JPH09251800A - アルゴリズミックパターンエディタ - Google Patents

アルゴリズミックパターンエディタ

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JPH09251800A
JPH09251800A JP8058143A JP5814396A JPH09251800A JP H09251800 A JPH09251800 A JP H09251800A JP 8058143 A JP8058143 A JP 8058143A JP 5814396 A JP5814396 A JP 5814396A JP H09251800 A JPH09251800 A JP H09251800A
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JP
Japan
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pattern
memory
algorithmic
sheet
displayed
Prior art date
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JP8058143A
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English (en)
Inventor
Yukihiro Tanemura
之宏 種村
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Hitachi Ltd
Renesas Semiconductor Package and Test Solutions Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
Hitachi Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Hokkai Semiconductor Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 専用のプログラム言語を習熟することなくア
ルゴリズミックパターンを作成できるようにする。 【解決手段】 複数設けられて選択的にディスプレイ上
に表示され、それぞれ1種類のアルゴリズミックパター
ンを編集するパターンエディットシート6と、各パター
ンエディットシート6に表示されてメモリICのメモリ
領域に対応した仮想メモリマトリックス8と、メモリ領
域を構成するメモリセルに対応して仮想メモリマトリッ
クス8を構成し、所定のデータ書き込みおよび読み出し
を行う動作パターンが生成されるとともにこれが対応し
たメモリセルで実行されるデータ入出力セル7と、パタ
ーンエディットシート6に選択的に表示されて動作パタ
ーンのスキャン方向が複数種表されたスキャン方向指示
部9とを有するアルゴリズミックパターンエディタ5と
する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体チップ上に形
成されたメモリICの電気的機能試験で実行されるアル
ゴリズムの生成に適用して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】今日、たとえばDRAM(Dynamic RAM
)などのメモリICは、年々大容量化、高速化、多機
能化が進んでおり、それに比例するようにしてメモリI
Cを電気的機能試験により測定、評価するメモリテスタ
にもより複雑なテスト内容を実行することが要求されて
いる。ここで、メモリテスタとは形成されたメモリ領域
を構成するメモリセル単位の動作が正常に実行されるか
を試験することを目的にして、メモリセルに対するデー
タの書き込み手順、読み出し手順、アドレスの進め方お
よび読み出しデータと期待値との比較等を行う手順、つ
まりアルゴリズミックパターンがコンピュータのファイ
ルとして記録されており、該パターンを試験対象のメモ
リICに対して実行して所期の特性が得られるかどうか
をテストするものである。
【0003】従来のメモリICにおけるアルゴリズミッ
クパターンは、たとえば、株式会社工業調査会発行、
「超LSI製造・試験装置ガイドブック」(1995年12月
4日発行)、P149、表2(代表的メモリテスタ機能比較
表)に記載されているように、装置メーカーが開発した
テストシステム固有の特殊なプログラム言語を用いてプ
ログラムシート上にコーディングされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般にプログラムはレ
ジスタの演算命令や数式の羅列であり、テスタを使用す
るユーザ側にはプログラム作成のための専門知識の習熟
が必要とされる。単一メーカーのメモリテスタを使用す
る限りにおいてはユーザは該メーカーのプログラム言語
に習熟していれば足りるが、前述のようにメーカー毎に
プログラム言語が異なっているために、複数メーカー品
を並列使用する場合や他メーカー品に移行する場合には
複数のプログラム言語に習熟する必要があり、ユーザに
多大の負担を強いることになる。
【0005】これに加えて、プログラムがレジスタの演
算命令などで構成されているのでプログラミスも発見さ
れにくくなる。
【0006】そこで、本発明の目的は、専用のプログラ
ム言語を習熟することなくアルゴリズミックパターンを
作成することのできる技術を提供することにある。
【0007】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0008】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。
【0009】すなわち、本発明によるアルゴリズミック
パターンエディタは、半導体チップ上に形成されたメモ
リICの電気的機能試験を行うアルゴリズムを所定の算
法に基づいて生成するものであって、複数設けられて選
択的に表示手段上に表示され、それぞれ1種類のアルゴ
リズミックパターンを編集するパターンエディットシー
トと、それぞれのパターンエディットシートに表示さ
れ、メモリICのメモリ領域に対応してマトリックス状
に表された仮想メモリマトリックスと、メモリ領域を構
成するメモリセルに対応して仮想メモリマトリックスを
構成し、指定された場所に指定された順序でデータの書
き込みを行い、指定された順序でこのデータの読み出し
を行う動作パターンが生成されるとともにこれが対応し
たメモリセルで実行されるデータ入出力セルと、それぞ
れのパターンエディットシートに選択的に表示され、動
作パターンのスキャン方向が複数種表されたスキャン方
向指示部とを有することを特徴とするものである。
【0010】このアルゴリズミックパターンエディタに
は、データ入出力セルへ書き込むデータの基本パターン
が表示された少なくとも1種類以上のベーシックパター
ンシートを設けることができる。このベーシックパター
ンシートの基本パターンはアレンジ可能となっているこ
とが望ましい。
【0011】このようなアルゴリズミックパターンエデ
ィタのパターンエディットシートには、動作パターンが
実行される仮想メモリマトリックスの範囲を指定するス
キャンエリア指示部を形成することができる。
【0012】上記した手段によれば、画面を見ながらパ
ターンエディットシートに動作イメージをそのまま入力
することが可能になるので、専用のプログラム言語を習
熟することなくアルゴリズミックパターンを作成するこ
とが可能になる。
【0013】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
【0014】図1は本発明の一実施の形態であるアルゴ
リズミックパターンを生成するパターン作成装置を示す
斜視図、図2〜図4は図1のパターン作成装置のディス
プレイに表示されたパターンエディットシートの一例を
示す概略図である。
【0015】図1に示すパターン作成装置は本体1と、
本体1上に設置されたディスプレイ(表示手段)2と、
所定の入力操作を行う入力部であるキーボート3および
マウス4を有している。そして、ディスプレイ2上には
アルゴリズミックパターンエディタ(以下、単に「エデ
ィタ」という。)5が表示されている。なお、図示する
場合において、ディスプレイ2にはブラウン管式のもの
が採用されているが、液晶式など他の表示方式によるも
のでもよい。また、入力部にはライトペンなどその他の
入力装置を用いることもできる。
【0016】ディスプレイ2上に表示されたエディタ5
は半導体チップ上に形成されたメモリICの電気的機能
試験を行うアルゴリズムを所定の算法に基づいて生成す
るもので、その一部を図2〜図4に示すように、カード
型インデックス形式によりそれぞれ1種類のアルゴリズ
ミックパターンを編集するパターンエディットシート6
がたとえば1〜10までの番号が振られて10通り用意
されている。そして、これらに記述された内容を時経列
的に実行させることによりテストが行われるようになっ
ている。なお、パターンエディットシート6は10通り
ではなく、必要なだけ用意することができる。
【0017】パターンエディットシート6には4×4の
データ入出力セル7により構成された仮想メモリマトリ
ックス8、データの読み出し・書き込みの動作パターン
のスキャン方向が表されたスキャン方向指示部9および
スキャンする範囲を指定するスキャンエリア指示部10
を有している。また、X、Yの最大アドレスを示すアド
レス表示部11が設けられており、テスト対象のメモリ
領域がたとえば各256のアドレスを有する場合には、
アドレス表示部11にはこれに対応してそれぞれ“25
5”(最初のアドレスは“0”となるから)と表示され
る。なお、本実施の形態では4×4のマトリックスで表
示されているが、たとえば16×16など他の表示でも
よい。
【0018】仮想メモリマトリックス8はテスト対象で
あるメモリICに形成されたメモリ領域に対応してビジ
ュアル化されており、メモリ領域を構成するメモリセル
に対応したデータ入出力セル7に動作パターンのイメー
ジをそのまま入力する操作をすることでアルゴリズミッ
クパターンの指示や記録が行われるようになっている。
つまり、思考過程においてイメージしやすいこのような
仮想メモリマトリックス8を見ながらあるいくつかのデ
ータ入出力セル7に対して指定した順序で所定内容のデ
ータの書き込みを行い、そして、これを指定した順序で
読み出しを行う動作パターンをディスプレイ2上で実現
すると、対応したメモリセルでこれが実行されるように
なっている。なお、図2〜図4において、データ入出力
セル7内の記載は動作パターンの一例であり、後述する
操作手順において詳しく説明されている。
【0019】スキャン方向指示部9はこのような動作パ
ターンをどの方向へ実行させるかの指示を与えるもの
で、本実施の形態の場合には、図面左側からX−スキャ
ンモード9a、Y−スキャンモード9b、ダイアゴナル
スキャンモード9cの3つのスキャンモードが選択可能
になっている。そして、マウス4(図1)などによって
何れかのスキャンモード9a,9b,9cが選択される
ように、選択ポイント9a1 〜9c1 がそれぞれのスキ
ャンモード9a,9b,9cに対応して設けられている
(本実施の形態の場合には、何れも選択ポイント9a1
によりX−スキャンモード9aが選択されている)。な
お、スキャンモード9a,9b,9cは複数種用意され
ていればよく、またその方向は図示する3種類に限定さ
れるものではない。
【0020】スキャンエリア指示部10は所定の動作パ
ターンによりスキャンされる範囲を指定するもので、ス
タート位置と終了位置とをそれぞれXおよびYアドレス
によって入力するとそのエリア内で動作パターンが順次
実行されて行くことになる。なお、常に全てのデータ入
出力セル7に対して実行するのであれば、このスキャン
エリア指示部10は省略することができる。
【0021】このような構成を有するエディタ5の操作
手順は次のようなものである。
【0022】図2に示すインデックスナンバー1のパタ
ーンエディットシート6には最初に実行される動作パタ
ーンが、図3に示すナンバー2のシート6にはその次の
動作パターンが、図4に示すナンバー3のシート6には
3番目の動作パターンが記述されている。そして、イン
デックスナンバーをマウス4などでクリックすると、そ
のぺージが前面に表示されてエディット可能な状態に移
行する。但し、これは一例を示しているに過ぎず、操作
形態は自由に設定することができる。また、本実施の形
態では、その動作パターンが図2〜図4に示す3種類の
パターンエディットシート6に時経列的に表されている
が、一般的な電気的性能試験ではさまざまなアドレスの
進め方、データの読み書きをもって行われるので、多岐
にわたる動作パターンが実行できるよう、パターンエデ
ィットシート6はさらに数多く必要とされるものと思わ
れる。
【0023】なお、データ入出力セル7内の記載は、た
とえば図2における“1.W0”を例にとって説明すれ
ば、左端の数字が処理順序を示しており、ここでは1番
目となる。ピリオドの右隣のアルファベットは動作内容
を示しており、“W”であるから書き込み(Writ
e)命令となる。また、“R”であれば読み出し(Re
ad)命令となる。右端の数字はデータ内容を示してお
り、ここでは“0”であるから該データ入出力セル7に
は“0”が書き込まれることになる。ここの数字が
“1”であれば“1”が書き込まれる(あるいは、読み
出される)。
【0024】これらの動作パターンによれば、ナンバー
1のパターンエディットシート6により、最初に全ての
データ入出力セル7に“0”が書き込まれる(図2)。
なお、開始位置のデータ入出力セル7は(0,0)で、
X−スキャンにより実行される。
【0025】次に、ナンバー2のパターンエディットシ
ート6に移行して、データ入出力セル(x,y)7に注
目し、ここに“1”を書き込む。そして、これに接する
周囲のデータ入出力セル(x,y+1)、(x+1,
y)、(x,y−1)、(x−1,y)7に書き込まれ
たデータ“0”を読み出し、読み出しの影響で注目番地
であるデータ入出力セル(x,y)7のデータが変化し
ないかを確認するために該セル7のデータ“1”を読み
出す。その後、データ入出力セル(x,y)7に“0”
を書き戻して1ビット目の動作が終了する(図3)。図
示するように、この動作はX−スキャンにより実行され
るので、順次X方向に注目番地を1番地ずつ進めて(つ
まり、最初の注目番地を(2,2)としたならば、
(2,3)、(2,4)・・・と進めて)同様の内容を
実行し、全メモリセルのチェックを行う。なお、四辺に
面したデータ入出力セル7では全周が他のデータ入出力
セル7とは接していないが、非接触部分は対向する辺に
位置するデータ入出力セル7をこれに接するものとして
前述の処理を実行することができる。
【0026】最後に(0,0)のデータ入出力セル7か
ら最終番地である(255,255)のデータ入出力セ
ル7までX−スキャンで“0”を読み出し(図4)、デ
ータが“1”に変化している箇所がないかをチェックし
て一連のアルゴリズミックパターンの実行が終了する。
【0027】前述のように、メモリICのメモリセルは
データ入出力セル7に対応しているので、動作するデー
タ入出力セル7によりメモリセルにおいてこの動作パタ
ーンに従った電気的機能試験が実行される。
【0028】このように、本実施の形態のエディタ5に
よれば、パターンエディットシート6上にメモリセルに
対応したデータ入出力セル7により仮想メモリマトリッ
クス8をビジュアル化し、メモリセルでの動作をこのデ
ータ入出力セル7上に指示するようにしているので、画
面を見ながら動作イメージをそのまま入力することでア
ルゴリズミックパターンが作成される。これにより、パ
ターン作成に必要な情報の記録を平易な操作で実現する
ことができるので、専用のプログラム言語を習熟するこ
となくアルゴリズミックパターンを作成することが可能
になる。
【0029】図5はベーシックパターンシートを示す概
略図、図6は図5のベーシックパターンシートに表され
た書き込みデータの他の基本パターンを示す説明図であ
る。
【0030】図示するベーシックパターンシート16
は、前記したパターンエディットシート6に加えられる
もので、データ入出力セル7へ書き込むデータの頻繁に
用いられる基本パターンが予め準備されたものである。
なお、ここでも4×4のマトリックスで表わされている
が、これに限定されるものではない。
【0031】図示するように、パターンエディットシー
ト6と同様のカード型インデックス形式により、“CH
ECKER WRITE”、“DIAGONAL WR
ITE”、“DIAGONAL BAR WRIT
E”、“ROW WRITE”、“COLUMN WR
ITE”の5通りの基本パターンが用意されており、図
5に示すように、“CHECKER WRITE”を選
択すると、“0”および“1”のデータがチェッカーボ
ードを構成するように書き込まれる。“DIAGONA
L WRITE”を選択すると、図6(a)に示すよう
に“1”が斜めに配列され、“DIAGONAL BA
R WRITE”を選択すると、図6(b)に示すよう
に、“1”が図6(a)の場合とは逆方向の斜めに配列
される。さらに、“ROW WRITE”では、図6
(c)に示すように、“0”と“1”とがそれぞれ縦方
向に並べられて交互に配列され、そして、“COLUM
WRITE”では、図6(d)に示すように、今度は
両者が横方向に並べられて交互に配列される。なお、基
本パターンはこれに限定されるものではなく、他の種々
のパターンを採用することが可能である。
【0032】このような基本パターンは自由にアレンジ
可能となっていることが望ましい。そうすれば、ある基
本パターンをベースにしてこれに所定の加工を加えて行
くことで所望のパターンが出来上がるので、徒に多くの
基本パターンを準備しておく必要がなくなるからであ
る。
【0033】パターンエディットシート6にこのような
基本パターンを構成するベーシックパターンシート16
を加えておくことによって、開始時のデータの書き込み
を迅速に行うことができ、エディット作業をスムーズに
進めることが可能になる。但し、本発明においてはこの
ベーシックパターンシート16は省略することも可能で
ある。
【0034】以上、本発明者によってなされた発明をそ
の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前
記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸
脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもな
い。
【0035】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以
下のとおりである。
【0036】(1).すなわち、本発明のアルゴリズミック
パターンエディタによれば、パターンエディットシート
上にメモリセルに対応したデータ入出力セルにより仮想
メモリマトリックスをビジュアル化し、メモリセルでの
動作をこのデータ入出力セル上に指示するようにしてい
るので、画面を見ながら動作イメージをそのまま入力す
ることでアルゴリズミックパターンが作成される。した
がって、専用のプログラム言語を習熟することなくアル
ゴリズミックパターンを作成することが可能になる。
【0037】(2).また、書き込みデータの基本パターン
が表されたベーシックパターンシートが加えられていれ
ば、開始時のデータの書き込みを迅速に行うことができ
てエディット作業をスムーズに進めることが可能にな
る。
【0038】(3).ベーシックパターンシートの基本パタ
ーンがアレンジ可能となっていれば、基本パターンをベ
ースに所望のパターンを構成することができるので、数
多くの基本パターンを準備しておく必要がなくなる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施の形態によるアルゴリズミック
パターンを生成するパターン作成装置を示す斜視図であ
る。
【図2】図1のパターン作成装置のディスプレイに表示
されたパターンエディットシートの一例を示す概略図で
ある。
【図3】図1のパターン作成装置のディスプレイに表示
されたパターンエディットシートの一例を示す概略図で
ある。
【図4】図1のパターン作成装置のディスプレイに表示
されたパターンエディットシートの一例を示す概略図で
ある。
【図5】図1のパターン作成装置のディスプレイに表示
されたベーシックパターンシートの一例を示す概略図で
ある。
【図6】図5のベーシックパターンシートに表された書
き込みデータの他の基本パターンを示す説明図である。
【符号の説明】
1 本体 2 ディスプレイ(表示手段) 3 キーボート 4 マウス 5 アルゴリズミックパターンエディタ 6 パターンエディットシート 7 データ入出力セル 8 仮想メモリマトリックス 9 スキャン方向指示部 9a X−スキャンモード 9a1 選択ポイント 9b Y−スキャンモード 9b1 選択ポイント 9c ダイアゴナルスキャンモード 9c1 選択ポイント 10 スキャンエリア指示部 11 アドレス表示部 16 ベーシックパターンシート

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップ上に形成されたメモリIC
    の電気的機能試験を行うアルゴリズムを所定の算法に基
    づいて生成するアルゴリズミックパターンエディタであ
    って、 複数設けられて選択的に表示手段上に表示され、それぞ
    れ1種類のアルゴリズミックパターンを編集するパター
    ンエディットシートと、 それぞれの前記パターンエディットシートに表示され、
    前記メモリICのメモリ領域に対応してマトリックス状
    に表された仮想メモリマトリックスと、 前記メモリ領域を構成するメモリセルに対応して前記仮
    想メモリマトリックスを構成し、指定された場所に指定
    された順序でデータの書き込みを行い、指定された順序
    でこのデータの読み出しを行う動作パターンが生成され
    るとともにこれが対応した前記メモリセルで実行される
    データ入出力セルと、 それぞれの前記パターンエディットシートに選択的に表
    示され、前記動作パターンのスキャン方向が複数種表さ
    れたスキャン方向指示部とを有することを特徴とするア
    ルゴリズミックパターンエディタ。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のアルゴリズミックパター
    ンエディタにおいて、前記データ入出力セルへ書き込む
    データの基本パターンが表示された少なくとも1種類以
    上のベーシックパターンシートを有することを特徴とす
    るアルゴリズミックパターンエディタ。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のアルゴリズミックパター
    ンエディタにおいて、前記ベーシックパターンシートは
    その基本パターンがアレンジ可能とされていることを特
    徴とするアルゴリズミックパターンエディタ。
  4. 【請求項4】 請求項1、2または3記載のアルゴリズ
    ミックパターンエディタにおいて、前記パターンエディ
    ットシートには前記動作パターンが実行される前記仮想
    メモリマトリックスの範囲を指定するスキャンエリア指
    示部が表示されていることを特徴とするアルゴリズミッ
    クパターンエディタ。
JP8058143A 1996-03-14 1996-03-14 アルゴリズミックパターンエディタ Pending JPH09251800A (ja)

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