JPH09204629A - 磁気記録媒体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平滑な表面性を有し、製造工程においてブロ
ッキングを引き起こす虞れが無く、スパッタ法で磁性膜
を作成した場合でも表面性の劣化が無い磁気記録媒体を
低コストで良好な作業性のもとに製造する。 【解決手段】 非磁性支持体１上に、二以上の末端不飽
和基を分子内に有するイミドモノマーを該非磁性支持体
１上において重合させたポリイミド樹脂を主成分とする
下塗膜２作成し、該下塗膜２上に磁性膜３を作成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、強磁性金属薄膜を
磁性膜とする磁気記録媒体およびその製造方法に関し、
特に、高い耐熱性、平滑な表面性および高い引張強度を
有する下塗膜を作成することにより、低コスト化と優れ
た電磁変換特性とを実現した金属薄膜型磁気記録媒体お
よびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気テープ、フロッピーディスクあるい
はハードディスク等の磁気記録媒体は一般に、非磁性支
持体上に磁性膜、保護膜などを成膜する工程によって製
造されている。このような磁気記録媒体においては、ス
パッタ法や蒸着法等の真空成膜法によって作成した強磁
性金属薄膜を磁性膜とする磁気記録媒体が実用化されて
いる。上記のようなスパッタ法や蒸着法によって磁性膜
を形成した磁気記録媒体は、高い磁気エネルギーが容易
に得られ、さらに非磁性支持体の表面を平滑にすること
によって平滑な磁性膜表面性を容易に達成できるためス
ペーシングロスが少なく、高い電磁変換特性を得ること
ができるため高密度記録材料に適している。特にスパッ
タ法は蒸着法よりさらに磁気エネルギーを高めることが
できるため、ハードディスクの様な高い記録密度が要求
される媒体に採用されている。

【０００３】一方、磁気記録媒体にはヘッドとの摺動に
対する高い信頼性が要求される。例えばハードディスク
のＣＳＳ特性や蒸着テープのスチル耐久性のような走行
耐久性があげられ、このような耐久性を確保するために
非磁性支持体表面に微少な突起を形成し、ヘッドに対す
る真実接触面積の低減をはかっている。しかしながら、
最近の磁気記録媒体では高記録密度化の要求が強く、従
来よりさらに高い電磁変換特性が必要となってきてい
る。このため非磁性支持体表面に設けられる突起の高さ
は益々低くなる傾向にあり、突起高さは２０ｎｍ以下と
なってきている。

【０００４】このためハードディスクでは非磁性支持体
であるアルミニウム基板、ガラス基板、カーボン基板等
の基板表面を機械的または化学的に研磨し、非常に平滑
なテクスチャーとしている。また蒸着により磁性膜を形
成した磁気テープでは、非磁性支持体であるポリエチレ
ンテレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレート
フィルム等の高分子フィルム表面を非常に平滑にし、こ
の上に球状微粒子を塗布している。

【０００５】ところで、磁気テープやフロッピーディス
クの様に、非磁性支持体として上記の様にポリエチレン
テレフタレートフィルムやポリエチレンナフタレートフ
ィルム等の可撓性高分子フィルムを用いたものにおいて
も、記録密度の向上等を図るため、スパッタ法や蒸着法
で強磁性金属薄膜から成る磁性膜を形成することが望ま
しいが、そのような高分子フィルムは耐熱性に劣るの
で、スパッタ法で成膜した場合、あるいは蒸着法により
蒸着速度を高めて成膜した場合、高分子フィルムの表面
が加熱されてオリゴマーの析出等による表面劣化が発生
し、非磁性支持体の平滑な表面性、ひいては磁性膜の平
滑な表面性を得ることが困難になるという問題が生じ
る。この問題を解決するために、以下の技術が提案され
てきた。

【０００６】一つは、非磁性支持体である高分子フィル
ムの材料として耐熱性樹脂を用いる方法である。用いる
耐熱性樹脂としては、ポリイミドフィルムなどが考えら
れるが、一般にポリイミドフィルムは高価である。加え
て、非常に平滑で表面性の良いポリイミドフィルムの作
成、使用は技術上困難であり、この方法は現実的ではな
い。

【０００７】他には、例えば塗布により磁性膜を形成し
た従来の磁気記録媒体に一般に用いられている比較的安
価な高分子フィルム上に下塗膜を形成し、膜の平滑性お
よび／または耐熱性を高める方法がこれまでに数例開示
されている。

【０００８】例えば特開平６−３４９０４２号公報に
は、比較的表面の粗い高分子フィルム上に微粒子を含有
した樹脂膜を設けることにより適切な表面性を有するフ
ィルムを作成する方法が開示されている。しかし、ここ
で使用されている一般的な樹脂結合剤を用いた場合、ス
パッタ法により磁性膜を作成すると熱的なダメージによ
る表面性の劣化が激しい。

【０００９】また特開平７−２２５９３４号公報には、
ポリエチレンテレフタレート上にポリエチレンナフタレ
ートを塗布し、熱によるオリゴマー析出を抑制する方法
が開示されている。しかし、ポリエチレンナフタレート
を用いても、スパッタ法で一般的な温度である２００℃
までフィルムを加熱するとオリゴマー析出による表面性
の劣化を生じる。

【００１０】また特開平６−２０８７１７号公報には、
より耐熱性の高いポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を高
分子フィルム上に塗布する方法が開示されている。この
ような材料を用いるとスパッタ法に耐えうる耐熱性をフ
ィルムに付与することが可能ではある。しかしポリアミ
ド樹脂やポリイミド樹脂は汎用溶剤に対する溶解性が低
く、扱いにくい溶剤を使用する必要がある。また、樹脂
が汎用溶剤に可溶性であっても、溶液の粘度が高いた
め、薄くて均一な被膜が得られず、表面性を高めること
は困難である。さらにこのような方法では、溶剤を十分
に乾燥することが難しく、塗膜中の溶剤残留量が多くな
るため、フィルムの巻き取り時に塗膜とフィルムのバッ
ク面が接着してしまうブロッキングを引き起こしやす
く、また磁性膜を形成する際に揮発する残留溶剤が真空
槽内を汚染する可能性もある。

【００１１】さらに耐熱性の高い被膜としては無機物の
被膜を形成することが有効であり、例えば、シラン化合
物の加水分解で得られるシリカ膜や金属アルコキシドか
ら得られる金属酸化物の被膜を形成することが考えられ
る。しかしながらそのような無機物の被膜では非磁性支
持体の熱変化についていけず、その被膜表面に割れが生
じてその上に成膜される磁性膜にクラックが発生すると
いう問題がある。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、高分子
フィルム等を支持体としてその上に強磁性金属薄膜から
成る磁性膜をスパッタ法等で形成しようとすると場合、
支持体と磁性膜との間に耐熱性を有し、表面の平滑性を
有し、割れが生じずかつ容易に形成し得る下塗膜を設け
ることが望ましいが、従来技術においてはそれらを十分
に満足し得る下塗膜を設けることが困難であった。

【００１３】本発明の目的は、上記事情に鑑み、非常に
平滑な表面性を有し、さらに支持体加熱を伴うスパッタ
法で磁性膜を作成した場合でも、表面性の劣化やクラッ
クの発生がなく、ブロッキングを引き起こす虞れもない
下塗膜を有し、低コストで容易に製造することのできる
磁気記録媒体およびその製造方法を提供することにあ
る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る磁気記録媒体は、非磁性支持体の少な
くとも一方に強磁性金属薄膜である磁性膜を有する磁気
記録媒体であって、前記非磁性支持体と前記磁性膜との
間に、２以上の末端不飽和基を分子内に有するイミドモ
ノマーを前記非磁性支持体上で重合させたポリイミド樹
脂を主成分とする下塗膜を有することを特徴とする。

【００１５】前記イミドモノマーとしては、下記化学式
１で表されるビスアリルナジイミドを用いることができ
る。

【００１６】

【化２】

【００１７】化学式１ （ただしＲ１、Ｒ２は独立に選択された水素またはメチ
ル基、Ｒ３は脂肪族または芳香族の炭化水素基等の２価
の連結基。） また、上記課題を解決するため、本発明にかかる磁気記
録媒体の製造方法は、非磁性支持体上で２以上の末端不
飽和基を分子内に有するイミドモノマーを重合させるこ
とにより前記非磁性支持体上にポリイミド樹脂層を作成
し、該ポリイミド樹脂層上に強磁性金属薄膜を成膜する
ことを特徴とする。

【００１８】つまり本発明では、図１に示す様に、非磁
性支持体１上にポリイミドの下塗膜２を設け、その上に
強磁性金属薄膜から成る磁性膜３を設けるが、前記ポリ
イミドは既に重合したポリイミドを付与するのではな
く、まず非磁性支持体上にイミドモノマーを付与した
後、重合させて作成したポリイミドであることを特徴と
する。このイミドモノマーは既にイミド環化反応が終了
しているもので、分子内に末端不飽和基を２つ以上有す
るものである。ポリイミドへの重合反応は加熱などによ
ってビニル基等の不飽和基が付加重合する事によって進
行する。従って重合反応は比較的低温で進行するため、
ポリイミドをはじめ様々な非磁性支持体上でイミドモノ
マーを重合することができる。

【００１９】またイミドモノマーはその構造によって汎
用の有機溶剤に溶解することが可能であるため、生産
性、作業性に優れる。またイミドモノマーは当然ポリイ
ミドよりも分子量が小さいため、その溶液の粘度が低
く、これを非磁性支持体上に塗布したときに、凹凸に対
する回り込みが良く、平滑化効果が高い。

【００２０】上記特徴から明らかなように、本発明にお
いてはポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を塗布した場合
に比べ、生産性や作業性、平滑性に優れている。また、
ポリイミドの前駆体であるポリアミック酸を塗布後、硬
化させる場合に比べて硬化温度が非常に低いため、非磁
性支持体の材質によらず本発明の目的を達成できるとい
う利点を有する。

【００２１】本発明のイミドモノマーは分子内にイミド
環と末端不飽和結合を２つ以上有する化合物であって好
ましくは前記化学式１で示されるビスアリルナジイミド
である。この様な化合物は特開昭５９ー８０６６２号公
報、特開昭６０ー１７８８６２号公報、特開昭６１ー１
８７６１号公報、特開昭６３ー１７０３５８号公報、特
開平７ー５３５１６号公報などに記載されている公知の
合成法で合成された公知の化合物を使用することができ
る。

【００２２】前記化学式１においてＲ１、Ｒ２はそれぞ
れ独立に選択される水素またはメチル基、Ｒ３は脂肪
族、芳香族等の２価の連結基であって特に限定はされな
い。例えば直鎖または分岐構造のアルキレン基およびア
ルケニル基、シクロアルキレン基、アルキレン基を有す
るシクロアルキレン基、芳香族基、アルキレン基を有す
る芳香族基、ポリオキシアルキレン基、カルボニル基、
エーテル基等などがあげられる。

【００２３】イミドモノマーの溶剤溶解性やその重合物
であるポリイミド樹脂の耐熱性はおもにＲ３の構造で決
定される。このため所望の特性はＲ３の構造を選択する
ことによって達成される。

【００２４】この様な化合物は丸善石油化学社からＢＡ
ＮＩシリーズ、ＡＮＩシリーズとして市販されている。
市販品にはモノマー中にオリゴマーが混在することもあ
る。

【００２５】本発明において非磁性支持体上にイミドモ
ノマーを付与して下塗膜を作成する方法としては、イミ
ドモノマーを有機溶剤に溶解した溶液をワイヤーバー
法、グラビア法、スプレー法、ディップコート法、スピ
ンコート法等の手法によって非磁性支持体上に塗布した
後、乾燥と同時に重合させ、または乾燥させた後塗膜を
焼成等することによりイミドモノマーを重合させ、耐熱
性や耐溶剤性、密着性などを向上させる方法を用いるこ
とができる。

【００２６】このとき使用される塗布溶剤としては前記
化学式１のＲ３の種類によって異なるが、多くの構造で
はトルエン、キシレン、アセトニトリル、シクロヘキサ
ノン、メチルエチルケトン、アセトンなどに溶解可能で
あり、一部の構造においてはイソプロピルアルコール、
エタノール、メタノール等にも溶解可能である。また溶
剤としてこれらの混合溶剤を使用することもできる。

【００２７】また乾燥は上記溶剤を揮発させるために行
うものであるが、モノマーの重合を行うためさらに高温
で加熱しても良い。一般的な熱風乾燥、赤外線乾燥等の
方法により乾燥できる。

【００２８】塗膜の乾燥の後、イミドモノマーを重合さ
せる方法としては熱風加熱、赤外線加熱、熱ローラー加
熱などが使用できる。このときの加熱温度としては塗膜
の厚みにもよるが１μｍ前後の場合には１２０℃〜３０
０℃、好ましくは１５０℃〜２５０℃の範囲である。温
度がこれよりも低い場合には重合反応の進行が不十分で
あり、逆に高すぎると非磁性支持体の変形を引き起こし
たり、生産性の低下につながる。

【００２９】また加熱による重合以外にも紫外線照射、
電子線照射などによる重合も可能である。

【００３０】また本発明の下塗膜にはイミドモノマー以
外の成分が含有されていても良い。例えば重合を促進す
るための硬化剤、表面に凹凸を設けるための耐熱性微粒
子（フィラー）、密着を改善するためのカップリング
剤、磁性膜の酸化を防止する防錆剤等を含有させること
ができる。

【００３１】硬化剤としてはｐートルエンスルホン酸、
ｐーキシレンスルホン酸、トルエンスルホン酸メチル、
ピリジニウムｐートルエンスルホネート、ピリジニウム
ｍーニトロベンゼンスルホネート、硫酸メチルヒドラジ
ンなどが使用できる。

【００３２】また表面に凹凸を設けるための耐熱性微粒
子としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニアな
どの無機酸化物、炭酸カルシウム、炭素、高分子などが
あげられる。この形状としては単分散で球状であること
が好ましい。その粒子径は下塗膜の膜厚に応じて選ばれ
るが１０〜１０００ｎｍ、好ましくは２０〜１００ｎｍ
である。

【００３３】本発明は磁気テープやフロッピーディスク
等のフレキシブル磁気記録媒体に限らずハードディスク
等のリジット磁気記録媒体にも適応することができる。
本発明で使用する非磁性支持体としては、フレキシブル
磁気記録媒体の場合には、厚さ３〜１００μｍのポリエ
チレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポ
リイミド、ポリアミド、ポリアミドイミド等のフイルム
等が使用できる。また、フィルムの内部にフィラーを含
有し、フィルム表面に凹凸を形成したものでも良い。

【００３４】一方、リジット磁気記録媒体の場合にはガ
ラス基板、アルミ基板やカーボン基板が使用できる。

【００３５】本発明の磁気記録媒体における磁性膜とな
る強磁性金属薄膜は、従来より公知の真空蒸着法や、ス
パッタ法により形成することができる。

【００３６】磁性膜をスパッタ法で作成する場合、組成
としてはコバルトを主体とした従来より公知の金属また
は合金が挙げられ、具体的にはＣｏ−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ｃｒ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｔａ−Ｐｔ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔ−Ｓｉ、Ｃｏ−Ｃ
ｒ−Ｐｔ−Ｂ等が使用できる。特に電磁変換特性を改善
するためにＣｏ−Ｃｒ−Ｔａ、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｐｔが好ま
しい。磁性膜の厚みは１０〜３００ｎｍとするのが望ま
しい。またこの場合磁性膜の静磁気特性を改善するため
の下地膜を設けることが好ましく、この下地膜の組成と
しては従来より公知の金属または合金などがあげられ、
具体的にはＣｒ、Ｖ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｓｉ等またはこ
れらの合金が使用でき、中でもＣｒ、ＣｒーＴｉ、Ｃｒ
ーＳｉが特に好ましい。この下地膜の厚みとしては５ｎ
ｍ〜５００ｎｍであり、好ましくは１０ｎｍ〜２００ｎ
ｍである。

【００３７】またスパッタ法で磁性膜を作成する場合に
は、支持体を加熱した状態で成膜する事が好ましく、そ
のときの温度は１００℃〜２５０℃が好適である。

【００３８】磁性膜を真空蒸着法で作成する場合、組成
としてはコバルトを主体とした従来より公知の金属また
は合金が挙げられ、具体的にはＣｏ、ＣｏＮｉ、ＣｏＦ
ｅなどを酸素雰囲気中で蒸着し、膜中に酸素を含んだも
のが使用できる。特に電磁変換特性を改善するため磁性
膜を構成する金属原子の９０％以上、さらに好ましくは
９５％以上はコバルトであるＣｏ−Ｏ、またはＣｏ−Ｏ
を含有するＣｏ−Ｆｅ等が好ましい。磁性膜の厚みは、
１００〜３００ｎｍとするのが望ましく、さらに望まし
くは１２０〜２００ｎｍである。

【００３９】また、強磁性金属薄膜は電磁変換特性を改
善するため重層構成としたり、非磁性下地層や中間層を
有していても良い。

【００４０】本発明の磁気記録媒体においては強磁性金
属薄膜上に保護膜が設けられていてもよく、この保護膜
によってさらに走行耐久性、耐食性を改善することがで
きる。保護膜としてはシリカ、アルミナ、チタニア、ジ
ルコニア、酸化コバルト、酸化ニッケルなどの酸化物、
窒化チタン、窒化ケイ素、窒化ホウ素などの窒化物、炭
化ケイ素、炭化クロム、炭化ホウ素等の炭化物、グラフ
ァイト、無定型カーボンなどの炭素からなる保護膜があ
げられる。

【００４１】更に前記保護膜としては、ヘッド材質と同
等またはそれ以上の硬度を有する硬質膜が好ましく、さ
らに摺動中に焼き付きを生じ難く、その効果が安定して
持続するものが最も好ましく、そのような保護膜として
は硬質炭素膜があげられる。

【００４２】前記炭素保護膜は、プラズマＣＶＤ法、ス
パッタ法等で作成したアモルファス、グラファイト、ダ
イヤモンド構造、もしくはこれらの混合物からなるカー
ボン膜であり、特に好ましくは一般にダイヤモンドライ
クカーボンと呼ばれる硬質カーボン膜である。この炭素
膜はビッカース硬度で１０００ｋｇ／ｍｍ² 以上、好ま
しくは２０００ｋｇ／ｍｍ² 以上の硬質の炭素膜であ
る。また、その結晶構造はアモルファス構造であり、か
つ非導電性である。そして、本発明におけるダイヤモン
ド状炭素膜の構造をラマン光分光分析によって測定した
場合には、１５２０〜１５６０ｃｍ^-1にピークが検出さ
れることによって確認することができる。炭素膜の構造
がダイヤモンド状構造からずれてくるとラマン光分光分
析により検出されるピークが上記範囲からずれるととも
に、炭素膜の硬度も低下する。

【００４３】前記ダイヤモンド状炭素膜の構造は、ラマ
ン分光法の他に、Ｘ線電子分光法（ＥＳＣＡ）によって
も同定することができる。特に、ＥＳＣＡによって同定
する場合、Ｃ−１ｓのプラズモン損失エネルギーが２６
±１ｅＶであるとさらに良好な炭素膜となる。ここでい
うプラズモン損失エネルギーは、炭素膜にＸ線を照射し
て測定されるＣ−１ｓスペクトルのメインピークから、
プラズモン損失により生ずるピークのずれをＸ線電子分
光装置（例えば、パーキンエルマー社製、ＰＨＩ−５６
０）により測定されるものである。炭素保護膜の硬度が
減少すると摩擦特性は改善されるが耐磨耗性が不足し、
所望の走行耐久性を得ることができない。とくに、スチ
ル耐久性が大幅に低下してしまう。これらのダイヤモン
ド状炭素保護膜はスパッタリングやＣＶＤによって作製
することができるが、生産性、品質の安定性および厚み
１０ｎｍ以下の超薄膜でも良好な耐磨耗性を確保できる
という点からＣＶＤによって作製することが好ましく、
とくに高周波プラズマによって分解した化学種を基板に
バイアス電圧を印加して加速することが好ましい。

【００４４】この炭素保護膜の材料となるプラズマ化さ
れる炭素化合物は、とくに制限されるものではないが、
炭化水素系、ケトン系、アルコール系の化合物が挙げら
れる。

【００４５】特に、メタン、エタン、プロパン、ブタン
等のアルカン、あるいはエチレン、プロピレン等のアル
ケン、またはアセチレン等のアルキンをはじめとした炭
素含有化合物を原料としたプラズマＣＶＤによって硬質
炭素保護膜を形成することが好ましい。

【００４６】これらの被膜形成性の物質は、一般に１
３．３〜０．１３３Ｎ／ｍ² 、好ましくは６．６７〜
２．６７Ｎ／ｍ² の分圧でプラズマ発生装置内に導入さ
れる。また、前記原料気体の他に水素、アルゴン等の不
活性気体を同時に導入することもできる。この場合、望
ましい混合気体としては、メタンなどの炭化水素とアル
ゴンが挙げられる。この場合、その混合割合は、一般に
炭化水素：アルゴン＝６：１〜２：１が望ましい。

【００４７】硬質炭素保護膜の膜厚が厚いと電磁変換特
性の悪化や磁性膜に対する密着性の低下が生じ、膜厚が
薄いと耐磨耗性が不足するために、膜厚２．５〜２０ｎ
ｍが好ましく、とくに好ましくは５〜１０ｎｍである。

【００４８】また、この硬質炭素保護膜上に付与する下
記の潤滑剤等との密着をさらに向上させる目的で硬質炭
素保護膜表面を酸化性もしくは不活性気体によって表面
処理しても良い。

【００４９】本発明の磁気記録媒体において、走行耐久
性および耐食性を改善するため、上記磁性膜もしくは保
護膜上に潤滑剤や防錆剤を付与することが好ましい。図
１においては、保護膜４上に潤滑剤を付与して成る潤滑
膜５を形成したものを示している。

【００５０】潤滑剤としては公知の炭化水素系潤滑剤、
フッ素系潤滑剤、極圧添加剤などが使用できる。

【００５１】炭化水素系潤滑剤としてはステアリン酸、
オレイン酸等のカルボン酸類、ステアリン酸ブチル等の
エステル類、オクタデシルスルホン酸等のスルホン酸
類、リン酸モノオクタデシル等のリン酸エステル類、ス
テアリルアルコール、オレイルアルコール等のアルコー
ル類、ステアリン酸アミド等のカルボン酸アミド類、ス
テアリルアミン等のアミン類などが挙げられる。

【００５２】フッ素系潤滑剤としては上記炭化水素系潤
滑剤のアルキル基の一部または全部をフルオロアルキル
基もしくはパーフルオロポリエーテル基で置換した潤滑
剤が挙げられる。パーフルオロポリエーテル基としては
パーフルオロメチレンオキシド重合体、パーフルオロエ
チレンオキシド重合体、パーフルオロ−ｎ−プロピレン
オキシド重合体（ＣＦ₂ ＣＦ₂ ＣＦ₂ Ｏ）_n 、パーフル
オロイソプロピレンオキシド重合体（ＣＦ（ＣＦ₃ ）Ｃ
Ｆ₂ Ｏ）_n またはこれらの共重合体等である。

【００５３】極圧添加剤としてはリン酸トリラウリル等
のリン酸エステル類、亜リン酸トリラウリル等の亜リン
酸エステル類、トリチオ亜リン酸トリラウリル等のチオ
亜リン酸エステルやチオリン酸エステル類、二硫化ジベ
ンジル等の硫黄系極圧剤などが挙げられる。

【００５４】上記潤滑剤は単独もしくは複数を併用して
使用される。これらの潤滑剤を磁性膜もしくは保護膜上
に付与する方法としては潤滑剤を有機溶剤に溶解し、ワ
イヤーバー法、グラビア法、スピンコート法、ディップ
コート法等で塗布するか、真空蒸着法によって付着させ
ればよい。

【００５５】潤滑剤の塗布量としては１〜３０ｍｇ／ｍ
² が好ましく、２〜２０ｍｇ／ｍ²が特に好ましい。

【００５６】本発明で使用できる防錆剤としてはベンゾ
トリアゾール、ベンズイミダゾール、プリン、ピリミジ
ン等の窒素含有複素環類およびこれらの母核にアルキル
側鎖等を導入した誘導体、ベンゾチアゾール、２−メル
カプトンベンゾチアゾール、テトラザインデン環化合
物、チオウラシル化合物等の窒素および硫黄含有複素環
類およびこの誘導体等が挙げられる。

【００５７】このような目的で使用可能なテトラザイン
デン環化合物には、下記に示すものが挙げられる。

【００５８】

【化３】

【００５９】ここで、Ｒには、アルキル基、アルコキシ
基、アルキルアミド基から選ばれる炭化水素基である。

【００６０】特に好ましくは、炭素数３以上２０以下で
あり、アルコキシの場合にはＲＯＣＯＣＨ₂ −のＲは、
Ｃ₃ Ｈ₇ −、Ｃ₆ Ｈ₁₃−、フェニル、またアルキル基の
場合には、Ｃ₆ Ｈ₁₃−、Ｃ₉ Ｈ₁₉−、Ｃ₁₇Ｈ₃₅−が挙げ
られ、アルキルアミドの場合にはＲＮＨＣＯＣＨ₂ −の
Ｒはフェニル、Ｃ₃ Ｈ₇ −が挙げられる。

【００６１】また、チオウラシル環化合物には、下記に
示すものが挙げられる。

【００６２】

【化４】

【００６３】

【実施例】

（実施例１）最大突起粗さが０．０６μｍの厚み５０μ
ｍのポリイミドフィルムにイミドモノマー（丸善石油化
学社製ＢＡＮＩ−ＮＢ）をトルエンに溶解した溶液をグ
ラビアコート法で塗布した後、１００℃で乾燥して厚み
１μｍの下塗膜を作成した。次に塗膜を２２０℃で１時
間加熱し、イミドモノマーの重合を行った。このフィル
ムを温度２００℃に加熱した後、ＤＣマグネトロンスパ
ッタ法でＣｒ−Ｔｉ下地膜を６０ｎｍ成膜し、さらに引
き続きＣｏーＣｒ−Ｐｔ磁性膜を３０ｎｍ成膜し、さら
にその上にＣ保護膜を成膜した。この下地膜、磁性膜、
保護膜はフィルムの両面に対して成膜した。次にこの保
護膜上にパーフルオロポリエーテル系潤滑剤（アウジモ
ント社製ＦＯＭＢＬＩＮ Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤
（住友３Ｍ社製ＦＣー７７）に溶解した溶液をディップ
コート法で塗布して厚み３ｎｍの潤滑膜を作成した。そ
してこの試料を３．５インチの磁気ディスク形状に打ち
抜き、フロッピーディスクを作成した。

【００６４】（実施例２）最大突起粗さが０．１μｍの
厚み９０μｍのポリエチレンナフタレートフィルムにイ
ミドモノマー（丸善石油化学社製ＢＡＮＩ−ＮＢ）をト
ルエンに溶解した溶液をグラビアコート法で塗布した
後、１００℃で乾燥して厚み１μｍの下塗膜を作成し
た。次に塗膜を２００℃で１時間加熱し、イミドモノマ
ーの重合を行った。このフィルムを温度１８０℃に加熱
した後、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣｒ−Ｔｉ下地
膜を６０ｎｍ成膜し、さらに引き続きＣｏーＣｒ−Ｐｔ
磁性膜を３０ｎｍ成膜し、さらにその上にＣ保護膜を成
膜した。この下地膜、磁性膜、保護膜はフィルムの両面
に対して成膜した。次にこの保護膜上にパーフルオロポ
リエーテル系潤滑剤（アウジモント社製ＦＯＭＢＬＩＮ
Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製ＦＣー７
７）に溶解した溶液をディップコート法で塗布して厚み
３ｎｍの潤滑膜を作成した。そしてこの試料を３．５イ
ンチの磁気ディスク形状に打ち抜き、フロッピーディス
クを作成した。

【００６５】（実施例３）最大突起粗さが０．１μｍの
厚み９０μｍのポリエチレンナフタレートフィルムにイ
ミドモノマー（丸善石油化学社製ＢＡＮＩ−ＮＢ）をト
ルエンに溶解した溶液をグラビアコート法で塗布した
後、１００℃で乾燥して厚み１μｍの下塗膜を作成し
た。次に塗膜を１７０℃で１時間加熱し、イミドモノマ
ーの重合を行った。このフィルムを温度１５０℃に加熱
した後、ＤＣマグネトロンスパッタ法でＣｒ−Ｔｉ下地
膜を６０ｎｍ成膜し、さらに引き続きＣｏーＣｒ−Ｐｔ
磁性膜を３０ｎｍ成膜し、さらにその上にＣ保護膜を成
膜した。この下地膜、磁性膜、保護膜はフィルムの両面
に対して成膜した。次にこの保護膜上にパーフルオロポ
リエーテル系潤滑剤（アウジモント社製ＦＯＭＢＬＩＮ
Ｚ−ＤＯＬ）をフッ素系溶剤（住友３Ｍ社製ＦＣー７
７）に溶解した溶液をディップコート法で塗布して厚み
３ｎｍの潤滑膜を作成した。そしてこの試料を３．５イ
ンチの磁気ディスク形状に打ち抜き、フロッピーディス
クを作成した。

【００６６】（実施例４）実施例２においてイミドモノ
マーを丸善石油化学社製ＢＡＮＩーＭに変更した以外は
実施例２と同様に試料を作成した。

【００６７】（実施例５）実施例２においてイミドモノ
マーを丸善石油化学社製ＢＡＮＩーＸに変更した以外は
実施例２と同様に試料を作成した。

【００６８】（比較例１）実施例２においてイミドモノ
マーを塗布せず、ポリエチレンナフタレート上に直接磁
性膜を成膜した以外は実施例２と同様に試料を作成し
た。

【００６９】（比較例２）実施例２においてイミドモノ
マーを塗布せず、ポリエチレンナフタレート上に直接磁
性膜を成膜した以外は実施例３と同様に試料を作成し
た。

【００７０】（比較例３）実施例３においてイミドモノ
マーをポリエステル樹脂（東洋紡社製バイロン２００）
に、溶剤をトルエンからメチルエチルケトンに変更した
以外は実施例２と同様に試料を作成した。

【００７１】作成した試料は以下の観点から評価を行っ
た。

【００７２】１）表面性 支持体フィルム表面、重合後の下塗膜表面、完成した媒
体表面について光学顕微鏡観察（１００倍）をおこなう
とともに、原子間力顕微鏡で１０×１０μｍから１００
×１００μｍの範囲を観察し、３０×３０μｍについて
基準面からの突起高さ分布と高さ２０ｎｍ以上の突起数
を求めた。

【００７３】２）下塗膜塗布乾燥後のブロッキングの有
無 巻き取った状態でフィルムの裏面への貼り付きの有無を
確認した。

【００７４】上記評価結果を表１に示す。

【００７５】

【表１】

【００７６】

【発明の効果】本発明に従って、非磁性支持体上にイミ
ドモノマーを付与した後重合させて作成したポリイミド
樹脂から成る耐熱性を有する下塗膜を設けることによ
り、支持体加熱を伴うスパッタ法等で磁性膜を作成した
場合でも、表面性の劣化やクラックの発生を防止でき
る。このため比較的安価な高分子フィルムを支持体とし
て用いることができ、コスト面から好ましい。

【００７７】またポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂を塗
布することにより耐熱性の下塗り膜を設ける従来技術と
比較した場合、本発明で用いるイミドモノマーは、ポリ
イミド等よりも分子量が小さいのでその溶液の粘度が低
く塗布が容易であり、また溶液を非磁性支持体上に塗布
したときに、凹凸に対する回り込みが良く非常に平滑な
表面性を達成でき、さらにイミドモノマーはその構造に
よって汎用の有機溶剤に溶解することが可能であるた
め、生産性、作業性に優れ、同時に溶媒残留の危険性が
減少し、もってブロッキングを引き起こす可能性も低下
させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の磁気記録媒体の主要構成を模式的に
示す断面図

【符号の説明】

１ 非磁性支持体 ２ 下塗膜 ３ 磁性膜 ４ 保護膜 ５ 潤滑膜

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体の少なくとも一方に強磁性
   金属薄膜である磁性膜を有する磁気記録媒体であって、
   前記非磁性支持体と前記磁性膜との間に、２以上の末端
   不飽和基を分子内に有するイミドモノマーを前記非磁性
   支持体上で重合させたポリイミド樹脂を主成分とする下
   塗膜を有することを特徴とする磁気記録媒体。
2. 【請求項２】 前記イミドモノマーが下記化学式で表さ
   れる構造のビスアリルナジイミドであることを特徴とす
   る請求項１記載の磁気記録媒体。 【化１】 （ただしＲ１、Ｒ２は独立に選択された水素またはメチ
   ル基、Ｒ３は脂肪族または芳香族の炭化水素基等の２価
   の連結基。）
3. 【請求項３】 非磁性支持体上で２以上の末端不飽和基
   を分子内に有するイミドモノマーを重合させることによ
   り前記非磁性支持体上にポリイミド樹脂層を作成し、該
   ポリイミド樹脂層上に強磁性金属薄膜を成膜することを
   特徴とする磁気記録媒体の製造方法。