JPH0923107A - シールド型コプレーナガイド伝送線路 - Google Patents
シールド型コプレーナガイド伝送線路Info
- Publication number
- JPH0923107A JPH0923107A JP7173757A JP17375795A JPH0923107A JP H0923107 A JPH0923107 A JP H0923107A JP 7173757 A JP7173757 A JP 7173757A JP 17375795 A JP17375795 A JP 17375795A JP H0923107 A JPH0923107 A JP H0923107A
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- JP
- Japan
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- transmission line
- guide transmission
- conductor
- ground conductor
- shield
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波での信号の反射や減衰が起きず、ミリ
波帯まで使用可能なシールド型コプレーナガイド伝送線
路を提供すること。 【解決手段】 １はアルミナ等で形成された誘電体基
板、２は中心導体、３は接地導体、４はビアホール、５
は裏面の接地導体、６はシールド用の接地導体である。
基板上の導体（中心導体２，接地導体３および接地導体
５）は、通常、タングステン，金などにより形成されて
いる。また、シールド用接地導体６はコバールなどの金
属で作られている。さらに、同軸コネクタとの接続部分
（コネクタ接続部）において、シールド型コプレーナガ
イド伝送線路の中心導体２と接地導体３との間隔、およ
び、シールド用接地導体６で囲まれた空間の断面積を、
該シールド型コプレーナガイド伝送線路の他の部分の中
心導体と接地導体との間隔、および、シールド用接地導
体で囲まれた空間の断面積に比べて大きくした。
波帯まで使用可能なシールド型コプレーナガイド伝送線
路を提供すること。 【解決手段】 １はアルミナ等で形成された誘電体基
板、２は中心導体、３は接地導体、４はビアホール、５
は裏面の接地導体、６はシールド用の接地導体である。
基板上の導体（中心導体２，接地導体３および接地導体
５）は、通常、タングステン，金などにより形成されて
いる。また、シールド用接地導体６はコバールなどの金
属で作られている。さらに、同軸コネクタとの接続部分
（コネクタ接続部）において、シールド型コプレーナガ
イド伝送線路の中心導体２と接地導体３との間隔、およ
び、シールド用接地導体６で囲まれた空間の断面積を、
該シールド型コプレーナガイド伝送線路の他の部分の中
心導体と接地導体との間隔、および、シールド用接地導
体で囲まれた空間の断面積に比べて大きくした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ミリ波帯で動作
するＩＣチップとパッケージの同軸コネクタとの接続な
どに使用されるシールド型コプレーナガイド伝送線路に
関する。
するＩＣチップとパッケージの同軸コネクタとの接続な
どに使用されるシールド型コプレーナガイド伝送線路に
関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来のシールド型コプレーナガ
イド伝送線路の構成例を示す説明図である。この図にお
いて、（ａ）は上記シールド型コプレーナガイド伝送線
路の上面図（但し、シールド用接地導体を透視して見た
図）であり、（ｂ）は同シールド型コプレーナガイド伝
送線路の側面図である。この図において、１はアルミナ
等で形成された誘電体基板、２は中心導体、３は接地導
体、４はビアホール、５は裏面の接地導体、６はシール
ド用の接地導体である。基板上の導体（中心導体２，接
地導体３および接地導体５）は、通常、タングステン，
金などにより形成されている。また、シールド用接地導
体６はコバールなどの金属で作られている。
イド伝送線路の構成例を示す説明図である。この図にお
いて、（ａ）は上記シールド型コプレーナガイド伝送線
路の上面図（但し、シールド用接地導体を透視して見た
図）であり、（ｂ）は同シールド型コプレーナガイド伝
送線路の側面図である。この図において、１はアルミナ
等で形成された誘電体基板、２は中心導体、３は接地導
体、４はビアホール、５は裏面の接地導体、６はシール
ド用の接地導体である。基板上の導体（中心導体２，接
地導体３および接地導体５）は、通常、タングステン，
金などにより形成されている。また、シールド用接地導
体６はコバールなどの金属で作られている。
【０００３】また、図４は、従来のシールド型コプレー
ナガイド伝送線路とＶコネクタなどの同軸コネクタとの
接続の代表例を示す説明図である。この図において、
（ａ）はシールド型コプレーナガイド伝送線路と同軸コ
ネクタとの接続例を示す説明図であり、（ｂ）は伝送線
路部の上面図（但し、シールド用接地導体を透視して見
た図）であり、（ｃ）は伝送線路部を（ｂ）に示すａ−
ａ’で切断した場合の切断図である。この図において、
７は同軸コネクタの中心導体、８はビーズ、９は同軸コ
ネクタのコネクタ部（外部導体）、１０はハウジング
（誘電体）である。
ナガイド伝送線路とＶコネクタなどの同軸コネクタとの
接続の代表例を示す説明図である。この図において、
（ａ）はシールド型コプレーナガイド伝送線路と同軸コ
ネクタとの接続例を示す説明図であり、（ｂ）は伝送線
路部の上面図（但し、シールド用接地導体を透視して見
た図）であり、（ｃ）は伝送線路部を（ｂ）に示すａ−
ａ’で切断した場合の切断図である。この図において、
７は同軸コネクタの中心導体、８はビーズ、９は同軸コ
ネクタのコネクタ部（外部導体）、１０はハウジング
（誘電体）である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来のシールド型コプレーナガイド伝送線路においては、
該シールド型コプレーナガイドの中心導体と接地導体と
の間隔、および、シールド用接地導体で囲まれた空間の
断面積は、同軸コネクタとの接続部分を含めて一定値と
なるように設計されている。このため、同軸コネクタと
の接続部分において、該同軸コネクタの中心導体とシー
ルド型コプレーナガイド伝送線路の接地導体およびシー
ルド用接地導体との間の容量成分により、特性インピー
ダンスが低下した。その結果、シールド型コプレーナガ
イド伝送線路と同軸コネクタとの間のインピーダンス不
整合が大きくなり、高周波での信号の反射や減衰が起き
る、という欠点があった。このため、従来のシールド型
コプレーナガイド伝送線路を用いたモジュールでは高周
波性能が劣化する、という問題点があった。
来のシールド型コプレーナガイド伝送線路においては、
該シールド型コプレーナガイドの中心導体と接地導体と
の間隔、および、シールド用接地導体で囲まれた空間の
断面積は、同軸コネクタとの接続部分を含めて一定値と
なるように設計されている。このため、同軸コネクタと
の接続部分において、該同軸コネクタの中心導体とシー
ルド型コプレーナガイド伝送線路の接地導体およびシー
ルド用接地導体との間の容量成分により、特性インピー
ダンスが低下した。その結果、シールド型コプレーナガ
イド伝送線路と同軸コネクタとの間のインピーダンス不
整合が大きくなり、高周波での信号の反射や減衰が起き
る、という欠点があった。このため、従来のシールド型
コプレーナガイド伝送線路を用いたモジュールでは高周
波性能が劣化する、という問題点があった。
【０００５】この発明は、このような背景の下になされ
たもので、高周波での信号の反射や減衰が起きず、ミリ
波帯まで使用可能なシールド型コプレーナガイド伝送線
路を提供することを目的とする。
たもので、高周波での信号の反射や減衰が起きず、ミリ
波帯まで使用可能なシールド型コプレーナガイド伝送線
路を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
誘電体基板に中心導体と接地導体とが形成されていると
共に、該誘電体基板の上部空間がシールド用接地導体で
囲まれている構造を有し、かつ、外部同軸コネクタとの
接続部分を有するシールド型コプレーナガイド伝送線路
において、前記接続部分における前記シールド型コプレ
ーナガイド伝送線路の中心導体と接地導体との間隔、お
よび、前記シールド用接地導体で囲まれた空間の断面積
が、前記接続部分以外の部分における中心導体と接地導
体との間隔、および、シールド用接地導体で囲まれた空
間の断面積より大きいことを特徴としている。
誘電体基板に中心導体と接地導体とが形成されていると
共に、該誘電体基板の上部空間がシールド用接地導体で
囲まれている構造を有し、かつ、外部同軸コネクタとの
接続部分を有するシールド型コプレーナガイド伝送線路
において、前記接続部分における前記シールド型コプレ
ーナガイド伝送線路の中心導体と接地導体との間隔、お
よび、前記シールド用接地導体で囲まれた空間の断面積
が、前記接続部分以外の部分における中心導体と接地導
体との間隔、および、シールド用接地導体で囲まれた空
間の断面積より大きいことを特徴としている。
【０００７】請求項２記載の発明は、請求項１記載のシ
ールド型コプレーナガイド伝送線路において、前記接続
部分における前記シールド型コプレーナガイド伝送線路
の中心導体と接地導体との間隔、および、前記シールド
用接地導体で囲まれた空間の断面積を調整することによ
り、該接続部分における特性インピーダンスが４０〜６
０Ωであることを特徴としている。
ールド型コプレーナガイド伝送線路において、前記接続
部分における前記シールド型コプレーナガイド伝送線路
の中心導体と接地導体との間隔、および、前記シールド
用接地導体で囲まれた空間の断面積を調整することによ
り、該接続部分における特性インピーダンスが４０〜６
０Ωであることを特徴としている。
【０００８】
§１．発明の特徴と従来技術との差異 本発明は、同軸コネクタの中心導体とシールド型コプレ
ーナガイド伝送線路の中心導体との接続部において、該
シールド型コプレーナガイド伝送線路の中心導体と接地
導体との間隔、および、シールド用接地導体で囲まれた
空間の断面積を、該シールド型コプレーナガイド伝送線
路の他の部分の上記間隔、および、上記断面積に比べて
大きくすることを最も主要な特徴とする。
ーナガイド伝送線路の中心導体との接続部において、該
シールド型コプレーナガイド伝送線路の中心導体と接地
導体との間隔、および、シールド用接地導体で囲まれた
空間の断面積を、該シールド型コプレーナガイド伝送線
路の他の部分の上記間隔、および、上記断面積に比べて
大きくすることを最も主要な特徴とする。
【０００９】これにより、本発明は、同軸コネクタとの
接続部分において、該同軸コネクタの中心導体とシール
ド型コプレーナガイド伝送線路の接地導体およびシール
ド用接地導体との間の容量成分により特性インピーダン
スが低下するのを防ぐ。その結果、本発明は、上記接続
部分の特性インピーダンスを４０〜６０Ωとして、シー
ルド型コプレーナガイド伝送線路と同軸コネクタとの間
のインピーダンス不整合を改善できる、という点で従来
の技術と比較して大きな差異を有する。
接続部分において、該同軸コネクタの中心導体とシール
ド型コプレーナガイド伝送線路の接地導体およびシール
ド用接地導体との間の容量成分により特性インピーダン
スが低下するのを防ぐ。その結果、本発明は、上記接続
部分の特性インピーダンスを４０〜６０Ωとして、シー
ルド型コプレーナガイド伝送線路と同軸コネクタとの間
のインピーダンス不整合を改善できる、という点で従来
の技術と比較して大きな差異を有する。
【００１０】§２．実施形態 以下、図面を参照して、この発明の実施形態について説
明する。図１は、この発明の一実施形態によるシールド
型コプレーナガイド伝送線路の構成を示す説明図であ
る。この図において、（ａ）は上記シールド型コプレー
ナガイド伝送線路の上面図（但し、シールド用接地導体
を透視して見た図）であり、（ｂ）は上記シールド型コ
プレーナガイド伝送線路を（ａ）に示すａ−ａ’で切断
した場合の切断図であり、（ｃ）は上記シールド型コプ
レーナガイド伝送線路を（ａ）に示すｂ−ｂ’で切断し
た場合の切断図である。この図において、図３の各部に
対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略す
る。
明する。図１は、この発明の一実施形態によるシールド
型コプレーナガイド伝送線路の構成を示す説明図であ
る。この図において、（ａ）は上記シールド型コプレー
ナガイド伝送線路の上面図（但し、シールド用接地導体
を透視して見た図）であり、（ｂ）は上記シールド型コ
プレーナガイド伝送線路を（ａ）に示すａ−ａ’で切断
した場合の切断図であり、（ｃ）は上記シールド型コプ
レーナガイド伝送線路を（ａ）に示すｂ−ｂ’で切断し
た場合の切断図である。この図において、図３の各部に
対応する部分には同一の符号を付け、その説明を省略す
る。
【００１１】本実施形態では、同軸コネクタとの接続部
分（図１示すコネクタ接続部）において、シールド型コ
プレーナガイド伝送線路の中心導体２と接地導体３との
間隔、および、シールド用接地導体６で囲まれた空間の
断面積が、該シールド型コプレーナガイド伝送線路の他
の部分の中心導体と接地導体との間隔、および、シール
ド用接地導体で囲まれた空間の断面積に比べて大きくな
っている。
分（図１示すコネクタ接続部）において、シールド型コ
プレーナガイド伝送線路の中心導体２と接地導体３との
間隔、および、シールド用接地導体６で囲まれた空間の
断面積が、該シールド型コプレーナガイド伝送線路の他
の部分の中心導体と接地導体との間隔、および、シール
ド用接地導体で囲まれた空間の断面積に比べて大きくな
っている。
【００１２】このため、同軸コネクタとの接続部分にお
ける該同軸コネクタの中心導体とシールド型コプレーナ
ガイド伝送線路の接地導体およびシールド用接地導体と
の間の容量成分による特性インピーダンスの低下を、上
記中心導体と接地導体との間隔を拡げて調整することに
より防ぐことが可能になる。
ける該同軸コネクタの中心導体とシールド型コプレーナ
ガイド伝送線路の接地導体およびシールド用接地導体と
の間の容量成分による特性インピーダンスの低下を、上
記中心導体と接地導体との間隔を拡げて調整することに
より防ぐことが可能になる。
【００１３】したがって、シールド型コプレーナガイド
伝送線路と同軸コネクタとの間の接続部分の特性インピ
ーダンスをほぼ５０Ωにでき、該接続部分の不整合をき
わめて少なくすることが可能である。このため、本実施
形態によるシールド型コプレーナガイド伝送線路を用い
たモジュールでは、ミリ波帯まで良好な高周波性能が得
られる。
伝送線路と同軸コネクタとの間の接続部分の特性インピ
ーダンスをほぼ５０Ωにでき、該接続部分の不整合をき
わめて少なくすることが可能である。このため、本実施
形態によるシールド型コプレーナガイド伝送線路を用い
たモジュールでは、ミリ波帯まで良好な高周波性能が得
られる。
【００１４】§３．実施例 図２は、従来のシールド型コプレーナガイド伝送線路を
Ｖコネクタで接続した場合の周波数特性と、本実施形態
によるシールド型コプレーナガイド伝送線路をＶコネク
タで接続した場合の周波数特性を、Ｓパラメータにより
比較したものである。この図において、（ａ）は従来の
シールド型コプレーナガイド伝送線路の周波数特性を示
し、（ｂ）は本実施形態によるシールド型コプレーナガ
イド伝送線路の周波数特性を示す。また、この図におい
てＳ11は反射特性を示す。
Ｖコネクタで接続した場合の周波数特性と、本実施形態
によるシールド型コプレーナガイド伝送線路をＶコネク
タで接続した場合の周波数特性を、Ｓパラメータにより
比較したものである。この図において、（ａ）は従来の
シールド型コプレーナガイド伝送線路の周波数特性を示
し、（ｂ）は本実施形態によるシールド型コプレーナガ
イド伝送線路の周波数特性を示す。また、この図におい
てＳ11は反射特性を示す。
【００１５】図２（ａ）より、従来のシールド型コプレ
ーナガイド伝送線路では、２０ＧＨｚ以上の周波数にお
いて、Ｓ11は−２０ｄＢ以上になっている。これによ
り、シールド型コプレーナガイド伝送線路と同軸コネク
タとの間のインピーダンス不整合が起きていることがわ
かる。一方、図２（ｂ）によると、本実施形態によるシ
ールド型コプレーナガイド伝送線路では、周波数が４８
ＧＨｚになるまでＳ11は−２０ｄＢ以下である。このこ
とから、本実施形態によるシールド型コプレーナガイド
伝送線路では良好な周波数特性が得られており、従来と
比較して、インピーダンス不整合が改善されていること
がわかる。
ーナガイド伝送線路では、２０ＧＨｚ以上の周波数にお
いて、Ｓ11は−２０ｄＢ以上になっている。これによ
り、シールド型コプレーナガイド伝送線路と同軸コネク
タとの間のインピーダンス不整合が起きていることがわ
かる。一方、図２（ｂ）によると、本実施形態によるシ
ールド型コプレーナガイド伝送線路では、周波数が４８
ＧＨｚになるまでＳ11は−２０ｄＢ以下である。このこ
とから、本実施形態によるシールド型コプレーナガイド
伝送線路では良好な周波数特性が得られており、従来と
比較して、インピーダンス不整合が改善されていること
がわかる。
【００１６】以上、この発明の実施形態を図面を参照し
て詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
て詳述してきたが、具体的な構成はこの実施形態に限ら
れるものではなく、この発明の要旨を逸脱しない範囲の
設計の変更等があってもこの発明に含まれる。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、ミリ波帯まで使用可能なシールド型コプレーナガイ
ド伝送線路を実現できるため、ミリ波帯で動作するＩＣ
モジュールの内部でのＩＣチップとコネクタとの接続部
の特性劣化を抑止でき、特性の良好なミリ波帯モジュー
ルを提供することが可能となる。
ば、ミリ波帯まで使用可能なシールド型コプレーナガイ
ド伝送線路を実現できるため、ミリ波帯で動作するＩＣ
モジュールの内部でのＩＣチップとコネクタとの接続部
の特性劣化を抑止でき、特性の良好なミリ波帯モジュー
ルを提供することが可能となる。
【図１】この発明の一実施形態によるシールド型コプレ
ーナガイド伝送線路の構成を示す説明図である。
ーナガイド伝送線路の構成を示す説明図である。
【図２】従来のシールド型コプレーナガイド伝送線路ま
たは本実施形態によるシールド型コプレーナガイド伝送
線路をＶコネクタで接続した場合の周波数特性を示すグ
ラフである。
たは本実施形態によるシールド型コプレーナガイド伝送
線路をＶコネクタで接続した場合の周波数特性を示すグ
ラフである。
【図３】従来のシールド型コプレーナガイド伝送線路の
構成例を示す説明図である。
構成例を示す説明図である。
【図４】シールド型コプレーナガイド伝送線路とＶコネ
クタ等の同軸コネクタとの接続例を示す説明図である。
クタ等の同軸コネクタとの接続例を示す説明図である。
１……誘電体基板、 ２……中心導体、 ３……接地導
体、４……ビアホール、 ５……裏面の接地導体、６…
…シールド用接地導体、 ７……同軸コネクタの中心導
体、８……同軸コネクタのビーズ、 ９……同軸コネク
タのコネクタ、１０……ハウジング
体、４……ビアホール、 ５……裏面の接地導体、６…
…シールド用接地導体、 ７……同軸コネクタの中心導
体、８……同軸コネクタのビーズ、 ９……同軸コネク
タのコネクタ、１０……ハウジング
Claims (2)
- 【請求項１】 誘電体基板に中心導体と接地導体とが形
成されていると共に、該誘電体基板の上部空間がシール
ド用接地導体で囲まれている構造を有し、かつ、外部同
軸コネクタとの接続部分を有するシールド型コプレーナ
ガイド伝送線路において、 前記接続部分における前記シールド型コプレーナガイド
伝送線路の中心導体と接地導体との間隔、および、前記
シールド用接地導体で囲まれた空間の断面積が、前記接
続部分以外の部分における中心導体と接地導体との間
隔、および、シールド用接地導体で囲まれた空間の断面
積より大きいことを特徴とするシールド型コプレーナガ
イド伝送線路。 - 【請求項２】 請求項１記載のシールド型コプレーナガ
イド伝送線路において、 前記接続部分における前記シールド型コプレーナガイド
伝送線路の中心導体と接地導体との間隔、および、前記
シールド用接地導体で囲まれた空間の断面積を調整する
ことにより、該接続部分における特性インピーダンスが
４０〜６０Ωであることを特徴とするシールド型コプレ
ーナガイド伝送線路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173757A JPH0923107A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | シールド型コプレーナガイド伝送線路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173757A JPH0923107A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | シールド型コプレーナガイド伝送線路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0923107A true JPH0923107A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15966582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7173757A Pending JPH0923107A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | シールド型コプレーナガイド伝送線路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0923107A (ja) |
Cited By (5)
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1995
- 1995-07-10 JP JP7173757A patent/JPH0923107A/ja active Pending
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