JPH09181549A - 積層ｌｃバンドパスフィルタ - Google Patents
積層ｌｃバンドパスフィルタInfo
- Publication number
- JPH09181549A JPH09181549A JP35044695A JP35044695A JPH09181549A JP H09181549 A JPH09181549 A JP H09181549A JP 35044695 A JP35044695 A JP 35044695A JP 35044695 A JP35044695 A JP 35044695A JP H09181549 A JPH09181549 A JP H09181549A
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- Japan
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- inductor
- pass filter
- conductor pattern
- laminated
- capacitor
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Filters And Equalizers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で、任意の特性を得られるバンドパスフ
ィルタを積層体によって実現する。 【解決手段】 誘電体セラミック積層体の内部に、イン
ダクタンス素子用導体パターンと容量素子用導体パター
ンとによって、ローパスフィルタとハイパスフィルタを
構成する。この二つのフィルタを直列に接続してバンド
パス特性を得る。導体パターンによって素子のインダク
タンス値、容量値を変えることによって所望の特性を得
る。
ィルタを積層体によって実現する。 【解決手段】 誘電体セラミック積層体の内部に、イン
ダクタンス素子用導体パターンと容量素子用導体パター
ンとによって、ローパスフィルタとハイパスフィルタを
構成する。この二つのフィルタを直列に接続してバンド
パス特性を得る。導体パターンによって素子のインダク
タンス値、容量値を変えることによって所望の特性を得
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＧＨｚ帯通信機等のバ
ンドパスフィルタ等に適した積層ＬＣバンドパスフィル
タに関するものである。
ンドパスフィルタ等に適した積層ＬＣバンドパスフィル
タに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】通信機等において使用される周波数帯域
も高周波の領域に移行しており、ＧＨｚ帯に適した回路
や回路素子の要求が高まっている。フィルタ、トラップ
等として利用されるＬＣフィルタの分野でも高周波化と
ともに小型化に対応する素子の要求が高まっている。
も高周波の領域に移行しており、ＧＨｚ帯に適した回路
や回路素子の要求が高まっている。フィルタ、トラップ
等として利用されるＬＣフィルタの分野でも高周波化と
ともに小型化に対応する素子の要求が高まっている。
【０００３】このような要求に対して各種のＬＣフィル
タが提案されており、ＧＨｚ帯で使用可能なものも製品
化されている。しかし、これまでのものでは、 4.5mm×
3.2mmのサイズまでしか実現されていない。この分野に
おいては、 3.2mm× 1.6mmあるいはそれ以下のサイズの
要求も高まっている。
タが提案されており、ＧＨｚ帯で使用可能なものも製品
化されている。しかし、これまでのものでは、 4.5mm×
3.2mmのサイズまでしか実現されていない。この分野に
おいては、 3.2mm× 1.6mmあるいはそれ以下のサイズの
要求も高まっている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、移動体通信
等の高周波帯域の小電力用の素子として利用可能で、き
わめて小型の積層ＬＣバンドパスフィルタを提供するも
のである。
等の高周波帯域の小電力用の素子として利用可能で、き
わめて小型の積層ＬＣバンドパスフィルタを提供するも
のである。
【０００５】また、集中定数回路の回路構成により、回
路定数の設定も容易で、設計も容易な積層ＬＣバンドパ
スフィルタを提供するものである。
路定数の設定も容易で、設計も容易な積層ＬＣバンドパ
スフィルタを提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、積層体内に単
層のインダクタ用導体パターンを形成し、これと一体に
コンデンサ用導体パターンを形成して、ハイパスフィル
タとローパスフィルタを構成し、これを直列に接続する
ことによって、上記の課題を解決するものである。
層のインダクタ用導体パターンを形成し、これと一体に
コンデンサ用導体パターンを形成して、ハイパスフィル
タとローパスフィルタを構成し、これを直列に接続する
ことによって、上記の課題を解決するものである。
【０００７】すなわち、絶縁体の積層体内に、直列接続
された二組の対向するコンデンサ用導体パターンと、一
端がそれらの中間に接続されて他端が接地されるインダ
クタ用導体パターンとによって構成されるハイパスフィ
ルタと、インダクタ用導体パターンと、その両端に接続
されて他端がそれぞれ接地される二組の対向するコンデ
ンサ用導体パターンとによって構成されるローパスフィ
ルタとを具え、これらのローパスフィルタとハイパスフ
ィルタを直列に接続することに特徴を有するものであ
る。
された二組の対向するコンデンサ用導体パターンと、一
端がそれらの中間に接続されて他端が接地されるインダ
クタ用導体パターンとによって構成されるハイパスフィ
ルタと、インダクタ用導体パターンと、その両端に接続
されて他端がそれぞれ接地される二組の対向するコンデ
ンサ用導体パターンとによって構成されるローパスフィ
ルタとを具え、これらのローパスフィルタとハイパスフ
ィルタを直列に接続することに特徴を有するものであ
る。
【０００８】
【発明の実施の態様】直列に接続されたコンデンサと並
列に接続されて接地されたインダクタとによってハイパ
スフィルタを構成し、インダクタとそのの両端に接続さ
れて接地されたコンデンサとによってローパスフィルタ
を構成する。この二つのフィルタを直列に接続すること
によって通過帯域を設定し、所望の通過帯域特性を得
る。ハイパスフィルタのインダクタに直列にコンデンサ
を付加し、またローパスフィルタのインダクタに並列に
コンデンサを付加し、これらの回路定数によって通過帯
域特性を任意に設定することができる。
列に接続されて接地されたインダクタとによってハイパ
スフィルタを構成し、インダクタとそのの両端に接続さ
れて接地されたコンデンサとによってローパスフィルタ
を構成する。この二つのフィルタを直列に接続すること
によって通過帯域を設定し、所望の通過帯域特性を得
る。ハイパスフィルタのインダクタに直列にコンデンサ
を付加し、またローパスフィルタのインダクタに並列に
コンデンサを付加し、これらの回路定数によって通過帯
域特性を任意に設定することができる。
【０００９】積層体の層間に形成された各素子の導体パ
ターンは積層体の端面に形成される端子電極によって接
続され、また外部回路と接続される。各素子の導体パタ
ーンの面積や長さによって回路定数を任意に設定するこ
とができる。
ターンは積層体の端面に形成される端子電極によって接
続され、また外部回路と接続される。各素子の導体パタ
ーンの面積や長さによって回路定数を任意に設定するこ
とができる。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
【００１１】図１は、本発明による積層ＬＣバンドパス
フィルタの等価回路図を示す。容量Ｃ1 、Ｃ2 を直列に
接続し、その中間にインダクタンスＬ2 を接続して接地
し、ハイパスフィルタ10を構成する。この例では、イン
ダクタンスＬ2 に容量Ｃ3 を直列に接続している。イン
ダクタンスＬ5 の両端に容量Ｃ4 、Ｃ6 を接続して接地
し、ローパスフィルタ12を構成する。この例では、イン
ダクタンスＬ5 に並列に容量Ｃ5 を接続している。
フィルタの等価回路図を示す。容量Ｃ1 、Ｃ2 を直列に
接続し、その中間にインダクタンスＬ2 を接続して接地
し、ハイパスフィルタ10を構成する。この例では、イン
ダクタンスＬ2 に容量Ｃ3 を直列に接続している。イン
ダクタンスＬ5 の両端に容量Ｃ4 、Ｃ6 を接続して接地
し、ローパスフィルタ12を構成する。この例では、イン
ダクタンスＬ5 に並列に容量Ｃ5 を接続している。
【００１２】上記の回路構成のそれぞれの素子の回路定
数を次のように設定してフィルタを得た。 Ｃ1 、Ｃ2 1.43pF Ｃ3 1.09pF Ｌ2 11.48nH Ｃ4 、Ｃ6 1.11pF Ｌ5 1.69nH Ｃ5 2.62pF
数を次のように設定してフィルタを得た。 Ｃ1 、Ｃ2 1.43pF Ｃ3 1.09pF Ｌ2 11.48nH Ｃ4 、Ｃ6 1.11pF Ｌ5 1.69nH Ｃ5 2.62pF
【００１３】上記の回路定数の積層ＬＣバンドパスフィ
ルタは図２に示したように、1.9GHz帯の通過帯域特性が
得られた。
ルタは図２に示したように、1.9GHz帯の通過帯域特性が
得られた。
【００１４】図３は、本発明の実施例を示す分解斜視図
である。誘電率が５程度の非磁性体の絶縁体材料をシー
ト積層によって積層するように示してあるが、印刷法に
よって導体パターンと絶縁体とを交互に積層してもよ
い。なお、実際には上下に誘電体の保護層を形成する
が、図では省略してある。絶縁体11ａにはコンデンサ用
導体パターンが形成してあり、この導体パターンは接地
される。絶縁体11ｂにはこの導体パターンに対向するコ
ンデンサ用導体パターンが形成される。これによって図
１の容量Ｃ2 が得られる。
である。誘電率が５程度の非磁性体の絶縁体材料をシー
ト積層によって積層するように示してあるが、印刷法に
よって導体パターンと絶縁体とを交互に積層してもよ
い。なお、実際には上下に誘電体の保護層を形成する
が、図では省略してある。絶縁体11ａにはコンデンサ用
導体パターンが形成してあり、この導体パターンは接地
される。絶縁体11ｂにはこの導体パターンに対向するコ
ンデンサ用導体パターンが形成される。これによって図
１の容量Ｃ2 が得られる。
【００１５】絶縁体11ｃにはインダクタンスを得る導体
パターンが形成される。この導体パターンはインダクタ
ンス値を大きくするときには２層以上に跨がって周回す
る導体パターンとしてもよい。またつづら折れ（ミアン
ダ）状に形成してもよい。絶縁体11ｄにはコンデンサ用
導体パターンが形成され、それと対向する導体パターン
が絶縁体11ｅに形成され、これらによって図１の容量Ｃ
1 が構成される。絶縁体11ｅの導体パターンは絶縁体11
ｃのインダクタ用の導体パターンと接続される。絶縁体
11ｆには絶縁体11ｅの導体パターンと対向する導体パタ
ーンが形成され、これらによって容量Ｃ3 が構成され
る。ここまでの積層体によってハイパスフィルタが構成
される。
パターンが形成される。この導体パターンはインダクタ
ンス値を大きくするときには２層以上に跨がって周回す
る導体パターンとしてもよい。またつづら折れ（ミアン
ダ）状に形成してもよい。絶縁体11ｄにはコンデンサ用
導体パターンが形成され、それと対向する導体パターン
が絶縁体11ｅに形成され、これらによって図１の容量Ｃ
1 が構成される。絶縁体11ｅの導体パターンは絶縁体11
ｃのインダクタ用の導体パターンと接続される。絶縁体
11ｆには絶縁体11ｅの導体パターンと対向する導体パタ
ーンが形成され、これらによって容量Ｃ3 が構成され
る。ここまでの積層体によってハイパスフィルタが構成
される。
【００１６】絶縁体11ｇと絶縁体11ｈの対向する導体パ
ターンによって容量Ｃ5 が構成される。絶縁体11ｉの導
体パターンはインダクタ用の導体パターンでその両端
は、絶縁体11ｇ、11ｈの導体パターンと接続されてＬＣ
並列共振回路を構成する。また、このインダクタ用導体
パターンの両端と絶縁体11ｊに形成された２つの導体パ
ターンと接続される。絶縁体11ｊに形成された２つの導
体パターンは絶縁体11ｋに形成された導体パターンと対
向して容量Ｃ4 、Ｃ6 を構成する。これによってローパ
スフィルタが形成される。
ターンによって容量Ｃ5 が構成される。絶縁体11ｉの導
体パターンはインダクタ用の導体パターンでその両端
は、絶縁体11ｇ、11ｈの導体パターンと接続されてＬＣ
並列共振回路を構成する。また、このインダクタ用導体
パターンの両端と絶縁体11ｊに形成された２つの導体パ
ターンと接続される。絶縁体11ｊに形成された２つの導
体パターンは絶縁体11ｋに形成された導体パターンと対
向して容量Ｃ4 、Ｃ6 を構成する。これによってローパ
スフィルタが形成される。
【００１７】上記の絶縁体11ａ〜11ｋを積層して上下に
保護層の絶縁体層を重ねて積層体を得てこれを焼成す
る。そして、端面に導体ペーストを塗布、焼付けして端
子電極を形成する。この端子電極は、入出力端子、接地
端子となる外、積層体の内部の導体パターンを接続する
役割を果たす。図３に示した例では長辺側の端面にそれ
ぞれ３個の端子電極を形成する。
保護層の絶縁体層を重ねて積層体を得てこれを焼成す
る。そして、端面に導体ペーストを塗布、焼付けして端
子電極を形成する。この端子電極は、入出力端子、接地
端子となる外、積層体の内部の導体パターンを接続する
役割を果たす。図３に示した例では長辺側の端面にそれ
ぞれ３個の端子電極を形成する。
【００１８】積層ＬＣバンドパスフィルタによって得る
通過帯域特性に応じて、積層体内部に形成されるインダ
クタンス、容量の値を選択する。インダクタンスは導体
パターンの幅と長さによって設定することができ、容量
は導体パターンの対向面積によって設定する。
通過帯域特性に応じて、積層体内部に形成されるインダ
クタンス、容量の値を選択する。インダクタンスは導体
パターンの幅と長さによって設定することができ、容量
は導体パターンの対向面積によって設定する。
【００１９】
【発明の効果】本発明によれば、移動体通信等に有用な
ＬＣバンドパスフィルタが小型で実現できる。積層一体
構造であるので、安定した特性が得られる。
ＬＣバンドパスフィルタが小型で実現できる。積層一体
構造であるので、安定した特性が得られる。
【００２０】また、素子の特性を任意に選択することに
よって、所望の特性のＬＣバンドパスフィルタを得るこ
とが容易となる。
よって、所望の特性のＬＣバンドパスフィルタを得るこ
とが容易となる。
【図１】 本発明による積層ＬＣバンドパスフィルタの
等価回路図
等価回路図
【図２】 本発明による積層ＬＣバンドパスフィルタの
特性の説明図
特性の説明図
【図３】 本発明の実施例の斜視図
10：ハイパスフィルタ 12：ローパスフィルタ 11：絶縁体
Claims (5)
- 【請求項１】 絶縁体の積層体内に、直列接続された二
組の対向するコンデンサ用導体パターンと、一端がそれ
らの中間に接続されて他端が接地されるインダクタ用導
体パターンとによって構成されるハイパスフィルタと、
インダクタ用導体パターンと、その両端に接続されて他
端がそれぞれ接地される二組の対向するコンデンサ用導
体パターンとによって構成されるローパスフィルタとを
具え、これらのローパスフィルタとハイパスフィルタを
直列に接続してなる積層ＬＣバンドパスフィルタ。 - 【請求項２】 絶縁体の積層体内に、直列接続された二
組の対向するコンデンサ用導体パターンと、一端がそれ
らの中間に接続されて他端が対向するコンデンサ用電極
を介して接地されるインダクタ用導体パターンとによっ
て構成されるハイパスフィルタと、インダクタ用導体パ
ターンと、その両端に接続されて他端がそれぞれ接地さ
れる二組の対向するコンデンサ用導体パターンとによっ
て構成されるローパスフィルタとを具え、これらのロー
パスフィルタとハイパスフィルタを直列に接続してなる
積層ＬＣバンドパスフィルタ。 - 【請求項３】 絶縁体の積層体内に、直列接続された二
組の対向するコンデンサ用導体パターンと、一端がそれ
らの中間に接続されて他端が接地されるインダクタ用導
体パターンとによって構成されるハイパスフィルタと、
インダクタ用導体パターンと並列に接続された対向する
コンデンサ用導体パターンと、それらの両端に接続され
て他端がそれぞれ接地される二組の対向するコンデンサ
用導体パターンとによって構成されるローパスフィルタ
とを具え、これらのローパスフィルタとハイパスフィル
タを直列に接続してなる積層ＬＣバンドパスフィルタ。 - 【請求項４】 インダクタ用導体パターンが直線状また
はつづら折れ状に形成された請求項１、請求項２または
請求項３記載の積層ＬＣバンドパスフィルタ。 - 【請求項５】 インダクタ用導体パターンが絶縁体層の
上下面に跨がって周回するように形成された請求項１、
請求項２または請求項３記載の積層ＬＣバンドパスフィ
ルタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35044695A JP3219670B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 積層ｌｃバンドパスフィルタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35044695A JP3219670B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 積層ｌｃバンドパスフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181549A true JPH09181549A (ja) | 1997-07-11 |
| JP3219670B2 JP3219670B2 (ja) | 2001-10-15 |
Family
ID=18410555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35044695A Expired - Fee Related JP3219670B2 (ja) | 1995-12-22 | 1995-12-22 | 積層ｌｃバンドパスフィルタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3219670B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010076253A (ko) * | 2000-01-19 | 2001-08-11 | 이데이 노부유끼 | 위성 튜너의 입력회로 |
| WO2006025179A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | バンドパスフィルタ |
| JP2008527808A (ja) * | 2005-01-04 | 2008-07-24 | Ｔｄｋ株式会社 | バンドパスフィルタ構造を用いたマルチプレクサ |
| US10340887B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band pass filter and filter module |
| US11736083B2 (en) | 2021-03-09 | 2023-08-22 | Tdk Corporation | Multilayered filter device |
| US11757424B2 (en) | 2021-03-09 | 2023-09-12 | Tdk Corporation | Band-pass filter |
-
1995
- 1995-12-22 JP JP35044695A patent/JP3219670B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010076253A (ko) * | 2000-01-19 | 2001-08-11 | 이데이 노부유끼 | 위성 튜너의 입력회로 |
| WO2006025179A1 (ja) * | 2004-09-01 | 2006-03-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | バンドパスフィルタ |
| JP2008527808A (ja) * | 2005-01-04 | 2008-07-24 | Ｔｄｋ株式会社 | バンドパスフィルタ構造を用いたマルチプレクサ |
| US7606184B2 (en) | 2005-01-04 | 2009-10-20 | Tdk Corporation | Multiplexers employing bandpass-filter architectures |
| US10340887B2 (en) | 2014-07-25 | 2019-07-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Band pass filter and filter module |
| US11736083B2 (en) | 2021-03-09 | 2023-08-22 | Tdk Corporation | Multilayered filter device |
| US11757424B2 (en) | 2021-03-09 | 2023-09-12 | Tdk Corporation | Band-pass filter |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3219670B2 (ja) | 2001-10-15 |
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