JPH09249489A

JPH09249489A - 種結晶保持具及び該種結晶保持具を用いた単結晶の引き上げ方法

Info

Publication number: JPH09249489A
Application number: JP5886196A
Authority: JP
Inventors: Teruo Izumi; 輝郎和泉
Original assignee: Sumitomo Sitix Corp
Current assignee: Nippon Steel Corp
Priority date: 1996-03-15
Filing date: 1996-03-15
Publication date: 1997-09-22
Anticipated expiration: 2016-03-15
Also published as: JP2973916B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来の単結晶引き上げ方法においては、種結
晶を溶融液に浸漬した際に導入される転位を排除するた
めに、径を細くしたネックを形成していた。しかし、そ
の直径が１２インチ以上と大口径で、大重量の単結晶を
引き上げようとすると、単結晶を支持することができ
ず、落下が発生していた。また、落下を防止するために
ネックの直径を太くすると、転位を排除することができ
ず、単結晶に転位が伝播するという課題があった。【解決手段】溶融液に濡れにくい材料よりなり、種結
晶保持部１４、ネック形成部１５、及びネックに続き、
一旦その径を拡大させた後縮小させる、くびれ形成部１
６を含んで構成されている、種結晶保持具１１の内部に
おいて、ネック２６ａの形成、及びくびれ２６ｂの形成
を行い、その後にショルダー２６ｃ及びメインボディを
形成して、単結晶２６を引き上げる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、種結晶保持具及び
該種結晶保持具を用いた単結晶の引き上げ方法に関し、
より詳細には、チョクラルスキー法（以下、ＣＺ法と記
す）に代表される引き上げ法により、シリコン等からな
る単結晶を引き上げる際に使用される、種結晶保持具及
び該種結晶保持具を用いた単結晶の引き上げ方法に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＬＳＩ（大規模集積回路）等の回
路素子形成用基板として使用されているシリコン単結晶
の大部分は、ＣＺ法により引き上げられたシリコン単結
晶が用いられている。図３、はこのＣＺ法に用いられ
る、従来の単結晶引き上げ装置を模式的に示した断面図
であり、図中２１は、坩堝を示している。

【０００３】この坩堝２１は、有底円筒形状の石英製坩
堝２１ａと、この石英製坩堝２１ａの外側に嵌合され
た、同じく有底円筒形状の黒鉛製坩堝２１ｂとから構成
されており、坩堝２１は、図中の矢印方向に所定の速度
で回転する、支持軸２８に支持されている。この坩堝２
１の外側には、抵抗加熱式のヒータ２２、ヒータ２２の
外側には、保温筒２７が同心円状に配置されており、坩
堝２１内にはこのヒータ２２により溶融させた結晶用原
料の溶融液２３が充填されている。また、坩堝２１の中
心軸上には、引き上げ棒あるいはワイヤー等からなる、
引き上げ軸２４が吊設されており、この引き上げ軸２４
の先に、保持具３４を介して、種結晶３５が取り付けら
れるようになっている。また、これら部材は、圧力の制
御が可能な水冷式のチャンバ２９内に納められている。

【０００４】上記した単結晶引き上げ装置を用いて単結
晶３６を引き上げる方法を、図３及び図４に基づいて説
明する。図４（ａ）〜（ｄ）は、単結晶を引き上げる各
工程における種結晶の近傍を、模式的に示した部分拡大
正面図である。

【０００５】図４には示していないが、まずヒータ２２
により結晶用原料を溶融させ、チャンバ２９内を減圧に
した後、しばらく放置して溶融液２３中のガスを十分に
放出させ、その後、不活性ガスを導入して減圧の不活性
ガス雰囲気とする。

【０００６】次に、支持軸２８と同一軸心で逆方向に所
定の速度で引き上げ軸２４を回転させながら、保持具３
４に取り付けられた種結晶３５を降下させて溶融液２３
に着液させ、種結晶３５を溶融液２３に馴染ませた後、
単結晶３６の引き上げを開始する（以下、この工程をシ
ーディング工程と記す）（図４（ａ））。次に、種結
晶３５の先端に結晶を成長させてゆくが、このとき、後
述するメインボディ３６ｃの形成速度よりも早い速度で
引き上げ軸２４を引き上げ、所定径になるまで結晶を細
く絞り、ネック３６ａを形成する（以下、この工程をネ
ッキング工程と記す）（図４（ｂ））。

【０００７】次に、引き上げ軸２４の引き上げ速度（以
下、単に引き上げ速度とも記す）を落してネック３６ａ
を所定の径まで成長させ、ショルダー３６ｂを形成する
（以下、この工程をショルダー形成工程と記す）（図４
（ｃ））。

【０００８】次に、一定の速度で引き上げ軸２４を引き
上げることにより、一定の径、所定長さのメインボディ
３６ｃを形成する（以下、この工程をメインボディ形成
工程と記す）（図４（ｄ））。

【０００９】さらに、図４には示していないが、最後に
急激な温度変化により単結晶３６に高密度の転位が導入
されないよう、単結晶３６の直径を徐々に絞って、単結
晶３６全体の温度を徐々に降下させ、終端コーンを形成
した後、単結晶３６を溶融液２３から切り離す。その後
冷却して、単結晶３６の引き上げを完了する。

【００１０】上記単結晶３６の引き上げにおける重要な
工程として、上記ネッキング工程（図４（ｂ））があ
る。上記ネッキング工程を行う目的について以下に説明
する。まず上記シーディング工程（図４（ａ））を行う
にあたって、種結晶３５の下端部３５ａは、ある程度予
熱された後に溶融液２３に着液されるが、この予熱の温
度（約１３００℃程度以下）と種結晶３５の融点（約１
４１０℃）との間には、通常１００℃以上の差がある。
従って、溶融液２３への浸漬時に、種結晶３５は急激に
温度が上昇するため、種結晶３５の下端部３５ａには、
熱応力による転位が導入される。該転位は、単結晶化を
阻害するものであるため、前記転位を排除してから単結
晶３６を成長させる必要がある。一般に、前記転位は、
単結晶３６の成長界面に対して垂直方向に成長する傾向
があることから、上記ネッキング工程により前記成長界
面（ネック３６ａの先端面）の形状を下に凸形状とし、
前記転位を排除する。

【００１１】また、上記ネッキング工程においては、引
き上げ速度を高速にするほど、ネック３６ａの径を細く
することができ、前記成長界面の形状をより下に凸とし
て、前記転位の伝播を抑制することができ、前記転位を
効率良く排除することができる。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来の単結晶
引き上げ方法においては、直径が約６インチ、重量が８
０ｋｇ程度の単結晶３６を引き上げるために、直径約１
２ｍｍの種結晶３５を用いるのが一般的であった。その
際、単結晶３６を安全に支持するためには、ネック３６
ａの径が大きい方がよく、他方、転位を効率的に排除す
るためには、ネック３６ａの径はできるだけ小さい方が
よい。これら両者の要求を満たすネック３６ａの直径と
して、３ｍｍ程度が選択されていた。しかしながら、近
年の半導体デバイスの高集積化、低コスト化及び生産性
の効率化に対応して、ウエハも大口径化が要求されてき
ており、最近では、例えば直径約１２インチ（３００ｍ
ｍ）、重量が３００ｋｇ程度の、単結晶３６の製造が望
まれている。この場合、従来のネック３６ａの直径（通
常３ｍｍ程度）では、ネック３６ａが引き上げられる単
結晶３６の重さに耐えられずに破損し、単結晶３６が落
下してしまうという課題があった。

【００１３】上記した大重量の単結晶３６を育成するに
あたり、単結晶３６の落下等の事故の発生を防ぎ、安全
に引き上げを行うためには、シリコン強度（約１６ｋｇ
ｆ／ｍｍ² ）から算出してネック３６ａの直径を、約６
ｍｍ以上とする必要がある。しかしながら、ネック３６
ａの直径を６ｍｍ以上にすると、種結晶３５の溶融液２
３への浸漬時に導入された転位を、十分に排除すること
ができない。

【００１４】本発明は、上記課題に鑑みなされたもので
あり、種結晶を溶融液に着液した際に導入される転位の
伝播を阻止するために、ネックを形成した場合において
も、引き上げられる大重量の単結晶を十分に支持するこ
とができ、安全に単結晶の引き上げを行うことができ
る、種結晶保持具及び該種結晶保持具を用いた単結晶の
引き上げ方法を提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段及びその効果】上記目的を
達成するために、本発明に係る種結晶保持具（１）は、
溶融液に濡れにくい材料よりなり、種結晶保持部、ネッ
ク形成部、及びネックに続き一旦その径を拡大させた後
縮小させる、くびれ形成部を含んで構成されていること
を特徴としている。

【００１６】上記構成の種結晶保持具（１）によれば、
該種結晶保持具が溶融液に濡れにくい材料よりなるの
で、単結晶の成長に妨害となる、種結晶保持具表面から
の多結晶の成長を防止することができる。そして、種結
晶が保持された前記種結晶保持具を用い、ネック形成部
の内部空洞にネックを形成することにより、種結晶の着
液時に導入される転位の伝播を、阻止することができ
る。また、ネックに続いてくびれ形成部の空洞にくびれ
を形成し、この周囲に存在する種結晶保持具で保持する
ことにより、ネックの破損を防止することができる。ま
た、前記くびれの下方に形成する単結晶を、その最小径
がネックよりも太い、前記くびれで支持するので、従来
よりも重い重量の単結晶を引き上げる場合においても、
十分に単結晶を支持することができ、安全に前記単結晶
の引き上げを行うことができる。

【００１７】また、本発明に係る種結晶保持具（２）
は、上記種結晶保持具（１）において、その上部から下
部に至る複数の溝が形成されていることを特徴としてい
る。

【００１８】上記構成の種結晶保持具（２）によれば、
上記種結晶保持具（１）による効果の他、前記種結晶保
持具を溶融液に浸漬した後において、前記溝により種結
晶保持具の内部空洞と外部（チャンバ内）との通気を図
ることができ、単結晶の多結晶化を防止してより容易に
単結晶の育成を行うことができる。

【００１９】また、本発明に係る種結晶保持具（３）
は、上記種結晶保持具（１）又は（２）において、溝と
溝との境界部が水平断面視鋭角形状に構成されているこ
とを特徴としている。

【００２０】上記構成の種結晶保持具（３）によれば、
上記種結晶保持具（１）又は（２）による効果の他、溝
と溝との境界部が水平断面視鋭角形状に構成されている
ので、溝の内部に結晶が成長することはなく、溝と溝と
の境界部の頂点と線接触するように結晶を成長させるこ
とができ、単結晶の育成がさらに容易となる。

【００２１】また、本発明に係る種結晶保持具（４）
は、上記種結晶保持具（１）〜（３）のいずれかにおい
て、補強部材が配設されていることを特徴としている。

【００２２】上記種結晶保持具（４）によれば、上記種
結晶保持具（１）〜（３）のいずれかの効果の他、前記
種結晶保持具により、より確実に前記くびれを保持する
ことができ、該くびれの破損を防止することができる。

【００２３】また、本発明に係る単結晶の引き上げ方法
は、坩堝内の溶融液に種結晶を浸漬した後、該種結晶を
引き上げることにより単結晶を成長させる単結晶の引き
上げ方法において、上記種結晶保持具（１）〜（４）の
いずれかの内部において、ネックの形成、及び該ネック
に続き一旦その径を拡大させた後縮小させるくびれの形
成を行うことを特徴としている。

【００２４】上記単結晶引き上げ方法によれば、種結晶
保持具の内部壁より多結晶が成長するのを防止しつつ、
ネック形成部の内部空洞にネックを形成することによ
り、種結晶の着液時に導入される転位の伝播を阻止する
ことができる。また、その周囲に存在する種結晶保持具
により形成された前記くびれを保持するので、前記ネッ
クの破損を防止することができる。また、前記くびれの
下方に形成する単結晶を、その最小径がネックよりも太
い前記くびれで支持するので、従来よりも重い重量の単
結晶を引き上げる場合においても、十分に単結晶を支持
することができ、安全に前記単結晶の引き上げを行うこ
とができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る種結晶保持具
及び該種結晶保持具を用いた単結晶の引き上げ方法の実
施の形態を、図面に基づいて説明する。

【００２６】本実施の形態に係る単結晶引き上げ方法
は、１２インチ以上の大口径、大重量の単結晶の引き上
げを前提としている。

【００２７】図１（ａ）は、実施の形態に係る種結晶保
持具を模式的に示した縦断面図であり、（ｂ）は、図１
（ａ）に示した種結晶保持具のＢ−Ｂ線断面図である。

【００２８】この種結晶保持具１１は、種結晶保持部１
４、ネック形成部１５、及びくびれ形成部１６を含んで
構成されている。

【００２９】この種結晶保持部１４の上部には、ネジ溝
（図示せず）が形成されており、このねじ溝に引き上げ
軸２４の先端を螺着することにより、引き上げ軸２４と
種結晶保持具１１とが連結されるようになっている。ま
た、種結晶保持部１４には、円柱形状の種結晶２５を挿
入するための、空洞１４ａが形成されている。ネック形
成部１５には、種結晶保持部１４の空洞１４ａに続い
て、ネック形状に空洞１５ａが形成されており、さらに
くびれ形成部１６には、ネック形成部１５の空洞１５ａ
に続いて、一旦その径を拡大させた後縮小させる形状
（くびれ形状）に、空洞１６ａが形成されている。ま
た、これら空洞１４ａ、１５ａ、１６ａの周囲には、ね
じ溝が形成されている部分を除いて、種結晶保持具１１
の上部から下部に至る複数の溝１２が形成されており、
溝１２と溝１２との境界部１２ａは、図１（ｂ）の断面
図で示したように、鋭角形状に構成されている。

【００３０】種結晶保持具１１は、溶融液２３に濡れに
くい材料により構成されており、溶融液２３に浸漬して
も化学的に変化せず（耐熱性に優れ）、しかも、溶融液
２３中に不純物等が溶け出さないもので構成されてい
る。また、後述するように、育成する大重量の単結晶
を、この種結晶保持具１１により保持するため、その機
械的強度も大きい材料で構成されている。このような特
性を有する材料としては、例えば窒化ホウ素（ＢＮ）、
炭化珪素（ＳｉＣ）等の非酸化物系セラミックスが挙げ
られるが、その中でも、ＢＮは溶融液２３に極めて濡れ
にくい性質を有しているため好ましい。従って、種結晶
保持具１１は、通常ＢＮの焼結体により構成されるが、
より強度が必要な場合には、図１に示したように、補強
部材１３が溝１２の周囲全体に、溝１２にほぼ平行に埋
設されていてもよい。補強部材１３としては、高融点金
属であるモリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等が
挙げられる。図１には、水平断面視円形状を有する金属
の補強部材１３が埋設された例を示したが、別の実施の
形態においては、ＳｉＣ等のウィスカーが補強部材とし
て種結晶保持具１１の全体に混入されたものであっても
よく、また、多数の炭素繊維等が溝１２にほぼ平行にな
るように、種結晶保持具１１に混入されたものであって
もよい。

【００３１】ネック形成部１５の空洞１５ａの最小直径
（ｄ₁ ）は、３〜６ｍｍ、くびれ形成部１６の空洞１６
ａの最大直径（ｄ₂ ）は、１７〜５０ｍｍ、空洞１６ａ
の最下部の直径（ｄ₃ ）は、１２〜４５ｍｍが好まし
い。

【００３２】ネック形成部１５の空洞１５ａの最小直径
（ｄ₁ ）を３ｍｍ以上にすれば、十分に種結晶２５に導
入された転位の伝播を阻止することができるので、それ
よりも小さい径にする必要はなく、他方、空洞１５ａの
最小径部分の直径（ｄ₁ ）が６ｍｍを超えると、種結晶
２５に導入された転位の伝播を阻止するのが難しくな
る。くびれ形成部１６の空洞１６ａの最大直径（ｄ₂ ）
が１７ｍｍ未満であると、くびれ２６ｂを形成して単結
晶２６を支持するのが難しくなり、他方空洞１６ａの最
大直径（ｄ₂ ）が５０ｍｍを超えても、単結晶２６を支
持する効果は変わらず、経済的に不利である。空洞１６
ａの最下部の直径（ｄ₃ ）が１２ｍｍ未満であると、単
結晶２６を支持するのが難しくなり、他方空洞１６ａの
最下部の直径（ｄ₃ ）が４５ｍｍを超えても、単結晶２
６を支持する効果は変わらず、経済的に不利である。

【００３３】次に、この種結晶保持具１１を用いた、単
結晶２６の引き上げ方法を説明する。図２（ａ）〜
（ｃ）は、種結晶保持具１１を用いた単結晶２６の引き
上げ工程における、種結晶保持具１１の近傍を示した部
分拡大断面図である。

【００３４】図２には示していないが、まず、この種結
晶保持具１１の中に種結晶２５を挿入し、種結晶保持具
１１の上部を引き上げ軸２４に螺着することにより、種
結晶保持具１１を引き上げ軸２４に連結し、次に、「従
来の技術」の項で説明した方法と同様に結晶用原料を溶
融させ、チャンバ２９内の雰囲気を調整する等の操作を
行う。

【００３５】次に、種結晶２５を予熱するため、支持軸
２８と同一軸心で逆方向に所定の速度で引き上げ軸２４
を回転させながら、種結晶保持具１１に保持された種結
晶２５が溶融液２３の直上の位置に来るように、種結晶
保持具１１を降下させ、種結晶保持具１１の一部を溶融
液２３に浸漬する。（図２（ａ））。

【００３６】種結晶保持具１１の上部には、空気抜きの
孔（図示せず）が形成されているため、種結晶保持具１
１を溶融液２３に浸漬すると、空洞１５ａ、１６ａの空
気の一部は孔より外部に抜け、ネック形成部１５の空洞
１５ａ内に溶融液２３が侵入する。チャンバ２９内は、
Ａｒガスが流通しているが、種結晶２５は種結晶保持具
１１の内部に保持されているために、Ａｒガスにより冷
却されにくく、短時間で予熱することができ、また、前
記予熱により、種結晶２５の温度を溶融液２３の温度近
くまで上昇させることができる。

【００３７】次に、種結晶保持具１１をさらに降下さ
せ、種結晶２５の下端部２５ａを溶融液２３に着液させ
る（図２（ｂ））。

【００３８】この種結晶２５の着液時において、種結晶
２５の下端部２５ａは溶融液２３との温度差が小さいの
で、温度差に起因する熱応力が種結晶２５に作用しにく
く、そのため転位が導入されにくい。従って、ネック２
６ａの径は、従来と比較して太くてもよい。

【００３９】次に、引き上げ軸２４を２〜５ｍｍ／分の
速度で引き上げ、種結晶２５の下端部２５ａより結晶を
成長させ、空洞１５ａ内に種結晶２５の径より小さく、
その径を絞ったネック２６ａを形成する。次に０．１〜
１．０ｍｍ／分の速度で引き上げ軸２４を引き上げ、く
びれ２６ｂを形成し、次に、従来の場合と同様に、０．
１〜１．０ｍｍ／分の速度で引き上げて、ショルダー２
６ｃを形成する（図２（ｃ））。

【００４０】上記ネック２６ａ形成工程及びくびれ２６
ｂ形成工程において、種結晶保持具１１が通常の材質に
より構成されていると、空洞１５ａ、１５ｂの壁の部分
より種々の方向に結晶が成長し易く、多結晶化する確率
が高い。しかし、本実施の形態においては、種結晶１１
が溶融液２３と極めて濡れにくいＢＮ焼結体により構成
されており、溝１２と溝１２との境界部１２ａは、鋭角
形状に構成されているため、溝１２の内部に結晶は成長
せず、種結晶２５の下端部２５ａのみから結晶が成長
し、図１（ｂ）に示したように境界部１２ａの頂点と点
（線）接触するように、水平断面視円形状に結晶が成長
していく。従って、種結晶２５の下方にネック２６ａを
形成して、種結晶２５からの転位の伝播を阻止すること
ができ、くびれ２６ｂを含めこれより下の部分で単結晶
２６を育成することができる。くびれ２６ｂからショル
ダー２６ｃに移る部分（くびれの最下部）の直径（ｄ
₃ ）は１２〜４５ｍｍであるので、大重量の単結晶を引
き上げる場合においても、くびれ２６ｂにより単結晶２
６を十分に支持することができる。この場合、くびれ２
６ｂより上の部分は、種結晶保持具１１により保持す
る。

【００４１】その後は、「従来の技術」の項で説明した
方法と同様にメインボディ（図示せず）を形成した後、
その径を絞り、溶融液２３から切り離すことにより、単
結晶２６の引き上げを完了する。

【００４２】上記実施の形態においては、空洞１４ａ、
１５ａ、１６ａの周囲に、境界部１２ａが鋭角形状に構
成された溝１２が形成されているが、別の実施の形態に
おいては、必ずしも前記形状の溝１２が形成されている
必要はなく、別の形状の溝が形成されていてもよい。

【００４３】さらに、別の実施の形態においては、溝１
２自体が形成されていなくてもよく、水平断面視円形状
に空洞が形成されていてもよい。この場合には、種結晶
保持具を溶融液２３に浸漬した際に、内部の空洞と外部
との通気を図るため、種結晶に通気用の溝を形成してお
くことが望ましい。

【００４４】

【実施例及び比較例】以下、実施例に係る種結晶保持具
及び該種結晶保持具を用いた、単結晶の引き上げ方法を
説明する。また、比較例として、従来のＣＺ法による単
結晶引き上げ装置（図３）を用い、従来の方法で単結晶
の引き上げを行った場合についても説明する。下記の表
１〜表６にその条件を記載する。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】

【００４８】

【表４】

【００４９】

【表５】

【００５０】

【表６】

【００５１】＜引き上げた単結晶のＤＦ（Dislocation
Free) 率の調査方法＞引き上げた単結晶２６、３６を成
長方向（長さ方向）に平行にスライスし、得られた単結
晶２６、３６のＸ線トポグラフを測定し、その結果より
判断した。すなわち、Ｘ線トポグラフより、少しでも転
位が認められた単結晶２６、３６は、転位ありと判断し
た。前記測定により、引き上げた単結晶３０本のうち、
転位のない（ＤＦ）ものの割合を調べた。

【００５２】＜実施例１、２、及び比較例１、２の結果
＞上記実施例１、２及び比較例１、２の場合の、単結晶
２６、３６のＤＦ率及び落下数を下記の表７に示す。

【００５３】

【表７】

【００５４】上記表７に示した結果より明らかなよう
に、実施例１、２の場合には、ネック２６ａを形成して
いるので、種結晶２５からの転位の伝播を阻止すること
ができ、引き上げた単結晶２６のＤＦ率が、９３％（２
８／３０）、９７％（２９／３０）と、殆ど転位が導入
されていない。また、くびれ２６ｂの最下部の直径（ｄ
₃ ）が１２ｍｍ、１５ｍｍと十分に太いので、落下数は
０／３０であった。

【００５５】これに対し、比較例１の場合には、ネック
３６ａの直径が４ｍｍになるまでその径を絞ったので、
ＤＦ率は９０％（２７／３０）と良好であったが、単結
晶３６を十分に支持することができず、落下数が２４／
３０と、殆どのものが落下してしまった。また、比較例
２の場合には、ネック３６ａの直径を１０ｍｍと太くし
たため、落下数は０／３０であったが、種結晶３５に導
入された転位を排除することができず、ＤＦ率が０％
（０／３０）と全ての単結晶３６に転位が導入されてし
まった。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、本発明の実施の形態に係る種結晶保
持具を、模式的に示した縦断面図であり、（ｂ）は、そ
の水平断面図である。

【図２】（ａ）〜（ｃ）は、実施の形態に係る単結晶引
き上げ方法における、種結晶保持具の近傍を、模式的に
示した部分拡大断面図である。

【図３】ＣＺ法において使用される、従来の単結晶引き
上げ装置を模式的に示した断面図である。

【図４】（ａ）〜（ｄ）は、従来の単結晶引き上げ方法
における、種結晶の近傍を、模式的に示した部分拡大正
面図である。

【符号の説明】

１１種結晶保持具１２溝１２ａ境界部１３補強部材１４種結晶保持部１４ａ、１５ａ、１６ａ空洞１５ネック形成部１６くびれ形成部２１坩堝２３溶融液２５種結晶２６単結晶

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】溶融液に濡れにくい材料よりなり、種結
晶保持部、ネック形成部、及びネックに続き一旦その径
を拡大させた後縮小させるくびれ形成部を含んで構成さ
れていることを特徴とする種結晶保持具。
【請求項２】上部から下部に至る複数の溝が形成され
ていることを特徴とする請求項１記載の種結晶保持具。
【請求項３】溝と溝との境界部が水平断面視鋭角形状
に構成されていることを特徴とする請求項１又は請求項
２記載の種結晶保持具。
【請求項４】補強部材により補強されていることを特
徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記載の種結晶保
持具。
【請求項５】坩堝内の溶融液に種結晶を浸漬した後、
該種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる単
結晶の引き上げ方法において、請求項１〜４のいずれか
の項に記載の種結晶保持具の内部において、ネックの形
成、及び該ネックに続き一旦その径を拡大させた後縮小
させるくびれの形成を行うことを特徴とする単結晶引き
上げ方法。