JPH09194231A - ガラス基板、導電性基板およびそれを用いた表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大型のガラス基板においても、軽量化に優
れ、撓み性が少なく、基板製造工程でハンドリングが容
易である。 【解決手段】 両主面を有するガラス基材４の一主面上
に凸部７が少なくとも一つの方形の領域の周辺部に形成
され、他の主面に透明導電層５が形成されてなる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はガラス基板、導電性
基板およびそれを用いた表示装置に関し、とくに軽量で
強度維持に優れた多面取りのガラス基板、導電性基板お
よびそれを用いた表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近の衛星通信、移動体通信技術の進展
にともない、小型・携帯情報端末機器用の軽量な表示装
置が開発されている。この表示装置の基板には、通常透
明導電性基板が用いられている。従来の透明導電性基板
は、耐熱性、耐薬品性、ならびに高光透過率、低ヘイ
ズ、低リターデーションなどの光学的特性を有する厚さ
0.7〜1.1mm のガラス基板上に透明電極層を形成するの
が一般的である。このような透明導電性基板は、基材と
してガラス基板を用いているので、例えば、液晶表示装
置の製造における配向膜形成プロセスや電極形成プロセ
スにおいて行われるフォトエッチングプロセスやスパッ
クリングプロセス等に充分耐えることができる。

【０００３】一方、小型・携帯情報端末機器には、耐衝
撃性に優れることや軽量であることが求められている。
このため、比較的比重の大きいガラス基板にあっては、
その厚さを現状の厚さより薄くして透明導電性基板の軽
量化を図る方法も採用されつつある。しかし、現状のガ
ラス基板の厚みを、 0.7〜1.1mm より一層薄くすると耐
衝撃性が悪くなるという問題が生ずる。また、 1面取り
の基板作製ならばまだしも多面取り基板作製においては
搬送中の撓み性、強度維持も問題となる。

【０００４】そこで、こうした問題に鑑み、軽量化と強
度維持に優れた合せ板ガラスを基材とする透明導電性基
板およびそれを用いた表示装置や、耐衝撃性と軽量化に
優れたプラスチックフィルムを基材とする透明導電性基
板およびそれを用いた表示装置の開発が進められてい
る。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、携帯移
動端末の表示装置の基板として多面取りの透明導電性基
板を製造する場合、大型の薄い合せ板ガラスは撓み性が
大きく基板製造工程でハンドリングが困難であるという
問題を有している。

【０００６】また、プラスチック基材においては、耐衝
撃性と軽量化には優れるが酸素バリアー性、水蒸気バリ
アー性、耐スクラッチ性等を一つのプラスチック基材で
満足させることが困難である。このため、これらの特性
を満足するプラスチック基材を多層化せざるを得ない
が、その基板製造工程が煩雑となる。また、従来の液晶
ディスプレイ等におけるフォトエッチングプロセスやス
パックリングプロセス等などの製造プロセス温度に耐え
られない場合が生じるという問題がある。

【０００７】本発明はこのような問題に対処するために
なされたもので、多面取りの基板作製を採用するにあた
っても、軽量化に優れ、撓み性が少なく、基板製造工程
でハンドリングが容易なガラス基板、導電性基板および
それを用いた表示装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１のガラス基
板は、両主面を有するガラス基材の一主面上に、凸部が
少なくとも一つの方形の領域の周辺部に形成されてなる
ことを特徴とする。

【０００９】また第２のガラス基板は、中間膜を有し両
主面を有するガラス基材の一主面上に、凸部が少なくと
も一つの方形の領域の周辺部に形成されてなることを特
徴とする。

【００１０】さらにこれらのガラス基材は、凸部の厚さ
と凸部以外のガラス基板の厚さとの比が、0.2 〜1.0 ：
1.0 であることを特徴とする。

【００１１】本発明の導電性基板は、ガラス基材の一主
面上に所定の凸部が形成されてなるガラス基板と、ガラ
ス基材の他の主面上に形成された透明導電層とからなる
導電性基板であって、ガラス基板が前述の第１または第
２のガラス基板であることを特徴とする。

【００１２】本発明の表示装置は、互いに対向配置され
た一対の基板と、これら一対の基板間に挟持された表示
部とを有する表示装置であって、一対の基板の少なくと
も一方は前述の導電性基板であることを特徴とする。

【００１３】本発明のガラス基板において、凸部は、ガ
ラス基材の一主面上少なくとも一つの方形の領域の周辺
部に形成されるが、ここで方形の領域とは表示装置にお
ける表示エリア部に相当する部分をいい、例えば表示画
面部分をいう。また周辺部とは表示エリア部に相当する
部分の周辺であって表示画面とならない基板部分をい
う。例えば、ガラス基材の凸部が形成される面とは反対
側の主面において、アウターリード等が形成される部分
である。凸部はこのような部分に形成されることが好ま
しい。また凸部の形状としては、凸部を長手方向に対し
て直角に切断する断面において、突起状であればよく、
具体的には矩形や台形の形状を挙げることができる。

【００１４】本発明のガラス基板を導電性基板として使
用する際には、本発明の導電性基板の一例を示す図１お
よび図２において、凸部の厚さ（ｄ₁ ）と凸部以外のガ
ラス基板の厚さ（ｄ₂ ）との比は、0.2 〜1.0 ：1.0 で
あることが好ましい。また凸部の幅はリード線などの収
容部分に対応して設定されることが好ましく、さらに、
多面取りの大型透明導電性基板では、多数に分割して表
示装置に用いる透明導電性基板の表示エリア部を除いた
余白部分（あるいはリード線などの収容部分）の 1〜 2
倍程度の幅とすることが好ましい。したがって、例えば
凸部の幅は10〜20mmの線状であることが好ましい。この
ような構成とすることにより、多面取りの透明導電性基
板を製造する大型のガラス基板においても、撓み性が少
なく、基板製造工程でハンドリングが容易となる。

【００１５】本発明に使用できるガラス基材としては、
無アルカリガラス、低アルカリガラス、ソーダガラス等
を挙げることができる。また、これらのガラス基材は少
なくとも片面を研磨した 0.5〜1.1mm 厚のガラス材であ
ることがガラスの強度や光学特性を維持する上で好まし
い。

【００１６】さらに本発明のガラス基板において、ガラ
ス基材として中間膜を有する合せ板ガラスとすることも
できる。中間膜の材料としては、透明導電性基板に要求
される耐熱性により、ポリ（4-メチルペンテン-1）（TP
X ）などのポリオレフィンフィルム、ポリクロロトリフ
ルオロエチレン（CTFE）、テトラフルオロエチレン−エ
チレン共重合体（ETFE）、テトラフルオロエチレン−ヘ
キサフルオロプロピレン共重合体（FEP ）あるいはテト
ラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエー
テル共重合体（PFA ）などの弗素樹脂フィルム、さらに
は、透明性の大きい各種の熱可塑性樹脂フィルム、例え
ば、ノルボルネン系樹脂、ポリカーボネート、ポリアリ
レートなどを使用することができる。その厚みは10〜10
0 μm さらには10〜50μm が好ましい。10μm 未満で
は、合せ板ガラス基材としての強度の維持が困難とな
り、100 μm を越えると、光線透過率、ヘイズおよびリ
ターデーションなどの光学特性が低下するためである。

【００１７】本発明の導電性基板では、上述の単一板ガ
ラスまたは合せ板ガラスを用いて、凸部形成面の他の主
面上に透明導電層を形成する。本発明におけるこのよう
な透明導電層は、例えば液晶表示装置における画素電
極、共通電極といった対向電極層を成すものであり、さ
らに必要に応じて、これらと共に信号線、走査線などの
配線層やＴＦＴなどの能動素子、アウタリードなどが形
成される。

【００１８】なお、本発明において、こうした透明導電
層に用いる材料としては、Ｉｎ₂ Ｏ₃ −ＳｎＯ₂ 混合系
（ITO ）、ＴｉＯ₂ ／Ａｇ／ＴｉＯ₂ 、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、Ｓ
ｎＯ₂ （F ）、ＣｄＳｎＯ₃ 、Ｖ₂ Ｏ₅ ・ｎＨ₂ Ｏなど
が挙げられる。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、本発明のガラス基板、導電
性基板およびそれを用いた表示装置を図面を参照しなが
ら説明する。図１は単一板ガラスを用いた本発明の導電
性基板における 1表示画面部分の層構成図を示す。透明
導電性基板１は、透明導電層５と、表示エリア部に相当
する部分８の周辺部に形成された矩形状の凸部７を有す
るガラス基板４とから構成される。なお、従来例とし
て、全面が均一厚みからなる単一板ガラスを用いた透明
導電性基板を図３に示す。

【００２０】図２は中間膜を有する合せ板ガラスを用い
た本発明の導電性基板における 1表示画面部分の層構成
図を示す。透明導電性基板１は、透明導電層５と、表示
エリア部に相当する部分８の周辺部に形成された矩形状
の凸部７を有するガラス板４と、矩形状の凸部のないガ
ラス板３と、中間膜２とから構成される。なお、従来例
として、全面が均一厚みからなる合せ板ガラスを用いた
透明導電性基板を図４に示す。

【００２１】このような合せ板ガラスを用いた透明導電
性基板の製造工程を図５〜図８に示す。まず、少なくと
も片面を研磨した 0.5〜1.1mm 厚のガラス材２３、２４
を、少なくとも被研磨面が外側に位置するように対向さ
せ、この間に中間膜２２を挿入し熱圧着により合せ板ガ
ラス２１を作製する（図５）。

【００２２】次に、合せ板ガラス２１を所定厚さに化学
研磨後凸部を形成する部分に弗酸−硫酸系エッチング剤
に侵されないレジスト２６、例えばパラフィン、熱硬化
性エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを 0.5〜1 μm 程
度の厚さに塗布する（図６）。

【００２３】その後、表示エリア部に相当する部分２８
を酸化セリウムなどの研磨剤を用いた機械研磨あるいは
弗酸−硫酸系エッチング剤を用いた化学研磨により薄型
化する。化学研磨では、時々合せ板ガラスをエッチング
槽から取りだし、ガラスの表面に沈殿する珪弗化物を除
去する。こうして片面の表示エリア部に相当する部分２
８以外の部分を土手状に残して、所定の薄さまで化学研
磨してから SH 処理などによりレジストを剥離すると所
望の厚みの本発明のガラス基板が得られる（図７）。こ
こで、合せ板ガラスの表示エリア部に相当する部分の厚
さは 0.25 〜0.7mm 、好ましくは 0.25 〜0.35mmに調整
され、さらに矩形状に局部的に突起した凸部を有する非
表示部に相当する部分の厚さは 0.3〜0.9mm であって、
（非表示部に相当する部分の厚さ−表示エリア部に相当
する部分の厚さ）／（表示エリア部に相当する部分の厚
さ）が 0.2〜1.0 に調整される。さらにこの非表示部に
相当する部分の厚さは、表示エリア部に相当する部分の
厚さに偏光フィルムの厚さ（例えば、約0.2mm ）を加え
たものであることがより一層好ましい。こうすること
で、透明導電性基板に局部的な厚肉部があっても表示装
置全体としては均一な厚みで、薄型化と軽量化が達成で
きる。

【００２４】このようにして得られたガラス基板のフラ
ット面に透明導電層３５を設けることで本発明の導電性
基板３１が得られる（図８）。さらに多面取りの大型基
板である導電性基板３１を分割する場合は、矩形状の凸
部３７の中央線であるＡ−Ａ´で通常のスクライブ・ブ
レイク操作をすればよい（図８）。なお、その際、スク
ライブマシンのワーク吸着台の吸気孔の配列パターンを
導電性基板３１の矩形状の凸部３７の配列ピッチに同調
させ、スクライブ線を導電性基板３１の表裏同一部分に
設ければ、より一層スクライブ・ブレイク性が向上す
る。

【００２５】図５〜図８は、ガラス基板が合せ板ガラス
である場合の製造方法であるが、ガラス基板が単一板ガ
ラスである場合（図１）も、図５〜図８と同様の方法で
導電性基板を作製できる。この場合、ガラス基板の表示
エリア部に相当する部分の厚さは 0.4〜0.55mm、非表示
部に相当する部分の厚さは 0.6〜1.1mm が好ましい。

【００２６】上述の如く、本発明は、多面取りの大型基
板において、表示画面部分に関係ない基板部分をその他
の基板部分より厚くすることにより、大型の単一板ガラ
スあるいは合せ板ガラスを単に薄くした場合に生ずる撓
みが抑えられて、ガラス基板の薄型化（軽量化）と多面
取り基板における製造工程中での強度維持性が図られる
と共に、このような導電性基板を用いた表示装置作製の
一連の工程におけるハンドリングが容易になる。またガ
ラス基板が合せ板ガラスである場合には、これらの優れ
た特性に加えてさらに耐衝撃性も向上する作用効果があ
る。

【００２７】本発明の導電性基板を用いた表示装置の一
例としてＴＦＴ型液晶表示装置を図９および図１０に示
す。図９は単一板ガラスを用いた場合の断面図を、図１
０は合せ板ガラスを用いた場合の断面図をそれぞれ示
す。図１０において、ガラス材４３、４４と中間膜４２
からなる薄い合せ板ガラスにＴＦＴ素子４９、透明導電
層４５を設けた透明導電性基板にポリイミドなどの配向
膜４６を設けたアレイ基板を作製する。つぎに、ガラス
材４３、４４と中間膜４２からなる薄い合せ板ガラスに
必要に応じてカラーフィルター４７、それを保護するア
クリル樹脂などからなる保護膜４８、透明導電層４５お
よびポリイミドなどの配向膜４６を設けた対向基板を作
製する。この対向基板上にスペーサ５０を散布し、 2つ
の基板を熱硬化性エポキシ樹脂などからなるシール材５
１で開口部を残してシールする。開口部から液晶材料５
２を注入し、開口部をシール材で封口する。その後、ア
レイ基板および対向基板の表示エリア部に相当する部分
に接着剤を用いてヨウ素−ポリビニルアルコールなどか
らなる偏光フィルム５３を貼り付ける。このようにして
本発明の透明導電性基板を用いた表示装置が完成する。
単一板ガラスを用いた場合についても、図１０と同様に
して表示装置が作製できる（図９）。

【００２８】上述のように、非表示部が厚肉になってい
る薄い単一板ガラスあるいは合せ板ガラスを基材として
用いた本発明の導電性基板およびそれを用いた表示装置
は、耐熱性と透明性の両立は勿論、他の要求特性、すな
わち、透明導電層を構成する透明電極物質との密着性、
酸素バリアー性、水蒸気バリアー性、耐スクラッチ性な
どの基本的性能をガラスという材料の特徴から自ずから
確保できる。しかも、撓みの小さいことからくる搬送
性、軽量化（薄型化）およびさらには基材が合せ板ガラ
スの場合には耐衝撃性（安全性）など従来の均一厚みの
単一板ガラスを基材に用いた導電性基板およびそれを用
いた表示装置に比較して格段の性能向上が認められる。

【００２９】また、図１１に従来の全面フラットである
ガラス板をガラス基板にした透明導電性基板を用いた表
示装置４０の断面図の一例を示す。従来のガラス板４３
を用いた表示装置において、基板上で偏光フィルム５３
の占めるスペースはあくまでも表示エリア部のみであ
る。したがって、図９または図１０に示すガラス基板の
構造とすることにより、本発明は、偏光フィルム５３の
ない部分に相当するガラス板４３の有効活用を図ること
ができる。

【００３０】なお、本発明の導電性基板は、多面取り用
の薄型の大型基板に適用することが好ましいが、表示装
置の表示面積がとくに小さい場合、例えばページャーな
どの場合、本発明の多面取り用の薄型の大型基板から個
別の基板に分割する際のセル工程において、局部的な矩
形状の凸部を取り去って全面フラット型の薄い板ガラス
あるいは中間膜を有する薄い合せ板ガラスを基材とする
ことももちろん可能であり、それを表示装置の透明導電
性基板として使用できる。この場合、大型の多面取り基
板の分割はその凹に相当する凸型のテーブル上で基板を
真空チャックし通常のスクライブ・ブレイクマシンを用
いて行われる。ここでは、分割して得られる透明導電性
基板は矩形状の凸部が無い分だけ重量軽減となり、より
一層の軽量化、薄型化が可能になる。

【００３１】このように、本発明においては、凸部を有
する薄い単一板ガラスあるいは薄い合せ板ガラス基板と
することで、現行ガラス基板の軽量化（薄型化）および
安全化を達成することができ、しかも大型の多面取りガ
ラス基板においても非表示部を厚肉化することで搬送工
程での撓みも小さくなるので、大型基板での軽量化が容
易になる。また、本発明の導電性基板およびそれを用い
た表示装置では、携帯情報端末機器の表示デバイスの軽
量化および製造プロセスのハンドリングの改善、さらに
は耐衝撃性の向上が可能になる。

【００３２】さらに、本発明を実施例により詳しく説明
する。 実施例１ 非表示部の肉厚部分の形状が 15mm 幅、0.2mm 厚さとな
る 4面取りの透明導電性基板を作製すべく、両面が光学
研磨された 300mm× 400mm×0.7mm （厚さ）のコーニン
グ社製無アルカリガラス、７０５９を用意した。このガ
ラス基材の片面上にフェノール樹脂からなるレジストを
0.5μm の厚さで 15mm 幅の格子状パターンとなるよう
にシルクスクリーン法で塗布し乾燥させた。このガラス
基材のもう一方の面には、全面にこのレジストを塗布し
乾燥させた。これを弗酸一硫酸を主成分とするエッチン
グ液を収納したエッチング槽に浸漬させて化学研磨した
後、レジスト部分を SH 処理にて剥離して表示エリア部
の厚さが約 0.5mm、非表示部の厚さが約 0.7mmの薄いガ
ラス基板を作製した。

【００３３】さらにこのガラス基板のフラット面に約
0.2μm 厚の ITO膜からなる透明導電層を設け透明導電
性基板を作製した。この透明導電性基板は、凸部を有す
るガラス基板を用いているので、スクライブ・ブレイク
マシンで容易に 4分割することができた。

【００３４】実施例２ 両面が光学研磨された 300mm× 400mm×0.7mm （厚さ）
のコーニング社製無アルカリガラス、７０５９を 2枚用
意した。この 2枚のガラス材間に中間膜としてオー・エ
ス・イー社製の 25 μm 厚の 300mm× 400mmのテトラフ
ルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル
共重合体（PFA ）フィルムを挿入し、 350℃、5Kg/cm²
の圧力で 20 分間、オートクレーブ中で加熱圧着して厚
さ約 1.4mmの厚い合せ板ガラスを作製した。これを弗酸
−硫酸を主成分とするエッチング液を収納したエッチン
グ槽に浸漬させて化学研磨することにより厚さを約 1.0
mmとした。

【００３５】この合せ板ガラスから、非表示部の肉厚部
分の形状が 15mm 幅、0.2mm 厚さとなる 4面取りの透明
導電性基板を作製すべく、ガラス基材の片面上にフェノ
ール樹脂からなるレジストを 0.5μm の厚さで 15mm 幅
の格子状パターンとなるようにシルクスクリーン法で塗
布し乾燥させた。これを弗酸−硫酸を主成分とするエッ
チング液を収納したエッチング槽に浸漬させて化学研磨
した後、レジスト部分を SH 処理にて剥離して表示エリ
ア部の厚さが約 0.3mm、非表示部の厚さが約 0.5mmの薄
いガラス基板を作製した。

【００３６】さらにこのガラス基板のフラット面に約
0.2μm 厚の ITO膜からなる透明導電層を設け透明導電
性基板を作製した。この透明導電性基板は、凸部を有す
る合せ板ガラスを基材としたガラス基板を用いているの
で、スクライブ・ブレイクマシンでより容易に 4分割す
ることができた。

【００３７】実施例３ 中間膜をPFA からオー・エス・イー社製の25μm 厚のテ
トラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重
合体（FEP ）フィルムに、成形温度を 350℃から 320℃
にした以外は、実施例２と同様にして薄いガラス基板を
作製した。また、この基板を用いて実施例２と同様にし
て透明導電性基板を作製した。

【００３８】実施例４ 中間膜をPFA からダイキン工業社製の25μm 厚のテトラ
フルオロエチレン−エチレン共重合体（ETFE）フィルム
に、成形温度を 350℃から 300℃にした以外は、実施例
２と同様にして薄いガラス基板を作製した。また、この
基板を用いて実施例２と同様にして透明導電性基板を作
製した。

【００３９】実施例５ 中間膜をPFA からダイキン工業社製の25μm 厚のポリク
ロロトリフルオロエチレン（CTFE）フィルムに、成形温
度を 350℃から 270℃にした以外は、実施例２と同様に
して薄いガラス基板を作製した。また、この基板を用い
て実施例２と同様にして透明導電性基板を作製した。

【００４０】実施例６ 中間膜をPFA から三井石油化学社製の25μm 厚のポリ
（4-メチルペンテン-1）（TPX ）フィルムに、成形温度
を 350℃から 250℃にした以外は、実施例２と同様にし
て薄いガラス基板を作製した。また、この基板を用いて
実施例２と同様にして透明導電性基板を作製した。

【００４１】実施例１〜実施例６に係るガラス基板の表
面形状精度を化学研磨前後で比較して表１に示す。ま
た、同時に化学研磨後の光学特性も表１に示す。

【００４２】

【表１】 表１より、化学研磨により得られた本発明のガラス基板
においては、いずれも研磨面の表面形状精度が維持さ
れ、かつ優れた光学特性を有していることが明らかであ
る。

【００４３】実施例７ 実施例１の凸部を有する薄いガラス基板のフラット面上
に常法に基づいてTFT素子、パターン化された透明導電
層を設け、さらにポリイミド膜を印刷法で形成し、ラビ
ング処理により配向させてアレイ基板とした。一方、同
様のガラス基板のフラット面上に、顔料分散系カラーフ
ィルター層、酸化クロムからなるブラックマトリックス
層を設け、次いでアクリル樹脂からなる保護膜を設け、
さらにこの上に全面の透明導電層を設け、これをポリイ
ミドからなる配向膜で覆って対向基板とした。この後、
スクライブ・ブレイクマシンで 4分割したそれぞれのア
レイ基板および対向基板にスペーサを散布し、液晶材料
の注入口となる開口部を残して熱硬化性エポキシ樹脂で
シールした。開口部から液晶材料を注入後、開口部を熱
硬化性エポキシ樹脂で封口した。

【００４４】さらにアレイ基板および対向基板の表示エ
リア部に偏光フィルムを接着剤を用いて貼り付けて表示
装置を完成させた。この一連の工程で何等のトラブルも
発生しなかった。また、この表示装置は、従来の 0.7mm
厚の全面フラットである無アルカリガラスをガラス基板
に用いた同一表示サイズの液晶表示装置と比較すると約
15％の軽量化ができた。

【００４５】実施例８ 実施例７におけるガラス基材を実施例２の合せ板ガラス
に代える以外は、実施例７と同様にして表示装置を完成
させた。この表示装置は、従来の 0.7mm厚の全面フラッ
トである無アルカリガラスをガラス基板に用いた同一表
示サイズの液晶表示装置と比較すると約20％の軽量化が
できた。

【００４６】また、この表示装置を表示面を下面にして
1.5m の高さから落下させる落下試験を行った。その結
果、基材である合せ板ガラスに若干のクラックが認めら
れたが、液晶材料の飛散はみられなかった。このように
本実施例の表示装置は軽量化（薄型化）のために非常に
薄い導電性基板を用いているにもかかわらず耐衝撃性強
度が非常に高いことが分かった。

【００４７】実施例９ フロート法で作製された 300mm× 400mm×0.7mm （厚
さ）のコーニング社製無アルカリガラス、７０５９を 2
枚用意した。この 2枚のガラス材の粗面側を対向させ、
この間に中間膜としてオー・エス・イー社製の 25 μm
厚の 300mm× 400mmのテトラフルオロエチレン−パーフ
ルオロアルキルビニルエーテル共重合体（PFA ）フィル
ムを挿入し、 350℃、5Kg/cm² の圧力で 20 分間、オー
トクレーブ中で加熱圧着して厚さ約 1.4mmの厚い合せ板
ガラスを作製した。これを弗酸−硫酸を主成分とするエ
ッチング液を収納したエッチング槽に浸漬させて化学研
磨することにより厚さを約 1.0mmとした。

【００４８】この合せ板ガラスから、非表示部の肉厚部
分の形状が 15mm 幅、0.2mm 厚さとなる 4面取りの透明
導電性基板を作製すべく、ガラス基材の片面上にフェノ
ール樹脂からなるレジストを 0.5μm の厚さで 15mm 幅
の格子状パターンとなるようにシルクスクリーン法で塗
布し乾燥させた。これを弗酸一硫酸を主成分とするエッ
チング液を収納したエッチング槽に浸漬させて化学研磨
した後、レジスト部分を SH 処理にて剥離して表示エリ
ア部の厚さが約 0.3mm、非表示部の厚さが約 0.5mmの薄
いガラス基板を作製した。

【００４９】このガラス基板の化学研磨前後の表面形状
精度および光学特性を表１に示す。表１から明らかなよ
うに、粗面側同士を中間膜で圧着し、鏡面側を両主面と
した場合には化学研磨後の表面形状精度が良好である。

【００５０】参考例 フロート法で作製された 300mm× 400mm×0.7mm （厚
さ）のコーニング社製無アルカリガラス、７０５９を 2
枚用意し、この 2枚のガラス材の鏡面側を対向させる以
外は、実施例９と同様の方法で、表示エリア部の厚さが
約 0.3mm、非表示部の厚さが約 0.5mmの薄いガラス基板
を作製した。

【００５１】このガラス基板の化学研磨前後の表面形状
精度および光学特性を表１に示す。表１から明らかなよ
うに、鏡面側同士を中間膜で圧着し、粗面側を両主面と
した場合には化学研磨後の表面形状精度、光学特性が実
施例９のガラス基板に比較して劣る。したがって、高精
度高密度の表示用の透明導電性基板として使用すること
は困難である。

【００５２】実施例１０ 実施例２と同様にして、非表示部の肉厚部分の形状が 1
5mm 幅、 0.3mm厚さ、表示エリア部の厚さが約 0.35mm
、非表示部の厚さが約 0.65mm である以外は実施例２
と同一の薄いガラス基板を作製した。

【００５３】さらにこのガラス基板のフラット面に約
0.2μm 厚の ITO膜からなる透明導電層を設け透明導電
性基板を作製した。この透明導電性基板は、凸部を有す
る合せ板ガラスを基材としたガラス基板を用いているの
で、スクライブ・ブレイクマシンでより容易に 4分割す
ることができた。このガラス基板の化学研磨前後の表面
形状精度および光学特性を表１に示す。表１から明らか
なように表面形状精度および光学特性はいずれも良好で
ある。

【００５４】比較例１ 両面研磨された 300mm× 400mm×0.7mm （厚さ）のコー
ニング社製無アルカリガラス、７０５９にレジスト塗布
をしない以外は実施例１と同様の方法で化学研磨し、全
面均一な厚み、0.5mm のガラス基板を作製した。

【００５５】これを 4回取りするべく液晶表示装置の製
造ラインに投入したところ、基板搬送ラインにおいて撓
みが大きく、搬送ロボットのアームとワークが干渉し、
この薄いガラス基板が粉々に割れてしまった。

【００５６】比較例２ ガラス基材の片面上にレジスト塗布をしない以外は実施
例２と同様の方法で合せ板ガラスを化学研磨し、全面均
一な厚み、0.3mm のガラス基板を作製した。このガラス
基板を 4面取りの大型基板の基材として一連の液晶表示
装置の製造プロセスに流したところ、実施例２〜６の薄
いガラス基板とは異なり、撓み性が大きく、ワークの移
載用ロボットのアームと干渉が生じるケースがみられ
た。

【００５７】比較例３ 従来の 0.7mm厚の全面フラットである無アルカリガラス
をガラス基板に用いる以外は実施例８と同様にして、同
じ表示サイズを有する液晶表示装置を作製した。この液
晶表示装置の表示面を下面にして 1.5m の高さからの落
下試験をおこなったところ、ガラスが割れて液晶材料が
飛びちってしまった。

【００５８】比較例４ ポリカーボネートフィルムをベース基材とする藤森工業
社製の AMOREX フィルム（ 250μm 厚）基材を用い、実
施例５と同様なプロセスによりTFT 型液晶表示装置の作
製を試みたところ、 330℃という高温プロセスが必要な
配向膜形成において基材が大きく変形し、カラーフィル
ター層、透明導電層に亀裂が生じてしまった。

【００５９】比較例５ 三井東圧化学社製の 100μm 厚のポリエーテルスルホン
フィルム（TALPA lOOO）の両面に一酸化珪素を蒸着し、
厚さ30nm、組成 SiO_1.6 のシリカ薄膜層を形成し、さら
にこの表面にγーメタクリロキシプロピルトリメトキシ
シランのイソプロピルアルコール 1wt％溶液を塗布し、
約 0.01 μm 厚の架橋性保護層を設けた。

【００６０】この複合フィルム基材を用い、実施例５と
同様なプロセスによりTFT 型液晶表示装置の作製を試み
たところ、 330℃という高温プロセスが必要な配向膜形
成において基材が大きく変形し、カラーフィルター層、
透明導電層に亀裂が生じてしまった。

【００６１】以上、本発明の実施例として表示装置の
内、液晶表示装置のみを例示したが、他の表示装置、例
えば、ECD 、PDP 、EL、LED 、電気泳動などを用いた表
示装置のガラス基板の代替にも本発明のガラス基板、導
電性基板は有効である。さらに、調光ガラス（液晶シャ
ッター）の軽量化、耐衝撃性改善にも有効である。

【００６２】

【発明の効果】本発明のガラス基板は、耐熱性、透明性
を有する薄い単一板ガラスあるいは薄い合せ板ガラスを
基材として用い、この基材の一主面上に所定の凸部が形
成されているので、撓み性が極めて少ない。その結果、
大型の多面取りガラス基板への展開が可能となる。

【００６３】また、本発明の導電性基板は、このガラス
基板を用いているので、撓み性が極めて少ないと共に、
導電性基板の軽量化および薄型化が容易に実現できる。

【００６４】さらに、本発明の表示装置は、この導電性
基板を使用しているので、携帯情報端末機器の表示装置
の軽量化および表示装置作製の工程におけるハンドリン
グの改善が可能になる。

【図面の簡単な説明】

【図１】単一板ガラスを用いた透明導電性基板における
1表示画面部分の層構成図である。

【図２】合せ板ガラスを用いた透明導電性基板における
1表示画面部分の層構成図である。

【図３】全面が均一厚みからなる単一板ガラスを用いた
透明導電性基板の層構成図である。

【図４】全面が均一厚みからなる合せ板ガラスを用いた
透明導電性基板の層構成図である。

【図５】透明導電性基板の製造工程を示す図である。

【図６】透明導電性基板の製造工程を示す図である。

【図７】透明導電性基板の製造工程を示す図である。

【図８】透明導電性基板の製造工程を示す図である。

【図９】単一板ガラスを用いたＴＦＴ型液晶表示装置の
断面図である。

【図１０】合せ板ガラスを用いたＴＦＴ型液晶表示装置
の断面図である。

【図１１】従来のガラス基板を用いたＴＦＴ型液晶表示
装置の断面図である。

【符号の説明】

１、３１……透明導電性基板、２、２２、３２、４２…
…中間膜、３、４、２３、２４、３３、３４、４３、４
４……ガラス、５、３５、４５……透明導電層、７、２
７、３７……矩形状の凸部、２１……合せ板ガラス、２
６……レジスト、８、２８……表示エリア部に相当する
部分、４０……表示装置、４６……配向膜、４７……カ
ラーフィルター、４８……保護膜、４９……TFT 素子、
５０……スペーサ、５１……シール材、５２……液晶材
料、５３……偏光フィルム。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 両主面を有するガラス基材の一主面上
   に、凸部が少なくとも一つの方形の領域の周辺部に形成
   されてなるガラス基板。
2. 【請求項２】 中間膜を有し両主面を有するガラス基材
   の一主面上に、凸部が少なくとも一つの方形の領域の周
   辺部に形成されてなるガラス基板。
3. 【請求項３】 前記凸部の厚さと凸部以外のガラス基板
   の厚さとの比が、0.2〜1.0 ：1.0 であることを特徴と
   する請求項１または請求項２記載のガラス基板。
4. 【請求項４】 ガラス基材の一主面上に所定の凸部が形
   成されてなるガラス基板と、前記ガラス基材の他の主面
   上に形成された透明導電層とからなる導電性基板であっ
   て、 前記ガラス基板は請求項１または請求項２記載のガラス
   基板であることを特徴とする導電性基板。
5. 【請求項５】互いに対向配置された一対の基板と、これ
   ら一対の基板間に挟持された表示部とを有する表示装置
   であって、前記一対の基板の少なくとも一方は請求項４
   記載の導電性基板であることを特徴とする表示装置。