JPH09249968A - 光学薄膜の製造方法及び製造装置 - Google Patents
光学薄膜の製造方法及び製造装置Info
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- JPH09249968A JPH09249968A JP8057833A JP5783396A JPH09249968A JP H09249968 A JPH09249968 A JP H09249968A JP 8057833 A JP8057833 A JP 8057833A JP 5783396 A JP5783396 A JP 5783396A JP H09249968 A JPH09249968 A JP H09249968A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 膜原料を入れる皿からの原子が薄膜に混入す
ることに起因する薄膜の光吸収を防止するスパッタリン
グを行う。 【解決手段】 粒径０．１〜１０．０ｍｍの顆粒状のＭ
ｇＦ2 からなる膜原料をＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成
分とする皿に入れ、この皿が載置されたスパッタリング
電極に交流電圧を印加してプラズマを発生させて、膜原
料をスパッタリングすることによって膜原料に対置され
た基板上に光学薄膜を成膜する。膜原料を入れる皿が酸
化物からなり、スパッタ率が小さく、薄膜に混入しても
光吸収の原因とならず、膜の屈折率に影響しない。
ることに起因する薄膜の光吸収を防止するスパッタリン
グを行う。 【解決手段】 粒径０．１〜１０．０ｍｍの顆粒状のＭ
ｇＦ2 からなる膜原料をＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成
分とする皿に入れ、この皿が載置されたスパッタリング
電極に交流電圧を印加してプラズマを発生させて、膜原
料をスパッタリングすることによって膜原料に対置され
た基板上に光学薄膜を成膜する。膜原料を入れる皿が酸
化物からなり、スパッタ率が小さく、薄膜に混入しても
光吸収の原因とならず、膜の屈折率に影響しない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリングに
よって光学薄膜を製造する方法及び装置に関し、特に、
ＭｇＦ2 からなる反射防止膜等の光学薄膜を製造する方
法および装置に関する。
よって光学薄膜を製造する方法及び装置に関し、特に、
ＭｇＦ2 からなる反射防止膜等の光学薄膜を製造する方
法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜を基板上に形成する場合において、
自動化・省力化・大面積基板への成膜が可能等の理由か
ら、スパッタリング法によるコーティングの需要が高ま
っており、特開平４−２２３４０１号公報には薄膜とし
ての光学薄膜をスパッタリングによって形成する方法が
記載されている。
自動化・省力化・大面積基板への成膜が可能等の理由か
ら、スパッタリング法によるコーティングの需要が高ま
っており、特開平４−２２３４０１号公報には薄膜とし
ての光学薄膜をスパッタリングによって形成する方法が
記載されている。
【０００３】しかしながら、従来の真空蒸着法に比べ、
スパッタリング法では成膜レートが著しく低いという問
題点があった。こうした問題点に対し、本発明者等は、
基板上にＭｇＦ2 等の光学薄膜を形成する方法を開発し
た。この方法は、顆粒状のＭｇＦ2 等の膜原料を載置し
た電極に交流電力を投入して真空槽内にプラズマを発生
させると共に、電極を負電位とし、プラズマにより膜原
料表面の温度を上昇させながら、プラズマ内の正イオン
によって顆粒状の膜原料をスパッタリングするものであ
る。これにより膜原料の少なくとも一部を分子状態で跳
び出させ、この分子状態の膜原料を基板に到達させるこ
とにより、従来のスパッタリング法に比して低コスト
で、かつ、成膜時間を大幅に短縮化することができる。
スパッタリング法では成膜レートが著しく低いという問
題点があった。こうした問題点に対し、本発明者等は、
基板上にＭｇＦ2 等の光学薄膜を形成する方法を開発し
た。この方法は、顆粒状のＭｇＦ2 等の膜原料を載置し
た電極に交流電力を投入して真空槽内にプラズマを発生
させると共に、電極を負電位とし、プラズマにより膜原
料表面の温度を上昇させながら、プラズマ内の正イオン
によって顆粒状の膜原料をスパッタリングするものであ
る。これにより膜原料の少なくとも一部を分子状態で跳
び出させ、この分子状態の膜原料を基板に到達させるこ
とにより、従来のスパッタリング法に比して低コスト
で、かつ、成膜時間を大幅に短縮化することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た方法では、形成された光学薄膜に光吸収が生じる場合
がある問題を有していた。
た方法では、形成された光学薄膜に光吸収が生じる場合
がある問題を有していた。
【０００５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、スパッタリング法により、光吸収のない
ＭｇＦ2 膜を高速で製造できる方法及び装置を提供する
ことを目的とする。
たものであり、スパッタリング法により、光吸収のない
ＭｇＦ2 膜を高速で製造できる方法及び装置を提供する
ことを目的とする。
【０００６】上記問題点を解決するため、本発明の光学
薄膜の製造方法は、真空槽中でターゲットとなるスパッ
タリング電極上に、ＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 を主成分
とする皿を載置し、この皿に顆粒状のＭｇＦ2 を入れ、
スパッタリング電極に交流電圧を印加することでプラズ
マを生じさせると共に、スパッタリング電極を負電位と
し、プラズマ中のイオンにより膜原料をスパッタリング
するものであり、これにより、所望の光学薄膜を基板上
に形成することができる。
薄膜の製造方法は、真空槽中でターゲットとなるスパッ
タリング電極上に、ＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 を主成分
とする皿を載置し、この皿に顆粒状のＭｇＦ2 を入れ、
スパッタリング電極に交流電圧を印加することでプラズ
マを生じさせると共に、スパッタリング電極を負電位と
し、プラズマ中のイオンにより膜原料をスパッタリング
するものであり、これにより、所望の光学薄膜を基板上
に形成することができる。
【０００７】本発明の光学薄膜の製造装置は、粒径が
０．１〜１０．０ｍｍの顆粒状のＭｇＦ2 からなる膜原
料と、ＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成分とし前記膜原料
が導入される皿と、この皿が載置されるスパッタリング
電極と、前記膜原料に対応するように配置されて成膜が
行われる基板と、前記皿、スパッタリング電極及び基板
を収納する真空槽内にガスを導入するガス導入手段と、
を備えていることを特徴とする。
０．１〜１０．０ｍｍの顆粒状のＭｇＦ2 からなる膜原
料と、ＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成分とし前記膜原料
が導入される皿と、この皿が載置されるスパッタリング
電極と、前記膜原料に対応するように配置されて成膜が
行われる基板と、前記皿、スパッタリング電極及び基板
を収納する真空槽内にガスを導入するガス導入手段と、
を備えていることを特徴とする。
【０００８】従来からのスパッタリング法では、Ｃｕ製
の平板上にバルク状の膜原料を直接に密着させたターゲ
ットを作製し、このターゲットをスパッタリング電極上
に載置し、膜原料として使用している。これに対し、膜
原料が顆粒状の場合には、Ｃｕ板を皿状に加工し、この
皿の中に顆粒状の膜原料を入れ、この皿をスパッタリン
グ電極上に載置し、スパッタリングを行うが、この方法
でスパッタリングを行うと、作製された薄膜に光吸収が
生じることがあった。
の平板上にバルク状の膜原料を直接に密着させたターゲ
ットを作製し、このターゲットをスパッタリング電極上
に載置し、膜原料として使用している。これに対し、膜
原料が顆粒状の場合には、Ｃｕ板を皿状に加工し、この
皿の中に顆粒状の膜原料を入れ、この皿をスパッタリン
グ電極上に載置し、スパッタリングを行うが、この方法
でスパッタリングを行うと、作製された薄膜に光吸収が
生じることがあった。
【０００９】この点について、本発明者らが鋭意研究し
た結果、顆粒状の膜原料を使用したときに生じる光学薄
膜の光吸収の主要因は、膜原料の保持部として使用する
皿の材質にあることが明らかとなった。すなわち、顆粒
状の膜原料の保持部に金属材料を使用した場合、この金
属材料がスパッタリングされてしまい、基板上の膜中へ
金属材料等が混入し、膜に光吸収が生じる場合がある。
た結果、顆粒状の膜原料を使用したときに生じる光学薄
膜の光吸収の主要因は、膜原料の保持部として使用する
皿の材質にあることが明らかとなった。すなわち、顆粒
状の膜原料の保持部に金属材料を使用した場合、この金
属材料がスパッタリングされてしまい、基板上の膜中へ
金属材料等が混入し、膜に光吸収が生じる場合がある。
【００１０】とくに、膜原料が成膜中に減少したり、使
用する膜原料の入れ方が不均一になったとき等に、原料
の保持部として使用する皿の金属材料等が混入し、成膜
された薄膜について光吸収が生じ、性能が著しく劣化す
る場合が生じやすい。
用する膜原料の入れ方が不均一になったとき等に、原料
の保持部として使用する皿の金属材料等が混入し、成膜
された薄膜について光吸収が生じ、性能が著しく劣化す
る場合が生じやすい。
【００１１】そこで、本発明では、膜原料を入れる皿の
材質をＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 を主成分とし、この皿
を用いて成膜することとした。これは、ＳｉＯ2 または
Ａｌ 2 Ｏ3 ともに、スパッタ率がＣｕの１／５以下であ
るので、ＭｇＦ2 を成膜としたとき、混入する不純物を
従来に比べ低減することができ、混入しても光吸収の原
因とならず、かつ、膜の屈折率への影響はほとんどない
からである。
材質をＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 を主成分とし、この皿
を用いて成膜することとした。これは、ＳｉＯ2 または
Ａｌ 2 Ｏ3 ともに、スパッタ率がＣｕの１／５以下であ
るので、ＭｇＦ2 を成膜としたとき、混入する不純物を
従来に比べ低減することができ、混入しても光吸収の原
因とならず、かつ、膜の屈折率への影響はほとんどない
からである。
【００１２】なお、このとき顆粒の大きさはあまり小さ
すぎると真空槽内で舞い上がり、パーティクルとなるた
め、粒径は０．１ｍｍ以上が良好で、望ましくは０．５
ｍｍ以上が良い。また、顆粒が大きすぎると断熱効果が
減ると共に、エッジ部が少なくなり電場・磁場の集中に
よる効果が小さくなるため、粒径は１０．０ｍｍ以下、
望ましくは５．０ｍｍ以下が良好である。顆粒の大き
さ、形状は必ずしも均一である必要はない。この発明に
よれば、スパッタリング法により顆粒状のＭｇＦ 2 を成
膜したときに従来問題となっていた不純物の混入がを低
減でき、したがって、光吸収の問題を低減することが可
能となる。
すぎると真空槽内で舞い上がり、パーティクルとなるた
め、粒径は０．１ｍｍ以上が良好で、望ましくは０．５
ｍｍ以上が良い。また、顆粒が大きすぎると断熱効果が
減ると共に、エッジ部が少なくなり電場・磁場の集中に
よる効果が小さくなるため、粒径は１０．０ｍｍ以下、
望ましくは５．０ｍｍ以下が良好である。顆粒の大き
さ、形状は必ずしも均一である必要はない。この発明に
よれば、スパッタリング法により顆粒状のＭｇＦ 2 を成
膜したときに従来問題となっていた不純物の混入がを低
減でき、したがって、光吸収の問題を低減することが可
能となる。
【００１３】本発明で使用する皿の材質の条件を以下に
列記する。 （１） 絶縁性材料であること。導電性材料（金属）は
一般的にスパッタ率が高いため、イオンによりスパッタ
リングすると、ＭｇＦ2 からなる膜原料よりもスパッタ
リングされ易い。このため薄膜中に皿の金属が混入し
て、薄膜の光吸収が大きくなる。これを防止するため、
本発明では絶縁性の皿を使用するものである。 （２）膜原料の屈折率に近い屈折率を有する絶縁性材料
であること。膜原料と大きく異なる屈折率を有する材料
の場合、スパッタリングされたわずかな原子が基板に到
達したとき、光吸収が多くなる。膜原料としてＭｇＦ2
を使用する場合、この膜原料の屈折率が１．３８〜１．
３９であり、皿の屈折率としては２．０未満が良好で、
さらに好ましくは１．７５未満が良い。このため本発明
では、皿の材質として、ＳｉＯ2 （屈折率１．４６）ま
たはＡｌ2 Ｏ3 （屈折率１．６２）を選択して使用する
ものである。 （３）フッ化物でないこと。皿はバッキングプレートに
セットされた状態でスパッタリング電極上に載置され
る。バッキングプレートは冷却管が挿通しており、皿を
冷却するためのものである。このためスパッタリング中
において膜原料は高温になるが、皿はバッキングプレー
トによって冷やされた状態となっている。冷えたフッ化
物をスパッタリングすると、Ｍｇ原子とＦ原子が遊離し
た状態で飛び出して基板上に付着する。従って皿の材質
として、ＭｇＦ2 のようなフッ化物を使用した場合は、
皿がわずかながらスパッタされたときに飛び出したＭｇ
がより多く基板上に成膜される。これにより化学量論的
にフッ素の比率が少ない薄膜となる。かかる薄膜は酸化
物が僅かに混入した薄膜に比べて膜特性が劣り、好まし
くない。
列記する。 （１） 絶縁性材料であること。導電性材料（金属）は
一般的にスパッタ率が高いため、イオンによりスパッタ
リングすると、ＭｇＦ2 からなる膜原料よりもスパッタ
リングされ易い。このため薄膜中に皿の金属が混入し
て、薄膜の光吸収が大きくなる。これを防止するため、
本発明では絶縁性の皿を使用するものである。 （２）膜原料の屈折率に近い屈折率を有する絶縁性材料
であること。膜原料と大きく異なる屈折率を有する材料
の場合、スパッタリングされたわずかな原子が基板に到
達したとき、光吸収が多くなる。膜原料としてＭｇＦ2
を使用する場合、この膜原料の屈折率が１．３８〜１．
３９であり、皿の屈折率としては２．０未満が良好で、
さらに好ましくは１．７５未満が良い。このため本発明
では、皿の材質として、ＳｉＯ2 （屈折率１．４６）ま
たはＡｌ2 Ｏ3 （屈折率１．６２）を選択して使用する
ものである。 （３）フッ化物でないこと。皿はバッキングプレートに
セットされた状態でスパッタリング電極上に載置され
る。バッキングプレートは冷却管が挿通しており、皿を
冷却するためのものである。このためスパッタリング中
において膜原料は高温になるが、皿はバッキングプレー
トによって冷やされた状態となっている。冷えたフッ化
物をスパッタリングすると、Ｍｇ原子とＦ原子が遊離し
た状態で飛び出して基板上に付着する。従って皿の材質
として、ＭｇＦ2 のようなフッ化物を使用した場合は、
皿がわずかながらスパッタされたときに飛び出したＭｇ
がより多く基板上に成膜される。これにより化学量論的
にフッ素の比率が少ない薄膜となる。かかる薄膜は酸化
物が僅かに混入した薄膜に比べて膜特性が劣り、好まし
くない。
【００１４】なお、膜原料を載置したスパッタリング電
極に交流を印加することでスパッタリング電極を負電位
にし、膜原料を正イオンによりスパッタリングすること
は、一般的に知られている高周波スパッタリングと同じ
原理に基づくものである。本発明における交流とは、い
わゆる１３．５６ＭＨｚの高周波や２７．１２ＭＨｚ、
数１０ｋＨｚの中周波等をも含むものである。
極に交流を印加することでスパッタリング電極を負電位
にし、膜原料を正イオンによりスパッタリングすること
は、一般的に知られている高周波スパッタリングと同じ
原理に基づくものである。本発明における交流とは、い
わゆる１３．５６ＭＨｚの高周波や２７．１２ＭＨｚ、
数１０ｋＨｚの中周波等をも含むものである。
【００１５】本発明において、成膜に適用する基板の材
質についてはなんら制限はない。基板を加熱する必要が
ないからである。従って基板としては、光学ガラスや窓
ガラス等のガラス類、ポリカーボネート、ポリオレフィ
ン等の各種樹脂類、その他金属、半導体、セラミック
ス、電子デバイス等、どのようなものにも適用できる。
基板の形状についても、板状のものはもちろん、フィル
ム状、レンズ形状等、特に制限はない。
質についてはなんら制限はない。基板を加熱する必要が
ないからである。従って基板としては、光学ガラスや窓
ガラス等のガラス類、ポリカーボネート、ポリオレフィ
ン等の各種樹脂類、その他金属、半導体、セラミック
ス、電子デバイス等、どのようなものにも適用できる。
基板の形状についても、板状のものはもちろん、フィル
ム状、レンズ形状等、特に制限はない。
【００１６】本発明によりＭｇＦ2 の単層膜を成膜した
場合、膜の屈折率は１．３８程度と低いので、実用上十
分な反射防止効果を有し、レンズやプリズム、光ファイ
バー、眼鏡、サングラス、ゴーグル等の光学部品・機器
類、ブラウン管や液晶等の表示素子、スクリーン等への
反射防止膜等の光学膜として使用できる。
場合、膜の屈折率は１．３８程度と低いので、実用上十
分な反射防止効果を有し、レンズやプリズム、光ファイ
バー、眼鏡、サングラス、ゴーグル等の光学部品・機器
類、ブラウン管や液晶等の表示素子、スクリーン等への
反射防止膜等の光学膜として使用できる。
【００１７】
（実施の形態１）図１は成膜装置を示す。真空槽１の上
方には基板２が設置され自転可能になっている。スパッ
タリング電極としてのカソード３は、電源４に接続され
ている。電源４は、不図示のマッチングボックスを介し
て１３．５６ＭＨｚの高周波電力を投入できる構造を有
する。
方には基板２が設置され自転可能になっている。スパッ
タリング電極としてのカソード３は、電源４に接続され
ている。電源４は、不図示のマッチングボックスを介し
て１３．５６ＭＨｚの高周波電力を投入できる構造を有
する。
【００１８】カソード３の下部には、温度を一定に保つ
ための不図示の冷却水が供給されている。真空槽１の側
面にはガス導入口５が挿入されている。このガス導入口
５は成膜中のガスの分圧等を任意に調整できるようにな
っている。基板２と、カソード３との間にはシャッター
６が挿入され、シャッター６の開閉によって任意の膜厚
を制御できるようになっている。カソード３には、皿７
が載置されている。皿７はその上部に膜原料８を入れる
構造となっており、膜原料８がスパッタされることによ
って、基板２上に薄膜が形成される構成となっている。
ための不図示の冷却水が供給されている。真空槽１の側
面にはガス導入口５が挿入されている。このガス導入口
５は成膜中のガスの分圧等を任意に調整できるようにな
っている。基板２と、カソード３との間にはシャッター
６が挿入され、シャッター６の開閉によって任意の膜厚
を制御できるようになっている。カソード３には、皿７
が載置されている。皿７はその上部に膜原料８を入れる
構造となっており、膜原料８がスパッタされることによ
って、基板２上に薄膜が形成される構成となっている。
【００１９】この実施の形態では、まず、屈折率１．７
５のＬａ系の光学ガラスを基板２として取り付け、膜原
料である粒径１．０〜２．０ｍｍのＭｇＦ2 顆粒８は、
石英（成分：ＳｉＯ2 ）製の皿７に入れて直径４インチ
（直径約１００ｍｍ）のマグネトロンカソード３上に載
置する。
５のＬａ系の光学ガラスを基板２として取り付け、膜原
料である粒径１．０〜２．０ｍｍのＭｇＦ2 顆粒８は、
石英（成分：ＳｉＯ2 ）製の皿７に入れて直径４インチ
（直径約１００ｍｍ）のマグネトロンカソード３上に載
置する。
【００２０】つぎに、真空度７×１０-5Ｐａまで真空槽
１内を排気し、その後、Ｏ2 ガスをガス導入口５から４
×１０-1Ｐａまで導入する。高周波電源４から電力を５
００Ｗとしてマグネトロンカソード３に供給し、プラズ
マを発生させる。ＭｇＦ2 顆粒８はこのプラズマにより
加熱され、カソード３下面の不図示の冷却水による冷却
能と釣り合った温度に保持されるとともに、スパッタリ
ングされる。ここで、基板２を回転させ、さらにシャッ
ター６を６０秒間開放し、基板２上に光学的膜厚が１３
０ｎｍとなるようにＭｇＦ2 膜を形成する。
１内を排気し、その後、Ｏ2 ガスをガス導入口５から４
×１０-1Ｐａまで導入する。高周波電源４から電力を５
００Ｗとしてマグネトロンカソード３に供給し、プラズ
マを発生させる。ＭｇＦ2 顆粒８はこのプラズマにより
加熱され、カソード３下面の不図示の冷却水による冷却
能と釣り合った温度に保持されるとともに、スパッタリ
ングされる。ここで、基板２を回転させ、さらにシャッ
ター６を６０秒間開放し、基板２上に光学的膜厚が１３
０ｎｍとなるようにＭｇＦ2 膜を形成する。
【００２１】この成膜の後、真空槽１内から基板２を取
り出し、得られた膜の分光反射率を測定した。結果を図
２に示す。可視光全域に渡って反射率が２．０％以下と
優れた反射防止特性を有している。さらに、反射率及び
透過率の実測値から光吸収率を求めた。可視光全域に渡
り、光吸収は０．１％以下であり、全く問題はなかっ
た。
り出し、得られた膜の分光反射率を測定した。結果を図
２に示す。可視光全域に渡って反射率が２．０％以下と
優れた反射防止特性を有している。さらに、反射率及び
透過率の実測値から光吸収率を求めた。可視光全域に渡
り、光吸収は０．１％以下であり、全く問題はなかっ
た。
【００２２】なお、本実施の形態において、Ｏ2 ガスの
分圧を１×１０-1〜２Ｐａに変化させて成膜したとこ
ろ、同様の結果が得られた。さらに、高周波電源の周波
数１３．５６ＭＨｚを２７．１２ＭＨｚ、５０ｋＨｚ等
に代えて成膜を行ったところ、同様の結果が得られた。
分圧を１×１０-1〜２Ｐａに変化させて成膜したとこ
ろ、同様の結果が得られた。さらに、高周波電源の周波
数１３．５６ＭＨｚを２７．１２ＭＨｚ、５０ｋＨｚ等
に代えて成膜を行ったところ、同様の結果が得られた。
【００２３】本実施の形態に使用した皿７の形状は、カ
ソード３が真空槽１内で露出しない形状であればよく、
皿の高さ等の条件は成膜の状況に応じて変更しても、何
ら問題はないものである。さらに、膜原料の粒径は１．
０〜２．０ｍｍだけに限定する必要はなく、たとえば
０．１〜１０．０ｍｍの範囲の粒径の膜原料を使用して
も、同様の結果が得られた。
ソード３が真空槽１内で露出しない形状であればよく、
皿の高さ等の条件は成膜の状況に応じて変更しても、何
ら問題はないものである。さらに、膜原料の粒径は１．
０〜２．０ｍｍだけに限定する必要はなく、たとえば
０．１〜１０．０ｍｍの範囲の粒径の膜原料を使用して
も、同様の結果が得られた。
【００２４】（比較例１）皿７として主原料がＣｕから
なる皿を載置し、単層の反射防止膜を成膜した。条件は
実施の形態１と同等とした。シャッター６を閉じ、成膜
終了後、基板２を取り出し、光吸収を測定した結果、可
視光域において、最大１．０％程度の光吸収が生じた。
また、膜の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）により調べ
たところ、膜中に０．５％程度のＣｕが混入しているこ
とが確認された。
なる皿を載置し、単層の反射防止膜を成膜した。条件は
実施の形態１と同等とした。シャッター６を閉じ、成膜
終了後、基板２を取り出し、光吸収を測定した結果、可
視光域において、最大１．０％程度の光吸収が生じた。
また、膜の組成をＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）により調べ
たところ、膜中に０．５％程度のＣｕが混入しているこ
とが確認された。
【００２５】（実施の形態２）この実施の形態２では、
実施の形態１と同様の装置を用いた。実施の形態１の皿
７として、石英に替えてＡｌ2 Ｏ3 からなるものを用い
た。
実施の形態１と同様の装置を用いた。実施の形態１の皿
７として、石英に替えてＡｌ2 Ｏ3 からなるものを用い
た。
【００２６】膜原料８を実施の形態１と同じＭｇＦ2 顆
粒とし、Ｎ2 、Ｈ2 の分圧がそれぞれ、１×１０-1Ｐ
ａ、５×１０-2Ｐａの混合ガスをガス導入口５より真空
槽１内に導入した。投入電力を６７０Ｗとして、光学的
膜厚が１３５ｎｍとなる時点で、シャッター６を閉じ
た。成膜時間は４０秒であった。得られた膜の光吸収率
は、実施の形態１と同様に可視光全域で０．１％以下で
あった。
粒とし、Ｎ2 、Ｈ2 の分圧がそれぞれ、１×１０-1Ｐ
ａ、５×１０-2Ｐａの混合ガスをガス導入口５より真空
槽１内に導入した。投入電力を６７０Ｗとして、光学的
膜厚が１３５ｎｍとなる時点で、シャッター６を閉じ
た。成膜時間は４０秒であった。得られた膜の光吸収率
は、実施の形態１と同様に可視光全域で０．１％以下で
あった。
【００２７】なお、上述した実施の形態によれば、以下
に示す要件の発明を提案することができる。 （１）スパッタリング電極の上に載置した皿にＭｇＦ2
からなる膜原料を入れ、前記スパッタリング電極に交流
を印可してプラズマを発生させ、このプラズマによって
膜原料をスパッタリングして、前記膜原料に対置した基
板上に薄膜を形成する方法であり、前記皿は屈折率が２
未満の絶縁物を主成分とする材質からなることを特徴と
する光学薄膜の製造方法。 （２）前記皿は酸化物を主成分とすることを特徴とする
上記（１）記載の光学薄膜の製造方法。 （３）前記皿はＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成分とする
酸化物からなることを特徴とする上記（１）記載の光学
薄膜の製造方法。 （４）前記膜原料は粒径０．１〜１０．０ｍｍの顆粒状
のＭｇＦ2 からなることを特徴とする上記（１）記載の
光学薄膜の製造方法。 （５）顆粒状のＭｇＦ2 からなる膜原料と、この膜原料
が導入される屈折率が２未満の皿と、この皿が載置され
るスパッタリング電極と、前記膜原料に対応するように
配置されて成膜が行われる基板と、前記皿、スパッタリ
ング電極及び基板を収納する真空槽内にガスを導入する
ガス導入手段と、を備えていることを特徴とする光学薄
膜の製造装置。 （６）前記皿は酸化物を主成分とすることを特徴とする
上記（５）記載の光学薄膜の製造装置方法。 （７）前記皿はＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成分とする
酸化物からなることを特徴とする上記（５）記載の光学
薄膜の製造装置。 （８）前記ＭｇＦ2 からなる膜原料は粒径０．１〜１
０．０ｍｍの顆粒状であることを特徴とする上記（５）
記載の光学薄膜の製造方法。
に示す要件の発明を提案することができる。 （１）スパッタリング電極の上に載置した皿にＭｇＦ2
からなる膜原料を入れ、前記スパッタリング電極に交流
を印可してプラズマを発生させ、このプラズマによって
膜原料をスパッタリングして、前記膜原料に対置した基
板上に薄膜を形成する方法であり、前記皿は屈折率が２
未満の絶縁物を主成分とする材質からなることを特徴と
する光学薄膜の製造方法。 （２）前記皿は酸化物を主成分とすることを特徴とする
上記（１）記載の光学薄膜の製造方法。 （３）前記皿はＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成分とする
酸化物からなることを特徴とする上記（１）記載の光学
薄膜の製造方法。 （４）前記膜原料は粒径０．１〜１０．０ｍｍの顆粒状
のＭｇＦ2 からなることを特徴とする上記（１）記載の
光学薄膜の製造方法。 （５）顆粒状のＭｇＦ2 からなる膜原料と、この膜原料
が導入される屈折率が２未満の皿と、この皿が載置され
るスパッタリング電極と、前記膜原料に対応するように
配置されて成膜が行われる基板と、前記皿、スパッタリ
ング電極及び基板を収納する真空槽内にガスを導入する
ガス導入手段と、を備えていることを特徴とする光学薄
膜の製造装置。 （６）前記皿は酸化物を主成分とすることを特徴とする
上記（５）記載の光学薄膜の製造装置方法。 （７）前記皿はＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成分とする
酸化物からなることを特徴とする上記（５）記載の光学
薄膜の製造装置。 （８）前記ＭｇＦ2 からなる膜原料は粒径０．１〜１
０．０ｍｍの顆粒状であることを特徴とする上記（５）
記載の光学薄膜の製造方法。
【発明の効果】以上のように本発明により、ターゲット
スパッタリング電極上にＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 製の
皿を載置して、皿内に顆粒状のＭｇＦ2 を入れてスパッ
タリングすることにより、膜への不純物の混入の影響を
低減することができ、よって、従来問題となっていた光
吸収を低減し、優れた光学薄膜を製造する方法及び装置
を提供できる。
スパッタリング電極上にＳｉＯ2 またはＡｌ2 Ｏ3 製の
皿を載置して、皿内に顆粒状のＭｇＦ2 を入れてスパッ
タリングすることにより、膜への不純物の混入の影響を
低減することができ、よって、従来問題となっていた光
吸収を低減し、優れた光学薄膜を製造する方法及び装置
を提供できる。
【図１】スパッタリング装置の断面図である。
【図２】実施の形態１で作製された光学薄膜の分光反射
率特性図である。
率特性図である。
１ 真空槽 ２ 基板 ３ 電極 ４ 電源 ７ 皿 ８ 膜原料
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三田村 宣明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 豊原 延好 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 渡邉 正 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 粒径０．１〜１０．０ｍｍの顆粒状のＭ
ｇＦ2 からなる膜原料をＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を主成
分とする皿に入れ、この皿が載置されたスパッタリング
電極に交流電圧を印加してプラズマを発生させて、膜原
料をスパッタリングすることによって膜原料に対置され
た基板上に光学薄膜を成膜することを特徴とする光学薄
膜の製造方法。 - 【請求項２】 粒径が０．１〜１０．０ｍｍの顆粒状の
ＭｇＦ2 からなる膜原料と、ＳｉＯ2 又はＡｌ2 Ｏ3 を
主成分とし前記膜原料が導入される皿と、この皿が載置
されるスパッタリング電極と、前記膜原料に対応するよ
うに配置されて成膜が行われる基板と、前記皿、スパッ
タリング電極及び基板を収納する真空槽内にガスを導入
するガス導入手段と、を備えていることを特徴とする光
学薄膜の製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8057833A JPH09249968A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 光学薄膜の製造方法及び製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8057833A JPH09249968A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 光学薄膜の製造方法及び製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09249968A true JPH09249968A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13066957
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8057833A Withdrawn JPH09249968A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 光学薄膜の製造方法及び製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09249968A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100186630A1 (en) * | 2007-06-28 | 2010-07-29 | Sony Corporation | Low-refractive-index film, method of depositing the same, and antireflection film |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP8057833A patent/JPH09249968A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100186630A1 (en) * | 2007-06-28 | 2010-07-29 | Sony Corporation | Low-refractive-index film, method of depositing the same, and antireflection film |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |