JPH09272995A - 錫めっき及び錫−鉛合金めっき用非酸性浴、及び該めっき浴を用いためっき方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 被めっき物のセラミック部分が侵食すること
がなく、かつ本来めっきされるべき部分にのみ錫めっき
又は錫−鉛合金めっきを施こすことができる錫めっき浴
または錫−鉛合金めっき浴を提供すること。 【解決手段】 第一錫源（及び鉛源）、これとキレート
を形成するための錯化剤とを含有し、浴中の無機陰イオ
ンの合計含有量が1.５モル／ｌ以下であり、陽イオンと
して（ａ）アルカリ金属イオン及び／又はアルカリ土類
金属イオンと（ｂ）アンモニウムイオン及び／又は有機
アミンイオンとを含有し、陽イオン（ａ）／（ｂ）が１
／５〜５／１（モル比）の範囲にあり、かつ、浴のｐＨ
が７〜１４の範囲にある錫めっき浴又は錫−鉛めっき
浴。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、錫めっきや錫−鉛
合金めっき用の中性ないしはアルカリ性の浴及び該めっ
き浴を用いて、各種基体に錫めっきや錫−鉛合金めっき
を施す方法に関するものである。

【従来の技術】錫めっきや錫−鉛合金めっきは、ハンダ
付け性向上のため、またコネクター等の接点用として弱
電あるいは電子工業の分野で広く利用されている。この
ようなめっきを施こすために使用する錫めっき浴として
は硫酸浴、硼弗化浴が、また錫−鉛合金めっき浴として
は硼弗化浴、スルホン酸浴が主として知られているが、
これらの浴はいずれも浴のｐＨが強酸性であるため、フ
ェライト等の遷移金属系の酸化物を含有するセラミック
を複合した部品へめっきを行う場合、セラミック部分が
めっき浴に侵されるという問題がある。また、セラミッ
ク部分の侵食を少くできる錫めっきや錫−鉛合金めっき
用のアルカリ性の浴（例えば、特公昭５９−１０９９７
号公報記載の浴）であっても、めっき浴成分とし該公報
記載の界面活性剤を使用すると、本来めっきされるべき
でないセラミック部分にもめっきが施こされてしまうと
いう問題が生じる。特に、最近では、電子工業の分野で
はフェライト等の遷移金属系の酸化物を含有するセラミ
ックを複合した部品が開発されており、それらの部品へ
の錫めっきまたは錫−鉛合金めっきの要望が高くなって
いる。従って、セラミック部がめっき浴に侵されること
がなく、かつ本来めっきされるべきでないセラミック部
分にはめっきが行われない錫めっき浴又は錫−鉛合金め
っき浴の開発が望まれている。

【０００２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、被めっき物
のセラミック部分が侵食することがなく、かつ本来めっ
きされるべき部分にのみ錫めっき又は錫−鉛合金めっき
を施こすことができる錫めっき浴または錫−鉛合金めっ
き浴を提供することを目的とする。本発明は、又、本来
めっきされるべき部分にのみ錫めっき又は錫−鉛合金め
っきを施こすことができる錫めっき又は錫−鉛合金めっ
き方法を提供することを目的とする。

【課題を解決するための手段】本発明は、中性〜アルカ
リ性の水性浴中に第一錫または第一錫と鉛とをキレート
剤により溶解し、かつ浴中の無機陰イオンの合計含有量
を特定量以下とするとともに特定の陽イオンを特定の比
率で含有すると、上記課題を効率的に解決できるとの知
見に基づいてなされたのである。

【０００３】すなわち、本発明は、第一錫源、これとキ
レートを形成するための錯化剤とを含有し、浴中の無機
陰イオンの合計含有量が1.５モル／ｌ以下であり、陽イ
オンとして（ａ）アルカリ金属イオン及び／又はアルカ
リ土類金属イオンと（ｂ）アンモニウムイオン及び／又
は有機アミンイオンとを含有し、陽イオン（ａ）／
（ｂ）が１／５〜５／１（モル比）の範囲にあり、か
つ、浴のｐＨが７〜１４の範囲にあることを特徴とする
錫めっき浴を提供する。本発明は、又、第一錫源及び鉛
源、これらとキレートを形成するための錯化剤とを含有
し、浴中の無機陰イオンの合計含有量が1.５モル／ｌ以
下であり、陽イオンとして（ａ）アルカリ金属イオン及
び／又はアルカリ土類金属イオンと（ｂ）アンモニウム
イオン及び／又は有機アミンイオンとを含有し、陽イオ
ン（ａ）／（ｂ）が１／５〜５／１（モル比）の範囲に
あり、かつ、浴のｐＨが７〜１４の範囲にあることを特
徴とする錫−鉛めっき浴を提供する。本発明は、さら
に、上記めっき浴を用いて各種基体に錫めっき又は鉛め
っき浴を施す方法を提供する。

【０００４】

【発明の実施の形態】本発明で用いる第一錫源として
は、めっき浴中に第一錫イオンをもたらすことができる
ものであればよい。このうち第一錫塩が好ましい。又、
鉛源もめっき浴中に鉛イオンをもたらすことができるも
のであればよく、このうち鉛塩が好ましい。具体的に
は、各々の金属の水酸化物、酸化物、硫酸塩、塩酸塩、
スルファミン酸塩、ピロリン酸塩、カルボン酸塩、アミ
ノ酸塩またはスルホン酸塩があげられ、好ましくは、第
一錫や鉛の酸化物、硫酸塩、塩酸塩があげられる。本発
明のめっき浴における金属イオン濃度は適宜調整するこ
とができるが、二価の錫イオンは１〜５０ｇ／ｌの範囲
にあるのが好ましく、より好ましくは５〜４０ｇ／ｌで
ある。二価の鉛イオンは0.０５〜４０ｇ／ｌの範囲にあ
るのが好ましく、より好ましく0.１〜２０ｇ／ｌであ
る。

【０００５】本発明では、上記金属イオンをキレートす
るための錯化剤とを含有する。ここで、該錯化剤として
は種々のキレート剤を用いることができるが、(i) カル
ボン酸、(ii)、ラクトン化合物、及び(iii) これらの塩
から選ばれる一種又は二種以上の混合物があげられる。
ここで、カルボン酸としては、ポリオキシモノカルボン
酸、ポリカルボン酸、アミノカルボン酸があげられる。
ポリオキシモノカルボン酸としては、分子内にヒドロキ
シル基を２個以上、好ましくは２〜６個有し、かつカル
ボキシル基を１個有する化合物があげられる。このよう
な化合物としては、炭素数が３〜７のものが好ましい。
具体的には、グリセリン酸、グルコン酸、グルコヘプト
ン酸が例示される。本発明で使用できるポリカルボン酸
及びアミノカルボン酸の具体例としては、マロン酸、マ
レイン酸、コハク酸、トリカルバリル酸、クエン酸、酒
石酸、リンゴ酸、２−スルホエチルイミノ−Ｎ，Ｎ−ジ
酢酸、イミノジ酢酸、ニトリロトリ酢酸、ＥＤＴＡ、ト
リエチレンジアミンテトラ酢酸、グルタミン酸、アスパ
ラギン酸、β−アラニン−Ｎ，Ｎ−ジ酢酸及びトリカル
バリル酸、好ましくは、マロン酸、クエン酸、リンゴ
酸、ＥＤＴＡ、グルタミン酸をあげることができる。

【０００６】本発明で使用するラクトン化合物としては
ポリオキシラクトンが好ましく、分子内にヒドロキシル
基を２個以上、好ましくは２〜５個有するラクトンがあ
げられる。このような化合物としては、炭素数が３〜７
のものが好ましい。具体的には、グルコノラクトンやグ
ルコヘプトノラクトンをあげることができる。上記化合
物の塩と例としては、アルカリ金属塩（ナトリウム、カ
リウム、リチウム塩）、アルカリ土類金属塩（マグネシ
ウム、カルシウム、塩等）、二価の錫塩、鉛塩、アンモ
ニウム塩及び有機アミン塩（モノメチルアミン、ジメチ
ルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、イソプロ
ピルアミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン
等）があげることができる。このうち、ナトリウム塩、
カリウム塩、アンモニウム塩、二価の錫塩及び鉛塩が好
ましい。上記ポリオキシモノカルボン酸、ポリオキシラ
クトン、ポリカルボン酸、アミノカルボン酸、及びその
塩は、一種又は二種以上の混合物として使用することが
できる。

【０００７】上記錯化剤のうち、ポリオキシモノカルボ
ン酸、ポリオキシラクトン、ポリカルボン酸、アミノカ
ルボン酸、またはその塩が好ましい。これらの濃度は、
第一錫及び鉛と錯体を形成できる量であるのが好まし
い。具体的には、0.２〜2.０モル／ｌとするのが好まし
く、特に好ましくは、0.２５〜1.０モル／ｌである。二
価の錫イオンまたは鉛イオンがカルボン酸、ラクトン化
合物の塩として浴中に添加される場合には、あらためて
これらの酸を添加しなくとも良いが、上記好ましい範囲
内にない場合には足らない分を補充するのが良い。さら
にめっき時の通電性を良好にするために電導性の塩を含
有させることが好ましい。

【０００８】電導性の塩としては、硫酸、塩酸、スルフ
ァミン酸、ピロリン酸、スルホン酸等のアルカリ金属塩
（ナトリウム、カリウム、リチウム塩）、アルカリ土類
金属塩（マグネシウム、カルシウム、塩等）、アンモニ
ウム塩、有機アミン塩（モノメチルアミン、ジメチルア
ミン、トリメチルアミン、エチルアミン、イソプロピル
アミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン等）
等を含有させることができる。具体的には、硫酸アンモ
ニウム、メタンスルホン酸ナトリウム、ピロリン酸ナト
リウム、スルファミン酸モノメチルアミン等が挙げら
れ、硫酸アンモニウム、メタンスルホン酸ナトリウムが
特に好ましい。これら塩の含有量は、浴中の無機陰イオ
ンの合計含有量として1.５モル／ｌ以下となるようにす
る必要がある。1.５モル／ｌより濃度が高くなると本来
めっきされるべきでないセラミック部にもめっきの析出
が起こってしまう。本発明では浴中の無機陰イオンの合
計含有量をより好ましくは1.２５モル／ｌ以下であり、
最も好ましくは0.４〜1.０モル／ｌである。

【０００９】また、本発明の浴は陽イオンとして（ａ）
アルカリ金属イオン（例えば、ナトリウム、カリウム、
リチウムイオン及び／又はアルカリ土類金属イオン（例
えば、マグネシウム、カルシウムイオン等）、および
（ｂ）アンモニウムイオン又は有機アミンイオン（例え
ば、モノメチルアミンイオン、ジメチルアミンイオン、
トリメチルアミンイオン、エチルアミンイオン、イソプ
ロピルアミンイオン、エチレンジアミンイオン、ジエチ
レントリアミンイオン等）を含有し、その含有比率を
（ａ）／（ｂ）がモル濃度比で１／５〜５／１の範囲に
なるようにする必要がある。好ましくは１／３〜３／１
である。１／５より小さいとセラミック部に侵食が起こ
り、５／１より大きいと本来めっきされるべきでないセ
ラミック部にもめっきの析出が起こってしまう。尚、浴
中の陽イオン（ａ）と（ｂ）の合計含有量を0.２５〜１
０モル／リットルとするのが好ましく、より好ましくは
0.５〜５モル／リットルである。

【００１０】本発明では、さらに、浴のｐＨを７〜１４
に調整することが必要である。浴のｐＨは好ましくは８
〜１３であり、より好ましくは８〜１0.５である。浴の
ｐＨの調整は、上記各成分の使用割合を上記範囲内で適
宜調節することにより行うことができるが、酸及び／又
はアルカリを用いて上記範囲内にすることもできる。か
かる酸としては、硫酸、塩酸、スルホン酸、ピロリン酸
等を挙げることができる。また、アルカリとしては、水
酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水等を使
用することができる。本発明のめっき浴は、上記成分を
必須とし、残部を水とすることができるが、さらに種々
の成分を含有させることができる。本発明では、析出粒
子を微細化し緻密なめっき皮膜を得るために一般式
（Ｉ）で表される四級化アミンポリマーや一般式（II）
で表される四級化イミダゾール誘導体を含有させるのが
よい。

【００１１】

【化２】

【００１２】（式中、Ｒ₁ は炭素数１〜５のアルキレン
基、−CH₂ −CH（OH）−CH₂ −で表される基又は−CH₂C
H₂OCH₂CH₂ −で表される基であり、ｎは重合度で２〜１
５０を表す。Ｒ₂ 及びＲ₃ はそれぞれ独立して、炭素数
１〜５のアルキル基、ベンジル基又はHO−(CH₂) _m −
（ｍは１〜６の整数）で表される基である。Ｘ^- は陰イ
オンである。） 上記四級化アミンポリマー及び四級化イミダゾール誘導
体は、一種または二種以上組み合わせて使用することが
できる。使用濃度は四級アミンポリマーを0.０５〜５ｇ
／ｌとするのが好ましく、より好ましくは0.１〜２ｇ／
ｌである。四級化イミダゾール誘導体は0.１〜１０ｇ／
ｌとするのが好ましく、より好ましくは0.２〜５ｇ／ｌ
である。次に本発明の浴を使用するめっき方法について
説明する。めっきの対象となる基体としては、銅、鉄、
ニッケル及びそれらの合金やめっき物が挙げられる。

【００１３】本発明は、フェライト等の遷移金属系の酸
化物を含有するセラミックを複合した金属を基体として
使用する場合に特に有効である。陰極を該基体とし、陽
極には通常錫または錫−鉛合金板を使用する。浴温は通
常１０〜４０℃、好ましくは１５〜３０℃である。陰極
電流密度は通常0.０５〜５Ａ／dm² とするのが良い。め
っき時間は要求されるめっきの膜厚にもよるが１〜１２
０分、好ましくは５〜６０分である。液流、カソードロ
ッカー等の機械的攪拌を行うことができる。本発明方法
により得られるめっき膜厚は広い範囲のものとすること
が可能であるが、一般に0.５〜１００μm 、好ましくは
１〜２０μm である。めっき期間中も浴のｐＨを７〜１
４に維持するのが好ましい。めっきに際して、被めっき
物（基体）は、常法により前処理した後、めっき工程に
付されるのが好ましい。前処理工程では、浸漬脱脂、酸
洗、陽極の電解洗浄及び活性化の少なくとも１つの操作
が行われる。各操作間に水洗を行うのがよい。めっき後
は得られた皮膜を洗浄して乾燥するか、次の変色防止処
理工程（第三リン酸ソーダ処理等）に付すこともでき
る。

【００１４】めっき工程は静止浴のみならず、バレル浴
でも実施することができる。本発明のめっき液は、浴成
分を適当な補給剤により補給して一定に保つことによ
り、液を更新することなく長期間使用することができ
る。

【発明の効果】本発明によれば、フェライト等の遷移金
属系の酸化物を含有するセラミック複合部品等、酸性雰
囲気で素材侵食を受ける部品に対しても、素材侵食が防
止できるため、従来浴では錫または錫−鉛合金めっきを
することができなかった部品にも錫または錫−鉛合金め
っきが可能である。次に実施例により本発明を説明する
が、本発明はこれらによって限定されるものではない。

【００１５】

【実施例】

実施例１ 銅とフェライトの複合した被めっき物（基体）をアセト
ンで脱脂し、２０％ＡＣ−６（ディップソール（株）
製）で活性化した。なお、各操作間に水洗を充分に行っ
た。一方、表−１に示すめっき液をアクリル製のめっき
槽に入れ、陽極に錫または錫−鉛合金板を使用し、陰極
に上記の活性化した被めっき物を接続して表−２の条件
でめっきを行った。得られためっきについて、外観、膜
厚、合金組成（ケイ光Ｘ線分析）、フェライト部の侵食
の状況（実体顕微鏡）、フェライト部へのめっき析出の
有無（実体顕微鏡）を調べた。これらの結果を表−３に
示す。

【００１６】

【表１】 表−１ めっき浴の組成〔成分（g/
l)〕 No. 1 2 3 4 Sn²⁺（g/l) 25 25 25 25 Pb²⁺（g/l) 0 0 0 1 クエン酸（モル/l) 0.625 0 0 0.625 酒石酸（モル/l) 0 0.8 0 0 グルコン酸（モル/l) 0 0 0 0 グルコノラクトン（モル/l) 0 0 0.842 0 ジエチレントリアミンペンタ酢酸（モル/l) 0 0 0 0 メタンスルホン酸イオン（モル/l) 0 1.041 0 0 硫酸イオン（モル/l) 1.249 0 0 0 スルファミン酸イオン（モル/l) 0 0 1.237 0.619 無機陰イオントータル（モル／ｌ） 1.25 0 1.25 0.63 Na⁺ ／NH₄ ⁺ （モル濃度比） − − 4/1 − Ｋ⁺ ／モノメチルアミンイオン − 3/2 − − Na⁺ ／トリメチルアミンイオン 3/1 − − −Mg²⁺／エチレンジアミンイオン − − − 1/1 四級化アミンポリマー種 ^*1 − A-2 A-3 − 〃 濃度（g/l) − 1 1 − 四級化イミダゾール誘導体種 ^*2 − − − B-1 〃 濃度（g/l) − − − 2 pH ^*3 7.5 8 10 8

【００１７】

【表２】 表−１（続き） めっき浴の組成〔成
分（g/l)〕 No. 5 6 7 8 9 10 Sn²⁺（g/l) 25 25 25 25 15 35 Pb²⁺（g/l) 1 2 2 4 0 1.5 クエン酸（モル/l) 0 0 0 0 0 0.416 酒石酸（モル/l) 0.8 0 0 0 0 0.4 グルコン酸（モル/l) 0 0.765 0 0 0 0 グルコノラクトン（モル/l) 0 0 0.842 0 0.674 0 ジエチレントリアミンペンタ酢酸 0 0 0 0.382 0 0 （モル/l) メタンスルホン酸イオン（モル/l) 0 0 0 1.041 0 0 硫酸イオン（モル/l) 0.625 1.249 0 0 0.999 0.625 スルファミン酸イオン（モル/l) 0 0 1.237 0 0 0 無機陰イオントータル（モル／ｌ）0.63 1.25 1.25 0 1.00 0.63 Na⁺ ／NH₄ ⁺ （モル濃度比） − 1/1 − − 2/3 3/2 Ｋ⁺ ／モノメチルアミンイオン − − 2/3 − − − Na⁺ ／トリメチルアミンイオン − − − 1/4 − −Mg²⁺／エチレンジアミンイオン 1/3 − − − − − 四級化アミンポリマー種 ^*1 − − A-1 A-1 − A-2 〃 濃度（g/l) − − 1 1 − １ 四級化イミダゾール誘導体種 ^*2 B-2 − B-1 B-3 − − 〃 濃度（g/l) 2 − 1 1 − − pH ^*3 8 8 10 9 ９ ８ 表−１中、注１及び注２のポリマーとして、下記のポリ
マーを用いた。

【００１８】

【化３】

【００１９】

【００２０】

【化４】

【００２１】注３ pH 調整はNaOHとアンモニア水、KO
H とモノメチルアミン、NaOHとトリメチルアミン、 Mg
(OH)₂とエチレンジアミンをそれぞれ上表の比率になる
ように調整し、使用した。

【００２２】

【表３】 表−２ めっき条件 No. 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 陰極電流密度 0.2 0.5 2 0.5 0.5 1 1 2 1.0 0.5 (A/dm²) 陽極種(Sn/Pb) Sn板 Sn板 Sn板 90/10 90/10 90/10 90/10 80/20 Sn板 90/10 めっき温度（℃) 25 25 25 25 25 25 25 25 25めっき時間（分）60 30 10 30 30 15 15 20 30

【００２３】

【表４】 表−３ めっき及びめっき浴の性
質 No. １ ２ ３ ４ めっき外観 無光沢 半光沢 半光沢 半光沢 めっき膜厚 （μm ） 6 6 6 6 合金組成 （Sn％） 100 100 100 90 フェライト部の侵食性 無 無 無 無 フェライト部へのめっきの 無 無 無 無 析出の有無

【００２４】

【表５】 表−３（続き） めっき及びめっき浴
の性質 No. ５ ６ ７ ８ 9 10 めっき外観 半光沢 無光沢 半光沢 半光沢 無光沢 半光沢 めっき膜厚 （μm ） 6 6 6 6 6 6 合金組成 （Sn％） 90 90 90 80 100 90 フェライト部の侵食性 無 無 無 無 無 無 フェライト部へのめっ 無 無 無 無 無 無 きの析出の有無

【００２５】比較例１〜６ 表−４に示す組成のめっき液を使用し、表−５に示す条
件を用いた以外は実施例１と同様にして錫および錫−鉛
合金めっきを行った。得られた結果を表−６に示す。

【００２６】

【表６】 表−４ めっき浴の組成 比 較 例 成 分 1^* 2^* 3^* 4^* 5^* 6^* Sn²⁺（g/l) 25 18 25 17 25 25 Pb²⁺（g/l) 0 9 0 5.5 2 2 硫酸（モル/l) 1.020 0 0 0 0 0 クレゾールスルホン酸（モル/l) 1.88 0 0 0 0 0 ホウ弗化水素酸（モル/l) 0 2.049 0 0 0 0 グルコヘプトン酸（モル/l) 0 0 0.531 0 0 0 グルコノラクトン（モル/l) 0 0 0 0.842 0.842 0.842 スルファミン酸イオン（モル/l) 0 0 0 0 1.237 1.237 ホウ酸（モル/l) 0 0.323 0 0 0 0 β−ナフトール（g/l) 1 0 0 0 0 0 ゼラチン（g/l) 2 0 0 0 0 0 ペプトン（g/l) 0 1 0 0 0 0 ポリオキシエチレンオクタデシルアミン 0 0 3 0 0 0 （エチレンオキサイド付加モル数10）(g/l) ポリオキシエチレンラウリン酸 0 0 0 5 0 0 モノエステル（g/l) （エチレンオキサイド付加モル数15） 塩酸ヒドラジン（g/l) 0 0 10 0 0 0 抱水ヒドラジン（g/l) 0 0 0 20 0 0 無機陰イオントータル（モル／ｌ） 1.25 2.5 0.2 0.17 1.25 1.25 Na⁺ ／NH₄ ⁺ （モル濃度比） 0/0 0/0 1/0 1/0 0/1 1/0 pH ^*4 1> 1> 3.5 5.0 8.0 8.0 注４ pH 調整にNaOH又はアンモニア水を使用した。

【００２７】

【表７】 表−５ めっき条件 比 較 例 項 目 1^* 2^* 3^* 4^* 5^* 6^* 陰極電流密度(A/dm²) 1.5 2 1 3 1 1 陽極種（Sn/Pb) Sn板 60/40 Sn板 70/30 90/10 90/10 めっき温度（℃） 20 20 50 40 25 25 めっき時間（分） 8 6 5 10 15 15

【００２８】

【表８】 表−６ めっき条件 比 較 例 項 目 1^* 2^* 3^* 4^* 5^* 6^* めっき外観 無光沢 無光沢 半光沢 半光沢 無光沢 無光沢 めっき膜厚 （μm ） 6 5 5 10 6 6 合金組成 （Sn％） 100 60 100 70 90 90 フェライト部の侵食性 有 有 有 有 有 無 フェライト部への 有 有 有 有 無 有 めっきの析出の有無

【００２９】表−３と表−６に記載のデータの比較から
めっき外観、めっき膜厚、合金組成に関しては特に問題
となるようなことはないが、フェライトへの侵食性に関
しては本発明では侵食が生じないことが分かる。 実施例２及び比較例５〜８ フェライトの代わりにMnの酸化物系セラミックを複合し
た被めっき物を基体として用いた以外は、実施例１のNo
１〜１０及び比較例１〜６のめっき浴を使用し、それぞ
れ実施例１及び比較例１〜６と同じ方法でめっきを行
い、セラミックス部の侵食の状態、及びセラミックス部
へのめっき析出の有無を同様にして評価した。結果を表
−７に示す。

【００３０】

【表９】 表−７ 本発明 比較例 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 5* 6* 7* 8* 9* 10* メッキ 浴No 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 1^* 2^* 3^* 4^* 5^* 6^* セラミック 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無 有 有 有 小 有 無 部の侵食性セラミック 無 無 無 無 無 無 無 無 無 無 有 有 有 有 無 有部へのめっきの析出

【００３１】このように本発明のめっき浴を使用すれ
ば、被めっき物に複合したフェライト等の遷移金属系の
酸化物を含有するセラミックの侵食が有効に防止できる
ことがわかる。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第一錫源、これとキレートを形成するた
   めの錯化剤とを含有し、浴中の無機陰イオンの合計含有
   量が1.５モル／ｌ以下であり、陽イオンとして（ａ）ア
   ルカリ金属イオン及び／又はアルカリ土類金属イオンと
   （ｂ）アンモニウムイオン及び／又は有機アミンイオン
   とを含有し、陽イオン（ａ）／（ｂ）が１／５〜５／１
   （モル比）の範囲にあり、かつ、浴のｐＨが７〜１４の
   範囲にあることを特徴とする錫めっき浴。
2. 【請求項２】 第一錫源及び鉛源、これらとキレートを
   形成するための錯化剤とを含有し、浴中の無機陰イオン
   の合計含有量が1.５モル／ｌ以下であり、陽イオンとし
   て（ａ）アルカリ金属イオン及び／又はアルカリ土類金
   属イオンと（ｂ）アンモニウムイオン及び／又は有機ア
   ミンイオンとを含有し、陽イオン（ａ）／（ｂ）が１／
   ５〜５／１（モル比）の範囲にあり、かつ、浴のｐＨが
   ７〜１４の範囲にあることを特徴とする錫−鉛めっき
   浴。
3. 【請求項３】 錯化剤が、ポリオキシモノカルボン酸、
   ポリカルボン酸、アミノカルボン酸、ラクトン化合物、
   及びこれらの塩から選ばれる少なくとも一種である請求
   項１又は２記載のめっき浴。
4. 【請求項４】 一般式（Ｉ）で表される四級化アミンポ
   リマー及び／又は一般式（II）で表される四級化イミダ
   ゾール誘導体を含有する請求項１〜３のいずれか１項記
   載のめっき浴。 【化１】 （式中、Ｒ₁ は炭素数１〜５のアルキレン基、−CH₂ −
   CH（OH）−CH₂ −で表される基又は−CH₂CH₂OCH₂CH₂ −
   で表される基であり、ｎは重合度で２〜１５０を表す。
   Ｒ₂ 及びＲ₃ はそれぞれ独立して、炭素数１〜５のアル
   キル基、ベンジル基又はHO−(CH₂) _m −（ｍは１〜６の
   整数）で表される基である。Ｘ^- は陰イオンである。）
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項記載のめっ
   き浴を用いて、基体にめっきを施こすことを特徴とする
   錫めっき又は錫−鉛合金めっき方法。