JPH10239013A - 位置測定装置 - Google Patents
位置測定装置Info
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- JPH10239013A JPH10239013A JP4275297A JP4275297A JPH10239013A JP H10239013 A JPH10239013 A JP H10239013A JP 4275297 A JP4275297 A JP 4275297A JP 4275297 A JP4275297 A JP 4275297A JP H10239013 A JPH10239013 A JP H10239013A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 部品点数及び必要な配線工程が少なくて済
み、かつコストの低減を図ることができる位置測定装置
を提供する。 【解決手段】 受光部１０を構成する多数の光電変換素
子１１と、アンプ、マルチプレクサ、Ａ／Ｄ変換回路、
演算回路などからなる回路手段とを、ワンチップに集積
回路化してパッケージングする。すなわち、受光部１０
が、デバイス３０内に他の回路手段と共に集積回路化さ
れている。このデバイス３０を例えばステッパの本体側
に向きを考慮して実装し、スリットマスク及び光源から
なる光投射手段を、各スリットを透過した光がデバイス
３０の受光部１０に投射されるようステッパのステージ
側に取り付けることによって、ステージの位置を正確に
測定することが可能となる。
み、かつコストの低減を図ることができる位置測定装置
を提供する。 【解決手段】 受光部１０を構成する多数の光電変換素
子１１と、アンプ、マルチプレクサ、Ａ／Ｄ変換回路、
演算回路などからなる回路手段とを、ワンチップに集積
回路化してパッケージングする。すなわち、受光部１０
が、デバイス３０内に他の回路手段と共に集積回路化さ
れている。このデバイス３０を例えばステッパの本体側
に向きを考慮して実装し、スリットマスク及び光源から
なる光投射手段を、各スリットを透過した光がデバイス
３０の受光部１０に投射されるようステッパのステージ
側に取り付けることによって、ステージの位置を正確に
測定することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、正確な位置測定が
必要とされるあらゆる分野に適用可能な位置測定装置に
関するものである。
必要とされるあらゆる分野に適用可能な位置測定装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】正確な距離や長さ（以下「距離」と総称
する）の測定は、さまざまな分野で重要であり、種々の
方法が実用化されている。二つの点の間の距離を求める
には、その二つの点の相対位置を正確に測定することが
必要となる。距離もしくは相対位置の測定に用いられる
一般的な手段としては、ノギス、マイクロメーター、ダ
イヤルゲージ、マグネスケール、レーザー測長器、顕微
鏡、光の干渉を利用した測長器などが従来から知られて
いる。半導体集積回路技術の分野や工作機械分野等、多
くの分野では、加工手段と加工対象物との正確な位置合
わせが必要となるため、その前提として、高精度の距離
もしくは相対位置の測定が必要となる。
する）の測定は、さまざまな分野で重要であり、種々の
方法が実用化されている。二つの点の間の距離を求める
には、その二つの点の相対位置を正確に測定することが
必要となる。距離もしくは相対位置の測定に用いられる
一般的な手段としては、ノギス、マイクロメーター、ダ
イヤルゲージ、マグネスケール、レーザー測長器、顕微
鏡、光の干渉を利用した測長器などが従来から知られて
いる。半導体集積回路技術の分野や工作機械分野等、多
くの分野では、加工手段と加工対象物との正確な位置合
わせが必要となるため、その前提として、高精度の距離
もしくは相対位置の測定が必要となる。
【０００３】例えば、半導体製造の分野では、半導体ウ
ェハ上への素子の形成から、チップのダイシング、ワイ
ヤボンディング、パッケージングに至るまでの多くの段
階で、位置合わせのための正確な距離測定が必要とな
る。ダイシング加工における位置合わせの方法には、パ
ターン認識の技術が用いられることがある。また、自動
化された工作機械の場合も、ツールと加工ワークとの間
の正確な相対位置の検出が不可欠であり、例えばエンコ
ーダなどからの信号から加工ワークの移動量を検出し、
これに基づいてツールと加工ワークとの位置を数値制御
するなどの方法で位置合わせを行っている。
ェハ上への素子の形成から、チップのダイシング、ワイ
ヤボンディング、パッケージングに至るまでの多くの段
階で、位置合わせのための正確な距離測定が必要とな
る。ダイシング加工における位置合わせの方法には、パ
ターン認識の技術が用いられることがある。また、自動
化された工作機械の場合も、ツールと加工ワークとの間
の正確な相対位置の検出が不可欠であり、例えばエンコ
ーダなどからの信号から加工ワークの移動量を検出し、
これに基づいてツールと加工ワークとの位置を数値制御
するなどの方法で位置合わせを行っている。
【０００４】従来の位置測定装置は、いずれも、特定の
分野の位置測定には適していても、それ以外の分野で位
置測定が必要な場合に、直ちに転用することは難しい。
また、測定長が微小である場合には高い分解能で正確に
測定できるもの（たとえば、電子顕微鏡）でも、その分
解能を保ったまま大きな測定長を測定することは、一般
には困難である。
分野の位置測定には適していても、それ以外の分野で位
置測定が必要な場合に、直ちに転用することは難しい。
また、測定長が微小である場合には高い分解能で正確に
測定できるもの（たとえば、電子顕微鏡）でも、その分
解能を保ったまま大きな測定長を測定することは、一般
には困難である。
【０００５】そこで、本出願人は、先に、あらゆる分野
に適用可能である種々の方式に基づく位置測定装置につ
いて一連の特許出願を行った。具体的には、特願平７−
７９８１６（単一光源方式）、特願平７−１４５３３９
（複数光源方式）、特願平７−１８８９９２（微差方
式）、特願平８−１３４８０（干渉方式）、特願平８−
１３４８１（干渉微差方式）である。これらの特許出願
に係る一連の発明は、それぞれ巧みな方法で精密な位置
測定を可能としている。
に適用可能である種々の方式に基づく位置測定装置につ
いて一連の特許出願を行った。具体的には、特願平７−
７９８１６（単一光源方式）、特願平７−１４５３３９
（複数光源方式）、特願平７−１８８９９２（微差方
式）、特願平８−１３４８０（干渉方式）、特願平８−
１３４８１（干渉微差方式）である。これらの特許出願
に係る一連の発明は、それぞれ巧みな方法で精密な位置
測定を可能としている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記一連の
特許出願に記載されている発明は、いずれも直線状に等
間隔に配列された多数の光電変換素子（ホトダイオー
ド、ホトトランジスタ、ＣＣＤなどを含む。以下同
様。）、或いは円環状に等角度間隔に配列された多数の
光電変換素子を有する受光部を必要とする。上記一連の
特許出願の明細書に記載された各実施形態では、これら
の各光電変換素子の間隔は、１０μｍから１μｍ程度と
非常に狭く、したがって上記受光部は、半導体基板上に
多数の光電変換素子を集積回路化して実現するのが一般
的である。
特許出願に記載されている発明は、いずれも直線状に等
間隔に配列された多数の光電変換素子（ホトダイオー
ド、ホトトランジスタ、ＣＣＤなどを含む。以下同
様。）、或いは円環状に等角度間隔に配列された多数の
光電変換素子を有する受光部を必要とする。上記一連の
特許出願の明細書に記載された各実施形態では、これら
の各光電変換素子の間隔は、１０μｍから１μｍ程度と
非常に狭く、したがって上記受光部は、半導体基板上に
多数の光電変換素子を集積回路化して実現するのが一般
的である。
【０００７】上記の各位置測定装置は、受光部の他に、
この受光部に所定の光を投射する光投射手段、受光部の
各光電変換素子から出力された信号の増幅等を行うため
のアナログ回路、Ａ／Ｄ変換回路、所定の演算処理を行
うディジタル回路等からなる回路手段を必要とする。こ
れらのうち、光投射手段は受光部と相対的に移動可能で
あることが必要であるため、光投射手段と受光部を物理
的に一体化することはできない。一方、回路手段につい
ては、位置測定装置を量産する場合には集積回路化する
のが現実的であり、この場合に集積回路化した多数の受
光部と別に回路手段を集積回路化たしのでは部品点数が
増え、組み立ての際に複雑な配線が必要となるため使い
易さという点で問題があり、また、コスト的にも不利で
ある。
この受光部に所定の光を投射する光投射手段、受光部の
各光電変換素子から出力された信号の増幅等を行うため
のアナログ回路、Ａ／Ｄ変換回路、所定の演算処理を行
うディジタル回路等からなる回路手段を必要とする。こ
れらのうち、光投射手段は受光部と相対的に移動可能で
あることが必要であるため、光投射手段と受光部を物理
的に一体化することはできない。一方、回路手段につい
ては、位置測定装置を量産する場合には集積回路化する
のが現実的であり、この場合に集積回路化した多数の受
光部と別に回路手段を集積回路化たしのでは部品点数が
増え、組み立ての際に複雑な配線が必要となるため使い
易さという点で問題があり、また、コスト的にも不利で
ある。
【０００８】本発明は、上記事情に基づいてなされたも
のであり、部品点数及び必要な配線工程が少なくて済
み、かつコストの低減を図ることができる位置測定装置
を提供することを目的とする。
のであり、部品点数及び必要な配線工程が少なくて済
み、かつコストの低減を図ることができる位置測定装置
を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの請求項１記載の発明は、直線的に相対移動可能な第
１及び第２の要素の間の相対位置を測定する位置測定装
置において、前記相対移動の方向に沿って直線状に所定
間隔で配列された複数の光電変換素子を有し、前記第１
の要素に取り付けられる受光部と、前記第２の要素に取
り付けられる、前記受光部に光を投射する光投射部と、
前記光投射部から光を投射されたときに前記受光部の各
光電変換素子から出力される信号を処理して前記第一の
要素と前記第二の要素との間の相対位置を算出する回路
部とを有し、前記受光部と前記回路部とを同一チップ上
に集積回路化したことを特徴とする。
めの請求項１記載の発明は、直線的に相対移動可能な第
１及び第２の要素の間の相対位置を測定する位置測定装
置において、前記相対移動の方向に沿って直線状に所定
間隔で配列された複数の光電変換素子を有し、前記第１
の要素に取り付けられる受光部と、前記第２の要素に取
り付けられる、前記受光部に光を投射する光投射部と、
前記光投射部から光を投射されたときに前記受光部の各
光電変換素子から出力される信号を処理して前記第一の
要素と前記第二の要素との間の相対位置を算出する回路
部とを有し、前記受光部と前記回路部とを同一チップ上
に集積回路化したことを特徴とする。
【００１０】請求項３記載の発明は、同一の軸の回りに
別々に回転可能な第１及び第２の要素の間の相対的な回
転角度を測定する位置測定装置において、前記軸の回り
に円環状に所定の間隔で配列された複数の光電変換素子
を有し、前記第１の要素に取り付けられる受光部と、前
記第２の要素に取り付けられる、前記受光部に光を投射
する光投射部と、前記光投射部から光を投射されたとき
に前記受光部から出力される信号を処理して前記第一の
要素と第二の要素との間の相対的な回転角度を算出する
回路部とを有し、前記受光部と前記回路部とを同一チッ
プ上に集積回路化したことを特徴とする。
別々に回転可能な第１及び第２の要素の間の相対的な回
転角度を測定する位置測定装置において、前記軸の回り
に円環状に所定の間隔で配列された複数の光電変換素子
を有し、前記第１の要素に取り付けられる受光部と、前
記第２の要素に取り付けられる、前記受光部に光を投射
する光投射部と、前記光投射部から光を投射されたとき
に前記受光部から出力される信号を処理して前記第一の
要素と第二の要素との間の相対的な回転角度を算出する
回路部とを有し、前記受光部と前記回路部とを同一チッ
プ上に集積回路化したことを特徴とする。
【００１１】本発明は、前記のように、受光部と回路部
とを同一チップ上に集積回路化したことにより、相対位
置測定の対象であるを第１の要素に対して、この集積回
路されたチップを取り付ければよく、したがって簡単
に、かつ低コストで高精度の位置測定が可能となる。
とを同一チップ上に集積回路化したことにより、相対位
置測定の対象であるを第１の要素に対して、この集積回
路されたチップを取り付ければよく、したがって簡単
に、かつ低コストで高精度の位置測定が可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、図面を参照して本発明の
一実施形態について説明する。尚、本発明は、後述のよ
うに種々の方式に適用することができるが、ここでは微
差方式に適用する場合について説明する。そこで、まず
微差方式による位置測定の原理について説明する。
一実施形態について説明する。尚、本発明は、後述のよ
うに種々の方式に適用することができるが、ここでは微
差方式に適用する場合について説明する。そこで、まず
微差方式による位置測定の原理について説明する。
【００１３】図１は、微差方式に基づく位置測定の原理
を説明するための概略断面図である。図１に示すよう
に、この方式の位置測定装置では、受光部１０とスリッ
トマスク２０を用いる。直線的に相対移動可能な二つの
要素の一方に受光部１０を、他方にスリットマスク２０
を取り付ける。具体例として半導体製造工程で用いるス
テッパを考えると、例えば本体側に受光部１０を、ステ
ージ側にスリットマスク２０を取り付ける。このとき受
光部１０の光電変換素子の配列方向及びスリットマスク
２０のスリットの配列方向が、ステージと本体が相対移
動する方向と一致するように、かつ互いに対抗するよう
に配置する。
を説明するための概略断面図である。図１に示すよう
に、この方式の位置測定装置では、受光部１０とスリッ
トマスク２０を用いる。直線的に相対移動可能な二つの
要素の一方に受光部１０を、他方にスリットマスク２０
を取り付ける。具体例として半導体製造工程で用いるス
テッパを考えると、例えば本体側に受光部１０を、ステ
ージ側にスリットマスク２０を取り付ける。このとき受
光部１０の光電変換素子の配列方向及びスリットマスク
２０のスリットの配列方向が、ステージと本体が相対移
動する方向と一致するように、かつ互いに対抗するよう
に配置する。
【００１４】スリットマスク２０には、図１の紙面に垂
直な方向を長手方向とする多数のスリット２１1 ，２１
2 ，・・・（これらを符号２１で代表して示す）が互い
に平行に、一例として１０μｍ間隔でＸ軸方向に配列さ
れている。スリットマスク２０の上部には、光源（図示
せず）が設けられている。この光源は、スリットマスク
２０上に投射される光がほぼ平行と考えることができる
程度に、スリットマスク２０と受光部１０の間隔に比べ
て十分遠くの位置に置く。光源はスリットマスク２０と
共に移動できるが、実態の形態によっては固定しておい
てもよい。スリットマスク２０に投射された光のうち、
スリット２１を通過した光だけが、所定の角度αの広が
りをもって受光部１０の表面へ投射される。スリットマ
スク２０は、受光部１０に平行に配置され、受光部１０
との距離を一定に保ったままＸ軸方向に並進移動でき
る。
直な方向を長手方向とする多数のスリット２１1 ，２１
2 ，・・・（これらを符号２１で代表して示す）が互い
に平行に、一例として１０μｍ間隔でＸ軸方向に配列さ
れている。スリットマスク２０の上部には、光源（図示
せず）が設けられている。この光源は、スリットマスク
２０上に投射される光がほぼ平行と考えることができる
程度に、スリットマスク２０と受光部１０の間隔に比べ
て十分遠くの位置に置く。光源はスリットマスク２０と
共に移動できるが、実態の形態によっては固定しておい
てもよい。スリットマスク２０に投射された光のうち、
スリット２１を通過した光だけが、所定の角度αの広が
りをもって受光部１０の表面へ投射される。スリットマ
スク２０は、受光部１０に平行に配置され、受光部１０
との距離を一定に保ったままＸ軸方向に並進移動でき
る。
【００１５】受光部１０の表面には、多数の光電変換素
子（ホトダイオード、ホトトランジスタ、ＣＣＤ等）
が、スリット２１の間隔１０μｍと僅かに異なる１１μ
ｍ間隔で、Ｘ軸方向に直線状に配置されている。これら
の光電変換素子は、連続する１０個の光電変換素子で一
つのグループを形成している。ここでは、各グループに
属する光電変換素子をアルファベットの大文字Ｉ，Ｊ，
Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｏ，Ｐ，Ｑ，Ｒで区別するものとし、
また、それぞれの光電変換素子が属するグループの番号
をアルファベットの添字で表示する。
子（ホトダイオード、ホトトランジスタ、ＣＣＤ等）
が、スリット２１の間隔１０μｍと僅かに異なる１１μ
ｍ間隔で、Ｘ軸方向に直線状に配置されている。これら
の光電変換素子は、連続する１０個の光電変換素子で一
つのグループを形成している。ここでは、各グループに
属する光電変換素子をアルファベットの大文字Ｉ，Ｊ，
Ｋ，Ｌ，Ｍ，Ｎ，Ｏ，Ｐ，Ｑ，Ｒで区別するものとし、
また、それぞれの光電変換素子が属するグループの番号
をアルファベットの添字で表示する。
【００１６】図１は、第ｎ番目のグループの最も左に位
置する光電変換素子Ｉn の真上にスリットマスク２０の
一つのスリット２１1 が来ている状態を示している。こ
の状態で、光電変換素子Ｉn は受光可能な光の最大量を
受け、その出力値は最大となる。また、各光電変換素子
の間隔と各スリットの間隔が上記のように僅かに異なる
ため、Ｉn の隣の光電変換素子Ｊn とその上のスリット
２１2 の位置は僅かにずれ、光電変換素子Ｊn の出力値
は、最大値よりわずかに小さくなっている。以下、同様
に、右側に行くに従って光電変換素子の出力値は徐々に
小さくなり、光電変換素子Ｎn において出力値が最小と
なる。その後は増加に転じ、第ｎ＋１グループの光電変
換素子Ｉn+1 では再び真上にスリット２１12が来て、そ
の出力値は再び最大となる。
置する光電変換素子Ｉn の真上にスリットマスク２０の
一つのスリット２１1 が来ている状態を示している。こ
の状態で、光電変換素子Ｉn は受光可能な光の最大量を
受け、その出力値は最大となる。また、各光電変換素子
の間隔と各スリットの間隔が上記のように僅かに異なる
ため、Ｉn の隣の光電変換素子Ｊn とその上のスリット
２１2 の位置は僅かにずれ、光電変換素子Ｊn の出力値
は、最大値よりわずかに小さくなっている。以下、同様
に、右側に行くに従って光電変換素子の出力値は徐々に
小さくなり、光電変換素子Ｎn において出力値が最小と
なる。その後は増加に転じ、第ｎ＋１グループの光電変
換素子Ｉn+1 では再び真上にスリット２１12が来て、そ
の出力値は再び最大となる。
【００１７】受光部１０の各光電変換素子及びスリット
マスク２０の各スリットを上記の間隔で配置したことに
より、光の投射範囲に含まれるすべてのグループにおけ
る各光電変換素子の出力値の変化の仕方は、第ｎグルー
プの対応する光電変換素子の出力値の変化の仕方と同じ
になる。したがって、受光部１０全体の光電変換素子の
出力値を棒グラフにして順番に並べると、その包絡線は
正弦波状の変化を示し、各グループの対応する光電変換
素子の出力値は同じになる。そして、各グループの対応
する光電変換素子の出力値を相互に加算して１０個の加
算値を求め、これを棒グラフにして順番に並べると、そ
の包絡線は図２のようなより振幅の大きな正弦波状の周
期関数Ｄ(x) となる。同図においてＩ〜Ｒは上記の加算
値を示し、それぞれ Ｉ＝Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋・・・＋Ｉn ＋・・・ Ｊ＝Ｊ1 ＋Ｊ2 ＋・・・＋Ｊn ＋・・・ Ｋ＝Ｋ1 ＋Ｋ2 ＋・・・＋Ｋn ＋・・・ Ｌ＝Ｌ1 ＋Ｌ2 ＋・・・＋Ｌn ＋・・・ Ｍ＝Ｍ1 ＋Ｍ2 ＋・・・＋Ｍn ＋・・・ Ｎ＝Ｎ1 ＋Ｎ2 ＋・・・＋Ｎn ＋・・・ Ｏ＝Ｏ1 ＋Ｏ2 ＋・・・＋Ｏn ＋・・・ Ｐ＝Ｐ1 ＋Ｐ2 ＋・・・＋Ｐn ＋・・・ Ｑ＝Ｑ1 ＋Ｑ2 ＋・・・＋Ｑn ＋・・・ Ｒ＝Ｒ1 ＋Ｒ2 ＋・・・＋Ｒn ＋・・・ によって求められる。
マスク２０の各スリットを上記の間隔で配置したことに
より、光の投射範囲に含まれるすべてのグループにおけ
る各光電変換素子の出力値の変化の仕方は、第ｎグルー
プの対応する光電変換素子の出力値の変化の仕方と同じ
になる。したがって、受光部１０全体の光電変換素子の
出力値を棒グラフにして順番に並べると、その包絡線は
正弦波状の変化を示し、各グループの対応する光電変換
素子の出力値は同じになる。そして、各グループの対応
する光電変換素子の出力値を相互に加算して１０個の加
算値を求め、これを棒グラフにして順番に並べると、そ
の包絡線は図２のようなより振幅の大きな正弦波状の周
期関数Ｄ(x) となる。同図においてＩ〜Ｒは上記の加算
値を示し、それぞれ Ｉ＝Ｉ1 ＋Ｉ2 ＋・・・＋Ｉn ＋・・・ Ｊ＝Ｊ1 ＋Ｊ2 ＋・・・＋Ｊn ＋・・・ Ｋ＝Ｋ1 ＋Ｋ2 ＋・・・＋Ｋn ＋・・・ Ｌ＝Ｌ1 ＋Ｌ2 ＋・・・＋Ｌn ＋・・・ Ｍ＝Ｍ1 ＋Ｍ2 ＋・・・＋Ｍn ＋・・・ Ｎ＝Ｎ1 ＋Ｎ2 ＋・・・＋Ｎn ＋・・・ Ｏ＝Ｏ1 ＋Ｏ2 ＋・・・＋Ｏn ＋・・・ Ｐ＝Ｐ1 ＋Ｐ2 ＋・・・＋Ｐn ＋・・・ Ｑ＝Ｑ1 ＋Ｑ2 ＋・・・＋Ｑn ＋・・・ Ｒ＝Ｒ1 ＋Ｒ2 ＋・・・＋Ｒn ＋・・・ によって求められる。
【００１８】ここで、図１において、受光部１０を固定
し、スリットマスク２０を少しずつ左側（−Ｘ方向）に
移動させたときに、光電変換素子Ｉn の出力値がどのよ
うに変化するかを考える。スリットマスク２０が左側に
移動すると、その真上のスリット２１1 が光電変換素子
Ｉn の位置から移動し、その結果光電変換素子Ｉn が受
ける光の量は徐々に減少する。スリットマスク２０が約
５μｍ移動すると、光電変換素子Ｉn の受光量は最小に
なる。しかし、移動量が５μｍを超えると、隣のスリッ
ト２１2 から受ける光の量が多くなるため、光電変換素
子Ｉn の受光量は増加に転じる。そして、スリットマス
ク２０が１０μｍ移動するとスリット２１2 が光電変換
素子Ｉn の真上に来て、光電変換素子Ｉn は、再び受光
可能な光の最大量を受ける。
し、スリットマスク２０を少しずつ左側（−Ｘ方向）に
移動させたときに、光電変換素子Ｉn の出力値がどのよ
うに変化するかを考える。スリットマスク２０が左側に
移動すると、その真上のスリット２１1 が光電変換素子
Ｉn の位置から移動し、その結果光電変換素子Ｉn が受
ける光の量は徐々に減少する。スリットマスク２０が約
５μｍ移動すると、光電変換素子Ｉn の受光量は最小に
なる。しかし、移動量が５μｍを超えると、隣のスリッ
ト２１2 から受ける光の量が多くなるため、光電変換素
子Ｉn の受光量は増加に転じる。そして、スリットマス
ク２０が１０μｍ移動するとスリット２１2 が光電変換
素子Ｉn の真上に来て、光電変換素子Ｉn は、再び受光
可能な光の最大量を受ける。
【００１９】したがって、光電変換素子Ｉn の出力値
は、スリットマスク２０が１０μｍ移動するごとに１周
期の変化をする。位相が異なるが、１周期の変化をする
という点については、他の光電変換素子についても全く
同様である。すなわち、スリットマスク２０が１０μｍ
移動するごとに各光電変換素子の出力値はそれぞれの位
相で１周期分変化するので、図２に示す正弦波はスリッ
トマスク２０が１０μｍ移動するごとに、１周期の変化
をすることが理解される。このことは、図２の正弦波の
１周期に対応する実距離が１０μｍであることを示して
いる。
は、スリットマスク２０が１０μｍ移動するごとに１周
期の変化をする。位相が異なるが、１周期の変化をする
という点については、他の光電変換素子についても全く
同様である。すなわち、スリットマスク２０が１０μｍ
移動するごとに各光電変換素子の出力値はそれぞれの位
相で１周期分変化するので、図２に示す正弦波はスリッ
トマスク２０が１０μｍ移動するごとに、１周期の変化
をすることが理解される。このことは、図２の正弦波の
１周期に対応する実距離が１０μｍであることを示して
いる。
【００２０】上記の説明から明らかなように、特定の光
電変換素子、例えば図１の光電変換素子Ｉn についてそ
の出力値を常時モニターしていれば、スリットマスク２
０が１０μｍ移動するごとに、この出力値はピークとな
る。したがって、所定の回路手段を用いて出力値をパル
ス信号に変換し、そのパルス数をカウントすることによ
って、スリットマスク２０が受光部１０に対して何スリ
ット分移動したかが分かる。したがってスリットマスク
２０の最初の位置が分かっていれば、スリット間隔を単
位として受光部１０に対するスリットマスク２０の位置
を知ることができる。本明細書では、このスリット間隔
を単位としたスリットマスク２０の位置を「スリットア
ドレス」と呼ぶこととし、スリットアドレス内において
更に詳細な位置を示すアドレスを「局所アドレス」と呼
ぶこととする。スリットアドレスと局所アドレスが求ま
れば、受光部１０に対するスリットマスク２０の相対位
置が特定される。
電変換素子、例えば図１の光電変換素子Ｉn についてそ
の出力値を常時モニターしていれば、スリットマスク２
０が１０μｍ移動するごとに、この出力値はピークとな
る。したがって、所定の回路手段を用いて出力値をパル
ス信号に変換し、そのパルス数をカウントすることによ
って、スリットマスク２０が受光部１０に対して何スリ
ット分移動したかが分かる。したがってスリットマスク
２０の最初の位置が分かっていれば、スリット間隔を単
位として受光部１０に対するスリットマスク２０の位置
を知ることができる。本明細書では、このスリット間隔
を単位としたスリットマスク２０の位置を「スリットア
ドレス」と呼ぶこととし、スリットアドレス内において
更に詳細な位置を示すアドレスを「局所アドレス」と呼
ぶこととする。スリットアドレスと局所アドレスが求ま
れば、受光部１０に対するスリットマスク２０の相対位
置が特定される。
【００２１】局所アドレスについては、図２に示した正
弦波状の周期関数のピークの位相、すなわと図２のＩの
点からピークとなる点までの位相角を求めることによっ
て算出することができる。尚、図２の周期関数Ｄ(x)
は、図１の状況、すなわち光電変換素子Ｉn の真上にス
リット２１1 が来ている状況に対応しているのでピーク
の位相が０°であるが、一般にはピークの位相は０°か
ら３６０°までの任意の角度値をとる。この角度をθ1
とする。図２のような周期関数Ｄ(x) が得られれば、周
知の演算回路（図示せず）を用いて、Ｄ(x) のピーク値
までの位相θ1 を容易に、しかも高い精度で求めること
ができる。このθ1 を求めることは、関数Ｄ(x) の第一
次高調波の位相を求めることに対応する。
弦波状の周期関数のピークの位相、すなわと図２のＩの
点からピークとなる点までの位相角を求めることによっ
て算出することができる。尚、図２の周期関数Ｄ(x)
は、図１の状況、すなわち光電変換素子Ｉn の真上にス
リット２１1 が来ている状況に対応しているのでピーク
の位相が０°であるが、一般にはピークの位相は０°か
ら３６０°までの任意の角度値をとる。この角度をθ1
とする。図２のような周期関数Ｄ(x) が得られれば、周
知の演算回路（図示せず）を用いて、Ｄ(x) のピーク値
までの位相θ1 を容易に、しかも高い精度で求めること
ができる。このθ1 を求めることは、関数Ｄ(x) の第一
次高調波の位相を求めることに対応する。
【００２２】図２に示す周期関数Ｄ(x) を、 Ｄ(x) ＝Ａcos(ｘ−θ1) と表すことができる。この式で、θ1 は、図２に示すよ
うに、Ｄ(x) のピーク値の位相であり、この段階ではそ
の値は不明である。また、Ａは定数である。ここで、Ｄ
(x) にcos ｘを掛けて１周期にわたって積分したものを
Ｃとすると、 Ｃ ＝ πＡ cosθ1 となる。これはフーリエ変換のリアル成分に該当する。
また、Ｄ(x) に sinｘを掛けて１周期にわたって積分し
たものをＳとすると、 Ｓ ＝ πＡ sinθ1 となる。これはフーリエ変換のイマジナリー成分に該当
する。したがって、 Ｓ／Ｃ ＝ tanθ1 であり、θ1 は、 θ1 ＝ tan-1（Ｓ／Ｃ） によって求めることができる。
うに、Ｄ(x) のピーク値の位相であり、この段階ではそ
の値は不明である。また、Ａは定数である。ここで、Ｄ
(x) にcos ｘを掛けて１周期にわたって積分したものを
Ｃとすると、 Ｃ ＝ πＡ cosθ1 となる。これはフーリエ変換のリアル成分に該当する。
また、Ｄ(x) に sinｘを掛けて１周期にわたって積分し
たものをＳとすると、 Ｓ ＝ πＡ sinθ1 となる。これはフーリエ変換のイマジナリー成分に該当
する。したがって、 Ｓ／Ｃ ＝ tanθ1 であり、θ1 は、 θ1 ＝ tan-1（Ｓ／Ｃ） によって求めることができる。
【００２３】実際の演算では、離散的にサンプリングし
たデータを用いて計算する。例えば位相角４５°間隔で
サンプリングしたデータ（１周期８サンプリング）を考
え、これを Ｄ(0) ，Ｄ(1) ，Ｄ(2) ，Ｄ(3) ，Ｄ(4) ，Ｄ(5) ，Ｄ
(6) ，Ｄ(7) とする。これに対応して、１周期の cosｘを １，ｓ，０，−ｓ，−１，−ｓ，０，ｓ とし、１周期の sinｘを ０，ｓ，１，ｓ，０，−ｓ，−１，−ｓ とする。ここで、ｓ＝ cos４５°＝ sin４５°≒０．７
０７を示すものとする。
たデータを用いて計算する。例えば位相角４５°間隔で
サンプリングしたデータ（１周期８サンプリング）を考
え、これを Ｄ(0) ，Ｄ(1) ，Ｄ(2) ，Ｄ(3) ，Ｄ(4) ，Ｄ(5) ，Ｄ
(6) ，Ｄ(7) とする。これに対応して、１周期の cosｘを １，ｓ，０，−ｓ，−１，−ｓ，０，ｓ とし、１周期の sinｘを ０，ｓ，１，ｓ，０，−ｓ，−１，−ｓ とする。ここで、ｓ＝ cos４５°＝ sin４５°≒０．７
０７を示すものとする。
【００２４】このようにすると、Ｃは、 Ｃ＝Ｄ(0) ×１＋Ｄ(1) ×ｓ＋Ｄ(2) ×０＋Ｄ(3) ×
（−ｓ）＋Ｄ(4) ×（−１）＋Ｄ(5) ×（−ｓ）＋Ｄ
(6) ×０＋Ｄ(7) ×ｓ となり、Ｓは、 Ｓ＝ Ｄ(0) ×０＋Ｄ(1) ×ｓ＋Ｄ(2) ×１＋Ｄ(3) ×
ｓ＋Ｄ(4) ×０＋Ｄ(5) ×（−ｓ）＋Ｄ(6) ×（−１）
＋Ｄ(7) ×（−ｓ） となり、このＳとＣの値は簡単な計算によって求められ
る。したがって、これからθ1 は、 θ1 ＝ tan-1（Ｓ／Ｃ） によって求めることができる。
（−ｓ）＋Ｄ(4) ×（−１）＋Ｄ(5) ×（−ｓ）＋Ｄ
(6) ×０＋Ｄ(7) ×ｓ となり、Ｓは、 Ｓ＝ Ｄ(0) ×０＋Ｄ(1) ×ｓ＋Ｄ(2) ×１＋Ｄ(3) ×
ｓ＋Ｄ(4) ×０＋Ｄ(5) ×（−ｓ）＋Ｄ(6) ×（−１）
＋Ｄ(7) ×（−ｓ） となり、このＳとＣの値は簡単な計算によって求められ
る。したがって、これからθ1 は、 θ1 ＝ tan-1（Ｓ／Ｃ） によって求めることができる。
【００２５】このようなθ1 が求められたら、受光部１
０に対するスリットマスク２０の局所アドレスｌ1 は、
１０〔μｍ〕を１周期３６０°として、 ｌ1 ＝ １０〔μｍ〕 × θ1 ／３６０ （１） によって求めることができる。例えば、θ1 の値が９
０．２５°だとすれば、局所アドレスｌ1 は、上の式か
ら、 ｌ1 ＝ ２．５０７〔μｍ〕 となる。以上が、微差方式による位置測定の原理説明で
ある。
０に対するスリットマスク２０の局所アドレスｌ1 は、
１０〔μｍ〕を１周期３６０°として、 ｌ1 ＝ １０〔μｍ〕 × θ1 ／３６０ （１） によって求めることができる。例えば、θ1 の値が９
０．２５°だとすれば、局所アドレスｌ1 は、上の式か
ら、 ｌ1 ＝ ２．５０７〔μｍ〕 となる。以上が、微差方式による位置測定の原理説明で
ある。
【００２６】図３は、微差方式による位置測定装置のブ
ロック図である。同図に示すように、この位置測定装置
は、受光部１０を構成する多数の光電変換素子１１と、
対応する光電変換素子の出力を増幅する多数のアンプ１
２と、各アンプ１２からの出力信号を単一の伝送路に送
出するためのマルチプレクサ１３と、アナログ信号をデ
ィジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路１４と、上記の
原理説明で述べた計算を行ってスリットアドレス及び局
所アドレスをを算出する演算回路１５からなる。アンプ
１２、マルチプレクサ１３、Ａ／Ｄ変換回路１４、演算
回路１５は一般的な回路であり、容易にワンチップに集
積回路化することができる。また、上記の原理説明から
分かるように、微差方式では受光部１０の各光電変換素
子１１を所定の間隔で正確に配置することが必要であ
り、これを実現するために、一般的な半導体製造工程に
おいて半導体ウェハー上に一括して各光電変換素子を作
り込むことが考えられる。そこで、本実施形態ではアン
プ１２、マルチプレクサ１３、Ａ／Ｄ変換器１４、演算
回路１５に加え、受光部１０を構成する各光電変換素子
１１もこれらの回路と一体化してワンチップ上に集積回
路化してパッケージングする。
ロック図である。同図に示すように、この位置測定装置
は、受光部１０を構成する多数の光電変換素子１１と、
対応する光電変換素子の出力を増幅する多数のアンプ１
２と、各アンプ１２からの出力信号を単一の伝送路に送
出するためのマルチプレクサ１３と、アナログ信号をデ
ィジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換回路１４と、上記の
原理説明で述べた計算を行ってスリットアドレス及び局
所アドレスをを算出する演算回路１５からなる。アンプ
１２、マルチプレクサ１３、Ａ／Ｄ変換回路１４、演算
回路１５は一般的な回路であり、容易にワンチップに集
積回路化することができる。また、上記の原理説明から
分かるように、微差方式では受光部１０の各光電変換素
子１１を所定の間隔で正確に配置することが必要であ
り、これを実現するために、一般的な半導体製造工程に
おいて半導体ウェハー上に一括して各光電変換素子を作
り込むことが考えられる。そこで、本実施形態ではアン
プ１２、マルチプレクサ１３、Ａ／Ｄ変換器１４、演算
回路１５に加え、受光部１０を構成する各光電変換素子
１１もこれらの回路と一体化してワンチップ上に集積回
路化してパッケージングする。
【００２７】図４は、多数の光電変換素子１１と、上記
のアンプ１２、マルチプレクサ１３、Ａ／Ｄ変換回路１
４、演算回路１５からなる回路手段とを、ワンチップに
集積回路化してパッケージングした単一のデバイス３０
を示している。デバイス３０の両側方からはリード３１
が延びている。すなわち、図１の微差方式の原理説明図
に示した受光部１０が、デバイス３０内に他の回路手段
と共に集積回路化されている。そして、このデバイス３
０を例えばステッパの本体側に向きを考慮して実装し、
スリットマスク２０及び図示しない光源からなる光投射
手段を、各スリットを透過した光がデバイス３０の受光
部１０に投射されるようステッパのステージ側に取り付
けることによって、ステージの位置を正確に測定するこ
とが可能となる。
のアンプ１２、マルチプレクサ１３、Ａ／Ｄ変換回路１
４、演算回路１５からなる回路手段とを、ワンチップに
集積回路化してパッケージングした単一のデバイス３０
を示している。デバイス３０の両側方からはリード３１
が延びている。すなわち、図１の微差方式の原理説明図
に示した受光部１０が、デバイス３０内に他の回路手段
と共に集積回路化されている。そして、このデバイス３
０を例えばステッパの本体側に向きを考慮して実装し、
スリットマスク２０及び図示しない光源からなる光投射
手段を、各スリットを透過した光がデバイス３０の受光
部１０に投射されるようステッパのステージ側に取り付
けることによって、ステージの位置を正確に測定するこ
とが可能となる。
【００２８】図４に示すように、本実施形態におけるデ
バイス３０は、一般的なＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎ−ｌｉ
ｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型パッケージであるが、その上
側には光を透過する窓３２が設けてある。直線状に配列
されり光電変換素子（図４において点線で示す）光電変
換素子１１は、この窓３２を介して図１に示したスリッ
トマスク２０の各スリットを通った光を受光する。但
し、パッケージの型はＤＩＰに限らず、また、パッケー
ジングを行わずにベアチップを直接基板上に実装しても
よい。
バイス３０は、一般的なＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎ−ｌｉ
ｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）型パッケージであるが、その上
側には光を透過する窓３２が設けてある。直線状に配列
されり光電変換素子（図４において点線で示す）光電変
換素子１１は、この窓３２を介して図１に示したスリッ
トマスク２０の各スリットを通った光を受光する。但
し、パッケージの型はＤＩＰに限らず、また、パッケー
ジングを行わずにベアチップを直接基板上に実装しても
よい。
【００２９】図５は、図４とは異なる実施形態のデバイ
ス４０を示している。この場合、光電変換素子１１と、
上記のアンプ１２、マルチプレクサ１３、Ａ／Ｄ変換回
路１４、演算回路１５からなる回路手段とをワンチップ
に集積回路化してパッケージングした点は図４と同様で
あるが、図５の実施形態では、光電変換素子１１を図４
のような直線状ではなく、円環状に配置している。図５
ではこの光電変換素子１１を点線で示す。これに対応し
て、スリットマスクのスリットも、これらの光電変換素
子に沿って円環状に配置したものを用いる。デバイス４
０の両側方からはリード４１が延びている。図５のデバ
イス４０の場合も、図４のデバイス３０の場合と同様
に、受光部１０の多数の光電変換素子１１は所定の数ず
つにグループ分けされており、一つのグループに属する
光電変換素子の数と僅かに異なる数のスリットを、一つ
のグループの角度間隔と等しい角度間隔の間に等間隔に
配置する。そして、光電変換素子及びスリットを直線的
に配置する図４の場合と同様にして、各光電変換素子か
らの出力信号を図２と同様に周期関数化し、この出力信
号及び周期関数に基づいてスリットアドレス及び局所ア
ドレスを算出して、受光部１０とスリットマスク２０と
の相対的な回転角度位置を精密に求める。したがって本
装置は、精密な角度位置を測定するロータリーエンコー
ダに適用することができる。
ス４０を示している。この場合、光電変換素子１１と、
上記のアンプ１２、マルチプレクサ１３、Ａ／Ｄ変換回
路１４、演算回路１５からなる回路手段とをワンチップ
に集積回路化してパッケージングした点は図４と同様で
あるが、図５の実施形態では、光電変換素子１１を図４
のような直線状ではなく、円環状に配置している。図５
ではこの光電変換素子１１を点線で示す。これに対応し
て、スリットマスクのスリットも、これらの光電変換素
子に沿って円環状に配置したものを用いる。デバイス４
０の両側方からはリード４１が延びている。図５のデバ
イス４０の場合も、図４のデバイス３０の場合と同様
に、受光部１０の多数の光電変換素子１１は所定の数ず
つにグループ分けされており、一つのグループに属する
光電変換素子の数と僅かに異なる数のスリットを、一つ
のグループの角度間隔と等しい角度間隔の間に等間隔に
配置する。そして、光電変換素子及びスリットを直線的
に配置する図４の場合と同様にして、各光電変換素子か
らの出力信号を図２と同様に周期関数化し、この出力信
号及び周期関数に基づいてスリットアドレス及び局所ア
ドレスを算出して、受光部１０とスリットマスク２０と
の相対的な回転角度位置を精密に求める。したがって本
装置は、精密な角度位置を測定するロータリーエンコー
ダに適用することができる。
【００３０】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではなく、その要旨の範囲内で種々の変更が可能で
ある。例えば、上記実施形態では、本発明を微差方式の
位置測定装置に適用した場合について説明したが、本発
明の特徴は、一定間隔で配置された光電変換素子を他の
回路部分と共にワンチップ化する点にある。したがっ
て、微差方式に限らず、単一光源方式、複数光源方式、
干渉方式、干渉微差方式などにも、そのまま適用するこ
とができる。
ものではなく、その要旨の範囲内で種々の変更が可能で
ある。例えば、上記実施形態では、本発明を微差方式の
位置測定装置に適用した場合について説明したが、本発
明の特徴は、一定間隔で配置された光電変換素子を他の
回路部分と共にワンチップ化する点にある。したがっ
て、微差方式に限らず、単一光源方式、複数光源方式、
干渉方式、干渉微差方式などにも、そのまま適用するこ
とができる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光電変換素子を有する受光部と、各光電変換素子から出
力される信号を処理して前記第一の要素と第二の要素と
の相対位置を算出する回路部とを同一チップ上に集積回
路化することにより、量産した場合に極めて低いコスト
で高精度の位置測定装置が実現でき、しかも、受光部を
取り付けるべき第一の要素には、この集積回路化したチ
ップを例えばパッケージングしたものを取り付けるだけ
でよく、必要な配線作業も少なくても済み、取り付け作
業が簡単で手軽に高精度の位置測定装置が実現できる。
光電変換素子を有する受光部と、各光電変換素子から出
力される信号を処理して前記第一の要素と第二の要素と
の相対位置を算出する回路部とを同一チップ上に集積回
路化することにより、量産した場合に極めて低いコスト
で高精度の位置測定装置が実現でき、しかも、受光部を
取り付けるべき第一の要素には、この集積回路化したチ
ップを例えばパッケージングしたものを取り付けるだけ
でよく、必要な配線作業も少なくても済み、取り付け作
業が簡単で手軽に高精度の位置測定装置が実現できる。
【図１】微差方式に基づく位置測定の原理を説明するた
めの概略断面図である。
めの概略断面図である。
【図２】微差方式において、受光部の各グループの対応
する光電変換素子の出力値を相互に加算した値を示した
棒グラフ及びその包絡線を示した図である。
する光電変換素子の出力値を相互に加算した値を示した
棒グラフ及びその包絡線を示した図である。
【図３】微差方式による位置測定装置のブロック図であ
る。
る。
【図４】直線状に配置した多数の光電変換素子とアンプ
等からなる回路手段をワンチップに集積回路化してパッ
ケージングした単一のデバイスを示す図である。
等からなる回路手段をワンチップに集積回路化してパッ
ケージングした単一のデバイスを示す図である。
【図５】円環状に配置した多数の光電変換素子とアンプ
等からなる回路手段をワンチップに集積回路化してパッ
ケージングした単一のデバイスを示す図である。
等からなる回路手段をワンチップに集積回路化してパッ
ケージングした単一のデバイスを示す図である。
１０ 受光部 １１，Ｒn-1 ，Ｉn 〜Ｒn ，Ｉn+1 ，Ｊn+1 光電変
換素子 １２ アンプ １３ マルチプレクサ １４ Ａ／Ｄ変換回路 １５ 演算回路 ２０ スリットマスク ２１，２１1 ，２１2 ，・・・ スリット ３０，４０ デバイス
換素子 １２ アンプ １３ マルチプレクサ １４ Ａ／Ｄ変換回路 １５ 演算回路 ２０ スリットマスク ２１，２１1 ，２１2 ，・・・ スリット ３０，４０ デバイス
Claims (4)
- 【請求項１】 直線的に相対移動可能な第１及び第２の
要素の間の相対位置を測定する位置測定装置において、 前記相対移動の方向に沿って直線状に所定間隔で配列さ
れた複数の光電変換素子を有し、前記第１の要素に取り
付けられる受光部と、 前記第２の要素に取り付けられる、前記受光部に光を投
射する光投射部と、 前記光投射部から光を投射されたときに前記受光部の各
光電変換素子から出力される信号を処理して前記第一の
要素と前記第二の要素との間の相対位置を算出する回路
部とを有し、 前記受光部と前記回路部とを同一チップ上に集積回路化
したことを特徴とする位置測定装置。 - 【請求項２】 前記光投射部は、前記複数の光電変換素
子の配列間隔と僅かに異なる所定の間隔で前記複数の光
電変換素子の配列方向と平行に配列された複数のスリッ
トを有するスリットマスクと、前記スリットマスクを挟
んで前記受光部と反対の側に位置する光源からなり、 前記回路部は、前記第１の要素と前記第２の要素との相
対位置として、前記光電変換素子の配列間隔を単位とす
る相対位置及び前記光電変換素子の一つの配列間隔の範
囲内で当該配列間隔よりも細かい相対位置を算出するも
のである請求項１記載の位置測定装置。 - 【請求項３】 同一の軸の回りに別々に回転可能な第１
及び第２の要素の間の相対的な回転角度を測定する位置
測定装置において、 前記軸の回りに円環状に所定の間隔で配列された複数の
光電変換素子を有し、前記第１の要素に取り付けられる
受光部と、 前記第２の要素に取り付けられる、前記受光部に光を投
射する光投射部と、 前記光投射部から光を投射されたときに前記受光部から
出力される信号を処理して前記第一の要素と第二の要素
との間の相対的な回転角度を算出する回路部とを有し、 前記受光部と前記回路部とを同一チップ上に集積回路化
したことを特徴とする位置測定装置。 - 【請求項４】 前記光投射部は、前記複数の光電変換素
子の配列間隔と僅かに異なる所定の間隔で前記複数の光
電変換素子が配列された円環に沿って円環状に配列され
た複数のスリットを有するスリットマスクと、前記スリ
ットマスクを挟んで前記受光部と反対の側に位置する光
源からなり、 前記回路部は、前記第１の要素と前記第２の要素との相
対位置として、前記光電変換素子の配列間隔を単位とす
る相対位置及び前記光電変換素子の一つの配列間隔の範
囲内で当該配列間隔よりも細かい相対位置を算出するも
のである請求項１記載の位置測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275297A JPH10239013A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 位置測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4275297A JPH10239013A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 位置測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10239013A true JPH10239013A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12644743
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4275297A Pending JPH10239013A (ja) | 1997-02-26 | 1997-02-26 | 位置測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10239013A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023139946A1 (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 測距装置および測距方法 |
-
1997
- 1997-02-26 JP JP4275297A patent/JPH10239013A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2023139946A1 (ja) * | 2022-01-19 | 2023-07-27 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 測距装置および測距方法 |
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