JPH09235114A - 銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法 - Google Patents
銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法Info
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- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 title claims abstract description 58
- JUZTWRXHHZRLED-UHFFFAOYSA-N [Si].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu] Chemical compound [Si].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu].[Cu] JUZTWRXHHZRLED-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 34
- 229910021360 copper silicide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 107
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 23
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 22
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910021592 Copper(II) chloride Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 58
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 26
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 17
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 17
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 abstract description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 abstract description 3
- 239000011369 resultant mixture Substances 0.000 abstract 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 29
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 26
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 description 23
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 6
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 5
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 4
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 229910000519 Ferrosilicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 2
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 208000012839 conversion disease Diseases 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005204 segregation Methods 0.000 description 2
- 238000007873 sieving Methods 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000008186 active pharmaceutical agent Substances 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000010299 mechanically pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005475 siliconizing Methods 0.000 description 1
- 230000008080 stochastic effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004580 weight loss Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Glanulating (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
金属珪素粒子を提供すること。 【解決手段】 平均粒径が50μm〜2mmの素金属珪
素粒子並びに平均粒径1mm以下の塩化銅(I)粒子お
よび/または塩化銅(II)粒子を、非酸化性ガスの雰
囲気下に、少なくとも250℃の温度に加熱することに
よる、少なくとも粒子表面に銅シリサイドを有する金属
珪素粒子の製造方法。
Description
面に銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法に関
する。さらに詳しくは、クロロシラン類を水素還元して
水素化クロロシラン類を製造する流動層反応に最も適し
た触媒として用いられる銅シリサイドを有する金属珪素
粒子の製造方法に関する。
てトリクロロシランの製造に使われ、工業的には流動層
で反応温度を400〜600℃として操作されている。
一方、この反応の反応速度を速めるために触媒として銅
粉(特開昭56−73617号公報参照)、塩化銅
(I)(特開昭60−36318号公報参照)、金属銅
と塩化銅等の混合物(特開昭63−100015号公報
参照)等が提案されている。これらの触媒物質は固定層
反応においては良好な触媒として作用するが、流動層反
応においては、これらの触媒物質を直接にまたは素金属
珪素粒子と混合して当該反応中に反応器へ投入した場
合、銅成分または素金属珪素粒子が凝集・塊状化して流
動状態の悪化を起こし、安定的な運転の継続を阻害する
という問題があった。
を解決する新しい技術、すなわち流動層反応において
も、投入ラインの閉塞または流動状態の悪化を起こすこ
となく、高い効率でクロロシラン類を水素還元すること
のできる新しい触媒の開発が望まれていた。
的課題を解決すべく鋭意研究を行ってきた結果、少なく
とも粒子表面に銅シリサイドを有する金属珪素粒子を用
いることによって従来技術の問題点を見事に解消できる
ことを発見し、またその製造方法を確立して、ついに本
発明に到達したものである。
〜2mmの素金属珪素粒子並びに平均粒径1mm以下の
塩化銅(I)粒子および/または塩化銅(II)粒子
を、非酸化性ガスの雰囲気下に、少なくとも250℃の
温度に加熱することを特徴とする、少なくとも粒子表面
に銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法であ
る。
子表面に銅シリサイドを有する金属珪素粒子は、トリク
ロロシランの製造のための触媒として好適に使用され
る。ここにいうトリクロロシランの製造方法は、従来技
術の項でも述べたように、素金属珪素粒子と、四塩化珪
素および水素の混合ガスまたは四塩化珪素と塩化水素と
水素の混合ガスを400℃以上の温度で反応させる方法
である。この反応を行うための工業的な反応装置として
は流動層が最適である。この反応中に、少なくとも表面
に銅シリサイドを有する金属珪素粒子を触媒として添加
することにより、反応の活性を高めることができる。
化銅と素金属珪素粒子を直接投入したのでは、従来技術
に述べたようなトラブルを起こす。これは銅成分と珪素
成分とが合金を形成する際に凝集しやすいという性質を
持つからである。そのためには、該反応器とは別の場所
で凝集しない特別な条件下で、予め安定な銅シリサイド
を形成しておけばよい。凝集させずに銅と素金属珪素と
を反応させる方法として本発明方法が最適である。
有率が75%以上の冶金グレードの珪素であれば特に限
定されず、鉄やアルミニウム等の不純物を含有してもよ
い。例えばJIS−G2312に定める金属珪素1号ま
たは金属珪素2号、またはGIS−G2302に定める
フェロシリコン1号またはフェロシリコン2号等を指
す。素金属珪素粒子は、反応生成物を触媒としてトリク
ロロシラン製造のための流動層反応に供給することがで
きるように、上記素金属珪素を機械的な粉砕もしくは酸
等の薬品処理による粉砕によって、その粒径及び粒度分
布を調整したものを使用することが好ましい。一般に流
動層において、層内に平均粒径の異なる二種類の粒子群
が存在するとき、それらの粒子の真密度が似通っている
場合には、その粒径比が5〜6倍のときに均質な混合状
態がくずれて、大きい粒子径を持つ粒子群が流動層の下
方へ集まりやすくなるという性質がある。このような状
態を偏析状態という。前述の流動層による反応の原料に
使用される素金属珪素の平均粒径すなわち反応器内の平
均粒径は100〜300μmで運用されるため、添加す
る触媒の金属珪素粒子は、該粒子がこの流動層内で偏析
することなく均一に混合されるためにはその平均粒径も
20μm以上2mm以下でなくてはならない。また、粒
径の小さい銅シリサイドの粒子群は凝集体を形成しやす
いという性質を持つため、反応中に触媒を追加投入する
場合、該粒子の粒径が20μm以下であっては、投入直
後に凝集によるトラブルを起こし易い。以上の理由から
粒径は、平均粒径が30μm〜2mm、好適には50μ
m〜1.5mm、さらに好適には100μm〜1.5mm
である。
mmを超える粗大な粒子であってはならない。なぜなら
ば、触媒原料である素金属珪素の平均粒径が30μm〜
2mmであるため、塩化銅の平均粒径が1mmを超える
と、塩化銅が還元される際、この塩化銅の周囲を覆った
素金属珪素粒子に過剰量の銅元素を含む銅シリサイドが
形成されるからである。このような銅シリサイドは極め
て凝集性が高いため、触媒として使用する際にさらなる
粒子同士の凝集を引き起こし、トラブルの原因となり易
い。
の単粒子径を言うのであって、凝集粒子の粒径ではな
い。なぜなら、単粒子は銅シリサイドの形成中に粒子が
粉砕されることはないが、凝集粒子は撹拌により適当に
粉砕され、問題なく使用されるからである。また塩化銅
の形態は、塩化銅(I)または塩化銅(II)が使用さ
れ、その純度は特に限定されない。
をほぼ均質に混合させ、次いでその混合物を不必要な酸
化物または塩化物を生成することのない非酸化性ガス、
例えば窒素、水素、アルゴンあるいはこれらの混合ガス
等の雰囲気下に、温度を250℃以上に保つことによっ
て銅シリサイドを形成させることができる。このとき該
混合物は静止下の状態でも特に問題ないが、流動層また
は回転ドラム等を用いて撹拌することにより、より均質
な金属珪素粒子を得ることができる。混合物の温度を上
昇させると塩化水素やトリクロロシラン等の酸性成分を
発生しながら、素金属珪素粒子の表面には銅シリサイド
が形成される。加熱に必要な時間は加熱状態や雰囲気ガ
スの種類によってある程度の違いが生じるが、酸性成分
が流通させる雰囲気ガス中からほとんど消失することを
以って、銅シリサイドの形成が終了したと判定すること
が可能である。
銅粒子の割合は、素金属珪素粒子100重量部に対し、
銅含有量として30重量部以下になるように混合するこ
とが好ましい。混合割合が銅含有量で30重量部を超え
ると、銅シリサイドを形成させる過程で粒子表面の銅濃
度が85%を越える銅シリサイドを生成し凝集し易くな
るからである。
子表面に銅シリサイドを有する金属珪素粒子が生成され
る。本発明にいう粒子表面とは、走査型電子顕微鏡のE
DS(エネルギー分散型検出装置)で測定される範囲を
指す。EDSによる信号は粒子表面に分布する元素の存
在割合を示すので、粒子表面の組成はEDSの信号を解
析することによって知ることができる。具体的には、電
子顕微鏡の加速電圧を20kVとしてその粒子上に照準
を合わせた後、倍率を1000倍に設定する。次いでそ
の視野内で1辺が10μmの正方形内におけるEDSの
X線強度を測定し、その強度比より表面における元素の
組成比を求めるものとする。
の含有率が85%以下の銅とシリコンの合金をいう。表
面の銅の濃度が85%を超えた場合、温度を上昇させた
際に粒子同士が凝集を始める。これは安定な銅とシリコ
ンの合金組成比の上限がCu 5Si、すなわち銅の濃度
が83.3%であるためと考えられる。トリクロロシラ
ン等の製造のような、粒子の凝集が起こりやすい反応条
件においては合金組成をCu4Si、すなわち銅の濃度
を80%以下にすることが好ましく、さらに凝集の起こ
りやすい反応条件においては合金組成をCu3Si、す
なわち銅濃度を75%以下にするのが好適である。実際
には確率的な影響から、局部的に銅の濃度が85%を越
える部分が存在する。しかし本発明の本質は、他の粒子
との凝集を起こそうとする不安定な銅過多のシリサイド
および金属銅が、粒子表面に多く露出することを防ぐも
のである。従って、上記の局部的な領域が存在しても、
その領域が粒子表面全体の10%以下であれば流動悪化
等の問題を引き起こすことはない。従って、本発明にお
いて製造の対象とする銅シリサイドを有する金属珪素粒
子は、好ましくは1個の金属珪素粒子表面の表面積の9
0%以上に銅の含有率が85%以下の銅とシリコンの合
金が存在するものである。
元素を含んでいてもよく、例えば鉄やアルミニウム等と
合金様化合物を形成していてもよい。
な触媒となる銅シリサイドは反応に関与する粒子表面付
近に存在することが肝要と考えられる。本発明の粒子表
面に銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法によ
れば、表面から10μmまでの深さの部分に銅シリサイ
ドの少なくとも80%を存在させることが可能であり、
従って触媒効果を維持したまま、銅の使用量を低減する
ことができる。本発明でいう表面から10μmまでの深
さにおける銅シリサイドの存在量は、以下に示す方法で
測定される。
度70%の硝酸と濃度50%の弗化水素酸を10:1で
混合した液体約100mlに、よく撹拌しながら5〜3
0秒間浸し、その後大量の水に投入して反応をとめる。
すばやく粒子を濾別・乾燥させた後、重量を測定する。
その重量減少量から何μm溶解したかを知ることができ
る。これらの条件を1回ないし数回繰り返し、平均とし
て表面から10μmの深さまでが除去されるように溶解
させる。表面から10μmの深さの部分に存在する銅の
含有量は、表面を溶解させる以前の粒子全体に含まれる
銅含有量と、上記の方法によって表面から10μmだけ
溶解除去した粒子全体に含まれる銅含有量との差から知
ることができる。また、粒子全体に含まれる銅含有量
は、粒子を硝酸と弗化水素酸の混合水溶液によって完全
に溶解させ、ICP(ラジオ波誘導結合プラズマ)発光
分光分析装置を用いて測定することができる。
金属珪素粒子を触媒として、四塩化珪素、金属珪素粒子
および水素からトリクロロシランを製造する反応は、例
えば下記の如く行うことができる。原料の四塩化珪素の
源は、特に制限されないが、工業的に最も好適には、前
記シリコンの析出反応により副生した四塩化珪素が経済
的にも有利であるため好適に使用される。この副生四塩
化珪素は、シリコンの析出反応において、未反応のトリ
クロロシラン、塩化水素等を含有した状態で得られる。
該四塩化珪素をそのまま或いは他の成分を分離した実質
的に純粋な四塩化珪素として使用することができる。し
かし、実質的に純粋な四塩化珪素を使用することが、反
応転化率を向上させるために好適である。
特に制限されないが、珪素含有率が75重量%以上、好
ましくは95重量%以上の冶金グレードの珪素粒子が好
適に使用できる。また、反応系内において、珪素粒子表
面での反応速度を大きくするため、珪素粒子は、表面積
の大きい粒子状であることが好ましい。また、反応は後
記の流動層反応器を使用して行うのが一般的であり、こ
の場合、珪素粒子の大きさは、より良い流動を得るた
め、平均粒径が100〜300μmであることが好まし
い。
の、或いは他の製造工程より副生するもの等、その源に
特に制限なく使用される。珪素粒子と、四塩化珪素およ
び水素の混合ガラスとを反応させる方法としては、40
0〜700℃、好ましくは450〜600℃の温度下に
流動層で反応させる方法が採用される。
素粒子と、四塩化珪素および水素とを連続的或いは断続
的に供給しながら実施するのが一般的である。好適な態
様は、四塩化珪素および水素を連続的に供給しながら、
珪素粒子をその消費量に応じて断続的に供給する方法が
挙げられる。
代表的な流動層方式の反応装置の概略断面図が示されて
いる。反応器1は、フリーボード部2と粒子流動部3よ
りなり、該粒子流動部の下部に供給ガス流入管5および
その先端に接続するガス分散器4を有し、上記粒子流動
部の上部に開口する粒子供給管6を有する。また、上記
粒子流動部3の中間部に粒子排出管8の開口部が開口
し、他端は、微粒子回収サイクロン7を介して反応ガス
排出管10に接続されている。このようにして、粒子流
動部に形成される流動層11の粒子を含むガスは、微粒
子回収サイクロン7において微粒子を分離した後、反応
ガス排出管10より排出するように構成される。なお、
粒子排出管8の開口部にはトリクル弁9が設けられてい
る。
管6から供給される。この場合、触媒は、該粒子供給管
6から同時に供給することができる。一方、四塩化珪素
および水素は供給ガス流動管5よりガス分散器4を経て
供給され、流動層11が形成される。上記四塩化珪素お
よび水素は反応に関与しない不活性ガス、例えば窒素ガ
ス、アルゴンガス等により希釈して供給することもでき
る。
と共に粒子排出管8より微粒子回収サイクロンに導か
れ、実質的に粒子を含まないガスとして反応ガス排出管
10より排出される。四塩化珪素および水素の供給量
は、流動層が形成可能な流量を確保できる範囲で適宜決
定することができる。また、四塩化珪素および水素の比
は、四塩化珪素1モルに対して水素1〜5モルが一般的
であるが、製造されるトリクロロシランの総量は反応器
に供給される四塩化珪素の流量とトリクロロシランへの
変換反応の反応率の積であるため、四塩化珪素1モルに
対して水素1〜3モルの割合が好ましい。
くとも表面に銅シリサイドを有する金属珪素粒子は、流
動層反応によってトリクロロシランを製造する場合に
も、投入ラインの閉塞や凝集・塊状化等による流動悪化
を全く起こすことがない。すなわち、通常の素金属珪素
粒子を投入する場合となんら変わることのない流動状態
を維持しながら、なおかつ非常に高い反応率を長期間安
定して得ることができる。
kgに、開孔径が2mmの篩いにかけた平均粒径1mm
の塩化銅(I)を2kg混合し、その混合物を流動層中
で窒素と水素を1:1で混合したガスでゆるやかに流動
させながら、温度を300℃に12時間保った。冷却後
取り出した反応物は約6.2kgであった。
溶液によって全量溶解させ、銅含有量を測定したところ
約20重量%であった。また粒子の表面を10μmだけ
溶解させて銅含有量を測定したところ、その部分に粒子
全体の95%の銅を含有していた。また任意の異なる位
置4カ所(位置A、B、CおよびD)のEDSによるX
線強度を測定したところ、表1のような結果が得られ
た。
度98%、平均粒径150μmの素金属珪素粒子35k
gを充填し、温度500度、圧力0.7MPaGの条件
下で、水素と四塩化珪素のモル比2.5:1の混合ガス
100Nm3/Hrで流動反応させた。 h1 分散板上面から流動部の上端までの高さ・・・6
50mm h2 テーパ部の高さ・・・150mm h3 フリーボード部の高さ・・・1100mm h4 サイクロンの高さ・・・380mm h5 サイクロン上部の高さ・・・150mm h6 粒子排出管の高さ・・・1000mm d1 流動部の内径・・・298mm d2 フリーボード部の内径・・・478mm d3 サイクロン上部の内径・・・115mm d4 粒子排出管の内径・・・30mm 反応開始から時間の経過と共に徐々に反応率は上昇した
が、その後一定になった。このときの反応率を表2に示
す。なお反応率は、反応器前後のガス濃度をガスクロマ
トグラフによって測定し、反応系に供給する四塩化珪素
のモル数を100%とおいてこの内の何%がトリクロロ
シランへ転化されたかを示すものとする。すなわち、 反応率(%)=[トリクロロシランに転化した四塩化珪
素のモル数]/[供給した四塩化珪素のモル数]×10
0 で表わすものとする。
動化金属珪素粒子の減少を補うかのごとく、流動層の粉
面位置が一定に保たれるように、実施例1で調製した銅
シリサイドを有する金属珪素粒子6kgを逐次投入し
た。本触媒を少量投入した時点から急速に反応率は向上
し始めた。
率を表2に併記する。この触媒の投入の間、投入ライン
の閉塞等は全く発生せず、また流動状態の悪化も全く観
測されなかった。触媒である銅シリサイドを有する金属
珪素粒子6kg全量を投入し終わった後も、銅シリサイ
ドを有しない素金属珪素粒子を、流動層粉面位置を一定
に保つように逐次供給しながらさらに反応を60日間継
続させた。60日後の反応率を表2に併記した。表に示
したように反応率の低下はほとんど認められなかったば
かりでなく、この間に流動状態の悪化は全く観測されな
かった。反応を強制的に停止させ、冷却後開放し、流動
層反応器内部および抜き出された金属珪素粒子を点検し
たが、いずれにも塊状物等の存在は認められなかった。
kgに、平均粒径が3mmの塩化銅(I)を2kg混合
し、その混合物を流動層中で窒素と水素を1:1で混合
したガスでゆるやかに流動させながら、温度を300℃
に24時間保った。冷却後取り出した反応物は約6.3
kgであった。
全く同様の条件下にて素金属珪素粒子のみで反応を開始
した。反応率が安定した後、比較例1で調製した触媒6
kgを実施例1と同様の要領で反応器へ投入していった
ところ、反応率は一時向上していく傾向を示したもの
の、やがて微粒子回収用サイクロン7の上部に付属する
反応ガス排出管10から流動層中の粒子が排出され、触
媒の投入が完了した後の安定した反応率は結果的には触
媒を投入する以前と同程度であった。反応率の推移を表
3に示す。
ろ、微粒子回収用サイクロン7の下部に付属する粒子排
出管8の内部が塊状物によって一部閉塞されていること
を認めた。また、抜き出された粒子中には幾つかの凝集
物が認められた。
kgに、開孔径が2mmの篩いにかけた、平均粒径1m
mの塩化銅(I)を5kg混合し、その混合物を流動層
中で窒素と水素を1:1で混合したガスでゆるやかに流
動させながら、温度を300℃に12時間保った。冷却
後取り出した反応物は約8kgであった。
全く同様の条件下にて素金属珪素粒子のみで反応を開始
した。反応率が安定した後、比較例3で調製した触媒6
kgを実施例1と同様の要領で反応器へ投入していった
ところ、流動層差圧が次第に異常な変動を示し、流動状
態が極度に悪化したことを認めた。また微粒子回収用サ
イクロン7の上部に付属する反応ガス排出ライン10か
ら流動中の粒子が多量に排出され、触媒の投入が完了し
た後の安定した反応率は触媒を投入する以前より若干上
昇した程度であった。反応率の推移を表4に示す。冷却
後開放して粒子を観察したところ、抜き出された粒子中
には銅粉末の凝集物および金属珪素粒子と銅粉末の凝集
物が認められた。また反応器内部を点検したところ、微
粒子回収用サイクロン7の下部に付属する粒子排出管8
の内部が塊状物によって一部閉塞されていることを認め
た。
断面図である。
50mm h2 テーパ部の高さ・・・150mm h3 フリーボード部の高さ・・・1100mm h4 サイクロンの高さ・・・380mm h5 サイクロン上部の高さ・・・150mm h6 粒子排出管の高さ・・・1000mm d1 流動部の内径・・・298mm d2 フリーボード部の内径・・・478mm d3 サイクロン上部の内径・・・115mm d4 粒子排出管の内径・・・30mm
Claims (4)
- 【請求項1】 平均粒径が50μm〜2mmの素金属珪
素粒子並びに平均粒径1mm以下の塩化銅(I)粒子お
よび/または塩化銅(II)粒子を、非酸化性ガスの雰
囲気下に、少なくとも250℃の温度に加熱することを
特徴とする、少なくとも粒子表面に銅シリサイドを有す
る金属珪素粒子の製造方法。 - 【請求項2】 素金属珪素粒子100重量部に対し、塩
化銅(I)および/または塩化銅(II)粒子を銅含有
量として30重量部以下で用いる請求項1の方法。 - 【請求項3】 非酸化性ガスが、窒素、水素、アルゴン
あるいはこれらの混合ガスである請求項1の方法。 - 【請求項4】 表面から10μmまでの深さの部分に、
銅シリサイドの80%が存在する金属珪素粒子を製造す
る請求項1の方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34169596A JP3708649B2 (ja) | 1995-12-25 | 1996-12-20 | 銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33678195 | 1995-12-25 | ||
JP7-336781 | 1995-12-25 | ||
JP34169596A JP3708649B2 (ja) | 1995-12-25 | 1996-12-20 | 銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09235114A true JPH09235114A (ja) | 1997-09-09 |
JP3708649B2 JP3708649B2 (ja) | 2005-10-19 |
Family
ID=26575579
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP34169596A Expired - Lifetime JP3708649B2 (ja) | 1995-12-25 | 1996-12-20 | 銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3708649B2 (ja) |
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- 1996-12-20 JP JP34169596A patent/JP3708649B2/ja not_active Expired - Lifetime
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---|---|
JP3708649B2 (ja) | 2005-10-19 |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050620 |
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