JPH09181351A - アバランシェ・フォトダイオード - Google Patents
アバランシェ・フォトダイオードInfo
- Publication number
- JPH09181351A JPH09181351A JP7340362A JP34036295A JPH09181351A JP H09181351 A JPH09181351 A JP H09181351A JP 7340362 A JP7340362 A JP 7340362A JP 34036295 A JP34036295 A JP 34036295A JP H09181351 A JPH09181351 A JP H09181351A
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- Japan
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- light absorption
- refractive index
- inalgaas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】光伝送システムの高速・大容量化に向け、高量
子効率と高速応答性が同時に得られる高感度なアバラン
シェ・フォトダイオードを提供する。 【解決手段】ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６とＩｎＡｌＡｓ
クラッド層２２，２８の中間的な屈折率を有する第２コ
ア層２３，２７（Ｉｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）あるいはＩｎ1-x-yＡｌxＧａyＡｓ(０
≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の少なくとも一方）でＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層２６，ＩｎＧａＡｌＡｓ電界緩和層２５お
よびＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増
倍層２４を挟み、導波路構造を有するアバランシェ・フ
ォトダイオード。
子効率と高速応答性が同時に得られる高感度なアバラン
シェ・フォトダイオードを提供する。 【解決手段】ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６とＩｎＡｌＡｓ
クラッド層２２，２８の中間的な屈折率を有する第２コ
ア層２３，２７（Ｉｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y（０≦ｘ≦
１，０≦ｙ≦１）あるいはＩｎ1-x-yＡｌxＧａyＡｓ(０
≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の少なくとも一方）でＩｎＧａ
Ａｓ光吸収層２６，ＩｎＧａＡｌＡｓ電界緩和層２５お
よびＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増
倍層２４を挟み、導波路構造を有するアバランシェ・フ
ォトダイオード。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高速・大容量光伝
送システム等に用いられるアバランシェ・フォトダイオ
ード（ＡＰＤ）に関する。
送システム等に用いられるアバランシェ・フォトダイオ
ード（ＡＰＤ）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報伝達の高速化，多様化を背景
に光伝送分野においても高速化，大容量化が進められて
いる。この高速・大容量の光伝送システムを構成するに
は高速かつ高量子効率の半導体受光素子が必要である。
に光伝送分野においても高速化，大容量化が進められて
いる。この高速・大容量の光伝送システムを構成するに
は高速かつ高量子効率の半導体受光素子が必要である。
【０００３】アバランシェ・フォトダイオード（ＡＰ
Ｄ）は素子自身に増倍作用を有するもので、低雑音高感
度な受光素子として広く知られている。その中でアバラ
ンシェ増倍層に超格子構造を用いたＡＰＤは高利得帯域
幅（ＧＢ）積化、すなわち、高速・高感度化が可能であ
る。IEEE J.Quantum Electron.,Vol.２９，pp１３８７
−１３９２（１９９３）では、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＡ
ｌＡｓ超格子構造を用いたＡＰＤにおいて、波長１.５
５μｍ で遮断周波数１７ＧＨｚ，量子効率５８％が報
告されている。しかし高速化を図る上ではキャリアの走
行時間の短縮が必須であり、このような面入射型のＡＰ
Ｄでは、キャリアの走行時間制限による遮断周波数と量
子効率の間にトレードオフの関係があるため、キャリア
走行時間短縮による光吸収層の薄膜化が、量子効率を劣
化させてしまう問題があった。
Ｄ）は素子自身に増倍作用を有するもので、低雑音高感
度な受光素子として広く知られている。その中でアバラ
ンシェ増倍層に超格子構造を用いたＡＰＤは高利得帯域
幅（ＧＢ）積化、すなわち、高速・高感度化が可能であ
る。IEEE J.Quantum Electron.,Vol.２９，pp１３８７
−１３９２（１９９３）では、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＡ
ｌＡｓ超格子構造を用いたＡＰＤにおいて、波長１.５
５μｍ で遮断周波数１７ＧＨｚ，量子効率５８％が報
告されている。しかし高速化を図る上ではキャリアの走
行時間の短縮が必須であり、このような面入射型のＡＰ
Ｄでは、キャリアの走行時間制限による遮断周波数と量
子効率の間にトレードオフの関係があるため、キャリア
走行時間短縮による光吸収層の薄膜化が、量子効率を劣
化させてしまう問題があった。
【０００４】特開平4−241473 号公報では、遮断周波数
と量子効率の間のトレードオフ関係を解消する方法とし
て、超格子構造を用いたアバランシェ増倍層が導波路構
造の一部をなす端面入射型のＡＰＤが提案されている。
と量子効率の間のトレードオフ関係を解消する方法とし
て、超格子構造を用いたアバランシェ増倍層が導波路構
造の一部をなす端面入射型のＡＰＤが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述の導波路
構造を有する超格子ＡＰＤでは、導波路長が１００μｍ
程度と大きく、光吸収層をメサ構造下にプレーナ状に構
成しているので素子容量の低減が困難である。よって、
遮断周波数は１０ＧＨｚ程度と制限されてしまう。ま
た、光導波路構造の光閉じ込めが強いため、光ファイバ
との結合損失によって外部量子効率が劣化してしまう欠
点を有する。
構造を有する超格子ＡＰＤでは、導波路長が１００μｍ
程度と大きく、光吸収層をメサ構造下にプレーナ状に構
成しているので素子容量の低減が困難である。よって、
遮断周波数は１０ＧＨｚ程度と制限されてしまう。ま
た、光導波路構造の光閉じ込めが強いため、光ファイバ
との結合損失によって外部量子効率が劣化してしまう欠
点を有する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、上記課題を
解決するため、図２に示すように、光吸収層２６とクラ
ッド層２２，２８の中間的な屈折率を有する第２コア層
２３，２７（Ｉｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y（０≦ｘ≦１，０
≦ｙ≦１)あるいはIn1-x-yAlxGayAs（０≦ｘ≦１，０≦
ｙ≦１）の少なくとも一方）で光吸収層２６，電界緩和
層２５および超格子アバランシェ増倍層２４を挟むこと
により光導波路を多モード化する。
解決するため、図２に示すように、光吸収層２６とクラ
ッド層２２，２８の中間的な屈折率を有する第２コア層
２３，２７（Ｉｎ1-xＧａxＡｓyＰ1-y（０≦ｘ≦１，０
≦ｙ≦１)あるいはIn1-x-yAlxGayAs（０≦ｘ≦１，０≦
ｙ≦１）の少なくとも一方）で光吸収層２６，電界緩和
層２５および超格子アバランシェ増倍層２４を挟むこと
により光導波路を多モード化する。
【０００７】第２コア層２３，２７の少なくとも一方の
屈折率を、超格子アバランシェ増倍層２４の屈折率と同
程度もしくはそれよりも小さくする。
屈折率を、超格子アバランシェ増倍層２４の屈折率と同
程度もしくはそれよりも小さくする。
【０００８】積層方向に、光吸収層２６からクラッド層
２２，２８までの屈折率分布が光吸収層２６の中心で対
称となる構造にする。
２２，２８までの屈折率分布が光吸収層２６の中心で対
称となる構造にする。
【０００９】光吸収層２６，電界緩和層２５および超格
子アバランシェ増倍層２４を含む、一方の第２コア層２
３から他方の第２コア層２７までの全膜厚を１μｍ以上
とする。
子アバランシェ増倍層２４を含む、一方の第２コア層２
３から他方の第２コア層２７までの全膜厚を１μｍ以上
とする。
【００１０】光吸収層２６をメサ構造の一部に含み、図
１に示すような光導波路１２の幅が５μｍ以下、または
長さが２５μｍ以下とする。
１に示すような光導波路１２の幅が５μｍ以下、または
長さが２５μｍ以下とする。
【００１１】本発明では、光吸収層とクラッド層の中間
的な屈折率を有する第２コア層（Ｉｎ1-xＧａxＡｓyＰ
1-y（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１)あるいはIn1-x-yAlxGayA
s（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の少なくとも一方）で光
吸収層，電界緩和層および超格子アバランシェ増倍層を
挟み、光導波路を多モード化する。これにより、スポッ
トサイズの拡大が図られ、光ファイバとの結合効率の向
上を図ることができる。
的な屈折率を有する第２コア層（Ｉｎ1-xＧａxＡｓyＰ
1-y（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１)あるいはIn1-x-yAlxGayA
s（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の少なくとも一方）で光
吸収層，電界緩和層および超格子アバランシェ増倍層を
挟み、光導波路を多モード化する。これにより、スポッ
トサイズの拡大が図られ、光ファイバとの結合効率の向
上を図ることができる。
【００１２】第２コア層の少なくとも一方の屈折率を、
超格子アバランシェ増倍層の屈折率と同程度もしくはそ
れよりも小さくする。さらに積層方向に、光吸収層２６
からクラッド層２２，２８までの屈折率分布が光吸収層
２６の中心で対称となる構造にする。
超格子アバランシェ増倍層の屈折率と同程度もしくはそ
れよりも小さくする。さらに積層方向に、光吸収層２６
からクラッド層２２，２８までの屈折率分布が光吸収層
２６の中心で対称となる構造にする。
【００１３】図２に、二つの第２コア層の屈折率が超格
子アバランシェ増倍層と同程度であり、かつその屈折率
が対称である場合の断面構造，屈折率分布および導波光
強度の関係を示す。ｎ−ＩｎＰ基板２１上に、ｎ−Ｉｎ
ＡｌＡｓ下部クラッド層２２，ｎ−ＩｎＡｌＧａＡｓ下
部第２コア層２３，ノンドープＩｎＡｌＡｓ／InGaAs超
格子アバランシェ増倍層２４，ｐ−ＩｎＡｌＧａＡｓ電
界緩和層２５，ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６，ｐ−Ｉ
ｎＡｌＧａＡｓ上部第２コア層２７、ｐ−ＩｎＡｌＡｓ
上部クラッド層２８，ｐ−ＩｎＧａＡｓオーミックコン
タクト層２９を順次積層した構造である。
子アバランシェ増倍層と同程度であり、かつその屈折率
が対称である場合の断面構造，屈折率分布および導波光
強度の関係を示す。ｎ−ＩｎＰ基板２１上に、ｎ−Ｉｎ
ＡｌＡｓ下部クラッド層２２，ｎ−ＩｎＡｌＧａＡｓ下
部第２コア層２３，ノンドープＩｎＡｌＡｓ／InGaAs超
格子アバランシェ増倍層２４，ｐ−ＩｎＡｌＧａＡｓ電
界緩和層２５，ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６，ｐ−Ｉ
ｎＡｌＧａＡｓ上部第２コア層２７、ｐ−ＩｎＡｌＡｓ
上部クラッド層２８，ｐ−ＩｎＧａＡｓオーミックコン
タクト層２９を順次積層した構造である。
【００１４】屈折率は、ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６
が大きく、次いでその下部に中間的な屈折率を有するｎ
−ＩｎＡｌＧａＡｓ下部第２コア層２３，ノンドープIn
AlAs／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層２４，ｐ
−ＩｎＡｌＧａＡｓ電界緩和層２５を、上部にｐ−Ｉｎ
ＡｌＧａＡｓ上部第２コア層２７を配置し、それらを屈
折率の小さいｎ−ＩｎＡｌＡｓ下部クラッド層２２およ
びｐ−ＩｎＡｌＡｓ上部クラッド層２８で挟んだ構造で
ある。これにより屈折率は図２のようにｐ−ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層２６を中心に対称な階段状に分布し、導波光
の多モード化によりスポットサイズの拡大を図ることが
できる。これにより、出射スポットサイズの大きい光フ
ァイバとの光結合が向上する。またトレランスも向上す
る。
が大きく、次いでその下部に中間的な屈折率を有するｎ
−ＩｎＡｌＧａＡｓ下部第２コア層２３，ノンドープIn
AlAs／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層２４，ｐ
−ＩｎＡｌＧａＡｓ電界緩和層２５を、上部にｐ−Ｉｎ
ＡｌＧａＡｓ上部第２コア層２７を配置し、それらを屈
折率の小さいｎ−ＩｎＡｌＡｓ下部クラッド層２２およ
びｐ−ＩｎＡｌＡｓ上部クラッド層２８で挟んだ構造で
ある。これにより屈折率は図２のようにｐ−ＩｎＧａＡ
ｓ光吸収層２６を中心に対称な階段状に分布し、導波光
の多モード化によりスポットサイズの拡大を図ることが
できる。これにより、出射スポットサイズの大きい光フ
ァイバとの光結合が向上する。またトレランスも向上す
る。
【００１５】また、光吸収層２６，電界緩和層２５およ
び超格子アバランシェ増倍層２４を含む、一方の第２コ
ア層２３から他方の第２コア層２７までの全膜厚を１μ
ｍ以上とすることによるスポットサイズ拡大により、図
３に示すような計算結果から光ファイバとの光結合効率
は４０％程度から８０％以上にまで向上する。
び超格子アバランシェ増倍層２４を含む、一方の第２コ
ア層２３から他方の第２コア層２７までの全膜厚を１μ
ｍ以上とすることによるスポットサイズ拡大により、図
３に示すような計算結果から光ファイバとの光結合効率
は４０％程度から８０％以上にまで向上する。
【００１６】光吸収層２６をメサ構造の一部に含み、図
１に示すような光導波路１２の幅が５μｍ以下、または
長さが２５μｍ以下としても導波光を充分吸収すること
ができ、かつ低容量化を図ることができる。図４の遮断
周波数と外部量子効率の計算結果から、従来の導波路型
超格子ＡＰＤに比べ、外部量子効率は４０％程度から８
０％にまで向上し、その量子効率を保ちながら遮断周波
数５０ＧＨｚまでの高速応答が得られる。
１に示すような光導波路１２の幅が５μｍ以下、または
長さが２５μｍ以下としても導波光を充分吸収すること
ができ、かつ低容量化を図ることができる。図４の遮断
周波数と外部量子効率の計算結果から、従来の導波路型
超格子ＡＰＤに比べ、外部量子効率は４０％程度から８
０％にまで向上し、その量子効率を保ちながら遮断周波
数５０ＧＨｚまでの高速応答が得られる。
【００１７】
（実施例１）図１はＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系化合
物半導体を用いた本発明の一実施例の全体構造断面の斜
視図である。ｎ−ＩｎＰ基板１４上に分子線エピタキシ
ー法により半導体多層構造を結晶成長した。その多層構
造を化学エッチングにより幅４μｍ，長さ４０μｍのメ
サ構造を形成した。その後ポリイミド（ＰＩＱ）１５で
平坦化を行い、Ｔｉ／Ａｕ電極１６，ＡｕＧｅＮｉ電極
１３をそれぞれ形成した。導波路長手方向の中心で劈開
することにより長さ２０μｍ，幅４μｍの導波路構造１
２を形成し、その劈開面を入射端面１１とした。入力信
号光は先球光ファイバ１７により入射端面１１に入射し
た。
物半導体を用いた本発明の一実施例の全体構造断面の斜
視図である。ｎ−ＩｎＰ基板１４上に分子線エピタキシ
ー法により半導体多層構造を結晶成長した。その多層構
造を化学エッチングにより幅４μｍ，長さ４０μｍのメ
サ構造を形成した。その後ポリイミド（ＰＩＱ）１５で
平坦化を行い、Ｔｉ／Ａｕ電極１６，ＡｕＧｅＮｉ電極
１３をそれぞれ形成した。導波路長手方向の中心で劈開
することにより長さ２０μｍ，幅４μｍの導波路構造１
２を形成し、その劈開面を入射端面１１とした。入力信
号光は先球光ファイバ１７により入射端面１１に入射し
た。
【００１８】図２に導波路構造１２の断面構造を示す。
分子線エピタキシー法によりｎ−ＩｎＰ基板２１上に、
ｎ−ＩｎＡｌＡｓ下部クラッド層２２（ｎ＝２×１０18
／cm3）を０.４５０μｍ，ｎ−ＩｎＡｌＧａＡｓ下部第
２コア層２３（ｎ＝２×１０18／cm3）を０.８０５μ
ｍ，ノンドープＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子アバ
ランシェ増倍層２４を０.１９５μｍ ，ｐ−ＩｎＡｌＧ
ａＡｓ電界緩和層２５（ｐ＝７×１０17／cm3）を０.０
５０μｍ，ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６（ｐ＝２×１
０15／cm3）を０.４００μｍ，ｐ−ＩｎＡｌＧａＡｓ上
部第２コア層２７（ｐ＝２×１０18／cm3）を１.０００
μｍ，ｐ−ＩｎＡｌＡｓ上部クラッド層２８（ｐ＝２×
１０18／cm3）を０.５００μｍ，ｐ−ＩｎＧａＡｓオー
ミックコンタクト層２９（ｐ＝５×１０19／cm3）を０.
１００μｍ順次積層した。なお、ノンドープＩｎＡｌＡ
ｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層２４はＩｎ
ＡｌＡｓ障壁層１５ｎｍ，ＩｎＧａＡｓ井戸層５ｎｍを
９周期交互に積層し、最後にＩｎＡｌＡｓ障壁層１５ｎ
ｍを積層したものであり、ＩｎＡｌＧａＡｓ層２３，２
５，２７の屈折率は図２に示すようにノンドープＩｎＡ
ｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層２４の
ものと同程度とした。
分子線エピタキシー法によりｎ−ＩｎＰ基板２１上に、
ｎ−ＩｎＡｌＡｓ下部クラッド層２２（ｎ＝２×１０18
／cm3）を０.４５０μｍ，ｎ−ＩｎＡｌＧａＡｓ下部第
２コア層２３（ｎ＝２×１０18／cm3）を０.８０５μ
ｍ，ノンドープＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子アバ
ランシェ増倍層２４を０.１９５μｍ ，ｐ−ＩｎＡｌＧ
ａＡｓ電界緩和層２５（ｐ＝７×１０17／cm3）を０.０
５０μｍ，ｐ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層２６（ｐ＝２×１
０15／cm3）を０.４００μｍ，ｐ−ＩｎＡｌＧａＡｓ上
部第２コア層２７（ｐ＝２×１０18／cm3）を１.０００
μｍ，ｐ−ＩｎＡｌＡｓ上部クラッド層２８（ｐ＝２×
１０18／cm3）を０.５００μｍ，ｐ−ＩｎＧａＡｓオー
ミックコンタクト層２９（ｐ＝５×１０19／cm3）を０.
１００μｍ順次積層した。なお、ノンドープＩｎＡｌＡ
ｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層２４はＩｎ
ＡｌＡｓ障壁層１５ｎｍ，ＩｎＧａＡｓ井戸層５ｎｍを
９周期交互に積層し、最後にＩｎＡｌＡｓ障壁層１５ｎ
ｍを積層したものであり、ＩｎＡｌＧａＡｓ層２３，２
５，２７の屈折率は図２に示すようにノンドープＩｎＡ
ｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ超格子アバランシェ増倍層２４の
ものと同程度とした。
【００１９】作製した導波路型ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａ
Ａｓ超格子アバランシェ・フォトダイオードは、増倍率
Ｍ＝２で遮断周波数４０ＧＨｚという極めて良好な特性
が得られた。このときの外部量子効率は８０％、暗電流
は０.１μＡ と良好であった。また、光ファイバと結合
損失は０.７ｄＢ 程度と従来に比べ３ｄＢ以上改善され
た。
Ａｓ超格子アバランシェ・フォトダイオードは、増倍率
Ｍ＝２で遮断周波数４０ＧＨｚという極めて良好な特性
が得られた。このときの外部量子効率は８０％、暗電流
は０.１μＡ と良好であった。また、光ファイバと結合
損失は０.７ｄＢ 程度と従来に比べ３ｄＢ以上改善され
た。
【００２０】また、ＡｌＧａＡｓ系，ＩｎＡｌＧａＰ系
においても同様である。第２コア層２３，２７それぞれ
を２層以上の多層で構成しても同様の効果が得られる。
ポリイミド（ＰＩＱ）の代わりにＳｉＮ等の誘電体膜や
半導体結晶等を用いても同様である。
においても同様である。第２コア層２３，２７それぞれ
を２層以上の多層で構成しても同様の効果が得られる。
ポリイミド（ＰＩＱ）の代わりにＳｉＮ等の誘電体膜や
半導体結晶等を用いても同様である。
【００２１】
【発明の効果】本発明の第２コア層を有する導波路型超
格子アバランシェ・フォトダイオードを用いれば、光フ
ァイバとの結合損失が０.７ｄＢ 程度と従来に比べ３ｄ
Ｂ以上改善され、外部量子効率８０％程度を保ったまま
遮断周波数５０ＧＨｚ程度までの高速応答が可能とな
る。また、スポットサイズの拡大により光ファイバとの
位置合わせも容易になる。
格子アバランシェ・フォトダイオードを用いれば、光フ
ァイバとの結合損失が０.７ｄＢ 程度と従来に比べ３ｄ
Ｂ以上改善され、外部量子効率８０％程度を保ったまま
遮断周波数５０ＧＨｚ程度までの高速応答が可能とな
る。また、スポットサイズの拡大により光ファイバとの
位置合わせも容易になる。
【図１】本発明の実施例１の導波路型超格子アバランシ
ェ・フォトダイオードの全体断面構造の斜視図。
ェ・フォトダイオードの全体断面構造の斜視図。
【図２】本発明の実施例１の光導波路構造１２の断面構
造，屈折率分布および導波光強度を表す説明図。
造，屈折率分布および導波光強度を表す説明図。
【図３】本発明の典型的な上部第２コア層２７，光吸収
層２６，電界緩和層２５，超格子アバランシェ増倍層２
４，下部第２コア層２３までの全膜厚と光ファイバとの
光結合効率の関係を表す説明図。
層２６，電界緩和層２５，超格子アバランシェ増倍層２
４，下部第２コア層２３までの全膜厚と光ファイバとの
光結合効率の関係を表す説明図。
【図４】本発明および従来型の典型的な遮断周波数と外
部量子効率の関係を表す説明図。
部量子効率の関係を表す説明図。
１１…入射端面、１２…導波路構造、１３…ＡｕＧｅＮ
ｉ電極、１４…ｎ−ＩｎＰ基板、１５…ポリイミド（Ｐ
ＩＱ）、１６…Ｔｉ／Ａｕ電極、１７…先球光ファイ
バ。
ｉ電極、１４…ｎ−ＩｎＰ基板、１５…ポリイミド（Ｐ
ＩＱ）、１６…Ｔｉ／Ａｕ電極、１７…先球光ファイ
バ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松岡 康信 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】導波路構造を有する超格子増倍層アバラン
シェ・フォトダイオードにおいて、光吸収層とクラッド
層との中間的な屈折率を有する第２コア層In1-xGaxAsyP
1-y（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）あるいはＩｎ1-x-yＡｌ
xＧａyＡｓ(０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）の少なくとも一
方で光吸収層，電界緩和層および超格子アバランシェ増
倍層を挟むことを特徴とするアバランシェ・フォトダイ
オード。 - 【請求項２】前記第２コア層の少なくとも一方の屈折率
が、超格子アバランシェ増倍層の屈折率と同程度もしく
はそれよりも小さい請求項１に記載のアバランシェ・フ
ォトダイオード。 - 【請求項３】積層方向に、前記光吸収層から前記クラッ
ド層までの屈折率分布が光吸収層の中心で対称である請
求項１あるいは請求項２に記載のアバランシェ・フォト
ダイオード。 - 【請求項４】前記光吸収層，前記電界緩和層および前記
超格子アバランシェ増倍層を含む、一方の前記第２コア
層から他方の前記第２コア層までの全膜厚が１μｍ以上
である請求項１，請求項２あるいは請求項３に記載のア
バランシェ・フォトダイオード。 - 【請求項５】前記光導波路の幅が５μｍ以下、または長
さが２５μｍ以下である請求項１，請求項２，請求項３
あるいは請求項４に記載のアバランシェ・フォトダイオ
ード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7340362A JPH09181351A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アバランシェ・フォトダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7340362A JPH09181351A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アバランシェ・フォトダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09181351A true JPH09181351A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18336222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7340362A Pending JPH09181351A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | アバランシェ・フォトダイオード |
Country Status (1)
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|---|---|
| JP (1) | JPH09181351A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1132974A2 (en) * | 2000-01-28 | 2001-09-12 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corporation | High speed semiconductor photodetector |
| EP1387410A1 (en) * | 2001-05-07 | 2004-02-04 | Anritsu Corporation | Semiconductor light receiving element transmitting incident light repeatedly in light absorbing layer and method for fabricating the same |
| WO2005060010A1 (ja) * | 2003-12-18 | 2005-06-30 | Nec Corporation | 受光素子およびそれを用いた光受信機 |
| CN111816728A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-10-23 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 雪崩光电二极管及其制作方法 |
| JP7307287B1 (ja) * | 2022-07-19 | 2023-07-11 | 三菱電機株式会社 | 半導体受光素子 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP7340362A patent/JPH09181351A/ja active Pending
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