JPH09245522A - 導電ペースト及びセラミック基板 - Google Patents
導電ペースト及びセラミック基板Info
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- JPH09245522A JPH09245522A JP4436796A JP4436796A JPH09245522A JP H09245522 A JPH09245522 A JP H09245522A JP 4436796 A JP4436796 A JP 4436796A JP 4436796 A JP4436796 A JP 4436796A JP H09245522 A JPH09245522 A JP H09245522A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】構造欠陥を生じさせることのない導電ペースト
と、この導電ペーストを用いて形成された導電回路パタ
ーン、特には、バイアホールを備えてなるセラミック基
板とを提供する。 【解決手段】Ｃｕ粉末を有機ビヒクル中に分散してなる
導電ペーストであって、Ｃｕ粉末は、粒径が０．１〜５
０μｍの範囲内にある球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の
第２Ｃｕ粉末から構成され、かつ、ペースト全体に対す
る配合比率が５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされたもので
あり、第２Ｃｕ粉末は、Ｃｕ粉末全体中の配合比率が１
０ｗｔ％以上とされたものである。また、セラミック基
板のバイアホールには、粒径が０．１〜５０μｍの範囲
内にある球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末
から構成され、かつ、この第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体
中における配合比率が１０ｗｔ％以上となった導体金属
の焼結体が充填されている。
と、この導電ペーストを用いて形成された導電回路パタ
ーン、特には、バイアホールを備えてなるセラミック基
板とを提供する。 【解決手段】Ｃｕ粉末を有機ビヒクル中に分散してなる
導電ペーストであって、Ｃｕ粉末は、粒径が０．１〜５
０μｍの範囲内にある球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の
第２Ｃｕ粉末から構成され、かつ、ペースト全体に対す
る配合比率が５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされたもので
あり、第２Ｃｕ粉末は、Ｃｕ粉末全体中の配合比率が１
０ｗｔ％以上とされたものである。また、セラミック基
板のバイアホールには、粒径が０．１〜５０μｍの範囲
内にある球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末
から構成され、かつ、この第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体
中における配合比率が１０ｗｔ％以上となった導体金属
の焼結体が充填されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｃｕ粉末を含んで
なる導電ペーストと、この導電ペーストを用いて形成さ
れた導電回路パターン、特には、バイアホールを備えて
なるセラミック基板とに関する。
なる導電ペーストと、この導電ペーストを用いて形成さ
れた導電回路パターン、特には、バイアホールを備えて
なるセラミック基板とに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、バイアホールが形成された多
層構造のセラミック基板を製造する際には、図示省略し
ているが、ドリルやパンチを用いることによってセラミ
ックグリーンシートに対する孔開け作業を実施し、か
つ、孔開けされたバイアホール内に導電ペーストを充填
したうえ、スクリーン印刷などを採用することによって
導電回路パターンとなる導電ペーストをグリーンシート
の表面上に形成することがまずもって実行される。そし
て、引き続き、複数枚のグリーンシートを互いに積層し
たうえで圧着し、かつ、所要サイズとなるよう切断した
後、焼成処理を実施してグリーンシートを焼き固めるこ
とが行われている。なお、この際の焼成処理によって
は、導電回路パターンとなる導電ペーストは勿論のこ
と、バイアホール内に充填された導電ペーストも焼結さ
せられて導体金属となり、このバイアホール内に埋設さ
れた導体金属を介して接続された導電回路パターン同士
は導通していることになる。
層構造のセラミック基板を製造する際には、図示省略し
ているが、ドリルやパンチを用いることによってセラミ
ックグリーンシートに対する孔開け作業を実施し、か
つ、孔開けされたバイアホール内に導電ペーストを充填
したうえ、スクリーン印刷などを採用することによって
導電回路パターンとなる導電ペーストをグリーンシート
の表面上に形成することがまずもって実行される。そし
て、引き続き、複数枚のグリーンシートを互いに積層し
たうえで圧着し、かつ、所要サイズとなるよう切断した
後、焼成処理を実施してグリーンシートを焼き固めるこ
とが行われている。なお、この際の焼成処理によって
は、導電回路パターンとなる導電ペーストは勿論のこ
と、バイアホール内に充填された導電ペーストも焼結さ
せられて導体金属となり、このバイアホール内に埋設さ
れた導体金属を介して接続された導電回路パターン同士
は導通していることになる。
【０００３】また、この際、導電ペーストに含まれる導
電成分としては、比抵抗が小さくてマイグレーションが
起こりにくく、しかも、安価なＣｕ粉末を用いることが
行われており、この際におけるＣｕ粉末としては球状を
有するものが一般的となっている。そして、これらのＣ
ｕ粉末は、エチルセルロースなどの樹脂成分と、テルピ
ネオール系などのような溶剤成分とからなる有機ビヒク
ル中に分散させられることによってペースト化されてい
る。なお、ここでは、セラミック基板が多層構造を有す
るものであるとしているが、単層構造の誘電体セラミッ
ク基板やガラスセラミック基板などであっても同様であ
ることは勿論である。
電成分としては、比抵抗が小さくてマイグレーションが
起こりにくく、しかも、安価なＣｕ粉末を用いることが
行われており、この際におけるＣｕ粉末としては球状を
有するものが一般的となっている。そして、これらのＣ
ｕ粉末は、エチルセルロースなどの樹脂成分と、テルピ
ネオール系などのような溶剤成分とからなる有機ビヒク
ル中に分散させられることによってペースト化されてい
る。なお、ここでは、セラミック基板が多層構造を有す
るものであるとしているが、単層構造の誘電体セラミッ
ク基板やガラスセラミック基板などであっても同様であ
ることは勿論である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、セラミック
基板の製造時には、グリーンシート及び導電ペーストが
同時に焼成処理されるのであるが、この際においては、
図１（ａ），（ｂ）の説明図で簡略化して示すように、
バイアホール１１内に埋設された導体金属１２の内部に
空洞１３や亀裂１４が形成されたり、導体金属１２がバ
イアホール１１外にまで隆起したりすることが起こるほ
か、セラミック割れといわれる亀裂１５がバイアホール
１１の開口側周囲に沿って発生することが起こる。な
お、図１中における符号１６は、セラミック基板を示し
ている。そして、これらの構造欠陥が生じていると、バ
イアホールの導通不良などが避けられず、セラミック基
板の信頼性を確保することができなくなってしまう。
基板の製造時には、グリーンシート及び導電ペーストが
同時に焼成処理されるのであるが、この際においては、
図１（ａ），（ｂ）の説明図で簡略化して示すように、
バイアホール１１内に埋設された導体金属１２の内部に
空洞１３や亀裂１４が形成されたり、導体金属１２がバ
イアホール１１外にまで隆起したりすることが起こるほ
か、セラミック割れといわれる亀裂１５がバイアホール
１１の開口側周囲に沿って発生することが起こる。な
お、図１中における符号１６は、セラミック基板を示し
ている。そして、これらの構造欠陥が生じていると、バ
イアホールの導通不良などが避けられず、セラミック基
板の信頼性を確保することができなくなってしまう。
【０００５】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、構造欠陥を生じさせることのない
導電ペーストと、この導電ペーストを用いて形成された
導電回路パターン、特には、バイアホールを備えてなる
セラミック基板とを提供することを目的としている。
されたものであって、構造欠陥を生じさせることのない
導電ペーストと、この導電ペーストを用いて形成された
導電回路パターン、特には、バイアホールを備えてなる
セラミック基板とを提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１にかか
る導電ペーストは、Ｃｕ粉末を有機ビヒクル中に分散し
てなるものであって、Ｃｕ粉末は、粒径が０．１〜５０
μｍの範囲内にある球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第
２Ｃｕ粉末から構成され、かつ、ペースト全体に対する
配合比率が５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされたものであ
り、第２Ｃｕ粉末は、Ｃｕ粉末全体中の配合比率が１０
ｗｔ％以上とされたものであることを特徴としている。
る導電ペーストは、Ｃｕ粉末を有機ビヒクル中に分散し
てなるものであって、Ｃｕ粉末は、粒径が０．１〜５０
μｍの範囲内にある球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第
２Ｃｕ粉末から構成され、かつ、ペースト全体に対する
配合比率が５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされたものであ
り、第２Ｃｕ粉末は、Ｃｕ粉末全体中の配合比率が１０
ｗｔ％以上とされたものであることを特徴としている。
【０００７】そして、請求項２にかかるセラミック基板
は、導電回路パターンと接続されたバイアホールが形成
されてなるものであって、バイアホール内には、粒径が
０．１〜５０μｍの範囲内にある球状の第１Ｃｕ粉末及
び偏平状の第２Ｃｕ粉末から構成され、かつ、この第２
Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体中における配合比率が１０ｗｔ
％以上となった導体金属の焼結体が充填されている。ま
た、請求項３にかかるセラミック基板の導電回路パター
ンは、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にある球状の第
１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末から構成され、か
つ、この第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体中における配合比
率が１０ｗｔ％以上となった導体金属の焼結体であるこ
とを特徴としている。
は、導電回路パターンと接続されたバイアホールが形成
されてなるものであって、バイアホール内には、粒径が
０．１〜５０μｍの範囲内にある球状の第１Ｃｕ粉末及
び偏平状の第２Ｃｕ粉末から構成され、かつ、この第２
Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体中における配合比率が１０ｗｔ
％以上となった導体金属の焼結体が充填されている。ま
た、請求項３にかかるセラミック基板の導電回路パター
ンは、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にある球状の第
１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末から構成され、か
つ、この第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体中における配合比
率が１０ｗｔ％以上となった導体金属の焼結体であるこ
とを特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【０００９】本実施の形態にかかる導電ペーストは、Ｃ
ｕ粉末を有機ビヒクル中に分散することによってペース
ト化され、かつ、セラミック基板のバイアホールや導電
回路パターンを形成する際に用いられるものであって、
この導電ペーストに含まれる導電成分としてのＣｕ粉末
は、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にある球状の第１
Ｃｕ粉末と、同じく粒径が０．１〜５０μｍの範囲内に
ある偏平状の第２Ｃｕ粉末とから構成されている。すな
わち、従来例の導電ペーストでは球状を有する第１Ｃｕ
粉末のみが用いられていたのに対し、本実施の形態にか
かる導電ペーストでは、球状の第１Ｃｕ粉末とともに、
偏平状とされた第２Ｃｕ粉末を用いることが行われてい
る。
ｕ粉末を有機ビヒクル中に分散することによってペース
ト化され、かつ、セラミック基板のバイアホールや導電
回路パターンを形成する際に用いられるものであって、
この導電ペーストに含まれる導電成分としてのＣｕ粉末
は、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にある球状の第１
Ｃｕ粉末と、同じく粒径が０．１〜５０μｍの範囲内に
ある偏平状の第２Ｃｕ粉末とから構成されている。すな
わち、従来例の導電ペーストでは球状を有する第１Ｃｕ
粉末のみが用いられていたのに対し、本実施の形態にか
かる導電ペーストでは、球状の第１Ｃｕ粉末とともに、
偏平状とされた第２Ｃｕ粉末を用いることが行われてい
る。
【００１０】なお、これら第２Ｃｕ粉末の粒径は偏平状
の長辺と短辺との平均値で示されるＳＥＭ粒径を意味し
ており、このＳＥＭ粒径が０．１〜５０μｍの範囲内に
あることになっている。そして、この際における第１及
び第２Ｃｕ粉末それぞれの粒径を０．１〜５０μｍの範
囲内と規定しているのは、Ｃｕ粉末の粒径が０．１μｍ
未満であると、その表面が酸化されやすくなって導通抵
抗の劣化が生じやすくなる一方、粒径が５０μｍを越え
ていると、スクリーン印刷を採用して導電ペーストを塗
布することが困難となるためである。
の長辺と短辺との平均値で示されるＳＥＭ粒径を意味し
ており、このＳＥＭ粒径が０．１〜５０μｍの範囲内に
あることになっている。そして、この際における第１及
び第２Ｃｕ粉末それぞれの粒径を０．１〜５０μｍの範
囲内と規定しているのは、Ｃｕ粉末の粒径が０．１μｍ
未満であると、その表面が酸化されやすくなって導通抵
抗の劣化が生じやすくなる一方、粒径が５０μｍを越え
ていると、スクリーン印刷を採用して導電ペーストを塗
布することが困難となるためである。
【００１１】さらに、これらのＣｕ粉末、つまり第１及
び第２Ｃｕ粉末の合計量がペースト全体に対して有する
配合比率は５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされており、か
つ、第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体、つまり第１及び第２
Ｃｕ粉末の合計量中における配合比率は１０ｗｔ％以上
となるように設定されている。なお、この際における有
機ビヒクルは、エチルセルロースなどのような樹脂成分
と、テルピネオール系などのような溶剤成分とからなる
ものであるが、限定されることはなく、後述するセラミ
ックスラリー作製時の有機バインダとの組み合わせに基
づいて選定されることになる。
び第２Ｃｕ粉末の合計量がペースト全体に対して有する
配合比率は５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされており、か
つ、第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体、つまり第１及び第２
Ｃｕ粉末の合計量中における配合比率は１０ｗｔ％以上
となるように設定されている。なお、この際における有
機ビヒクルは、エチルセルロースなどのような樹脂成分
と、テルピネオール系などのような溶剤成分とからなる
ものであるが、限定されることはなく、後述するセラミ
ックスラリー作製時の有機バインダとの組み合わせに基
づいて選定されることになる。
【００１２】そして、本実施の形態においては、第１及
び第２Ｃｕ粉末のそれぞれと、有機ビヒクルとを用意
し、かつ、第１及び第２Ｃｕ粉末それぞれの所要量ずつ
を有機ビヒクル中に分散したうえ、三本ロールを用いな
がら十分に混練することによって表１で示すような成分
組成とされた各種の導電ペーストを作製することが行わ
れる。なお、この表１における試料番号１〜７の導電ペ
ーストはいずれも本発明の範囲内、つまり第１Ｃｕ粉末
及び第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対する配合比率が５
０〜９０ｗｔ％の範囲内とされ、かつ、Ｃｕ粉末全体中
における第２Ｃｕ粉末の配合比率が１０ｗｔ％以上とさ
れたものであるのに対し、試料番号８〜１２で示される
導電ペーストはいずれも本発明の範囲外となったもので
ある。
び第２Ｃｕ粉末のそれぞれと、有機ビヒクルとを用意
し、かつ、第１及び第２Ｃｕ粉末それぞれの所要量ずつ
を有機ビヒクル中に分散したうえ、三本ロールを用いな
がら十分に混練することによって表１で示すような成分
組成とされた各種の導電ペーストを作製することが行わ
れる。なお、この表１における試料番号１〜７の導電ペ
ーストはいずれも本発明の範囲内、つまり第１Ｃｕ粉末
及び第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対する配合比率が５
０〜９０ｗｔ％の範囲内とされ、かつ、Ｃｕ粉末全体中
における第２Ｃｕ粉末の配合比率が１０ｗｔ％以上とさ
れたものであるのに対し、試料番号８〜１２で示される
導電ペーストはいずれも本発明の範囲外となったもので
ある。
【００１３】
【表１】
【００１４】すなわち、表１における試料番号８〜１２
で示される導電ペーストは、試料番号１〜７で示される
導電ペーストのそれぞれに対する比較例として作製され
たものであり、試料番号８〜１０の導電ペーストはＣｕ
粉末全体中における第２Ｃｕ粉末の配合比率が１０ｗｔ
％未満、また、試料番号１１の導電ペーストは第１及び
第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対する配合比率が５０ｗ
ｔ％未満であるために本発明の範囲外となるものであ
る。なお、試料番号１２で示す成分組成とされた導電ペ
ーストは、有機ビヒクルが少なすぎるためにペースト化
が不可能となっている。
で示される導電ペーストは、試料番号１〜７で示される
導電ペーストのそれぞれに対する比較例として作製され
たものであり、試料番号８〜１０の導電ペーストはＣｕ
粉末全体中における第２Ｃｕ粉末の配合比率が１０ｗｔ
％未満、また、試料番号１１の導電ペーストは第１及び
第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対する配合比率が５０ｗ
ｔ％未満であるために本発明の範囲外となるものであ
る。なお、試料番号１２で示す成分組成とされた導電ペ
ーストは、有機ビヒクルが少なすぎるためにペースト化
が不可能となっている。
【００１５】一方、これらの導電ペーストを作製するの
とは別の工程において、セラミックグリーンシートを作
製することを行う。すなわち、まず、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3
−ＳｉＯ2系などのガラス複合材料をセラミック原料と
して準備したうえ、原料粉末に対してポリビニルブチラ
ールなどの有機バインダと、トルエンなどの有機溶剤と
を加えたうえで十分に混練することによってセラミック
スラリーを作製した。そして、ドクターブレード法など
を採用したうえでセラミックスラリーをシート状として
成形することによってセラミックグリーンシートを作製
した後、パンチなどを用いたうえでの孔開け作業を実施
することによってグリーンシートの所要位置ごとにバイ
アホールを形成した。
とは別の工程において、セラミックグリーンシートを作
製することを行う。すなわち、まず、ＢａＯ−Ａｌ2Ｏ3
−ＳｉＯ2系などのガラス複合材料をセラミック原料と
して準備したうえ、原料粉末に対してポリビニルブチラ
ールなどの有機バインダと、トルエンなどの有機溶剤と
を加えたうえで十分に混練することによってセラミック
スラリーを作製した。そして、ドクターブレード法など
を採用したうえでセラミックスラリーをシート状として
成形することによってセラミックグリーンシートを作製
した後、パンチなどを用いたうえでの孔開け作業を実施
することによってグリーンシートの所要位置ごとにバイ
アホールを形成した。
【００１６】引き続き、スクリーン印刷などの手法を採
用することによって表１中に示した各種の導電ペース
ト、つまり試料番号１〜１１それぞれの導電ペーストを
孔開けされたバイアホール内に充填したうえで乾燥させ
た後、スクリーン印刷などを採用することによって導電
回路パターンとなる導電ペーストをグリーンシートの表
面上に塗布することを行う。なお、ここで、導電回路パ
ターンを形成すべく塗布される導電ペーストが表１中に
示したのと同じ導電ペーストであってもよいが、従来例
通りの導電ペースト、つまり球状を有するＣｕ粉末のみ
を含んでなる導電ペーストを用いることによって導電回
路パターンを形成することを行っても差し支えないこと
は勿論である。
用することによって表１中に示した各種の導電ペース
ト、つまり試料番号１〜１１それぞれの導電ペーストを
孔開けされたバイアホール内に充填したうえで乾燥させ
た後、スクリーン印刷などを採用することによって導電
回路パターンとなる導電ペーストをグリーンシートの表
面上に塗布することを行う。なお、ここで、導電回路パ
ターンを形成すべく塗布される導電ペーストが表１中に
示したのと同じ導電ペーストであってもよいが、従来例
通りの導電ペースト、つまり球状を有するＣｕ粉末のみ
を含んでなる導電ペーストを用いることによって導電回
路パターンを形成することを行っても差し支えないこと
は勿論である。
【００１７】その後、同一種類の導電ペーストがバイア
ホール内に充填された複数枚のグリーンシート同士を互
いに積層したうえで圧着し、かつ、所要サイズとなるよ
うにして切断した後、１０００℃の温度に維持された窒
素雰囲気中での１〜２時間にわたる焼成処理を実施する
ことによって多層構造のセラミック基板を作製した。そ
こで、これらセラミック基板のバイアホール内には試料
番号１〜１１それぞれの導電ペーストが焼結された導体
金属の焼結体が充填されていることになり、セラミック
基板の表面上に形成された導電回路パターン、つまりグ
リーンシートの表面上に塗布された導電ペーストが焼結
されてなる導体金属同士はバイアホール内に埋設された
導体金属を介したうえで接続されていることになる。
ホール内に充填された複数枚のグリーンシート同士を互
いに積層したうえで圧着し、かつ、所要サイズとなるよ
うにして切断した後、１０００℃の温度に維持された窒
素雰囲気中での１〜２時間にわたる焼成処理を実施する
ことによって多層構造のセラミック基板を作製した。そ
こで、これらセラミック基板のバイアホール内には試料
番号１〜１１それぞれの導電ペーストが焼結された導体
金属の焼結体が充填されていることになり、セラミック
基板の表面上に形成された導電回路パターン、つまりグ
リーンシートの表面上に塗布された導電ペーストが焼結
されてなる導体金属同士はバイアホール内に埋設された
導体金属を介したうえで接続されていることになる。
【００１８】つぎに、以上のような手順に従って作製さ
れたセラミック基板を切断することによってバイアホー
ル部分を露出させたうえ、バイアホール内に埋設された
導体金属の焼結体、つまり表１で示した試料番号１〜１
１それぞれの導電ペーストが焼結させられてなる導体金
属の切断面を実体顕微鏡でもって観察したところ、表１
に付記して示すような観察結果が得られた。なお、ここ
では、バイアホール内に埋設された導体金属における空
洞及び亀裂の有無、隆起の有無とともに、セラミック割
れの有無を確認することを行った。
れたセラミック基板を切断することによってバイアホー
ル部分を露出させたうえ、バイアホール内に埋設された
導体金属の焼結体、つまり表１で示した試料番号１〜１
１それぞれの導電ペーストが焼結させられてなる導体金
属の切断面を実体顕微鏡でもって観察したところ、表１
に付記して示すような観察結果が得られた。なお、ここ
では、バイアホール内に埋設された導体金属における空
洞及び亀裂の有無、隆起の有無とともに、セラミック割
れの有無を確認することを行った。
【００１９】そして、表１に付記した観察結果に基づく
と、本発明の範囲内となる成分組成を有する試料番号１
〜７の導電ペーストからなる導体金属の焼結体がバイア
ホール内に埋設されたセラミック基板、つまりバイアホ
ール内には、第１及び第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対
する配合比率が５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされ、か
つ、Ｃｕ粉末全体中における第２Ｃｕ粉末の配合比率が
１０ｗｔ％以上とされた導体金属の焼結体が充填されて
なるセラミック基板では、いずれにおいても空洞及び亀
裂が発生せず、隆起やセラミック割れも発生しないとい
う良好な結果が得られている。
と、本発明の範囲内となる成分組成を有する試料番号１
〜７の導電ペーストからなる導体金属の焼結体がバイア
ホール内に埋設されたセラミック基板、つまりバイアホ
ール内には、第１及び第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対
する配合比率が５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされ、か
つ、Ｃｕ粉末全体中における第２Ｃｕ粉末の配合比率が
１０ｗｔ％以上とされた導体金属の焼結体が充填されて
なるセラミック基板では、いずれにおいても空洞及び亀
裂が発生せず、隆起やセラミック割れも発生しないとい
う良好な結果が得られている。
【００２０】これに対し、本発明の範囲外となる試料番
号８の導電ペーストからなる導体金属の焼結体がバイア
ホール内に充填されたセラミック基板では隆起やセラミ
ック割れが発生し、また、試料番号９〜１１の導電ペー
ストからなる導体金属の焼結体がバイアホール内に充填
されたセラミック基板においては空洞や亀裂が発生する
ことになっており、本発明の範囲内となる導電ペースト
を用いた場合のような結果が得られないことも分かる。
号８の導電ペーストからなる導体金属の焼結体がバイア
ホール内に充填されたセラミック基板では隆起やセラミ
ック割れが発生し、また、試料番号９〜１１の導電ペー
ストからなる導体金属の焼結体がバイアホール内に充填
されたセラミック基板においては空洞や亀裂が発生する
ことになっており、本発明の範囲内となる導電ペースト
を用いた場合のような結果が得られないことも分かる。
【００２１】すなわち、この観察結果によれば、第１及
び第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対する配合比率が５０
ｗｔ％未満となった導電ペーストではバイアホールに対
する充填が不十分となり、第１及び第２Ｃｕ粉末のペー
スト全体に対する配合比率が９０ｗｔ％を越える導電ペ
ーストではペースト化が不可能となるばかりか、Ｃｕ粉
末全体中における第２Ｃｕ粉末の配合比率が１０ｗｔ％
未満とされた導電ペーストではセラミック割れが発生す
ることも明らかとなっている。そして、本実施の形態に
かかる導電ペーストでは、偏平状となった第２Ｃｕ粉末
を添加していることに伴ってバイアホールに対する充填
性が向上するばかりか、焼成処理時における導体金属の
収縮量が増加するために隆起やセラミック割れが抑制さ
れていることも分かる。
び第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対する配合比率が５０
ｗｔ％未満となった導電ペーストではバイアホールに対
する充填が不十分となり、第１及び第２Ｃｕ粉末のペー
スト全体に対する配合比率が９０ｗｔ％を越える導電ペ
ーストではペースト化が不可能となるばかりか、Ｃｕ粉
末全体中における第２Ｃｕ粉末の配合比率が１０ｗｔ％
未満とされた導電ペーストではセラミック割れが発生す
ることも明らかとなっている。そして、本実施の形態に
かかる導電ペーストでは、偏平状となった第２Ｃｕ粉末
を添加していることに伴ってバイアホールに対する充填
性が向上するばかりか、焼成処理時における導体金属の
収縮量が増加するために隆起やセラミック割れが抑制さ
れていることも分かる。
【００２２】なお、以上の説明では、第１及び第２Ｃｕ
粉末を含んでなる導電ペーストをバイアホール内に充填
することを行っているが、この導電ペーストを用いたう
えで導電回路パターンを形成してもよいことは勿論であ
り、このようにした際における導電回路パターンは、粒
径が０．１〜５０μｍの範囲内にある球状の第１Ｃｕ粉
末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末から構成され、かつ、この
第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体中における配合比率が１０
ｗｔ％以上となった導体金属の焼結体からなるものとな
る。また、本実施の形態においては、セラミック基板が
多層構造を有するものであるとしているが、単層構造の
誘電体セラミック基板やガラスセラミック基板などであ
っても差し支えないことは勿論である。
粉末を含んでなる導電ペーストをバイアホール内に充填
することを行っているが、この導電ペーストを用いたう
えで導電回路パターンを形成してもよいことは勿論であ
り、このようにした際における導電回路パターンは、粒
径が０．１〜５０μｍの範囲内にある球状の第１Ｃｕ粉
末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末から構成され、かつ、この
第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体中における配合比率が１０
ｗｔ％以上となった導体金属の焼結体からなるものとな
る。また、本実施の形態においては、セラミック基板が
多層構造を有するものであるとしているが、単層構造の
誘電体セラミック基板やガラスセラミック基板などであ
っても差し支えないことは勿論である。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明にかかる導
電ペーストは、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にある
球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末を含み、
かつ、第１及び第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対する配
合比率が５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされているととも
に、Ｃｕ粉末全体中における第２Ｃｕ粉末の配合比率が
１０ｗｔ％以上とされていることを特徴とするものであ
り、この導電ペーストを用いることによってバイアホー
ル内に充填された導体金属の焼結体を形成した場合に
は、空洞や亀裂、または、隆起やセラミック割れなどの
ような構造欠陥が生じないことになるという優れた効果
が得られる。また、導通信頼性の向上したバイアホール
または導電回路パターンを有するセラミック基板が作製
できるという効果も得られる。
電ペーストは、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にある
球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末を含み、
かつ、第１及び第２Ｃｕ粉末のペースト全体に対する配
合比率が５０〜９０ｗｔ％の範囲内とされているととも
に、Ｃｕ粉末全体中における第２Ｃｕ粉末の配合比率が
１０ｗｔ％以上とされていることを特徴とするものであ
り、この導電ペーストを用いることによってバイアホー
ル内に充填された導体金属の焼結体を形成した場合に
は、空洞や亀裂、または、隆起やセラミック割れなどの
ような構造欠陥が生じないことになるという優れた効果
が得られる。また、導通信頼性の向上したバイアホール
または導電回路パターンを有するセラミック基板が作製
できるという効果も得られる。
【図１】構造欠陥の種類を示す説明図である。
１１ バイアホール １２ 導体金属 １３ 空洞 １４ 亀裂 １５ 亀裂 １６ セラミック基板
Claims (3)
- 【請求項１】銅（Ｃｕ）粉末を有機ビヒクル中に分散し
てなる導電ペーストであって、 Ｃｕ粉末は、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内にある球
状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末から構成さ
れ、かつ、ペースト全体に対する配合比率が５０〜９０
ｗｔ％の範囲内とされたものであり、 第２Ｃｕ粉末は、Ｃｕ粉末全体中の配合比率が１０ｗｔ
％以上とされたものであることを特徴とする導電ペース
ト。 - 【請求項２】導電回路パターンと接続されたバイアホー
ルが形成されてなるセラミック基板であって、 バイアホール内には、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内
にある球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末か
ら構成され、かつ、この第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体中
における配合比率が１０ｗｔ％以上となった導体金属の
焼結体が充填されていることを特徴とするセラミック基
板。 - 【請求項３】導電回路パターンが形成されてなるセラミ
ック基板であって、 導電回路パターンは、粒径が０．１〜５０μｍの範囲内
にある球状の第１Ｃｕ粉末及び偏平状の第２Ｃｕ粉末か
ら構成され、かつ、この第２Ｃｕ粉末のＣｕ粉末全体中
における配合比率が１０ｗｔ％以上となった導体金属の
焼結体からなるものであることを特徴とするセラミック
基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04436796A JP3498197B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | セラミック基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04436796A JP3498197B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | セラミック基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09245522A true JPH09245522A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3498197B2 JP3498197B2 (ja) | 2004-02-16 |
Family
ID=12689553
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04436796A Expired - Lifetime JP3498197B2 (ja) | 1996-03-01 | 1996-03-01 | セラミック基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3498197B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001064807A1 (fr) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Adhesif conducteur, appareil de montage de composant electronique, et procede de montage d'un tel composant |
| US9980393B2 (en) | 2011-12-13 | 2018-05-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Pattern-forming method for forming a conductive circuit pattern |
-
1996
- 1996-03-01 JP JP04436796A patent/JP3498197B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001064807A1 (fr) * | 2000-02-29 | 2001-09-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Adhesif conducteur, appareil de montage de composant electronique, et procede de montage d'un tel composant |
| US6916433B2 (en) | 2000-02-29 | 2005-07-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Conductive adhesive, apparatus for mounting electronic component, and method for mounting the same |
| US9980393B2 (en) | 2011-12-13 | 2018-05-22 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Pattern-forming method for forming a conductive circuit pattern |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3498197B2 (ja) | 2004-02-16 |
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