JPH09213596A - 半導体製造方法ならびにこれに用いる排ガス処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体製造工程から高濃度の窒素酸化物が排
出される場合にこれを許容値以下にまで低減して、所望
の半導体装置を製造し得るようにする。 【解決手段】 半導体ウエハを処理するウエハ処理工程
２から排出され窒素酸化物を含む排ガスに希釈ガスを混
合させる希釈ガス混合工程４と、希釈化された排ガスを
選択接触還元反応させて排ガス中の窒素酸化物を除去す
る選択接触還元反応工程７とを有し、希釈化された排ガ
スは選択接触還元反応工程７に導入される前に予熱工程
６で予熱され、選択接触還元反応工程７から排出された
除害後の排ガスは冷却工程９で冷却される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置を製造す
る際に製造工程から排出される排ガスを処理する排ガス
処理技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体集積回路装置つまり半導体装置の
製造工程は、半導体ウエハを製造する工程と、製造され
た半導体ウエハを処理してこれに集積回路を形成するウ
エハ処理工程と、回路が形成されたウエハを各々の半導
体ペレットつまりチップに分離してパッケージ内に封止
する組立工程とを有している。

【０００３】ウエハ処理工程には、さらにウエハ表面に
絶縁膜、電極配線、半導体膜などを形成するためのＰＶ
Ｄ(Physical Vapor Deposition) 、ＣＶＤ(Chemical Va
porDeposition) 、そしてエピタキシャル成長などの手
段による薄膜形成工程、ウエハ表面に酸化膜を形成する
酸化処理工程、不純物原子をウエハ中に添加するドーピ
ング工程、およびウエハ表面にフォトレジスト膜を塗布
して回路パターンを形成するエッチング処理など種々の
処理工程を有している。

【０００４】ウエハ表面への酸化膜の形成には、常圧熱
酸化装置、高圧熱酸化装置、およびプラズマ陽極酸化装
置などが使用されている。酸化方式には、ドライＯ₂ 、
ウエットＯ₂ 、スチーム、Ｈ₂ −Ｏ₂ の混合ガスなどが
使用されている。スチームを使用した酸化処理装置とし
ては、たとえば特開昭62-4324 号公報に開示されている
ように、石英からなる管体の内部に被熱処理物であるウ
エハを載置し、燃焼流体である水素と支燃流体である酸
素を管内に供給して、水素の燃焼により水蒸気を発生さ
せ、ウエハの表面をスチーム酸化する技術が知られてい
る。

【０００５】また、前記した化学的気相成長装置（ＣＶ
Ｄ）としては、たとえば特開昭62-245623 号公報に示さ
れるように、ウエハが収容された処理管の中に反応ガス
を供給しつつ内部を排気し、反応ガスを熱分解反応させ
てウエハの表面に薄膜を形成するようにしたものがあ
る。

【０００６】さらに、イオンが打ち込まれた層の結晶欠
陥を回復させて不純物原子を活性化するためにアニール
処理がなされており、この処理に関しては、たとえば特
開昭56-100412 号公報に記載されるものがある。

【０００７】このように、半導体製造工程にあっては、
ウエハが収容される収容室を有する容器内に処理ガスを
供給しながら、これを加熱してウエハを酸化処理した
り、薄膜形成したり、結晶欠陥を回復させるための処理
などが多数存在する。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、本発明者
は、熱酸化膜形成プロセスについて検討した。以下は、
本発明者によって検討された技術であり、その概要は次
のとおりである。

【０００９】すなわち、ウエハに熱酸化膜を製品歩留り
を向上させて形成するためにその処理ガスとして亜酸化
窒素（Ｎ₂ Ｏ）ガスを使用したところ、処理中に熱分解
して３０％程度の窒素酸化物が生成され、これを処理工
程から排気する必要があった。また、比較的高濃度のＮ
ＯやＮＯ₂ などの窒素酸化物を処理ガスとして使用した
場合にも、さらに高い濃度の窒素酸化物を処理工程から
外部に排出することが必要となった。

【００１０】そのため、ウォータシャワーの中に排ガス
を通過して窒素酸化物を除去するアルカリ湿式吸着法、
つまりスクラバー法を用いて排ガスの処理を行うことを
試みたが、所望の許容値以下にまで窒素酸化物を除去つ
まり除害することが困難であった。高濃度の窒素酸化物
をそのまま外気に排気することは、環境汚染を引き起こ
すことから、これをいかにして許容値以下の低濃度にま
で低減できるかが、高い歩留りでの半導体製造に際して
重要な問題となった。

【００１１】本発明の目的は、半導体製造工程から高濃
度の窒素酸化物が排出される場合にこれを許容値以下に
まで低減して、歩留り良く所望の半導体装置を製造し得
るようにすることにある。

【００１２】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１４】すなわち、本発明の半導体製造方法は、半
導体ウエハを製造する工程と、製造された半導体ウエハ
を処理してこれに集積回路を形成するウエハ処理工程
と、回路が形成されたウエハを各々の半導体ペレットに
分離してパッケージ内に封止する組立工程とを有する半
導体製造方法であって、前記ウエハ処理工程から排出さ
れ窒素酸化物を含む排ガスと希釈ガスとを混合する工程
と、希釈化された排ガスを選択接触還元反応させて窒素
酸化物を除去する除害工程とを有する。

【００１５】また、本発明の排ガス処理方法は、半導体
ウエハを処理するウエハ処理工程から排出され窒素酸化
物を含む排ガスに希釈ガスを混合させる希釈ガス混合工
程と、希釈化された排ガスを選択接触還元反応させて前
記排ガス中の窒素酸化物を除去する選択接触還元反応工
程とを有する。希釈化された排ガスは選択接触還元反応
工程に導入する前に予熱され、選択接触還元反応工程か
ら排出された除害後の排ガスは冷却される。選択接触反
応工程にあってはＮＨ₃ などの還元ガスが導入される。

【００１６】さらに、本発明の排ガス処理装置は、半導
体ウエハを処理するウエハ処理工程から排出され窒素酸
化物を含む排ガスに希釈ガスを混合する希釈ガス混合部
と、希釈化された排ガスを予熱する排ガス予熱部と、予
熱された排ガスに還元ガスを導入した状態で選択接触還
元反応によって前記排ガス中の窒素酸化物を除害する選
択接触還元反応部と、窒素酸化物が除去された後の排ガ
スを冷却した後に外部に排出する排気部とを有する。選
択接触還元反応部では排ガスと還元ガスとを１８０〜２
５０℃の温度に加熱して選択接触還元反応がなされる。

【００１７】本発明にあっては窒素酸化物を含む処理ガ
スをウエハの処理に使用しても、処理後の排ガス中に含
まれる窒素酸化物を所定の許容値以下に除害して外部に
排出することができるので、処理の歩留りを向上しつ
つ、ウエハの処理を行うことが可能となった。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１９】図１は本発明の一実施の形態である半導体
製造方法の概略工程を示す図であり、半導体ウエハを製
造するウエハ製造工程１と、製造されたウエハを処理し
てこれに集積回路を形成するウエハ処理工程２と、回路
が形成されたウエハを各々の半導体ペレットに分離して
パッケージ内に封止する組立工程３とを有している。

【００２０】ウエハ製造工程１には、単結晶シリコンの
インゴットを製造する単結晶製造工程、このインゴット
を所定の厚みを有するウエハに切断するスライシング工
程などを有している。また、ウエハ処理工程２には、Ｃ
ＶＤやスパッタリングなどの種々の薄膜形成工程、酸化
処理工程、イオン注入などのドーピング工程、アニール
処理工程、エッチング処理工程、洗浄工程などを有して
いる。

【００２１】ウエハ処理工程におけるたとえば熱処理工
程から排出され、窒素酸化物を含む排ガスは、希釈ガス
混合工程４に送られる。この混合工程４には希釈ガス供
給部５から希釈ガスとしての空気が供給されるようにな
っている。ただし、この希釈ガスとしては空気以外に酸
素と不活性ガスとの混合ガスを使用するようにしても良
い。ここで、十分に混合されて希釈ガスによって窒素酸
化物の濃度が約１％以下となった排ガスは、予熱工程６
に送られて、たとえば、３８０℃〜４００℃程度に加熱
された後に、選択接触還元反応工程７に送られる。この
工程には、還元ガス供給部８からＮＨ₃ ガスが還元ガス
として供給されるようになっており、ここで選択接触還
元反応によって排ガスの中の窒素酸化物が除害される。

【００２２】ところで、ＮＯをＮ₂ とＯ₂ に分解するこ
とは困難であるが、還元ガスを添加することにより触媒
の存在下でＮＯをＮ₂ に還元させることができる。ＮＯ
の接触還元法は燃焼排ガスのように低濃度（数100ppm)
のＮＯ処理用として開発がなされており、排ガス中にＮ
ＯとＯ₂ が共存する場合に添加した還元ガスがＮＯのみ
と選択的に反応させる方式と、ＮＯとＯ₂ の両者と反応
させる方式とが考えられ、前者を選択接触還元法と言
い、後者を非選択接触還元法と言う。

【００２３】還元ガスとして、ＣＨ₄ 、ＣＯあるいはＨ
₂ を添加すると、非選択接触還元反応が得られる。還元
ガスとしてＣＨ₄ を添加した場合の反応は次のように進
行する。

【００２４】 ＣＨ₄ ＋４ＮＯ₂ →４ＮＯ＋ＣＯ₂ ＋２Ｈ₂ Ｏ ＣＨ₄ ＋２Ｏ₂ →ＣＯ₂ ＋２Ｈ₂ Ｏ ＣＨ₄ ＋４ＮＯ→２Ｎ₂ ＋ＣＯ₂ ＋２Ｈ₂ Ｏ 一方、還元ガスとして、ＮＨ₃ を使用すると、還元ガス
はＮＯおよびＮＯ₂ とのみ選択的に反応してＯ₂ とはほ
とんど反応しない触媒を選定することができ、還元ガス
の添加量はＮＯ_x に対する当量で良い。還元ガスとして
ＮＨ₃ を用いた場合のＮＯおよびＮＯ₂ の還元反応は次
の通りである。

【００２５】６ＮＯ＋４ＮＨ₃ →５Ｎ₂ ＋６Ｈ₂ Ｏ ６ＮＯ₂ ＋８ＮＨ₃ →７Ｎ₂ ＋１２Ｈ₂ Ｏ このような選択接触還元反応を起こさせるためのＮＯ_x
の還元触媒としては、Ｆｅ，Ｍｎなどの複合体からなる
触媒が使用される。

【００２６】非選択接触還元反応を起こさせるには、多
量の還元ガスを消費する欠点があったが、選択接触還元
反応を起こさせるための還元ガスの使用量は少なくて済
むことから、本発明にあっては選択接触還元反応を利用
して排ガスの処理を行うことが好適であると判明した。

【００２７】このような反応によってＮＯ_x が除去され
た排ガスは、冷却工程９により常温近くまで冷却された
後に、排気工程１０を経て外部に排出される。

【００２８】図２はウエハ処理工程から排出され、ＮＯ
_x を含む排ガスを処理する排ガス処理装置を示す図であ
り、排ガス処理装置のハウジング１１には半導体製造工
程から排出された窒素酸化物を含む排ガスが導入される
排ガス導入口１２と、希釈ガスとしての空気あるいは酸
素と不活性ガスとの混合ガスが導入される希釈ガス導入
口１３とが設けられている。

【００２９】これらの導入口１２，１３には、これらの
導入口から供給されたガスを混合するために、希釈ガス
混合部１４が接続されており、この希釈ガス混合部１４
において窒素酸化物濃度は１％以下に希釈される。この
希釈ガス混合部１４には排ガス予熱部１５が接続されて
おり、ここで希釈ガスは３８０℃〜４００℃の温度に予
熱される。この排ガス予熱部１５は筒状のケーシング１
６を有し、この中には粒状のセラミックなどからなる充
填物１７が注入されるとともに、ケーシング１６の外側
に筒状のヒーター１８が設けられている。したがって、
排ガス予熱部１５内に流入した希釈ガスは、充填物１７
相互間に形成された隙間を通りながら、所定の温度にま
で予熱される。

【００３０】この排ガス予熱部１５には選択接触還元反
応部２０が接続されており、希釈化され予熱された排ガ
スはこの選択接触還元反応部２０に流入される。さら
に、この反応部２０には還元ガス供給路２１が接続され
ており、排ガスには還元ガスとしてＮＨ₃ が添加され
る。この反応部２０のケーシング２２内には前記した触
媒が充填されてるとともに、このケーシング２２の外側
にはヒーター２３が設けられており、反応部２０内の温
度は、１８０℃〜２５０℃に保たれるようになってい
る。このヒーター２３はそれぞれコイル状となった３つ
のヒーター２３ａ〜２３ｃにより構成されており、反応
部２０内の温度を下側部、中側部および上側部のそれぞ
れについて独立して温度制御することができる。

【００３１】この反応部２０には冷却部２４が接続され
ており、反応部２０で所定の許容値以下にまで窒素酸化
物が除害された排ガスは、冷却部２４に導入される。こ
の冷却部２４は冷却液が循環するようになった熱交換器
が設けられており、排ガスはこの冷却部２４においてた
とえば８０℃以下の温度に冷却される。この冷却部２４
には送風機つまりブロワーなどからなる排気部２５が接
続されており、冷却された排ガスはこの排気部２５によ
って排ガス出口２６からハウジング１１の外部に排出さ
れる。

【００３２】図３は排ガスに還元ガスであるＮＨ₃ を供
給した場合におけるＮＯ_x とＮＨ₃の処理効率を種々の
処理温度について測定した実験結果を示すデータであ
り、反応部２０の排ガスの温度を１８０℃以下とする
と、除害後の排ガスの中におけるＮＨ₃ の含有量が高く
なり、処理効率は悪くなる。これに対して、これ以上の
温度にすると、ＮＨ₃ の処理効率は向上することが判明
した。

【００３３】これに対して、反応時の排ガス温度を２５
０℃以上にすると、温度上昇に伴ってＮＯ₂ とＮＯの処
理効率が低下することが判明した。この実験結果によ
り、反応温度を１８０〜２５０℃に保持することが、Ｎ
Ｈ₃ の残留ガスを無くしつつ、窒素酸化物を許容値以下
に除害し得ることが理解された。

【００３４】図４は図２に示した排ガス処理装置を、ウ
エハ処理工程における熱酸化処理装置からの排ガスを除
害するために使用した場合を示す図である。図示するよ
うに、クリーンルームＲ内に設置された熱酸化処理用の
処理筒体２７内の処理室には複数のウエハＷが収容され
るようになっており、この処理筒体２７にはＮＯ、ＮＯ
₂ 、あるいはＮ₂ Ｏなどの窒素酸化物を含む処理ガスを
供給するための処理ガス供給路２８が接続され、この処
理ガス供給路２８にはこれの管路を開閉するための開閉
弁Ｖが設けられている。また、この処理筒体２７は排ガ
ス導入管２９によって排ガス処理装置の排ガス導入口１
２に接続されている。

【００３５】排ガス処理装置の構造は図２に示した場合
と同様であり、図４にあっては図２に示された部材と共
通する部材には同一の符号が付されている。排ガス出口
２６には排気ダクト３０が接続され、除害された後の排
ガスはクリーンルームＲの外部に排出される。このよう
に、処理筒体２７に処理ガスとして窒素酸化物を含むＮ
Ｏ，ＮＯ₂ あるいＮ₂ Ｏを使用することにより、高品質
の酸化処理を歩留り良く行うことが可能となった。

【００３６】図５は図４に示した排ガス処理装置の作動
を制御する制御回路を示すブロック図であり、希釈ガス
としての空気を供給する空気供給制御部３１、排ガス予
熱部１５の温度を制御する予熱制御部３２、反応部２０
に供給される還元ガスの供給を制御する還元ガス供給制
御部３３、反応部２０の温度を制御する反応制御部３
４、除害された後の排出ガスの排気温度を制御する排気
制御部３５とを有し、これらはそれぞれ制御部３６に接
続されている。

【００３７】空気供給制御部３１は、希釈ガス混合部１
４に供給される空気の圧力を検知する圧力計３１ａと、
風速計３１ｂとを有しており、これらの検知信号は制御
部３６に送られ、これらの信号に応じて、排気部２５の
ブロワー回転が制御される。さらに、希釈ガス混合部１
４への空気の供給を緊急時に停止する空気遮断弁３１ｃ
が制御部３６からの信号によって作動するようになって
いる。

【００３８】予熱制御部３２は、ヒーター１８の温度を
検知するヒーター温度計３２ａと予熱炉としてのケーシ
ング１６の温度を検知する予熱炉温度計３２ｂとを有
し、これらの検知信号はそれぞれ制御部３６に送られる
ようになっており、これらの検知信号に基づいて制御部
３６によってヒーター１８への通電が制御される。

【００３９】還元ガス供給制御部３３は、還元ガスの圧
力を監視する圧力計３３ａを有し、この検出信号は制御
部３６に送られるようになっている。また、還元ガス供
給制御部３３には還元ガス流路を開閉する開閉弁３３
ｂ、還元ガスの流量を制御する流量制御部３３ｃおよび
Ｎ₂ パージガスの供給を制御するパージガス制御弁３３
ｄを有しており、これらはそれぞれ制御部３６からの制
御信号により作動が制御される。Ｎ₂ パージガスは、装
置が故障したり緊急停止した場合に還元ガス供給路２１
内のＮＨ₃ ガスを除去するためのものであり、このよう
にして装置の安全が確保されている。

【００４０】反応制御部３４は、ヒーター２３の温度を
検知するヒーター温度計３４ａ、反応筒としてのケーシ
ング２２の温度を検知する反応筒温度計３４ｂおよび触
媒の温度を検知する触媒温度計３４ｃをそれぞれ複数個
有し、それぞれからの検知信号は制御部３６に送られ、
これらの検知結果に応じて、ヒーター２３への通電が制
御される。

【００４１】排気制御部３５は、排気部２５における排
気温度を検知するブロワー温度計３５ａと、冷却部２４
の熱交換器に冷却液が供給されているか否かを検知する
冷却液フロースイッチ３５ｂとを有し、これらの検出信
号は制御部３６に送られ、システム排気温度を監視しブ
ロワーの安定稼働を保つ。

【００４２】さらに、制御部３６には図４に示す熱酸化
処理装置が作動したことを示す信号が送られるようにな
っており、図４に示した処理ガス供給路２８に設けられ
た開閉弁Ｖに開閉作動信号が制御部３６から送られるよ
うになっている。

【００４３】図６は図４に示した排ガス処理装置を用い
て熱酸化処理装置からの排ガス処理を自動的に行う場合
における処理方法の手順を示すフローチャートであり、
熱酸化処理装置は、処理ガス供給路２８からＮＯガス、
ＮＯ₂ ガスあるいはＮ₂ Ｏガスなどの窒素酸化物を含む
処理ガスを供給してウエハＷに熱酸化処理が行われる。

【００４４】図６に示すように、熱酸化処理装置に対し
てステップＳ１において酸化処理開始の指令が入力され
ると、まず、ステップＳ２で自動運転モードが設定され
ているか否かを検知し、自動運転モードか設定されてい
る場合には、ステップＳ３で触媒温度計３４ｃからの信
号を取り込み、反応部２０内の排ガスが最適な選択接触
還元反応がなされるための所定の温度となっているか否
かが判別される。所定の温度まで上昇していない場合に
はヒーター２３の温度を上昇させるべき電力がヒーター
２３に供給される。

【００４５】ステップＳ３で所定の温度となったことが
判断されたならば、還元ガスであるＮＨ₃ を反応部２０
内に供給すべく、還元ガス供給路２１に設けられた開閉
弁３３ｂがステップＳ４で開放されて還元ガスが供給さ
れる。次いで、ステップＳ５では熱酸化装置における開
閉弁Ｖが開かれて、処理ガスが処理筒体２７内に供給さ
れる。このようにして、複数のウエハＷに対して熱酸化
処理がなされ、処理の完了がステップＳ６で判断された
ならば、ステップＳ７で開閉弁Ｖを閉じて処理ガスの供
給を停止する。

【００４６】これとともに、ステップＳ８では制御部３
６内のタイマーが作動し、このタイマーのカウトン終了
がステップＳ９で検知されたならば、ステップＳ１０で
は開閉弁３３ｃが閉じられて、還元ガスの供給が停止さ
れる。

【００４７】図示する排ガス処理装置を使用した結果、
排気工程１０から排出され除害された後の排ガスには、
ＮＯが２５ｐｐｍ以下、ＮＯ₂ が３ｐｐｍ以下、ＮＨ₃
が２５ｐｐｍ以下となり、それぞれの残留成分は許容値
以下に除害された。

【００４８】図４に示す装置にあっては、半導体製造工
程である熱酸化処理工程からの窒素酸化物の排出に連動
して、排ガス処理装置が自動的に運転され、熱酸化処理
工程の停止に対応させて、排ガス処理装置が自動的に停
止されることになるので、排ガス処理装置が単独で作動
することが確実に防止され、運転操作ミスが確実に防止
される。さらに、半導体製造工程が作動しているときに
のみ、排ガス処理装置には還元ガスが供給されることに
なるので、還元ガスなどの使用量を節約することができ
るとともに、装置の安全運転が可能となる。また、半導
体製造工程が作動しているときにのみ、排ガス処理装置
が作動するので、この装置におけるヒーターや排気部の
ブロワーを作動させることが不要となり、電力の節約を
実現することができる。

【００４９】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００５０】たとえば、図４は半導体製造装置である熱
酸化装置からの排ガスを処理するようにしているが、ア
ニール装置からの排ガスを除害するために本発明を適用
することができる。さらに、これら以外に、窒素酸化物
が発生する半導体ウエハ処理工程からの排ガスであれ
ば、どのような工程ないし装置からの排ガスでも処理す
ることができる。

【００５１】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００５２】(1).半導体ウエハの処理に際して窒素酸化
物を含む処理ガスを使用することができることになり、
高品質の処理を歩留り良く行うことが可能となった。

【００５３】(2).半導体ウエハを処理する工程から発生
される窒素酸化物を含む排ガスを処理して窒素酸化物を
除害した後に外部に排出することができるので、窒素酸
化物の発生が不可避となる場合における半導体ウエハの
処理が可能となり、大気汚染や環境破壊を防止しつつ、
半導体を効率良く製造することが可能となった。

【００５４】(3).熱酸化処理装置やアニール処理装置な
どの半導体ウエハの製造工程から発生する排ガス中の窒
素酸化物を、許容値以下に除害して清浄ガスに浄化する
ことができる。

【００５５】(4).半導体製造工程を構成する熱酸化処理
工程などの個々の処理装置の近傍に排ガス処理装置を設
置することができるので、窒素酸化物が発生する個々の
装置について除害することができる。

【００５６】(5).したがって、窒素酸化物が発生する装
置について個々のポイントで除害することができること
から、排ガス処理装置に窒素酸化物以外の排ガスが混入
することが防止され、触媒の長寿命化を達成することが
できる。

【００５７】(6).排ガス処理装置は、排ガスの発生源で
ある半導体製造装置が作動しているときにのみ作動する
ので、還元ガスの使用量を低減しつつ、排ガス処理装置
の安全性の向上と電力節約などの効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置製造方
法の製造工程を示すブロック図である。

【図２】本発明の一実施の形態である排ガス処理方法を
具体化した排ガス処理装置を示す断面図である。

【図３】選択接触還元反応部における炉内温度と反応部
内におけるガスの処理効率との関係を示す実験データで
ある。

【図４】半導体製造方法に用いられる熱酸化処理装置か
らの窒素酸化物を除害するための排ガス処理装置を示す
断面図である。

【図５】図４に示す排ガス処理装置の作動を制御するた
めの制御回路を示すブロック図である。

【図６】図４に示す排ガス処理装置における排ガス処理
手順を示すフローチャートである。

【符号の説明】

１ ウエハ製造工程 ２ ウエハ処理工程 ３ 組立工程 ４ 希釈ガス混合工程 ５ 希釈ガス供給部 ６ 予熱工程 ７ 選択接触還元反応工程 ８ 還元ガス供給部 ９ 冷却工程 １０ 排気工程 １１ ハウジング １２ 排ガス導入口 １３ 希釈ガス導入口 １４ 希釈ガス混合部 １５ 排ガス予熱部 １６ ケーシング １７ 充填物 １８ ヒーター ２０ 選択接触還元反応部 ２１ 還元ガス供給路 ２２ ケーシング ２３ ヒーター ２４ 冷却部 ２５ 排気部 ２６ 排ガス出口 ２７ 処理筒体 ２８ 処理ガス供給路 ２９ 排ガス導入管 ３０ 排気ダクト ３１ 空気供給制御部 ３２ 予熱制御部 ３３ 還元ガス供給制御部 ３４ 反応制御部 ３５ 排気制御部 ３６ 制御部

フロントページの続き (72)発明者 荒木 佳則 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 植西 俊哉 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 大坪 宏 東京都青梅市藤橋３丁目３番地２ 日立東 京エレクトロニクス株式会社内 (72)発明者 内野 敏幸 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 金子 隆 東京都中野区東中野三丁目14番20号 国際 電気株式会社内 (72)発明者 後藤田 一徳 東京都大田区南蒲田１−１−25 株式会社 巴商会内 (72)発明者 丸藤 哲暁 東京都大田区南蒲田１−１−25 株式会社 巴商会内

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハを製造する工程と、製造さ
   れた半導体ウエハを処理してこれに集積回路を形成する
   ウエハ処理工程と、回路が形成されたウエハを各々の半
   導体ペレットに分離してパッケージ内に封止する組立工
   程とを有する半導体製造方法であって、 前記ウエハ処理工程から排出され窒素酸化物を含む排ガ
   スと希釈ガスとを混合する工程と、 希釈化された排ガスを選択接触還元反応させて窒素酸化
   物を除去する除害工程とを有することを特徴とする半導
   体製造方法。
2. 【請求項２】 半導体ウエハを処理するウエハ処理工程
   から排出され窒素酸化物を含む排ガスに希釈ガスを混合
   させる希釈ガス混合工程と、 希釈化された排ガスを選択接触還元反応させて前記排ガ
   ス中の窒素酸化物を除去する選択接触還元反応工程とを
   有することを特徴とする排ガス処理方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載の排ガス処理方法であっ
   て、希釈化された前記排ガスを前記選択接触還元反応工
   程に導入する前に予熱する予熱工程と、選択接触還元反
   応工程から排出された除害後の排ガスを冷却する冷却工
   程とを有することを特徴とする排ガス処理方法。
4. 【請求項４】 請求項２または３記載の排ガス処理方法
   であって、前記選択接触反応工程にＮＨ₃ などの還元ガ
   スを導入するようにしたことを特徴とする排ガス処理方
   法。
5. 【請求項５】 請求項２，３または４記載の排ガス処理
   方法であって、半導体ウエハに熱酸化膜を形成する熱酸
   化処理装置からの排気ガスの処理を行うことを特徴とす
   る排ガス処理方法。
6. 【請求項６】 請求項２，３または４記載の排ガス処理
   方法であって、半導体ウエハに熱酸化膜を形成する工程
   の熱酸化処理装置が作動している時のみ排ガス処理を行
   うようにしたことを特徴とする排ガス処理方法。
7. 【請求項７】 半導体ウエハを処理するウエハ処理工程
   から排出され窒素酸化物を含む排ガスに希釈ガスを混合
   する希釈ガス混合部と、 希釈化された排ガスを予熱する排ガス予熱部と、 予熱された排ガスに還元ガスを導入した状態で選択接触
   還元反応によって前記排ガス中の窒素酸化物を除害する
   選択接触還元反応部と、 窒素酸化物が除去された後の排ガスを冷却した後に外部
   に排出する排気部とを有することを特徴とする排ガス処
   理装置。
8. 【請求項８】 請求項７記載の排ガス処理装置であっ
   て、前記選択接触還元反応部では排ガスと還元ガスとを
   １８０〜２５０℃の温度に加熱して前記反応を起こすよ
   うにしたことを特徴とする排ガス処理装置。