JPH09241264A - β−アルケニルトリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレートの製造方法 - Google Patents
β−アルケニルトリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレートの製造方法Info
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- JPH09241264A JPH09241264A JP9014069A JP1406997A JPH09241264A JP H09241264 A JPH09241264 A JP H09241264A JP 9014069 A JP9014069 A JP 9014069A JP 1406997 A JP1406997 A JP 1406997A JP H09241264 A JPH09241264 A JP H09241264A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
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- C07F7/0827—Syntheses with formation of a Si-C bond
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 β−アルケニルトリメチルシラン及びトリメ
チルシリルカルボキシレートの製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 ヘキサメチルジシラン及び一般式Ｒ1 2
Ｃ＝Ｃ（Ｒ1 ）−ＣＨ2−ＯＣ（Ｏ）Ｒ2 で示されるア
ルケンカルボキシレートを含む混合物と、一般式（Ｒ3
2 ＰＰｈ）2 ＰｄＸ2 又は（Ｒ3 3 Ｐ）2 ＮｉＸ2 で示
される触媒とを１００〜２５０℃の温度で接触させる工
程を含む方法。Ｒ1 は、各々独立に、水素原子、炭素原
子数１〜１８個の飽和炭化水素基、アラルキル基及びア
リール基から成る群より選ばれ、Ｒ2 は、炭素原子数１
〜１８個の飽和炭化水素基、アラルキル基及びアリール
基から成る群より選ばれ、Ｒ3 は各々独立に炭素原子数
１〜８個のアルキル基であり、Ｐｈはフェニル基であ
り、Ｘは、各々独立に、塩素原子又は臭素原子から選ば
れたハロゲン原子である。
チルシリルカルボキシレートの製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 ヘキサメチルジシラン及び一般式Ｒ1 2
Ｃ＝Ｃ（Ｒ1 ）−ＣＨ2−ＯＣ（Ｏ）Ｒ2 で示されるア
ルケンカルボキシレートを含む混合物と、一般式（Ｒ3
2 ＰＰｈ）2 ＰｄＸ2 又は（Ｒ3 3 Ｐ）2 ＮｉＸ2 で示
される触媒とを１００〜２５０℃の温度で接触させる工
程を含む方法。Ｒ1 は、各々独立に、水素原子、炭素原
子数１〜１８個の飽和炭化水素基、アラルキル基及びア
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１〜８個のアルキル基であり、Ｐｈはフェニル基であ
り、Ｘは、各々独立に、塩素原子又は臭素原子から選ば
れたハロゲン原子である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、β−アルケニルト
リメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレート
の製造方法に関する。本発明の方法は、β−不飽和炭素
原子を有するアルケンカルボキシレート及びヘキサメチ
ルジシランの混合物と、触媒としての新規有機パラジウ
ム錯体又は有機ニッケル錯体とを、１００〜２５０℃の
温度で接触させる工程を含む。本発明の方法は、アリル
トリメチルシラン及びトリメチルシリルアセテートを製
造する場合に特に有用である。
リメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレート
の製造方法に関する。本発明の方法は、β−不飽和炭素
原子を有するアルケンカルボキシレート及びヘキサメチ
ルジシランの混合物と、触媒としての新規有機パラジウ
ム錯体又は有機ニッケル錯体とを、１００〜２５０℃の
温度で接触させる工程を含む。本発明の方法は、アリル
トリメチルシラン及びトリメチルシリルアセテートを製
造する場合に特に有用である。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】β−ア
ルケニルトリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボ
キシレートは、シリコーンや有機ポリマーに有機官能性
珪素官能基を導入する場合に有用な中間体である。本発
明の方法は、ヘキサメチルジシランをこれらの中間体へ
ほぼ定量的に転化する手段を提供するものである。
ルケニルトリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボ
キシレートは、シリコーンや有機ポリマーに有機官能性
珪素官能基を導入する場合に有用な中間体である。本発
明の方法は、ヘキサメチルジシランをこれらの中間体へ
ほぼ定量的に転化する手段を提供するものである。
【０００３】ＵｒａｔａらのＢｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏ
ｃ．Ｊｐｎ．５７：６０７−６０８（１９８４）に、触
媒量のＰｄ（ＰＰｈ3 ）4 、Ｐｄ｛Ｐ（ＯＰｈ）3 ｝4
又はＲｈＣｌ（ＰＰｈ3 ）3 の存在下でアリル系エステ
ルをヘキサメチルジシランと反応させて対応するアリル
系シランを高収率で得る方法が記載されている（式中、
Ｐｈはフェニル基を表す）。Ｕｒａｔａらは、Ｐｄ｛Ｐ
（ＯＰｈ）3 ｝4 は酢酸アリルとヘキサメチルジシラン
との反応を効果的に触媒し、β−アルケニルトリメチル
シロキサンが優れた収率で得られると報告している。し
かしながら、Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）4 とＲｈＣｌ（ＰＰ
ｈ3 ）3 は、アリルトリメチルシランの二重結合が移行
することから、プロピレン及び（Ｅ）１−プロペニルト
リメチルシランを相当量生成させることになった。
ｃ．Ｊｐｎ．５７：６０７−６０８（１９８４）に、触
媒量のＰｄ（ＰＰｈ3 ）4 、Ｐｄ｛Ｐ（ＯＰｈ）3 ｝4
又はＲｈＣｌ（ＰＰｈ3 ）3 の存在下でアリル系エステ
ルをヘキサメチルジシランと反応させて対応するアリル
系シランを高収率で得る方法が記載されている（式中、
Ｐｈはフェニル基を表す）。Ｕｒａｔａらは、Ｐｄ｛Ｐ
（ＯＰｈ）3 ｝4 は酢酸アリルとヘキサメチルジシラン
との反応を効果的に触媒し、β−アルケニルトリメチル
シロキサンが優れた収率で得られると報告している。し
かしながら、Ｐｄ（ＰＰｈ3 ）4 とＲｈＣｌ（ＰＰ
ｈ3 ）3 は、アリルトリメチルシランの二重結合が移行
することから、プロピレン及び（Ｅ）１−プロペニルト
リメチルシランを相当量生成させることになった。
【０００４】本発明者らは、上記Ｕｒａｔａらが経験し
た二重結合の移行を伴うことなく、ヘキサメチルジシラ
ンとアルケンアセテートとを反応させてβ−アルケニル
トリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレー
トを生成させるための触媒として作用する新規有機パラ
ジウム錯体及び有機ニッケル錯体を発見した。
た二重結合の移行を伴うことなく、ヘキサメチルジシラ
ンとアルケンアセテートとを反応させてβ−アルケニル
トリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレー
トを生成させるための触媒として作用する新規有機パラ
ジウム錯体及び有機ニッケル錯体を発見した。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、β−アルケニ
ルトリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレ
ートの製造方法である。本発明の方法は、ヘキサメチル
ジシラン及び一般式Ｒ 1 2 Ｃ＝Ｃ（Ｒ1 ）−ＣＨ2 −Ｏ
Ｃ（Ｏ）Ｒ2 （１）で示されるアルケンカルボキシレー
トを含む混合物と、一般式（Ｒ3 ＰＰｈ）2 ＰｄＸ
2 （２）又は（Ｒ3 3 Ｐ）2 ＮｉＸ2 （３）で示される
触媒とを、１００〜２５０℃の温度で接触させる工程を
含む。ここで、Ｒ1 は、各々独立に、水素原子、炭素原
子数１〜１８個の飽和炭化水素基、アラルキル基及びア
リール基から成る群より選ばれ、Ｒ2は、炭素原子数１
〜１８個の飽和炭化水素基、アラルキル基及びアリール
基から成る群より選ばれ、Ｒ3 は各々独立に炭素原子数
１〜８個のアルキル基であり、Ｐｈはフェニル基であ
り、Ｘは、各々独立に、塩素原子又は臭素原子から選ば
れたハロゲン原子である。
ルトリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレ
ートの製造方法である。本発明の方法は、ヘキサメチル
ジシラン及び一般式Ｒ 1 2 Ｃ＝Ｃ（Ｒ1 ）−ＣＨ2 −Ｏ
Ｃ（Ｏ）Ｒ2 （１）で示されるアルケンカルボキシレー
トを含む混合物と、一般式（Ｒ3 ＰＰｈ）2 ＰｄＸ
2 （２）又は（Ｒ3 3 Ｐ）2 ＮｉＸ2 （３）で示される
触媒とを、１００〜２５０℃の温度で接触させる工程を
含む。ここで、Ｒ1 は、各々独立に、水素原子、炭素原
子数１〜１８個の飽和炭化水素基、アラルキル基及びア
リール基から成る群より選ばれ、Ｒ2は、炭素原子数１
〜１８個の飽和炭化水素基、アラルキル基及びアリール
基から成る群より選ばれ、Ｒ3 は各々独立に炭素原子数
１〜８個のアルキル基であり、Ｐｈはフェニル基であ
り、Ｘは、各々独立に、塩素原子又は臭素原子から選ば
れたハロゲン原子である。
【０００６】本発明の方法は、バッチ式、半連続式又は
連続式として実施される。また、本発明の方法は、供給
原料を加圧下で保持するのに適した標準的なタイプの反
応器において行われる。
連続式として実施される。また、本発明の方法は、供給
原料を加圧下で保持するのに適した標準的なタイプの反
応器において行われる。
【０００７】本発明の方法における混合物はヘキサメチ
ルジシランを含む。このヘキサメチルジシランは、当該
技術分野で周知の標準的ないずれの方法によっても製造
できる。また、このヘキサメチルジシランは、触媒存在
下、有機ハロゲン化物を元素状珪素と高温で反応させて
モノシランを得るオルガノハロシランの製造方法の副生
物であってもよい。さらに、ヘキサメチルジシランは、
上記製造方法の生成物を蒸留することにより得られる高
沸点混合物（＞７０℃）の一部であってもよい。このよ
うな高沸点混合物の組成については、米国特許第５，４
３０，１６８号明細書に詳細に記載されており、ここで
詳述する必要はない。
ルジシランを含む。このヘキサメチルジシランは、当該
技術分野で周知の標準的ないずれの方法によっても製造
できる。また、このヘキサメチルジシランは、触媒存在
下、有機ハロゲン化物を元素状珪素と高温で反応させて
モノシランを得るオルガノハロシランの製造方法の副生
物であってもよい。さらに、ヘキサメチルジシランは、
上記製造方法の生成物を蒸留することにより得られる高
沸点混合物（＞７０℃）の一部であってもよい。このよ
うな高沸点混合物の組成については、米国特許第５，４
３０，１６８号明細書に詳細に記載されており、ここで
詳述する必要はない。
【０００８】本発明の方法における混合物は、さらに一
般式（１）で示されるアルケンカルボキシレートを含
む。Ｒ1 は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１〜１
８個の一価の飽和炭化水素基、アラルキル基及びアリー
ル基から成る群より選ばれる。Ｒ1 は、水素原子の他、
メチル、エチル、プロピル、ｔ−ブチル、デシル及びオ
クタデシルのようなアルキル基、シクロペンチル及びシ
クロヘキシルのようなシクロアルキル基、ベンジル、β
−フェニルエチル及びβ−フェニルプロピルのようなア
ラルキル基、並びにフェニル、トリル及びナフチルのよ
うなアリール基、が挙げられる。Ｒ1 は水素であること
が好ましい。
般式（１）で示されるアルケンカルボキシレートを含
む。Ｒ1 は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１〜１
８個の一価の飽和炭化水素基、アラルキル基及びアリー
ル基から成る群より選ばれる。Ｒ1 は、水素原子の他、
メチル、エチル、プロピル、ｔ−ブチル、デシル及びオ
クタデシルのようなアルキル基、シクロペンチル及びシ
クロヘキシルのようなシクロアルキル基、ベンジル、β
−フェニルエチル及びβ−フェニルプロピルのようなア
ラルキル基、並びにフェニル、トリル及びナフチルのよ
うなアリール基、が挙げられる。Ｒ1 は水素であること
が好ましい。
【０００９】一般式（１）において、Ｒ2 は、炭素原子
数１〜１８個の一価の飽和炭化水素基、アラルキル基及
びアリール基から成る群より選ばれる。Ｒ2 は、先にＲ
1 について記載したいずれの炭化水素基であってもよ
い。Ｒ2 は、炭素原子数１〜６の一価の飽和炭化水素基
であることが好ましい。最も好ましい場合は、Ｒ2 がメ
チル基である場合である。本発明の方法において好まし
いアルケンカルボキシレートは酢酸アリルである。
数１〜１８個の一価の飽和炭化水素基、アラルキル基及
びアリール基から成る群より選ばれる。Ｒ2 は、先にＲ
1 について記載したいずれの炭化水素基であってもよ
い。Ｒ2 は、炭素原子数１〜６の一価の飽和炭化水素基
であることが好ましい。最も好ましい場合は、Ｒ2 がメ
チル基である場合である。本発明の方法において好まし
いアルケンカルボキシレートは酢酸アリルである。
【００１０】本発明の方法におけるアルケンカルボキシ
レート対ヘキサメチルジシランの添加モル比は、０．
１：１〜１０：１の範囲にある。好ましくは、本発明の
方法に添加されるアルケンカルボキシレートの量を、ヘ
キサメチルジシランの添加量に対して化学量論的に過剰
とする。アルケンカルボキシレート対ヘキサメチルジシ
ランの好適なモル比は１：１〜３：１の範囲にある。
レート対ヘキサメチルジシランの添加モル比は、０．
１：１〜１０：１の範囲にある。好ましくは、本発明の
方法に添加されるアルケンカルボキシレートの量を、ヘ
キサメチルジシランの添加量に対して化学量論的に過剰
とする。アルケンカルボキシレート対ヘキサメチルジシ
ランの好適なモル比は１：１〜３：１の範囲にある。
【００１１】ヘキサメチルジシラン及びアルケンカルボ
キシレートを含む混合物を、一般式（Ｒ3 2 ＰＰｈ）2
ＰｄＸ2 （２）又は（Ｒ3 3 Ｐ）2 ＮｉＸ2 （３）で示
される触媒と接触させる。一般式（２）又は（３）にお
いて、置換基Ｒ3 は、各々独立に選ばれた炭素原子数１
〜８個のアルキル基であり、例えば、メチル、エチル、
プロピル、ｔ−ブチル、ブチル、ペンチル及びオクチル
である。Ｒ3 はメチル又はエチルであることが好まし
い。一般式（２）又は（３）において、置換基Ｘは、各
々独立に臭素原子又は塩素原子から選ばれたハロゲンで
ある。Ｘは塩素原子であることが好ましい。特許請求さ
れた方法において好ましい触媒は、一般式（Ｍｅ2 ＰＰ
ｈ）2 ＰｄＣｌ2 又は（Ｅｔ3 Ｐ）2 ＮｉＣｌ2 で示さ
れる。ここでＭｅはメチル基であり、Ｅｔはエチル基で
あり、そしてＰｈはフェニル基である。以下、この略号
を命名に用いる。
キシレートを含む混合物を、一般式（Ｒ3 2 ＰＰｈ）2
ＰｄＸ2 （２）又は（Ｒ3 3 Ｐ）2 ＮｉＸ2 （３）で示
される触媒と接触させる。一般式（２）又は（３）にお
いて、置換基Ｒ3 は、各々独立に選ばれた炭素原子数１
〜８個のアルキル基であり、例えば、メチル、エチル、
プロピル、ｔ−ブチル、ブチル、ペンチル及びオクチル
である。Ｒ3 はメチル又はエチルであることが好まし
い。一般式（２）又は（３）において、置換基Ｘは、各
々独立に臭素原子又は塩素原子から選ばれたハロゲンで
ある。Ｘは塩素原子であることが好ましい。特許請求さ
れた方法において好ましい触媒は、一般式（Ｍｅ2 ＰＰ
ｈ）2 ＰｄＣｌ2 又は（Ｅｔ3 Ｐ）2 ＮｉＣｌ2 で示さ
れる。ここでＭｅはメチル基であり、Ｅｔはエチル基で
あり、そしてＰｈはフェニル基である。以下、この略号
を命名に用いる。
【００１２】本発明の方法において添加される触媒の濃
度は、アルケンカルボキシレート１モル当たり１×１０
-2〜１×１０-5グラム原子のパラジウム又はニッケルを
提供するような濃度とする。触媒が５×１０-3〜５×１
０-4グラム原子のパラジウム又はニッケルを提供する場
合が好ましい。本発明の方法では、ヘキサメチルジシラ
ン及びアルケンカルボキシレートを含む混合物と触媒と
を１００〜２５０℃の温度で接触させる。好適な温度範
囲は１５０〜２２５℃である。
度は、アルケンカルボキシレート１モル当たり１×１０
-2〜１×１０-5グラム原子のパラジウム又はニッケルを
提供するような濃度とする。触媒が５×１０-3〜５×１
０-4グラム原子のパラジウム又はニッケルを提供する場
合が好ましい。本発明の方法では、ヘキサメチルジシラ
ン及びアルケンカルボキシレートを含む混合物と触媒と
を１００〜２５０℃の温度で接触させる。好適な温度範
囲は１５０〜２２５℃である。
【００１３】本発明の方法による生成物は、一般式Ｍｅ
3 Ｓｉ−ＣＨ2 −（Ｒ1 ）Ｃ＝ＣＲ 1 2 で示されるβ−
アルケニルトリメチルシラン及び一般式Ｍｅ3 Ｓｉ−Ｏ
Ｃ（Ｏ）Ｒ2 で示されるトリメチルシリルカルボキシレ
ートである。ここで、Ｒ1 及びＲ2 は先に定義した通り
である。本発明の方法の好ましい生成物は、β−アリル
トリメチルシランである。
3 Ｓｉ−ＣＨ2 −（Ｒ1 ）Ｃ＝ＣＲ 1 2 で示されるβ−
アルケニルトリメチルシラン及び一般式Ｍｅ3 Ｓｉ−Ｏ
Ｃ（Ｏ）Ｒ2 で示されるトリメチルシリルカルボキシレ
ートである。ここで、Ｒ1 及びＲ2 は先に定義した通り
である。本発明の方法の好ましい生成物は、β−アリル
トリメチルシランである。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を例証するため、実施例を提供
する。これらの実施例は、特許請求の範囲を限定するこ
とを意図するものではない。実施例に記載した反応は、
封止したＰｙｒｅｘ（商標）ガラス管の中で行った。各
実施例に記載した反応混合物は、上記ガラス管に入れ、
そしてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）／ドライアイ
ス浴で冷却した。次いで、そのガラス管を熱封止し、各
実施例に記載した温度及び時間条件で加熱した。反応期
間終了後、ガラス管の内容物を冷却し、そして水素炎イ
オン化型検出器を具備したガスクロマトグラフィー（Ｇ
Ｃ−ＦＩＤ）による分析を行った。結果は、ＧＣ−ＦＩ
Ｄチャートの面積率（面積％）として報告した。下記実
施例中、Ｍｅはメチル基を、またＰｈはフェニル基をそ
れぞれ表す。
する。これらの実施例は、特許請求の範囲を限定するこ
とを意図するものではない。実施例に記載した反応は、
封止したＰｙｒｅｘ（商標）ガラス管の中で行った。各
実施例に記載した反応混合物は、上記ガラス管に入れ、
そしてイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）／ドライアイ
ス浴で冷却した。次いで、そのガラス管を熱封止し、各
実施例に記載した温度及び時間条件で加熱した。反応期
間終了後、ガラス管の内容物を冷却し、そして水素炎イ
オン化型検出器を具備したガスクロマトグラフィー（Ｇ
Ｃ−ＦＩＤ）による分析を行った。結果は、ＧＣ−ＦＩ
Ｄチャートの面積率（面積％）として報告した。下記実
施例中、Ｍｅはメチル基を、またＰｈはフェニル基をそ
れぞれ表す。
【００１５】実施例１ 反応混合物は、０．２９ｇ（０．００３モル）のＭｅ3
ＳｉＳｉＭｅ3 、０．３ｇ（０．００４モル）の酢酸ア
リル及び０．００３６ｇの（Ｍｅ2 ＰＰｈ）2ＰｄＣｌ
2 を含むものとした。この混合物を１５０℃で２１時間
加熱した後、冷却し、ＧＣ−ＦＩＤで分析した。分析結
果によると、Ｍｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 は全く存在せず、酢
酸アリルが１６．６面積％、アリルＳｉＭｅ3 が４７．
０面積％、そしてＭｅ3 ＳｉＯＣ（Ｏ）ＣＨ3 が３４．
０面積％存在していた。
ＳｉＳｉＭｅ3 、０．３ｇ（０．００４モル）の酢酸ア
リル及び０．００３６ｇの（Ｍｅ2 ＰＰｈ）2ＰｄＣｌ
2 を含むものとした。この混合物を１５０℃で２１時間
加熱した後、冷却し、ＧＣ−ＦＩＤで分析した。分析結
果によると、Ｍｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 は全く存在せず、酢
酸アリルが１６．６面積％、アリルＳｉＭｅ3 が４７．
０面積％、そしてＭｅ3 ＳｉＯＣ（Ｏ）ＣＨ3 が３４．
０面積％存在していた。
【００１６】実施例２ 触媒（Ｍｅ2 ＰＰｈ）2 ＰｄＣｌ2 を除いて実施例１に
記載した方法を繰り返した。反応はまったく起こらなか
った。実施例３ 反応混合物は、０．２９ｇのＭｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 、
０．３ｇの酢酸アリル及び０．００４ｇの（Ｅｔ3 Ｐ）
2 ＮｉＣｌ2 を含むものとした。この混合物を１５０℃
で２１時間加熱した後、冷却し、ＧＣ−ＦＩＤで分析し
た。分析結果によると、Ｍｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 が３７．
７面積％、酢酸アリルが３１．６面積％、アリルＳｉＭ
ｅ3 が１５．２面積％、そしてＭｅ3 ＳｉＯＣ（Ｏ）Ｃ
Ｈ3 が１４．３面積％存在していた。
記載した方法を繰り返した。反応はまったく起こらなか
った。実施例３ 反応混合物は、０．２９ｇのＭｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 、
０．３ｇの酢酸アリル及び０．００４ｇの（Ｅｔ3 Ｐ）
2 ＮｉＣｌ2 を含むものとした。この混合物を１５０℃
で２１時間加熱した後、冷却し、ＧＣ−ＦＩＤで分析し
た。分析結果によると、Ｍｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 が３７．
７面積％、酢酸アリルが３１．６面積％、アリルＳｉＭ
ｅ3 が１５．２面積％、そしてＭｅ3 ＳｉＯＣ（Ｏ）Ｃ
Ｈ3 が１４．３面積％存在していた。
【００１７】実施例４ 反応混合物は、０．２９ｇのＭｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 、
０．３ｇの酢酸アリル及び０．００４ｇの（Ｅｔ3 Ｐ）
2 ＮｉＣｌ2 を含むものとした。この混合物を２００℃
で２１時間加熱した後、冷却し、ＧＣ−ＦＩＤで分析し
た。分析結果によると、Ｍｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 が１０面
積％、酢酸アリルが１．４面積％、アリルＳｉＭｅ3 が
３２．０面積％、そしてＭｅ3 ＳｉＯＣ（Ｏ）ＣＨ3 が
４７．５面積％存在していた。実施例５ 触媒（Ｅｔ3 Ｐ）2 ＮｉＣｌ2 を除いて実施例４に記載
した方法を繰り返した。反応はまったく起こらなかっ
た。
０．３ｇの酢酸アリル及び０．００４ｇの（Ｅｔ3 Ｐ）
2 ＮｉＣｌ2 を含むものとした。この混合物を２００℃
で２１時間加熱した後、冷却し、ＧＣ−ＦＩＤで分析し
た。分析結果によると、Ｍｅ3 ＳｉＳｉＭｅ3 が１０面
積％、酢酸アリルが１．４面積％、アリルＳｉＭｅ3 が
３２．０面積％、そしてＭｅ3 ＳｉＯＣ（Ｏ）ＣＨ3 が
４７．５面積％存在していた。実施例５ 触媒（Ｅｔ3 Ｐ）2 ＮｉＣｌ2 を除いて実施例４に記載
した方法を繰り返した。反応はまったく起こらなかっ
た。
Claims (7)
- 【請求項１】 ヘキサメチルジシラン及び一般式Ｒ1 2
Ｃ＝Ｃ（Ｒ1 ）−ＣＨ2 −ＯＣ（Ｏ）Ｒ2 で示されるア
ルケンカルボキシレートを含む混合物と、一般式（Ｒ3
2 ＰＰｈ）2 ＰｄＸ2 又は（Ｒ3 3 Ｐ）2 ＮｉＸ2 で示
される触媒とを１００〜２５０℃の温度で接触させる工
程を含むβ−アルケニルトリメチルシラン及びトリメチ
ルシリルカルボキシレートを製造するための方法であっ
て、Ｒ 1 は、各々独立に、水素原子、炭素原子数１〜１
８個の飽和炭化水素基、アラルキル基及びアリール基か
ら成る群より選ばれ、Ｒ2 は、炭素原子数１〜１８個の
飽和炭化水素基、アラルキル基及びアリール基から成る
群より選ばれ、Ｒ3 は各々独立に炭素原子数１〜８個の
アルキル基であり、Ｐｈはフェニル基であり、Ｘは、各
々独立に、塩素原子又は臭素原子から選ばれたハロゲン
原子である、β−アルケニルトリメチルシラン及びトリ
メチルシリルカルボキシレートの製造方法。 - 【請求項２】 前記混合物が、有機ハロゲン化物を元素
状珪素と高温で反応させてモノシランを得る方法の生成
物を蒸留したことにより得られる高沸点混合物中に存在
するヘキサメチルジシランを含む、請求項１に記載の方
法。 - 【請求項３】 前記アルケンカルボキシレートが酢酸ア
リルである、請求項１に記載の方法。 - 【請求項４】 前記混合物中のアルケンカルボキシレー
ト対ヘキサメチルジシランのモル比が０．１：１〜１
０：１の範囲内に含まれる、請求項１に記載の方法。 - 【請求項５】 Ｒ3 が各々独立にメチル基又はエチル基
から選ばれる、請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】 前記触媒が、（Ｍｅ2 ＰＰｈ）2 ＰｄＣ
ｌ2 又は（Ｅｔ3 Ｐ）2 ＮｉＣｌ2 から選ばれ、但し、
Ｍｅはメチル基であり、Ｅｔはエチル基であり、そして
Ｐｈはフェニル基である、請求項１に記載の方法。 - 【請求項７】 前記混合物が、アルケンカルボキシレー
ト１モル当たり１×１０-2〜１×１０-5ｇ原子のパラジ
ウム又はニッケルを含む、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/594963 | 1996-01-31 | ||
| US08/594,963 US5567834A (en) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Process for preparation of β-alkenyltrimethylsilanes |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09241264A true JPH09241264A (ja) | 1997-09-16 |
Family
ID=24381137
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9014069A Withdrawn JPH09241264A (ja) | 1996-01-31 | 1997-01-28 | β−アルケニルトリメチルシラン及びトリメチルシリルカルボキシレートの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5567834A (ja) |
| EP (1) | EP0787735B1 (ja) |
| JP (1) | JPH09241264A (ja) |
| DE (1) | DE69702722T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007238562A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Daicel Chem Ind Ltd | ビニル又はアリル基含有化合物の製造法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5902892A (en) * | 1996-10-17 | 1999-05-11 | Sivento Inc. | Preparation of acyloxysilanes |
| JP4222662B2 (ja) * | 1998-09-14 | 2009-02-12 | ダウ・コ−ニング・コ−ポレ−ション | Ｓｉ−Ｃ結合を介してケイ素原子に結合した官能基を有するアシロキシシラン化合物の製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2787627A (en) * | 1952-09-12 | 1957-04-02 | Tokyo Shibaura Electric Co | Process of preparing trialkylhalogenosilanes |
| BE792713A (fr) * | 1971-12-15 | 1973-06-14 | Dow Corning | Procede catalytique de transformation de disilanes en silanes |
| US4604477A (en) * | 1985-03-29 | 1986-08-05 | General Electric Company | Method for making silylaroylhalides and reaction products |
| DE4112650A1 (de) * | 1991-04-18 | 1992-10-22 | Huels Chemische Werke Ag | Verfahren zur gleichzeitigen und kontinuierlichen herstellung von carbonoyloxysilanen und carbonsaeurechloriden |
| US5430168A (en) | 1994-10-27 | 1995-07-04 | Dow Corning Corporation | Alumimum trichloride catalyzed hydrogenation of high-boiling residue from direct process |
-
1996
- 1996-01-31 US US08/594,963 patent/US5567834A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-01-28 EP EP97300517A patent/EP0787735B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-01-28 JP JP9014069A patent/JPH09241264A/ja not_active Withdrawn
- 1997-01-28 DE DE69702722T patent/DE69702722T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007238562A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Daicel Chem Ind Ltd | ビニル又はアリル基含有化合物の製造法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69702722D1 (de) | 2000-09-14 |
| DE69702722T2 (de) | 2001-03-29 |
| US5567834A (en) | 1996-10-22 |
| EP0787735A1 (en) | 1997-08-06 |
| EP0787735B1 (en) | 2000-08-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040406 |