JP3297265B2 - 電子ビーム描画装置の合わせずれ評価方法 - Google Patents
電子ビーム描画装置の合わせずれ評価方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビーム描画装置
の合わせずれ評価方法に関する。
の合わせずれ評価方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に電子ビーム描画装置を用いた、下
地パターンとの合わせ描画は、試料上に形成された位置
合わせマークの位置を、電子ビームを走査することによ
って検出し、この位置情報に基づいて所望のパターンを
描画することによって行っている。
地パターンとの合わせ描画は、試料上に形成された位置
合わせマークの位置を、電子ビームを走査することによ
って検出し、この位置情報に基づいて所望のパターンを
描画することによって行っている。
【０００３】この合わせ描画においては、下地パターン
と描画パターンの合わせずれ（位置ずれ）の測定が重要
となる。従来、この合わせずれを求める場合は、下地に
位置合わせマークを形成する際に、別に合わせずれ測定
用のパターンを同時に形成しておき、合わせ描画を行っ
た後に、合わせずれ測定用パターンと描画パターンの位
置を測定し、両者の位置ずれを測定することによって行
っていた。
と描画パターンの合わせずれ（位置ずれ）の測定が重要
となる。従来、この合わせずれを求める場合は、下地に
位置合わせマークを形成する際に、別に合わせずれ測定
用のパターンを同時に形成しておき、合わせ描画を行っ
た後に、合わせずれ測定用パターンと描画パターンの位
置を測定し、両者の位置ずれを測定することによって行
っていた。
【０００４】例えば、図１０（ａ）に示すように試料６
０上に被加工膜６２を形成した後、レジスト（図示せ
ず）を塗布する、そして描画装置を用いて下地パター
ン、位置合わせマーク、および合わせずれ測定用パター
ンを描画（第１の描画）し、現像することによってレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
にして被加工膜（下地）６２をパターニングすることに
よって下地パターン６２ａ、位置合わせマーク６２ｂ、
および合わせずれ測定用パターン６２ｃを形成する（図
１０（ａ）参照）。
０上に被加工膜６２を形成した後、レジスト（図示せ
ず）を塗布する、そして描画装置を用いて下地パター
ン、位置合わせマーク、および合わせずれ測定用パター
ンを描画（第１の描画）し、現像することによってレジ
ストパターンを形成し、このレジストパターンをマスク
にして被加工膜（下地）６２をパターニングすることに
よって下地パターン６２ａ、位置合わせマーク６２ｂ、
および合わせずれ測定用パターン６２ｃを形成する（図
１０（ａ）参照）。
【０００５】続いて、層間絶縁膜６５等を全面に成膜し
た後、被加工膜６６を形成し、この後、再度レジスト６
８を塗布し、位置合わせマーク６２ｂの検出を行う。そ
の後レジスト６８に描画パターンを描画（第２の描画）
し、現像することによって描画パターン６８ａを形成す
る（図１０（ｂ）参照）。そして合わせずれ測定用パタ
ーン６２ｃと描画パターン６８ａの位置ずれを測定する
ことによって合わせずれを求める。このとき、第１の描
画と第２の描画を同一の露光装置（描画装置）を用いて
行えば、描画装置単体の固有の位置合わせ精度を測定す
ることができる。
た後、被加工膜６６を形成し、この後、再度レジスト６
８を塗布し、位置合わせマーク６２ｂの検出を行う。そ
の後レジスト６８に描画パターンを描画（第２の描画）
し、現像することによって描画パターン６８ａを形成す
る（図１０（ｂ）参照）。そして合わせずれ測定用パタ
ーン６２ｃと描画パターン６８ａの位置ずれを測定する
ことによって合わせずれを求める。このとき、第１の描
画と第２の描画を同一の露光装置（描画装置）を用いて
行えば、描画装置単体の固有の位置合わせ精度を測定す
ることができる。
【０００６】半導体装置の製造工程では、描画後のウェ
ハの合わせずれを測定し、この合わせずれデータを描画
装置にフィードバックして、後に続くウェハの合わせ描
画を行う。このときのフィードバックすべきパラメータ
としては、描画パターンの伸縮、回転、シフト量などが
ある。
ハの合わせずれを測定し、この合わせずれデータを描画
装置にフィードバックして、後に続くウェハの合わせ描
画を行う。このときのフィードバックすべきパラメータ
としては、描画パターンの伸縮、回転、シフト量などが
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】一般に電子ビーム描画
は描画スループットが遅いために、光露光装置と混用さ
れる場合がある。上述の合わせずれを求める場合におい
て、第１の描画に光露光装置を用いた場合には、合わせ
ずれ測定用パターンを含むパターンは、レンズ投影歪み
の影響を受ける。この場合、光露光で形成された合わせ
ずれ測定用パターンの位置も歪んでしまうため、測定さ
れる合わせずれデータにはレンズ投影歪みによるずれが
含まれてしまう。
は描画スループットが遅いために、光露光装置と混用さ
れる場合がある。上述の合わせずれを求める場合におい
て、第１の描画に光露光装置を用いた場合には、合わせ
ずれ測定用パターンを含むパターンは、レンズ投影歪み
の影響を受ける。この場合、光露光で形成された合わせ
ずれ測定用パターンの位置も歪んでしまうため、測定さ
れる合わせずれデータにはレンズ投影歪みによるずれが
含まれてしまう。
【０００８】このため、合わせずれデータから、伸縮、
回転、シフト量などを電子ビーム描画装置にフィードバ
ックして、後のウェハ描画に役立てるには、測定された
合わせずれデータからレンズ投影歪みの影響を分離する
必要がある。
回転、シフト量などを電子ビーム描画装置にフィードバ
ックして、後のウェハ描画に役立てるには、測定された
合わせずれデータからレンズ投影歪みの影響を分離する
必要がある。
【０００９】しかしながら、従来の合わせずれ評価方法
においては、測定された合わせずれデータからレンズ投
影歪みの影響を分離することは試みられていなかった。
においては、測定された合わせずれデータからレンズ投
影歪みの影響を分離することは試みられていなかった。
【００１０】また、光露光に用いるフォトマスクの描画
には、一般的に電子ビーム露光が用いられている。近
年、光露光においては、解像力を増すために位相シフト
マスクが求められている。この位相シフトマスクの作成
においては、電子ビーム描画装置で合わせ描画が必要に
なる。この場合、電子ビームを用いた第１の描画で位置
合わせマークを形成しておき、電子ビームを用いた第２
の描画で、第１の描画時に作成した位置合わせマークを
検出して、合わせ描画を行う。上述の合わせずれを求め
る場合において、第１の描画および第２の描画ともに電
子ビーム描画装置を用いた場合でも、合わせずれ測定用
パターンを含むパターンは、マスク自体のたわみの影響
により、描画位置精度が劣化する事がある。即ち、第１
の描画後にフォトマスク基板の加工を行った場合、基板
上の被加工膜の応力変化等によるマスクのたわみが発生
し、第１の描画で形成された合わせずれ測定用パターン
はマスクのたわみによるずれが含まれてしまう。
には、一般的に電子ビーム露光が用いられている。近
年、光露光においては、解像力を増すために位相シフト
マスクが求められている。この位相シフトマスクの作成
においては、電子ビーム描画装置で合わせ描画が必要に
なる。この場合、電子ビームを用いた第１の描画で位置
合わせマークを形成しておき、電子ビームを用いた第２
の描画で、第１の描画時に作成した位置合わせマークを
検出して、合わせ描画を行う。上述の合わせずれを求め
る場合において、第１の描画および第２の描画ともに電
子ビーム描画装置を用いた場合でも、合わせずれ測定用
パターンを含むパターンは、マスク自体のたわみの影響
により、描画位置精度が劣化する事がある。即ち、第１
の描画後にフォトマスク基板の加工を行った場合、基板
上の被加工膜の応力変化等によるマスクのたわみが発生
し、第１の描画で形成された合わせずれ測定用パターン
はマスクのたわみによるずれが含まれてしまう。
【００１１】このため、測定された合わせずれデータか
らマスクたわみの影響を分離する必要があるが、従来の
合わせずれ評価方法においては、測定された合わせずれ
データからマスクのたわみの影響を分離することは試み
られていなかった。
らマスクたわみの影響を分離する必要があるが、従来の
合わせずれ評価方法においては、測定された合わせずれ
データからマスクのたわみの影響を分離することは試み
られていなかった。
【００１２】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、電子ビーム描画装置の固有の合わせずれを正
確に評価できる評価方法を提供することを目的とする。
であって、電子ビーム描画装置の固有の合わせずれを正
確に評価できる評価方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明による電子ビーム
描画装置に合わせずれ評価方法は、位置合わせマークが
形成された被処理基板にレジスト膜を塗布するステップ
と、前記レジスト膜上に電子ビームを走査することによ
って前記位置合わせマークの位置を検出し、この検出し
た位置情報に基づいて合わせ描画を行うステップと、前
記レジスト膜を現像することによってレジストパターン
を形成するステップと、前記位置合わせマークおよび前
記レジストパターンに基づいて合わせずれを測定するス
テップと、を備え、前記合わせ描画を行うステップは、
パターン描画時に前記位置合わせマークを囲むマーク領
域を描画するステップを有し、前記合わせずれを測定す
るステップは、前記位置合わせマークと前記マーク領域
の描画パターンとに基づいて合わせずれを測定すること
を特徴とする。
描画装置に合わせずれ評価方法は、位置合わせマークが
形成された被処理基板にレジスト膜を塗布するステップ
と、前記レジスト膜上に電子ビームを走査することによ
って前記位置合わせマークの位置を検出し、この検出し
た位置情報に基づいて合わせ描画を行うステップと、前
記レジスト膜を現像することによってレジストパターン
を形成するステップと、前記位置合わせマークおよび前
記レジストパターンに基づいて合わせずれを測定するス
テップと、を備え、前記合わせ描画を行うステップは、
パターン描画時に前記位置合わせマークを囲むマーク領
域を描画するステップを有し、前記合わせずれを測定す
るステップは、前記位置合わせマークと前記マーク領域
の描画パターンとに基づいて合わせずれを測定すること
を特徴とする。
【００１４】
【作用】上述のように構成された本発明による電子ビー
ム描画装置の合わせずれ評価方法によれば、合わせ描画
は位置合わせマークの位置に基づいて行われることによ
り、従来必要であったバーニヤや合わせずれ測定マーク
が不要となる。これにより光投影歪みやマスクたわみ等
の影響を除去することが可能となり、電子ビーム描画装
置の固有の合わせずれを正確に評価することができる。
ム描画装置の合わせずれ評価方法によれば、合わせ描画
は位置合わせマークの位置に基づいて行われることによ
り、従来必要であったバーニヤや合わせずれ測定マーク
が不要となる。これにより光投影歪みやマスクたわみ等
の影響を除去することが可能となり、電子ビーム描画装
置の固有の合わせずれを正確に評価することができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明による電子ビーム描画装置
の合わせずれ評価方法の第１の実施の形態を図１乃至図
６を参照して説明する。この第１の実施の形態の合わせ
ずれ評価方法においては、加速電圧５０ｋＶ、ベクタス
キャン方式、ステージ連続移動型の可変成形電子ビーム
描画装置を使用した。
の合わせずれ評価方法の第１の実施の形態を図１乃至図
６を参照して説明する。この第１の実施の形態の合わせ
ずれ評価方法においては、加速電圧５０ｋＶ、ベクタス
キャン方式、ステージ連続移動型の可変成形電子ビーム
描画装置を使用した。
【００１６】第１の実施の形態の合わせずれ評価方法の
処理手順を図１に示す。まず図１のステップＦ２に示す
ように、被処理基板（例えばシリコン基板）上に位置合
わせマークを形成する。このとき従来の場合と異なり、
他に合わせずれ測定用パターンは形成しない。この位置
合わせマーク４は図２に示すように電子ビーム描画パタ
ーン形成予定領域２の四隅に形成される。そしてこの位
置合わせマーク４は十字型であって、図３に示すように
その大きさは２０μｍでマーク溝幅は５μｍであり、マ
ーク溝の深さは０．５μｍである。
処理手順を図１に示す。まず図１のステップＦ２に示す
ように、被処理基板（例えばシリコン基板）上に位置合
わせマークを形成する。このとき従来の場合と異なり、
他に合わせずれ測定用パターンは形成しない。この位置
合わせマーク４は図２に示すように電子ビーム描画パタ
ーン形成予定領域２の四隅に形成される。そしてこの位
置合わせマーク４は十字型であって、図３に示すように
その大きさは２０μｍでマーク溝幅は５μｍであり、マ
ーク溝の深さは０．５μｍである。
【００１７】次に被処理基板にネガ型のレジストを塗布
する（図１のステップＦ４参照）。続いて上記処理基板
を電子ビーム描画装置にセットし、合わせ描画を行う。
この合わせ描画はまず電子ビームを走査することによ
り、すべての電子ビーム描画パターン形成予定領域２に
ついての位置合わせマーク４を検出するものである（ス
テップＦ６参照）。このとき、各描画パターン形成予定
領域２の基板上での位置、大きさ、回転量等の情報が得
られる。そしてこれらの情報に基づいて電子ビームの描
画装置の偏向パラメータを修正し、各描画パターン形成
予定領域２に対して所望のパターンを描画する。
する（図１のステップＦ４参照）。続いて上記処理基板
を電子ビーム描画装置にセットし、合わせ描画を行う。
この合わせ描画はまず電子ビームを走査することによ
り、すべての電子ビーム描画パターン形成予定領域２に
ついての位置合わせマーク４を検出するものである（ス
テップＦ６参照）。このとき、各描画パターン形成予定
領域２の基板上での位置、大きさ、回転量等の情報が得
られる。そしてこれらの情報に基づいて電子ビームの描
画装置の偏向パラメータを修正し、各描画パターン形成
予定領域２に対して所望のパターンを描画する。
【００１８】なお、位置合わせマーク４を検出する際に
は、例えば図４の矢印１２に示す方向に電子ビームを走
査するため、位置合わせマーク４の周辺のレジスト１４
が露光される。このため、位置合わせマーク４の検出後
に行われるパターン描画の際には、位置合わせマーク４
を囲むように３０μｍの範囲１０を描画する（図３、図
４参照）。
は、例えば図４の矢印１２に示す方向に電子ビームを走
査するため、位置合わせマーク４の周辺のレジスト１４
が露光される。このため、位置合わせマーク４の検出後
に行われるパターン描画の際には、位置合わせマーク４
を囲むように３０μｍの範囲１０を描画する（図３、図
４参照）。
【００１９】パターン描画を行った後に、基板を電子ビ
ーム描画装置から取り出し、現像を行う（図１のステッ
プＦ８参照）。このとき、レジストはネガ型であるため
位置合わせマーク４を囲む３０μｍの範囲（マーク領
域）１０は残留することになる。
ーム描画装置から取り出し、現像を行う（図１のステッ
プＦ８参照）。このとき、レジストはネガ型であるため
位置合わせマーク４を囲む３０μｍの範囲（マーク領
域）１０は残留することになる。
【００２０】続いて合わせずれ測定を行う（図１のステ
ップＦ１０参照）。この合わせずれ測定は、まず図５
（ａ）に示すように、光学顕微鏡で捕えたマーク画像の
Ａ−Ａ′線２１、Ｂ−Ｂ′線２２の位置における光の強
度を光センサで取り込み、位置合わせマーク４およびマ
ーク領域１０のエッジ位置を、図５（ｂ）に示す、光セ
ンサの検出出力２５から求める。そして、これらのエッ
ジ位置から、位置合わせマーク４の中心位置２６および
マーク領域１０の中心位置２７を求め、これらの中心位
置から合わせずれ２８をＸ方向（Ａ−Ａ′線に沿った方
向）およびＹ方向（Ｂ−Ｂ′線に沿った方向）について
測定する。
ップＦ１０参照）。この合わせずれ測定は、まず図５
（ａ）に示すように、光学顕微鏡で捕えたマーク画像の
Ａ−Ａ′線２１、Ｂ−Ｂ′線２２の位置における光の強
度を光センサで取り込み、位置合わせマーク４およびマ
ーク領域１０のエッジ位置を、図５（ｂ）に示す、光セ
ンサの検出出力２５から求める。そして、これらのエッ
ジ位置から、位置合わせマーク４の中心位置２６および
マーク領域１０の中心位置２７を求め、これらの中心位
置から合わせずれ２８をＸ方向（Ａ−Ａ′線に沿った方
向）およびＹ方向（Ｂ−Ｂ′線に沿った方向）について
測定する。
【００２１】次に測定された合わせずれデータに基づい
て電子ビーム描画パターンのシフト量、回転量および伸
縮量を算出する（図１のステップＦ１２参照）。そして
この算出されたシフト量、回転量および伸縮量に基づい
て電子ビーム描画装置を調整し、合わせ描画の精度を向
上させる。本実施の形態の合わせずれ評価方法によって
算出された合わせずれデータの一例（Ｘ方向の合わせず
れデータ）を図６（ａ）に示す。図６（ａ）における符
号４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは図６（ｃ）に示す描画パタ
ーン領域２の四隅に形成された位置合わせマークを示し
ている。
て電子ビーム描画パターンのシフト量、回転量および伸
縮量を算出する（図１のステップＦ１２参照）。そして
この算出されたシフト量、回転量および伸縮量に基づい
て電子ビーム描画装置を調整し、合わせ描画の精度を向
上させる。本実施の形態の合わせずれ評価方法によって
算出された合わせずれデータの一例（Ｘ方向の合わせず
れデータ）を図６（ａ）に示す。図６（ａ）における符
号４ａ，４ｂ，４ｃ，４ｄは図６（ｃ）に示す描画パタ
ーン領域２の四隅に形成された位置合わせマークを示し
ている。
【００２２】この図６（ａ）に示す結果からＸ方向に−
０．０２μｍずらして描画すると、平均的な合わせずれ
が小さくなることが分かる。この結果を電子ビーム描画
装置にフィードバックして、位置合わせマークの検出で
得られた描画パターン領域２の位置からＸ方向に−０．
０２μｍずらして描画を行うように調整した場合の合わ
せずれ量の測定結果を図６（ｂ）に示す。この図６
（ｂ）から分かるように平均的な合わせずれ量は小さく
なっており、合わせ描画精度は向上していることが分か
る。
０．０２μｍずらして描画すると、平均的な合わせずれ
が小さくなることが分かる。この結果を電子ビーム描画
装置にフィードバックして、位置合わせマークの検出で
得られた描画パターン領域２の位置からＸ方向に−０．
０２μｍずらして描画を行うように調整した場合の合わ
せずれ量の測定結果を図６（ｂ）に示す。この図６
（ｂ）から分かるように平均的な合わせずれ量は小さく
なっており、合わせ描画精度は向上していることが分か
る。
【００２３】以上説明したように本実施の形態の合わせ
ずれ評価方法によれば、位置合わせマーク自体を合わせ
ずれ測定用パターンとして用いているため、光投影露光
による合わせずれ成分を除去した電子ビーム描画装置の
固有の合わせずれを測定することができる。また、合わ
せずれ測定用パターンが不要となるので半導体チップ面
積を有効に活用することができる。
ずれ評価方法によれば、位置合わせマーク自体を合わせ
ずれ測定用パターンとして用いているため、光投影露光
による合わせずれ成分を除去した電子ビーム描画装置の
固有の合わせずれを測定することができる。また、合わ
せずれ測定用パターンが不要となるので半導体チップ面
積を有効に活用することができる。
【００２４】次に本発明による電子ビーム描画装置の合
わせずれ評価方法の第２の実施の形態を図７および図８
を参照して説明する。この第２の実施の形態の合わせず
れ評価方法は、第１の実施の形態の合わせずれ評価方法
において、ネガ型レジストの代わりにポジ型レジストを
用いたものである。ポジ型レジストが用いられているこ
とにより、位置合わせマーク４の検出で電子ビームが走
査された領域３０のレジストは図７に示すようにネガ化
するが、この領域３０の外側の領域３１は現像液に溶け
る性質を有している。したがってこの第２の実施の形態
においては、パターン描画の際に、位置合わせマーク４
を囲む３０μｍの範囲３５（図８参照）を描画してネガ
化させ、更にその外側の領域３８を領域３５よりも低い
照射量で描画する。このように描画することにより、パ
ターンを現像した際に、ネガ化した領域３５の外側にレ
ジスト溝３８が形成される。
わせずれ評価方法の第２の実施の形態を図７および図８
を参照して説明する。この第２の実施の形態の合わせず
れ評価方法は、第１の実施の形態の合わせずれ評価方法
において、ネガ型レジストの代わりにポジ型レジストを
用いたものである。ポジ型レジストが用いられているこ
とにより、位置合わせマーク４の検出で電子ビームが走
査された領域３０のレジストは図７に示すようにネガ化
するが、この領域３０の外側の領域３１は現像液に溶け
る性質を有している。したがってこの第２の実施の形態
においては、パターン描画の際に、位置合わせマーク４
を囲む３０μｍの範囲３５（図８参照）を描画してネガ
化させ、更にその外側の領域３８を領域３５よりも低い
照射量で描画する。このように描画することにより、パ
ターンを現像した際に、ネガ化した領域３５の外側にレ
ジスト溝３８が形成される。
【００２５】合わせずれ測定は、第１の実施の形態の場
合と同様にして行うが、このときレジスト溝３８の境界
と、位置合わせマーク４のエッジから各々の図形の中心
位置を求め、合わせずれの測定を行う。
合と同様にして行うが、このときレジスト溝３８の境界
と、位置合わせマーク４のエッジから各々の図形の中心
位置を求め、合わせずれの測定を行う。
【００２６】この第２の実施の形態の合わせずれ評価方
法も第１の実施の形態の合わせずれ評価方法と同様の効
果を奏することは言うまでもない。
法も第１の実施の形態の合わせずれ評価方法と同様の効
果を奏することは言うまでもない。
【００２７】次に本発明による電子ビーム描画装置の合
わせずれ評価方法の第３の実施の形態を図９を参照して
説明する。この第３の実施の形態の評価方法はクロムマ
スク上での合わせ描画の合わせずれについてのものであ
る。
わせずれ評価方法の第３の実施の形態を図９を参照して
説明する。この第３の実施の形態の評価方法はクロムマ
スク上での合わせ描画の合わせずれについてのものであ
る。
【００２８】まず、クロムマスク４０上に形成されたク
ロム層４１上にレジスト４２を塗布する（図９（ａ）参
照）。次にレジスト４２に位置合わせマーク４４および
パターン４３を描画し、現像し、レジストパターンを形
成する（図９（ｂ）参照）。このレジストパターンをマ
スクにしてクロム層４１をエッチングし、クロム層のパ
ターン４５および位置合わせマーク４６を形成し、レジ
ストを剥離する（図９（ｃ）参照）。このとき、位置合
わせマーク４６は第１および第２の実施の形態と同様に
十字型の形状を有している。
ロム層４１上にレジスト４２を塗布する（図９（ａ）参
照）。次にレジスト４２に位置合わせマーク４４および
パターン４３を描画し、現像し、レジストパターンを形
成する（図９（ｂ）参照）。このレジストパターンをマ
スクにしてクロム層４１をエッチングし、クロム層のパ
ターン４５および位置合わせマーク４６を形成し、レジ
ストを剥離する（図９（ｃ）参照）。このとき、位置合
わせマーク４６は第１および第２の実施の形態と同様に
十字型の形状を有している。
【００２９】次にパターニングされたクロム層上に、露
光の位相をシフト（反転）するシフト材からなるシフト
膜４７を形成した後、このシフト膜４７上に再度レジス
ト４８を塗布する（図９（ｄ）参照）。続いて合わせ描
画を行う。この合わせ描画は、位置合わせマーク４６上
のマーク領域４９（図９（ｅ）参照）を描画し、現像を
行った後に、第１および第２の実施の形態の場合と同様
に、位置合わせマーク４６との合わせずれを測定する。
光の位相をシフト（反転）するシフト材からなるシフト
膜４７を形成した後、このシフト膜４７上に再度レジス
ト４８を塗布する（図９（ｄ）参照）。続いて合わせ描
画を行う。この合わせ描画は、位置合わせマーク４６上
のマーク領域４９（図９（ｅ）参照）を描画し、現像を
行った後に、第１および第２の実施の形態の場合と同様
に、位置合わせマーク４６との合わせずれを測定する。
【００３０】この第３の実施の形態の合わせずれ評価方
法においては、マスク４０上に合わせずれ測定用のバー
ニヤを設ける必要がなく、チップ面積を有効に活用する
ことができる。また、クロムマスクのたわみによる合わ
せずれ成分を除去することが可能となり、描画装置の合
わせずれ精度を正確に評価することができる。
法においては、マスク４０上に合わせずれ測定用のバー
ニヤを設ける必要がなく、チップ面積を有効に活用する
ことができる。また、クロムマスクのたわみによる合わ
せずれ成分を除去することが可能となり、描画装置の合
わせずれ精度を正確に評価することができる。
【００３１】なお、上記第１乃至第３の実施の形態の合
わせずれ評価方法においては、合わせずれの測定に光学
顕微鏡を用いたが、電子ビーム描画装置を利用しても良
い。
わせずれ評価方法においては、合わせずれの測定に光学
顕微鏡を用いたが、電子ビーム描画装置を利用しても良
い。
【００３２】なお、上記第１乃至第３の実施の形態にお
いては電子ビーム描画装置に可変成形ビーム方式のもの
を用いたが丸ビーム方式の電子ビーム描画装置を用いて
も良い。
いては電子ビーム描画装置に可変成形ビーム方式のもの
を用いたが丸ビーム方式の電子ビーム描画装置を用いて
も良い。
【００３３】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、合わ
せずれ測定用パターンを特に設ける必要がないため、光
投影歪やマスクたわみ等による合わせずれ成分を除去す
ることが可能となり、合わせずれを正確に評価すること
ができる。
せずれ測定用パターンを特に設ける必要がないため、光
投影歪やマスクたわみ等による合わせずれ成分を除去す
ることが可能となり、合わせずれを正確に評価すること
ができる。
【図１】本発明による電子ビーム描画装置の合わせずれ
評価方法の第１の実施の形態の処理手順を示すフローチ
ャート。
評価方法の第１の実施の形態の処理手順を示すフローチ
ャート。
【図２】本発明による合わせずれ評価方法に用いられる
位置合わせマークの配置を示す図。
位置合わせマークの配置を示す図。
【図３】本発明による合わせずれ評価方法にかかる位置
合わせマークの模式図。
合わせマークの模式図。
【図４】位置合わせマークの位置を検出する場合の説明
図。
図。
【図５】合わせずれの測定方法を説明する説明図。
【図６】本発明による効果を説明する説明図。
【図７】本発明による合わせずれ評価方法の第２の実施
の形態を説明する説明図。
の形態を説明する説明図。
【図８】本発明による合わせずれ評価方法の第２の実施
の形態によって描画されたマーク領域を示す図。
の形態によって描画されたマーク領域を示す図。
【図９】本発明による合わせずれ評価方法の第３の実施
の形態の処理手順を示す断面図。
の形態の処理手順を示す断面図。
【図１０】従来の合わせずれ評価方法を説明する説明
図。
図。
２ 描画パターン領域 ４ 位置合わせマーク １０ マーク領域 １２ 電子ビームの走査方向 １４ 露光されたレジスト領域 ２５ エッジ検出信号 ２６ 位置合わせマークエッジ間の中心位置 ２７ マーク領域の中心位置 ２８ 合わせずれ量
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−47649（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−111412（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−87516（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−69226（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−66428（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−76121（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−315215（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/027
Claims (1)
- 【請求項１】位置合わせマークが形成された被処理基板
にレジスト膜を塗布するステップと、 前記レジスト膜上に電子ビームを走査することによって
前記位置合わせマークの位置を検出し、この検出した位
置の情報に基づいて合わせ描画を行うステップと、 前記レジスト膜を現像することによってレジストパター
ンを形成するステップと、 前記位置合わせマークおよび前記レジストパターンに基
づいて合わせずれを測定するステップと、 を備え、 前記合わせ描画を行うステップは、パターン描画時に前
記位置合わせマークを囲むマーク領域を描画するステッ
プを有し、 前記合わせずれを測定するステップは、前記位置合わせ
マークと前記マーク領域の描画パターンとに基づいて合
わせずれを測定することを特徴とする電子ビーム描画装
置の合わせずれ評価方法。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP23411995A JP3297265B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 電子ビーム描画装置の合わせずれ評価方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23411995A JP3297265B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 電子ビーム描画装置の合わせずれ評価方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0982603A JPH0982603A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3297265B2 true JP3297265B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=16965939
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23411995A Expired - Fee Related JP3297265B2 (ja) | 1995-09-12 | 1995-09-12 | 電子ビーム描画装置の合わせずれ評価方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3297265B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|---|
| JPS6066428A (ja) * | 1983-09-21 | 1985-04-16 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| JPH0644550B2 (ja) * | 1983-10-03 | 1994-06-08 | 松下電子工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH07120618B2 (ja) * | 1986-09-10 | 1995-12-20 | 株式会社日立製作所 | 粒子線描画方法 |
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| JPH04111412A (ja) * | 1990-08-31 | 1992-04-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0547649A (ja) * | 1991-08-20 | 1993-02-26 | Fujitsu Ltd | 荷電粒子線露光によるパターン形成方法および荷電粒子線露光装置 |
| JPH05315215A (ja) * | 1992-05-12 | 1993-11-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体製造装置 |
-
1995
- 1995-09-12 JP JP23411995A patent/JP3297265B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0982603A (ja) | 1997-03-28 |
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