室内並與孔蓋有一龙離，俾使第一材料系統之蒸發 顆孝以大致王行_線—向基—質__毛暴^露表面移動，該平行線與 孔隙成及一角度，以形成一項'第三材料於第二陰區内之 基質上，第至材—tt系統形成第爲彩色有機發光；極體； 第一彩色，第二彩色及第三彩色有機發光二極體以非重 、 · — 疊關係成橫向分陽開；及 声基質上將可消除材料之第一及第二層除去。 3·.—種在一支撑基質上圖案化及鈍化之方法，多項材料系 包丧-有機發光器，該方法含下列步驟： 提供一支撑基質以第一及第二橫向分開在基質上限定之 導電區域，第一及第二、導電區域跟.定第電接觸； 在基質上形成一可消除之材料層及一金屬層於一可消 之材料層上； 在覆蓋第一導嚯區4之金屏I形成一I穿孔隙，及在 -於孔择及第一，第二導電區域之間之可消除材料之層 除 位 上, (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) —裝. .47 V? -3 本紙張尺度逋用中國國家標準（CNS ) M说格（2l〇X297公釐） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 現成一貫穿開口，可消除材料之層H餘身分—具 .、有第一橫向尺寸之開口，以.暴露出.基..質之一部分，金屬 層之其餘部分形成一具有第二橫_向尺本之，該 ----- 第二橫向尺寸較第一橫向尺寸爲土，—金羼屋_覆蓋_在間口 中一部分基質之上，以將暴露之._基_置分爲一圍繞第一導 電區域之陰區，及一園繞第二導電區域之非陰區； 蒸發一包括光射_杖_料及第二電接觸之第一材料系統於一 ’眞空皇並距_孔隙一距雕，俾使第一材料系統之蒸發顆粒 以大蜂平行線方式向基質之暴露表面移動，該平行線與 孔隙^成_太致垂直以在.非陰區内基質之第二導_.霞_區域形成 ，包括策一直..機發光體之第一材料系統之一項目； 蒸發一包括光赴杖料及第二電接觸之f二材料系統於一 '1'眞空室，並與孔隙成一距離，俾使第二材料系統之蒸發 顆粒以大致平行線方式向基質之暴露表面移動，該平行 線與孔隙成一角度以在陰區之基質之第一導電區域形成 包括第二有機發光體之第二材料系統之一項目，第一及 第二多層裝置以非重疊關係成橫向分隔開； 蒸發鈍化材料於一眞空室内並距孔隙一距離，俾使鈍化 材料之蒸發顆粒以大致平行H方式_命第一材料系統移動 ，該平行線與孔隙大致成垂以_餘孔ϋ.垂直之方式蒸 發純化材料_」_以形成一純4匕蓋於慕二林料系統之上； 蒸發純化材料於一眞空室内並距孔隙有一距離，俾使鈍 化材料之蒸發顆粒以大致平行線方式向第二材料系統移 動，該平行線與孔隙成一角度以形成一鈍化蓋於第二材 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) k- 裝. *1T Κ 本紙張尺度逋用中國國家榇準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） A8 B8 C8 D8 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 y、申請專利範圍 料系統之上；及 除去可消除材料層及在可消除材料之層上之金屬層。 4·種鈍化配置在支撑基質之材料沉積之方法，含下列步 驟： k供其上沉積有一種材料之支撑基質； 在基質上形成第一材料層及在第一材料省形成第二材料 層，第一材料層界定一具有模向尺寸之開口，該第 -橫向尺寸大於材料之沉積厚H暴露材料沉積，第二 材料層界定一具有第二橫向尺丈支貫穿孔，該第二橫向 尺寸小於第一橫向尺寸，並且第二層覆蓋在材料之沉積 、上；及- 自一遠處之源以與孔隙成垂直之方向蒸營鈍化材料及顫 動一运處源之一或源於一垂直方向以形成在沉積材料上 一純化蓋。 5' —種將位於支撑基質上之多項社料也化之方法，含下列步驟： 提供其上有多項#基t; 在基質上形成第一材料層及在第一材料屢形成第二材料 層’第一材料層形成具有第—橫向尺寸之開口，以暴露 出孩等材料，第二材料層界定一具有第二橫向尺寸之貫 穿孔隙，該第二橫向尺寸較第一橫向尺寸爲小，第二材 料層覆盘在該開口中至少一項材料之上，以便將該等材 料为成一陰項目區及一非陰項目區；及 與孔隙成垂直孝向蒸發純化材料，以形成在材料之非陰 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 i、 本紙張尺度逋用中國國家樣举（CNS ) A4規格（21〇 X 297公釐） A8 Βδ C8 D8申請專利範圍項目上一鈍化蓋，及與孔隙成一角度蒸發雜化材料 在材料之有陰項目之上形成一鈍化蓋。 以 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) L ' uml —^ϋ mu nn ^n·—/ n^— - -I m 1^1 f I u^. 、ve- 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -6 本紙張尺度適用中國國家梯準（CNS了 A4規格(