JPH11346106A - マイクロストリップ線路の接続方法 - Google Patents
マイクロストリップ線路の接続方法Info
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- JPH11346106A JPH11346106A JP10150416A JP15041698A JPH11346106A JP H11346106 A JPH11346106 A JP H11346106A JP 10150416 A JP10150416 A JP 10150416A JP 15041698 A JP15041698 A JP 15041698A JP H11346106 A JPH11346106 A JP H11346106A
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- microstrip
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- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロストリップ線路間の不連続部分にお
いて電磁波の放射が発生するため、マイクロストリップ
線路を伝搬している電磁波と不要電磁波の飛び込み等に
よって伝搬してきた電磁波とが合成され、振幅の変動、
位相の変動及びアイソレーションの劣化等が発生してい
た。 【解決手段】 マイクロストリップ線路間の接続部分に
金属キャップ１７を設け、接地用パターン１６ａ，１６
ｂとスルーホール１８を介して接地導体１４と接続する
ことで方形導波管構造を形成するため、ストリップ導体
１１ａ，１１ｂの接続に用いた金リボン１５による不連
続に起因して生じる不要電磁波の放射を導波管のカット
オフ特性を用いて抑圧し、良好な信号分離特性を得るこ
とが可能となる。
いて電磁波の放射が発生するため、マイクロストリップ
線路を伝搬している電磁波と不要電磁波の飛び込み等に
よって伝搬してきた電磁波とが合成され、振幅の変動、
位相の変動及びアイソレーションの劣化等が発生してい
た。 【解決手段】 マイクロストリップ線路間の接続部分に
金属キャップ１７を設け、接地用パターン１６ａ，１６
ｂとスルーホール１８を介して接地導体１４と接続する
ことで方形導波管構造を形成するため、ストリップ導体
１１ａ，１１ｂの接続に用いた金リボン１５による不連
続に起因して生じる不要電磁波の放射を導波管のカット
オフ特性を用いて抑圧し、良好な信号分離特性を得るこ
とが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マイクロストリッ
プ線路の接続方法に関する。
プ線路の接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のマイクロストリップ線路の接続方
法として、図７及び図８に示された接続構造に適用され
たものが知られている。
法として、図７及び図８に示された接続構造に適用され
たものが知られている。
【０００３】このマイクロストリップ線路の接続構造１
００は、離間させつつ配置されたストリップ導体１１０
ａ，１１０ｂと、各ストリップ導体１１０ａ，１１０ｂ
の下面に形成された誘電体基板１２０ａ，１２０ｂと、
各誘電体基板１２０ａ，１２０ｂの下面に形成された接
地導体１３０ａ，１３０ｂと、各接地導体１３０ａ，１
３０ｂの下面に形成されて誘電体基板１２０ａ，１２０
ｂを接続する接地導体１４０と、各ストリップ導体１１
０ａ，１１０ｂの上面に各端部を接続した金リボン１５
０とを備えている。
００は、離間させつつ配置されたストリップ導体１１０
ａ，１１０ｂと、各ストリップ導体１１０ａ，１１０ｂ
の下面に形成された誘電体基板１２０ａ，１２０ｂと、
各誘電体基板１２０ａ，１２０ｂの下面に形成された接
地導体１３０ａ，１３０ｂと、各接地導体１３０ａ，１
３０ｂの下面に形成されて誘電体基板１２０ａ，１２０
ｂを接続する接地導体１４０と、各ストリップ導体１１
０ａ，１１０ｂの上面に各端部を接続した金リボン１５
０とを備えている。
【０００４】このような構成により、例えば、ストリッ
プ導体１１０ａ側のマイクロストリップ線路から高周波
信号が入力されると、金リボン１５０を介してストリッ
プ導体１１０ｂ側のマイクロストリップ線路へ高周波信
号が伝達される。
プ導体１１０ａ側のマイクロストリップ線路から高周波
信号が入力されると、金リボン１５０を介してストリッ
プ導体１１０ｂ側のマイクロストリップ線路へ高周波信
号が伝達される。
【０００５】また、図９及び図１０に示すように、金リ
ボン１５０の代わりにボンディングワイヤ１６０等の導
体を用いて接続した場合、同様にストリップ導体１１０
ａ側のマイクロストリップ線路から高周波信号が入力さ
れると、ボンディングワイヤ１６０を介してストリップ
導体１１０ｂ側のマイクロストリップ線路へ高周波信号
が伝達される。
ボン１５０の代わりにボンディングワイヤ１６０等の導
体を用いて接続した場合、同様にストリップ導体１１０
ａ側のマイクロストリップ線路から高周波信号が入力さ
れると、ボンディングワイヤ１６０を介してストリップ
導体１１０ｂ側のマイクロストリップ線路へ高周波信号
が伝達される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のマイク
ロストリップ線路の接続方法においては、次のような課
題があった。
ロストリップ線路の接続方法においては、次のような課
題があった。
【０００７】マイクロストリップ線路間の接続部分にお
いて、ストリップ導体の厚みに金リボンの厚みが加わ
る。また、金リボンを伝搬する高周波信号と、影像関係
にあるグランド（接地導体）の電気長が異なるためにイ
ンピーダンスの不整合が生じる。
いて、ストリップ導体の厚みに金リボンの厚みが加わ
る。また、金リボンを伝搬する高周波信号と、影像関係
にあるグランド（接地導体）の電気長が異なるためにイ
ンピーダンスの不整合が生じる。
【０００８】このため、この不連続部分において電磁波
の放射が発生し、不要電磁波が空間を通じて接続部付近
の線路や高周波回路に飛び込んだり、外部から飛来した
電磁波を受けやすくなる等して信号分離特性が劣化す
る。
の放射が発生し、不要電磁波が空間を通じて接続部付近
の線路や高周波回路に飛び込んだり、外部から飛来した
電磁波を受けやすくなる等して信号分離特性が劣化す
る。
【０００９】この結果、マイクロストリップ線路を伝搬
している電磁波と不要電磁波の飛び込み等によって伝搬
してきた電磁波とが合成され、振幅の変動、位相の変動
及びアイソレーションの劣化等が発生していた。
している電磁波と不要電磁波の飛び込み等によって伝搬
してきた電磁波とが合成され、振幅の変動、位相の変動
及びアイソレーションの劣化等が発生していた。
【００１０】さらに、同様に接続材料にボンディングワ
イヤを用いた場合においても、接続されるストリップ線
路の幅とボンディングワイヤによって接続されるワイヤ
径が異なるとともに、ボンディングワイヤを伝搬する高
周波信号と、影像関係にあるグランド（接地導体）の電
気長が異なるためにインピーダンスの不整合が生じ、同
様の問題が生じていた。
イヤを用いた場合においても、接続されるストリップ線
路の幅とボンディングワイヤによって接続されるワイヤ
径が異なるとともに、ボンディングワイヤを伝搬する高
周波信号と、影像関係にあるグランド（接地導体）の電
気長が異なるためにインピーダンスの不整合が生じ、同
様の問題が生じていた。
【００１１】本発明は、上記課題にかんがみてなされた
もので、マイクロストリップ線路間の接続部分における
不連続によって生じる不要電磁波の放射を抑圧し、良好
な信号分離特性を得ることの可能なマイクロストリップ
線路の接続方法を提供することを目的とする。
もので、マイクロストリップ線路間の接続部分における
不連続によって生じる不要電磁波の放射を抑圧し、良好
な信号分離特性を得ることの可能なマイクロストリップ
線路の接続方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１にかかる発明は、誘電体基板の一面側にス
トリップ導体を形成し、他面側に接地導体を形成した複
数のマイクロストリップ線路を、金属キャップにより各
マイクロストリップ線路間の不連続部分における不要電
磁波の放射を抑圧させつつ導体で接続し、各接地導体を
共通の接地導体上に配する構成としてある。
め、請求項１にかかる発明は、誘電体基板の一面側にス
トリップ導体を形成し、他面側に接地導体を形成した複
数のマイクロストリップ線路を、金属キャップにより各
マイクロストリップ線路間の不連続部分における不要電
磁波の放射を抑圧させつつ導体で接続し、各接地導体を
共通の接地導体上に配する構成としてある。
【００１３】すなわち、誘電体基板の一面側にストリッ
プ導体を形成して他面側に接地導体を形成した複数のマ
イクロストリップ線路を導体で接続し、各接地導体を共
通の接地導体上に配する。このとき、金属キャップによ
り各マイクロストリップ線路間の不連続部分における不
要電磁波の放射を抑圧させる。
プ導体を形成して他面側に接地導体を形成した複数のマ
イクロストリップ線路を導体で接続し、各接地導体を共
通の接地導体上に配する。このとき、金属キャップによ
り各マイクロストリップ線路間の不連続部分における不
要電磁波の放射を抑圧させる。
【００１４】この不要電磁波の放射を抑圧させるため
に、導波管のカットオフ特性を用いることも可能であ
る。この場合の一例として、請求項２にかかる発明は、
上記請求項１に記載のマイクロストリップ線路の接続方
法において、上記誘電体基板に金属キャップの接地用ス
ルーホールを形成し、最下面に配した接地導体と金属キ
ャップとを電気的に接続することで導波管構造を形成す
る構成としてある。
に、導波管のカットオフ特性を用いることも可能であ
る。この場合の一例として、請求項２にかかる発明は、
上記請求項１に記載のマイクロストリップ線路の接続方
法において、上記誘電体基板に金属キャップの接地用ス
ルーホールを形成し、最下面に配した接地導体と金属キ
ャップとを電気的に接続することで導波管構造を形成す
る構成としてある。
【００１５】すなわち、上記誘電体基板に金属キャップ
の接地用スルーホールを形成する。そして、最下面に配
した接地導体と金属キャップとを電気的に接続させ、導
波管構造を形成する。
の接地用スルーホールを形成する。そして、最下面に配
した接地導体と金属キャップとを電気的に接続させ、導
波管構造を形成する。
【００１６】上記接地導体と金属キャップとを電気的に
接続させる方法の一例として、請求項３にかかる発明
は、上記請求項２に記載のマイクロストリップ線路の接
続方法において、上記接地導体と金属キャップとをスル
ーホールで電気的に接続する構成としてある。
接続させる方法の一例として、請求項３にかかる発明
は、上記請求項２に記載のマイクロストリップ線路の接
続方法において、上記接地導体と金属キャップとをスル
ーホールで電気的に接続する構成としてある。
【００１７】すなわち、上記接地導体と金属キャップと
をスルーホールで電気的に接続させ、導波管構造を形成
する。
をスルーホールで電気的に接続させ、導波管構造を形成
する。
【００１８】このように、上記誘電体基板に金属キャッ
プの接地用スルーホールを形成して電気的接続を行うこ
とは本発明を実現する際に有用な方法となるが、必ずし
もこの方法に限定されるものではなく、上記誘電体基板
に金属キャップの接地用の切削を行うものであっても良
い。この場合の一例として、請求項４にかかる発明は、
上記請求項２に記載のマイクロストリップ線路の接続方
法において、上記誘電体基板に金属キャップの接地用の
切削を行い、上記接地導体と金属キャップとを電気的に
接続する構成としてある。
プの接地用スルーホールを形成して電気的接続を行うこ
とは本発明を実現する際に有用な方法となるが、必ずし
もこの方法に限定されるものではなく、上記誘電体基板
に金属キャップの接地用の切削を行うものであっても良
い。この場合の一例として、請求項４にかかる発明は、
上記請求項２に記載のマイクロストリップ線路の接続方
法において、上記誘電体基板に金属キャップの接地用の
切削を行い、上記接地導体と金属キャップとを電気的に
接続する構成としてある。
【００１９】すなわち、上記誘電体基板に金属キャップ
の接地用の切削を行い、上記接地導体と金属キャップと
を電気的に接続させ、導波管構造を形成する。
の接地用の切削を行い、上記接地導体と金属キャップと
を電気的に接続させ、導波管構造を形成する。
【００２０】本発明は、マイクロストリップ線路間の接
続部分における不連続によって生じる不要電磁波の放射
を抑圧するとの観点から、各マイクロストリップ線路を
接続する導体の種類は適宜変更可能である。
続部分における不連続によって生じる不要電磁波の放射
を抑圧するとの観点から、各マイクロストリップ線路を
接続する導体の種類は適宜変更可能である。
【００２１】この導体の種類の一例として、請求項５に
かかる発明は、上記請求項１〜請求項４のいずれかに記
載のマイクロストリップ線路の接続方法において、各マ
イクロストリップ線路を金リボンで接続する構成として
ある。
かかる発明は、上記請求項１〜請求項４のいずれかに記
載のマイクロストリップ線路の接続方法において、各マ
イクロストリップ線路を金リボンで接続する構成として
ある。
【００２２】すなわち、各マイクロストリップ線路を金
リボンで接続し、金属キャップにより各マイクロストリ
ップ線路間の不連続部分における不要電磁波の放射を抑
圧させる。
リボンで接続し、金属キャップにより各マイクロストリ
ップ線路間の不連続部分における不要電磁波の放射を抑
圧させる。
【００２３】また、別の一例として、請求項６にかかる
発明は、上記請求項１〜請求項４のいずれかに記載のマ
イクロストリップ線路の接続方法において、各マイクロ
ストリップ線路をボンディングワイヤで接続する構成と
してある。
発明は、上記請求項１〜請求項４のいずれかに記載のマ
イクロストリップ線路の接続方法において、各マイクロ
ストリップ線路をボンディングワイヤで接続する構成と
してある。
【００２４】すなわち、各マイクロストリップ線路をボ
ンディングワイヤで接続し、金属キャップにより各マイ
クロストリップ線路間の不連続部分における不要電磁波
の放射を抑圧させる。
ンディングワイヤで接続し、金属キャップにより各マイ
クロストリップ線路間の不連続部分における不要電磁波
の放射を抑圧させる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、図面にもとづいて本発明の
実施形態を説明する。 ＜第一の実施形態＞図１及び図２は、本発明の第一の実
施形態におけるマイクロストリップ線路の接続構造を斜
視図と断面図とにより示している。
実施形態を説明する。 ＜第一の実施形態＞図１及び図２は、本発明の第一の実
施形態におけるマイクロストリップ線路の接続構造を斜
視図と断面図とにより示している。
【００２６】このマイクロストリップ線路の接続構造１
０は、離間させつつ配置されたストリップ導体１１ａ，
１１ｂと、各ストリップ導体１１ａ，１１ｂに隣接して
形成された誘電体基板１２ａ，１２ｂと、各誘電体基板
１２ａ，１２ｂの下面に形成された接地導体１３ａ，１
３ｂと、各接地導体１３ａ，１３ｂの下面に形成されて
誘電体基板１２ａ，１２ｂを接続する接地導体１４と、
各ストリップ導体１１ａ，１１ｂの上面に各端部を接続
した金リボン１５とを備えている。
０は、離間させつつ配置されたストリップ導体１１ａ，
１１ｂと、各ストリップ導体１１ａ，１１ｂに隣接して
形成された誘電体基板１２ａ，１２ｂと、各誘電体基板
１２ａ，１２ｂの下面に形成された接地導体１３ａ，１
３ｂと、各接地導体１３ａ，１３ｂの下面に形成されて
誘電体基板１２ａ，１２ｂを接続する接地導体１４と、
各ストリップ導体１１ａ，１１ｂの上面に各端部を接続
した金リボン１５とを備えている。
【００２７】なお、誘電体基板１２ａ，１２ｂの上面に
は、接地用パターン１６ａ，１６ｂがそれぞれに形成さ
れており、金属キャップ１７が接地用パターン１６ａ，
１６ｂに半田付けされている。また、接地用パターン１
６ａ，１６ｂは、それぞれ１個以上のスルーホール１８
により接地導体１３ａ，１３ｂに接地され、導波管構造
を形成している。
は、接地用パターン１６ａ，１６ｂがそれぞれに形成さ
れており、金属キャップ１７が接地用パターン１６ａ，
１６ｂに半田付けされている。また、接地用パターン１
６ａ，１６ｂは、それぞれ１個以上のスルーホール１８
により接地導体１３ａ，１３ｂに接地され、導波管構造
を形成している。
【００２８】このような構成により、例えば、高周波信
号がストリップ導体１１ａ側のマイクロストリップ線路
から入力されると、金リボン１５を介してストリップ導
体１１ｂ側のマイクロストリップ線路へ伝達される。
号がストリップ導体１１ａ側のマイクロストリップ線路
から入力されると、金リボン１５を介してストリップ導
体１１ｂ側のマイクロストリップ線路へ伝達される。
【００２９】このとき、接続部分の不連続によって不要
電磁波が外部へ放射される。この放射された不要電磁波
は、金属キャップ１７が接地用パターン１６ａ，１６
ｂ、スルーホール１８及び接地導体１３ａ，１３ｂを介
して接地導体１４に接続されているため、シールド効果
により金属キャップ１７の外部へ放射されない。
電磁波が外部へ放射される。この放射された不要電磁波
は、金属キャップ１７が接地用パターン１６ａ，１６
ｂ、スルーホール１８及び接地導体１３ａ，１３ｂを介
して接地導体１４に接続されているため、シールド効果
により金属キャップ１７の外部へ放射されない。
【００３０】また、入力された高周波信号の周波数より
高い周波数でカットオフとなるように、金属キャップ１
７の寸法を設計することにより、不要電磁波は伝搬途中
で遮断されて外部へ漏れない。
高い周波数でカットオフとなるように、金属キャップ１
７の寸法を設計することにより、不要電磁波は伝搬途中
で遮断されて外部へ漏れない。
【００３１】このため、不連続部で発生した不要電磁波
が付近の高周波回路に飛び込むことなく、信号分離特性
の劣化を抑圧することが可能となる。
が付近の高周波回路に飛び込むことなく、信号分離特性
の劣化を抑圧することが可能となる。
【００３２】ここで、金属キャップ１７が接地導体１３
ａ，１３ｂと接続することにより方形導波管構造を形成
し、ストリップ導体１１ａ，１１ｂの接続に用いた金リ
ボン１５等による不連続に起因して生じる不要電磁波の
放射を抑圧する際の原理を説明する。
ａ，１３ｂと接続することにより方形導波管構造を形成
し、ストリップ導体１１ａ，１１ｂの接続に用いた金リ
ボン１５等による不連続に起因して生じる不要電磁波の
放射を抑圧する際の原理を説明する。
【００３３】金属キャップ１７の横幅をＸ、接地導体１
３ａ，１３ｂまでの高さをＹ、長さをＺとすると、金属
キャップ１７内の空間を伝搬する電磁波の周波数は次式
で与えられるカットオフ周波数（＝ｆｃ）以上の電磁波
となる。 ｆｃ＝ｃ／２π｛（ｍπ／Ｘ）2＋（ｍπ／Ｙ）2｝0.5 ただし、ｃ：光速、ｍ，ｎ：０、１、２、・・・
３ａ，１３ｂまでの高さをＹ、長さをＺとすると、金属
キャップ１７内の空間を伝搬する電磁波の周波数は次式
で与えられるカットオフ周波数（＝ｆｃ）以上の電磁波
となる。 ｆｃ＝ｃ／２π｛（ｍπ／Ｘ）2＋（ｍπ／Ｙ）2｝0.5 ただし、ｃ：光速、ｍ，ｎ：０、１、２、・・・
【００３４】ここで、この金属キャップ１７内の空間を
伝搬する電磁波の最長モードは、Ｘ＞Ｙの時ＴＥ１０で
あるため、ｍ＝１及びｎ＝０とすると、ｆｃ＝ｃ／（２
Ｘ）が得られる。従って、マイクロストリップ線路を伝
搬する周波数（＝ｆ）から、ｆ＜ｆｃとなるようにＸ、
Ｙ（ただし、Ｙ＜Ｘである。）の寸法を設定することに
より、金リボン１５等による不連続部分で発生した不要
放射された電磁波が遮断され、信号分離特性の劣化を低
減させることが可能となる。
伝搬する電磁波の最長モードは、Ｘ＞Ｙの時ＴＥ１０で
あるため、ｍ＝１及びｎ＝０とすると、ｆｃ＝ｃ／（２
Ｘ）が得られる。従って、マイクロストリップ線路を伝
搬する周波数（＝ｆ）から、ｆ＜ｆｃとなるようにＸ、
Ｙ（ただし、Ｙ＜Ｘである。）の寸法を設定することに
より、金リボン１５等による不連続部分で発生した不要
放射された電磁波が遮断され、信号分離特性の劣化を低
減させることが可能となる。
【００３５】また、金属キャップ１７の長さＺは、金属
キャップ１７内を伝搬する電磁波の減衰量に関与し、カ
ットオフ波長（＝λｃ）と伝搬する電磁波の波長、つま
り、ここでは不要放射された電磁波の波長（＝λ）の関
係は次式で表されるように、Ｚの長さに比例して不要電
磁波の遮断効果を大きくすることができるため、性能確
保に必要な長さＺに設定すれば良いこととなる。 減衰量［ｄＢ］＝２０・ｌｏｇ｛ｅｘｐ（−αＺ）｝ ただし、α＝２π／λｃ｛１−（λｃ／λ）2｝0.5
キャップ１７内を伝搬する電磁波の減衰量に関与し、カ
ットオフ波長（＝λｃ）と伝搬する電磁波の波長、つま
り、ここでは不要放射された電磁波の波長（＝λ）の関
係は次式で表されるように、Ｚの長さに比例して不要電
磁波の遮断効果を大きくすることができるため、性能確
保に必要な長さＺに設定すれば良いこととなる。 減衰量［ｄＢ］＝２０・ｌｏｇ｛ｅｘｐ（−αＺ）｝ ただし、α＝２π／λｃ｛１−（λｃ／λ）2｝0.5
【００３６】なお、本実施形態では、金リボン１５でマ
イクロストリップ線路間を接続しているが、必ずしも金
リボンに限定されるものではなく、ボンディングワイヤ
で接続される場合についても同様に適用可能である。
イクロストリップ線路間を接続しているが、必ずしも金
リボンに限定されるものではなく、ボンディングワイヤ
で接続される場合についても同様に適用可能である。
【００３７】＜第二の実施形態＞図３及び図４は、本発
明の第二の実施形態におけるマイクロストリップ線路の
接続構造を斜視図と断面図とで示している。
明の第二の実施形態におけるマイクロストリップ線路の
接続構造を斜視図と断面図とで示している。
【００３８】基本構成は第一の実施形態の場合と同じで
あるが、金属キャップ１７は、誘電体基板１２ａ，１２
ｂ、接地導体１３ａ，１３ｂ及び接地導体１４に設けた
スルーホール１８を通して接地導体１４の下面に半田付
けすることで導波管構造を形成している。
あるが、金属キャップ１７は、誘電体基板１２ａ，１２
ｂ、接地導体１３ａ，１３ｂ及び接地導体１４に設けた
スルーホール１８を通して接地導体１４の下面に半田付
けすることで導波管構造を形成している。
【００３９】このように、金属キャップ１７の構造を変
えることにより、図１に示すような接地用パターン１６
ａ，１６ｂが不要となるため、接続構造の小型及び高集
積化を図ることが可能となる。
えることにより、図１に示すような接地用パターン１６
ａ，１６ｂが不要となるため、接続構造の小型及び高集
積化を図ることが可能となる。
【００４０】＜第三の実施形態＞図５及び図６は、本発
明の第三の実施形態におけるマイクロストリップ線路の
接続構造を斜視図と断面図とで示している。
明の第三の実施形態におけるマイクロストリップ線路の
接続構造を斜視図と断面図とで示している。
【００４１】基本構成は第一及び第二の実施形態の場合
と同じであるが、誘電体基板１２ａ，１２ｂに金属キャ
ップ１７接地用の切削を行い、金属キャップ１７と接地
導体１４とを接続して導波管構造を形成している。従っ
て、誘電体基板１２ａ，１２ｂにスルーホール１８を形
成することができない場合であっても導波管構造を形成
することが可能となる。
と同じであるが、誘電体基板１２ａ，１２ｂに金属キャ
ップ１７接地用の切削を行い、金属キャップ１７と接地
導体１４とを接続して導波管構造を形成している。従っ
て、誘電体基板１２ａ，１２ｂにスルーホール１８を形
成することができない場合であっても導波管構造を形成
することが可能となる。
【００４２】このように、マイクロストリップ線路間の
接続部分に金属キャップ１７を設け、接地用パターン１
６ａ，１６ｂとスルーホール１８を介して接地導体１４
と接続することで方形導波管構造を形成するため、スト
リップ導体１１ａ，１１ｂの接続に用いた金リボン１５
による不連続に起因して生じる不要電磁波の放射を導波
管のカットオフ特性を用いて抑圧し、良好な信号分離特
性を得ることが可能となる。
接続部分に金属キャップ１７を設け、接地用パターン１
６ａ，１６ｂとスルーホール１８を介して接地導体１４
と接続することで方形導波管構造を形成するため、スト
リップ導体１１ａ，１１ｂの接続に用いた金リボン１５
による不連続に起因して生じる不要電磁波の放射を導波
管のカットオフ特性を用いて抑圧し、良好な信号分離特
性を得ることが可能となる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、接続部分
に設けられた金属キャップにより、金属キャップ内で不
要電磁波の伝搬を遮断し、不要電磁波の影響を低減させ
るため、マイクロストリップ線路間の接続部分における
不連続によって生じる不要電磁波の放射を抑圧し、良好
な信号分離特性を得ることの可能なマイクロストリップ
線路の接続方法を提供することができる。
に設けられた金属キャップにより、金属キャップ内で不
要電磁波の伝搬を遮断し、不要電磁波の影響を低減させ
るため、マイクロストリップ線路間の接続部分における
不連続によって生じる不要電磁波の放射を抑圧し、良好
な信号分離特性を得ることの可能なマイクロストリップ
線路の接続方法を提供することができる。
【００４４】また、請求項２にかかる発明によれば、上
記不要電磁波の放射を導波管のカットオフ特性を用いて
抑圧することができる。
記不要電磁波の放射を導波管のカットオフ特性を用いて
抑圧することができる。
【００４５】さらに、請求項３にかかる発明によれば、
接地用パターンが不要となるため、接続構造の小型及び
高集積化を図ることができる。
接地用パターンが不要となるため、接続構造の小型及び
高集積化を図ることができる。
【００４６】さらに、請求項４にかかる発明によれば、
誘電体基板にスルーホールを形成できない場合であって
も導波管構造を形成することができる。
誘電体基板にスルーホールを形成できない場合であって
も導波管構造を形成することができる。
【００４７】さらに、請求項５にかかる発明によれば、
上記金属キャップにより、金リボンで接続された各マイ
クロストリップ線路間の不連続部分における不要電磁波
の放射を抑圧させることができる。
上記金属キャップにより、金リボンで接続された各マイ
クロストリップ線路間の不連続部分における不要電磁波
の放射を抑圧させることができる。
【００４８】さらに、請求項６にかかる発明によれば、
上記金属キャップにより、ボンディングワイヤで接続さ
れた各マイクロストリップ線路間の不連続部分における
不要電磁波の放射を抑圧させることができる。
上記金属キャップにより、ボンディングワイヤで接続さ
れた各マイクロストリップ線路間の不連続部分における
不要電磁波の放射を抑圧させることができる。
【図１】本発明の第一の実施形態におけるマイクロスト
リップ線路の接続構造を示す斜視図である。
リップ線路の接続構造を示す斜視図である。
【図２】このマイクロストリップ線路の接続構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第二の実施形態におけるマイクロスト
リップ線路の接続構造を示す斜視図である。
リップ線路の接続構造を示す斜視図である。
【図４】このマイクロストリップ線路の接続構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の第三の実施形態におけるマイクロスト
リップ線路の接続構造を示す斜視図である。
リップ線路の接続構造を示す斜視図である。
【図６】このマイクロストリップ線路の接続構造を示す
断面図である。
断面図である。
【図７】従来例におけるマイクロストリップ線路の接続
構造を示す側面図である。
構造を示す側面図である。
【図８】このマイクロストリップ線路の接続構造を示す
平面図である。
平面図である。
【図９】金リボンの代わりにボンディングワイヤを用い
た場合におけるマイクロストリップ線路の接続構造を示
す側面図である。
た場合におけるマイクロストリップ線路の接続構造を示
す側面図である。
【図１０】このマイクロストリップ線路の接続構造を示
す平面図である。
す平面図である。
１０ マイクロストリップ線路の接続構造 １１ａ，１１ｂ ストリップ導体 １２ａ，１２ｂ 誘電体基板 １３ａ，１３ｂ 接地導体 １４ 接地導体 １５ 金リボン １６ａ，１６ｂ 接地用パターン １７ 金属キャップ １８ スルーホール
Claims (6)
- 【請求項１】 誘電体基板の一面側にストリップ導体を
形成し、他面側に接地導体を形成した複数のマイクロス
トリップ線路を、金属キャップにより各マイクロストリ
ップ線路間の不連続部分における不要電磁波の放射を抑
圧させつつ導体で接続し、各接地導体を共通の接地導体
上に配することを特徴とするマイクロストリップ線路の
接続方法。 - 【請求項２】 上記請求項１に記載のマイクロストリッ
プ線路の接続方法において、 上記誘電体基板に金属キャップの接地用スルーホールを
形成し、最下面に配した接地導体と金属キャップとを電
気的に接続することで導波管構造を形成することを特徴
とするマイクロストリップ線路の接続方法。 - 【請求項３】 上記請求項２に記載のマイクロストリッ
プ線路の接続方法において、 上記接地導体と金属キャップとをスルーホールで電気的
に接続することを特徴とするマイクロストリップ線路の
接続方法。 - 【請求項４】 上記請求項２に記載のマイクロストリッ
プ線路の接続方法において、 上記誘電体基板に金属キャップの接地用の切削を行い、
上記接地導体と金属キャップとを電気的に接続すること
を特徴とするマイクロストリップ線路の接続方法。 - 【請求項５】 上記請求項１〜請求項４のいずれかに記
載のマイクロストリップ線路の接続方法において、 各マイクロストリップ線路を金リボンで接続することを
特徴とするマイクロストリップ線路の接続方法。 - 【請求項６】 上記請求項１〜請求項４のいずれかに記
載のマイクロストリップ線路の接続方法において、 各マイクロストリップ線路をボンディングワイヤで接続
することを特徴とするマイクロストリップ線路の接続方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10150416A JPH11346106A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | マイクロストリップ線路の接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10150416A JPH11346106A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | マイクロストリップ線路の接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11346106A true JPH11346106A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15496474
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10150416A Pending JPH11346106A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | マイクロストリップ線路の接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11346106A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100777967B1 (ko) | 2006-09-29 | 2007-11-21 | 한국전자통신연구원 | 불연속 영역에서의 반사 손실을 상쇄하는 코플래너웨이브가이드 및 이를 적용한 광통신용 모듈 |
| JP2007312229A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 基板間の接続方法 |
| JP2009284238A (ja) * | 2008-05-22 | 2009-12-03 | Anritsu Corp | 電子部品の接続構造 |
| JP2022026046A (ja) * | 2020-07-30 | 2022-02-10 | アンリツ株式会社 | 基板間接続構造および基板間接続方法 |
| WO2023133750A1 (en) * | 2022-01-13 | 2023-07-20 | Commscope Technologies Llc | Ultra wideband board-to-board transitions for stripline rf transmisison lines |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10150416A patent/JPH11346106A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007312229A (ja) * | 2006-05-19 | 2007-11-29 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 基板間の接続方法 |
| JP4521534B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2010-08-11 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 基板間の接続方法 |
| KR100777967B1 (ko) | 2006-09-29 | 2007-11-21 | 한국전자통신연구원 | 불연속 영역에서의 반사 손실을 상쇄하는 코플래너웨이브가이드 및 이를 적용한 광통신용 모듈 |
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| WO2023133750A1 (en) * | 2022-01-13 | 2023-07-20 | Commscope Technologies Llc | Ultra wideband board-to-board transitions for stripline rf transmisison lines |
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