JPH0920007A

JPH0920007A - インクジェットヘッド

Info

Publication number: JPH0920007A
Application number: JP17261995A
Authority: JP
Inventors: Shinichi Kamisuke; 真一紙透
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1995-07-07
Filing date: 1995-07-07
Publication date: 1997-01-21

Abstract

(57)【要約】【構成】圧力室の少なくとも一方の壁を構成する振動
板６を、セラミックスまたはセラミックスと金属の組み
合わせとして薄膜形成技術により加工し、振動板６を静
電気力により変形させるための電極１１とのギャップ間
にギャップスペーサとして金属または半導体の薄膜９を
形成して、構成部材１・２・３間を陽極接合法により接
合する。【効果】ギャップ部の寸法精度が高いことにより、印
字品質が優れたインクジェットヘッドを提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、マイクロマシニング技
術を応用して作製した小型高密度のインクジェット記録
装置の主要部であるインクジェットヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】インクジェット記録装置は、記録時の騒
音がきわめて小さく、また、高速印字が可能であり、安
価な普通紙にも印字が可能であるなど多くの利点を有し
ているが、中でも記録に必要な時にのみインク滴を吐出
する、いわゆるインク・オン・デマンド方式が、記録に
不要なインク滴の回収を必要としないため、現在主流と
なってきている。

【０００３】このインク・オン・デマンド方式のインク
ジェットヘッドには、特公平２−５１７３４号公報の３
頁から１５頁に示されるように、駆動手段が圧電素子で
あるものや、特公昭６１−５９９１１号公報の８頁から
１２頁および２０頁から２７頁に示されるように、熱エ
ネルギー供給手段によりタンクに熱による状態変化を生
起させ、この状態変化によりインク液滴を吐出する方式
がある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記の
従来のインクジェットヘッドでは以下に記するような課
題があった。

【０００５】前者の圧電素子を用いるインクジェットヘ
ッドの高密度化においては、圧力室の幅も相当する微小
寸法になり、従って、振動板の板厚はその変形特性上、
従来の１００ミクロン台から数ミクロンへと薄くする必
要が生じてくるが、研磨等の方法により数ミクロンの板
厚の材料を形成することは加工の精度上きわめて困難で
ある。

【０００６】又、後者のインクに熱による状態変化を生
起させる方式においては、事実上駆動手段が薄膜の抵抗
加熱体により形成されるため、上記のような課題は存在
しなかったが、駆動手段の急速な加熱・冷却の繰り返し
で状態変化（気泡消滅）時の衝撃により抵抗加熱体がダ
メージを受けることにより、インクジェットヘッドの寿
命が短いという課題があった。

【０００７】これらの課題を解決するものとして本出願
人は、駆動手段として圧力室に圧力を生じさせる振動板
を、静電気力で変形させる方式のインクジェット記録装
置として特開平５−５０６０１号公報を出願したが、こ
の方式のインクジェットヘッドは小型高密度・高印字品
質及び長寿命であるという利点を有している。

【０００８】本発明の目的は、さらに高密度印字が可能
で、かつ、印字品質に優れ、長寿命のインクジェットヘ
ッドを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記した目的
を達成するものであり、以下にその内容を説明する。請
求項１記載のインクジェットヘッドは、インクを吐出す
るための単一、または複数のノズルと、ノズルのそれぞ
れに対応する圧力室と、圧力室の少なくとも一方の壁を
構成する振動板と、振動板に変形を生じさせる駆動手段
とを備えるインクジェットヘッドにおいて、振動板がセ
ラミックスまたはセラミックスと金属の組み合わせから
なることを特徴とし、請求項２記載のインクジェットヘ
ッドは、そのセラミックスが、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、Ｂ、
Ｃ、ＺｒまたはＯの元素のうち少なくとも１以上の元素
からなることを特徴とする。

【００１０】前記振動板は、インクジェットヘッドにお
いて、インクが満たされた圧力室内の圧力を高め、イン
クをノズルから吐出させるために、駆動手段から受ける
力により適当な変形を生じる必要がある。ノズルのピッ
チが９０ｄｐｉ（ドット・パー・インチ）以上であるよ
うな高密度インクジェットヘッドにおいては振動板の幅
も同様に小さくなり、数１０〜２００ミクロン程度とな
る。このような振動板において、上記の適当な変形を生
じるためには、振動板の厚みは数ミクロン以下であるこ
とが望ましい。ＳｉＮ、ＳｉＣ、ＡｌＮ、ＳｉＡｌＮ等
のセラミックス（たとえばＩＣ製造工程で用いられるＣ
ＶＤ、スパッタリング等の薄膜形成技術により形成され
る）は、適当な機械的変形特性（ヤング率、材料の疲労
特性等）を有し、上記の要求に対し最適である。また、
薄膜形成技術により形成されたセラミックスと金属の組
み合わせも同様の特性を有する。

【００１１】請求項３記載のインクジェットヘッドは、
請求項１または請求項２記載の特徴点に加えて、駆動手
段が、前記振動板を静電気力により変形させる電極から
なることを特徴とする。

【００１２】請求項４記載のインクジェットヘッドは、
請求項３記載の振動板と電極の間隔を保持するためのギ
ャップスぺーサが金属であることを特徴とし、請求項５
記載のインクジェットヘッドは、その金属が、Ａｌ、Ｎ
ｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ、ＴｉまたはＴａ等の金属からな
ることを特徴とする。本構成によれば、前記のように、
圧電素子方式やインクを加熱する方式のインクジェット
ヘッドにおける課題がなく、小型高密度・高印字品質及
び長寿命なインクジェットヘッドを提供できる。

【００１３】請求項６記載のインクジェットヘッドは、
請求項３または請求項４記載の特徴点に加え、圧力室が
（１１０）結晶面方位を有するＳｉ単結晶基板に形成さ
れ、電極がＳｉ単結晶とほぼ等しい熱膨張係数を有する
ガラスまたはセラミックス基板に形成されてなることを
特徴とする。

【００１４】Ｓｉ単結晶は、アルカリ液を用いてエッチ
ングする際、その結晶面方位によりエッチング速度が大
きく異なるいわゆる異方性エッチングが可能であり、こ
のことを利用して様々な立体形状を精度良く加工するこ
とができる。さらに、これまでＩＣ製造技術において培
われてきた、フォトリソグラフィ・薄膜形成・エッチン
グ等の各技術を利用しての加工を組み合わせることによ
る微小なデバイスを形成する、いわゆる“マイクロマシ
ニング技術”が現在注目を浴びているが、本発明はマイ
クロマシニング技術によりＳｉ単結晶に様々な加工を施
し、高性能なインクジェットヘッドを提供するものであ
る。本構成によれば、隣合う圧力室間の壁面が圧力室が
形成される基板であるＳｉ基板表面に対し垂直に形成す
ることができ、圧力室の列を最も高密度に形成できるの
で、高密度なインクジェットヘッドを提供できる。ま
た、電極が形成される基板としてＳｉ単結晶とほぼ等し
い熱膨張係数を有するガラスまたはセラミックス基板を
用いることによって、電極が形成される基板は、圧力室
が形成される基板であるＳｉ基板との陽極接合により、
接着剤を用いずに、事実上、接着代がゼロであるような
接合が可能である。従って、後記するような０．数ミク
ロンのギャップを非常に精度良く形成でき、インクの吐
出ばらつきが小さい、すなわち、印字品質に優れたイン
クジェットヘッドを提供できる。

【００１５】

【作用】本発明のインクジェットヘッドは、薄膜形成技
術により形成したセラミックスまたはセラミックスと金
属の組み合わせを振動板として用い、振動板を駆動手段
により変形させ、振動板の変形により圧力室内のインク
を加圧し、ノズルよりインクを吐出するものである。ま
た、本発明のインクジェットヘッドは、前記電極または
前記振動板に形成された電極にパルス電圧を印加し、正
または負の電荷をそれらに与えることにより、振動板を
静電的吸引または反発により変形させ、圧力室内のイン
クをノズルより吐出するものである。

【００１６】

【実施例】以下、本発明を一実施例（第１の実施例）に
基づき詳細に説明する。

【００１７】図１は、本発明の第１の実施例におけるイ
ンクジェットヘッドの構造を分解して示す斜視図であ
り、一部断面を示してある。また、図２は本発明の第１
の実施例におけるインクジェットヘッドの一部を拡大し
て示す斜視図であり、一部断面を示してある。

【００１８】図１に示したように、本実施例のインクジ
ェットヘッドは、ノズル４・キャビティ５・振動板６等
が形成された第１の基板１と、電極１１が形成された第
２の基板２と、第３の基板３とを積層してなる構造を有
する。

【００１９】第１の基板１は、結晶面方位が（１１０）
である単結晶Ｓｉ基板であって、第１の基板１の表側の
面（図１では上側）には、複数のノズル４と、各々のノ
ズル４に連通し底部の壁が振動板６であるようなキャビ
ティ（凹部）５と、各々のキャビティ５においてノズル
４と反対側の端部に形成されるインク供給路８と、各々
のインク供給路８にインクを供給するための共通のイン
ク室７とが形成され、第１の基板１の裏側の面には、振
動板６と、第２の基板２上に形成される電極１１との間
隔を正確に規定するためのギャップスペーサ９であるＡ
ｌ膜が形成されている。Ａｌ膜は、第１の基板１のキャ
ビティ５に相当する箇所を除く部分に形成されている。
第２の基板２は、Ｓｉの熱膨張率とほぼ等しい熱膨張率
を有するホウケイ酸系ガラスであって、第２の基板２の
表側の面（図１では上側）には、キャビティ５と対応し
た位置に電極１１が形成されている。第３の基板３も第
２の基板２と同様ホウケイ酸系ガラスであって、第１の
基板１との間にインクを加圧するための圧力室１３を形
成するように、第１の基板１の表側の面に接合される
（図２）。

【００２０】図１に示した第１の基板１の製造工程を図
３に示す。

【００２１】まず、（１１０）面方位のＳｉ基板の両面
を鏡面研磨し、厚み２００ミクロンのＳｉ基板１を形成
し（図３（ａ））、Ｓｉ基板１にＯ₂ 及び水蒸気雰囲気
中で摂氏１１００度、４時間の熱酸化処理を施し、Ｓｉ
基板１の両面に厚さ１ミクロンのＳｉＯ₂ 膜１５及び１
６を形成する（図３（ｂ））。前記ＳｉＯ₂ 膜１５及び
１６は、耐エッチング材として使用するものである。

【００２２】次いで、前記ＳｉＯ₂ 膜１６上に振動板と
なるＳｉＮ及びＴｉ−Ｐｔ薄膜を形成する。本構成のイ
ンクジェットヘッドでは要求されるインク吐出特性から
振動板６の板厚の設計寸法が決定されるが、設計寸法
は、振動板６の材質、ノズル４やインク供給路８の形
状、振動板６と電極１１との間隔（ギャップ）寸法、駆
動電圧等と密接な関係にあるが、本実施例においては振
動板を上記のＳｉＮ、Ｔｉ、Ｐｔの積層膜とし膜厚設計
値をそれぞれ２．８、０．０５、０．１５ミクロンとし
た。まず、プラズマＣＶＤ法によりＳｉＮ膜１７をＳｉ
Ｏ₂ 膜１６上に形成する。原料ガスとしては、モノシラ
ン、アンモニア、Ｎ₂ を用い、膜厚が２．８ミクロンと
なるよう成膜を行った。次いで、スパッタリング法によ
りＴｉ−Ｐｔ膜をＳｉＮ膜１７上に形成する。Ｔｉ１８
を０．０５ミクロン、次いで、Ｐｔ１９を０．１５ミク
ロン連続して成膜した（図３（ｃ））。次に、ギャップ
スペーサ９となるＡｌ膜を、Ｐｔ膜１９上に真空蒸着法
により０．２５ミクロンの厚みで形成し、フォトリソ・
エッチングにより空所がキャビティ５の形状に相当する
形状に加工する（図３（ｄ））。

【００２３】次いで、前記ＳｉＯ₂ 膜１５の上にノズル
４・キャビティ５等の形状に相当するフォトレジストパ
ターン（図示しない）を形成し、フッ酸系エッチング液
にて前記ＳｉＯ₂ 膜１５の露出部分をエッチング除去
し、フォトレジストパターンを除去する（図３
（ｅ））。

【００２４】次に、アルカリ液によるＳｉの異方性エッ
チングを行う。単結晶Ｓｉにおいては、周知のごとく、
水酸化カリウム水溶液やヒドラジン等のアルカリでエッ
チングする場合、結晶面によるエッチング速度の差が大
きいため、異方性エッチングが可能となる。具体的には
（１１１）結晶面のエッチング速度が最も小さいため、
エッチングの進行と共に（１１１）面が平滑面として残
留する構造が得られる。本実施例では、イソプロピルア
ルコールを含む水酸化カリウム水溶液を用いてエッチン
グを行った。このエッチング工程においては、Ｓｉ基板
１のＳｉＯ₂ 膜が形成されている面がエッチング液に接
触しないように、樹脂製の治具により面を保護してエッ
チングを行った。次いで、Ｓｉ基板１上の耐エッチング
材であるＳｉＯ₂ 膜１５及びＳｉエッチングにより露出
したＳｉＯ₂ 膜１６をフッ酸系エッチング液により全て
除去する（図３（ｆ））。

【００２５】以上のような工程を経て、図１に示した第
１の基板が形成される。

【００２６】次に、図１に示した第２の基板２の製造工
程を図４に示す。

【００２７】まず、厚み１ｍｍのホウケイ酸系ガラス基
板２の鏡面研磨された表側の面（図４では上側）２１
に、真空蒸着法により電極１１となるＡｌ膜２２を厚み
０．１ミクロンで形成する（図４（ａ））。次に、前記
Ａｌ膜２２上に電極１１の形状に相当するフォトレジス
トパターン（図示しない）を形成し、前記Ａｌ膜２２の
不要部分をリン酸系エッチング液によりエッチング除去
し、フォトレジストパターンを除去し、電極１１を形成
する（図４（ｂ））。

【００２８】次に、前記電極１１の保護膜として、前記
ガラス基板２の表側の面２１全面に０．１ミクロンの厚
みのガラス薄膜２４をスパッタリングにより形成する
（図４（ｃ））。スパッタリングターゲットとしては、
前記ガラス基板２と同一の組成のガラスを用いた。上記
の工程により第２の基板２が形成される。

【００２９】以上の工程により形成された第１の基板１
及び第２の基板２は、陽極接合法により接合される。接
合工程は、以下のとおりである。まず、第１の基板１と
第２の基板２を洗浄、乾燥後前記第１の基板１及び第２
の基板２の対応するパターン同士の位置合わせを行い、
両基板を重ね合わせる。次に、両基板をホットプレート
上で摂氏３００度に加熱し、前記第１の基板１すなわち
Ｓｉ基板側を正、前記第２の基板２すなわちガラス基板
側を負として５００Ｖの直流電圧を１０分間印加し、接
合を行った。

【００３０】次いで、Ｓｉ基板１と第３の基板３である
ガラス基板３との接合を行う。ガラス基板３には、イン
ク供給パイプ２６が接合される部分に、機械加工により
貫通穴２７が穿孔されている。前記貫通穴２７と前記Ｓ
ｉ基板１に形成されたインク室７との位置合わせを行っ
た後、前記した陽極接合法により、前記Ｓｉ基板１と前
記ガラス基板３を接合した。

【００３１】上記の工程により、前記第１の基板１と第
２の基板２と第３の基板３とは積層一体化された。その
接合方法は、陽極接合法によるものであり、接合のため
に接着剤を用いず、また、各基板やギャップスペーサで
あるＡｌ膜９は、形状・厚みが変化しないため、それぞ
れの基板の加工上がりでの寸法精度が保たれたまま接合
ができる。また、ギャップスペーサ９及び電極１１であ
るＡｌ膜は、真空蒸着法により厚み精度を正確に形成で
きるため、振動板６と電極１１とのギャップ間隔ｇは正
確に規定される。

【００３２】最後に、ノズル４の長さが設計値と等しく
なるよう、ダイシング及びポリシングによりインク吐出
口２８を形成し、インクタンク（図示しない）を前記イ
ンク供給パイプ２６に接続して、発振回路１２を振動板
６のＰｔ部分及び電極１１に接続し、インクジェットヘ
ッド２９が完成する。

【００３３】本実施例では、前記間隔ｇの設計値は０．
５ミクロンであり、従ってギャップスペーサ９の目標厚
みを０．５ミクロン、また電極１１の目標厚みを０．１
ミクロン、また保護膜であるガラス薄膜２４の目標厚み
を０．１ミクロンとした。

【００３４】本実施例の一連の工程により形成された１
００個のインクジェットヘッドの振動板６の厚みの実測
値は３．０±０．０２ミクロンに、また、ギャップ間隔
ｇの長さは０．５±０．０５ミクロンという範囲に分布
していた。また、これらのインクジェットヘッドを３０
Ｖ、５ｋＨｚで駆動したところ、インク滴の吐出速度は
５±０．５ｍ／ｓ、インク滴体積は（０．１±０．０
１）×１０^-6ｃｃという範囲に分布し、実印字試験にお
いて良好な印字が得られた。

【００３５】本実施例では、振動板６としてＳｉＮ−Ｔ
ｉ−Ｐｔの積層膜を用いたが、ＳｉＮのみでは導電性が
ないために、Ｔｉ−Ｐｔ層を導電層として付加したもの
である。

【００３６】また、本実施例では、ギャップスペーサと
してＡｌを用いたが、この他にＮｉ−Ｃｒの組み合わ
せ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｕ、Ｆｅ等の金属の薄膜やＳｉ
等の半導体薄膜を用いても同様の効果が得られる。

【００３７】次に、本発明の別の一実施例（第２の実施
例）に基づき詳細に説明する。

【００３８】図５は、本発明の第２の実施例におけるイ
ンクジェットヘッドの構造の一部を拡大して示す断面図
であるが、このインクジェットヘッドは、本発明の第１
の実施例におけるインクジェットヘッドと構造上ほぼ同
一であり、振動板６ａとしてＳｉＣ膜を用いた例であ
る。

【００３９】第１の基板１ａは、結晶面方位が（１１
０）である単結晶Ｓｉ基板であり、第１の基板１ａの加
工工程は、振動板６ａの形成工程以外は本発明の第１の
実施例の場合と同様であるので説明は省略する。

【００４０】振動板６ａの厚みの設計値は本発明の第１
の実施例と同様の手順で３．１ミクロンと決定された。
振動板６ａとなるＳｉＣ膜は、プラズマＣＶＤ法により
形成される。原料ガスとしては、モノシランとメタンを
用い、膜厚が３．１ミクロンとなるよう成膜を行った。

【００４１】第２の基板２ａ及び第３の基板３ａの製造
工程及び第１の基板１ａ、第２の基板ａ及び第３の基板
３ａの接合は本発明の第１の実施例の場合と同様である
ので省略する。振動板６ａは導電性を有するので、発振
回路１２との接続は直接行われる。

【００４２】本実施例において製造されたインクジェッ
トヘッド１００個の振動板６ａの厚みの実測値は３．１
±０．０２ミクロンに、また、ギャップ間隔ｇの実測値
は、０．５±０．０５ミクロンの範囲に入っており、ま
た、これらのインクジェットヘッドを３０Ｖ、２ｋＨｚ
で駆動したところ、インク滴の吐出速度は５±０．５ｍ
／ｓ、インク滴体積は（０．１±０．０１）×１０^-6ｃ
ｃという範囲に分布し、実印字試験においても良好な印
字が得られた。

【００４３】本発明の第１および第２の実施例では、振
動板として用いられるセラミックスをプラズマＣＶＤ法
により成膜したＳｉＮ及びＳｉＣ膜を用いる場合につい
て説明したが、成膜方法及び膜種はこれに限られるもの
ではなく成膜方法としてはスパッタリング、ゾル−ゲル
法等各種の方式を用いても効果は同様である。また、膜
種としてはセラミックス膜であるＳｉＡｌＮ、ＡｌＮ等
の膜を用いても本発明の実施例と同様の効果が得られ
る。また、酸化物系のセラミックスである、たとえば、
Ｚｒ、Ａｌ、Ｂ等の酸化物を用いても同様の効果が得ら
れる。また、駆動手段として圧電素子等の電気機械変換
素子や電磁変換素子を用いてもよい。

【００４４】次に、本発明の別の一実施例（第３の実施
例）に基づき詳細に説明する。

【００４５】図６は、本発明の第３の実施例におけるイ
ンクジェットヘッドの一部を拡大して示す斜視図であ
り、インクを吐出するためのノズル４ｂが、第３の基板
３ｂ上に第３の基板へのノズルの加工は、エッチング、
サンドブラスト、放電加工等各種の方法により形成する
ことができる。

【００４６】第１の基板１ｂは、結晶面方位が（１１
０）面である単結晶Ｓｉ基板であり、第１の基板１ｂ上
に形成されるキャビティ等の形成方法は、本発明の第１
の実施例の場合と同様であるので説明は省略する。ただ
し、ノズルは第３の基板３ｂに形成するため、第１の基
板１ｂにはノズルの加工は行わない。また、第２の基板
２ｂの形成方法も本発明の第１の実施例と同様である。

【００４７】第３の基板３ｂは板厚が５０ミクロンのホ
ウケイ酸系ガラスである。上記の方法により第３の基板
３ｂにノズル４ｂとなる穴を所定位置に加工し、第１の
基板１ｂとノズルが形成された第３の基板３ｂとの位置
合わせを行い、陽極接合により接合を行う。このように
して得られたインクジェットヘッドでは、第３の基板３
ｂの表面に対し垂直方向にノズルが形成されるのでノズ
ル長を研磨により調整する必要がないという利点があ
る。

【００４８】

【発明の効果】以上記したように、本発明によれば、イ
ンクジェットヘッドの振動板としてＳｉＮ、ＳｉＣ、Ａ
ｌＮ、ＳｉＡｌＮ等のセラミックスまたはセラミックス
と金属の組み合わせを用い、また、前記振動板と前記電
極間の間隔を保持するためのギャップスぺーサとしてＡ
ｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｒ等の金属を用いることによ
り、高密度のインクジェットヘッドに最適の振動板及び
駆動部を精度良く形成することができるため、インク吐
出バラツキの小さい、高性能なインクジェットヘッドを
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの構造を分解して示す斜視図である。

【図２】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの構造の一部を拡大して示す斜視図である。

【図３】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの第１の基板の製造工程図である。

【図４】本発明の一実施例におけるインクジェットヘッ
ドの第２の基板の製造工程図である。

【図５】本発明の別の一実施例におけるインクジェット
ヘッドの構造の一部を拡大して示す斜視図である。

【図６】本発明のさらに別の一実施例におけるインクジ
ェットヘッドの構造の一部を拡大して示す斜視図であ
る。

【符号の説明】

１第１の基板２第２の基板３第３の基板４ノズル５キャビティ６振動板７インク室８インク供給路９ギャップスペーサ１１電極１２発振回路２６インク供給パイプ２７貫通穴

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】インクを吐出するための単一または複数
のノズルと、該ノズルのそれぞれに対応する圧力室と、
該圧力室の少なくとも一方の壁を構成する振動板と、該
振動板に変形を生じさせる駆動手段とを備えるインクジ
ェットヘッドにおいて、前記振動板がセラミックスまた
はセラミックスと金属の組み合わせからなることを特徴
とするインクジェットヘッド。
【請求項２】前記セラミックスが、Ｓｉ、Ａｌ、Ｎ、
Ｂ、Ｃ、ＺｒまたはＯの元素のうち少なくとも１以上の
元素からなることを特徴とする請求項１記載のインクジ
ェットヘッド。
【請求項３】前記駆動手段が前記振動板を静電気力に
より変形させる電極からなることを特徴とする請求項１
または請求項２記載のインクジェットヘッド。
【請求項４】前記振動板と前記電極の間隔を保持する
ためのギャップスぺーサが金属からなることを特徴とす
る請求項３記載のインクジェットヘッド。
【請求項５】前記金属がＡｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｗ、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、ＴｉまたはＴａからなることを特徴とする請
求項４記載のインクジェットヘッド。
【請求項６】前記圧力室が（１１０）結晶面方位を有
するＳｉ単結晶基板に形成され、前記電極がＳｉ単結晶
とほぼ等しい熱膨張係数を有するガラスまたはセラミッ
クス基板に形成されてなることを特徴とする請求項３ま
たは請求項４記載のインクジェットヘッド。