JPH0920924A - 方向性電磁鋼板の1次再結晶粒径制御方法 - Google Patents

方向性電磁鋼板の1次再結晶粒径制御方法

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JPH0920924A
JPH0920924A JP7168514A JP16851495A JPH0920924A JP H0920924 A JPH0920924 A JP H0920924A JP 7168514 A JP7168514 A JP 7168514A JP 16851495 A JP16851495 A JP 16851495A JP H0920924 A JPH0920924 A JP H0920924A
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明男 藤田
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 好適な1次再結晶粒径制御により、製品の電
磁特性を劣化させる2次再結晶不良の発生を安定して防
止する。 【構成】 Si:1.5 〜4.5 %、Al:0.005 〜0.06%およ
びN:0.001 〜0.015 %を含有するけい素鋼スラブから
方向性電磁鋼板を製造するにあたり、1次再結晶粒径制
御の目標粒径を、Al含有量の変動に応じて定まる最適粒
径とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、方向性電磁鋼板
の製造方法に関し、特に、優れる電磁特性を安定して得
るために好適な1次再結晶粒径制御方法を提案するもの
である。
【0002】方向性けい素鋼板の製品特性には、2次再
結晶した結晶粒の方位が密接に影響するため、この生産
に携さわるものにとっては、いかにこの2次再結晶粒を
安定して、良好な方位に揃えるかに多大の努力を払って
いる。
【0003】しかし、この2次再結晶に影響を与える工
程要因は、成分組成、熱延条件、焼鈍条件、冷延条件、
さらには2次再結晶時の雰囲気まで多岐にわたるため、
時として、原因不明の2次再結晶不良が多発することが
ある。そして、その不良原因の究明の間にも、多くの工
程材は、既に問題の工程を終了していることがしばしば
あり、多量の不良コイル発生につながる場合がある。さ
らに、この2次再結晶不良は同一コイル内でも熱間圧延
位置等の要因でコイル長手方向に発生し、局部的な特性
不良を引き起こしてもいた。
【0004】
【従来の技術】これまで、これらの2次再結晶不良の発
生を防止する手段として1次再結晶粒径を制御する技術
があり、たとえば特開平2−267223号公報(方向性電磁
鋼板の1次再結晶焼鈍方法)には、1次再結晶粒径をオ
ンライン計測し、1次再結晶粒径が適正範囲となるよう
に、焼鈍条件を制御する技術が、さらに特開平5−3207
76号公報(方向性電磁鋼板の1次再結晶粒径制御方法)
には、1次再結晶粒径を目標粒径の±0.5 μm 以内に的
中させる技術がそれぞれ提案開示されている。また特開
平7−62434 号公報にもスラブ加熱温度、Al量およびN
量から脱炭焼鈍温度を調整する方法が開示されている
が、これも目標となる最適一次再結晶粒径をめざすもの
である。しかしながら、これらの技術はいずれも特定の
鋼種、プロセスにおいては一定の目標粒径への適中を狙
うものであり、これらの技術においても時には2次再結
晶不良が予期せず生じる場合があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、前記した
従来技術の問題点を有利に解決し、製品の電磁特性を劣
化させる2次再結晶不良の発生を安定して防止できる、
方向性電磁鋼板の製造工程での1次再結晶粒径制御方法
を提案することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】発明者らは前記従来技術
に鋭意検討を加えたところ、同一の製造プロセスにおい
てもインヒビター成分のうちの特定の成分に関しては、
その含有量により、最適となる1次再結晶粒径が変化す
ることを知見し、この発明を完成した。
【0007】すなわち、従来の知見ではたとえば特開平
6−145803号公報(磁気特性の優れた一方向性電磁鋼板
の安定製造方法)にも示されるように「1次再結晶粒径
は、製品の磁束密度と極めて強い相関がある」ため、従
来技術においては脱炭焼鈍板の1次再結晶粒径を全体の
製造プロセス毎に定まる粒径に一致させることを狙って
いたのであるが、発明者らはAlN をインヒビターとして
利用する方向性けい素鋼板において、含有成分量の変動
のうちAl成分については2次再結晶挙動に大きく影響を
与えるものの粒径には影響をほとんど与えないため、粒
径のみをフィードバックする方法によってはその変動に
対処できないこと、ならびにAl含有量の変動を検出して
目標とする粒径に積極的に変化させることにより、2次
再結晶不良を極限まで減らし、良好な磁気特性が安定し
て得られることなどを知見し、この発明を完成したもの
である。すなわち、この発明の要旨とするところは以下
の通りである。
【0008】Si:1.5 〜4.5wt %、Al:0.005 〜0.06
wt%およびN:0.001 〜0.015 wt%を含有するけい素鋼
スラブを素材として、方向性電磁鋼板を製造するにあた
り、その製造工程にて1次再結晶粒径制御を行う際、1
次再結晶粒径制御の目標粒径を、Al含有量の変動に応じ
て定まる最適粒径とすることを特徴とする方向性電磁鋼
板の1次再結晶粒径制御方法(第1発明)。
【0009】最適粒径d(μm)を、Al含有量を(%A
l) としあらわす下記式(1) の関係で定める第1発明の
方向性電磁鋼板の1次再結晶粒径制御方法(第2発
明)。 〔記〕 1/d=a〔log(%Al) 〕+b ---(1) a,b:定数
【0010】けい素鋼スラブがSe:0.010 〜0.035 wt
%を含むとき、最適粒径d(μm )の範囲を、Al含有量
を(%Al) としてあらわす下記式(1) の関係を満たす範
囲とする第1発明の方向性電磁鋼板の1次再結晶粒径制
御方法(第3発明)。 〔記〕 0.4155×〔log(%Al) 〕+0.32<1/d<0.4155×〔log(%Al) 〕+0.34 ---(2)
【0011】オンラインでの1次再結晶板の鉄損測定
により結晶粒径を検出し、その検出結果を1次再結晶焼
鈍条件にフィードバックして1次再結晶粒径を目標粒径
とする第1、第2または第3発明の方向性電磁鋼板の1
次再結晶粒径制御方法(第4発明)。
【0012】鉄損測定を、磁束密度:0.3 〜1.2T、周
波数:10〜60Hzの範囲で行うことを特徴とする第4発明
の方向性電磁鋼板の1次再結晶粒径制御方法(第5発
明)。
【0013】
【発明の実施の形態】この発明の作用効果について記
す。まず、この発明に到った経緯を従来技術と対比しな
がら、以下に述べる。
【0014】この発明は、前記したように、方向性電磁
鋼板における2次再結晶方位を良好な方位(ゴス方位)
に揃えるために最適な1次再結晶粒径が、インヒビター
成分のうちのAlの含有量の変動によって変化するという
新規知見にもとづいたものであり、方向性電磁鋼板の製
造工程での1次再結晶粒径制御の目標粒径を、Al含有量
の変動に応じて定まる最適粒径にすることを最大の特徴
とするものである。
【0015】この発明に対し、前掲特開平5−320776号
公報に示される技術では、1次再結晶粒径がAlおよびN
成分が影響することは記されているが、最適粒径が変化
すること並びに、最適粒径にAlのみが影響することは示
されていない。すなわち、その明細書にも記されている
ように「もしインヒビター構成元素が変動すると、イン
ヒビター強度が変動し、これが1次再結晶粒径にも影響
し、2次再結晶挙動を適正条件から逸脱させ、磁束密度
の低下を招く」というのが従来の知見であった。
【0016】ところが今回発明者らの調査によればイン
ヒビター構成成分のうちAlは1次再結晶粒径にはほとん
ど変化を与えないにもかかわらず、2次再結晶には大き
な影響を与えるため、目標とする1次再結晶粒径をフィ
ードバックにより一定粒径に調整しても、2次再結晶に
影響するAl含有量の変動には対応できず、したがって、
良好な2次再結晶を得るためには、Al含有量の変動によ
って変化する最適粒径に目標粒径を変化させなければな
らないことがわかった。
【0017】またAl及びNの効果については、たとえ
ば、特公昭62−53576 号公報(磁気特性の優れた高磁束
密度一方向性電磁鋼板の製造方法)に記載されている
が、1次再結晶粒径に及ぼす影響についての記載はな
く、ましてや上記したような、1次および2次再結晶に
及ぼすAlとNの異なる影響については今回始めて知見し
たものである。
【0018】以上をまとめると以下のように整理され
る。従来の知見では、1次再結晶粒径はある目標の粒径
に制御することが重要であるとしていた。この目標粒径
は製品板厚や、仕上げ焼鈍条件などの異なるプロセスに
対しては当然異なるものの、同一プロセスでの特に成分
の変動があるにもかかわらず変化させることなく、これ
を一定に制御することに主眼が置かれていた。すなわ
ち、一定粒径に制御することにより、熱間圧延や途中焼
鈍条件のばらつきに加え、Alを含めた成分変動にも対応
して、その影響を吸収できると考えられていた。
【0019】しかし、今回発明者らの調査によれば、N
含有量や他のインヒビター成分の変動には上記方法で対
応できるのに対し、Al含有量の変動に対しては積極的に
目標粒径を変化させなければならないことがわかったの
である。
【0020】この理由は必ずしも明らかでないが以下の
ように考えられる。すなわちN含有量の変動が2次再結
晶に及ぼす影響はAlN を主とする析出物の総量の変化に
あらわれて1次再結晶粒径を介して間接的に影響するの
に対し、Al含有量の変動はむしろ2次再結晶焼鈍過程で
のAlN の分解に大きく影響するため1次再結晶粒径の変
化としては検出できない。そこでこれを補償するために
目標とする1次再結晶粒径を変化させることによって調
整しなければならないものと思われる。
【0021】つぎにこの発明に到った一連の実験例につ
いて説明する。なお、ここで述べる1 次再結晶粒径は、
1次再結晶焼鈍板の圧延方向に垂直な断面の組織観察を
行って、一粒当たりの平均断面積から円相当直径を求め
たものである。また成分は特に断りのない限り熱延板で
の分析値を用いている。
【0022】実験1 C:0.055 wt%、Si:3.0 wt%、Mn:0.06wt%、Se:0.
02wt%、Al:0.022 wt%、N:0.008 wt%、Sb:0.05wt
%を含むけい素鋼を基本成分として溶製し、実験室規模
で、2.3mm の熱延板とし、熱延板焼鈍後1回の中間焼鈍
をはさむ2回の冷間圧延で0.23mmの冷延板となし、脱炭
焼鈍を兼ねた830 〜910 ℃の1次再結晶焼鈍を行いMgO
を焼鈍分離材として1200℃×5時間の2次再結晶焼鈍を
行い製品とした。
【0023】その際 a)基本成分に対してN含有量を0.003 〜0.013 wt%まで
変化させ、1次再結晶温度を860 ℃に固定してN含有量
と1次再結晶粒径とを調査した。また、上記各成分組成
にて、1次再結晶温度を変化させて結晶粒径を変え、製
品の磁束密度とN含有量ならびに1次再結晶粒径との関
係を調査した。
【0024】これらの調査結果を図1および図2に示
す。図1はN含有量と1次再結晶粒径との関係を示すグ
ラフであり、図2は製品の磁束密度とN含有量ならびに
1次再結晶粒径との関係を示すグラフである。なお、図
2において磁束密度(B8 )は1.93T 以上を○印、それ
未満を×印として示した。
【0025】これらの図より、磁気特性の良好な範囲は
1次再結晶粒径11μm 近辺の極めて限られた領域にあ
り、この最適値はN含有量によって影響されないこと、
またこの場合には適切な1次再結晶焼鈍条件の選択によ
り1次再結晶粒径を一定に制御することでよいことがわ
かる。
【0026】b)次に基本成分に対してAl含有量を0.014
〜0.030 wt%まで変化させ、1次再結晶温度を860 ℃に
固定してAl含有量と1次再結晶粒径とを調査した。さら
にこれらの成分組成にて1次再結晶温度を変化させて結
晶粒径を変え、製品の磁束密度とAl含有量ならびに1次
再結晶粒径との関係を調査した。
【0027】これらの調査結果を図3および図4に示
す。図3はAl含有量と1次再結晶粒径との関係を示すグ
ラフであり、図4は製品の磁束密度とAl含有量ならびに
1次再結晶粒径との関係を示すグラフである。なお、図
4において磁束密度(B8 )は1.93T 以上を○印、それ
未満を×印として示した。
【0028】これらの図から、Al含有量の変動のみに対
しては1次再結晶粒径はほとんど変化しない。しかし磁
束密度はAl含有量に大きく依存していることが示され
る。そして、良好な製品の磁気特性を得るためにはAl含
有量の変動に応じて焼鈍温度の変更などで1次再結晶粒
径を変化させる、すなわちAl含有量の増加に対しては1
次再結晶粒径を減少するように積極的に変化されなけれ
ばならないことがわかる。
【0029】実験2 C:0.05wt%、Si:2.9 wt%、Mn:0.05wt%、Se:0.01
3 〜0.034 wt%、N:0.0006wt%を含みAl含有量を変化
させたけい素鋼を素材として熱間圧延し、熱延板焼鈍と
1回の冷間圧延を施しそれぞれ板厚:0.35mmの冷延板と
した。その後脱炭焼鈍、最終仕上焼鈍を行い実験1と同
様に、脱炭焼鈍温度を変化させてそれぞれ製品とし、1
次再結晶粒径と製品の磁束密度とを求めた。
【0030】これらの調査結果を図5に示す。図5は製
品の磁束密度とAl含有量の対数ならびに1次再結晶粒の
逆数との関係を示すグラフである。なお、図5において
磁束密度(B8 )は1.92T 以上を○印、それ未満を×印
として示した。
【0031】この図5に示すように、磁束密度が1.92T
以上を示す1次再結晶の最適粒径は、1次再結晶粒径の
逆数と、Al含有量の対数との間にもっとも良い直線関係
が得られた。この結果より最適な1次再結晶粒径d (μ
m)は、1/d=a〔log(%Al) 〕+b式であらわすこと
ができ(a,bは定数)、上記のようにSeを0.010 〜0.
035 wt%含むときは最適粒径範囲として0.4155×〔log
(%Al) 〕+0.32<1/d<0.4155×〔log(%Al) 〕+
0.34を得た。
【0032】つぎに、この発明のけい素鋼素材の成分組
成の限定理由ならびに方向性電磁鋼板の製造工程につい
て述べる。
【0033】Si:1.5 〜4.5 wt% Si量は、含有量が4.5 wt%を超すと、冷間圧延時の脆性
が極度に増し好ましくない。また1.5 wt%未満ではα−
γ変態が生じ、高度の方位集積が困難となり好ましくな
い。したがって、その含有量は1.5wt %以上、4.5wt %
以下とする。
【0034】Al:0.005 〜0.06wt% Alは、含有量が0.06wt%を超すと、工業的に有利な温
度、時間範囲内で2次再結晶を生じさせることが困難と
なり好ましくない。また0.005 wt%未満では2次再結晶
が不安定となり好ましくない。したがって、その含有量
は0.005 wt%以上、0.06wt%以下とする。
【0035】N:0.001 〜0.015 wt% Nは、含有量が0.015 wt%を超えるとふくれの発生が増
し、製品外観に悪影響を与え好ましくない。また0.001
wt%未満では2次再結晶の発現が不安定になり好ましく
ない。したがって、その含有量は0.001wt %以上、0.01
5wt %以下とする。
【0036】また、その他の成分組成としては、従来公
知のC:0.005 〜0.15wt%およびMn:0.002 〜0.15wt%
を含み、インヒビターとしては公知の成分として、Seの
ほかS,Sb, Sn, Bi, Teなどを適宜添加することもよ
い。
【0037】このような成分組成になるけい素鋼スラブ
を素材として用いる方向性電磁鋼板の製造は、従来より
公知のたとえば転炉、電気炉などで溶製した溶鋼を、連
続鋳造または造塊−分塊法によってスラブとなし、通常
は均一化焼鈍処理を施してから熱間圧延し、場合によっ
ては熱延板焼鈍を施したのち、1回または中間焼鈍を挟
む2回以上の冷間圧延を行って最終製品板厚とする。こ
こで上記均一化焼鈍および中間焼鈍条件は、圧延後の結
晶組織を均質化する再結晶処理を主目的として、通常は
800 〜1200℃の温度範囲で30秒〜10分間の範囲の保持時
間で行うことがよい。
【0038】その後、湿水素中で700 〜900 ℃の温度域
で1〜15分間の範囲の1次再結晶焼鈍を施して脱炭とSi
O2を主体とするサブスケールの形成とを兼ねるととも
に、その後の仕上焼鈍時に良好な磁気特性が得られるゴ
ス方位の2次再結晶粒を発達させるために有利な1次再
結晶組織を形成させる。
【0039】しかるのち、鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布
してから、800 〜1000℃の温度範囲で1〜50時間の2次
再結晶焼鈍についで1100〜1250℃の温度範囲で5〜25時
間程度の純化焼鈍を行ういわゆる仕上焼鈍を施し、方向
性電磁鋼板とする。
【0040】このような一連の工程において、この発明
においては前にも述べたように、2次再結晶方位をゴス
方位に揃えるために、1次再結晶粒径をAl含有量によっ
て定まる最適粒径に制御することを必須とする。
【0041】なお、1次再結晶の最適粒径を定めるAl含
有量の検出方法は特に定めないが、熱延板から脱炭焼鈍
直前までの板を抜き取り採取して分析を行うことが分析
精度上好ましいが、1次再結晶焼鈍中にオンライン計測
することの方がより好ましい。
【0042】そして、1次再結晶粒径の検出方法として
は、直接鋼板の組織から求めても良いが、フィードバッ
ク、フィードフォワードの迅速性から鉄損測定、X線測
定などのオンライン計測を行うことが好ましく、オンラ
イン計測は磁束密度0.3 〜1.2T、周波数10〜60Hzの交流
鉄損測定によることが望ましい。磁束密度が0.3T未満で
は外乱を受け、また、1.2T超えでは集合組織変化の影響
を受けて粒径の検出精度が低下するので好ましくない。
また、周波数10Hz未満では外乱の影響を受け、60Hz超え
では渦電流損失の変化の影響を受けて粒径の検出精度が
低下するので好ましくない。
【0043】この最適粒径は前記実験例で述べたよう
に、Al含有量に応じて変動しSe:0.010〜0.035 wt%の
場合では、0.4155×〔log(%Al) 〕+ 0.32 <1/d<
0.4155×〔log(%Al) 〕+0.34 関係で制御すること
で、より大きなAl含有量の変動に対しても安定的に良好
な2次再結晶を得ることができる
【0044】また、この発明は工程途中で窒素を加える
プロセスに対しても有効であり、1次再結晶粒径の制御
方法は、1次再結晶焼鈍条件として温度や時間調整のほ
か、熱延板焼鈍温度、中間焼鈍温度および鋼板の窒素量
のコントロールなど任意の公知の手段が用いられる。な
お、他の成分の変動に関しても、目標粒径の変動の必要
性が考えられるが発明者らの調査した限り、Al以外でこ
のような効果を及ぼす成分は見られなかった。例えばS
i, Mnの増加に伴い1次再結晶粒径がわずかに増大する
が、通常の成分変動範囲ではAlのように甚大な影響は及
ぼさない。
【0045】
【実施例】C:0.055 wt%、Si:3.0 wt%、Mn:0.06wt
%、Se:0.02wt%、Al:0.022 wt%、N:0.008 wt%、
Sb:0.05%を目標成分とする方向性けい素鋼を、転炉で
溶製し、成分調製後220mm 厚スラブに連続鋳造し、粗圧
延及び熱間仕上げ圧延により2.3mm の熱延板とした。そ
の後、熱延板焼鈍と中間焼鈍をはさむ2回の冷間圧延に
て0.23mmまで圧延し、脱炭焼鈍を兼ねる1次再結晶連続
焼鈍を行い、その焼鈍条件により、この発明に適合する
1次再結晶粒径に制御したもの(適合例)とこの発明に
不適合の1次再結晶粒径のもの(比較例)とについて、
それぞれ鋼板表面に焼鈍分離剤を塗布してから950 ℃の
温度で2時間の2次再結晶焼鈍につづいて1180℃の温度
で6時間の純化焼鈍を行い方向性電磁鋼板を製造した。
【0046】上記において、適合例の1次再結晶粒径制
御は、1次再結晶粒径をW10/50 の連続鉄損計(磁束密
度:1.0T,周波数:50Hz)により間接的に検出し、一
方、Al含有量は1次再結晶焼鈍前に湿式分析法により各
コイル毎に測定し、さらに図6の良好な磁気特性を示す
Al含有量と1次再結晶粒径との関係のグラフ(1/d=
0.1455×〔log ( %Al) +0.3303の関係)からAl含有量
に応じて1次再結晶連続焼鈍炉(炉温:880 ℃)での通
板速度を調整して前記(1) 式を満たす粒径とした。かく
して得られた各方向性電磁鋼板について磁束密度(B8)
を測定した。
【0047】Al含有量、1次再結晶粒径および磁束密度
を表1にまとめて示す。
【表1】 表1から明らかなように、この発明にしたがって1次再
結晶粒径制御を行った適合例は安定して良好な磁性が得
られている。
【0048】
【発明の効果】この発明は、けい素鋼スラブを素材とし
て、方向性電磁鋼板を製造するにあたり、1次再結晶粒
径制御を行う際、1次再結晶粒径制御の目標粒径を、A
l含有量の変動に応じて定まる最適粒径とするものであ
り、この発明によれば、安定して良好な磁気特性を有す
る方向性電磁鋼板が製造でき、その製品歩留りを著しく
向上できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】N含有量と1次再結晶粒径との関係を示すグラ
フである。
【図2】製品の磁束密度とN含有量ならびに1次再結晶
粒径との関係を示すグラフである。
【図3】Al含有量と1次再結晶粒径との関係を示すグラ
フである。
【図4】製品の磁束密度とAl含有量ならびに1次再結晶
粒径との関係を示すグラフである。
【図5】製品の磁束密度とAl含有量の対数ならびに1次
再結晶粒径の逆数との関係を示すグラフである。
【図6】良好な磁気特性を示すAl含有量と1次再結晶粒
径との関係のグラフである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 尾崎 芳宏 岡山県倉敷市水島川崎通1丁目(番地な し) 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内 (72)発明者 定広 健一 岡山県倉敷市水島川崎通1丁目(番地な し) 川崎製鉄株式会社水島製鉄所内

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 Si:1.5 〜4.5wt %、Al:0.005 〜0.06
    wt%およびN:0.001 〜0.015 wt%を含有するけい素鋼
    スラブを素材として、方向性電磁鋼板を製造するにあた
    り、その製造工程にて1次再結晶粒径制御を行う際、1
    次再結晶粒径制御の目標粒径を、Al含有量の変動に応じ
    て定まる最適粒径とすることを特徴とする方向性電磁鋼
    板の1次再結晶粒径制御方法。
  2. 【請求項2】 最適粒径d(μm)を、Al含有量を(%A
    l) としあらわす下記式(1) の関係で定める請求項1に
    記載の方向性電磁鋼板の1次再結晶粒径制御方法。 〔記〕 1/d=a〔log(%Al) 〕+b ---(1) a,b:定数
  3. 【請求項3】 けい素鋼スラブがSe:0.010 〜0.035 wt
    %を含むとき、最適粒径d(μm )の範囲を、Al含有量
    を(%Al)としてあらわす下記式(2) の関係を満たす範
    囲とする請求項1に記載の方向性電磁鋼板の1次再結晶
    粒径制御方法。 〔記〕 0.4155×〔log(%Al) 〕+0.32<1/d<0.4155×〔log(%Al) 〕+0.34 ---(2)
  4. 【請求項4】 オンラインでの1次再結晶板の鉄損測定
    により結晶粒径を検出し、その検出結果を1次再結晶焼
    鈍条件にフィードバックして1次再結晶粒径を目標粒径
    とする請求項1,2または3に記載の方向性電磁鋼板の
    1次再結晶粒径制御方法。
  5. 【請求項5】 鉄損測定を、磁束密度:0.3 〜1.2T、周
    波数:10〜60Hzの範囲で行うことを特徴とする請求項4
    に記載の方向性電磁鋼板の1次再結晶粒径制御方法。
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