JPH0923032A - 半導体レーザの駆動回路 - Google Patents
半導体レーザの駆動回路Info
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- JPH0923032A JPH0923032A JP17211495A JP17211495A JPH0923032A JP H0923032 A JPH0923032 A JP H0923032A JP 17211495 A JP17211495 A JP 17211495A JP 17211495 A JP17211495 A JP 17211495A JP H0923032 A JPH0923032 A JP H0923032A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体レーザの高寿命化が可能で、且つ記録
状態と再生状態を瞬時に切り替え可能な記録再生用の情
報装置に用いられる駆動回路を提供することが目的であ
る。 【解決手段】 記録再生用半導体レーザＬＤを駆動する
ための駆動信号を発生する駆動回路と、半導体レーザＬ
Ｄに第１の結合コンデンサＣ1を介して高周波信号を重
畳するための高周波発振回路Ｈと、第１の結合コンデン
サーＣ1と高周波発振回路Ｈの間に介在し、バイアス電
流の制御によりスイッチングを行うスイッチング回路Ｓ
1と、を備え、情報記録媒体へ情報を記録する記録状態
において、高周波発振回路Ｈを作動させつつ、スイッチ
ング回路Ｓ1のスイッチをオフとして半導体レーザＬＤ
への高周波信号をカットすると共に、情報記録媒体の情
報を再生する再生状態において、高周波発振回路Ｈを作
動させつつ、スイッチング回路Ｓ1のスイッチをオンと
して半導体レーザＬＤへの高周波信号を付与する。
状態と再生状態を瞬時に切り替え可能な記録再生用の情
報装置に用いられる駆動回路を提供することが目的であ
る。 【解決手段】 記録再生用半導体レーザＬＤを駆動する
ための駆動信号を発生する駆動回路と、半導体レーザＬ
Ｄに第１の結合コンデンサＣ1を介して高周波信号を重
畳するための高周波発振回路Ｈと、第１の結合コンデン
サーＣ1と高周波発振回路Ｈの間に介在し、バイアス電
流の制御によりスイッチングを行うスイッチング回路Ｓ
1と、を備え、情報記録媒体へ情報を記録する記録状態
において、高周波発振回路Ｈを作動させつつ、スイッチ
ング回路Ｓ1のスイッチをオフとして半導体レーザＬＤ
への高周波信号をカットすると共に、情報記録媒体の情
報を再生する再生状態において、高周波発振回路Ｈを作
動させつつ、スイッチング回路Ｓ1のスイッチをオンと
して半導体レーザＬＤへの高周波信号を付与する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ディスク装置な
どの情報装置に用いられる半導体レーザの駆動回路に関
する。
どの情報装置に用いられる半導体レーザの駆動回路に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ（レーザ・ダイオード）
は、単色性、指向性がよいこと等から光ディスク装置等
の情報装置用の光源として利用されている。
は、単色性、指向性がよいこと等から光ディスク装置等
の情報装置用の光源として利用されている。
【０００３】斯る半導体レーザが情報装置に用いられる
場合、情報記録媒体からの戻り光が半導体レーザ内に再
入射することにより、モードホッピングが発生する。こ
の結果、再生信号等に雑音（戻り光雑音）が発生するこ
とが知られている。
場合、情報記録媒体からの戻り光が半導体レーザ内に再
入射することにより、モードホッピングが発生する。こ
の結果、再生信号等に雑音（戻り光雑音）が発生するこ
とが知られている。
【０００４】この戻り光雑音を抑制するために、半導体
レーザに高周波信号を重畳する方式（高周波重畳方式）
が一般に使用されている。
レーザに高周波信号を重畳する方式（高周波重畳方式）
が一般に使用されている。
【０００５】図６（ａ）は、従来の高周波重畳方式の半
導体レーザの駆動回路である。尚、図６（ｂ）は図６
（ａ）の簡略図である。
導体レーザの駆動回路である。尚、図６（ｂ）は図６
（ａ）の簡略図である。
【０００６】半導体レーザＬＤは、そのカソード側が接
地されると共に、そのアノード側が図示しないモニター
用フォトダイオードで該半導体レーザＬＤの後端面から
の光出力をモニターしつつ前端面からの光出力が一定に
なるように制御するＡＰＣ駆動回路（自動出力調整駆動
回路）に高周波をカットするためのコイルＬ0を介して
接続され、且つ半導体レーザＬＤに高周波信号を負荷す
るための高周波発振回路Ｈに直流電流をカットする結合
コンデンサーＣ0を介して接続されている。
地されると共に、そのアノード側が図示しないモニター
用フォトダイオードで該半導体レーザＬＤの後端面から
の光出力をモニターしつつ前端面からの光出力が一定に
なるように制御するＡＰＣ駆動回路（自動出力調整駆動
回路）に高周波をカットするためのコイルＬ0を介して
接続され、且つ半導体レーザＬＤに高周波信号を負荷す
るための高周波発振回路Ｈに直流電流をカットする結合
コンデンサーＣ0を介して接続されている。
【０００７】上記高周波発振回路Ｈは、所謂コルピッツ
発振回路で、トランジスタＴＲ、コンデンサーＣ01、Ｃ
02、Ｃ03、Ｃ04、抵抗Ｒ01、Ｒ02、Ｒ03、コイルＬ01、
及び直流電源Ｖccで構成されている。
発振回路で、トランジスタＴＲ、コンデンサーＣ01、Ｃ
02、Ｃ03、Ｃ04、抵抗Ｒ01、Ｒ02、Ｒ03、コイルＬ01、
及び直流電源Ｖccで構成されている。
【０００８】この半導体レーザＬＤは、高周波発振回路
Ｈにより高周波信号が負荷されるが、低周波駆動回路で
あるＡＰＣ駆動回路は上記高周波信号に追従しないの
で、上記後端面からの平均光出力が一定になるように駆
動する。
Ｈにより高周波信号が負荷されるが、低周波駆動回路で
あるＡＰＣ駆動回路は上記高周波信号に追従しないの
で、上記後端面からの平均光出力が一定になるように駆
動する。
【０００９】従来、記録再生用の情報装置では、高周波
重畳方式を用いた場合、光出力が小さくてよい再生時
（例えば、光出力３ｍＷ）はもとより、光出力が大きい
記録時（例えば、光出力５０ｍＷ）にも半導体レーザに
高周波信号が重畳されている。
重畳方式を用いた場合、光出力が小さくてよい再生時
（例えば、光出力３ｍＷ）はもとより、光出力が大きい
記録時（例えば、光出力５０ｍＷ）にも半導体レーザに
高周波信号が重畳されている。
【００１０】よって、再生時、記録時の光出力強度は図
７のようになる。
７のようになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、再生時
の平均光出力が例えば３ｍＷとして良好に高周波信号を
重畳する構成において、記録時に高周波信号を重畳した
場合、その振幅が再生時に比べて大きくなるので、例え
ば平均光出力を５０ｍＷとすると、ピーク光出力が６０
〜９０ｍＷ程度となる。この結果、半導体レーザに大き
な負荷がかかり、信頼性が低下することが判った。
の平均光出力が例えば３ｍＷとして良好に高周波信号を
重畳する構成において、記録時に高周波信号を重畳した
場合、その振幅が再生時に比べて大きくなるので、例え
ば平均光出力を５０ｍＷとすると、ピーク光出力が６０
〜９０ｍＷ程度となる。この結果、半導体レーザに大き
な負荷がかかり、信頼性が低下することが判った。
【００１２】これを解決するものとして、発明者は、高
周波回路のオン・オフを試み、記録時には高周波重畳す
る必要が殆どないことを見出すと共に、この方法では、
高周波回路の安定に時間を要するため、記録状態から再
生状態へ瞬時に切り替えられないといった問題があるこ
とを見出した。
周波回路のオン・オフを試み、記録時には高周波重畳す
る必要が殆どないことを見出すと共に、この方法では、
高周波回路の安定に時間を要するため、記録状態から再
生状態へ瞬時に切り替えられないといった問題があるこ
とを見出した。
【００１３】本発明は上述の問題点を鑑み成されたもの
であり、半導体レーザの高寿命化が可能で、且つ記録状
態と再生状態を瞬時に切り替え可能な記録再生用の情報
装置に用いられる駆動回路を提供することが目的であ
る。
であり、半導体レーザの高寿命化が可能で、且つ記録状
態と再生状態を瞬時に切り替え可能な記録再生用の情報
装置に用いられる駆動回路を提供することが目的であ
る。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザの
駆動回路は、記録再生用半導体レーザを駆動するための
駆動信号を発生する駆動回路と、該半導体レーザに第１
の結合コンデンサを介して高周波信号を重畳するための
高周波発振回路と、上記第１の結合コンデンサーと上記
高周波発振回路の間に介在し、バイアス電流の制御によ
りスイッチングを行うスイッチング回路と、を備え、情
報記録媒体へ情報を記録する記録状態において、上記高
周波発振回路を作動させつつ、上記スイッチング回路の
スイッチをオフとして上記半導体レーザへの上記高周波
信号をカットすると共に、情報記録媒体の情報を再生す
る再生状態において、上記高周波発振回路を作動させつ
つ、上記スイッチング回路のスイッチをオンとして上記
半導体レーザへ上記高周波信号を付与することを特徴と
する。
駆動回路は、記録再生用半導体レーザを駆動するための
駆動信号を発生する駆動回路と、該半導体レーザに第１
の結合コンデンサを介して高周波信号を重畳するための
高周波発振回路と、上記第１の結合コンデンサーと上記
高周波発振回路の間に介在し、バイアス電流の制御によ
りスイッチングを行うスイッチング回路と、を備え、情
報記録媒体へ情報を記録する記録状態において、上記高
周波発振回路を作動させつつ、上記スイッチング回路の
スイッチをオフとして上記半導体レーザへの上記高周波
信号をカットすると共に、情報記録媒体の情報を再生す
る再生状態において、上記高周波発振回路を作動させつ
つ、上記スイッチング回路のスイッチをオンとして上記
半導体レーザへ上記高周波信号を付与することを特徴と
する。
【００１５】特に、上記スイッチング回路は、上記高周
波発振回路側から順に第２の結合コンデンサーとダイオ
ードが電気的に直列をなして含むと共に、該第２の結合
コンデンサ及び該ダイオードを上記第１の結合コンデン
サーと上記高周波発振回路の間に介在してなり、且つ上
記ダイオードの両端側にそれぞれ高周波抑制素子を介し
てなる該ダイオードへバイアス電流を印加するバイアス
電流印加手段を有し、上記スイッチング回路は、上記バ
イアス電流印加手段からの上記ダイオードへのバイアス
電流を制御することにより、上記半導体レーザへの高周
波信号の付与とカットを行うことを特徴とする。
波発振回路側から順に第２の結合コンデンサーとダイオ
ードが電気的に直列をなして含むと共に、該第２の結合
コンデンサ及び該ダイオードを上記第１の結合コンデン
サーと上記高周波発振回路の間に介在してなり、且つ上
記ダイオードの両端側にそれぞれ高周波抑制素子を介し
てなる該ダイオードへバイアス電流を印加するバイアス
電流印加手段を有し、上記スイッチング回路は、上記バ
イアス電流印加手段からの上記ダイオードへのバイアス
電流を制御することにより、上記半導体レーザへの高周
波信号の付与とカットを行うことを特徴とする。
【００１６】また、上記スイッチング回路は、上記第１
の結合コンデンサーと上記高周波発振回路の間に直列に
介在する第２の結合コンデンサーと、上記第１、第２の
結合コンデンサーの間に一端側が接続され他端側を接地
したダイオードと、を有すると共に、該ダイオードの上
記一端側に高周波抑制素子を介してなる該ダイオードへ
バイアス電流を印加するバイアス電流印加手段を有し、
上記スイッチング回路は、上記バイアス電流印加手段か
らの上記ダイオードへのバイアス電流を制御することに
より、上記半導体レーザへの高周波信号の付与とカット
を行うことを特徴とする。
の結合コンデンサーと上記高周波発振回路の間に直列に
介在する第２の結合コンデンサーと、上記第１、第２の
結合コンデンサーの間に一端側が接続され他端側を接地
したダイオードと、を有すると共に、該ダイオードの上
記一端側に高周波抑制素子を介してなる該ダイオードへ
バイアス電流を印加するバイアス電流印加手段を有し、
上記スイッチング回路は、上記バイアス電流印加手段か
らの上記ダイオードへのバイアス電流を制御することに
より、上記半導体レーザへの高周波信号の付与とカット
を行うことを特徴とする。
【００１７】また、上記スイッチング回路は、上記第１
の結合コンデンサーと上記高周波発振回路の間に直列に
介在する第２の結合コンデンサーと、上記第１、第２の
結合コンデンサーの間にコレクター側が接続されエミッ
ター側を接地したトラジスタと、を有し、上記スイッチ
ング回路は、上記トランジスタのベースへのバイアス電
流の制御により、上記半導体レーザへの高周波信号の付
与とカットを行うことを特徴とする。
の結合コンデンサーと上記高周波発振回路の間に直列に
介在する第２の結合コンデンサーと、上記第１、第２の
結合コンデンサーの間にコレクター側が接続されエミッ
ター側を接地したトラジスタと、を有し、上記スイッチ
ング回路は、上記トランジスタのベースへのバイアス電
流の制御により、上記半導体レーザへの高周波信号の付
与とカットを行うことを特徴とする。
【００１８】更に、上記高周波抑制素子は、コイル又は
抵抗からなることを特徴とする。
抵抗からなることを特徴とする。
【００１９】
【発明の実施の形態】本発明の第１実施例に係る光情報
装置に組み込まれる高周波重畳方式で半導体レーザを駆
動する駆動回路を図１を用いて説明する。
装置に組み込まれる高周波重畳方式で半導体レーザを駆
動する駆動回路を図１を用いて説明する。
【００２０】半導体レーザＬＤは、そのカソード側が接
地されると共に、そのアノード側が図示しない半導体レ
ーザＬＤに近接配置されたモニター用フォトダイオード
で該半導体レーザＬＤの後端面からの光出力をモニター
しつつ前端面からの光出力が一定になるように制御する
低周波駆動回路であるＡＰＣ駆動回路（自動出力調整駆
動回路）に高周波をカットするためのコイルＬ0を介し
て接続される。
地されると共に、そのアノード側が図示しない半導体レ
ーザＬＤに近接配置されたモニター用フォトダイオード
で該半導体レーザＬＤの後端面からの光出力をモニター
しつつ前端面からの光出力が一定になるように制御する
低周波駆動回路であるＡＰＣ駆動回路（自動出力調整駆
動回路）に高周波をカットするためのコイルＬ0を介し
て接続される。
【００２１】また、半導体レーザＬＤには、直流電流を
カットする結合コンデンサーＣ1、スイッチング回路
Ｓ1、及び半導体レーザＬＤに高周波信号を負荷するた
めの高周波発振回路Ｈが直列に接続されている。この上
記高周波発振回路Ｈは、例えば、図６で示す所謂コルピ
ッツ発振回路である。
カットする結合コンデンサーＣ1、スイッチング回路
Ｓ1、及び半導体レーザＬＤに高周波信号を負荷するた
めの高周波発振回路Ｈが直列に接続されている。この上
記高周波発振回路Ｈは、例えば、図６で示す所謂コルピ
ッツ発振回路である。
【００２２】そして、上記スイッチング回路Ｓ1は、回
路Ｈ側から直流電流カット用の第２の結合コンデンサー
Ｃ1とダイオードＤが直列をなし、更に該ダイオードＤ
の両端側にそれぞれ高周波をカットするためのコイルＬ
1、Ｌ2を介してなるバイアス電流印加回路とを有し、ダ
イオードＤのアノード側が半導体レーザＬＤのアノード
に接続されると共に、ダイオードＤのカソード側が第２
の結合コンデンサーＣ 1に接続されている。
路Ｈ側から直流電流カット用の第２の結合コンデンサー
Ｃ1とダイオードＤが直列をなし、更に該ダイオードＤ
の両端側にそれぞれ高周波をカットするためのコイルＬ
1、Ｌ2を介してなるバイアス電流印加回路とを有し、ダ
イオードＤのアノード側が半導体レーザＬＤのアノード
に接続されると共に、ダイオードＤのカソード側が第２
の結合コンデンサーＣ 1に接続されている。
【００２３】この回路では、情報記録媒体に対する記録
及び再生、更にはこれに加えて消去状態において、上記
高周波発振回路Ｈは常に動作しており、半導体レーザＬ
Ｄへの回路Ｈからの高周波信号の付加、カットは、スイ
ッチング回路Ｓ1のオン、オフで行われる。
及び再生、更にはこれに加えて消去状態において、上記
高周波発振回路Ｈは常に動作しており、半導体レーザＬ
Ｄへの回路Ｈからの高周波信号の付加、カットは、スイ
ッチング回路Ｓ1のオン、オフで行われる。
【００２４】この回路Ｓのオン、オフは、端部Ａ−Ｂ
間、即ちダイオードＤへのバイアス電流を制御すること
により行われる。回路Ｓ1のオン（重畳信号のオン）
は、ダイオードＤを順方向にバイアスした状態（例え
ば、ダイオードＤのＩ−Ｖ特性を示す図４の点ＢＦ、即
ち∂Ｖ／∂Ｉ〜０）であり、この状態ではダイオードＤ
は低インピーダンス（導通）となり、半導体レーザＬＤ
に高周波信号が重畳される。回路Ｓのオフ（重畳信号の
オフ）は、ダイオードＤを逆方向又はゼロにバイアスし
た状態（図２の点ＢＲ、即ち∂Ｖ／∂Ｉ〜∞）であり、
この状態ではダイオードＤは高インピーダンスとなり、
半導体レーザＬＤへの高周波信号がカットされる。よっ
て、半導体レーザＬＤの光出力特性は、例えば図３のよ
うになる。
間、即ちダイオードＤへのバイアス電流を制御すること
により行われる。回路Ｓ1のオン（重畳信号のオン）
は、ダイオードＤを順方向にバイアスした状態（例え
ば、ダイオードＤのＩ−Ｖ特性を示す図４の点ＢＦ、即
ち∂Ｖ／∂Ｉ〜０）であり、この状態ではダイオードＤ
は低インピーダンス（導通）となり、半導体レーザＬＤ
に高周波信号が重畳される。回路Ｓのオフ（重畳信号の
オフ）は、ダイオードＤを逆方向又はゼロにバイアスし
た状態（図２の点ＢＲ、即ち∂Ｖ／∂Ｉ〜∞）であり、
この状態ではダイオードＤは高インピーダンスとなり、
半導体レーザＬＤへの高周波信号がカットされる。よっ
て、半導体レーザＬＤの光出力特性は、例えば図３のよ
うになる。
【００２５】この結果、再生状態（即ち、低光出力状
態）では、その光出力が高周波重畳されるので、戻り光
雑音が抑制される。また、記録状態又は消去状態（即
ち、高出力状態）では、その光出力が高周波重畳されな
いので、必要以上の過大な光出力が発生せず、且つ記録
時、消去時には戻り光雑音の影響は殆どなかった。
態）では、その光出力が高周波重畳されるので、戻り光
雑音が抑制される。また、記録状態又は消去状態（即
ち、高出力状態）では、その光出力が高周波重畳されな
いので、必要以上の過大な光出力が発生せず、且つ記録
時、消去時には戻り光雑音の影響は殆どなかった。
【００２６】従って、必要な時に戻り光雑音が抑制され
ると共に、半導体レーザの高寿命化及び高信頼性が図れ
る。
ると共に、半導体レーザの高寿命化及び高信頼性が図れ
る。
【００２７】しかも、常に高周波発振回路Ｈは作動して
いるので、スイッチング回路Ｓ1のオン・オフで瞬時に
記録状態、消去状態から再生状態に変えることができ
る。
いるので、スイッチング回路Ｓ1のオン・オフで瞬時に
記録状態、消去状態から再生状態に変えることができ
る。
【００２８】また、この駆動回路では、半導体レーザＬ
Ｄヘの高周波信号の付加・カットに依存して高周波発振
回路Ｈが接地されることがないので、回路Ｈへの負担が
小さい。
Ｄヘの高周波信号の付加・カットに依存して高周波発振
回路Ｈが接地されることがないので、回路Ｈへの負担が
小さい。
【００２９】次に、本発明の第２実施例に係る光情報装
置に組み込まれた高周波重畳方式で半導体レーザを駆動
する駆動回路を図４を用いて説明する。尚、本実施例が
第１実施例と異なる点はスイッチング回路Ｓの構成のみ
であるので、この点のみを以下に説明する。
置に組み込まれた高周波重畳方式で半導体レーザを駆動
する駆動回路を図４を用いて説明する。尚、本実施例が
第１実施例と異なる点はスイッチング回路Ｓの構成のみ
であるので、この点のみを以下に説明する。
【００３０】スイッチング回路Ｓ2は、第１の結合コン
デンサーＣ0と高周波発振回路Ｈの間に直列に介在する
第２の結合コンデンサーＣ1と、第１、第２の結合コン
デンサーＣ0，Ｃ1の間にアノード側が接続されカソード
側を接地したダイオードＤと、から構成される。そし
て、上記ダイオードＤのアノード側は、高周波抑制素子
であるコイルＬ3を介してバイアス電流印加回路に接続
されている。
デンサーＣ0と高周波発振回路Ｈの間に直列に介在する
第２の結合コンデンサーＣ1と、第１、第２の結合コン
デンサーＣ0，Ｃ1の間にアノード側が接続されカソード
側を接地したダイオードＤと、から構成される。そし
て、上記ダイオードＤのアノード側は、高周波抑制素子
であるコイルＬ3を介してバイアス電流印加回路に接続
されている。
【００３１】このスイッチング回路Ｓは、上記バイアス
電流印加回路からダイオードＤへのバイアス電流を制御
することにより、半導体レーザＬＤへの高周波信号の付
与とカットを行う。
電流印加回路からダイオードＤへのバイアス電流を制御
することにより、半導体レーザＬＤへの高周波信号の付
与とカットを行う。
【００３２】この回路Ｓ2のオン、オフも、ダイオード
Ｄへのバイアス電流を制御することにより行われる。回
路Ｓ2のオン時には、ダイオードＤに逆方向にバイアス
されてダイオードＤの影響が無視できることにより、半
導体レーザＬＤへ高周波信号が付加される。回路Ｓ2の
オフ時には、ダイオードＤに順方向にバイアスされて、
回路Ｈからの高周波信号は主にダイオードＤへ流れ、半
導体レーザＬＤへ高周波信号は殆ど流れない。
Ｄへのバイアス電流を制御することにより行われる。回
路Ｓ2のオン時には、ダイオードＤに逆方向にバイアス
されてダイオードＤの影響が無視できることにより、半
導体レーザＬＤへ高周波信号が付加される。回路Ｓ2の
オフ時には、ダイオードＤに順方向にバイアスされて、
回路Ｈからの高周波信号は主にダイオードＤへ流れ、半
導体レーザＬＤへ高周波信号は殆ど流れない。
【００３３】次に、本発明の第３実施例に係る光情報装
置に組み込まれた高周波重畳方式で半導体レーザを駆動
する駆動回路を図５を用いて説明する。尚、本実施例が
第１実施例と異なる点はスイッチング回路の構成のみで
あるので、この点のみを以下に説明する。
置に組み込まれた高周波重畳方式で半導体レーザを駆動
する駆動回路を図５を用いて説明する。尚、本実施例が
第１実施例と異なる点はスイッチング回路の構成のみで
あるので、この点のみを以下に説明する。
【００３４】スイッチング回路Ｓ3は、第１の結合コン
デンサーＣ0と高周波発振回路Ｈの間に直列に介在する
第２の結合コンデンサーＣ1と、第１、第２の結合コン
デンサーＣ0，Ｃ1の間にコレクター側が接続されエミッ
ター側を接地したトランジスタＴと、から構成される。
そして、このトランジスタＴのベースは、バイアス電流
（ベース電流）印加回路に接続されている。
デンサーＣ0と高周波発振回路Ｈの間に直列に介在する
第２の結合コンデンサーＣ1と、第１、第２の結合コン
デンサーＣ0，Ｃ1の間にコレクター側が接続されエミッ
ター側を接地したトランジスタＴと、から構成される。
そして、このトランジスタＴのベースは、バイアス電流
（ベース電流）印加回路に接続されている。
【００３５】このスイッチング回路Ｓは、上記バイアス
電流印加回路からトランジスタＴのベースへのバイアス
電流（ベース電流）を制御することにより、半導体レー
ザＬＤへの高周波信号の付与とカットを行う。
電流印加回路からトランジスタＴのベースへのバイアス
電流（ベース電流）を制御することにより、半導体レー
ザＬＤへの高周波信号の付与とカットを行う。
【００３６】この回路Ｓ3のオン、オフは、具体的に
は、ベース電流が印加されたときのみ、トランジスタＴ
は導通状態になり、回路Ｈからの高周波信号は、主にト
ランジスタＴへ流れ、半導体レーザＬＤへ高周波信号は
殆ど流れないので、回路Ｓ3のオン時には、ベース電流
をゼロとし、オフ時にはベース電流を付加することによ
り行う。
は、ベース電流が印加されたときのみ、トランジスタＴ
は導通状態になり、回路Ｈからの高周波信号は、主にト
ランジスタＴへ流れ、半導体レーザＬＤへ高周波信号は
殆ど流れないので、回路Ｓ3のオン時には、ベース電流
をゼロとし、オフ時にはベース電流を付加することによ
り行う。
【００３７】上記第２、第３実施例では、第１実施例に
比べて、高周波発振回路Ｈへの負荷は大きいが、回路構
成が単純化できる。
比べて、高周波発振回路Ｈへの負荷は大きいが、回路構
成が単純化できる。
【００３８】尚、上記実施例では、高周波抑制素子とし
て、コイルを用いたが、抵抗等の他のものも勿論使用で
きる。
て、コイルを用いたが、抵抗等の他のものも勿論使用で
きる。
【００３９】
【発明の効果】本発明によれば、高周波発振回路を作動
させつつ、第１の結合コンデンサーと上記高周波発振回
路の間に介在し、バイアス電流の制御によりスイッチン
グを行うスイッチング回路をオフにすることにより、半
導体レーザへの高周波信号をカットし、記録状態に対応
すると共に、このスイッチング回路をオンとすることに
より、半導体レーザへの高周波信号を付与し、再生状態
に対応する。
させつつ、第１の結合コンデンサーと上記高周波発振回
路の間に介在し、バイアス電流の制御によりスイッチン
グを行うスイッチング回路をオフにすることにより、半
導体レーザへの高周波信号をカットし、記録状態に対応
すると共に、このスイッチング回路をオンとすることに
より、半導体レーザへの高周波信号を付与し、再生状態
に対応する。
【００４０】この結果、再生状態（即ち、低光出力状
態）では、その光出力が高周波重畳されるので、戻り光
雑音は抑制される。また、記録状態（即ち、高出力状
態）では、その光出力が高周波重畳されないので、必要
以上の過大な光出力が発生せず、且つ記録時には戻り光
雑音の影響は殆どない。従って、必要な時に戻り光雑音
が抑制されると共に、半導体レーザの高寿命化及び高信
頼性が図れる。
態）では、その光出力が高周波重畳されるので、戻り光
雑音は抑制される。また、記録状態（即ち、高出力状
態）では、その光出力が高周波重畳されないので、必要
以上の過大な光出力が発生せず、且つ記録時には戻り光
雑音の影響は殆どない。従って、必要な時に戻り光雑音
が抑制されると共に、半導体レーザの高寿命化及び高信
頼性が図れる。
【００４１】しかも、記録時、再生時とも高周波発振回
路は作動しているので、スイッチング回路のオン・オフ
で瞬時に再生状態と記録状態を変えることができる。
路は作動しているので、スイッチング回路のオン・オフ
で瞬時に再生状態と記録状態を変えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１実施例に係る半導体レーザの駆動
回路を示す構成図である。
回路を示す構成図である。
【図２】ダイオードのＩ−Ｖ特性を示す図である。
【図３】上記実施例の半導体レーザの光出力特性を示す
図である。
図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る半導体レーザの駆動
回路を示す構成図である。
回路を示す構成図である。
【図５】本発明の第３実施例に係る半導体レーザの駆動
回路を示す構成図である。
回路を示す構成図である。
【図６】従来の半導体レーザの駆動回路を示す図であ
る。
る。
【図７】上記従来の半導体レーザの光出力特性を示す図
である。
である。
ＬＤ 半導体レーザ Ｈ 高周波発振回路 Ｓ1〜Ｓ3 スィッチング回路 Ｃ0 第１の結合コンデンサー Ｃ1 第２の結合コンデンサー Ｄ ダイオード Ｌ0〜Ｌ3 コイル Ｔ トランジスター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 伸彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 茨木 晃 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 記録再生用半導体レーザを駆動するため
の駆動信号を発生する駆動回路と、該半導体レーザに第
１の結合コンデンサを介して高周波信号を重畳するため
の高周波発振回路と、上記第１の結合コンデンサーと上
記高周波発振回路の間に介在し、バイアス電流の制御に
よりスイッチングを行うスイッチング回路と、を備え、 情報記録媒体へ情報を記録する記録状態において、上記
高周波発振回路を作動させつつ、上記スイッチング回路
のスイッチをオフとして上記半導体レーザへの上記高周
波信号をカットすると共に、情報記録媒体の情報を再生
する再生状態において、上記高周波発振回路を作動させ
つつ、上記スイッチング回路のスイッチをオンとして上
記半導体レーザへ上記高周波信号を付与することを特徴
とする半導体レーザの駆動回路。 - 【請求項２】 上記スイッチング回路は、上記高周波発
振回路側から順に第２の結合コンデンサーとダイオード
が電気的に直列をなして含むと共に、該第２の結合コン
デンサ及び該ダイオードを上記第１の結合コンデンサー
と上記高周波発振回路の間に介在してなり、且つ上記ダ
イオードの両端側にそれぞれ高周波抑制素子を介してな
る該ダイオードへバイアス電流を印加するバイアス電流
印加手段を有し、上記スイッチング回路は、上記バイア
ス電流印加手段からの上記ダイオードへのバイアス電流
を制御することにより、上記半導体レーザへの高周波信
号の付与とカットを行うことを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザの駆動回路。 - 【請求項３】 上記スイッチング回路は、上記第１の結
合コンデンサーと上記高周波発振回路の間に直列に介在
する第２の結合コンデンサーと、上記第１、第２の結合
コンデンサーの間に一端側が接続され他端側を接地した
ダイオードと、を有すると共に、該ダイオードの上記一
端側に高周波抑制素子を介してなる該ダイオードへバイ
アス電流を印加するバイアス電流印加手段を有し、上記
スイッチング回路は、上記バイアス電流印加手段からの
上記ダイオードへのバイアス電流を制御することによ
り、上記半導体レーザへの高周波信号の付与とカットを
行うことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザの駆
動回路。 - 【請求項４】 上記スイッチング回路は、上記第１の結
合コンデンサーと上記高周波発振回路の間に直列に介在
する第２の結合コンデンサーと、上記第１、第２の結合
コンデンサーの間にコレクター側が接続されエミッター
側を接地したトラジスタと、を有し、上記スイッチング
回路は、上記トランジスタのベースへのバイアス電流の
制御により、上記半導体レーザへの高周波信号の付与と
カットを行うことを特徴とする請求項１記載の半導体レ
ーザの駆動回路。 - 【請求項５】 上記高周波抑制素子は、コイル又は抵抗
からなることを特徴とする請求項２、３、又は４記載の
半導体レーザの駆動回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17211495A JPH0923032A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 半導体レーザの駆動回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17211495A JPH0923032A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 半導体レーザの駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0923032A true JPH0923032A (ja) | 1997-01-21 |
Family
ID=15935821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17211495A Pending JPH0923032A (ja) | 1995-07-07 | 1995-07-07 | 半導体レーザの駆動回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0923032A (ja) |
-
1995
- 1995-07-07 JP JP17211495A patent/JPH0923032A/ja active Pending
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