JPH09190878A - 電磁調理器 - Google Patents
電磁調理器Info
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- JPH09190878A JPH09190878A JP56796A JP56796A JPH09190878A JP H09190878 A JPH09190878 A JP H09190878A JP 56796 A JP56796 A JP 56796A JP 56796 A JP56796 A JP 56796A JP H09190878 A JPH09190878 A JP H09190878A
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- Japan
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- repellent
- thin film
- oil
- water
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 汚れがこびりつかず、かつ耐久性に優れたト
ッププレートを持つ電磁調理器を実現することを目的と
する。 【解決手段】 トッププレート１１が結晶化ガラス３か
ら構成される電磁調理器であって、結晶化ガラス３に含
まれるアルカリイオンが表面に拡散するのをブロック
し、さらに、結晶化ガラス３の凹凸を低減する厚さが１
ミクロン以上５ミクロン以下の膜厚の鉛ガラス４が結晶
化ガラス３にコートされ、鉛ガラス４上にフッ化炭素鎖
を含む分子が共有結合した撥水・撥油性薄膜が形成され
ていることを特徴とする。
ッププレートを持つ電磁調理器を実現することを目的と
する。 【解決手段】 トッププレート１１が結晶化ガラス３か
ら構成される電磁調理器であって、結晶化ガラス３に含
まれるアルカリイオンが表面に拡散するのをブロック
し、さらに、結晶化ガラス３の凹凸を低減する厚さが１
ミクロン以上５ミクロン以下の膜厚の鉛ガラス４が結晶
化ガラス３にコートされ、鉛ガラス４上にフッ化炭素鎖
を含む分子が共有結合した撥水・撥油性薄膜が形成され
ていることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電磁調理器に関する
ものである。
ものである。
【０００２】
【従来の技術】電磁調理器とは図５に示すように、トッ
ププレート１１上に設置した金属鍋１２を電磁誘導加熱
で加熱して調理する調理機器である。
ププレート１１上に設置した金属鍋１２を電磁誘導加熱
で加熱して調理する調理機器である。
【０００３】上記の電磁調理器のトッププレートには調
理中に様々な汚れがこびり付く。この中でも揚げ物調理
中に付着する油汚れ、すき焼き中に付着する砂糖醤油の
汚れ等はトッププレートに強烈にこびり付き、布巾で少
々擦っても除去することができない。そこで、フッ化ア
ルキル鎖を含む分子をトッププレートに共有結合させ、
撥水・撥油性の薄膜をトップレートの表面に形成するこ
とにより、付着した汚れを簡単に除去出来るようにする
方法が従来考えられていた（特開平４−１９４２６６号
公報参照）。
理中に様々な汚れがこびり付く。この中でも揚げ物調理
中に付着する油汚れ、すき焼き中に付着する砂糖醤油の
汚れ等はトッププレートに強烈にこびり付き、布巾で少
々擦っても除去することができない。そこで、フッ化ア
ルキル鎖を含む分子をトッププレートに共有結合させ、
撥水・撥油性の薄膜をトップレートの表面に形成するこ
とにより、付着した汚れを簡単に除去出来るようにする
方法が従来考えられていた（特開平４−１９４２６６号
公報参照）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記方法によれば、油
汚れや砂糖醤油等の汚れはある程度は簡単に除去できる
ものの、アルカリガラス等の板ガラス表面にコートされ
た撥水・撥油薄膜に比べると結晶化ガラスからなるトッ
ププレート上の撥水・撥油性薄膜は防汚性が低く、ま
た、結晶化ガラス上の撥水・撥油性薄膜は耐熱性がない
という問題があった。
汚れや砂糖醤油等の汚れはある程度は簡単に除去できる
ものの、アルカリガラス等の板ガラス表面にコートされ
た撥水・撥油薄膜に比べると結晶化ガラスからなるトッ
ププレート上の撥水・撥油性薄膜は防汚性が低く、ま
た、結晶化ガラス上の撥水・撥油性薄膜は耐熱性がない
という問題があった。
【０００５】そこで、以下では上記の問題点について順
に説明する。上記のアルカリガラス等の板ガラスは表面
凹凸（凹部と凸部との差）が０．１ミクロンメートル以
下であるのに対し、結晶化ガラスは微結晶を含有してい
るため、表面凹凸（凹部と凸部との差）が１ミクロンメ
ートル以上ある。このため、図６に示すように凹凸の凹
部に汚れがこびりつくため、トッププレートは板ガラス
に比べて、表面の凹部に汚れがこびり付きやすい。
に説明する。上記のアルカリガラス等の板ガラスは表面
凹凸（凹部と凸部との差）が０．１ミクロンメートル以
下であるのに対し、結晶化ガラスは微結晶を含有してい
るため、表面凹凸（凹部と凸部との差）が１ミクロンメ
ートル以上ある。このため、図６に示すように凹凸の凹
部に汚れがこびりつくため、トッププレートは板ガラス
に比べて、表面の凹部に汚れがこびり付きやすい。
【０００６】また、一般に、電磁調理器のトッププレー
トは熱衝撃と機械的強度に優れた結晶化ガラスから構成
されており、この結晶化ガラスにはリチウムイオン等の
アルカリイオンが含まれている。なお、このリチウムイ
オンはガラスの結晶化を促進するために添加されている
ものである。一方、トッププレートは焼き物調理時には
３００℃の温度になり、この様な高温状態では結晶化ガ
ラス内部のアルカリイオンが表面に拡散し、撥水・撥油
性薄膜とトッププレート間の共有結合を切断し、結果と
して、撥水・撥油性薄膜が剥がれてしまう。この様子を
詳細に説明すると、図７において、撥水・撥油性薄膜と
はガラス表面のＳｉに結合している分子であり、この分
子のＳｉと結合している酸素の部分に上記のアルカリイ
オンがアタックしてＳｉと酸素の結合が切れるというも
のである。
トは熱衝撃と機械的強度に優れた結晶化ガラスから構成
されており、この結晶化ガラスにはリチウムイオン等の
アルカリイオンが含まれている。なお、このリチウムイ
オンはガラスの結晶化を促進するために添加されている
ものである。一方、トッププレートは焼き物調理時には
３００℃の温度になり、この様な高温状態では結晶化ガ
ラス内部のアルカリイオンが表面に拡散し、撥水・撥油
性薄膜とトッププレート間の共有結合を切断し、結果と
して、撥水・撥油性薄膜が剥がれてしまう。この様子を
詳細に説明すると、図７において、撥水・撥油性薄膜と
はガラス表面のＳｉに結合している分子であり、この分
子のＳｉと結合している酸素の部分に上記のアルカリイ
オンがアタックしてＳｉと酸素の結合が切れるというも
のである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】かかる問題を解決するた
めに、本発明の電磁調理器は、トッププレートが結晶化
ガラスから構成され、トッププレートに結晶化ガラスに
含まれるアルカリイオンが表面に拡散するのをブロック
し、さらに、結晶化ガラスの凹凸を低減する鉛ガラスが
結晶化ガラス上にコートされ、鉛ガラス上にフッ化炭素
鎖を含む分子が共有結合した撥水・撥油性薄膜が形成さ
れていることを特徴とする。そして上記の鉛ガラスの厚
さは１ミクロン以上５ミクロン以下であることが望まし
い。
めに、本発明の電磁調理器は、トッププレートが結晶化
ガラスから構成され、トッププレートに結晶化ガラスに
含まれるアルカリイオンが表面に拡散するのをブロック
し、さらに、結晶化ガラスの凹凸を低減する鉛ガラスが
結晶化ガラス上にコートされ、鉛ガラス上にフッ化炭素
鎖を含む分子が共有結合した撥水・撥油性薄膜が形成さ
れていることを特徴とする。そして上記の鉛ガラスの厚
さは１ミクロン以上５ミクロン以下であることが望まし
い。
【０００８】そして本発明は上記の構成を有することに
より、ガラス表面に油等の汚れがこびりつくことを防止
できるだけでなく、結晶化ガラス中に含有されるアルカ
リイオンに起因する撥水・撥油性薄膜のはがれを防止で
きる。
より、ガラス表面に油等の汚れがこびりつくことを防止
できるだけでなく、結晶化ガラス中に含有されるアルカ
リイオンに起因する撥水・撥油性薄膜のはがれを防止で
きる。
【０００９】また、本発明の電磁調理器は、鉛ガラスが
Ｌｉ2Ｏ、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2、及びＴｉＯ2を含み、前記ＬｉＯ2の重量比が１％以
下であることが望ましい。
Ｌｉ2Ｏ、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ
2、及びＴｉＯ2を含み、前記ＬｉＯ2の重量比が１％以
下であることが望ましい。
【００１０】また、本発明の電磁調理器は、分子と鉛ガ
ラスとの間の共有結合がＳｉ−Ｏであることが望まし
い。
ラスとの間の共有結合がＳｉ−Ｏであることが望まし
い。
【００１１】また、本発明の電磁調理器は、撥水・撥油
性薄膜が積層膜であることが望ましい。
性薄膜が積層膜であることが望ましい。
【００１２】
【発明の実施の形態】鉛ガラスとＳｉ−Ｏ結合して撥水
・撥油性薄膜を形成する分子としては、クロロシラン系
界面活性剤がある。以下に、クロロシラン系界面活性剤
の種類、鉛ガラスへの形成方法、及び特性を簡単に示し
ておく。
・撥油性薄膜を形成する分子としては、クロロシラン系
界面活性剤がある。以下に、クロロシラン系界面活性剤
の種類、鉛ガラスへの形成方法、及び特性を簡単に示し
ておく。
【００１３】鉛ガラスとＳｉ−０結合するフッ化炭素鎖
を含むクロロシラン系界面活性剤には、例えば、ＣＦ3
（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3、ＣＦ3ＣＨ2Ｏ（Ｃ
Ｈ2）15ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）
2（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＦ2）3（ＣＨ2）2Ｓ
ｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3、Ｆ（ＣＦ2）8（Ｃ
Ｈ2） 2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3、ＣＦ3ＣＯ
Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2
ＳｉＣｌ3等のようなトリクロロシラン系活性剤を始
め、例えば、ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌn（Ｃ
Ｈ3）3−n、ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌn（Ｃ2
Ｈ5）3−n、ＣＦ3ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌn（Ｃ
Ｈ3）3−n、ＣＦ3ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌn（Ｃ2Ｈ
5）3−n、ＣＦ3（ＣＨ 2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）15
ＳｉＣｌn（ＣＨ3）3−n、Ｆ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2Ｓｉ
（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌn（Ｃ2Ｈ5）3−n、Ｆ
（ＣＦ2）8（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣ
ｌn（ＣＨ3）3−n、ＣＦ3ＣＯＯ（ＣＨ2）1 5ＳｉＣｌn
（ＣＨ3）3−n、ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2ＳｉＣｌn
（ＣＨ3）3−n（但し式中のｎは何れも１または２）等
のような低級アルキル基置換のモノクロロシラン系ある
いはジクロロシラン系界面活性剤がある。これらの中で
も特にトリクロロシラン系界面活性剤は、シロキサン結
合が鉛ガラス表面および隣合う分子同士で形成されるの
で、より強固な撥水・撥油性性薄膜となる。
を含むクロロシラン系界面活性剤には、例えば、ＣＦ3
（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌ3、ＣＦ3ＣＨ2Ｏ（Ｃ
Ｈ2）15ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）
2（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＦ2）3（ＣＨ2）2Ｓ
ｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3、Ｆ（ＣＦ2）8（Ｃ
Ｈ2） 2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌ3、ＣＦ3ＣＯ
Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2
ＳｉＣｌ3等のようなトリクロロシラン系活性剤を始
め、例えば、ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌn（Ｃ
Ｈ3）3−n、ＣＦ3（ＣＦ2）7（ＣＨ2）2ＳｉＣｌn（Ｃ2
Ｈ5）3−n、ＣＦ3ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌn（Ｃ
Ｈ3）3−n、ＣＦ3ＣＨ2Ｏ（ＣＨ2）15ＳｉＣｌn（Ｃ2Ｈ
5）3−n、ＣＦ3（ＣＨ 2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）15
ＳｉＣｌn（ＣＨ3）3−n、Ｆ（ＣＦ2）4（ＣＨ2）2Ｓｉ
（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣｌn（Ｃ2Ｈ5）3−n、Ｆ
（ＣＦ2）8（ＣＨ2）2Ｓｉ（ＣＨ3）2（ＣＨ2）9ＳｉＣ
ｌn（ＣＨ3）3−n、ＣＦ3ＣＯＯ（ＣＨ2）1 5ＳｉＣｌn
（ＣＨ3）3−n、ＣＦ3（ＣＦ2）5（ＣＨ2）2ＳｉＣｌn
（ＣＨ3）3−n（但し式中のｎは何れも１または２）等
のような低級アルキル基置換のモノクロロシラン系ある
いはジクロロシラン系界面活性剤がある。これらの中で
も特にトリクロロシラン系界面活性剤は、シロキサン結
合が鉛ガラス表面および隣合う分子同士で形成されるの
で、より強固な撥水・撥油性性薄膜となる。
【００１４】さらにまた、フッ化アルキル基部分にビニ
ル基（Ｃ＝Ｃ）やアセチル基（エチニル基）を組み込ん
でおけば、撥水・撥油性薄膜形成後５メガラド程度の電
子線照射で架橋できるのでさらに撥水・撥油性薄膜自体
の強度を向上させることも可能である。本発明に供され
るクロロシラン系界面活性剤は、上述に例示したように
直線状だけでなく分岐した形状でも、または末端の珪素
にフッ化アルキル基もしくは炭化水素基が置換した形状
（例えばＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3をフッ化アルキル基または
炭化水素基として一般式Ｒ2ＳｉＣｌ3、Ｒ3ＳｉＣｌ、
Ｒ1Ｒ2ＳｉＣｌ2、Ｒ3Ｒ1Ｒ2Ｒ3ＳｉＣｌ等）であって
も良いが、膜密度を高めるためには一般に直線状が好ま
しい。
ル基（Ｃ＝Ｃ）やアセチル基（エチニル基）を組み込ん
でおけば、撥水・撥油性薄膜形成後５メガラド程度の電
子線照射で架橋できるのでさらに撥水・撥油性薄膜自体
の強度を向上させることも可能である。本発明に供され
るクロロシラン系界面活性剤は、上述に例示したように
直線状だけでなく分岐した形状でも、または末端の珪素
にフッ化アルキル基もしくは炭化水素基が置換した形状
（例えばＲ、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3をフッ化アルキル基または
炭化水素基として一般式Ｒ2ＳｉＣｌ3、Ｒ3ＳｉＣｌ、
Ｒ1Ｒ2ＳｉＣｌ2、Ｒ3Ｒ1Ｒ2Ｒ3ＳｉＣｌ等）であって
も良いが、膜密度を高めるためには一般に直線状が好ま
しい。
【００１５】鉛ガラスにＳｉ−Ｏ結合を介してフッ化炭
素鎖を含む撥水・撥油性薄膜を形成するための非水溶媒
は、クロロシラン系界面活性剤と反応する活性水素を持
たない有機溶媒であればよい。その例として例えばパー
フルオロオクタン、１、１ージクロロ、１ーフルオロエ
タン、または１、１ージクロロ２、２、２ートリフルオ
ロエタン、または１、１ージクロロ、２、２、３、３、
３ーペンタフルオロプロパン、または１、３ージクロ
ロ、１、１、２、２、３ーペンタフルオロプロパン、ま
たはトリフッ化アルキルアミン、またはパーフルオロフ
ランおよびそのフッ化アルキル誘導体等のフッ素系溶
媒、例えばヘキサン、オクタン、ヘキサデカン、シクロ
ヘキサン等の炭化水素系溶媒、例えばジブチルエーテ
ル、ジベンジルエーテル等のエーテル系溶媒、例えば酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル
等のエステル系溶媒のいずれかが好ましい。
素鎖を含む撥水・撥油性薄膜を形成するための非水溶媒
は、クロロシラン系界面活性剤と反応する活性水素を持
たない有機溶媒であればよい。その例として例えばパー
フルオロオクタン、１、１ージクロロ、１ーフルオロエ
タン、または１、１ージクロロ２、２、２ートリフルオ
ロエタン、または１、１ージクロロ、２、２、３、３、
３ーペンタフルオロプロパン、または１、３ージクロ
ロ、１、１、２、２、３ーペンタフルオロプロパン、ま
たはトリフッ化アルキルアミン、またはパーフルオロフ
ランおよびそのフッ化アルキル誘導体等のフッ素系溶
媒、例えばヘキサン、オクタン、ヘキサデカン、シクロ
ヘキサン等の炭化水素系溶媒、例えばジブチルエーテ
ル、ジベンジルエーテル等のエーテル系溶媒、例えば酢
酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸アミル
等のエステル系溶媒のいずれかが好ましい。
【００１６】単分子膜を鉛ガラス表面に形成するには、
前記非水系有機溶媒にクロロシラン系界面活性剤溶か
し、これに膜を形成したい基板を浸積して化学反応を行
わせた後、水分に接触させないで非水系の溶剤で洗浄す
るだけで良く、特別な工程を要しなく簡便に行える。
前記非水系有機溶媒にクロロシラン系界面活性剤溶か
し、これに膜を形成したい基板を浸積して化学反応を行
わせた後、水分に接触させないで非水系の溶剤で洗浄す
るだけで良く、特別な工程を要しなく簡便に行える。
【００１７】積層膜を鉛ガラス表面に形成するには、前
記非水系有機溶媒にクロロシラン系界面活性剤溶かし、
これに膜を形成したい基板を浸積して化学反応を行わせ
た後洗浄せずに乾燥させるだけでよい。
記非水系有機溶媒にクロロシラン系界面活性剤溶かし、
これに膜を形成したい基板を浸積して化学反応を行わせ
た後洗浄せずに乾燥させるだけでよい。
【００１８】また、上記に示したクロロシラン系系面活
性剤のクロロシリル基（−ＳｉＣｌ）がメトキシ基（−
ＯＣＨ3）やエトキシ基（−ＯＣ2Ｈ5）に置換した分子
も鉛ガラスと共有結合して撥水・撥油性薄膜を形成する
ことができる。
性剤のクロロシリル基（−ＳｉＣｌ）がメトキシ基（−
ＯＣＨ3）やエトキシ基（−ＯＣ2Ｈ5）に置換した分子
も鉛ガラスと共有結合して撥水・撥油性薄膜を形成する
ことができる。
【００１９】鉛ガラスにＳｉ−Ｏ結合を介してフッ化炭
素鎖を含む撥水・撥油性薄膜を形成するための溶媒は、
どのような有機溶媒でも良く、例えばメタノール、エタ
ノール、パーフルオロオクタン、１、１ージクロロ、１
ーフルオロエタン、または１、１ージクロロ２、２、２
ートリフルオロエタン、または１、１ージクロロ、２、
２、３、３、３ーペンタフルオロプロパン、または１、
３ージクロロ、１、１、２、２、３ーペンタフルオロプ
ロパン、またはトリフッ化アルキルアミン、またはパー
フルオロフランおよびそのフッ化アルキル誘導体等のフ
ッ素系溶媒、例えばヘキサン、オクタン、ヘキサデカ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、例えばジブチ
ルエーテル、ジベンジルエーテル等のエーテル系溶媒、
例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢
酸アミル等のエステル系溶媒のいずれかが好ましい。
素鎖を含む撥水・撥油性薄膜を形成するための溶媒は、
どのような有機溶媒でも良く、例えばメタノール、エタ
ノール、パーフルオロオクタン、１、１ージクロロ、１
ーフルオロエタン、または１、１ージクロロ２、２、２
ートリフルオロエタン、または１、１ージクロロ、２、
２、３、３、３ーペンタフルオロプロパン、または１、
３ージクロロ、１、１、２、２、３ーペンタフルオロプ
ロパン、またはトリフッ化アルキルアミン、またはパー
フルオロフランおよびそのフッ化アルキル誘導体等のフ
ッ素系溶媒、例えばヘキサン、オクタン、ヘキサデカ
ン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、例えばジブチ
ルエーテル、ジベンジルエーテル等のエーテル系溶媒、
例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢
酸アミル等のエステル系溶媒のいずれかが好ましい。
【００２０】積層−膜を鉛ガラス表面に形成するには、
前記非水系有機溶媒にシラン系界面活性剤溶かし、これ
に膜を形成したい基板を浸積して化学反応を行わせた後
洗浄せずに乾燥させるだけでよい。
前記非水系有機溶媒にシラン系界面活性剤溶かし、これ
に膜を形成したい基板を浸積して化学反応を行わせた後
洗浄せずに乾燥させるだけでよい。
【００２１】以下、具体的な実施例を示す。 （実施例１）本実施例において用いた結晶化ガラスは、
直径が２２ｃｍ、厚さが５ｍｍである。この結晶化ガラ
スの組成を下記の表に示す。
直径が２２ｃｍ、厚さが５ｍｍである。この結晶化ガラ
スの組成を下記の表に示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】この結晶化ガラス上に上記の表で示した組
成を持つ鉛ガラスを以下の方法でコートした。すなわ
ち、表に示した組成比のガラス粉末、エチルセルロー
ス、及びアクリル樹脂をキシレンに溶解し、スクリーン
印刷法で結晶化ガラスに塗布する。これを８３０℃〜８
４０℃１０分間加熱し、有機物を除去した（燃焼によ
り、ＣＯ2やＨ2Ｏとなる）。
成を持つ鉛ガラスを以下の方法でコートした。すなわ
ち、表に示した組成比のガラス粉末、エチルセルロー
ス、及びアクリル樹脂をキシレンに溶解し、スクリーン
印刷法で結晶化ガラスに塗布する。これを８３０℃〜８
４０℃１０分間加熱し、有機物を除去した（燃焼によ
り、ＣＯ2やＨ2Ｏとなる）。
【００２４】結晶化ガラスにコートした鉛ガラスの膜厚
は約３ミクロンメートル、表面荒さ（凹部と凸部との
差）は０．３ミクロンメートルであった。結晶化ガラス
の表面荒さ（凹部と凸部との差）が１ミクロンであった
ので、鉛ガラス塗布により結晶化ガラスの表面荒さが低
減したことが分かる。
は約３ミクロンメートル、表面荒さ（凹部と凸部との
差）は０．３ミクロンメートルであった。結晶化ガラス
の表面荒さ（凹部と凸部との差）が１ミクロンであった
ので、鉛ガラス塗布により結晶化ガラスの表面荒さが低
減したことが分かる。
【００２５】次に、窒素雰囲気中で、この結晶化ガラス
をＣＦ3（ＣＦ2）7Ｃ2Ｈ4ＳｉＣｌ3が１％（体積比）溶
解したパーフルオロオクタンなかで２０分反応させた
（撥水・撥油性薄膜形成工程）後、溶液から取り出し、
２０分乾燥させた。その後、この結晶化ガラスを１０分
流水洗浄した（撥水・撥油性薄膜形成工程において発生
した塩酸を除去する目的）後、１００℃で２０分乾燥さ
せた。このようにして、結晶化ガラス上の鉛ガラス表面
に撥水・撥油性薄膜を形成した。この撥水・撥油性薄膜
の膜厚は約２０ｎｍであった。
をＣＦ3（ＣＦ2）7Ｃ2Ｈ4ＳｉＣｌ3が１％（体積比）溶
解したパーフルオロオクタンなかで２０分反応させた
（撥水・撥油性薄膜形成工程）後、溶液から取り出し、
２０分乾燥させた。その後、この結晶化ガラスを１０分
流水洗浄した（撥水・撥油性薄膜形成工程において発生
した塩酸を除去する目的）後、１００℃で２０分乾燥さ
せた。このようにして、結晶化ガラス上の鉛ガラス表面
に撥水・撥油性薄膜を形成した。この撥水・撥油性薄膜
の膜厚は約２０ｎｍであった。
【００２６】比較試料として、鉛ガラスのコートしてい
ない結晶化ガラスにも上記と同様の方法で撥水・撥油性
薄膜を形成した。
ない結晶化ガラスにも上記と同様の方法で撥水・撥油性
薄膜を形成した。
【００２７】これらの結晶化ガラスを３００℃のオーブ
ンに入れた後の、室温での純水の静的接触角の変化を調
べた結果を下記の表に示す。
ンに入れた後の、室温での純水の静的接触角の変化を調
べた結果を下記の表に示す。
【００２８】
【表２】
【００２９】この表から、鉛ガラスコートにより、結晶
化ガラス上の撥水・撥油薄膜の耐熱性が向上しているこ
とが分かる。なお、上記の静的接触角とは、図１に示す
θのことである。
化ガラス上の撥水・撥油薄膜の耐熱性が向上しているこ
とが分かる。なお、上記の静的接触角とは、図１に示す
θのことである。
【００３０】また、撥水・撥油性薄膜をコートした鉛ガ
ラスコート結晶化ガラス、及び、撥水・撥油性薄膜をコ
ートした結晶化ガラスをそれぞれ電磁調理器に組み込
み、この上に鍋を乗せてすき焼き調理を行った（図２、
３参照）。以後、電磁調理器に組み入れたこれらの結晶
化ガラスをトッププレートと記す。鍋には肉と砂糖醤油
を入れた。一回の調理時間を１０分間とし、調理後トッ
ププレートにこびりついた汚れを塗れ布巾で擦り取っ
た。擦り取る条件は、濡れ布巾への荷重を約２Ｋｇ・
重、拭き取り回数を２０往復とした。
ラスコート結晶化ガラス、及び、撥水・撥油性薄膜をコ
ートした結晶化ガラスをそれぞれ電磁調理器に組み込
み、この上に鍋を乗せてすき焼き調理を行った（図２、
３参照）。以後、電磁調理器に組み入れたこれらの結晶
化ガラスをトッププレートと記す。鍋には肉と砂糖醤油
を入れた。一回の調理時間を１０分間とし、調理後トッ
ププレートにこびりついた汚れを塗れ布巾で擦り取っ
た。擦り取る条件は、濡れ布巾への荷重を約２Ｋｇ・
重、拭き取り回数を２０往復とした。
【００３１】鉛ガラスをコートしていない結晶化ガラス
では、２０回目の調理ぐらいから布巾で擦っても汚れが
取れにくくなった。これに対し、鉛ガラスをコートした
結晶化ガラスでは、１００回調理た後でも汚れは簡単に
除去できた。
では、２０回目の調理ぐらいから布巾で擦っても汚れが
取れにくくなった。これに対し、鉛ガラスをコートした
結晶化ガラスでは、１００回調理た後でも汚れは簡単に
除去できた。
【００３２】以上のように、結晶化ガラスに鉛ガラスを
コートし、その上に鉛ガラスと共有結合する撥水・撥油
性薄膜を形成することにより、防汚性、耐熱性に優れた
トッププレートを持つ電磁調理器を実現することができ
た。
コートし、その上に鉛ガラスと共有結合する撥水・撥油
性薄膜を形成することにより、防汚性、耐熱性に優れた
トッププレートを持つ電磁調理器を実現することができ
た。
【００３３】すなわち、本発明によれば、第１に、結晶
化ガラスの表面に鉛ガラスを薄く形成することにより、
ガラスの表面が平坦化されるため（図４参照）、油等の
汚れが付着しにくくなる。そして第２に、結晶化ガラス
中に含有されるリチウムイオン等のアルカリイオンが撥
水・撥油性薄膜のＳｉ−Ｏ結合にアタックするのを鉛ガ
ラスによりブロックすることができるため、撥水・撥油
性薄膜の耐久性を向上させることができる。さらに第３
に鉛ガラスという耐熱性に劣るガラスを使用しているも
のの、その厚みは薄く、結晶化ガラスがトッププレート
のほとんどを構成しているため、この結晶化ガラスの耐
熱性の良さを最大限に利用することができる。
化ガラスの表面に鉛ガラスを薄く形成することにより、
ガラスの表面が平坦化されるため（図４参照）、油等の
汚れが付着しにくくなる。そして第２に、結晶化ガラス
中に含有されるリチウムイオン等のアルカリイオンが撥
水・撥油性薄膜のＳｉ−Ｏ結合にアタックするのを鉛ガ
ラスによりブロックすることができるため、撥水・撥油
性薄膜の耐久性を向上させることができる。さらに第３
に鉛ガラスという耐熱性に劣るガラスを使用しているも
のの、その厚みは薄く、結晶化ガラスがトッププレート
のほとんどを構成しているため、この結晶化ガラスの耐
熱性の良さを最大限に利用することができる。
【００３４】また、本実施例においては、１％のＬｉＯ
2を含む鉛ガラスを用いているため、ＬｉＯ2が０％のも
のに比べて溶解時にガラスの粘性が低くなり、結晶化ガ
ラスにコートしたとき表面凹凸が小さくなるという利点
がある。
2を含む鉛ガラスを用いているため、ＬｉＯ2が０％のも
のに比べて溶解時にガラスの粘性が低くなり、結晶化ガ
ラスにコートしたとき表面凹凸が小さくなるという利点
がある。
【００３５】また、本実施例においては、撥水・撥油性
薄膜は積層膜を形成しており、ピンホールが少なく防汚
性に優れた膜となる。
薄膜は積層膜を形成しており、ピンホールが少なく防汚
性に優れた膜となる。
【００３６】（実施例２）実施例１と同様に鉛ガラスが
コートされた結晶化ガラスに撥水・撥油性薄膜を形成し
た。但し、撥水・撥油性薄膜の形成は以下のように行っ
た。
コートされた結晶化ガラスに撥水・撥油性薄膜を形成し
た。但し、撥水・撥油性薄膜の形成は以下のように行っ
た。
【００３７】ＣＦ3（ＣＦ2）7Ｃ2Ｈ4（ＯＣＨ3）3が５
％（体積比）溶解したパーフルオロオクタンに上記結晶
化ガラスを２０分浸漬したのち、溶液から取り出し２０
分乾燥させた後、純水で流水洗浄を１０分行った。その
後、１５０℃で２０分乾燥させた。
％（体積比）溶解したパーフルオロオクタンに上記結晶
化ガラスを２０分浸漬したのち、溶液から取り出し２０
分乾燥させた後、純水で流水洗浄を１０分行った。その
後、１５０℃で２０分乾燥させた。
【００３８】これらの結晶化ガラスを３００℃のオーブ
ンに入れ、純水の静的接触角の変化を調べた結果を下記
の表に示す。
ンに入れ、純水の静的接触角の変化を調べた結果を下記
の表に示す。
【００３９】
【表３】
【００４０】この表から、鉛ガラスコートにより、結晶
化ガラス上の撥水・撥油薄膜の耐熱性が向上しているこ
とが分かる。
化ガラス上の撥水・撥油薄膜の耐熱性が向上しているこ
とが分かる。
【００４１】また、実施例１と同様に撥水・撥油性薄膜
をコートした鉛ガラスコート結晶化ガラスを電磁調理器
に組み込み、この上に鍋を乗せてすき焼き調理を行い防
汚性能を評価した。
をコートした鉛ガラスコート結晶化ガラスを電磁調理器
に組み込み、この上に鍋を乗せてすき焼き調理を行い防
汚性能を評価した。
【００４２】その結果、この鉛ガラスをコートした結晶
化ガラスでは、１００回調理た後でも汚れは簡単に除去
できた。
化ガラスでは、１００回調理た後でも汚れは簡単に除去
できた。
【００４３】本実施例においては、メトキシリラン系界
面活性剤を用いて撥水・撥油性薄膜を形成しているの
で、大気中でも膜形成が行えるので、特殊な装置もいら
ず簡単に薄膜が形成できる。
面活性剤を用いて撥水・撥油性薄膜を形成しているの
で、大気中でも膜形成が行えるので、特殊な装置もいら
ず簡単に薄膜が形成できる。
【００４４】
【発明の効果】以上のように本発明の電磁調理器は、ト
ッププレートを構成する結晶化ガラスに含まれるアルカ
リイオンが表面に拡散するのを鉛ガラスによりブロック
し、さらに、前記結晶化ガラスの凹凸を低減する厚さが
１ミクロン以上５ミクロン以下の膜厚の鉛ガラスが前記
結晶化ガラスにコートされ、前記鉛ガラス上にフッ化炭
素鎖を含む分子が共有結合した撥水・撥油性薄膜が形成
されているため、トッププレートに汚れが焦げ付かずお
手入れが簡単で、防汚性が永続的に続く耐久性に優れた
ものである。
ッププレートを構成する結晶化ガラスに含まれるアルカ
リイオンが表面に拡散するのを鉛ガラスによりブロック
し、さらに、前記結晶化ガラスの凹凸を低減する厚さが
１ミクロン以上５ミクロン以下の膜厚の鉛ガラスが前記
結晶化ガラスにコートされ、前記鉛ガラス上にフッ化炭
素鎖を含む分子が共有結合した撥水・撥油性薄膜が形成
されているため、トッププレートに汚れが焦げ付かずお
手入れが簡単で、防汚性が永続的に続く耐久性に優れた
ものである。
【００４５】また、本発明の撥水・撥油性薄膜の膜厚は
１００ｎｍ以下にできるので、薄膜をコートしても鉛ガ
ラスの凹凸を増加させることがなく防汚性がすぐれたも
のとなる。さらに、この薄膜は透明であるので、トップ
プレートの色や艶等の素地感を保ったままこのトッププ
レートに防汚性を付与できる。
１００ｎｍ以下にできるので、薄膜をコートしても鉛ガ
ラスの凹凸を増加させることがなく防汚性がすぐれたも
のとなる。さらに、この薄膜は透明であるので、トップ
プレートの色や艶等の素地感を保ったままこのトッププ
レートに防汚性を付与できる。
【図１】水の静的接触角を示す図
【図２】本発明の電磁調理器の概略図
【図３】本発明の電磁調理器のトッププレートの断面図
【図４】本発明の電磁調理器のトッププレートの断面図
【図５】従来の電磁調理器の概略図
【図６】従来の電磁調理器のトッププレートの断面図
【図７】本発明の撥水・撥油性薄膜の概略図
１ 電磁調理器本体 ２ トッププレート ３ 結晶化ガラス ４ 鉛ガラス ５ 撥水・撥油性薄膜 １１ トッププレート １２ 鍋
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 麻植 淳 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】トッププレートが主に結晶化ガラスから構
成される電磁調理器であって、前記結晶化ガラスに含有
されるアルカリイオンが表面に拡散するのをブロックす
るとともに前記結晶化ガラスの凹凸を低減する鉛ガラス
が前記結晶化ガラス上にコートされ、さらに前記鉛ガラ
ス上にフッ化炭素鎖を含む分子が共有結合した撥水・撥
油性薄膜が形成されていることを特徴とする電磁調理
器。 - 【請求項２】鉛ガラスの厚みが１ミクロン以上５ミクロ
ン以下であることを特徴とする請求項１に記載の電磁調
理器。 - 【請求項３】鉛ガラスがＬｉ2Ｏ、ＰｂＯ、Ｂ2Ｏ3、Ｓ
ｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、及びＴｉＯ2を含有し、前
記ＬｉＯ2の重量比が１％以下であることを特徴とする
請求項１または２に記載の電磁調理器。 - 【請求項４】フッ化炭素鎖を含む分子と鉛ガラスとの間
の共有結合がＳｉ−Ｏであることを特徴とする請求項１
〜３いずれかに記載の電磁調理器。 - 【請求項５】撥水・撥油性薄膜が積層膜であることを特
徴とする請求項１〜４いずれかに記載の電磁調理器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56796A JPH09190878A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 電磁調理器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56796A JPH09190878A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 電磁調理器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09190878A true JPH09190878A (ja) | 1997-07-22 |
Family
ID=11477298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56796A Pending JPH09190878A (ja) | 1996-01-08 | 1996-01-08 | 電磁調理器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09190878A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003217811A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Narumi China Corp | 調理器用トッププレート |
| JP2003297540A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加熱調理器 |
| JP2006143524A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐熱防汚基板およびこれを用いた加熱調理機器 |
-
1996
- 1996-01-08 JP JP56796A patent/JPH09190878A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003217811A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Narumi China Corp | 調理器用トッププレート |
| JP2003297540A (ja) * | 2002-04-02 | 2003-10-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 加熱調理器 |
| JP2006143524A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 耐熱防汚基板およびこれを用いた加熱調理機器 |
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