JPH09227461A - ビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類の製造法 - Google Patents
ビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類の製造法Info
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- JPH09227461A JPH09227461A JP8030938A JP3093896A JPH09227461A JP H09227461 A JPH09227461 A JP H09227461A JP 8030938 A JP8030938 A JP 8030938A JP 3093896 A JP3093896 A JP 3093896A JP H09227461 A JPH09227461 A JP H09227461A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類
を工業的に容易に、かつ、大量に製造することができる
方法を提供する。 【解決手段】 式[II]で示される化合物と、一酸化
炭素および一般式[III]で示される化合物とを、パ
ラジウム化合物とホスフィン類からなる触媒および塩基
の存在下、反応させることによる一般式[I]で示され
るビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類の製造
法。 【化1】 【化2】 【化3】 (式中、R1は水素原子または低級アルキル基を表
す。) 【効果】 医薬品、農薬、各種機能材料などの製造中間
体として有用な化合物であるビス置換フェニルヘキサフ
ルオロプロパン類を容易に、かつ、効率よく製造するこ
とができる。
を工業的に容易に、かつ、大量に製造することができる
方法を提供する。 【解決手段】 式[II]で示される化合物と、一酸化
炭素および一般式[III]で示される化合物とを、パ
ラジウム化合物とホスフィン類からなる触媒および塩基
の存在下、反応させることによる一般式[I]で示され
るビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類の製造
法。 【化1】 【化2】 【化3】 (式中、R1は水素原子または低級アルキル基を表
す。) 【効果】 医薬品、農薬、各種機能材料などの製造中間
体として有用な化合物であるビス置換フェニルヘキサフ
ルオロプロパン類を容易に、かつ、効率よく製造するこ
とができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬品、農薬、各
種機能材料などの製造中間体として有用な化合物である
一般式[I]
種機能材料などの製造中間体として有用な化合物である
一般式[I]
【0002】
【化20】
【0003】(式中、R1は水素原子または低級アルキ
ル基を表す。)で示されるビス置換フェニルヘキサフル
オロプロパン類の製造法に関するものである。
ル基を表す。)で示されるビス置換フェニルヘキサフル
オロプロパン類の製造法に関するものである。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来、2,2−ビス
(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンを製造
する方法として、以下に示すような、2,2−ビス(4
−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパンを出発原料
とし、O2で酸化することにより、2,2−ビス(4−
カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンを製造す
る方法が知られている。
(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンを製造
する方法として、以下に示すような、2,2−ビス(4
−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパンを出発原料
とし、O2で酸化することにより、2,2−ビス(4−
カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンを製造す
る方法が知られている。
【0005】
【化21】
【0006】しかしながら、上記の方法においては、出
発原料である2,2−ビス(4−メチルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパンを入手するのが困難であるため、工
業的に大量に製造しようとする場合には、問題の多い方
法である。
発原料である2,2−ビス(4−メチルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパンを入手するのが困難であるため、工
業的に大量に製造しようとする場合には、問題の多い方
法である。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者は、かかる問題
点に鑑み、2,2−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン類を工業的に容易に、かつ、大量に製
造することができる方法について、鋭意、検討を行った
結果、2,2−ビス(トリフルオロメタンスルホニルオ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパンと、一酸化炭素
および水またはアルコール類とを、パラジウム化合物お
よびホスフィン類を触媒とし、塩基の存在下、反応させ
ることにより、2,2−ビス(カルボキシフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン類を容易に製造することができる
ことを見出し、本発明に到達した。
点に鑑み、2,2−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパン類を工業的に容易に、かつ、大量に製
造することができる方法について、鋭意、検討を行った
結果、2,2−ビス(トリフルオロメタンスルホニルオ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパンと、一酸化炭素
および水またはアルコール類とを、パラジウム化合物お
よびホスフィン類を触媒とし、塩基の存在下、反応させ
ることにより、2,2−ビス(カルボキシフェニル)ヘ
キサフルオロプロパン類を容易に製造することができる
ことを見出し、本発明に到達した。
【0008】すなわち、本発明の第一は、式[II]
【0009】
【化22】
【0010】で示される化合物と、一酸化炭素および一
般式[III]
般式[III]
【0011】
【化23】
【0012】(式中、R1は水素原子または低級アルキ
ル基を表す。)で示される化合物とを、パラジウム化合
物とホスフィン類からなる触媒および塩基の存在下、反
応させることを特徴とする一般式[I]
ル基を表す。)で示される化合物とを、パラジウム化合
物とホスフィン類からなる触媒および塩基の存在下、反
応させることを特徴とする一般式[I]
【0013】
【化24】
【0014】(式中、R1は水素原子または低級アルキ
ル基を表す。)で示されるビス置換フェニルヘキサフル
オロプロパン類の製造法である。また、本発明の第二
は、式[II]
ル基を表す。)で示されるビス置換フェニルヘキサフル
オロプロパン類の製造法である。また、本発明の第二
は、式[II]
【0015】
【化25】
【0016】で示される化合物と、一酸化炭素および一
般式[IV]
般式[IV]
【0017】
【化26】
【0018】(式中、R2は低級アルキル基を表す。)
で示されるアルコール類とを、パラジウム化合物とホス
フィン類からなる触媒および塩基の存在下、反応させる
ことにより、一般式[V]
で示されるアルコール類とを、パラジウム化合物とホス
フィン類からなる触媒および塩基の存在下、反応させる
ことにより、一般式[V]
【0019】
【化27】
【0020】(式中、R2は低級アルキル基を表す。)
で示される2,2−ビス(アルコキシカルボニルフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンを得、これを加水分解する
ことを特徴とする式[VI]
で示される2,2−ビス(アルコキシカルボニルフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンを得、これを加水分解する
ことを特徴とする式[VI]
【0021】
【化28】
【0022】で示される2,2−ビス(カルボキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパンの製造法である。さら
に、本発明の第三は、式[II]
ニル)ヘキサフルオロプロパンの製造法である。さら
に、本発明の第三は、式[II]
【0023】
【化29】
【0024】で示される化合物と、一酸化炭素および水
とを、パラジウム化合物とホスフィン類からなる触媒お
よび塩基の存在下、反応させることにより、式[VI]
とを、パラジウム化合物とホスフィン類からなる触媒お
よび塩基の存在下、反応させることにより、式[VI]
【0025】
【化30】
【0026】で示される2,2−ビス(カルボキシフェ
ニル)ヘキサフルオロプロパンを得、これを一般式[I
V]
ニル)ヘキサフルオロプロパンを得、これを一般式[I
V]
【0027】
【化31】
【0028】(式中、R2は低級アルキル基を表す。)
で示されるアルコール類と反応させることを特徴とする
一般式[V]
で示されるアルコール類と反応させることを特徴とする
一般式[V]
【0029】
【化32】
【0030】(式中、R2は低級アルキル基を表す。)
で示される2,2−ビス(アルコキシカルボニルフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンの製造法である。
で示される2,2−ビス(アルコキシカルボニルフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパンの製造法である。
【0031】以下、本発明を詳細に説明する。本発明に
おける出発原料である式[II]で示される化合物は、
例えば、以下に示すような方法により、容易に製造する
ことができる。
おける出発原料である式[II]で示される化合物は、
例えば、以下に示すような方法により、容易に製造する
ことができる。
【0032】
【化33】
【0033】上記の方法における原料である式[VI
I]で示される化合物および式[VIII]で示される
化合物は、いずれも工業原料として容易に、かつ、大量
に入手することが可能である。したがって、本発明にお
ける出発原料である式[II]で示される化合物を容易
に、かつ、大量に製造することができる。
I]で示される化合物および式[VIII]で示される
化合物は、いずれも工業原料として容易に、かつ、大量
に入手することが可能である。したがって、本発明にお
ける出発原料である式[II]で示される化合物を容易
に、かつ、大量に製造することができる。
【0034】本発明においては、上記の方法で得られる
式[II]で示される化合物と一般式[III]で示さ
れる化合物とを、パラジウム化合物とホスフィン類から
なる触媒および塩基の存在下、反応させることにより、
容易に一般式[I]で示されるビス置換フェニルヘキサ
フルオロプロパン類を製造することができる。
式[II]で示される化合物と一般式[III]で示さ
れる化合物とを、パラジウム化合物とホスフィン類から
なる触媒および塩基の存在下、反応させることにより、
容易に一般式[I]で示されるビス置換フェニルヘキサ
フルオロプロパン類を製造することができる。
【0035】本発明における低級アルキル基とは、炭素
数1〜10の直鎖または分岐鎖を有するアルキル基を示
し、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso
−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、
n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n
−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基などを挙げ
ることができる。
数1〜10の直鎖または分岐鎖を有するアルキル基を示
し、具体的には、例えば、メチル基、エチル基、n−プ
ロピル基、iso−プロピル基、n−ブチル基、iso
−ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、
n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n
−オクチル基、n−ノニル基、n−デシル基などを挙げ
ることができる。
【0036】したがって、本発明における一般式[I
V]で示されるアルコール類を具体的に示すと、例え
ば、メタノール、エタノール、n−プロピルアルコー
ル、iso−プロピルアルコール、n−ブチルアルコー
ル、iso−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコ
ール、tert−ブチルアルコール、n−ペンチルアル
コール、n−ヘキシルアルコール、n−ヘプチルアルコ
ール、n−オクチルアルコール、n−ノニルアルコー
ル、n−デシルアルコールなどを挙げることができ、ま
た、本発明における一般式[III]で示される化合物
は、これらのアルコール類の他に水を含む。
V]で示されるアルコール類を具体的に示すと、例え
ば、メタノール、エタノール、n−プロピルアルコー
ル、iso−プロピルアルコール、n−ブチルアルコー
ル、iso−ブチルアルコール、sec−ブチルアルコ
ール、tert−ブチルアルコール、n−ペンチルアル
コール、n−ヘキシルアルコール、n−ヘプチルアルコ
ール、n−オクチルアルコール、n−ノニルアルコー
ル、n−デシルアルコールなどを挙げることができ、ま
た、本発明における一般式[III]で示される化合物
は、これらのアルコール類の他に水を含む。
【0037】また、本発明におけるパラジウム化合物と
しては、例えば、酢酸パラジウム、塩化パラジウムなど
を挙げることができる。本発明におけるホスフィン類と
は、PH3の水素が同一または異なるアルキル基または
アリール基で置換された化合物を示し、具体的には、例
えば、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィ
ン、トリメチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィ
ン、ジメチルフェニルホスフィン、トリトリルホスフィ
ン、トリベンジルホスフィンなどを挙げることができ
る。
しては、例えば、酢酸パラジウム、塩化パラジウムなど
を挙げることができる。本発明におけるホスフィン類と
は、PH3の水素が同一または異なるアルキル基または
アリール基で置換された化合物を示し、具体的には、例
えば、トリフェニルホスフィン、トリエチルホスフィ
ン、トリメチルホスフィン、メチルジフェニルホスフィ
ン、ジメチルフェニルホスフィン、トリトリルホスフィ
ン、トリベンジルホスフィンなどを挙げることができ
る。
【0038】また、本発明における塩基としては、トリ
エチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミ
ン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルアニ
リン、ピリジン、N−メチルモルホリンなどの第3級ア
ミン類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウムなどの酢酸塩、
あるいは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基などを挙げるこ
とができる。
エチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミ
ン、N,N−ジメチルアニリン、N,N−ジエチルアニ
リン、ピリジン、N−メチルモルホリンなどの第3級ア
ミン類、酢酸ナトリウム、酢酸カリウムなどの酢酸塩、
あるいは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナ
トリウム、炭酸カリウムなどの無機塩基などを挙げるこ
とができる。
【0039】本発明の反応は、無溶媒で行っても溶媒中
で行ってもよい。溶媒を使用する場合、溶媒としては、
例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなど
の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン(THF)、エチレングリコー
ルジメチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン
類、アセトニトリルなどのニトリル類、ピリジンなどの
第3級アミン類、N,N−ジメチルホルムアミド(DM
F)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)など
の酸アミド類、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ス
ルホランなどの含硫黄化合物など、通常使用されるもの
を使用することができる。しかしながら、溶媒を使用し
た場合、反応系全体の容量が増大し、より大規模な反応
装置が必要となったり、1バッチ当たりの生産量が減少
したりするため、好ましくない。また、本発明において
は反応剤として水またはアルコール類を使用しており、
これらが溶媒としても兼用できることから、特に他の溶
媒を使用する必要はない。
で行ってもよい。溶媒を使用する場合、溶媒としては、
例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンなど
の脂肪族炭化水素類、ベンゼン、トルエン、キシレンな
どの芳香族炭化水素類、ジエチルエーテル、ジオキサ
ン、テトラヒドロフラン(THF)、エチレングリコー
ルジメチルエーテルなどのエーテル類、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン
類、アセトニトリルなどのニトリル類、ピリジンなどの
第3級アミン類、N,N−ジメチルホルムアミド(DM
F)、N,N−ジメチルアセトアミド(DMAc)など
の酸アミド類、ジメチルスルホキシド(DMSO)、ス
ルホランなどの含硫黄化合物など、通常使用されるもの
を使用することができる。しかしながら、溶媒を使用し
た場合、反応系全体の容量が増大し、より大規模な反応
装置が必要となったり、1バッチ当たりの生産量が減少
したりするため、好ましくない。また、本発明において
は反応剤として水またはアルコール類を使用しており、
これらが溶媒としても兼用できることから、特に他の溶
媒を使用する必要はない。
【0040】本発明における一般式[III]で示され
る化合物の使用量は、式[II]で示される化合物に対
して2当量以上であればよいが、式[II]で示される
化合物をより完全に反応させるため、および、溶媒とし
て兼用するために、やや過剰に添加するのが好ましい。
る化合物の使用量は、式[II]で示される化合物に対
して2当量以上であればよいが、式[II]で示される
化合物をより完全に反応させるため、および、溶媒とし
て兼用するために、やや過剰に添加するのが好ましい。
【0041】本発明におけるパラジウム化合物の使用量
は、通常、式[II]で示される化合物1当量に対し
て、0.2当量〜0.0001当量、好ましくは0.1
当量〜0.0003当量、さらに好ましくは0.07当
量〜0.0005当量使用するのがよい。この範囲より
少ない場合には、反応が充分に進行せず、収率低下の原
因となり、経済的に不利となる、あるいは、反応速度が
低下して反応終了までに長時間を要するなどの問題を生
ずる場合があり、好ましくない。また、この範囲より多
く使用しても、反応速度、収率などにほとんど変化はな
く、経済的に不利となるだけであり、好ましくない。
は、通常、式[II]で示される化合物1当量に対し
て、0.2当量〜0.0001当量、好ましくは0.1
当量〜0.0003当量、さらに好ましくは0.07当
量〜0.0005当量使用するのがよい。この範囲より
少ない場合には、反応が充分に進行せず、収率低下の原
因となり、経済的に不利となる、あるいは、反応速度が
低下して反応終了までに長時間を要するなどの問題を生
ずる場合があり、好ましくない。また、この範囲より多
く使用しても、反応速度、収率などにほとんど変化はな
く、経済的に不利となるだけであり、好ましくない。
【0042】また、本発明におけるホスフィン類の使用
量は、通常、式[II]で示される化合物1当量に対し
て、0.6当量〜0.0002当量、好ましくは0.3
当量〜0.0006当量、さらに好ましくは0.2当量
〜0.001当量使用するのがよい。この範囲より少な
い場合には、反応が充分に進行せず、収率低下の原因と
なり、経済的に不利となる、あるいは、反応速度が低下
して反応終了までに長時間を要するなどの問題を生ずる
場合があり、好ましくない。また、この範囲より多く使
用しても、反応速度、収率などにほとんど変化はなく、
経済的に不利となるだけであり、好ましくない。
量は、通常、式[II]で示される化合物1当量に対し
て、0.6当量〜0.0002当量、好ましくは0.3
当量〜0.0006当量、さらに好ましくは0.2当量
〜0.001当量使用するのがよい。この範囲より少な
い場合には、反応が充分に進行せず、収率低下の原因と
なり、経済的に不利となる、あるいは、反応速度が低下
して反応終了までに長時間を要するなどの問題を生ずる
場合があり、好ましくない。また、この範囲より多く使
用しても、反応速度、収率などにほとんど変化はなく、
経済的に不利となるだけであり、好ましくない。
【0043】また、本発明における塩基の使用量は、通
常、式[II]で示される化合物1当量に対して20.
0当量〜2.0当量、好ましくは10.0当量〜2.0
当量、さらに好ましくは6.0当量〜2.0当量使用す
るのがよい。この範囲より少ない場合には、反応が充分
に進行せず、収率低下の原因となり、経済的に不利とな
り、また、未反応の式[II]で示される化合物の除去
あるいは回収のために後処理工程に負荷がかかるため、
好ましくない。また、この範囲より多く使用しても、目
的とする一般式[I]で示されるビス置換フェニルヘキ
サフルオロプロパン類の収量にほとんど変化はなく、過
剰に添加した塩基が、未反応のまま、多量に残るだけで
あり、経済的に不利となり、また、未反応の塩基の除去
のために後処理工程に負荷がかかるため、好ましくな
い。
常、式[II]で示される化合物1当量に対して20.
0当量〜2.0当量、好ましくは10.0当量〜2.0
当量、さらに好ましくは6.0当量〜2.0当量使用す
るのがよい。この範囲より少ない場合には、反応が充分
に進行せず、収率低下の原因となり、経済的に不利とな
り、また、未反応の式[II]で示される化合物の除去
あるいは回収のために後処理工程に負荷がかかるため、
好ましくない。また、この範囲より多く使用しても、目
的とする一般式[I]で示されるビス置換フェニルヘキ
サフルオロプロパン類の収量にほとんど変化はなく、過
剰に添加した塩基が、未反応のまま、多量に残るだけで
あり、経済的に不利となり、また、未反応の塩基の除去
のために後処理工程に負荷がかかるため、好ましくな
い。
【0044】本発明においては、上述の式[II]で示
される化合物、一般式[III]で示される化合物、パ
ラジウム化合物、ホスフィン類および塩基、さらに必要
であれば溶媒を反応器に仕込んだ後、反応器を密閉し、
系内を一酸化炭素で置換し、常圧下あるいは加圧下で反
応を行う。一酸化炭素圧は、通常、常圧〜30kg/c
m2、好ましくは1kg/cm2〜20kg/cm2、さら
に好ましくは2kg/cm2〜10kg/cm2とするの
がよい。この範囲より低い場合には、反応が充分に進行
せず、収率低下の原因となり、経済的に不利となる、あ
るいは、反応速度が低下して反応終了までに長時間を要
するなどの問題を生ずる場合があり、好ましくない。ま
た、この範囲より高くしても、反応速度や目的とする一
般式[I]で示されるビス置換フェニルヘキサフルオロ
プロパン類の収量にほとんど変化はなく、また、反応装
置の安全性などの問題が生じるため、好ましくない。
される化合物、一般式[III]で示される化合物、パ
ラジウム化合物、ホスフィン類および塩基、さらに必要
であれば溶媒を反応器に仕込んだ後、反応器を密閉し、
系内を一酸化炭素で置換し、常圧下あるいは加圧下で反
応を行う。一酸化炭素圧は、通常、常圧〜30kg/c
m2、好ましくは1kg/cm2〜20kg/cm2、さら
に好ましくは2kg/cm2〜10kg/cm2とするの
がよい。この範囲より低い場合には、反応が充分に進行
せず、収率低下の原因となり、経済的に不利となる、あ
るいは、反応速度が低下して反応終了までに長時間を要
するなどの問題を生ずる場合があり、好ましくない。ま
た、この範囲より高くしても、反応速度や目的とする一
般式[I]で示されるビス置換フェニルヘキサフルオロ
プロパン類の収量にほとんど変化はなく、また、反応装
置の安全性などの問題が生じるため、好ましくない。
【0045】また、本発明における反応温度は、通常、
30℃〜200℃、好ましくは50℃〜180℃、さら
に好ましくは60℃〜150℃とするのがよい。この範
囲より低い温度の場合には、反応が充分に進行せず、収
率低下の原因となり、経済的に不利となる、あるいは、
反応速度が低下して反応終了までに長時間を要するなど
の問題を生ずる場合があり、好ましくない。また、この
範囲より高い温度の場合には、反応中に分解などが起こ
る場合があり、収率低下の原因となり、経済的に不利と
なり、また、分解生成物などの除去のために後処理工程
に負荷がかかるため、好ましくない。
30℃〜200℃、好ましくは50℃〜180℃、さら
に好ましくは60℃〜150℃とするのがよい。この範
囲より低い温度の場合には、反応が充分に進行せず、収
率低下の原因となり、経済的に不利となる、あるいは、
反応速度が低下して反応終了までに長時間を要するなど
の問題を生ずる場合があり、好ましくない。また、この
範囲より高い温度の場合には、反応中に分解などが起こ
る場合があり、収率低下の原因となり、経済的に不利と
なり、また、分解生成物などの除去のために後処理工程
に負荷がかかるため、好ましくない。
【0046】以上のような本発明の製造法により製造さ
れる一般式[I]で示されるビス置換フェニルヘキサフ
ルオロプロパン類としては、具体的には、例えば、2,
2−ビス(2−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(3−カルボキシフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス(4−カルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(2−
メトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(3−メトキシカルボニルフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メトキシ
カルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2
−ビス(2−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス(3−エトキシカルボニル
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4
−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[2−(n−プロポキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3
−(n−プロポキシカルボニル)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス[4−(n−プロポキシカ
ルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2
−ビス[2−(iso−プロポキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(i
so−プロポキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス[4−(iso−プロポキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス[2−(n−ブトキシカルボニル)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ブ
トキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(n−ブトキシカルボニル)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−
(iso−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス[3−(iso−ブトキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス[4−(iso−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−(s
ec−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス[3−(sec−ブトキシカル
ボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス[4−(sec−ブトキシカルボニル)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−(ter
t−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス[3−(tert−ブトキシカル
ボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス[4−(tert−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−(n
−ペンチルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ペンチルオキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス[4−(n−ペンチルオキシカルボニル)フェ
ニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−
(n−ヘキシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ヘキシルオ
キシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス[4−(n−ヘキシルオキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2
−(n−ヘプチルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ヘプチル
オキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(n−ヘプチルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
[2−(n−オクチルオキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−オク
チルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス[4−(n−オクチルオキシカルボ
ニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス[2−(n−ノニルオキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ノニ
ルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(n−ノニルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
[2−(n−デシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−デシル
オキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(n−デシルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−(2−カ
ルボキシフェニル)−2−(3−カルボキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、2−(2−カルボキシフェニ
ル)−2−(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2−(3−カルボキシフェニル)−2−(4
−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−
(2−メトキシカルボニルフェニル)−2−(3−メト
キシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2
−(2−メトキシカルボニルフェニル)−2−(4−メ
トキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2−(3−メトキシカルボニルフェニル)−2−(4−
メトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2−(2−エトキシカルボニルフェニル)−2−
(3−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2−(2−エトキシカルボニルフェニル)−2
−(4−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2−(3−エトキシカルボニルフェニル)−
2−(4−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン、2−[2−(n−プロポキシカルボニル)
フェニル]−2−[3−(n−プロポキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(n−
プロポキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(n−
プロポキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2−[3−(n−プロポキシカルボニル)フェニ
ル]−2−[4−(n−プロポキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(iso−プ
ロポキシカルボニル)フェニル]−2−[3−(iso
−プロポキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[2−(iso−プロポキシカルボニル)
フェニル]−2−[4−(iso−プロポキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−
(iso−プロポキシカルボニル)フェニル]−2−
[4−(iso−プロポキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2−[2−(n−ブトキシカル
ボニル)フェニル]−2−[3−(n−ブトキシカルボ
ニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−
(n−ブトキシカルボニル)フェニル]−2−[4−
(n−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン、2−[3−(n−ブトキシカルボニル)フェ
ニル]−2−[4−(n−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(iso−ブ
トキシカルボニル)フェニル]−2−[3−(iso−
ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2−[2−(iso−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]−2−[4−(iso−ブトキシカルボニル)フェ
ニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−(iso−
ブトキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(iso
−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2−[2−(sec−ブトキシカルボニル)フェ
ニル]−2−[3−(sec−ブトキシカルボニル)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(sec
−ブトキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(se
c−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[3−(sec−ブトキシカルボニル)フ
ェニル]−2−[4−(sec−ブトキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(te
rt−ブトキシカルボニル)フェニル]−2−[3−
(tert−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフ
ルオロプロパン、2−[2−(tert−ブトキシカル
ボニル)フェニル]−2−[4−(tert−ブトキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−
[3−(tert−ブトキシカルボニル)フェニル]−
2−[4−(tert−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(n−ペンチ
ルオキシカルボニル)フェニル]−2−[3−(n−ペ
ンチルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[2−(n−ペンチルオキシカルボニル)
フェニル]−2−[4−(n−ペンチルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−
(n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル]−2−
[4−(n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2−[2−(n−ヘキシルオキ
シカルボニル)フェニル]−2−[3−(n−ヘキシル
オキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2−[2−(n−ヘキシルオキシカルボニル)フェ
ニル]−2−[4−(n−ヘキシルオキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−(n−
ヘキシルオキシカルボニル)フェニル]−2−[4−
(n−ヘキシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフ
ルオロプロパン、2−[2−(n−ヘプチルオキシカル
ボニル)フェニル]−2−[3−(n−ヘプチルオキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−
[2−(n−ヘプチルオキシカルボニル)フェニル]−
2−[4−(n−ヘプチルオキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−(n−ヘプチ
ルオキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(n−ヘ
プチルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[2−(n−オクチルオキシカルボニル)
フェニル]−2−[3−(n−オクチルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−
(n−オクチルオキシカルボニル)フェニル]−2−
[4−(n−オクチルオキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2−[3−(n−オクチルオキ
シカルボニル)フェニル]−2−[4−(n−オクチル
オキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2−[2−(n−ノニルオキシカルボニル)フェニ
ル]−2−[3−(n−ノニルオキシカルボニル)フェ
ニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(n−ノニ
ルオキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(n−ノ
ニルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2−[3−(n−ノニルオキシカルボニル)フェ
ニル]−2−[4−(n−ノニルオキシカルボニル)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(n−デ
シルオキシカルボニル)フェニル]−2−[3−(n−
デシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[2−(n−デシルオキシカルボニル)フ
ェニル]−2−[4−(n−デシルオキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−(n−
デシルオキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(n
−デシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパンなどを挙げることができる。
れる一般式[I]で示されるビス置換フェニルヘキサフ
ルオロプロパン類としては、具体的には、例えば、2,
2−ビス(2−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス(3−カルボキシフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス(4−カルボキシフ
ェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(2−
メトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス(3−メトキシカルボニルフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−メトキシ
カルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2
−ビス(2−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス(3−エトキシカルボニル
フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4
−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[2−(n−プロポキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3
−(n−プロポキシカルボニル)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス[4−(n−プロポキシカ
ルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2
−ビス[2−(iso−プロポキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(i
so−プロポキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス[4−(iso−プロポキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス[2−(n−ブトキシカルボニル)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ブ
トキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(n−ブトキシカルボニル)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−
(iso−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフル
オロプロパン、2,2−ビス[3−(iso−ブトキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス[4−(iso−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−(s
ec−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン、2,2−ビス[3−(sec−ブトキシカル
ボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス[4−(sec−ブトキシカルボニル)フェニル]
ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−(ter
t−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2,2−ビス[3−(tert−ブトキシカル
ボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−
ビス[4−(tert−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−(n
−ペンチルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオ
ロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ペンチルオキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス[4−(n−ペンチルオキシカルボニル)フェ
ニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2−
(n−ヘキシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフ
ルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ヘキシルオ
キシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、
2,2−ビス[4−(n−ヘキシルオキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス[2
−(n−ヘプチルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサ
フルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ヘプチル
オキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(n−ヘプチルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
[2−(n−オクチルオキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−オク
チルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2,2−ビス[4−(n−オクチルオキシカルボ
ニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビ
ス[2−(n−ノニルオキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−ノニ
ルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(n−ノニルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス
[2−(n−デシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(n−デシル
オキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2,2−ビス[4−(n−デシルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−(2−カ
ルボキシフェニル)−2−(3−カルボキシフェニル)
ヘキサフルオロプロパン、2−(2−カルボキシフェニ
ル)−2−(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2−(3−カルボキシフェニル)−2−(4
−カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2−
(2−メトキシカルボニルフェニル)−2−(3−メト
キシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2
−(2−メトキシカルボニルフェニル)−2−(4−メ
トキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、
2−(3−メトキシカルボニルフェニル)−2−(4−
メトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ン、2−(2−エトキシカルボニルフェニル)−2−
(3−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプ
ロパン、2−(2−エトキシカルボニルフェニル)−2
−(4−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロ
プロパン、2−(3−エトキシカルボニルフェニル)−
2−(4−エトキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン、2−[2−(n−プロポキシカルボニル)
フェニル]−2−[3−(n−プロポキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(n−
プロポキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(n−
プロポキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2−[3−(n−プロポキシカルボニル)フェニ
ル]−2−[4−(n−プロポキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(iso−プ
ロポキシカルボニル)フェニル]−2−[3−(iso
−プロポキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[2−(iso−プロポキシカルボニル)
フェニル]−2−[4−(iso−プロポキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−
(iso−プロポキシカルボニル)フェニル]−2−
[4−(iso−プロポキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2−[2−(n−ブトキシカル
ボニル)フェニル]−2−[3−(n−ブトキシカルボ
ニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−
(n−ブトキシカルボニル)フェニル]−2−[4−
(n−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパン、2−[3−(n−ブトキシカルボニル)フェ
ニル]−2−[4−(n−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(iso−ブ
トキシカルボニル)フェニル]−2−[3−(iso−
ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2−[2−(iso−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]−2−[4−(iso−ブトキシカルボニル)フェ
ニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−(iso−
ブトキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(iso
−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2−[2−(sec−ブトキシカルボニル)フェ
ニル]−2−[3−(sec−ブトキシカルボニル)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(sec
−ブトキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(se
c−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[3−(sec−ブトキシカルボニル)フ
ェニル]−2−[4−(sec−ブトキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(te
rt−ブトキシカルボニル)フェニル]−2−[3−
(tert−ブトキシカルボニル)フェニル]ヘキサフ
ルオロプロパン、2−[2−(tert−ブトキシカル
ボニル)フェニル]−2−[4−(tert−ブトキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−
[3−(tert−ブトキシカルボニル)フェニル]−
2−[4−(tert−ブトキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(n−ペンチ
ルオキシカルボニル)フェニル]−2−[3−(n−ペ
ンチルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[2−(n−ペンチルオキシカルボニル)
フェニル]−2−[4−(n−ペンチルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−
(n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル]−2−
[4−(n−ペンチルオキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2−[2−(n−ヘキシルオキ
シカルボニル)フェニル]−2−[3−(n−ヘキシル
オキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2−[2−(n−ヘキシルオキシカルボニル)フェ
ニル]−2−[4−(n−ヘキシルオキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−(n−
ヘキシルオキシカルボニル)フェニル]−2−[4−
(n−ヘキシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフ
ルオロプロパン、2−[2−(n−ヘプチルオキシカル
ボニル)フェニル]−2−[3−(n−ヘプチルオキシ
カルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−
[2−(n−ヘプチルオキシカルボニル)フェニル]−
2−[4−(n−ヘプチルオキシカルボニル)フェニ
ル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−(n−ヘプチ
ルオキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(n−ヘ
プチルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[2−(n−オクチルオキシカルボニル)
フェニル]−2−[3−(n−オクチルオキシカルボニ
ル)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−
(n−オクチルオキシカルボニル)フェニル]−2−
[4−(n−オクチルオキシカルボニル)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2−[3−(n−オクチルオキ
シカルボニル)フェニル]−2−[4−(n−オクチル
オキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロパ
ン、2−[2−(n−ノニルオキシカルボニル)フェニ
ル]−2−[3−(n−ノニルオキシカルボニル)フェ
ニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(n−ノニ
ルオキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(n−ノ
ニルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプロ
パン、2−[3−(n−ノニルオキシカルボニル)フェ
ニル]−2−[4−(n−ノニルオキシカルボニル)フ
ェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[2−(n−デ
シルオキシカルボニル)フェニル]−2−[3−(n−
デシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロプ
ロパン、2−[2−(n−デシルオキシカルボニル)フ
ェニル]−2−[4−(n−デシルオキシカルボニル)
フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2−[3−(n−
デシルオキシカルボニル)フェニル]−2−[4−(n
−デシルオキシカルボニル)フェニル]ヘキサフルオロ
プロパンなどを挙げることができる。
【0047】以上のような本発明の第一の製造法により
製造される一般式[I]で示されるビス置換フェニルヘ
キサフルオロプロパン類は、式[VI]で示される2,
2−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ンおよび一般式[V]で示される2,2−ビス(アルコ
キシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンを含
んでおり、これらは本発明の第二の製造法および本発明
の第三の製造法により、互いに変換することが可能であ
る。すなわち、上述の本発明の第一の製造法で得られた
化合物が一般式[V]で示される2,2−ビス(アルコ
キシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンであ
る場合には、本発明の第二の製造法にしたがい、これを
加水分解することにより、式[VI]で示される2,2
−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
を製造することができ、また、上述の本発明の第一の製
造法で得られた化合物が式[VI]で示される2,2−
ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンで
ある場合には、本発明の第三の製造法にしたがい、これ
と一般式[IV]で示されるアルコール類とを反応させ
てエステル化することにより、一般式[V]で示される
2,2−ビス(アルコキシカルボニルフェニル)ヘキサ
フルオロプロパンを製造することができる。これらの加
水分解反応およびエステル化反応は、常法にしたがって
行えばよい。
製造される一般式[I]で示されるビス置換フェニルヘ
キサフルオロプロパン類は、式[VI]で示される2,
2−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパ
ンおよび一般式[V]で示される2,2−ビス(アルコ
キシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンを含
んでおり、これらは本発明の第二の製造法および本発明
の第三の製造法により、互いに変換することが可能であ
る。すなわち、上述の本発明の第一の製造法で得られた
化合物が一般式[V]で示される2,2−ビス(アルコ
キシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンであ
る場合には、本発明の第二の製造法にしたがい、これを
加水分解することにより、式[VI]で示される2,2
−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
を製造することができ、また、上述の本発明の第一の製
造法で得られた化合物が式[VI]で示される2,2−
ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンで
ある場合には、本発明の第三の製造法にしたがい、これ
と一般式[IV]で示されるアルコール類とを反応させ
てエステル化することにより、一般式[V]で示される
2,2−ビス(アルコキシカルボニルフェニル)ヘキサ
フルオロプロパンを製造することができる。これらの加
水分解反応およびエステル化反応は、常法にしたがって
行えばよい。
【0048】本発明においては、以上のようにして、医
薬品、農薬、各種機能材料などの製造中間体として有用
な化合物である一般式[I]で示されるビス置換フェニ
ルヘキサフルオロプロパン類を容易に、かつ、効率よく
製造することができる。
薬品、農薬、各種機能材料などの製造中間体として有用
な化合物である一般式[I]で示されるビス置換フェニ
ルヘキサフルオロプロパン類を容易に、かつ、効率よく
製造することができる。
【0049】
【発明の実施の形態】以下、実施例および参考例によ
り、本発明の実施の形態を具体的に説明する。
り、本発明の実施の形態を具体的に説明する。
【0050】
【実施例】実施例1 2,2−ビス(4−メトキシカルボニルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパンの製造 2,2−ビス(4−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン:50.0g、ト
リエチルアミン:17.3g、メタノール:300m
l、酢酸パラジウム:0.93g、トリフェニルホスフ
ィン:3.28gを500ccのステンレス製オートク
レーブに入れ、一酸化炭素で系内を2回置換した後、一
酸化炭素圧:8kg/cm2、100℃で8時間反応さ
せた。
サフルオロプロパンの製造 2,2−ビス(4−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン:50.0g、ト
リエチルアミン:17.3g、メタノール:300m
l、酢酸パラジウム:0.93g、トリフェニルホスフ
ィン:3.28gを500ccのステンレス製オートク
レーブに入れ、一酸化炭素で系内を2回置換した後、一
酸化炭素圧:8kg/cm2、100℃で8時間反応さ
せた。
【0051】反応終了後、室温まで冷却し、メタノール
を減圧下で留去し、トルエン:300mlを加え、冷2
N−NaOH:100mlで2回、水:100mlで1
回洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、
トルエンを減圧下で留去し、粗の2,2−ビス(4−メ
トキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン:
33.3gを得た。
を減圧下で留去し、トルエン:300mlを加え、冷2
N−NaOH:100mlで2回、水:100mlで1
回洗浄した。無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ろ過後、
トルエンを減圧下で留去し、粗の2,2−ビス(4−メ
トキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパン:
33.3gを得た。
【0052】1H−NMR(CDCl3、δppm) 3.94(s,6H),7.47(bs,4H),8.
04(bs,4H)実施例2 2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパンの製造 2,2−ビス(4−メトキシカルボニルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン:2.0g、水酸化ナトリウム:
0.77g、H2O:5mlを混合し、室温で17時間
攪拌した。不溶物をろ別後、ろ液を濃塩酸でpH1以下
に調整し、析出した固体をろ集し、トルエンおよび水で
洗浄後、乾燥し、2,2−ビス(4−カルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン:1.6gを得た。
04(bs,4H)実施例2 2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパンの製造 2,2−ビス(4−メトキシカルボニルフェニル)ヘキ
サフルオロプロパン:2.0g、水酸化ナトリウム:
0.77g、H2O:5mlを混合し、室温で17時間
攪拌した。不溶物をろ別後、ろ液を濃塩酸でpH1以下
に調整し、析出した固体をろ集し、トルエンおよび水で
洗浄後、乾燥し、2,2−ビス(4−カルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン:1.6gを得た。
【0053】融点:272〜275℃実施例3 2,2−ビス(4−カルボキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパンの製造 2,2−ビス(4−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン:5.0g、トリ
エチルアミン:3.5g、水:30ml、酢酸パラジウ
ム:0.094g、トリフェニルホスフィン:0.33
gを50ccのステンレス製オートクレーブに入れ、一
酸化炭素で系内を2回置換した後、一酸化炭素圧:8k
g/cm2、120℃で8時間反応させた。
ロプロパンの製造 2,2−ビス(4−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパン:5.0g、トリ
エチルアミン:3.5g、水:30ml、酢酸パラジウ
ム:0.094g、トリフェニルホスフィン:0.33
gを50ccのステンレス製オートクレーブに入れ、一
酸化炭素で系内を2回置換した後、一酸化炭素圧:8k
g/cm2、120℃で8時間反応させた。
【0054】反応終了後、室温まで冷却し、不溶物をろ
別後、ろ液を濃塩酸でpH1以下に調整した。析出した
固体をろ集し、乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し、2,2−ビス(4−カルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン:1.6gを得た。
別後、ろ液を濃塩酸でpH1以下に調整した。析出した
固体をろ集し、乾燥後、シリカゲルカラムクロマトグラ
フィーで精製し、2,2−ビス(4−カルボキシフェニ
ル)ヘキサフルオロプロパン:1.6gを得た。
【0055】融点:272〜275℃参考例1 2,2−ビス(4−トリフルオロメタンスルホニルオキ
シフェニル)ヘキサフルオロプロパンの製造 2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン:100gをピリジン:400mlに溶解
し、これに攪拌下、30℃以下でトリフルオロメタンス
ルホン酸無水物を1.5時間かけて滴下した。滴下終了
後、25℃〜30℃で3時間攪拌し、反応を完結させ
た。
シフェニル)ヘキサフルオロプロパンの製造 2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオ
ロプロパン:100gをピリジン:400mlに溶解
し、これに攪拌下、30℃以下でトリフルオロメタンス
ルホン酸無水物を1.5時間かけて滴下した。滴下終了
後、25℃〜30℃で3時間攪拌し、反応を完結させ
た。
【0056】反応終了後、10℃以下に保ちながら濃塩
酸でpH3〜4に調整し、析出した固体をろ別後、水洗
し、乾燥した。得られた固体を酢酸エチル/ヘキサンで
再結晶し、2,2−ビス(4−トリフルオロメタンスル
ホニルオキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン:12
8gを得た。
酸でpH3〜4に調整し、析出した固体をろ別後、水洗
し、乾燥した。得られた固体を酢酸エチル/ヘキサンで
再結晶し、2,2−ビス(4−トリフルオロメタンスル
ホニルオキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン:12
8gを得た。
【0057】融点:96〜97℃
【0058】
【発明の効果】医薬品、農薬、各種機能材料などの製造
中間体として有用な化合物であるビストリフルオロメチ
ル安息香酸類を容易に、かつ、効率よく製造することが
できる。
中間体として有用な化合物であるビストリフルオロメチ
ル安息香酸類を容易に、かつ、効率よく製造することが
できる。
Claims (19)
- 【請求項1】式[II] 【化1】 で示される化合物と、一酸化炭素および一般式[II
I] 【化2】 (式中、R1は水素原子または低級アルキル基を表
す。)で示される化合物とを、パラジウム化合物とホス
フィン類からなる触媒および塩基の存在下、反応させる
ことを特徴とする一般式[I] 【化3】 (式中、R1は水素原子または低級アルキル基を表
す。)で示されるビス置換フェニルヘキサフルオロプロ
パン類の製造法。 - 【請求項2】式[II]で示される化合物が式[II−
A] 【化4】 で示される化合物であり、一般式[I]で示されるビス
置換フェニルヘキサフルオロプロパン類が一般式[I−
A] 【化5】 (式中、R1は水素原子または低級アルキル基を表
す。)で示される化合物である請求項1記載のビス置換
フェニルヘキサフルオロプロパン類の製造法。 - 【請求項3】R1が水素原子である請求項1または請求
項2記載のビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類
の製造法。 - 【請求項4】R1がメチル基である請求項1または請求
項2記載のビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類
の製造法。 - 【請求項5】パラジウム化合物が酢酸パラジウムである
請求項1〜請求項4のいずれかに記載のビス置換フェニ
ルヘキサフルオロプロパン類の製造法。 - 【請求項6】ホスフィン類がトリフェニルホスフィンで
ある請求項1〜請求項5のいずれかに記載のビス置換フ
ェニルヘキサフルオロプロパン類の製造法。 - 【請求項7】塩基がトリエチルアミンである請求項1〜
請求項6のいずれかに記載のビス置換フェニルヘキサフ
ルオロプロパン類の製造法。 - 【請求項8】式[II] 【化6】 で示される化合物と、一酸化炭素および一般式[IV] 【化7】 (式中、R2は低級アルキル基を表す。)で示されるア
ルコール類とを、パラジウム化合物とホスフィン類から
なる触媒および塩基の存在下、反応させることにより、
一般式[V] 【化8】 (式中、R2は低級アルキル基を表す。)で示される
2,2−ビス(アルコキシカルボニルフェニル)ヘキサ
フルオロプロパンを得、これを加水分解することを特徴
とする式[VI] 【化9】 で示される2,2−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパンの製造法。 - 【請求項9】式[II]で示される化合物が式[II−
A] 【化10】 で示される化合物であり、一般式[V]で示される2,
2−ビス(アルコキシカルボニルフェニル)ヘキサフル
オロプロパンが一般式[V−A] 【化11】 (式中、R2は低級アルキル基を表す。)で示される化
合物であり、式[VI]で示される2,2−ビス(カル
ボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンが式[VI−
A] 【化12】 で示される化合物である請求項8記載の2,2−ビス
(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの製造
法。 - 【請求項10】R2がメチル基である請求項8または請
求項9記載の2,2−ビス(カルボキシフェニル)ヘキ
サフルオロプロパンの製造法。 - 【請求項11】パラジウム化合物が酢酸パラジウムであ
る請求項8〜請求項10のいずれかに記載の2,2−ビ
ス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの製
造法。 - 【請求項12】ホスフィン類がトリフェニルホスフィン
である請求項8〜請求項11のいずれかに記載の2,2
−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
の製造法。 - 【請求項13】塩基がトリエチルアミンである請求項8
〜請求項12のいずれかに記載の2,2−ビス(カルボ
キシフェニル)ヘキサフルオロプロパンの製造法。 - 【請求項14】式[II] 【化13】 で示される化合物と、一酸化炭素および水とを、パラジ
ウム化合物とホスフィン類からなる触媒および塩基の存
在下、反応させることにより、式[VI] 【化14】 で示される2,2−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサ
フルオロプロパンを得、これを一般式[IV] 【化15】 (式中、R2は低級アルキル基を表す。)で示されるア
ルコール類と反応させることを特徴とする一般式[V] 【化16】 (式中、R2は低級アルキル基を表す。)で示される
2,2−ビス(アルコキシカルボニルフェニル)ヘキサ
フルオロプロパンの製造法。 - 【請求項15】式[II]で示される化合物が式[II
−A] 【化17】 で示される化合物であり、式[VI]で示される2,2
−ビス(カルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン
が式[VI−A] 【化18】 で示される化合物であり、一般式[V]で示される2,
2−ビス(アルコキシカルボニルフェニル)ヘキサフル
オロプロパンが一般式[V−A] 【化19】 (式中、R2は低級アルキル基を表す。)で示される化
合物である請求項14記載の2,2−ビス(アルコキシ
カルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンの製造
法。 - 【請求項16】R2がメチル基である請求項14または
請求項15に記載の2,2−ビス(アルコキシカルボニ
ルフェニル)ヘキサフルオロプロパンの製造法。 - 【請求項17】パラジウム化合物が酢酸パラジウムであ
る請求項14〜請求項16のいずれかに記載の2,2−
ビス(アルコキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロ
プロパンの製造法。 - 【請求項18】ホスフィン類がトリフェニルホスフィン
である請求項14〜請求項17のいずれかに記載の2,
2−ビス(アルコキシカルボニルフェニル)ヘキサフル
オロプロパンの製造法。 - 【請求項19】塩基がトリエチルアミンである請求項1
4〜請求項18のいずれかに記載の2,2−ビス(アル
コキシカルボニルフェニル)ヘキサフルオロプロパンの
製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8030938A JPH09227461A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | ビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8030938A JPH09227461A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | ビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09227461A true JPH09227461A (ja) | 1997-09-02 |
Family
ID=12317626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8030938A Pending JPH09227461A (ja) | 1996-02-19 | 1996-02-19 | ビス置換フェニルヘキサフルオロプロパン類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09227461A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100511781B1 (ko) * | 1999-02-01 | 2005-08-31 | 제일모직주식회사 | 전지용 비수전해액 |
JP2009149553A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Osaka Gas Co Ltd | 9,9−ビス(カルボキシアリール)フルオレン類およびそのエステルの製造方法 |
JP2013241434A (ja) * | 2013-07-18 | 2013-12-05 | Osaka Gas Co Ltd | 9,9−ビス(カルボキシアリール)フルオレン類およびそのエステルの製造方法 |
-
1996
- 1996-02-19 JP JP8030938A patent/JPH09227461A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100511781B1 (ko) * | 1999-02-01 | 2005-08-31 | 제일모직주식회사 | 전지용 비수전해액 |
JP2009149553A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Osaka Gas Co Ltd | 9,9−ビス(カルボキシアリール)フルオレン類およびそのエステルの製造方法 |
JP2013241434A (ja) * | 2013-07-18 | 2013-12-05 | Osaka Gas Co Ltd | 9,9−ビス(カルボキシアリール)フルオレン類およびそのエステルの製造方法 |
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