JPH09213853A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH09213853A JPH09213853A JP8017434A JP1743496A JPH09213853A JP H09213853 A JPH09213853 A JP H09213853A JP 8017434 A JP8017434 A JP 8017434A JP 1743496 A JP1743496 A JP 1743496A JP H09213853 A JPH09213853 A JP H09213853A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 効率の良い放熱が可能で、かつ簡単な遮蔽構
造によって高周波入出力回路間の高周波アイソレーショ
ンが大きくとれる。 【解決手段】 入出力接続電極部２ａ，２ｂと接地電極
部２ｃとを備えた半導体チップを封入するパッケージは
誘電体基板３上に実装される。そして、放熱部材５は、
切欠部５ａがパッケージ２に対応するように入出力接続
電極部２ａ，２ｂ間に位置して誘電体基板３上に取り付
けられる。切欠部５ａの上端面から放熱部材５の上端面
までねじ部５ｂが螺設され、パッケージ２の上端面に当
接するねじ８が螺合している。放熱部材５の両側端面に
は、ケース６の側壁６ａが接触し、側壁６ａの上端面に
は、蓋７が接触している。
造によって高周波入出力回路間の高周波アイソレーショ
ンが大きくとれる。 【解決手段】 入出力接続電極部２ａ，２ｂと接地電極
部２ｃとを備えた半導体チップを封入するパッケージは
誘電体基板３上に実装される。そして、放熱部材５は、
切欠部５ａがパッケージ２に対応するように入出力接続
電極部２ａ，２ｂ間に位置して誘電体基板３上に取り付
けられる。切欠部５ａの上端面から放熱部材５の上端面
までねじ部５ｂが螺設され、パッケージ２の上端面に当
接するねじ８が螺合している。放熱部材５の両側端面に
は、ケース６の側壁６ａが接触し、側壁６ａの上端面に
は、蓋７が接触している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波数帯で使用
される半導体装置、特に高出力や高利得が要求されるト
ランジスタ増幅装置等に用いられる半導体装置に関す
る。
される半導体装置、特に高出力や高利得が要求されるト
ランジスタ増幅装置等に用いられる半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、この種の高周波数帯で使用され
る半導体素子、例えば高周波、高出力トランジスタは、
高出力化、高利得化にともない放熱効果を高める必要が
ある。このため、従来の半導体装置では、放熱効果を高
めるために、パッケージの外形を大きくしたり、パッケ
ージや半導体素子の電極部に放熱板を付加した構造を備
えている。また、この種の半導体装置では、高周波入出
力回路間の高周波的遮蔽を必要とするためにアイソレー
ションを大きくする必要がある。
る半導体素子、例えば高周波、高出力トランジスタは、
高出力化、高利得化にともない放熱効果を高める必要が
ある。このため、従来の半導体装置では、放熱効果を高
めるために、パッケージの外形を大きくしたり、パッケ
ージや半導体素子の電極部に放熱板を付加した構造を備
えている。また、この種の半導体装置では、高周波入出
力回路間の高周波的遮蔽を必要とするためにアイソレー
ションを大きくする必要がある。
【０００３】図５は従来の半導体素子の外観を示す斜視
図で、同図に基づいてこれを説明する。同図において、
全体を符号２０で示す半導体素子には、図示を省略した
半導体チップが封入されたパッケージ２１と、パッケー
ジ２１の上面に固着され断面Ｅ字状に形成された放熱板
２２と、パッケージ２１から露呈した半導体素子の入力
接続電極部２１ａ、出力接続電極部２１ｂおよび一対の
接地電極部２１ｃとが備えられている。
図で、同図に基づいてこれを説明する。同図において、
全体を符号２０で示す半導体素子には、図示を省略した
半導体チップが封入されたパッケージ２１と、パッケー
ジ２１の上面に固着され断面Ｅ字状に形成された放熱板
２２と、パッケージ２１から露呈した半導体素子の入力
接続電極部２１ａ、出力接続電極部２１ｂおよび一対の
接地電極部２１ｃとが備えられている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
装置は、放熱効果を高めるためにパッケージ２１や放熱
板２２の外形を大きくしたり、放熱板２２の表面積を大
きくするために半導体素子自体の構造が複雑で、かつ外
形が大きくなっていた。また、放熱板２２の断面形状が
複雑でかつ大きいため、この放熱板２２が取り付けられ
た半導体素子２０を半導体装置に組み込んで使用する
際、高周波入出力回路の入出力電極部２１ａ，２１ｂ間
の高周波アイソレーションを大きくとるための遮蔽板と
パッケージ２１との間に隙間が生じ、かつ隙間が大きく
なって十分な遮蔽効果が得られなかった。また、半導体
装置２０の接地電極部２１ｃを接地するのに、誘電体基
板に形成された接地回路のスルーホールを介して電気的
に接地されるため、スルーホールの寄生インダクタンス
によって半導体装置２０の電気的特性が不安定になり易
いといった問題があった。
装置は、放熱効果を高めるためにパッケージ２１や放熱
板２２の外形を大きくしたり、放熱板２２の表面積を大
きくするために半導体素子自体の構造が複雑で、かつ外
形が大きくなっていた。また、放熱板２２の断面形状が
複雑でかつ大きいため、この放熱板２２が取り付けられ
た半導体素子２０を半導体装置に組み込んで使用する
際、高周波入出力回路の入出力電極部２１ａ，２１ｂ間
の高周波アイソレーションを大きくとるための遮蔽板と
パッケージ２１との間に隙間が生じ、かつ隙間が大きく
なって十分な遮蔽効果が得られなかった。また、半導体
装置２０の接地電極部２１ｃを接地するのに、誘電体基
板に形成された接地回路のスルーホールを介して電気的
に接地されるため、スルーホールの寄生インダクタンス
によって半導体装置２０の電気的特性が不安定になり易
いといった問題があった。
【０００５】したがって、本発明は上記した従来の問題
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、半導体素子自体に特別な放熱構造を設けることな
く、半導体素子自体を小型のままとするとともに、効率
の良い放熱を可能とし、かつ簡単な遮蔽構造によって高
周波入出力回路間の高周波アイソレーションを大きくと
れ、しかも半導体素子の接地電極部を電気的に接地する
際に生じる寄生インダクタンスを低減できる半導体装置
を提供することにある。
に鑑みてなされたものであり、その目的とするところ
は、半導体素子自体に特別な放熱構造を設けることな
く、半導体素子自体を小型のままとするとともに、効率
の良い放熱を可能とし、かつ簡単な遮蔽構造によって高
周波入出力回路間の高周波アイソレーションを大きくと
れ、しかも半導体素子の接地電極部を電気的に接地する
際に生じる寄生インダクタンスを低減できる半導体装置
を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明に係る半導体装置は、半導体チップが封入さ
れ、入出力接続電極部および接地電極部を備えるパッケ
ージと、このパッケージの入出力接続電極部と接地電極
部とが接続される高周波入出力回路と接地回路とを備え
た基板と、前記パッケージを覆う筐体と、前記パッケー
ジと筐体との間に介在して前記半導体装置の発熱を熱伝
導によって放熱する放熱部材とを備える。したがって、
半導体チップから発生した熱は、パッケージから放熱部
材および筐体に熱電導してここから放熱され、パッケー
ジには放熱構造を必要としない。また、本発明に係る半
導体装置は、放熱部材をパッケージの入出力接続電極部
間に配置したものである。したがって、新たに高周波の
遮蔽板を設ける必要がなく、小型になるとともに構造が
複雑にならずに、遮蔽効果が大きい。また、本発明に係
る半導体装置は、放熱部材とパッケージとの間に上下動
自在な熱伝導介在部材を設けたものである。したがっ
て、パッケージの外形が変わっても熱伝導介在部材を上
下動に調整することにより、常にパッケージの上端面に
熱伝導介在部材を当接状態となる。また、本発明に係る
半導体装置、放熱部材と筐体とを導電性部材で形成し、
パッケージの接地電極部と前記放熱部材との間に導電性
の放熱板を介装させたものである。したがって、パッケ
ージの接地を基板のスルーホールを介することなく、直
接放熱板によって行うので、インダクタンスの発生が低
減される。
に、本発明に係る半導体装置は、半導体チップが封入さ
れ、入出力接続電極部および接地電極部を備えるパッケ
ージと、このパッケージの入出力接続電極部と接地電極
部とが接続される高周波入出力回路と接地回路とを備え
た基板と、前記パッケージを覆う筐体と、前記パッケー
ジと筐体との間に介在して前記半導体装置の発熱を熱伝
導によって放熱する放熱部材とを備える。したがって、
半導体チップから発生した熱は、パッケージから放熱部
材および筐体に熱電導してここから放熱され、パッケー
ジには放熱構造を必要としない。また、本発明に係る半
導体装置は、放熱部材をパッケージの入出力接続電極部
間に配置したものである。したがって、新たに高周波の
遮蔽板を設ける必要がなく、小型になるとともに構造が
複雑にならずに、遮蔽効果が大きい。また、本発明に係
る半導体装置は、放熱部材とパッケージとの間に上下動
自在な熱伝導介在部材を設けたものである。したがっ
て、パッケージの外形が変わっても熱伝導介在部材を上
下動に調整することにより、常にパッケージの上端面に
熱伝導介在部材を当接状態となる。また、本発明に係る
半導体装置、放熱部材と筐体とを導電性部材で形成し、
パッケージの接地電極部と前記放熱部材との間に導電性
の放熱板を介装させたものである。したがって、パッケ
ージの接地を基板のスルーホールを介することなく、直
接放熱板によって行うので、インダクタンスの発生が低
減される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の全
体を示す斜視図、図２は図１におけるII-II 線断面図で
ある。これらの図において、全体を符号１で示す半導体
装置は、図示を省略した半導体チップが封入されたパッ
ケージ２と、高周波入力回路３ａおよび高周波出力回路
３ｂが形成された誘電体基板３と、略直方体状に形成さ
れた放熱部材５と、断面コ字状に形成されたケース６
と、平板状の蓋７とを備えている。これら放熱部材５、
ケース６および蓋７はいずれも熱伝導率の良い導電材で
形成されている。
基づいて説明する。図１は本発明に係る半導体装置の全
体を示す斜視図、図２は図１におけるII-II 線断面図で
ある。これらの図において、全体を符号１で示す半導体
装置は、図示を省略した半導体チップが封入されたパッ
ケージ２と、高周波入力回路３ａおよび高周波出力回路
３ｂが形成された誘電体基板３と、略直方体状に形成さ
れた放熱部材５と、断面コ字状に形成されたケース６
と、平板状の蓋７とを備えている。これら放熱部材５、
ケース６および蓋７はいずれも熱伝導率の良い導電材で
形成されている。
【０００８】パッケージ２には、ベースまたはゲート電
極等を形成する入力接続電極部２ａと、コレクタまたは
ドレイン電極等を形成する出力接続電極部２ｂと、エミ
ッタまたはソース電極等を形成する一対の接地電極部２
ｃとが備えられている。４は誘電体基板２にスルーホー
ル４ａが形成された一対の接地回路である。放熱部材５
の中央の下部には、断面が逆Ｔ字状に形成された切欠部
５ａが設けられ、この切欠部５ａの上端面の中央から放
熱部材５の上端面まで貫通するようにねじ部５ｂが螺設
されており、この放熱部材５は、切欠部５ａが前記接地
回路４の上方に位置するように誘電体基板３に固着され
ている。
極等を形成する入力接続電極部２ａと、コレクタまたは
ドレイン電極等を形成する出力接続電極部２ｂと、エミ
ッタまたはソース電極等を形成する一対の接地電極部２
ｃとが備えられている。４は誘電体基板２にスルーホー
ル４ａが形成された一対の接地回路である。放熱部材５
の中央の下部には、断面が逆Ｔ字状に形成された切欠部
５ａが設けられ、この切欠部５ａの上端面の中央から放
熱部材５の上端面まで貫通するようにねじ部５ｂが螺設
されており、この放熱部材５は、切欠部５ａが前記接地
回路４の上方に位置するように誘電体基板３に固着され
ている。
【０００９】ケース６の両側には対向する一対の側壁６
ａ，６ａが立設され、これら側壁６ａ，６ａの内側面に
は、前記放熱部材５の両側端面が接触している。蓋７の
略中央には、孔７ａが穿設されており、この孔７ａが前
記放熱部材５のねじ部５ｂに対応するように、蓋７がケ
ース６の側壁６ａ，６ａの上端面および放熱部材５の上
端面に接合されている。８は放熱部材５のねじ部５ｂに
螺合したねじであって、下端面は平坦状に形成されてい
る。
ａ，６ａが立設され、これら側壁６ａ，６ａの内側面に
は、前記放熱部材５の両側端面が接触している。蓋７の
略中央には、孔７ａが穿設されており、この孔７ａが前
記放熱部材５のねじ部５ｂに対応するように、蓋７がケ
ース６の側壁６ａ，６ａの上端面および放熱部材５の上
端面に接合されている。８は放熱部材５のねじ部５ｂに
螺合したねじであって、下端面は平坦状に形成されてい
る。
【００１０】このような構成において、パッケージ２の
入力接続電極部２ａを高周波入力回路３ａに、また出力
接続電極部２ｂを高周波出力回路３ｂに、また接地電極
部２ｃを接地回路４にそれぞれはんだ付け等で接続し
て、パッケージ２を誘電体基板３上に実装する。実装さ
れたパッケージ２の入力接続電極部２ａと出力接続電極
部２ｂとが前記放熱部材５の両側に位置する。次に、蓋
７の孔７ａからドライバー等でねじ８をねじ部５ｂに螺
合させてねじ８の下端面をパッケージ２の上端面に当接
させる。
入力接続電極部２ａを高周波入力回路３ａに、また出力
接続電極部２ｂを高周波出力回路３ｂに、また接地電極
部２ｃを接地回路４にそれぞれはんだ付け等で接続し
て、パッケージ２を誘電体基板３上に実装する。実装さ
れたパッケージ２の入力接続電極部２ａと出力接続電極
部２ｂとが前記放熱部材５の両側に位置する。次に、蓋
７の孔７ａからドライバー等でねじ８をねじ部５ｂに螺
合させてねじ８の下端面をパッケージ２の上端面に当接
させる。
【００１１】このような状態とすることによって、パッ
ケージ２内で発生した熱は、パッケージ２の上端面から
ねじ８を伝わり、放熱部材５と、この放熱部材と接触し
ているケース６および蓋７とから放熱されるので、効率
良く放熱される。この場合、ねじ部５ｂとパッケージ２
の上端面とねじ８の下端面とに、熱導電性の良いグリス
を塗布しておくことにより、放熱効果をさらに高めるこ
とが可能である。
ケージ２内で発生した熱は、パッケージ２の上端面から
ねじ８を伝わり、放熱部材５と、この放熱部材と接触し
ているケース６および蓋７とから放熱されるので、効率
良く放熱される。この場合、ねじ部５ｂとパッケージ２
の上端面とねじ８の下端面とに、熱導電性の良いグリス
を塗布しておくことにより、放熱効果をさらに高めるこ
とが可能である。
【００１２】また、ねじ８は高さを自在に変えることが
できるので、パッケージ２の上端面を平坦状に形成して
おけば、パッケージ２の高さが変わっても半導体装置１
そのものの構造を変更することなく使用することがで
き、半導体装置１を半導体素子のサイズや形状が変わる
たびに新たに設計し直す必要がない。さらに、半導体素
子そのものに特別な放熱板等が不要となるため、半導体
自体を小さくかつ軽量とすることができ、これを組み込
む半導体装置も小型化を図ることができる。
できるので、パッケージ２の上端面を平坦状に形成して
おけば、パッケージ２の高さが変わっても半導体装置１
そのものの構造を変更することなく使用することがで
き、半導体装置１を半導体素子のサイズや形状が変わる
たびに新たに設計し直す必要がない。さらに、半導体素
子そのものに特別な放熱板等が不要となるため、半導体
自体を小さくかつ軽量とすることができ、これを組み込
む半導体装置も小型化を図ることができる。
【００１３】また、放熱部材５が、半導体装置１の高周
波入力回路３ａと高周波出力回路３ｂとを高周波的に遮
蔽する仕切板として機能するため、高周波入出力回路間
のアイソレーションを大きくとることができる。このよ
うに、放熱部材５が遮蔽板としての機能も併せもつの
で、従来のように放熱板の他に遮蔽板を設ける必要がな
く、このため大型化するといったようなことがない。な
お、ねじ８の代わりに、放熱部材５の切欠部５ａの上端
面にはんだ付け等によって固着した弾性変形可能な断面
Ｕ字状に形成した金属材からなる押え板を設け、この押
え板の弾性変形によって常に押え板がパッケージ２の上
端面と当接するようにして、この押え板を介して放熱を
行ってもよい。
波入力回路３ａと高周波出力回路３ｂとを高周波的に遮
蔽する仕切板として機能するため、高周波入出力回路間
のアイソレーションを大きくとることができる。このよ
うに、放熱部材５が遮蔽板としての機能も併せもつの
で、従来のように放熱板の他に遮蔽板を設ける必要がな
く、このため大型化するといったようなことがない。な
お、ねじ８の代わりに、放熱部材５の切欠部５ａの上端
面にはんだ付け等によって固着した弾性変形可能な断面
Ｕ字状に形成した金属材からなる押え板を設け、この押
え板の弾性変形によって常に押え板がパッケージ２の上
端面と当接するようにして、この押え板を介して放熱を
行ってもよい。
【００１４】図３は本発明の第２の実施の形態を示す断
面図である。この第２の実施の形態では、パッケージ２
の接地電極部２ｃと放熱部材５の切欠部５ａの段部５ｃ
との間に断面Ｕ字状のばね性を有する放熱板１０を介装
したものである。こうすることにより、接地電極部２ｃ
および放熱板１０を介してパッケージ２に発生する熱を
放熱部材５に放熱することができる。また、半導体素子
の接地電極部２ｃを接地回路４のスルーホール４ａを介
して接地せずに、直接放熱板７を介して接地するため寄
生インダクタンスを低減することができ、電気的特性の
安定化が図れる。
面図である。この第２の実施の形態では、パッケージ２
の接地電極部２ｃと放熱部材５の切欠部５ａの段部５ｃ
との間に断面Ｕ字状のばね性を有する放熱板１０を介装
したものである。こうすることにより、接地電極部２ｃ
および放熱板１０を介してパッケージ２に発生する熱を
放熱部材５に放熱することができる。また、半導体素子
の接地電極部２ｃを接地回路４のスルーホール４ａを介
して接地せずに、直接放熱板７を介して接地するため寄
生インダクタンスを低減することができ、電気的特性の
安定化が図れる。
【００１５】図４は本発明の第３の実施の形態を示す断
面図である。この第３の実施の形態では、ねじ８の先端
にねじ８の形よりも大きい形を有する円板状のフランジ
部８ａを一体的に形成したものである。こうすることに
より、パッケージ２からの熱伝導をより良好に行うこと
ができ、このためさらに効率よく放熱を行うことができ
る。
面図である。この第３の実施の形態では、ねじ８の先端
にねじ８の形よりも大きい形を有する円板状のフランジ
部８ａを一体的に形成したものである。こうすることに
より、パッケージ２からの熱伝導をより良好に行うこと
ができ、このためさらに効率よく放熱を行うことができ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体チップが封入され、入出力接続電極部および接地電
極部を備えるパッケージと、このパッケージの入出力接
続電極部と接地電極部とが接続される高周波入出力回路
と接地回路とを備えた基板と、前記パッケージを覆う筐
体と、前記パッケージと筐体との間に介在して前記半導
体装置の発熱を熱伝導によって放熱する放熱部材とを備
えたことにより、半導体素子自体に放熱機能をもたせず
に、それが組み込まれる半導体装置に放熱機能をもつ放
熱部材および筐体を設けたので、半導体素子のパッケー
ジを大きくしたり、半導体素子に特別な放熱構造を備え
る必要がないため、半導体素子自体をの構造を複雑とす
ることがなく、小型で軽量のままとすることができる。
導体チップが封入され、入出力接続電極部および接地電
極部を備えるパッケージと、このパッケージの入出力接
続電極部と接地電極部とが接続される高周波入出力回路
と接地回路とを備えた基板と、前記パッケージを覆う筐
体と、前記パッケージと筐体との間に介在して前記半導
体装置の発熱を熱伝導によって放熱する放熱部材とを備
えたことにより、半導体素子自体に放熱機能をもたせず
に、それが組み込まれる半導体装置に放熱機能をもつ放
熱部材および筐体を設けたので、半導体素子のパッケー
ジを大きくしたり、半導体素子に特別な放熱構造を備え
る必要がないため、半導体素子自体をの構造を複雑とす
ることがなく、小型で軽量のままとすることができる。
【００１７】また、本発明によれば、放熱部材をパッケ
ージの入出力接続電極部間に配置したことにより、放熱
部材が高周波的に遮蔽する仕切板として機能するため、
高周波入出力回路間のアイソレーションを大きくとるこ
とができ、高利得の半導体素子の電気的特性調整が容易
に行え、安定した性能が得られるとともに、放熱部材が
遮蔽板としての機能を併せもつため、従来のように放熱
板の他に遮蔽板を設けるために遮蔽が十分行われないと
か大型化するといったようなことがない。
ージの入出力接続電極部間に配置したことにより、放熱
部材が高周波的に遮蔽する仕切板として機能するため、
高周波入出力回路間のアイソレーションを大きくとるこ
とができ、高利得の半導体素子の電気的特性調整が容易
に行え、安定した性能が得られるとともに、放熱部材が
遮蔽板としての機能を併せもつため、従来のように放熱
板の他に遮蔽板を設けるために遮蔽が十分行われないと
か大型化するといったようなことがない。
【００１８】また、本発明によれば、放熱部材とパッケ
ージとの間に上下動自在な熱伝導介在部材を設けたこと
により、パッケージの高さに合わせて熱伝導介在部材を
調整できるので、半導体素子のパッケージの形状に関係
なく放熱可能となり、このため同一の半導体装置を設計
変更することなく使用できて設計工数の削減が図れる。
ージとの間に上下動自在な熱伝導介在部材を設けたこと
により、パッケージの高さに合わせて熱伝導介在部材を
調整できるので、半導体素子のパッケージの形状に関係
なく放熱可能となり、このため同一の半導体装置を設計
変更することなく使用できて設計工数の削減が図れる。
【００１９】また、本発明によれば、放熱部材と筐体と
を導電性部材で形成し、パッケージの接地電極部と前記
放熱部材との間に導電性の放熱板を介装させたことによ
り、半導体素子の接地をスルーホールを介して行うこと
なく、放熱板を介して接地するため寄生インダクタンス
を低減することができ、電気的特性の安定化が図れる。
を導電性部材で形成し、パッケージの接地電極部と前記
放熱部材との間に導電性の放熱板を介装させたことによ
り、半導体素子の接地をスルーホールを介して行うこと
なく、放熱板を介して接地するため寄生インダクタンス
を低減することができ、電気的特性の安定化が図れる。
【図１】 本発明に係る半導体装置の全体を示す斜視図
である。
である。
【図２】 図１におけるII-II 線断面図である。
【図３】 本発明に係る半導体装置の第２の実施の形態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】 本発明に係る半導体装置の第３の実施の形態
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】 従来の半導体素子の全体を示す斜視図であ
る。
る。
１…半導体装置、２…パッケージ、２ａ…入力接続電極
部、２ｂ…出力接続電極部、２ｃ…接地電極部、３…誘
電体基板、３ａ…高周波入力回路、３ｂ…高周波出力回
路、４…接地回路、４ａ…スルーホール、５…放熱部
材、５ａ…切欠部、５ｂ…ねじ部、６…ケース、７…
蓋、８…ねじ、８ａ…フランジ部、１０…放熱板。
部、２ｂ…出力接続電極部、２ｃ…接地電極部、３…誘
電体基板、３ａ…高周波入力回路、３ｂ…高周波出力回
路、４…接地回路、４ａ…スルーホール、５…放熱部
材、５ａ…切欠部、５ｂ…ねじ部、６…ケース、７…
蓋、８…ねじ、８ａ…フランジ部、１０…放熱板。
Claims (4)
- 【請求項１】 半導体チップが封入され、入出力接続電
極部および接地電極部を備えるパッケージと、このパッ
ケージの入出力接続電極部と接地電極部とが接続される
高周波入出力回路と接地回路とを備えた基板と、前記パ
ッケージを覆う筐体と、前記パッケージと筐体との間に
介在して前記半導体装置の発熱を熱伝導によって放熱す
る放熱部材とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置において、放
熱部材をパッケージの入出力接続電極部間に配置したこ
とを特徴とする半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の半導体装置において、放
熱部材とパッケージとの間に上下動自在な熱伝導介在部
材を設けたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の半導体装置において、放
熱部材と筐体とを導電性部材で形成し、パッケージの接
地電極部と前記放熱部材との間に導電性の放熱板を介装
させたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8017434A JP2812281B2 (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8017434A JP2812281B2 (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213853A true JPH09213853A (ja) | 1997-08-15 |
| JP2812281B2 JP2812281B2 (ja) | 1998-10-22 |
Family
ID=11943924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8017434A Expired - Fee Related JP2812281B2 (ja) | 1996-02-02 | 1996-02-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2812281B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015018857A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 三菱電機株式会社 | 高放熱基板、部品の放熱構造 |
| JP2016046314A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用回路装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155794U (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-19 | 三菱電機株式会社 | 電子機器用放熱装置 |
-
1996
- 1996-02-02 JP JP8017434A patent/JP2812281B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59155794U (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-19 | 三菱電機株式会社 | 電子機器用放熱装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015018857A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 三菱電機株式会社 | 高放熱基板、部品の放熱構造 |
| JP2016046314A (ja) * | 2014-08-20 | 2016-04-04 | 三菱電機株式会社 | 電力用回路装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2812281B2 (ja) | 1998-10-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |