JPH09210628A

JPH09210628A - 位置測定装置

Info

Publication number: JPH09210628A
Application number: JP1348196A
Authority: JP
Inventors: Koji Ichigaya; 弘司市ヶ谷
Original assignee: SEFUTO KENKYUSHO KK
Current assignee: SEFUTO KENKYUSHO KK
Priority date: 1996-01-30
Filing date: 1996-01-30
Publication date: 1997-08-12

Abstract

(57)【要約】【課題】種々の分野において、簡単な原理で高い精度
の位置測定が可能である位置測定装置を提供する。【解決手段】ＣＣＤ１０には多数のセルＩ_n等が１１
μｍ間隔で設けられ、連続する１０個のセルで一つのグ
ループが形成される。光干渉生成手段３０からＣＣＤ１
０の受光面上に光が投射されると、受光面上では干渉縞
が形成され、光強度は周期的に変化する。この光強度の
変化の周期を１０μｍとする。光干渉生成手段３０は、
ｘ軸方向に並進移動可能である。Ｇ_nグループの最も左
のセルＩ_nの真上に干渉縞の明部が来ており、セルＩ_n
は受光可能な光の最大量を受ける。隣のセルＪ_nとその
上の干渉縞の明部は僅かにずれ、セルＪ_nの出力値は、
最大値よりわずかに小さい。以下各セルの出力は徐々に
変化し、出力が最小になったあと再び増加し、次のグル
ープのセルＩ_n+1では、再び最大となる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、正確な位置測定が
必要とされるあらゆる分野に適用可能な位置測定装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】正確な距離や長さ（以下「距離」と総称
する）の測定は、さまざまな分野で重要であり、種々の
方法が実用化されている。二つの点の間の距離を求める
には、その二つの点の相対位置を正確に測定することが
必要となる。距離もしくは相対位置の測定に用いられる
一般的な手段としては、ノギス、マイクロメーター、ダ
イヤルゲージ、マグネスケール、レーザー測長器、顕微
鏡などが従来から知られている。半導体集積回路技術の
分野や工作機械分野等、多くの分野では、加工手段と加
工対象物との正確な位置合わせが必要となるため、その
前提として、高精度の距離もしくは相対位置の測定が必
要となる。

【０００３】例えば、半導体製造の分野では、半導体ウ
ェハ上への素子の形成から、チップのダイシング、ワイ
ヤボンディング、パッケージングに至るまでの多くの段
階で、位置合わせのための正確な距離測定が必要とな
る。ダイシング加工における位置合わせの方法には、パ
ターン認識の技術が用いられることがある。また、自動
化された工作機械の場合も、ツールと加工ワークとの間
の正確な相対位置の検出が不可欠であり、例えばエンコ
ーダなどからの信号から加工ワークの移動量を検出し、
これに基づいてツールと加工ワークとの位置を数値制御
するなどの方法で位置合わせを行っている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の位置測
定装置は、いずれも、特定の分野の位置測定には適して
いても、それ以外の分野で位置測定が必要な場合に、直
ちに転用することは難しい。本発明は、上記事情に基づ
いてなされたものであり、種々の分野において、簡単な
原理で高い精度の位置測定が可能である位置測定装置を
提供することを目的とするものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
受光面のｘ軸方向に等間隔に配列した複数の受光素子を
各グループにｐ個ずつ含まれるようグループ分けした受
光部と、前記受光部の受光面に対向してｘ軸方向に並進
移動可能に配置され、前記受光面に投射した光による光
の干渉によって、前記受光面上で前記受光素子の一つの
グループの寸法と等しい距離当たりにｑ個（ｑ≠ｐ）の
干渉縞を形成する光干渉手段と、前記各受光素子が前記
光干渉手段から干渉光を受光したときに、それぞれのグ
ループに属する対応する位置に配置された各受光素子の
出力信号を加算して、ｐ個の加算結果を出力する加算部
と、前記加算部による加算の結果得られるｐ個の加算結
果を周期関数化し、この周期関数の位相計算を行う演算
部とを具備し、前記演算部の位相計算の結果から、前記
受光部と前記光干渉手段とのｘ軸上における相対位置を
算出することを特徴とするものである。

【０００６】請求項２記載の発明は、受光面のｘ軸方向
に等間隔に配列された複数の受光素子（ｘ受光素子とい
う）を各グループにｐ個ずつ含まれるようグループ分け
するとともに、受光面のｙ軸方向に等間隔に配列された
複数の受光素子（ｙ受光素子という）を各グループにｓ
個ずつ含まれるようグループ分けして構成された受光部
と、前記受光部の受光面に対向してｘ−ｙ平面内で並進
移動可能に配置され、前記受光面に投射した光による光
の干渉によって、前記受光面上で前記ｘ受光素子の一つ
のグループの寸法と等しい距離当たりにｑ個（ｑ≠ｐ）
の干渉縞を形成するとともに、前記ｙ受光素子の一つの
グループの寸法と等しい距離当たりにｔ個（ｔ≠ｓ）の
干渉縞を形成する光干渉手段と、前記各ｘ受光素子が前
記光干渉手段から干渉光を受光したときに、それぞれの
グループに属する対応する位置に配置された受光素子の
出力信号を加算してｐ個の加算結果を出力するととも
に、前記各ｙ受光素子が前記光干渉手段から干渉光を受
光したときに、それぞれのグループに属する対応する位
置に配置された受光素子の出力信号を加算してｓ個の加
算結果を出力する加算部と、前記加算部による加算の結
果得られるｐ個の加算結果を周期関数化し、この周期関
数の位相計算を行うとともに、前記加算部による加算の
結果得られるｓ個の加算結果を周期関数化し、この周期
関数の位相計算を行う演算部とを具備し、前記演算部の
位相計算の結果から、前記受光部と前記光干渉手段との
ｘ−ｙ平面上における相対位置を算出することを特徴と
するものである。

【０００７】

【作用】本発明は、前記の構成により、ｐ個とｑ個の
数、およびｓ個とｔ個の数が僅かに異なっている場合、
一つのグループに属するｐ個（又はｓ個）の受光素子か
ら出力される信号の値を並べると、正弦波、三角波状な
どの周期的な波形となる。そして、それぞれのグループ
に属する対応する受光素子の出力信号を各グループにつ
いて加算して得られるｐ個の加算結果を並べた場合に
も、同様の周期的な波形、すなわち周期関数となる。但
し、それぞれのグループに属する対応する受光素子の出
力信号同士を加算することによって、周期関数の振幅は
大きくなる。ところで、光干渉手段を、干渉縞の間隔と
等しい距離だけｘ軸方向に並進移動させると、ある特定
の受光素子からの出力信号の値は、ちょうど周期関数の
振幅と等しい振幅で１周期分の変化をする。このこと
は、上記周期関数の１周期が、干渉縞の間隔に対応する
ことを意味する。したがって、この周期関数が特定の値
となる位相を求めると、これに対応する干渉縞の間隔の
範囲内における光干渉生成手段と受光部との相対位置、
すなわち、局所アドレスに基づく移動距離を非常に高い
精度で算出することができる。同様の操作をｙ軸方向に
ついても行えば、ｘ−ｙ平面上の二次元的な位置を算出
することができる。

【０００８】

【発明の実施の形態】以下に図面を参照して、本発明の
実施の形態について説明する。ところで、本出願人は、
平成７年７月２５日付けの特許出願（発明の名称「位置
測定装置」）において、光源の間隔と受光素子の間隔を
僅かにずらすことによって、極めて高い精度で受光部と
光源部の相対位置を測定できる位置測定装置を提案し
た。以下では、平成７年７月２５日付けの特許出願に係
る発明装置の方式を「前方式」と呼び、本実施形態に係
る位置測定装置の方式を「本方式」と呼ぶことにする。

【０００９】本方式の説明に入る前に、まず、本方式の
基本となる前方式による位置測定について簡単に説明す
る。図１は、前方式による位置測定装置の概略断面図で
ある。図１に示すように、受光部であるＣＣＤ１０に
は、大文字Ｉ〜Ｒで示す多数のセルが１１μｍ間隔で設
けられ、連続する１０個のセルによって一つのグループ
が形成されている。また、各セルには、それが属するグ
ループの添字が付してある。たとえばＧ_nグループに属
する各セルには、符号Ｉ〜Ｒに添字ｎが付されている。
一方、光源側の一部であるスリットマスク２０には、１
０μｍ間隔で多数のスリットが設けられている。したが
って、ＣＣＤ１０の各セルとスリットマスクの各スリッ
トは、その間隔が僅かに異なっており、このことによっ
て、後述のように高い精度による位置測定が可能とな
る。

【００１０】スリットマスク２０の上方には図示しない
適当な光源がスリットマスク２０と一体的に設けられ、
この光源から、略平行な光がスリットマスク２０に向け
て投射される。これらの光のうち、スリットを通過した
光だけが、所定の角度αの広がりをもって、ＣＣＤ１０
の表面へ投射される。ＣＣＤ１０とスリットマスク２０
のいずれか一方又は両方は、相対的にｘ軸方向に並進移
動できるよう構成されているが、ここではＣＣＤ１０を
固定側、スリットマスク２０を移動側として説明する。
図１において、ＣＣＤ１０に対するスリットマスク２０
の相対位置を考えるときに、ＣＣＤ１０の特定のセルが
スリット間隔を単位としてどの位置にあるかを示すアド
レスをスリットアドレスといい、スリットアドレス内に
おいて更に詳細な位置を示すアドレスを局所アドレスと
いうものとする。

【００１１】図１は、Ｇ_nグループの最も左に位置する
セルＩ_nの真上にスリットマスク２０の一つのスリット
２１₁が来ている状態を示している。この状態で、セル
Ｉ_nは受光可能な光の最大量を受け、その出力値は最大
となる。また、各セルの間隔と各スリットの間隔が上記
のように僅かに異なるため、Ｉ_nの隣のセルＪ_nとその
上のスリット２１₂の位置は僅かにずれ、セルＪ_nの出
力値は、最大値よりわずかに小さい。以下、同様に、右
側に行くに従ってセルの出力値は徐々に小さくなり、セ
ルＮ_nにおいて出力値が最小となる。その後、今度は増
加に転じ、各セルの間隔及び各スリットの間隔を前述の
ように規定した結果、Ｇ_nグループの最も右側のセルＲ
_nにおいて出力値の変化は１周期を終える。そして、こ
のＲ_nの右隣にあるセル、すなわちＧ_n+1グループのセ
ルＩ_n+1では再び真上にスリットスリット２１₁₂が来
て、その出力値は再び最大となる。

【００１２】ＣＣＤ１０の各セルとスリットマスク２０
の各スリットが、上記のような間隔で設けられているこ
とによって、すべてのグループにおける各セルの出力値
の変化の仕方は、Ｇ_nグループの各セルの出力値の変化
の仕方と全く同様となる。すなわち、セル全体で見る
と、その出力値は、１グループの長さを１周期とする正
弦波状の変化を示す。そして、全てのグループのセルに
ついて、各グループの対応するセル同士の出力値を１０
個の加算回路（図示せず）によって相互に加算すると、
その結果は、より振幅の大きな同一周期の周期関数とな
る。図２は、この加算結果を順番に並べて示したもので
ある。同図において、Ｉの値は、Ｉ₁＋Ｉ ₂＋・・・＋
Ｉ_n＋・・・を示す。Ｊ〜Ｒについても同様である。こ
のように、各加算回路の出力値を並べると、図２に示す
ような周期関数Ｄ(x)が得られる。尚、図１において、
スリットやセルの形状や寸法、更にはスリットマスク２
０とＣＣＤ１０との間隔が本実施形態の場合と異なって
いれば、１グループの各セルの出力値を並べたときの波
形や図２に示す波形は、必ずしも正弦波状とはならず、
例えば三角波状その他の波形となる。但し、周期関数的
になる点では同じであるため、以下では簡単のために、
これらを総称して「正弦波状」ということにする。

【００１３】ここで、図１において、ＣＣＤ１０を固定
し、スリットマスク２０を少しずつ左側に移動させたと
きに、セルＩ_nの出力値がどのように変化するかを考え
る。スリットマスク２０が左側に移動すると、その真上
のスリット２１₁が左側に移動し、その結果セルＩ_nが
受ける光の量は徐々に減少する。スリットマスク２０が
約５μｍ移動すると、セルＩ_nの受光量は最小となる。
しかし、移動量が５μｍを越えると、隣のスリット２１
₂からの光の影響が大きくなるため、セルＩ_nの受光量
は増加に転じる。そして、スリットマスク２０が１０μ
ｍ移動すると、スリット２１₂がセルＩ_nの真上に来
て、セルＩ_nは、再び受光可能な光の最大量を受けるこ
とになる。

【００１４】このように、セルＩ_nの出力値は、スリッ
トマスク２０が１０μｍ移動するごとに１周期の変化を
する。他のセルについても、位相が異なる点を除いて、
スリットマスク２０が１０μｍ移動するごとに出力値が
１周期の変化を示す点は同じである。したがって、図２
に示す正弦波は、スリットマスク２０が１０μｍ移動す
るごとに１周期だけ変化する。そして、このことは図２
の正弦波形の１周期に対応する実距離が１０μｍである
ことを示している。

【００１５】上記の説明から明らかなように、特定のセ
ル、例えば図１のセルＩ_nについて、その出力値を常時
モニターしていれば、スリットマスク２０が１０μｍ移
動するごとに、この出力値はピークとなる。したがっ
て、所定の回路手段を用いて出力値をパルス信号に変換
し、そのパルス数をカウントすることによって、スリッ
トマスク２０に対するＣＣＤ１０のスリットアドレスを
求めることが可能となる。

【００１６】次に、局所アドレスについては、図２の周
期関数Ｄ(x)に基づいて、周知の演算回路（図示せず）
によって求められる。その場合、まず、図２に示すよう
な周期関数について、ピーク値までの位相角θを求め
る。尚、図１において、たまたまセルＩ_nの真上にスリ
ット２１₁が来ているため、図２ではＩ_nの位置にピー
クがあり、θはゼロである。このθを求めることは、関
数Ｄ(x)の第一次高調波の位相を求めることに対応す
る。ここで、このθの求め方を簡単に説明する。図２に
示すような波形の周期関数Ｄ(x)を、Ｄ(x)＝Ａcos(ｘ−θ ) とする。

【００１７】この式で、Ａは定数である。ここで、Ｄ
(x)に cosｘを掛けて１周期にわたって積分したものを
Ｃとすると、Ｃ＝ πＡ cosθ となる。これはフーリエ変換のリアル成分に相当する。
また、Ｄ(x)に sinｘを掛けて１周期にわたって積分し
たものをＳとすると、Ｓ＝ πＡ sinθ となる。これはフーリエ変換のイマジナリー成分に相当
する。したがって、Ｓ／Ｃ＝ tanθ であり、θは、 θ ＝ tan^-1（Ｓ／Ｃ）によって求めることができる。

【００１８】以上の計算は、実際には離散的にサンプリ
ングしたデータを用いて計算を行う。例えば位相角４５
°間隔でサンプリングしたデータ（１周期８サンプリン
グ）を考え、これをＤ(0)，Ｄ(1)，Ｄ(2)，Ｄ(3)，Ｄ(4)，Ｄ(5)，Ｄ(6)，
Ｄ(7) とする。これに対応して、１周期の cosｘを１，ｓ，０，−ｓ，−１，−ｓ，０，ｓとし、１周期の sinｘを０，ｓ，１，ｓ，０，−ｓ，−１，−ｓとする。ここで、ｓ＝ cos４５°＝ sin４５°＝０．７
０７である。

【００１９】このようにすると、Ｃは、Ｃ＝Ｄ(0)×１＋Ｄ(1)×ｓ＋Ｄ(2)×０＋Ｄ(3)×（−
ｓ）＋Ｄ(4)×（−１）＋Ｄ(5)×（−ｓ）＋Ｄ(6)×０
＋Ｄ(7)×ｓとなり、Ｓは、Ｓ＝Ｄ(0)×０＋Ｄ(1)×ｓ＋Ｄ(2)×１＋Ｄ(3)×ｓ＋
Ｄ(4)×０＋Ｄ(5)×（−ｓ）＋Ｄ(6)×（−１）＋Ｄ(7)
×（−ｓ）となり、このＳとＣの値は容易に算出でき
る。したがって、これからθは、 θ ＝ tan^-1（Ｓ／Ｃ）によって求めることができる。

【００２０】このようなθが求められたら、ＣＣＤ１０
に対するスリットマスク２０の位置ｌ₁は、１０〔μ
ｍ〕を１周期３６０°として、ｌ₁＝１０〔μｍ〕 × θ／３６０（１）によって求めることができる。例えば、周期関数Ｄ(x)
の信号波形から求められたθの値が９０°だったとすれ
ば、（１）式からｌ₁＝２．５μｍとなり、受光素子Ｉ
_nから２．５μｍだけずれた位置に、スリットがあるこ
とになる。

【００２１】このように、前方式では、一つのグループ
に属するセルの数（１０個）と僅かに異なる数のスリッ
ト（１１個）を、一つのグループの間隔（１１０μｍ）
と等しい距離の間に等間隔に配置することによって、図
２に示す周期関数Ｄ(x) の１周期を非常に短い実距離
（１０μｍ）に対応させることができ、高精度な位置測
定が可能となる。

【００２２】上記では、ｘ軸方向のみの一次元の位置測
定について説明したが、上記と同様の受光部及び光源部
をもう一つ設け、これをｙ軸方向の位置測定用とすれ
ば、二次元的な位置測定及び移動量の算出が可能とな
る。具体的には、ｘ軸方向に移動可能なステージ（ｘス
テージ）とｙ軸方向に移動可能なステージ（ｙステー
ジ）からテーブルを用意し、それぞれのｘステージには
ｘ軸方向の位置測定用の、また、ｙステージにはｙ軸方
向の位置測定用の位置測定装置を、それぞれ設けること
によって、二次元の位置測定が可能となる。

【００２３】次に、上記の前方式の説明を踏まえて、本
方式の位置測定装置について説明する。上記の前方式で
は、所定間隔のスリットを有するスリットマスクによっ
て、ＣＣＤ１０上に多数の光を投射した。これに対し
て、本方式では、光の干渉を利用することによって、Ｃ
ＣＤの受光面上において干渉縞を形成し、光強度を上記
の各スリットの間隔と等しい周期で変化させることによ
って、多数のスリットを通して光を投射したのと等価な
状態とする。これによって、ＣＣＤ１０の各セルと干渉
縞の明部とが、前方式と同じような関係になる。

【００２４】図３は、本方式の位置測定装置の概略断面
図である。図３では、ＣＣＤ１０の上側に光干渉生成手
段３０を設け、ここから発した光でＣＣＤ１０の受光面
上に干渉縞を形成する。干渉縞は、明部と暗部が交互に
現れる光強度の変化を示す。図４は、図３に示すＣＣＤ
１０の部分を拡大した断面図であり、前方式に関連して
参照した図１に対応する図である。図４では、光干渉生
成手段によって生じるＣＣＤ１０の表面の光強度も併せ
て示している。干渉縞によって生じる光強度は、この図
に示すように、ちょうど正弦波状の周期的な変化を示
す。図３の光干渉生成手段３０としては、例えばマイケ
ルソン干渉計、マッハ・ツェンダー干渉計、ジャマンの
干渉計、トワインマン・グリーンの干渉計等の周知の干
渉計と同様の原理に基づいて光の干渉を生じさせるもの
と、例えばレーザー光とを組み合わせたものを利用する
ことができる。光干渉生成手段３０は、光源となるレー
ザーを適当な光学系で干渉させて、ＣＣＤ１０の受光面
上において、各セルの配列方向に沿って所定間隔の干渉
縞を生じさせる。

【００２５】上記のような干渉計を利用することによっ
て、図４に示すように、ほとんど等しい周期で光強度が
変化する干渉縞を形成することができる。この場合、干
渉縞の間隔は、使用するレーザーの波長、光干渉生成手
段３０とＣＣＤ１０との距離、光干渉生成手段３０の光
学系の定数などによって決まり、ＣＣＤ１０のセル間隔
と僅かに異なる周期、すなわち図４の例では１０μｍと
なるよう調節しておく。尚、光干渉生成手段３０が、同
心円状の干渉縞を形成するものの場合は、これらの円の
ある直径方向が、ＣＣＤ１０のセルの配列方向と一致す
るように配置する。

【００２６】図４に示した光干渉生成手段３０によって
得られる光強度の周期的な変化は、図１に示したよう
に、ＣＣＤ１０の上側に１０μｍ間隔の多数の光源を配
列したことと等価である。したがって、光干渉生成手段
３０をｘ軸方向に１０μｍ移動させると、その間に、図
２と同様にして得られる周期関数も、１周期の変化を示
す。したがって、得られた周期関数のピークの位相を上
記の前方式と同様の手続きに従って求めれば、ＣＣＤ１
０に対する光干渉生成手段３０の局所アドレスを求める
ことができる。また、前方式におけるスリットアドレス
に対応するアドレスについては、特定のセル、例えば図
１のセルＩ_nについて、その出力値を常時モニターする
ことによって、前方式の場合と同様にして求めることが
できる。更に、図３と同様の装置をｙ軸方向にも設けれ
ば、ｘ−ｙ平面上の二次元的なアドレスを求めることも
可能である。

【００２７】本方式の位置測定装置を、例えば顕微鏡の
被検査物の長さの測定に適用する場合には、被検査物の
測定したい部分の一方の端部に視野内の指標を一致さ
せ、本距離測定装置をリセットする。かかる操作によっ
て、その点から、次に指標を合わせた点までの距離を測
定するものとする。したがって、リセット後に、試料の
他方の端部に指標を一致させれば、あとは自動的にその
間の二点間の距離が計算される。

【００２８】尚、本発明は上記の実施の形態に限定され
るものではなく、その要旨の範囲内で種々の変更が可能
である。例えば、上記の実施の形態ではｐ＝１０、ｑ＝
１１の場合、すなわちｐ＜ｑの場合について説明した
が、本発明はこれに限定されることはなく、ｐ及びｑが
適当な大きさの異なる値を有していればよく、ｐ＞ｑの
場合であってもよい。

【００２９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
受光素子の間隔と、受光手段の受光面に形成する干渉縞
の間隔とを僅かに異ならせることによって、前方式と同
様に、受光素子の間隔よりもはるかに高い精度の位置測
定が可能となる位置測定装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】前方式による位置検出装置の主要部の概略断面
図である。

【図２】周期関数の概略形状を示す図である。

【図３】本発明の一実施形態である位置測定装置の概略
断面図である。

【図４】ＣＣＤ上に生じた干渉縞による光強度の変化の
様子を示す断面図である。

【符号の説明】

１０ＣＣＤ２０スリットマスク２１₁〜２１₁₂ スリット３０光干渉生成手段

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】受光面のｘ軸方向に等間隔に配列した複
数の受光素子を各グループにｐ個ずつ含まれるようグル
ープ分けした受光部と、前記受光部の受光面に対向してｘ軸方向に並進移動可能
に配置され、前記受光面に投射した光による光の干渉に
よって、前記受光面上で前記受光素子の一つのグループ
の寸法と等しい距離当たりにｑ個（ｑ≠ｐ）の干渉縞を
形成する光干渉手段と、前記各受光素子が前記光干渉手段から干渉光を受光した
ときに、それぞれのグループに属する対応する位置に配
置された各受光素子の出力信号を加算して、ｐ個の加算
結果を出力する加算部と、前記加算部による加算の結果得られるｐ個の加算結果を
周期関数化し、この周期関数の位相計算を行う演算部
と、を具備し、前記演算部の位相計算の結果から、前記受光
部と前記光干渉手段とのｘ軸上における相対位置を算出
することを特徴とする位置測定装置。
【請求項２】受光面のｘ軸方向に等間隔に配列された
複数の受光素子（ｘ受光素子という）を各グループにｐ
個ずつ含まれるようグループ分けするとともに、受光面
のｙ軸方向に等間隔に配列された複数の受光素子（ｙ受
光素子という）を各グループにｓ個ずつ含まれるようグ
ループ分けして構成された受光部と、前記受光部の受光面に対向してｘ−ｙ平面内で並進移動
可能に配置され、前記受光面に投射した光による光の干
渉によって、前記受光面上で前記ｘ受光素子の一つのグ
ループの寸法と等しい距離当たりにｑ個（ｑ≠ｐ）の干
渉縞を形成するとともに、前記ｙ受光素子の一つのグル
ープの寸法と等しい距離当たりにｔ個（ｔ≠ｓ）の干渉
縞を形成する光干渉手段と、前記各ｘ受光素子が前記光干渉手段から干渉光を受光し
たときに、それぞれのグループに属する対応する位置に
配置された受光素子の出力信号を加算してｐ個の加算結
果を出力するとともに、前記各ｙ受光素子が前記光干渉
手段から干渉光を受光したときに、それぞれのグループ
に属する対応する位置に配置された受光素子の出力信号
を加算してｓ個の加算結果を出力する加算部と、前記加算部による加算の結果得られるｐ個の加算結果を
周期関数化し、この周期関数の位相計算を行うととも
に、前記加算部による加算の結果得られるｓ個の加算結
果を周期関数化し、この周期関数の位相計算を行う演算
部と、を具備し、前記演算部の位相計算の結果から、前記受光
部と前記光干渉手段とのｘ−ｙ平面上における相対位置
を算出することを特徴とする位置測定装置。