JPH09237749A - 重ね合わせ測定方法 - Google Patents
重ね合わせ測定方法Info
- Publication number
- JPH09237749A JPH09237749A JP8043586A JP4358696A JPH09237749A JP H09237749 A JPH09237749 A JP H09237749A JP 8043586 A JP8043586 A JP 8043586A JP 4358696 A JP4358696 A JP 4358696A JP H09237749 A JPH09237749 A JP H09237749A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- image signal
- overlay
- resist pattern
- underlying
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体集積回路製造時におけるレジストパタ
−ンの下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤差を測定する
方法において、下地パタ−ンの形成プロセスの要因によ
り該下地パタ−ンが非対称形状となった場合において
も、計測誤差が小さく、正確な重ね合わせ測定を行うこ
とができる方法を提供すること。 【解決手段】 光学画像から画像信号Ｙ(Ｉ)を取り出
し、これを下地パタ−ン検出波形Ｙａ(Ｉ)とレジストパ
タ−ン検出波形Ｙｒ(Ｉ)とに分離する。次に、このＹａ
(Ｉ)のみの画像信号を距離(S)移動して合成した下地パ
タ−ン合成波形の画像信号Ｙ’ａ(Ｉ)から相関演算の手
法により下地のパタ−ン中心Ｃａを特定し、一方、レジ
ストパタ−ン検出波形Ｙｒ(Ｉ)よりアルゴリズムを用い
てレジストパタ−ン中心Ｃｒを求める。上記ＣａとＣｒ
より下地パタ−ン２に対するレジストパタ−ン１の重ね
合わせ誤差は「Ｃｒ−Ｃａ」で表わすことができる。
−ンの下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤差を測定する
方法において、下地パタ−ンの形成プロセスの要因によ
り該下地パタ−ンが非対称形状となった場合において
も、計測誤差が小さく、正確な重ね合わせ測定を行うこ
とができる方法を提供すること。 【解決手段】 光学画像から画像信号Ｙ(Ｉ)を取り出
し、これを下地パタ−ン検出波形Ｙａ(Ｉ)とレジストパ
タ−ン検出波形Ｙｒ(Ｉ)とに分離する。次に、このＹａ
(Ｉ)のみの画像信号を距離(S)移動して合成した下地パ
タ−ン合成波形の画像信号Ｙ’ａ(Ｉ)から相関演算の手
法により下地のパタ−ン中心Ｃａを特定し、一方、レジ
ストパタ−ン検出波形Ｙｒ(Ｉ)よりアルゴリズムを用い
てレジストパタ−ン中心Ｃｒを求める。上記ＣａとＣｒ
より下地パタ−ン２に対するレジストパタ−ン１の重ね
合わせ誤差は「Ｃｒ−Ｃａ」で表わすことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
製造時における「フォトリソグラフィ−プロセスにおい
て形成されたフォトレジストパタ−ン(以下、単に“レ
ジストパタ−ン”という)の下地パタ−ンに対する重ね
合わせ誤差を測定する方法」に係る重ね合わせ測定方法
に関する。
製造時における「フォトリソグラフィ−プロセスにおい
て形成されたフォトレジストパタ−ン(以下、単に“レ
ジストパタ−ン”という)の下地パタ−ンに対する重ね
合わせ誤差を測定する方法」に係る重ね合わせ測定方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来技術による「レジストパタ
−ンの下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤差を測定する
手段(下地パタ−ンが対称の場合)」を説明する図であっ
て、そのうち(Ａ)はパタ−ンの断面図であり、(Ｂ)は光
学画像、(Ｃ)は画像信号を示す図である。
−ンの下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤差を測定する
手段(下地パタ−ンが対称の場合)」を説明する図であっ
て、そのうち(Ａ)はパタ−ンの断面図であり、(Ｂ)は光
学画像、(Ｃ)は画像信号を示す図である。
【０００３】半導体集積回路の製造時におけるフォトリ
ソグラフィ−プロセスでは、下地パタ−ン２を基準マ−
クとして位置合わせを行った後、フォトレジストを露
光，現像して所定の位置にレジストパタ−ン１を形成す
る工程が採用されている［図３(Ａ)参照］。そして、こ
の工程での下地パタ−ン２に対するレジストパタ−ン１
の重ね合わせ誤差を測定するのが重ね合わせ測定装置で
ある。
ソグラフィ−プロセスでは、下地パタ−ン２を基準マ−
クとして位置合わせを行った後、フォトレジストを露
光，現像して所定の位置にレジストパタ−ン１を形成す
る工程が採用されている［図３(Ａ)参照］。そして、こ
の工程での下地パタ−ン２に対するレジストパタ−ン１
の重ね合わせ誤差を測定するのが重ね合わせ測定装置で
ある。
【０００４】従来の重ね合わせ測定装置では、パタ−ン
断面［図３(Ａ)参照］を有する半導体基板(ウエハ)の光
学画像［図３(Ｂ)参照］から所定の位置でスライスした
画像信号［図３(Ｃ)参照］を取り出す。こうして取り出
した画像信号は、下地パタ−ン２及びレジストパタ−ン
１のエッジの位置に相当する部分のコントラストが暗い
ため、図３(Ｃ)に示すように、４箇所に谷を有している
ので、この谷の位置から各パタ−ンエッジ間の距離を求
めることができる。
断面［図３(Ａ)参照］を有する半導体基板(ウエハ)の光
学画像［図３(Ｂ)参照］から所定の位置でスライスした
画像信号［図３(Ｃ)参照］を取り出す。こうして取り出
した画像信号は、下地パタ−ン２及びレジストパタ−ン
１のエッジの位置に相当する部分のコントラストが暗い
ため、図３(Ｃ)に示すように、４箇所に谷を有している
ので、この谷の位置から各パタ−ンエッジ間の距離を求
めることができる。
【０００５】下地パタ−ンが対称である前掲の図３の場
合、下地パタ−ン２の左側のエッジとレジストパタ−ン
１の左側のエッジとの間の距離を“Ａ1”とし、フォト
レジストパタ−ン１の右側のエッジと下地パタ−ン２の
右側のエッジとの間の距離を“Ｂ1”とした時［図３
(Ｃ)参照］、下地パタ−ン２に対するレジストパタ−ン
１の重ね合わせ誤差“Ｇ”は、次の式(1)で表わすこと
ができる。 ・式(1)……Ｇ＝(Ａ1−Ｂ1)／２
合、下地パタ−ン２の左側のエッジとレジストパタ−ン
１の左側のエッジとの間の距離を“Ａ1”とし、フォト
レジストパタ−ン１の右側のエッジと下地パタ−ン２の
右側のエッジとの間の距離を“Ｂ1”とした時［図３
(Ｃ)参照］、下地パタ−ン２に対するレジストパタ−ン
１の重ね合わせ誤差“Ｇ”は、次の式(1)で表わすこと
ができる。 ・式(1)……Ｇ＝(Ａ1−Ｂ1)／２
【０００６】ところで、従来技術におけるエッジ位置の
特定方法としては、「最小２乗法」「閾値法」「急峻点
法」といったアルゴリズムを用いて算出している。これ
らの方法を図５に基づいて説明すると、「最小２乗法」
とは、図５(Ａ)に示すように、画像信号の谷の部分を２
次曲線により近似し、この２次曲線の極小値を“谷”と
して位置付けし、これをエッジ位置と定義する方法であ
る。
特定方法としては、「最小２乗法」「閾値法」「急峻点
法」といったアルゴリズムを用いて算出している。これ
らの方法を図５に基づいて説明すると、「最小２乗法」
とは、図５(Ａ)に示すように、画像信号の谷の部分を２
次曲線により近似し、この２次曲線の極小値を“谷”と
して位置付けし、これをエッジ位置と定義する方法であ
る。
【０００７】「閾値法」とは、図５(Ｂ)に示すように、
画像信号の谷の部分の最大値，最小値の差を“１”とし
た後、予め設定した比率の値で画像信号をスライスした
時の交点の位置をエッジ位置と定義する方法である。
［なお、この閾値法は、別名をスレッショルド法（スレ
ッシュホ−ルド法）とも言われている。］
画像信号の谷の部分の最大値，最小値の差を“１”とし
た後、予め設定した比率の値で画像信号をスライスした
時の交点の位置をエッジ位置と定義する方法である。
［なお、この閾値法は、別名をスレッショルド法（スレ
ッシュホ−ルド法）とも言われている。］
【０００８】「急峻点法」とは、図５(Ｃ)に示すよう
に、画像信号の谷の部分の一次微分を行い、この値の最
大値または最小値（要するに元の画像信号の谷の部分で
の最も傾きの大きい所）の位置をエッジ位置と定義する
方法である。
に、画像信号の谷の部分の一次微分を行い、この値の最
大値または最小値（要するに元の画像信号の谷の部分で
の最も傾きの大きい所）の位置をエッジ位置と定義する
方法である。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記したアルゴリズム
は、いずれもパタ−ンが左右対称であるとの仮定のもと
に考案されているため、レジストパタ−ンや拡散炉で膜
付けされたパタ−ンのように、左右対称の形状をしたパ
タ−ンの測定においては、誤差の少ない正確な計測を行
うことができる。しかしながら、スパッタ装置により膜
付けされたパタ−ンのように、左右非対称の形状となっ
ているパタ−ンを測定した場合には、計測結果に左右ど
ちらかの方向のシフト成分が乗ってしまい、計測誤差が
大きくなり、正確な重ね合わせ測定ができなくなるとい
う欠点を有している。
は、いずれもパタ−ンが左右対称であるとの仮定のもと
に考案されているため、レジストパタ−ンや拡散炉で膜
付けされたパタ−ンのように、左右対称の形状をしたパ
タ−ンの測定においては、誤差の少ない正確な計測を行
うことができる。しかしながら、スパッタ装置により膜
付けされたパタ−ンのように、左右非対称の形状となっ
ているパタ−ンを測定した場合には、計測結果に左右ど
ちらかの方向のシフト成分が乗ってしまい、計測誤差が
大きくなり、正確な重ね合わせ測定ができなくなるとい
う欠点を有している。
【００１０】このように従来技術では、下地パタ−ンの
形成プロセスによっては重ね合わせ測定における測定誤
差が大きくなるという欠点を有している。その理由は、
下地パタ−ンの形状が非対称を有する場合、左右のエッ
ジ部の画像信号も非対称となってしまうからであり、そ
の結果、従来の前記アルゴリズムを用いたエッジ位置の
算出方法では、非対称性の度合により左右どちらかへの
シフト成分が乗ってしまうことになるからである。
形成プロセスによっては重ね合わせ測定における測定誤
差が大きくなるという欠点を有している。その理由は、
下地パタ−ンの形状が非対称を有する場合、左右のエッ
ジ部の画像信号も非対称となってしまうからであり、そ
の結果、従来の前記アルゴリズムを用いたエッジ位置の
算出方法では、非対称性の度合により左右どちらかへの
シフト成分が乗ってしまうことになるからである。
【００１１】上記従来技術の欠点について、図４を参照
して更に説明する。なお、図４は「レジストパタ−ンの
下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤差を測定する手段
(下地パタ−ンが非対称の場合)」を説明する図であっ
て、そのうち(Ａ)はパタ−ンの断面図であり、(Ｂ)は光
学画像、(Ｃ)は画像信号を示す図である。
して更に説明する。なお、図４は「レジストパタ−ンの
下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤差を測定する手段
(下地パタ−ンが非対称の場合)」を説明する図であっ
て、そのうち(Ａ)はパタ−ンの断面図であり、(Ｂ)は光
学画像、(Ｃ)は画像信号を示す図である。
【００１２】図４では、その(Ａ)に示すように、下地パ
タ−ン２のエッジ部の形状が左右非対称となっている。
そのため、図４(Ｂ)，(Ｃ)に示すように、光学画像，画
像信号は、いずれもその形状が左右非対称となってしま
う。その結果、左右対称のパタ−ン形状である前掲の図
３の場合に比べて計測誤差が生じることになる。なお、
図４(Ｃ)において、Ａ2は、下地パタ−ン２の左側のエ
ッジとレジストパタ−ン１の左側のエッジとの間の距離
を示し、Ｂ2は、フォトレジストパタ−ン１の右側のエ
ッジと下地パタ−ン２の右側のエッジとの間の距離を示
す。
タ−ン２のエッジ部の形状が左右非対称となっている。
そのため、図４(Ｂ)，(Ｃ)に示すように、光学画像，画
像信号は、いずれもその形状が左右非対称となってしま
う。その結果、左右対称のパタ−ン形状である前掲の図
３の場合に比べて計測誤差が生じることになる。なお、
図４(Ｃ)において、Ａ2は、下地パタ−ン２の左側のエ
ッジとレジストパタ−ン１の左側のエッジとの間の距離
を示し、Ｂ2は、フォトレジストパタ−ン１の右側のエ
ッジと下地パタ−ン２の右側のエッジとの間の距離を示
す。
【００１３】本発明は、上記従来技術の欠点に鑑み成さ
れたものであって、その目的とするところは、下地パタ
−ンの形成プロセスの要因により、例えば前掲の図４に
示すように該下地パタ−ンが非対称形状となった場合に
おいても、計測誤差が小さく、正確な重ね合わせ測定を
行うことができる「重ね合わせ測定方法」を提供するこ
とにある。
れたものであって、その目的とするところは、下地パタ
−ンの形成プロセスの要因により、例えば前掲の図４に
示すように該下地パタ−ンが非対称形状となった場合に
おいても、計測誤差が小さく、正確な重ね合わせ測定を
行うことができる「重ね合わせ測定方法」を提供するこ
とにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】そして、本発明は、上記
目的を達成する手段として、パタ−ンの画像信号から相
関関数を算出し、この相関演算結果よりパタ−ン中心を
特定することにより、レジストパタ−ンと下地パタ−ン
との間の重ね合わせ誤差を測定することを特徴とする。
目的を達成する手段として、パタ−ンの画像信号から相
関関数を算出し、この相関演算結果よりパタ−ン中心を
特定することにより、レジストパタ−ンと下地パタ−ン
との間の重ね合わせ誤差を測定することを特徴とする。
【００１５】即ち、本発明は、「半導体集積回路製造に
おけるリソグラフィ−プロセスにより形成されたフォト
レジストパタ−ンの下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤
差を測定する重ね合わせ測定法において、レジストパタ
−ン，下地パタ−ンの画像情報を得るための照明系及び
光学系と、画像情報からレジストパタ−ン，下地パタ−
ン各々の位置を算出するための情報処理部を備える重ね
合わせ測定装置を用い、パタ−ンの画像信号から相関関
数を算出し、この相関演算結果よりパタ−ン中心を特定
することにより、レジストパタ−ンと下地パタ−ンとの
間の重ね合わせ誤差を測定することを特徴とする重ね合
わせ測定方法。」(請求項１)を要旨とする。
おけるリソグラフィ−プロセスにより形成されたフォト
レジストパタ−ンの下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤
差を測定する重ね合わせ測定法において、レジストパタ
−ン，下地パタ−ンの画像情報を得るための照明系及び
光学系と、画像情報からレジストパタ−ン，下地パタ−
ン各々の位置を算出するための情報処理部を備える重ね
合わせ測定装置を用い、パタ−ンの画像信号から相関関
数を算出し、この相関演算結果よりパタ−ン中心を特定
することにより、レジストパタ−ンと下地パタ−ンとの
間の重ね合わせ誤差を測定することを特徴とする重ね合
わせ測定方法。」(請求項１)を要旨とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明について図１を参照
して詳細に説明する。（なお、該図の詳細な説明につい
ては後記実施例１参照）
して詳細に説明する。（なお、該図の詳細な説明につい
ては後記実施例１参照）
【００１７】本発明に係る重ね合わせ測定方法では、光
学画像から画像信号を取り出す所までは、前記した従来
技術と同じであるが、これ以降の処理手段が従来技術と
相違する。即ち、本発明に係る重ね合わせ測定方法は、
具体的には次の(1)〜(5)の手段を採用するものであり、
これは本発明の好ましい実施態様である。
学画像から画像信号を取り出す所までは、前記した従来
技術と同じであるが、これ以降の処理手段が従来技術と
相違する。即ち、本発明に係る重ね合わせ測定方法は、
具体的には次の(1)〜(5)の手段を採用するものであり、
これは本発明の好ましい実施態様である。
【００１８】(1) まず、図１(Ｃ)に示す画像信号“Ｙ
(Ｉ)”を、図１(Ｄ)に示すように、下地パタ−ンの検出
波形“Ｙａ(Ｉ)”とレジストパタ−ンの検出波形“Ｙｒ
(Ｉ)”とに分離する。 (2) 次に、分離した下地パタ−ンの検出波形“Ｙａ
(Ｉ)”の左エッジ部の波形を右エッジ部の波形の右側に
並ぶように右方向に“Ｓ(+S)”の距離移動させた所に波
形を合成する。同様に、右エッジ部の波形を左エッジ部
の波形の左側に並ぶように左方向に“Ｓ(-S)”の距離移
動させた所に波形を合成する。この結果、得られた波形
を“Ｙ’ａ(Ｉ)”とする。 (3) 続いて、次の式(2)で示される相関演算を行い、こ
の結果、得られた極小値の位置“Ｃａ”を下地パタ−ン
中心とする。
(Ｉ)”を、図１(Ｄ)に示すように、下地パタ−ンの検出
波形“Ｙａ(Ｉ)”とレジストパタ−ンの検出波形“Ｙｒ
(Ｉ)”とに分離する。 (2) 次に、分離した下地パタ−ンの検出波形“Ｙａ
(Ｉ)”の左エッジ部の波形を右エッジ部の波形の右側に
並ぶように右方向に“Ｓ(+S)”の距離移動させた所に波
形を合成する。同様に、右エッジ部の波形を左エッジ部
の波形の左側に並ぶように左方向に“Ｓ(-S)”の距離移
動させた所に波形を合成する。この結果、得られた波形
を“Ｙ’ａ(Ｉ)”とする。 (3) 続いて、次の式(2)で示される相関演算を行い、こ
の結果、得られた極小値の位置“Ｃａ”を下地パタ−ン
中心とする。
【００１９】
【数１】
【００２０】(4) 一方、分離したレジストパタ−ンの検
出波形“Ｙｒ(Ｉ)”より従来技術のアルゴリズムを用い
てレジストパタ−ン中心“Ｃｒ”を求める。 (5) 前記(3)の方法により算出した下地パタ−ン中心
“Ｃａ”と、上記(4)で求めたレジストパタ−ン中心
“Ｃｒ”とにより、下地パタ−ンに対するレジストパタ
−ンの重ね合わせ誤差は「Ｃｒ−Ｃａ」で表わすことが
できる。
出波形“Ｙｒ(Ｉ)”より従来技術のアルゴリズムを用い
てレジストパタ−ン中心“Ｃｒ”を求める。 (5) 前記(3)の方法により算出した下地パタ−ン中心
“Ｃａ”と、上記(4)で求めたレジストパタ−ン中心
“Ｃｒ”とにより、下地パタ−ンに対するレジストパタ
−ンの重ね合わせ誤差は「Ｃｒ−Ｃａ」で表わすことが
できる。
【００２１】
【作用】前掲の図４に示したように下地パタ−ン２の形
状が非対称となり、例えば同図(Ａ)のパタ−ン断面図に
示すように、左側エッジ部のテ−パ−幅が狭く、反対に
右側エッジ部のテ−パ−幅が広くなった場合、従来技術
のアルゴリズムによる手法では、パタ−ン形状が対称で
ある前掲の図３の場合と比べて、下地パタ−ン中心が左
側にシフトしたと同様な結果が生じる。つまり、このシ
フト分だけ計測誤差が発生したことになる。
状が非対称となり、例えば同図(Ａ)のパタ−ン断面図に
示すように、左側エッジ部のテ−パ−幅が狭く、反対に
右側エッジ部のテ−パ−幅が広くなった場合、従来技術
のアルゴリズムによる手法では、パタ−ン形状が対称で
ある前掲の図３の場合と比べて、下地パタ−ン中心が左
側にシフトしたと同様な結果が生じる。つまり、このシ
フト分だけ計測誤差が発生したことになる。
【００２２】これに対して、本発明に係る重ね合わせ測
定方法では、左右各々のエッジ部分の画像信号波形を反
対側のエッジ部分に合成した上で、相関演算により下地
パタ−ン中心を算出するという手法を用いているため、
非対称性の影響を受けずにシフト成分の含まれない重ね
合わせ測定が可能となる。
定方法では、左右各々のエッジ部分の画像信号波形を反
対側のエッジ部分に合成した上で、相関演算により下地
パタ−ン中心を算出するという手法を用いているため、
非対称性の影響を受けずにシフト成分の含まれない重ね
合わせ測定が可能となる。
【００２３】
【実施例】次に、本発明の実施例を挙げ、本発明を具体
的に説明するが、本発明は、以下の実施例にのみ限定さ
れるものではなく、前記した本発明の要旨の範囲内で種
々変更することができるものである。
的に説明するが、本発明は、以下の実施例にのみ限定さ
れるものではなく、前記した本発明の要旨の範囲内で種
々変更することができるものである。
【００２４】（実施例１）図１は、本発明の一実施例
(実施例１)を説明する図であり、そのうち(Ａ)はパタ−
ン断面図であり、(Ｂ)は光学画像、(Ｃ)は画像信号を示
す図であり、(Ｄ)は重ね合わせ測定法のフロ−図であ
る。
(実施例１)を説明する図であり、そのうち(Ａ)はパタ−
ン断面図であり、(Ｂ)は光学画像、(Ｃ)は画像信号を示
す図であり、(Ｄ)は重ね合わせ測定法のフロ−図であ
る。
【００２５】本実施例１では、まず、図１(Ｂ)に示す光
学画像から所定の位置でスライスした図１(Ｃ)に示す画
像信号“Ｙ(Ｉ)”を取り出す。画像信号“Ｙ(Ｉ)”に
は、下地パタ−ン２及びレジストパタ−ン１のエッジ位
置に相当する信号が含まれているが、この信号を図１
(Ｄ)に示すように、下地パタ−ン検出波形“Ｙａ(Ｉ)”
とレジストパタ−ン検出波形“Ｙｒ(Ｉ)とに分離する。
学画像から所定の位置でスライスした図１(Ｃ)に示す画
像信号“Ｙ(Ｉ)”を取り出す。画像信号“Ｙ(Ｉ)”に
は、下地パタ−ン２及びレジストパタ−ン１のエッジ位
置に相当する信号が含まれているが、この信号を図１
(Ｄ)に示すように、下地パタ−ン検出波形“Ｙａ(Ｉ)”
とレジストパタ−ン検出波形“Ｙｒ(Ｉ)とに分離する。
【００２６】次に、下地パタ−ンの検出波形“Ｙａ
(Ｉ)”の左エッジ部の波形をコピ−し、これを右エッジ
部の波形の右側に並ぶように右方向に“Ｓ(+S)”の距離
移動させた所に波形を合成する。同様に、右エッジ部の
波形をコピ−し、これを左エッジ部の波形の左側に並ぶ
ように左方向に“Ｓ(-S)”の距離移動させた所に波形を
合成する。この結果得られた波形を“Ｙ’ａ(Ｉ)”とす
る。ここでの移動距離“Ｓ”は、下地パタ−ンの左右の
エッジ間距離にエッジの最大テ−パ−幅を加算した程度
とするが、実際にはある程度値を振った結果から最適値
を設定する。
(Ｉ)”の左エッジ部の波形をコピ−し、これを右エッジ
部の波形の右側に並ぶように右方向に“Ｓ(+S)”の距離
移動させた所に波形を合成する。同様に、右エッジ部の
波形をコピ−し、これを左エッジ部の波形の左側に並ぶ
ように左方向に“Ｓ(-S)”の距離移動させた所に波形を
合成する。この結果得られた波形を“Ｙ’ａ(Ｉ)”とす
る。ここでの移動距離“Ｓ”は、下地パタ−ンの左右の
エッジ間距離にエッジの最大テ−パ−幅を加算した程度
とするが、実際にはある程度値を振った結果から最適値
を設定する。
【００２７】次に、この“Ｙ’ａ(Ｉ)”を用いて、次式
(3)で示される相関演算を行い、その結果、得られた極
小値の位置“Ｃａ”を下地パタ−ン中心とする。
(3)で示される相関演算を行い、その結果、得られた極
小値の位置“Ｃａ”を下地パタ−ン中心とする。
【００２８】
【数２】
【００２９】一方、レジストパタ−ン検出波形“Ｙｒ
(Ｉ)”より、従来技術のアルゴリズムを用いてレジスト
パタ−ン中心“Ｃｒ”を求める。
(Ｉ)”より、従来技術のアルゴリズムを用いてレジスト
パタ−ン中心“Ｃｒ”を求める。
【００３０】上述した方法により算出した下地パタ−ン
中心“Ｃａ”とレジストパタ−ン中心“Ｃｒ”より、下
地パタ−ン２に対するレジストパタ−ン１の重ね合わせ
誤差は、「Ｃｒ−Ｃａ」で表わすことができる。
中心“Ｃａ”とレジストパタ−ン中心“Ｃｒ”より、下
地パタ−ン２に対するレジストパタ−ン１の重ね合わせ
誤差は、「Ｃｒ−Ｃａ」で表わすことができる。
【００３１】（実施例２）図２は、本発明の他の実施例
(実施例２)を説明する図であり、そのうち(Ａ)はパタ−
ン断面図であり、(Ｂ)は画像信号を示す図であり、(Ｃ)
は重ね合わせ測定法のフロ−図である。
(実施例２)を説明する図であり、そのうち(Ａ)はパタ−
ン断面図であり、(Ｂ)は画像信号を示す図であり、(Ｃ)
は重ね合わせ測定法のフロ−図である。
【００３２】本実施例２では、図２(Ａ)に示すように、
重ね合わせ測定を行う位置の下地パタ−ン２の形状を変
更し、下地パタ−ン２を２本の凸形状のラインとしてい
る所が従来法と異なる特徴である。これにより、図２
(Ｂ)に示すように、左右それぞれの下地パタ−ン２から
２本ずつの谷の波形信号を取り出すことができる。その
ため、前記実施例１で行ったような波形の合成を行わな
くても、直接下地パタ−ン検出波形“Ｙａ(Ｉ)から次式
(4)で示す相関関数を演算し、下地パタ−ン中心“Ｃ
ａ”を算出することができる。
重ね合わせ測定を行う位置の下地パタ−ン２の形状を変
更し、下地パタ−ン２を２本の凸形状のラインとしてい
る所が従来法と異なる特徴である。これにより、図２
(Ｂ)に示すように、左右それぞれの下地パタ−ン２から
２本ずつの谷の波形信号を取り出すことができる。その
ため、前記実施例１で行ったような波形の合成を行わな
くても、直接下地パタ−ン検出波形“Ｙａ(Ｉ)から次式
(4)で示す相関関数を演算し、下地パタ−ン中心“Ｃ
ａ”を算出することができる。
【００３３】
【数３】
【００３４】
【発明の効果】本発明に係る重ね合わせ測定方法は、以
上詳記したとおり、下地パタ−ンが非対称性を有する場
合においても、この影響による測定誤差の増大が生じな
い正確な重ね合わせ測定を行うことができるという顕著
な効果が生じる。その理由は、下地パタ−ンの左右エッ
ジ部の波形の合成，相関演算の手法を用いることによ
り、非対称性起因によるシフト成分の含まれないパタ−
ン中心位置の算出が可能となるからである。
上詳記したとおり、下地パタ−ンが非対称性を有する場
合においても、この影響による測定誤差の増大が生じな
い正確な重ね合わせ測定を行うことができるという顕著
な効果が生じる。その理由は、下地パタ−ンの左右エッ
ジ部の波形の合成，相関演算の手法を用いることによ
り、非対称性起因によるシフト成分の含まれないパタ−
ン中心位置の算出が可能となるからである。
【図１】本発明の一実施例(実施例１)を説明する図であ
って、そのうち(Ａ)はパタ−ン断面図であり、(Ｂ)は光
学画像、(Ｃ)は画像信号、(Ｄ)は重ね合わせ測定法のフ
ロ−を示す図。
って、そのうち(Ａ)はパタ−ン断面図であり、(Ｂ)は光
学画像、(Ｃ)は画像信号、(Ｄ)は重ね合わせ測定法のフ
ロ−を示す図。
【図２】本発明の他の実施例(実施例２)を説明する図で
あって、そのうち(Ａ)はパタ−ン断面図であり、(Ｂ)は
画像信号、(Ｃ)は重ね合わせ測定法のフロ−を示す図。
あって、そのうち(Ａ)はパタ−ン断面図であり、(Ｂ)は
画像信号、(Ｃ)は重ね合わせ測定法のフロ−を示す図。
【図３】従来技術による重ね合わせ測定法を説明する図
(下地パタ−ンが対称の場合)であって、そのうち(Ａ)は
パタ−ン断面図であり、(Ｂ)は光学画像、(Ｃ)は画像信
号を示す図。
(下地パタ−ンが対称の場合)であって、そのうち(Ａ)は
パタ−ン断面図であり、(Ｂ)は光学画像、(Ｃ)は画像信
号を示す図。
【図４】従来技術による重ね合わせ測定法を説明する図
(下地パタ−ンが非対称の場合)であって、そのうち(Ａ)
はパタ−ン断面図であり、(Ｂ)は光学画像、(Ｃ)は画像
信号を示す図。
(下地パタ−ンが非対称の場合)であって、そのうち(Ａ)
はパタ−ン断面図であり、(Ｂ)は光学画像、(Ｃ)は画像
信号を示す図。
【図５】従来技術による重ね合わせ測定法のアルゴリズ
ムについて説明する図であって、そのうち(Ａ)は最小２
乗法、(Ｂ)は閾値法、(Ｃ)は急峻点法を説明する図。
ムについて説明する図であって、そのうち(Ａ)は最小２
乗法、(Ｂ)は閾値法、(Ｃ)は急峻点法を説明する図。
【符号の説明】 １ レジストパタ−ン ２ 下地パタ−ン
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体集積回路製造におけるリソグラフ
ィ−プロセスにより形成されたフォトレジストパタ−ン
の下地パタ−ンに対する重ね合わせ誤差を測定する重ね
合わせ測定法において、レジストパタ−ン，下地パタ−
ンの画像情報を得るための照明系及び光学系と、画像情
報からレジストパタ−ン，下地パタ−ン各々の位置を算
出するための情報処理部を備える重ね合わせ測定装置を
用い、パタ−ンの画像信号から相関関数を算出し、この
相関演算結果よりパタ−ン中心を特定することにより、
レジストパタ−ンと下地パタ−ンとの間の重ね合わせ誤
差を測定することを特徴とする重ね合わせ測定方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の重ね合わせ測定方法にお
いて、レジストパタ−ンの画像信号と下地パタ−ンの画
像信号とを分離し、分離された下地パタ−ンのみの画像
信号をある距離移動して合成した下地パタ−ンの画像信
号から相関関数を算出し、この相関演算結果より下地の
パタ−ン中心を特定することを特徴とする請求項１に記
載の重ね合わせ測定方法。 - 【請求項３】 前記重ね合わせ測定方法に使用する下地
パタ−ンの形状を、２本の凸形状もしくは２本の凹形状
のラインとし、これにより、請求項２に記載の画像信号
の合成を行わないで、下地パタ−ンの画像信号から相関
関数を算出し、この相関演算結果より下地のパタ−ン中
心を特定することを特徴とする請求項１に記載の重ね合
わせ測定方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8043586A JP2842362B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 重ね合わせ測定方法 |
| DE69702151T DE69702151T2 (de) | 1996-02-29 | 1997-02-10 | Überlagerungsmessung mittels Korrelationsfunktion |
| EP97102050A EP0793147B1 (en) | 1996-02-29 | 1997-02-10 | Overlay measuring method using correlation function |
| US08/806,983 US5877036A (en) | 1996-02-29 | 1997-02-26 | Overlay measuring method using correlation function |
| KR1019970006583A KR100249414B1 (ko) | 1996-02-29 | 1997-02-28 | 상관기능을 이용한 오버레이 측정 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8043586A JP2842362B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 重ね合わせ測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09237749A true JPH09237749A (ja) | 1997-09-09 |
| JP2842362B2 JP2842362B2 (ja) | 1999-01-06 |
Family
ID=12667895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8043586A Expired - Fee Related JP2842362B2 (ja) | 1996-02-29 | 1996-02-29 | 重ね合わせ測定方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5877036A (ja) |
| EP (1) | EP0793147B1 (ja) |
| JP (1) | JP2842362B2 (ja) |
| KR (1) | KR100249414B1 (ja) |
| DE (1) | DE69702151T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114166A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-04-21 | Nova Measuring Instruments Ltd | 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置及びその方法 |
| KR20010088997A (ko) * | 2001-08-31 | 2001-09-29 | 윤종태 | 반도체 공정에서 중첩도 측정 방법 |
| KR20030053224A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조용 중첩도 측정 패턴 |
| KR100388755B1 (ko) * | 1998-08-11 | 2003-08-19 | 동부전자 주식회사 | 반도체 패턴의 크리티컬 디메죤타겟 및 크리티컬 디멘죤 측정방법 |
Families Citing this family (68)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11258776A (ja) * | 1998-03-13 | 1999-09-24 | Sony Corp | 重ね合わせ測定パターン、フォトマスク、重ね合わせ測定方法及び重ね合わせ測定装置 |
| JPH11325877A (ja) * | 1998-03-31 | 1999-11-26 | Siemens Ag | 測定誤差を減少させるための方法及び装置 |
| IL125337A0 (en) * | 1998-07-14 | 1999-03-12 | Nova Measuring Instr Ltd | Method and apparatus for lithography monitoring and process control |
| US6334960B1 (en) | 1999-03-11 | 2002-01-01 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Step and flash imprint lithography |
| US6277658B1 (en) * | 1999-03-29 | 2001-08-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method for monitoring alignment mark shielding |
| US8531678B2 (en) | 1999-07-09 | 2013-09-10 | Nova Measuring Instruments, Ltd. | Method and system for measuring patterned structures |
| IL130874A (en) | 1999-07-09 | 2002-12-01 | Nova Measuring Instr Ltd | System and method for measuring pattern structures |
| US6873087B1 (en) | 1999-10-29 | 2005-03-29 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High precision orientation alignment and gap control stages for imprint lithography processes |
| US6462818B1 (en) * | 2000-06-22 | 2002-10-08 | Kla-Tencor Corporation | Overlay alignment mark design |
| KR100827741B1 (ko) * | 2000-07-17 | 2008-05-07 | 보드 오브 리전츠, 더 유니버시티 오브 텍사스 시스템 | 임프린트 리소그래피 공정을 위한 자동 유체 분배 방법 및시스템 |
| AU2001286573A1 (en) * | 2000-08-21 | 2002-03-04 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Flexure based macro motion translation stage |
| US7541201B2 (en) | 2000-08-30 | 2009-06-02 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry |
| US7068833B1 (en) | 2000-08-30 | 2006-06-27 | Kla-Tencor Corporation | Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements |
| US6486954B1 (en) | 2000-09-01 | 2002-11-26 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay alignment measurement mark |
| US20060005657A1 (en) * | 2004-06-01 | 2006-01-12 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing |
| EP1352295B1 (en) | 2000-10-12 | 2015-12-23 | Board of Regents, The University of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
| US20050274219A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method and system to control movement of a body for nano-scale manufacturing |
| KR100493410B1 (ko) * | 2001-03-15 | 2005-06-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 얼라인먼트 마크 |
| US6964793B2 (en) * | 2002-05-16 | 2005-11-15 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for fabricating nanoscale patterns in light curable compositions using an electric field |
| KR100395909B1 (ko) * | 2001-06-29 | 2003-08-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 장치의 오버레이 측정 패턴 |
| US6737208B1 (en) * | 2001-12-17 | 2004-05-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling photolithography overlay registration incorporating feedforward overlay information |
| JP2003224057A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Hitachi Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7804994B2 (en) | 2002-02-15 | 2010-09-28 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Overlay metrology and control method |
| US6932934B2 (en) * | 2002-07-11 | 2005-08-23 | Molecular Imprints, Inc. | Formation of discontinuous films during an imprint lithography process |
| US7077992B2 (en) * | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US7071088B2 (en) * | 2002-08-23 | 2006-07-04 | Molecular Imprints, Inc. | Method for fabricating bulbous-shaped vias |
| US6957119B2 (en) * | 2002-09-09 | 2005-10-18 | Macronix International Co., Ltd. | Method for monitoring matched machine overlay |
| US8349241B2 (en) * | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US6929762B2 (en) * | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6871558B2 (en) * | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| TW200500811A (en) * | 2002-12-13 | 2005-01-01 | Molecular Imprints Inc | Magnification correction employing out-of-plane distortion of a substrate |
| US7452574B2 (en) * | 2003-02-27 | 2008-11-18 | Molecular Imprints, Inc. | Method to reduce adhesion between a polymerizable layer and a substrate employing a fluorine-containing layer |
| US20040168613A1 (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-02 | Molecular Imprints, Inc. | Composition and method to form a release layer |
| US7122079B2 (en) * | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7075639B2 (en) * | 2003-04-25 | 2006-07-11 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Method and mark for metrology of phase errors on phase shift masks |
| US7157036B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-01-02 | Molecular Imprints, Inc | Method to reduce adhesion between a conformable region and a pattern of a mold |
| US20050160934A1 (en) * | 2004-01-23 | 2005-07-28 | Molecular Imprints, Inc. | Materials and methods for imprint lithography |
| US7346878B1 (en) | 2003-07-02 | 2008-03-18 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for providing in-chip microtargets for metrology or inspection |
| US7608468B1 (en) | 2003-07-02 | 2009-10-27 | Kla-Tencor Technologies, Corp. | Apparatus and methods for determining overlay and uses of same |
| US7150622B2 (en) * | 2003-07-09 | 2006-12-19 | Molecular Imprints, Inc. | Systems for magnification and distortion correction for imprint lithography processes |
| US7136150B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US20050106321A1 (en) * | 2003-11-14 | 2005-05-19 | Molecular Imprints, Inc. | Dispense geometery to achieve high-speed filling and throughput |
| US20060115999A1 (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-01 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of exposure for the purpose of thermal management for imprint lithography processes |
| US8076386B2 (en) | 2004-02-23 | 2011-12-13 | Molecular Imprints, Inc. | Materials for imprint lithography |
| US7906180B2 (en) * | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US20050276919A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Method for dispensing a fluid on a substrate |
| US20050275311A1 (en) * | 2004-06-01 | 2005-12-15 | Molecular Imprints, Inc. | Compliant device for nano-scale manufacturing |
| US20050270516A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing |
| US7768624B2 (en) * | 2004-06-03 | 2010-08-03 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for obtaining force combinations for template deformation using nullspace and methods optimization techniques |
| CN101379435A (zh) * | 2004-06-03 | 2009-03-04 | 得克萨斯州大学系统董事会 | 用于改进显微蚀刻的对齐和覆盖的系统和方法 |
| US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
| US7630067B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
| US20070231421A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
| US7292326B2 (en) * | 2004-11-30 | 2007-11-06 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices |
| US20060145398A1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-07-06 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Release layer comprising diamond-like carbon (DLC) or doped DLC with tunable composition for imprint lithography templates and contact masks |
| US7557921B1 (en) | 2005-01-14 | 2009-07-07 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for optically monitoring the fidelity of patterns produced by photolitographic tools |
| US20070228608A1 (en) * | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Preserving Filled Features when Vacuum Wiping |
| KR20090003153A (ko) | 2006-04-03 | 2009-01-09 | 몰레큘러 임프린츠 인코퍼레이티드 | 다수의 필드와 정렬 마크를 갖는 기판을 동시에 패턴화하는방법 |
| JP5027468B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2012-09-19 | 日本ミクロコーティング株式会社 | プローブクリーニング用又はプローブ加工用シート、及びプローブ加工方法 |
| JP6008851B2 (ja) | 2010-07-19 | 2016-10-19 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | オーバレイ誤差を決定する方法及び装置 |
| US9927718B2 (en) | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
| US10890436B2 (en) | 2011-07-19 | 2021-01-12 | Kla Corporation | Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill |
| NL2009294A (en) * | 2011-08-30 | 2013-03-04 | Asml Netherlands Bv | Method and apparatus for determining an overlay error. |
| US8837810B2 (en) * | 2012-03-27 | 2014-09-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for alignment in semiconductor device fabrication |
| US9158209B2 (en) * | 2012-10-19 | 2015-10-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method of overlay prediction |
| US10451412B2 (en) | 2016-04-22 | 2019-10-22 | Kla-Tencor Corporation | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
| WO2018089217A1 (en) * | 2016-11-11 | 2018-05-17 | Applied Materials, Inc. | Hybrid laser and implant treatment for overlay error correction |
| US11067389B2 (en) * | 2018-03-13 | 2021-07-20 | Kla Corporation | Overlay metrology system and method |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57102017A (en) * | 1980-12-17 | 1982-06-24 | Hitachi Ltd | Pattern detector |
| US4679942A (en) * | 1984-02-24 | 1987-07-14 | Nippon Kogaku K. K. | Method of aligning a semiconductor substrate and a photomask |
| EP0163199A3 (de) * | 1984-05-29 | 1988-09-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren und Vorrichtung zur Ermittlung von Deckungsfehlern zwischen nacheinander fotolithografisch auf eine Halbleiterscheibe zu übertragenden Strukturen |
| US5543921A (en) * | 1989-05-08 | 1996-08-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Aligning method utilizing reliability weighting coefficients |
| US5124927A (en) * | 1990-03-02 | 1992-06-23 | International Business Machines Corp. | Latent-image control of lithography tools |
| JP2897355B2 (ja) * | 1990-07-05 | 1999-05-31 | 株式会社ニコン | アライメント方法，露光装置，並びに位置検出方法及び装置 |
| JP3284641B2 (ja) * | 1992-09-03 | 2002-05-20 | ソニー株式会社 | 重ね合わせ精度測定機の測定条件の最適化方法、並びにアラインメントマーク形状あるいは露光装置におけるアラインメントマーク測定方式の最適化方法 |
| US5438413A (en) * | 1993-03-03 | 1995-08-01 | Kla Instruments Corporation | Process for measuring overlay misregistration during semiconductor wafer fabrication |
-
1996
- 1996-02-29 JP JP8043586A patent/JP2842362B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-02-10 DE DE69702151T patent/DE69702151T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-02-10 EP EP97102050A patent/EP0793147B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-26 US US08/806,983 patent/US5877036A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-28 KR KR1019970006583A patent/KR100249414B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000114166A (ja) * | 1998-07-14 | 2000-04-21 | Nova Measuring Instruments Ltd | 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置及びその方法 |
| JP4722244B2 (ja) * | 1998-07-14 | 2011-07-13 | ノバ・メジャリング・インストルメンツ・リミテッド | 所定のフォトリソグラフィ工程に従って基板を加工する装置 |
| KR100388755B1 (ko) * | 1998-08-11 | 2003-08-19 | 동부전자 주식회사 | 반도체 패턴의 크리티컬 디메죤타겟 및 크리티컬 디멘죤 측정방법 |
| KR20010088997A (ko) * | 2001-08-31 | 2001-09-29 | 윤종태 | 반도체 공정에서 중첩도 측정 방법 |
| KR20030053224A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 제조용 중첩도 측정 패턴 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100249414B1 (ko) | 2000-03-15 |
| US5877036A (en) | 1999-03-02 |
| EP0793147B1 (en) | 2000-05-31 |
| DE69702151T2 (de) | 2001-06-21 |
| DE69702151D1 (de) | 2000-07-06 |
| JP2842362B2 (ja) | 1999-01-06 |
| KR970063625A (ko) | 1997-09-12 |
| EP0793147A1 (en) | 1997-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09237749A (ja) | 重ね合わせ測定方法 | |
| US7541201B2 (en) | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry | |
| JP5075728B2 (ja) | ウェハ基板を位置合わせするための方法、複数のアライメントターゲット、及びアライメントシステム | |
| US20080059939A1 (en) | Performance in model-based opc engine utilizing efficient polygon pinning method | |
| JP3371852B2 (ja) | レチクル | |
| JP2002156741A (ja) | マスクのデバイスパターンの補正方法 | |
| KR20120101197A (ko) | 포토 마스크의 제조 방법 | |
| US20080052660A1 (en) | Method of correcting a designed pattern of a mask | |
| JP4791020B2 (ja) | １つまたは複数のカット・ライン上の複数の点の同時計算 | |
| TW546683B (en) | Enhanced overlay measurement marks for overlay alignment and exposure tool condition control | |
| JP2830784B2 (ja) | 位置誤差計測方法および半導体装置の製造方法 | |
| US20030022112A1 (en) | Structuring method | |
| JP2856711B2 (ja) | 位置検出方法 | |
| JPH0827174B2 (ja) | パタ−ン検出方法 | |
| KR100457223B1 (ko) | 정렬 마크로 이용 가능한 중첩도 측정 패턴 형성방법 | |
| JP2000171683A (ja) | 最適フォーカス位置測定方法およびフォーカス位置測定用マスク | |
| JP3828063B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2000055622A (ja) | 重ね合わせ精度測定方法 | |
| JP3297265B2 (ja) | 電子ビーム描画装置の合わせずれ評価方法 | |
| JPH04199505A (ja) | 位置合わせ装置 | |
| JPH03266444A (ja) | 電子ビームを用いた測定装置におけるパタン検出方法および寸法測定方法 | |
| Ikeda et al. | Pattern shape comparison methods using SEM image | |
| JPH097929A (ja) | 露光装置用位置合せ装置及び位置合わせ方法 | |
| US8588508B2 (en) | Method or matching high-numerical aperture scanners | |
| JP2005032853A (ja) | 結像特性計測方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081023 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091023 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023 Year of fee payment: 12 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101023 Year of fee payment: 12 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111023 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111023 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121023 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131023 Year of fee payment: 15 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |