JPH09204508A - 電子メモリカード用電子マイクロパッケージ及びその製造方法 - Google Patents
電子メモリカード用電子マイクロパッケージ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子メモリカード用電子マイクロパッケージ
を提供する。 【解決手段】 マイクロパッケージは、絶縁支持体の第
1の面上に配置された半導体チップと、絶縁支持体の第
2の面によって限定される面に沿って伸びる電気接点ゾ
ーンとを含み、半導体チップは接続用リードを介して電
気接点ゾーンに接続されており、マイクロパッケージは
電気接点ゾーンを限定する切り抜きを設けた金属ストリ
ップと、金属ストリップの一方の面上に配置されていて
絶縁支持体を構成し、電気接点ゾーンの少なくとも一部
分を覆わないようにしている絶縁材料のストリップと、
絶縁支持体を取り囲み、取り囲んだ内側の、絶縁支持体
が覆わなかった金属ストリップの切り抜き部分を覆う半
導体チップのためのハウジングと、半導体チップ及び接
続用リードを覆ってハウジングを少なくとも部分的に充
填する樹脂の被膜とを含む。
を提供する。 【解決手段】 マイクロパッケージは、絶縁支持体の第
1の面上に配置された半導体チップと、絶縁支持体の第
2の面によって限定される面に沿って伸びる電気接点ゾ
ーンとを含み、半導体チップは接続用リードを介して電
気接点ゾーンに接続されており、マイクロパッケージは
電気接点ゾーンを限定する切り抜きを設けた金属ストリ
ップと、金属ストリップの一方の面上に配置されていて
絶縁支持体を構成し、電気接点ゾーンの少なくとも一部
分を覆わないようにしている絶縁材料のストリップと、
絶縁支持体を取り囲み、取り囲んだ内側の、絶縁支持体
が覆わなかった金属ストリップの切り抜き部分を覆う半
導体チップのためのハウジングと、半導体チップ及び接
続用リードを覆ってハウジングを少なくとも部分的に充
填する樹脂の被膜とを含む。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子メモリカード
用電子マイクロパッケージに関する。また本発明は、こ
のようなマイクロパッケージの製造方法にも関する。本
発明の特に有利な応用は、マイクロプロセッサ、特に大
型半導体チップによって構成されるマイクロプロセッサ
を有する電子メモリカードである。
用電子マイクロパッケージに関する。また本発明は、こ
のようなマイクロパッケージの製造方法にも関する。本
発明の特に有利な応用は、マイクロプロセッサ、特に大
型半導体チップによって構成されるマイクロプロセッサ
を有する電子メモリカードである。
【0002】
【従来の技術】現在、電子メモリカードに装備するよう
に設計された電子マイクロパッケージまたはモジュール
を製造する2つの主要技術が知られている。第1の技術
(例えば、フランス特許第 2 488 446号に開示されてい
る技術)によれば、ポリエチレンまたはエポキシ樹脂の
ような絶縁材料のストリップを穿孔し、これらの孔に接
続用リードを通して半導体チップと電気接点ゾーンとを
接続する。次いで、絶縁材料のストリップの上に金属ス
トリップを積層し、化学的エッチングによって切り抜い
て上記電気接点ゾーンを形成し、これらのゾーンの上に
保護層を堆積させる。次の段階において、絶縁材料のス
トリップの上に、またはスルーホールと一緒に上記スト
リップ内に予め切り抜いておいた窓内に半導体チップを
接着する。次に、これらのスルーホールを通過させた接
続用リードによって半導体チップと電気接点ゾーンとを
接続する。最後にエポキシ樹脂をモールドするか、また
は単に樹脂を滴下させて堆積させることによって被膜を
施し、半導体チップ及び接続用リードを機械的及び化学
的な攻撃から保護する。第2の技術(例えば、フランス
特許第 2 639 763号に開示されている技術)では、金属
ストリップを機械的に切り抜き、それを曲げ、そしてそ
の上に絶縁材料をオーバーモールドする(但し、電子モ
ジュールの電気接点ゾーンを構成する金属ストリップ内
の切り抜いたゾーンは覆わないようにする)。始めに金
属を曲げ、それによって切り抜いた金属ゾーンを機械的
に固定することによって金属はオーバーモールドされた
絶縁材料内にしっかりと保持される。絶縁材料をオーバ
ーモールディングすることによってカップが形成され
る。このカップ内に半導体チップが接着され、接続用リ
ードを介して電気接点ゾーンに接続される。単にカップ
を液体樹脂で充填するだけでよいので、半導体チップ及
び接続用リードの保護はかなり容易になる。
に設計された電子マイクロパッケージまたはモジュール
を製造する2つの主要技術が知られている。第1の技術
(例えば、フランス特許第 2 488 446号に開示されてい
る技術)によれば、ポリエチレンまたはエポキシ樹脂の
ような絶縁材料のストリップを穿孔し、これらの孔に接
続用リードを通して半導体チップと電気接点ゾーンとを
接続する。次いで、絶縁材料のストリップの上に金属ス
トリップを積層し、化学的エッチングによって切り抜い
て上記電気接点ゾーンを形成し、これらのゾーンの上に
保護層を堆積させる。次の段階において、絶縁材料のス
トリップの上に、またはスルーホールと一緒に上記スト
リップ内に予め切り抜いておいた窓内に半導体チップを
接着する。次に、これらのスルーホールを通過させた接
続用リードによって半導体チップと電気接点ゾーンとを
接続する。最後にエポキシ樹脂をモールドするか、また
は単に樹脂を滴下させて堆積させることによって被膜を
施し、半導体チップ及び接続用リードを機械的及び化学
的な攻撃から保護する。第2の技術(例えば、フランス
特許第 2 639 763号に開示されている技術)では、金属
ストリップを機械的に切り抜き、それを曲げ、そしてそ
の上に絶縁材料をオーバーモールドする(但し、電子モ
ジュールの電気接点ゾーンを構成する金属ストリップ内
の切り抜いたゾーンは覆わないようにする)。始めに金
属を曲げ、それによって切り抜いた金属ゾーンを機械的
に固定することによって金属はオーバーモールドされた
絶縁材料内にしっかりと保持される。絶縁材料をオーバ
ーモールディングすることによってカップが形成され
る。このカップ内に半導体チップが接着され、接続用リ
ードを介して電気接点ゾーンに接続される。単にカップ
を液体樹脂で充填するだけでよいので、半導体チップ及
び接続用リードの保護はかなり容易になる。
【0003】不幸にも、これらの公知の2つの技術は、
大型の半導体チップを保護しようとする場合には欠陥を
有している。第1の技術を用いた場合には、第1に、特
に積層した金属ストリップをエッチングする化学的エッ
チング段階に起因して、マイクロパッケージが高価にな
ることが問題であり、そして第2に、大面積を被膜で保
護するのが非常に難しい(被膜を受入れられない程厚く
しなければならなくなる)ことから、半導体チップ及び
接続用リードを保護する保護被膜が問題になる。第2の
技術を用いた場合には、カップの底を形成することが問
題になる。カップの底は極めて精細でなければならない
だけではなく、良好な表面の平坦さを維持しながら大面
積にわたって広がっていなければならない。
大型の半導体チップを保護しようとする場合には欠陥を
有している。第1の技術を用いた場合には、第1に、特
に積層した金属ストリップをエッチングする化学的エッ
チング段階に起因して、マイクロパッケージが高価にな
ることが問題であり、そして第2に、大面積を被膜で保
護するのが非常に難しい(被膜を受入れられない程厚く
しなければならなくなる)ことから、半導体チップ及び
接続用リードを保護する保護被膜が問題になる。第2の
技術を用いた場合には、カップの底を形成することが問
題になる。カップの底は極めて精細でなければならない
だけではなく、良好な表面の平坦さを維持しながら大面
積にわたって広がっていなければならない。
【0004】
【発明の概要】本発明の目的は、電子メモリカード用電
子マイクロパッケージを提供することによって技術的な
問題を解消することである。本マイクロパッケージは、
絶縁支持体の第1の面上に配置されている半導体チップ
と、上記絶縁支持体の第2の面によって限定される面に
沿って伸びる電気接点ゾーンとを含み、上記半導体チッ
プは接続用リードを介して上記電気接点ゾーンに接続さ
れている。上記マイクロパッケージは、特に、被膜を薄
く維持しながら上記半導体チップ及びリードを被膜する
ことができるので、大型の半導体チップに最適である。
本発明によるマイクロパッケージは、上述した技術的問
題を解消する。このマイクロパッケージは、上記電気接
点ゾーンを限定する切り抜きを設けた金属ストリップ
と、上記金属ストリップの一方の面上に配置されていて
上記絶縁支持体を構成し、上記電気接点ゾーンの少なく
とも一部分を覆わない絶縁材料のストリップと、上記絶
縁支持体を取り囲み、取り囲んだ内側の、上記絶縁支持
体が覆わなかった上記金属ストリップの切り抜き部分を
覆う上記半導体チップのためのハウジングと、上記半導
体チップ及び上記接続用リードをカバーし、上記ハウジ
ングを少なくとも部分的に充填する樹脂の被膜とを含ん
でいる。
子マイクロパッケージを提供することによって技術的な
問題を解消することである。本マイクロパッケージは、
絶縁支持体の第1の面上に配置されている半導体チップ
と、上記絶縁支持体の第2の面によって限定される面に
沿って伸びる電気接点ゾーンとを含み、上記半導体チッ
プは接続用リードを介して上記電気接点ゾーンに接続さ
れている。上記マイクロパッケージは、特に、被膜を薄
く維持しながら上記半導体チップ及びリードを被膜する
ことができるので、大型の半導体チップに最適である。
本発明によるマイクロパッケージは、上述した技術的問
題を解消する。このマイクロパッケージは、上記電気接
点ゾーンを限定する切り抜きを設けた金属ストリップ
と、上記金属ストリップの一方の面上に配置されていて
上記絶縁支持体を構成し、上記電気接点ゾーンの少なく
とも一部分を覆わない絶縁材料のストリップと、上記絶
縁支持体を取り囲み、取り囲んだ内側の、上記絶縁支持
体が覆わなかった上記金属ストリップの切り抜き部分を
覆う上記半導体チップのためのハウジングと、上記半導
体チップ及び上記接続用リードをカバーし、上記ハウジ
ングを少なくとも部分的に充填する樹脂の被膜とを含ん
でいる。
【0005】以上の説明から、半導体チップを取り囲む
オーバーモールドされたハウジングが樹脂の広がりを防
ぎ、従って、幾何学的に正確な寸法(特に、被膜の厚み
に関して)の被膜が得られることが理解されたであろ
う。本発明によれば、これもまた上記金属ストリップの
上記面上に配置され、上記電気接点ゾーンの少なくとも
一部分を覆わない2つの絶縁材料の側ストリップをも設
ける。これにより、以下に詳細に説明するように、2つ
の側のストリップ(及びオプションであるが、絶縁材料
の「中央」の第1ストリップの自由端)を電子メモリカ
ードのボディ内に設けた空洞の縁に接着することによっ
て、本発明のマイクロパッケージを上記空洞内に挿入す
ることができる。本発明によれば、電子メモリカード用
電子マイクロパッケージを製造する方法も提供され、上
記マイクロパッケージは、絶縁支持体の第1の面上に配
置された半導体チップと、上記絶縁支持体の第2の面に
よって限定される面に沿って伸びる電気接点ゾーンとを
含み、上記半導体チップは上記接続用リードを介して上
記電気接点ゾーンに接続されており、上記方法は、
(a)金属ストリップ内に上記電気接点ゾーンを限定す
る切り抜きを形成する段階と、(b)上記絶縁支持体を
構成する絶縁材料のストリップを、上記電気接点ゾーン
の少なくとも一部分を覆わないように上記金属ストリッ
プの一方の面上に配置する段階と、(c)上記絶縁支持
体を取り囲み、取り囲んだ内側の、上記絶縁支持体が覆
わなかった上記金属ストリップの切り抜き部分を覆う上
記半導体チップのためのハウジングをオーバーモールド
する段階と、(d)上記ハウジングの内側の上記絶縁支
持体上に上記半導体チップを配置する段階と、(e)上
記接続用リードによって上記半導体チップと上記電気接
点ゾーンとを接続する段階と、(f)上記半導体チップ
及び上記接続用リードを、上記ハウジング内に堆積させ
た樹脂で被膜する段階と、(g)上記ハウジングの周囲
の上記金属ストリップを切除して上記マイクロパッケー
ジを形成する段階を含むことを特徴としている。
オーバーモールドされたハウジングが樹脂の広がりを防
ぎ、従って、幾何学的に正確な寸法(特に、被膜の厚み
に関して)の被膜が得られることが理解されたであろ
う。本発明によれば、これもまた上記金属ストリップの
上記面上に配置され、上記電気接点ゾーンの少なくとも
一部分を覆わない2つの絶縁材料の側ストリップをも設
ける。これにより、以下に詳細に説明するように、2つ
の側のストリップ(及びオプションであるが、絶縁材料
の「中央」の第1ストリップの自由端)を電子メモリカ
ードのボディ内に設けた空洞の縁に接着することによっ
て、本発明のマイクロパッケージを上記空洞内に挿入す
ることができる。本発明によれば、電子メモリカード用
電子マイクロパッケージを製造する方法も提供され、上
記マイクロパッケージは、絶縁支持体の第1の面上に配
置された半導体チップと、上記絶縁支持体の第2の面に
よって限定される面に沿って伸びる電気接点ゾーンとを
含み、上記半導体チップは上記接続用リードを介して上
記電気接点ゾーンに接続されており、上記方法は、
(a)金属ストリップ内に上記電気接点ゾーンを限定す
る切り抜きを形成する段階と、(b)上記絶縁支持体を
構成する絶縁材料のストリップを、上記電気接点ゾーン
の少なくとも一部分を覆わないように上記金属ストリッ
プの一方の面上に配置する段階と、(c)上記絶縁支持
体を取り囲み、取り囲んだ内側の、上記絶縁支持体が覆
わなかった上記金属ストリップの切り抜き部分を覆う上
記半導体チップのためのハウジングをオーバーモールド
する段階と、(d)上記ハウジングの内側の上記絶縁支
持体上に上記半導体チップを配置する段階と、(e)上
記接続用リードによって上記半導体チップと上記電気接
点ゾーンとを接続する段階と、(f)上記半導体チップ
及び上記接続用リードを、上記ハウジング内に堆積させ
た樹脂で被膜する段階と、(g)上記ハウジングの周囲
の上記金属ストリップを切除して上記マイクロパッケー
ジを形成する段階を含むことを特徴としている。
【0006】本発明の長所は以下のようである。金属ス
トリップ内に電気接点ゾーンを切り抜くことは容易且つ
安価であり、このような切り抜きは極めて信頼できるも
のでもある。絶縁材料のストリップは極めて平坦な表面
を有しており、それらを半導体チップに接着するのを、
及びその後にマイクロパッケージをカードボディの空洞
内に接着するのを容易にする。単一の操作で、オーバー
モールドされたハウジング内に樹脂を堆積させることが
できる。オーバーモールドされたハウジングは、半導体
チップを曲げに対して保護する補強材になる。絶縁材料
のストリップを極めて薄くすることができるので組立体
の総合的な厚みが減少し、マイクロパッケージがカード
ボディの空洞内に固定されている点から半導体チップを
機械的に切り離すのに適する弾力的な部分を形成するこ
とができる。金属ストリップの表面に電解により金属を
堆積させる表面処理段階中に、絶縁材料のストリップを
マスクとして使用できるので、高価な堆積金属を節約す
ることができる。
トリップ内に電気接点ゾーンを切り抜くことは容易且つ
安価であり、このような切り抜きは極めて信頼できるも
のでもある。絶縁材料のストリップは極めて平坦な表面
を有しており、それらを半導体チップに接着するのを、
及びその後にマイクロパッケージをカードボディの空洞
内に接着するのを容易にする。単一の操作で、オーバー
モールドされたハウジング内に樹脂を堆積させることが
できる。オーバーモールドされたハウジングは、半導体
チップを曲げに対して保護する補強材になる。絶縁材料
のストリップを極めて薄くすることができるので組立体
の総合的な厚みが減少し、マイクロパッケージがカード
ボディの空洞内に固定されている点から半導体チップを
機械的に切り離すのに適する弾力的な部分を形成するこ
とができる。金属ストリップの表面に電解により金属を
堆積させる表面処理段階中に、絶縁材料のストリップを
マスクとして使用できるので、高価な堆積金属を節約す
ることができる。
【0007】以下に添付図面を参照して本発明の実施例
を説明するが、この実施例は本発明を限定するものでは
ない。この説明から本発明と、どのようにして本発明を
実現することができるかとが十分に理解できよう。
を説明するが、この実施例は本発明を限定するものでは
ない。この説明から本発明と、どのようにして本発明を
実現することができるかとが十分に理解できよう。
【0008】
【実施例】図1乃至4は、図5及び6に示すマイクロパ
ッケージのような電子メモリカード用マイクロパッケー
ジ10を製造する方法の諸段階を示す。マイクロパッケ
ージ10は、絶縁支持体12の第1の面上に配置された
半導体チップ11と、絶縁支持体12の第2の面によっ
て限定される面に沿って伸びる電気接点ゾーン13とを
含んでいる。半導体チップ11は、接続用リード14を
介して電気接点ゾーン12に接続される。図1乃至4に
示すように、図5及び6に示す電子マイクロパッケージ
10を製造する方法は以下の諸段階を含んでいる。図1
に示す第1段階は、金属ストリップ100内に、上記電
気接点ゾーン13を限定する切り抜き101を形成する
ことからなる。金属ストリップの金属は、青銅(ブロン
ズ)にすると有利である。青銅は、容易に切断すること
が可能であり、腐食に十分に耐え、そして薄膜の形状で
使用可能である。次に図2に示すように、絶縁支持体1
2(半導体チップをその上に配置する)を構成する絶縁
材料の中央ストリップ110を、金属ストリップ100
の一方の面上に配置する。これも絶縁材料製の2つの側
ストリップ120を、金属ストリップ100の上記面上
に配置することもできる。当然のことではあるが、絶縁
材料の中央ストリップ110及び側ストリップ120
は、電気接点ゾーン13の少なくとも一部を覆わないよ
うに編成し、位置決めする。
ッケージのような電子メモリカード用マイクロパッケー
ジ10を製造する方法の諸段階を示す。マイクロパッケ
ージ10は、絶縁支持体12の第1の面上に配置された
半導体チップ11と、絶縁支持体12の第2の面によっ
て限定される面に沿って伸びる電気接点ゾーン13とを
含んでいる。半導体チップ11は、接続用リード14を
介して電気接点ゾーン12に接続される。図1乃至4に
示すように、図5及び6に示す電子マイクロパッケージ
10を製造する方法は以下の諸段階を含んでいる。図1
に示す第1段階は、金属ストリップ100内に、上記電
気接点ゾーン13を限定する切り抜き101を形成する
ことからなる。金属ストリップの金属は、青銅(ブロン
ズ)にすると有利である。青銅は、容易に切断すること
が可能であり、腐食に十分に耐え、そして薄膜の形状で
使用可能である。次に図2に示すように、絶縁支持体1
2(半導体チップをその上に配置する)を構成する絶縁
材料の中央ストリップ110を、金属ストリップ100
の一方の面上に配置する。これも絶縁材料製の2つの側
ストリップ120を、金属ストリップ100の上記面上
に配置することもできる。当然のことではあるが、絶縁
材料の中央ストリップ110及び側ストリップ120
は、電気接点ゾーン13の少なくとも一部を覆わないよ
うに編成し、位置決めする。
【0009】使用する絶縁材料は Kapton (登録商標)
であっても、または、好ましくはポリエチレンであって
もよい。ポリエチレンは安価であり、良質の薄膜として
入手でき、そして被膜することが可能である。その機械
的特性、特にその寸法の安定度は Kapton 程良好ではな
いが、ストリップ110、120は金属ストリップ10
0上に完璧な正確さで配置する必要はないので、このハ
ンディキャップは全く問題にならない。中央ストリップ
110及び側ストリップ120は異なる材料及び/また
は異なる厚みであって差し支えないことにも注目された
い。例えば、側ストリップ120は中央ストリップ11
0よりも柔軟であることができる。特定の実施例の絶縁
材料の各ストリップ110、120は、機械的にも熱的
にも強いプラスチック材料製のコアで形成され、コアの
第1の面にはストリップ110、120を金属ストリッ
プ100に固定するのに適する接着材層が塗布されてい
る。もし必要ならば、本方法のこの段階において、例え
ばニッケル及び金を電解堆積させることによって金属ス
トリップの表面処理段階を遂行する。この場合、この処
理を施すゾーンを限定するために絶縁材料のストリップ
110、120をマスクとして使用することにより、堆
積させる金属を節約することができる。
であっても、または、好ましくはポリエチレンであって
もよい。ポリエチレンは安価であり、良質の薄膜として
入手でき、そして被膜することが可能である。その機械
的特性、特にその寸法の安定度は Kapton 程良好ではな
いが、ストリップ110、120は金属ストリップ10
0上に完璧な正確さで配置する必要はないので、このハ
ンディキャップは全く問題にならない。中央ストリップ
110及び側ストリップ120は異なる材料及び/また
は異なる厚みであって差し支えないことにも注目された
い。例えば、側ストリップ120は中央ストリップ11
0よりも柔軟であることができる。特定の実施例の絶縁
材料の各ストリップ110、120は、機械的にも熱的
にも強いプラスチック材料製のコアで形成され、コアの
第1の面にはストリップ110、120を金属ストリッ
プ100に固定するのに適する接着材層が塗布されてい
る。もし必要ならば、本方法のこの段階において、例え
ばニッケル及び金を電解堆積させることによって金属ス
トリップの表面処理段階を遂行する。この場合、この処
理を施すゾーンを限定するために絶縁材料のストリップ
110、120をマスクとして使用することにより、堆
積させる金属を節約することができる。
【0010】次に図3に示すように、絶縁支持体12の
周囲にオーバーモールドすることによって半導体チップ
11のためのハウジング130を形成する。このハウジ
ング130には、絶縁支持体12が覆わなかったハウジ
ング130の内側の金属ストリップ100の切り抜き1
01を覆うように設計された突起131が設けられてい
る。このようにして完全に密封されたハウジングが得ら
れる。オーバーモールドに使用する材料は、熱可塑性で
あることが好ましい。この材料は、薄い壁にモールドす
ることができ、極めて小さい縮みでなければならない。
それは、熱い時に優れた流動性を有しているCTPまた
はLCP(液晶ポリマ)であることができる。材料は、
冷たい時に良好なこわさを有していることも望まれる。
絶縁材料のストリップ110、120は、各ストリップ
110、120の第2の面上に塗布した第2の接着材層
によって、ハウジング130のオーバーモールドされた
材料に接着することができる。この場合ハウジング13
0の材料は、その接着能力には無関係に、その機械的及
びモールディング特性だけで選択することができる。図
4に示す次の段階において、半導体チップ11を、オー
バーモールドされたハウジング130の内側の絶縁支持
体12の上に配置する。次に、接続用リード14(例え
ば、金ワイヤ)によって半導体チップ11を電気接点ゾ
ーン13に接続する。
周囲にオーバーモールドすることによって半導体チップ
11のためのハウジング130を形成する。このハウジ
ング130には、絶縁支持体12が覆わなかったハウジ
ング130の内側の金属ストリップ100の切り抜き1
01を覆うように設計された突起131が設けられてい
る。このようにして完全に密封されたハウジングが得ら
れる。オーバーモールドに使用する材料は、熱可塑性で
あることが好ましい。この材料は、薄い壁にモールドす
ることができ、極めて小さい縮みでなければならない。
それは、熱い時に優れた流動性を有しているCTPまた
はLCP(液晶ポリマ)であることができる。材料は、
冷たい時に良好なこわさを有していることも望まれる。
絶縁材料のストリップ110、120は、各ストリップ
110、120の第2の面上に塗布した第2の接着材層
によって、ハウジング130のオーバーモールドされた
材料に接着することができる。この場合ハウジング13
0の材料は、その接着能力には無関係に、その機械的及
びモールディング特性だけで選択することができる。図
4に示す次の段階において、半導体チップ11を、オー
バーモールドされたハウジング130の内側の絶縁支持
体12の上に配置する。次に、接続用リード14(例え
ば、金ワイヤ)によって半導体チップ11を電気接点ゾ
ーン13に接続する。
【0011】最後に、図6に示すように、ハウジング1
30内に堆積させた樹脂140で、半導体チップ11及
び接続用リード14を被膜する。本発明の方法の最終段
階は、金属ストリップ100のハウジング130の周囲
の部分150を切除して、図5に示すようなマイクロパ
ッケージ10を形成させることからなる。図6は、上記
のようにして得られたマイクロパッケージ10を電子メ
モリカードのボディ200内に設けられた空洞210内
に挿入できることを示している。絶縁材料のストリップ
110、120をハウジング130に接着させた接着材
の第2の層によってマイクロパッケージ10を空洞21
0内に固定し、それによってマイクロパッケージをカー
ドボディに接着させるようにするのに特定の、接着材を
堆積させる付加的な段階を回避すると有利である。上記
第2の接着層は反応可能な接着材とし、この反応可能な
接着材がモールドにくっつかないようにするために(マ
イクロパッケージをカードボディの空洞内に接着させる
ゾーンに接触するハウジングのオーバーモールドされ
る)モールドの部分を冷却する。この第2の接着材の層
は、単に、マイクロパッケージを固定するのに役立つ接
着材ののりを良くする層であってよい。
30内に堆積させた樹脂140で、半導体チップ11及
び接続用リード14を被膜する。本発明の方法の最終段
階は、金属ストリップ100のハウジング130の周囲
の部分150を切除して、図5に示すようなマイクロパ
ッケージ10を形成させることからなる。図6は、上記
のようにして得られたマイクロパッケージ10を電子メ
モリカードのボディ200内に設けられた空洞210内
に挿入できることを示している。絶縁材料のストリップ
110、120をハウジング130に接着させた接着材
の第2の層によってマイクロパッケージ10を空洞21
0内に固定し、それによってマイクロパッケージをカー
ドボディに接着させるようにするのに特定の、接着材を
堆積させる付加的な段階を回避すると有利である。上記
第2の接着層は反応可能な接着材とし、この反応可能な
接着材がモールドにくっつかないようにするために(マ
イクロパッケージをカードボディの空洞内に接着させる
ゾーンに接触するハウジングのオーバーモールドされ
る)モールドの部分を冷却する。この第2の接着材の層
は、単に、マイクロパッケージを固定するのに役立つ接
着材ののりを良くする層であってよい。
【0012】本方法の代替例は、ハウジングの外側の金
属ストリップ内に切り離し用スロットを切り抜くことか
らなる。これらのスロットは、ハウジングの外側のマイ
クロパッケージの周辺部分における柔軟性を増す。一
方、ハウジング及びそれが含んでいる樹脂の被膜が、曲
げに対して半導体チップを保護する堅固な組立体を形成
するようになる。
属ストリップ内に切り離し用スロットを切り抜くことか
らなる。これらのスロットは、ハウジングの外側のマイ
クロパッケージの周辺部分における柔軟性を増す。一
方、ハウジング及びそれが含んでいる樹脂の被膜が、曲
げに対して半導体チップを保護する堅固な組立体を形成
するようになる。
【図1】本発明の方法を使用した金属ストリップ切り抜
きを示す平面図である。
きを示す平面図である。
【図2】図1の金属ストリップの上に絶縁材料の中央ス
トリップ及び2つの側ストリップを堆積させた状態を示
す平面図である。
トリップ及び2つの側ストリップを堆積させた状態を示
す平面図である。
【図3】図2の組立体の上に本発明のオーバーモールド
されたハウジングを組立てた状態を示す平面図である。
されたハウジングを組立てた状態を示す平面図である。
【図4】図3の構造内に半導体チップを配置したマイク
ロパッケージの構造を示す平面図である。
ロパッケージの構造を示す平面図である。
【図5】本発明のマイクロパッケージの平面図である。
【図6】電子メモリカードのボディ内の空洞内に挿入さ
れた図5のマイクロパッケージを示す断面図である。
れた図5のマイクロパッケージを示す断面図である。
10 マイクロパッケージ 11 半導体チップ 12 絶縁支持体 13 電気接点ゾーン 14 接続用リード 100 金属ストリップ 101 切り抜き 110 絶縁支持体の中央ストリップ 120 絶縁支持体の側ストリップ 130 ハウジング 131 突起 140 樹脂 150 金属ストリップの切除部分 200 電子メモリカードのボディ 210 空洞
Claims (13)
- 【請求項1】 電子メモリカード用電子マイクロパッケ
ージにおいて、上記マイクロパッケージは、絶縁支持体
の第1の面上に配置された半導体チップと、上記絶縁支
持体の第2の面によって限定される面に沿って伸びる電
気接点ゾーンとを含み、上記半導体チップは接続用リー
ドを介して上記電気接点ゾーンに接続されており、上記
マイクロパッケージは、 上記電気接点ゾーンを限定する切り抜きを設けた金属ス
トリップと、 上記金属ストリップの一方の面上に配置されていて上記
絶縁支持体を構成し、上記電気接点ゾーンの少なくとも
一部分を覆わない絶縁材料のストリップと、 上記絶縁支持体を取り囲み、取り囲んだ内側の、上記絶
縁支持体が覆わなかった上記金属ストリップの切り抜き
部分を覆う上記半導体チップのためのハウジングと、 上記半導体チップ及び上記接続用リードをカバーし、上
記ハウジングを少なくとも部分的に充填する樹脂の被膜
を含むことを特徴とする電子マイクロパッケージ。 - 【請求項2】 上記電気接点ゾーンの少なくとも一部分
を覆わないような絶縁材料の2つの側ストリップも、上
記金属ストリップの上記面上に配置されている請求項1
に記載の電子マイクロパッケージ。 - 【請求項3】 上記絶縁材料の少なくとも1つのストリ
ップはプラスチック材料製のコアで形成され、上記コア
の少なくとも第1の面には上記絶縁材料のストリップを
上記金属ストリップに固定するのに適する接着材層が塗
布されている請求項1に記載の電子マイクロパッケー
ジ。 - 【請求項4】 上記絶縁材料の少なくとも1つのストリ
ップはプラスチック材料製のコアで形成され、上記コア
の第2の面には上記コアを上記ハウジングに接着するの
に適する接着材層が塗布されている請求項1に記載の電
子マイクロパッケージ。 - 【請求項5】 上記第2の面上の上記接着材層は、上記
マイクロパッケージを電子メモリカードのボディ内に設
けられた空洞内に固定するのにも適している請求項4に
記載の電子マイクロパッケージ。 - 【請求項6】 上記金属ストリップは、少なくとも1つ
の絶縁材料のストリップによって限定されるゾーン内が
表面処理されている請求項1に記載の電子マイクロパッ
ケージ。 - 【請求項7】 上記マイクロパッケージは、カードボデ
ィ内に設けられた空洞内に配置される請求項1に記載の
電子マイクロパッケージ。 - 【請求項8】 電子メモリカード用電子マイクロパッケ
ージを製造する方法において、上記マイクロパッケージ
は、絶縁支持体の第1の面上に配置された半導体チップ
と、上記絶縁支持体の第2の面によって限定される面に
沿って伸びる電気接点ゾーンとを含み、上記半導体チッ
プは上記接続用リードを介して上記電気接点ゾーンに接
続されており、上記方法は、(a)金属ストリップ内に
上記電気接点ゾーンを限定する切り抜きを形成する段階
と、(b)上記絶縁支持体を構成する絶縁材料のストリ
ップを、上記電気接点ゾーンの少なくとも一部分を覆わ
ないように上記金属ストリップの一方の面上に配置する
段階と、(c)上記絶縁支持体を取り囲み、取り囲んだ
内側の、上記絶縁支持体が覆わなかった上記金属ストリ
ップの切り抜き部分を覆う上記半導体チップのためのハ
ウジングをオーバーモールドする段階と、(d)上記ハ
ウジングの内側の上記絶縁支持体上に上記半導体チップ
を配置する段階と、(e)上記接続用リードによって上
記半導体チップと上記電気接点ゾーンとを接続する段階
と、(f)上記半導体チップ及び上記接続用リードを、
上記ハウジング内に堆積させた樹脂で被膜する段階と、
(g)上記ハウジングの周囲の上記金属ストリップを切
除して上記マイクロパッケージを形成する段階を含むこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項9】 2つの絶縁材料の側ストリップを、上記
電気接点ゾーンの少なくとも一部分を覆わないように上
記金属ストリップの上記面上に配置する段階をも含む請
求項8に記載の方法。 - 【請求項10】 上記絶縁材料の少なくとも1つのスト
リップはプラスチック材料製のコアで形成され、上記コ
アの少なくとも第1の面には上記絶縁材料のストリップ
を上記金属ストリップに固定するのに適する接着材層が
塗布されている請求項8に記載の方法。 - 【請求項11】 上記絶縁材料の少なくとも1つのスト
リップはプラスチック材料製のコアで形成され、上記コ
アの第2の面には上記コアを上記ハウジングに接着する
のに適する接着材層が塗布されている請求項8に記載の
方法。 - 【請求項12】 上記第2の面上の上記接着材層は、上
記マイクロパッケージを電子メモリカードのボディ内に
設けられた空洞内に固定するのにも適している請求項1
1に記載の方法。 - 【請求項13】 上記段階(b)と(c)との間に、上
記絶縁材料の少なくとも1つのストリップがマスクとな
って限定されるゾーン内の上記金属ストリップを表面処
理する段階を遂行する請求項8に記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
FR9510019 | 1995-08-23 | ||
FR9510019A FR2738077B1 (fr) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | Micro-boitier electronique pour carte a memoire electronique et procede de realisation |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09204508A true JPH09204508A (ja) | 1997-08-05 |
Family
ID=9482045
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8217124A Pending JPH09204508A (ja) | 1995-08-23 | 1996-08-19 | 電子メモリカード用電子マイクロパッケージ及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5877544A (ja) |
JP (1) | JPH09204508A (ja) |
DE (1) | DE19633654A1 (ja) |
FR (1) | FR2738077B1 (ja) |
GB (1) | GB2305000B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007526624A (ja) * | 2003-06-23 | 2007-09-13 | サンディスク コーポレイション | 着脱可能なペリフェラルカードを効率的に製造する方法 |
US8581372B2 (en) | 2010-08-31 | 2013-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor storage device and a method of manufacturing the semiconductor storage device |
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FR2778997B1 (fr) * | 1998-05-20 | 2000-06-23 | Bull Cp8 | Support pour un circuit electronique, comprenant des moyens anti-arrachement |
FR2788882A1 (fr) * | 1999-01-27 | 2000-07-28 | Schlumberger Systems & Service | Dispositif a circuits integres, module electronique pour carte a puce utilisant le dispositif et procede de fabrication dudit dispositif |
EP1089220B1 (de) * | 1999-10-01 | 2001-04-11 | Sihl GmbH | Mehrschichtige Laminatbahn mit integrierten RFID-Transpondern, insbesondere in Rollenform |
FR2816107B1 (fr) * | 2000-10-30 | 2003-11-28 | Gemplus Card Int | Module de circuit integre sur film et son procede de fabrication |
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FR2639763B1 (fr) * | 1988-11-29 | 1992-12-24 | Schlumberger Ind Sa | Procede de realisation d'un module electronique et module electronique tel qu'obtenu par ce procede |
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1995
- 1995-08-23 FR FR9510019A patent/FR2738077B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-08-13 GB GB9616951A patent/GB2305000B/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-15 US US08/698,581 patent/US5877544A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-08-19 JP JP8217124A patent/JPH09204508A/ja active Pending
- 1996-08-21 DE DE19633654A patent/DE19633654A1/de not_active Withdrawn
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---|---|
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FR2738077B1 (fr) | 1997-09-19 |
GB2305000A (en) | 1997-03-26 |
DE19633654A1 (de) | 1997-02-27 |
FR2738077A1 (fr) | 1997-02-28 |
US5877544A (en) | 1999-03-02 |
GB2305000B (en) | 1997-08-06 |
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