JPH09205132A - クランプ板 - Google Patents
クランプ板Info
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- JPH09205132A JPH09205132A JP1098196A JP1098196A JPH09205132A JP H09205132 A JPH09205132 A JP H09205132A JP 1098196 A JP1098196 A JP 1098196A JP 1098196 A JP1098196 A JP 1098196A JP H09205132 A JPH09205132 A JP H09205132A
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- Japan
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- wafer
- clamp plate
- sample table
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】試料台載置面にウエハを均一に押さえることが
できるクランプ板を提供する。 【解決手段】ウエハＳのオリエンテーションフラット部
（Ｘ１−Ｘ２）に対応するクランプ板の押さえ部１０ａ
が、ウエハのオリエンテーションフラット部が位置する
試料台２１の載置面の曲面または試料台２１の載置面に
ウエハを密着させたときのウエハの曲面に合わせて成形
されているクランプ板。
できるクランプ板を提供する。 【解決手段】ウエハＳのオリエンテーションフラット部
（Ｘ１−Ｘ２）に対応するクランプ板の押さえ部１０ａ
が、ウエハのオリエンテーションフラット部が位置する
試料台２１の載置面の曲面または試料台２１の載置面に
ウエハを密着させたときのウエハの曲面に合わせて成形
されているクランプ板。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置の
試料台上などにウエハを保持するクランプ板に関する。
試料台上などにウエハを保持するクランプ板に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造に用いられるエッ
チング装置やＣＶＤ装置の試料台上に半導体ウエハを保
持する方法として、ウエハの周縁部を押さえて保持する
機械的なクランプ方法がある。
チング装置やＣＶＤ装置の試料台上に半導体ウエハを保
持する方法として、ウエハの周縁部を押さえて保持する
機械的なクランプ方法がある。
【０００３】図２は、この機械的クランプ法により試料
台上にウエハを保持する機構を備えた平行平板型エッチ
ング装置の模式的断面図である。
台上にウエハを保持する機構を備えた平行平板型エッチ
ング装置の模式的断面図である。
【０００４】処理室１１は、処理容器壁１９で囲まれて
おり、処理室１１の上方には上部基台１３に固定された
上部電極１２が配設されている。上部電極１２には、上
部基台１３および高周波整合器（図示せず）を介して高
周波電源３１が接続されている。上部電極１２および上
部基台１３は、絶縁部材１７および１８により処理容器
壁１９から絶縁されており、上部電極１２には、上部電
極１２を冷却するための冷媒循環路１５が設けられてい
る。プロセスガスは、上部基台１３および上部電極１２
に形成されたプロセスガス供給路１６、拡散空間１４お
よび多数の孔１２ａから処理室１１に供給され、排気路
２７から排気される。
おり、処理室１１の上方には上部基台１３に固定された
上部電極１２が配設されている。上部電極１２には、上
部基台１３および高周波整合器（図示せず）を介して高
周波電源３１が接続されている。上部電極１２および上
部基台１３は、絶縁部材１７および１８により処理容器
壁１９から絶縁されており、上部電極１２には、上部電
極１２を冷却するための冷媒循環路１５が設けられてい
る。プロセスガスは、上部基台１３および上部電極１２
に形成されたプロセスガス供給路１６、拡散空間１４お
よび多数の孔１２ａから処理室１１に供給され、排気路
２７から排気される。
【０００５】処理室１１の下方には、下部基台２２上に
固定され、かつ電気的に接地された試料台（下部電極）
２１が配設されている。この試料台２１は、アルミニウ
ムなどの熱伝導率の大きい金属で形成されており、その
周囲はシールド部材２５で覆われ、また絶縁部材２６に
よって処理室１１と絶縁されている。
固定され、かつ電気的に接地された試料台（下部電極）
２１が配設されている。この試料台２１は、アルミニウ
ムなどの熱伝導率の大きい金属で形成されており、その
周囲はシールド部材２５で覆われ、また絶縁部材２６に
よって処理室１１と絶縁されている。
【０００６】試料台２１の下部には、試料台２１を冷却
してウエハＳの温度を制御するために、冷媒循環路２３
が形成されている。また、試料台２１とウエハＳとの間
にＨｅガスを供給して、試料台２１とウエハＳとの間の
熱伝達を向上させるためのＨｅガス供給路２４が設けら
れている。
してウエハＳの温度を制御するために、冷媒循環路２３
が形成されている。また、試料台２１とウエハＳとの間
にＨｅガスを供給して、試料台２１とウエハＳとの間の
熱伝達を向上させるためのＨｅガス供給路２４が設けら
れている。
【０００７】ウエハＳは、その周縁部をクランプ板１０
で押さえつけることにより、試料台２１上に保持され
る。ウエハＳをエッチング処理する場合には、エッチン
グ用のガスを処理室１１内に供給し、上部電極１２と試
料台（下部電極）２１との間に高周波電力を印加してプ
ラズマを生成させて、ウエハＳをエッチングする。その
際、ウエハＳと試料台２１との間にヘリウム（Ｈｅ）を
導入し、ウエハＳを均一に効率よく冷却する。
で押さえつけることにより、試料台２１上に保持され
る。ウエハＳをエッチング処理する場合には、エッチン
グ用のガスを処理室１１内に供給し、上部電極１２と試
料台（下部電極）２１との間に高周波電力を印加してプ
ラズマを生成させて、ウエハＳをエッチングする。その
際、ウエハＳと試料台２１との間にヘリウム（Ｈｅ）を
導入し、ウエハＳを均一に効率よく冷却する。
【０００８】ウエハＳの温度制御性をさらに高める手段
として、試料台の試料載置面の形状を凸状とする方法が
いくつか提案されている。例えば、特開平１−２２７４
３８号公報では、この試料台の試料載置面の形状をウエ
ハが等分布荷重により変形した曲面と同一の曲面形状と
することにより、ウエハ面内における試料台とウエハと
の間の接触圧力の均一性を高めるものが提案されてい
る。
として、試料台の試料載置面の形状を凸状とする方法が
いくつか提案されている。例えば、特開平１−２２７４
３８号公報では、この試料台の試料載置面の形状をウエ
ハが等分布荷重により変形した曲面と同一の曲面形状と
することにより、ウエハ面内における試料台とウエハと
の間の接触圧力の均一性を高めるものが提案されてい
る。
【０００９】図３は、ウエハＳをクランプ板１０で押さ
えている部分を拡大した模式的断面図である。その下端
面が水平のクランプ板の押さえ部１０ａにより、ウエハ
Ｓが試料台２１上に押さえられている。
えている部分を拡大した模式的断面図である。その下端
面が水平のクランプ板の押さえ部１０ａにより、ウエハ
Ｓが試料台２１上に押さえられている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】図５は、従来のクラン
プ板を説明する模式図であり、（ａ）はその平面図、
（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’斜視図、
（ｄ）はＣ−Ｃ’斜視図、（ｅ）は、従来のクランプ板
により凸状の試料台上にウエハを押さえつけたときのＢ
−Ｂ’断面図、（ｆ）は、従来のクランプ板により凸状
の試料台上にウエハを押さえつけたときのＣ−Ｃ’断面
図である。
プ板を説明する模式図であり、（ａ）はその平面図、
（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’斜視図、
（ｄ）はＣ−Ｃ’斜視図、（ｅ）は、従来のクランプ板
により凸状の試料台上にウエハを押さえつけたときのＢ
−Ｂ’断面図、（ｆ）は、従来のクランプ板により凸状
の試料台上にウエハを押さえつけたときのＣ−Ｃ’断面
図である。
【００１１】従来のクランプ板のウエハ押さえ部１０ａ
は、その下端面の高さが同一平面上にあり、下端面の高
さが、オリエンテーションフラット部以外もオリエンテ
ーションフラット部（Ｘ１−Ｘ２）も、周方向で一定で
ある（図５（ｃ）、図５（ｄ））。
は、その下端面の高さが同一平面上にあり、下端面の高
さが、オリエンテーションフラット部以外もオリエンテ
ーションフラット部（Ｘ１−Ｘ２）も、周方向で一定で
ある（図５（ｃ）、図５（ｄ））。
【００１２】この従来のクランプ板を用いた場合、オリ
エンテーションフラット部（Ｘ１−Ｘ２）では、試料台
２１のウエハ載置面が凸状であり、オリエンテーション
フラット部の中央部が端部に比べて突きだした形状であ
るため、オリエンテーションフラット部（Ｘ１−Ｘ２）
の中央部で、ウエハはクランプ板に押さえられる。ま
た、その他の部分では、ウエハ中心に対するオリエンテ
ーションフラット部の反対側（Ｙ１−Ｙ２）の中央部
で、ウエハはクランプ板にもっとも強く押さえられる。
したがって、ウエハの周縁すべてを均一に押さえること
ができず、試料台２１とウエハＳとの間に隙間４０を生
じてしまう（図５（ｅ））。
エンテーションフラット部（Ｘ１−Ｘ２）では、試料台
２１のウエハ載置面が凸状であり、オリエンテーション
フラット部の中央部が端部に比べて突きだした形状であ
るため、オリエンテーションフラット部（Ｘ１−Ｘ２）
の中央部で、ウエハはクランプ板に押さえられる。ま
た、その他の部分では、ウエハ中心に対するオリエンテ
ーションフラット部の反対側（Ｙ１−Ｙ２）の中央部
で、ウエハはクランプ板にもっとも強く押さえられる。
したがって、ウエハの周縁すべてを均一に押さえること
ができず、試料台２１とウエハＳとの間に隙間４０を生
じてしまう（図５（ｅ））。
【００１３】この隙間４０は、オリエンテーションフラ
ット部の両端が最も広いので、この部分から洩れるＨｅ
量がそれ以外の部分から洩れるＨｅ量に比べて多くな
る。そのため、Ｈｅによるウエハと試料台との間の熱伝
達が不均一になる。したがって、ウエハを均一に冷却す
ることができず、また、エッチング処理する場合には、
ウエハ面内におけるエッチングレートの分布が不均一と
なっていた。
ット部の両端が最も広いので、この部分から洩れるＨｅ
量がそれ以外の部分から洩れるＨｅ量に比べて多くな
る。そのため、Ｈｅによるウエハと試料台との間の熱伝
達が不均一になる。したがって、ウエハを均一に冷却す
ることができず、また、エッチング処理する場合には、
ウエハ面内におけるエッチングレートの分布が不均一と
なっていた。
【００１４】本発明は、上記のような課題を解決するた
めになされたものであり、ウエハの周縁を均一に押さえ
つけることができるクランプ板を提供することを目的と
している。
めになされたものであり、ウエハの周縁を均一に押さえ
つけることができるクランプ板を提供することを目的と
している。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明のクランプ板は、
載置面が曲面形状の試料台上に載置されたウエハの周縁
部を押さえて、試料台上にウエハを保持するクランプ板
であって、ウエハのオリエンテーションフラット部に対
応するクランプ板の押さえ部が、ウエハのオリエンテー
ションフラット部が位置する試料台載置面の曲面または
試料台載置面にウエハを密着させたときのウエハの曲面
に合わせて成形されていることを特徴としている。
載置面が曲面形状の試料台上に載置されたウエハの周縁
部を押さえて、試料台上にウエハを保持するクランプ板
であって、ウエハのオリエンテーションフラット部に対
応するクランプ板の押さえ部が、ウエハのオリエンテー
ションフラット部が位置する試料台載置面の曲面または
試料台載置面にウエハを密着させたときのウエハの曲面
に合わせて成形されていることを特徴としている。
【００１６】本発明のクランプ板は、この試料台の断面
形状の変化にあわせて、オリエンテーションフラット部
に対応するクランプ板の押さえ部の形状を、ウエハを押
さえたときにウエハと試料台との間に間隙を生じないよ
うな曲面としている。そのため、従来存在した、ウエハ
のオリエンテーションフラット部の端部を中心としたウ
エハと試料台との間の隙間をなくし、それ以外の部分に
おいても隙間を生じさせることなく、均一な力でウエハ
を押さえることができる。
形状の変化にあわせて、オリエンテーションフラット部
に対応するクランプ板の押さえ部の形状を、ウエハを押
さえたときにウエハと試料台との間に間隙を生じないよ
うな曲面としている。そのため、従来存在した、ウエハ
のオリエンテーションフラット部の端部を中心としたウ
エハと試料台との間の隙間をなくし、それ以外の部分に
おいても隙間を生じさせることなく、均一な力でウエハ
を押さえることができる。
【００１７】その結果、ウエハの全周縁部にわたって洩
れるＨｅ量を均一にして、ウエハの冷却を均一にし、エ
ッチング処理をする場合にはウエハ面内におけるエッチ
ングレートの均一性を向上させることができる。
れるＨｅ量を均一にして、ウエハの冷却を均一にし、エ
ッチング処理をする場合にはウエハ面内におけるエッチ
ングレートの均一性を向上させることができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のクランプ板の１例につい
て説明する。
て説明する。
【００１９】図１は、本発明のクランプ板を説明する模
式図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断
面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’斜視図、（ｄ）はＣ−Ｃ’斜視
図、（ｅ）は、本発明のクランプ板により凸状の試料台
上にウエハを押さえつけたときのＢ−Ｂ’断面図、
（ｆ）は、本発明のクランプ板により凸状の試料台上に
ウエハを押さえつけたときのＣ−Ｃ’断面図である。
式図であり、（ａ）はその平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断
面図、（ｃ）はＢ−Ｂ’斜視図、（ｄ）はＣ−Ｃ’斜視
図、（ｅ）は、本発明のクランプ板により凸状の試料台
上にウエハを押さえつけたときのＢ−Ｂ’断面図、
（ｆ）は、本発明のクランプ板により凸状の試料台上に
ウエハを押さえつけたときのＣ−Ｃ’断面図である。
【００２０】本発明のクランプ板は、ウエハのオリエン
テーションフラット部を押さえる部分（Ｘ１−Ｘ２）の
ウエハ押さえ部のオリエンテーションフラット方向の形
状が、ウエハを試料台に密着させたときにウエハが持つ
曲率に応じた曲面となっている（図１（ｃ））。また、
ウエハのオリエンテーションフラット部を押さえる部分
以外（例えば、Ｙ１−Ｙ２）のウエハ押さえ部の形状
は、その下端面が同一平面上にある（図１（ｄ））。
テーションフラット部を押さえる部分（Ｘ１−Ｘ２）の
ウエハ押さえ部のオリエンテーションフラット方向の形
状が、ウエハを試料台に密着させたときにウエハが持つ
曲率に応じた曲面となっている（図１（ｃ））。また、
ウエハのオリエンテーションフラット部を押さえる部分
以外（例えば、Ｙ１−Ｙ２）のウエハ押さえ部の形状
は、その下端面が同一平面上にある（図１（ｄ））。
【００２１】そうすることにより、ウエハのオリエンテ
ーションフラット部を押さえる部分（Ｘ１−Ｘ２）およ
びそれ以外の部分で、ウエハの周縁部を試料台との間に
隙間を生じさせることなく、均一に押さえることができ
る（図１（ｅ）、（ｆ））。
ーションフラット部を押さえる部分（Ｘ１−Ｘ２）およ
びそれ以外の部分で、ウエハの周縁部を試料台との間に
隙間を生じさせることなく、均一に押さえることができ
る（図１（ｅ）、（ｆ））。
【００２２】なお、載置面が凸状の試料台の例について
説明したが、それ以外の形状、例えば凹状の曲面にも本
発明を適用することができる。
説明したが、それ以外の形状、例えば凹状の曲面にも本
発明を適用することができる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明のクランプ板の実施例につい
て、図１に基づき具体的に説明する。本実施例のクラン
プ板は、８インチシリコンウエハ用のものである。クラ
ンプ板の材料はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）である。ウエハ
のオリエンテーションフラット部以外の部分を押さえる
部分の内径Ｄを１９５．５０ｍｍとし、中心からウエハ
のオリエンテーションフラット部までの長さＬを９３．
２５ｍｍとした。ウエハ押さえ部の下端面は、ウエハの
オリエンテーションフラット部以外の部分では周方向に
同一高さとし、ウエハのオリエンテーションフラット部
では、曲率半径Ｒが５７２５ｍｍの曲面となるように加
工した。
て、図１に基づき具体的に説明する。本実施例のクラン
プ板は、８インチシリコンウエハ用のものである。クラ
ンプ板の材料はアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3 ）である。ウエハ
のオリエンテーションフラット部以外の部分を押さえる
部分の内径Ｄを１９５．５０ｍｍとし、中心からウエハ
のオリエンテーションフラット部までの長さＬを９３．
２５ｍｍとした。ウエハ押さえ部の下端面は、ウエハの
オリエンテーションフラット部以外の部分では周方向に
同一高さとし、ウエハのオリエンテーションフラット部
では、曲率半径Ｒが５７２５ｍｍの曲面となるように加
工した。
【００２４】試料台は、その直径が２０１．７８ｍｍで
あり、その試料載置面の曲面形状は、中央が端に対して
３５ｍｉｌ（０．８８９ｍｍ）高い凸形とした。
あり、その試料載置面の曲面形状は、中央が端に対して
３５ｍｉｌ（０．８８９ｍｍ）高い凸形とした。
【００２５】このクランプ板および試料台を用いて、ウ
エハにエッチング処理を施し、エッチングレートの均一
性を調べることによって、クランプ板の性能を評価した
（本発明例）。この評価に用いた装置は、図２に示した
ものであり、説明は省略する。また、比較例として、図
５に示した従来のクランプ板を用いて同様の評価を行っ
た（従来例）。
エハにエッチング処理を施し、エッチングレートの均一
性を調べることによって、クランプ板の性能を評価した
（本発明例）。この評価に用いた装置は、図２に示した
ものであり、説明は省略する。また、比較例として、図
５に示した従来のクランプ板を用いて同様の評価を行っ
た（従来例）。
【００２６】使用したウエハは、表面にＳｉＯ2 とＳｉ
Ｎが順次成膜されたシリコンウエハである。エッチング
条件は以下のとおりである。プロセスガスとして、ＳＦ
6 とＣＨＦ3 を１：４の流量比で供給し、圧力は４２５
ｍＴｏｒｒとした。高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）は
２５０Ｗ、試料台冷媒温度は４０℃、Ｈｅ背圧は５Ｔｏ
ｒｒとした。
Ｎが順次成膜されたシリコンウエハである。エッチング
条件は以下のとおりである。プロセスガスとして、ＳＦ
6 とＣＨＦ3 を１：４の流量比で供給し、圧力は４２５
ｍＴｏｒｒとした。高周波電力（１３．５６ＭＨｚ）は
２５０Ｗ、試料台冷媒温度は４０℃、Ｈｅ背圧は５Ｔｏ
ｒｒとした。
【００２７】図４は、ＳｉＮのエッチングレートの測定
結果を示すグラフである。○は本発明例の結果であり、
×は従来例の結果である。測定はウエハの周方向の８ヶ
所で行った。本発明例の場合には、ウエハ全面にわたっ
てＳｉＮのエッチングレートが均一であった。それに対
して、比較例は、ＳｉＮのエッチングレートの分布が不
均一であった。
結果を示すグラフである。○は本発明例の結果であり、
×は従来例の結果である。測定はウエハの周方向の８ヶ
所で行った。本発明例の場合には、ウエハ全面にわたっ
てＳｉＮのエッチングレートが均一であった。それに対
して、比較例は、ＳｉＮのエッチングレートの分布が不
均一であった。
【００２８】以上の結果から、本発明のクランプ板を用
いることにより、ウエハを試料台に均一に押さえること
ができることが確認された。
いることにより、ウエハを試料台に均一に押さえること
ができることが確認された。
【００２９】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明のクランプ
板によれば、載置面が曲面形状である試料台上にウエハ
の周縁を均一に押さえつけることができる。したがっ
て、例えばエッチング装置に本発明のクランプ板を適用
した場合、ウエハ面内のエッチングレートの均一性を向
上させることができる。
板によれば、載置面が曲面形状である試料台上にウエハ
の周縁を均一に押さえつけることができる。したがっ
て、例えばエッチング装置に本発明のクランプ板を適用
した場合、ウエハ面内のエッチングレートの均一性を向
上させることができる。
【図１】本発明のクランプ板を説明する模式図であり、
（ａ）はその平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）
はＢ−Ｂ’斜視図、（ｄ）はＣ−Ｃ’斜視図、（ｅ）
は、本発明のクランプ板により凸状の試料台上にウエハ
を押さえつけたときのＢ−Ｂ’断面図、（ｆ）は、本発
明のクランプ板により凸状の試料台上にウエハを押さえ
つけたときのＣ−Ｃ’断面図である。
（ａ）はその平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）
はＢ−Ｂ’斜視図、（ｄ）はＣ−Ｃ’斜視図、（ｅ）
は、本発明のクランプ板により凸状の試料台上にウエハ
を押さえつけたときのＢ−Ｂ’断面図、（ｆ）は、本発
明のクランプ板により凸状の試料台上にウエハを押さえ
つけたときのＣ−Ｃ’断面図である。
【図２】機械的クランプ法により試料台上にウエハを保
持する機構を備えた平行平板型エッチング装置の模式的
断面図である。
持する機構を備えた平行平板型エッチング装置の模式的
断面図である。
【図３】ウエハＳをクランプ板で押さえている部分を拡
大した模式的断面図である。
大した模式的断面図である。
【図４】ＳｉＮのエッチングレートの測定結果を示すグ
ラフである。
ラフである。
【図５】従来のクランプ板を説明する模式図であり、
（ａ）はその平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）
はＢ−Ｂ’斜視図、（ｄ）はＣ−Ｃ’斜視図、（ｅ）
は、従来のクランプ板により凸状の試料台上にウエハを
押さえつけたときのＢ−Ｂ’断面図、（ｆ）は、従来の
クランプ板により凸状の試料台上にウエハを押さえつけ
たときのＣ−Ｃ’断面図である。
（ａ）はその平面図、（ｂ）はＡ−Ａ’断面図、（ｃ）
はＢ−Ｂ’斜視図、（ｄ）はＣ−Ｃ’斜視図、（ｅ）
は、従来のクランプ板により凸状の試料台上にウエハを
押さえつけたときのＢ−Ｂ’断面図、（ｆ）は、従来の
クランプ板により凸状の試料台上にウエハを押さえつけ
たときのＣ−Ｃ’断面図である。
【符号の説明】 １０ クランプ板 １０ａ ウエハ押さえ部 １１ 処理室 １２ 上部電極 １２ａ 孔 １３ 上部基台 １４ 拡散空間 １５ 冷媒循環路 １６ ガス供給路 １７ 絶縁部材 １８ 絶縁部材 １９ 処理容器壁 ２１ 試料台（下部電極） ２２ 下部基台 ２３ 冷媒循環路 ２４ Ｈｅガス供給路 ２５ シールド部材 ２６ 絶縁部材 ２７ 排気路 ３１ 高周波電源 ４０ 隙間
Claims (1)
- 【請求項１】載置面が曲面形状の試料台上に載置された
ウエハの周縁部を押さえて、試料台上にウエハを保持す
るクランプ板であって、ウエハのオリエンテーションフ
ラット部に対応するクランプ板の押さえ部が、ウエハの
オリエンテーションフラット部が位置する試料台載置面
の曲面または試料台載置面にウエハを密着させたときの
ウエハの曲面に合わせて成形されていることを特徴とす
るクランプ板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098196A JP3541286B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | クランプ板及びエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1098196A JP3541286B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | クランプ板及びエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09205132A true JPH09205132A (ja) | 1997-08-05 |
| JP3541286B2 JP3541286B2 (ja) | 2004-07-07 |
Family
ID=11765339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1098196A Expired - Fee Related JP3541286B2 (ja) | 1996-01-25 | 1996-01-25 | クランプ板及びエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3541286B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100164315A1 (en) * | 2007-06-05 | 2010-07-01 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus |
| WO2010079753A1 (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-15 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置 |
-
1996
- 1996-01-25 JP JP1098196A patent/JP3541286B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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